CHAPITRE 1 :

STRUCTURE
CRISTALLINE

Paternité - Pas de Modification : http://creativecommons.org/licenses/by-nd/1.0/fr/

 Table des
matières
I - STRUCTURE CRISTALLINE DES MATÉRIAUX SEMICONDUCTURS 3

1. Matériaux semiconducteurs ............................................................................................................................ 3

2. Réseau Cristallin ............................................................................................................................................. 4

3. Systèmes Cristallins ........................................................................................................................................ 7

4. Structures cristallines des Principaux semiconducteurs .................................................................................. 8

4.1. Structure diamant ......................................................................................................................................................................... 9
4.2. La structure Zinc-blende ............................................................................................................................................................ 10
4.3. La Structure Wurtzite ................................................................................................................................................................. 11
4.4. La structure Sel Rock-salt (salite) ............................................................................................................................................... 12
4.5. Polytipisme. ............................................................................................................................................................................... 12

5. Réseau direct et réseau réciproque ............................................................................................................... 13

6. Indices de Miller ........................................................................................................................................... 15

7. Défauts dans les structures ............................................................................................................................ 17

8. Principales Formules ..................................................................................................................................... 18

9. Exercices ....................................................................................................................................................... 19
9.1. Exercice 1 .................................................................................................................................................................................. 19
9.2. Exercice 2 .................................................................................................................................................................................. 19
9.3. Exercice 3 .................................................................................................................................................................................. 19

Conclusion 20

Abréviations 21

Bibliographie 22
 STRUCTURE CRISTALLINE DES MATÉRIAUX SEMICONDUCTURS

STRUCTURE
CRISTALLINE DES I
MATÉRIAUX
SEMICONDUCTURS

Dans ce chapitre nous allons présenter d'une manière générale la structure cristalline des principaux semi-
conducteurs.

Nous discuterons, les systèmes cristallins, le réseau direct et le réseau réciproque.

1. Matériaux semiconducteurs
Du point de vue électrique, les matériaux peuvent être classés selon leurs conductivités en trois groupes comme
le montre la figure 1.

1. Isolant
2. Semiconducteurs
3. Conducteurs

Les semiconducteurs sont des matériaux dont la conductivité se situe entre 106 et 105 (Ω.m)-1.

La conductivité des semiconducteurs dépend généralement de la température.

Il existe de plusieurs types de semiconducteurs. On y trouve des éléments simples, des composés binaires ou
des composés ternaires voire quaternaires.

Figure 1. Conductivité des matériaux

Il existe de plusieurs types de semiconducteurs.

3
 Réseau Cristallin

On y trouve des éléments

- Simples,
- Composés binaires
- Composés ternaires
- Quaternaires.

Le tableau 1 regroupe les principaux semiconducteurs utilisés en physique des semiconducteurs .

Table 1 : Types de semiconducteurs

Matériaux Semiconducteurs

Table 2.

2. Réseau Cristallin
Selon l'arrangement des atomes qui les constituent, les matériaux solides peuvent être classés comme :

- Monocristallins
- Polycristallins
- Amorphes.

Les différences entre ces classes de solides sont présentées schématiquement à la figure 2.

4
 Réseau Cristallin

Figure 2 : Nature des semiconducteurs

Un matériau dans l'état cristallin est formé d'un arrangement périodique d'atomes ou de molécules.

Les atomes établissent des liaisons de natures différentes. On distingue :

- Les liaisons ioniques

- Les liaisons covalentes
- Les liaisons métalliques
- Les liaisons moléculaires

La caractéristique fondamentale d'un cristal (idéal) est d'être constitué d'un arrangement régulier et répétitif
d'atomes.

Définition
Un réseau cristallin peut être défini comme un solide constitué d'un motif, appelé encore base , qui se répète
périodiquement (dans les trois dimensions).

Ce motif peut consister en un seul atome, un groupe d'atomes ou d'autres composés.

L'arrangement périodique de tels motifs dans un cristal est représenté par un réseau comme le montre la figure
3.

Définition
On appelle nœud ( nœud réticulaire), chacun des points qui constituent l'ensemble du réseau.

La figure 4 représente un arrangement d'atomes à deux dimensions ou l'on peut reconstruire toute la structure
par simple reproduction d'une celle de référence, par exemple la cellule OCDE ou la cellule PQRS.

5
 Réseau Cristallin

Évidemment, Il existe différentes manières de choisir cette cellule de référence.

Fondamental
La plus petite cellule (prisme) dont les sommets son occupés par des nœuds permettant de reconstituer le
réseau par des opérations de translations selon trois axes est appelée maille ou cellule élémentaire.

« Une maille » est dite simple si elle ne possède des nœuds que sur les sommets du parallélogramme (réseau
plan) ou du prisme (réseau à trois dimensions) correspondant.

« Un réseau » peut être représenté par un ensemble de deux vecteurs de translation (a, b) dans le cas à deux
dimensions et les trois vecteurs (a, b, c) dans les réseaux tridimensionnels comme représenté sur la figure 5.

Ainsi la position de chaque point est définie par un vecteur du réseau :

Où n1, n2 et n3 sont des nombres entiers et   ,  , et   , sont dits vecteurs de translation fondamentaux ou
encore vecteurs primitifs.

Définition
La maille définie par les vecteurs primitifs est dite primitive ou élémentaire.

C'est en fait une maille de volume minimal donnée par :

6
 Systèmes Cristallins

Le nombre de mailles primitives est donné par :

Remarque
Une maille élémentaire contient exactement un seul nœud.

Remarque
Les propriétés du réseau cristallin périodique déterminent les énergies des électrons qui participent à la
conduction dans les dispositifs électroniques.

Ainsi, le réseau détermine non seulement les propriétés mécaniques du cristal, mais aussi ses propriétés
électriques.

3. Systèmes Cristallins
Dans l'espace à trois dimensions, la maille élémentaire est complètement décrite par les vecteurs primitifs et les
trois angles qu'ils font entre eux.

Nous dénombrons sept (7) systèmes cristallins.

Étant donné que le réseau tridimensionnel est constitué de cellules unitaires translatées dans toutes les directions
pour remplir tout l'espace, il n'y existe seulement que 14 types d'arrangement qui constituent les 14 réseaux de
Bravais qui sont (voir figure 6) .

1. Cubique simple, cubique centré et cubique faces centrées (CFC*).

2. Tétragonal simple, tétragonal centré.
3. Orthorhombique simple, orthorhombique centré,
orthorhombique faces centrées, orthorhombique à deux faces
centrées.
4. Trigonal et trigonal hexagonal.
5. Monoclinique, monoclinique à deux faces centrées.
6. Triclinique.
7. Hexagonal.

Réseaux de bravais

Ces réseaux sont très importants pour représenter les différents types de semi-conducteurs utilisés pour la
fabrication des dispositifs électroniques.

Outre l'opération de translation, il existe d'autres opérations de symétrie (rotation, inversion, miroir) qui laissent
le réseau invariant.

7
 Structures cristallines des Principaux semiconducteurs

Ces opérations de symétrie vont former 32 groupes ponctuels .

Si on tient compte à la fois des opérations de translation et de symétrie on obtient 230 groupes spatiaux.

4. Structures cristallines des Principaux semiconducteurs

Seuls les éléments nécessaires à l'étude pour l'étude des semi-conducteurs usuels seront présentés.

Pour plus de détails, se référer aux ouvrages spécialisés sur la cristallographie.

Les systèmes les plus importants pour les semi-conducteurs (dérivés des systèmes cubiques, cubiques centrés et
cubiques faces centrées) sont :

- La structure Diamant
- La structure Zinc-blende
- La Structure Wurtzite .
- La structure Sel ou Nalcl (Rock Salt).
La plupart des semiconducteurs cristallisent en ces réseaux cristallins.

8
4.1. Structure diamant
C'est la structure des semiconducteurs de la colonne IV du tableau périodique.

Le réseau de bravais de la structure diamant est le cubique face centré.

Le motif est constitué de deux atomes identiques situé en positions (0,0,0) et (1/4,1/4,1/4).

La figure 7 représente la structure diamant.

Chaque atome de la structure est au centre d'un tétraèdre régulier dont les 4 sommets sont occupés par les
atomes voisins les plus proches. On obtient une structure dite diamant, dans laquelle les atomes occupent les
nœuds de 2 réseaux cubique faces centrées (CFC) décalés l'un de l'autre d'un quart de la diagonale du cube.

9
 La maille élémentaire est donc une structure cubique face centrée qui contient en plus des atomes placés sur les
diagonales.

Les semi-conducteurs tels que le silicium, le germanium ou le carbone possèdent une structure cristalline de
type diamant.

Complément
Le Silicium (Si) , le Germanium (Ge) , le carbone (C) ou l'indium (Etain) (gray tin) font partie des
semiconducteurs de la colonne IV.

4.2. La structure Zinc-blende

La majorité des semiconducteurs du groupe III-V ont une structure cristalline de type Zinc-blende comme
l'arséniure de Gallium (GaAs) ou (InSb) par exemple.

La structure du réseau de la blende est identique à la structure diamant avec une alternance des atomes comme
le montre la figure 8.

10
 Structure Zinc blende

Complément
La structure zinc blende est dite aussi sphalerite.

4.3. La Structure Wurtzite

La structure wurtzite également appelée aussi la structure ZnS hexagonal (Sulfure de Zinc).

L'empilement est du type hexagonal compact (séquence ABAB) avec une alternance de plans de soufre et de
plans de zinc.

La maille élémentaire qui reproduit la structure est de type hexagonal qui contient deux éléments de chaque
type.

Comme la structure Zinc-blende, chaque ion forme un tétraèdre avec ses plus proches voisins En

Complément
La plupart des semiconducteurs de type II-IV ont la structure wurtzite comme : GaN, AlN, InN , ZnO , SiC ,
CdS et CdSe.

11
4.4. La structure Sel Rock-salt (salite)
C'est la structure de NaCl

C'est la structure des semiconducteurs IV-VI comme le PbS ou le PbTe.

La structure consiste en deux structure cfc interpénétré dans la direction 100.

4.5. Polytipisme.
Certains semiconducteurs peuvent présenter plusieurs structures selon les conditions de fabrication.

Exemple pour le ZnS ou SiC, on y trouve sous forme :

- Zinc blende (sphalerite) structure qui corresponds à un arrangement cubique ( 3C),

- Wurtzite structure qu corresponds à un arrangement hexagonal. ( 2H, 4H ou 6H).

12
 Réseau direct et réseau réciproque

5. Réseau direct et réseau réciproque

Le réseau cristallin est aussi appelé réseau direct.

On définit un réseau réciproque (comme pour l'espace-temps et fréquence) qui sera d'un grand intérêt pour
décrire les phénomènes physiques (diffraction, phonons et calcul de structure de bande) se produisant dans
l'espace (cristal) direct.

Le réseau réciproque d'un réseau cfc est donc un réseau cc (et réciproquement).

13
 Réseau direct et réseau réciproque

Le réseau réciproque est défini par sa 1ere zone de Brillouin, l'équivalent de la maille élémentaire pour le réseau
direct.

La construction de la première zone de Brillouin est illustrée par la figure 11.

A un réseau direct à trois dimensions de vecteurs de base   ,  , et   , correspond un réseau réciproque à

trois vecteurs , , et , définis par :

Avec, k1, k2 et k3 entiers et :

14
 Indices de Miller

Où Va est le volume de la maille élémentaire donnée par l'équation (1.2) à savoir : et Va*
est le volume de la maille élémentaire réciproque.

Il est tout à fait évident que les relations sont satisfaites :

N est une constante entière.

6. Indices de Miller
Les semiconducteurs et les composants électroniques sont fabriqués sur des surfaces et par conséquent les
propriétés électriques et physiques des composants dépendent de l'orientation des structures utilisées.

La notion d'orientation est donc très importante. Les propriétés des cristaux selon différents plans son différents
(à cause du nombre d'atomes qui est différents ainsi que l'espace entre eux).

Une manière de définir les plans et les directions et l'utilisation des indices de Miller.

L'équation d'un plan coupant x, y, z aux abscisses p, q, r est donnée par :

Ce plan est décrit par les indice de Miller (h, k, l) définis par :

La constante A fait de h, k, l trois entiers les plus petits possible. A est le « plus petit multiple commun ».

La figure 12 illustre un exemple de calcul des indices de Miller.

x=3, y=3, z=2 sont les coordonnées des intersections du plan.

Pour obtenir les indice de Miller, on forme leurs inverses 1/3, 1/2, 1/2, et par suite, selon l'équation , h, k, l sont
233 qui représente le plan (233).

- Si le plan est parallèle à un axe, l'indice correspondant est égal à 0.

- Un plan est décrit par la notation (hkl).

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 Indices de Miller

- L'ensemble des plans parallèles au plan hkl est noté par {hkl}, alors qu'une direction perpendiculaire à un
plan (hkl) s'écrit [hkl].

- Un plan hkl est exactement le plan (-hkl).

Dans un réseau cubique les plans (100), (010), (001) (-100), (0-10) et (00-1) sont équivalents par symétrie.

Remarque
Dans la structure diamant du silicium le plan (111) est plus dense en atomes que le plan (100).

Dans la structure Zinc blende le plan (111) contient les deux types d'atomes (Ga et As).

Dans le cas de la structure Wurtzite les indices de Miller sont notés hkml avec m=-(h+k) qui représente l'indice
selon l'axe z.

La figure 13 illustre quelques plans pour le système cubique et la structure wurtzite.

16
 Défauts dans les structures

7. Défauts dans les structures

Une structure cristalline possède des imperfections (lacunes, dislocations) appelés aussi défauts.

L'existence de défauts (qui peut être volontaire ou involontaire) perturbe ou modifient les propriétés physiques
des cristaux. On distingue :

17
 Principales Formules

Les défauts ponctuels Les défauts ponctuels ou défauts 0D . ils concernent un nœud unique et on distingue :

- Les lacunes (vacancy) (Frenkel ou Schottky)

- Les défauts interstitiels

- Les défauts de substitution

- Défauts extrinsèques (impuretés)

Les défauts de lignes (1D) : ou dislocations, on distingue :

- Les dislocations coin

- Les dislocations vis
- Dislocations mixtes

Les défauts de surfaces 2D

- Défaut planaires internes : joints de grain, défaut d'empilement, joints de macle et les défauts planaires
externes résultant de l'interaction du cristal avec l'environnement.

Les défauts de volumes 3D

- Pores : cavité remplie ou vide de gaz

- Les précipités : clusters d'atomes étrangers formant de petites régions ou différentes phases.

8. Principales Formules
Rappel : Calcul de Concentration Atomique volumique

Catom : Nombre d'atomes/cm3

N : Nombre d'atomes par maille élémentaire

v : Volume de la maille élémentaire en cm3

Rappel : Calcul de la densité (masse volumique)

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 Exercices

A : Masse atomique

NA : Nombre d'Avogadro = 6.023x1023

Don on peut calculer la concentration atomique connaissant la masse volumique et le numéro atomique.

Rappel : Calcul de Concentration Atomique surfacique

Csurf : Nombre d'atomes/cm2

N : Nombre d'atomes par face (plan)

S : surface du plan en cm2

9. Exercices
9.1. Exercice 1
Calculer la concentration atomique du silicium (nombre d'atomes par unité de volume). le paramètre de maille
du silicium est de 5.43 Å.

Méthode
Réponse :

Catom=8/a3= 8/(5.43 × 10-8)3= 5 × 1022 atoms/cm3

9.2. Exercice 2
Calculer la concentration atomique du silicium (nombre d'atomes par unité de volume). On donne :

d=2.33 g/cm3

Masse atomique du silicium A=28.9 g/mole

NA : Nombre d'Avogadro = 6.023x1023

Méthode
Réponse=

Catom=dxNA/A=5 × 1022 atoms/cm3

9.3. Exercice 3
Calculer la concentration surfacique du plan 110 du silicium (nombre d'atomes par unité de surface).

Méthode
Réponse=

Catom=4/ a2= 9.59 × 1014 atoms/cm2

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 Conclusion
Conclusion

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 Signification des abréviations

Abréviations
CFC : Cubique face centrée

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 Bibliographie

Bibliographie

Pierrer

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