AMPLIFICATEUR DEUX VOIES A TRANSISTORS BIPOLAIRES NPN ET PNP 1

On considère le montage amplificateur de la figure 1 qui possède deux sorties utilisables. Il utilise
deux transistors au silicium à la température de 25 °C :
• T1 transistor bipolaire NPN tel que : β1= 200
• T2 transistor bipolaire PNP tel que : β2 = 100
• La résistance interne rce de T1 et T2, importante, sera négligée.
• On donne de plus : VCC = 15 V et |VBE| = 0,6 V.

+ VCC = +15 V

R1
B2
T2
C1 C2
C1 C2 Sortie 2
T1 I4
B1 R4
Rg
820 Ω
10 kΩ Sortie 1
E1
+ ve R2 I3
R3 C3
eg vs1 vs2
- 220 Ω

Figure 1

1) Calculer l'expression des courants continus I3 et I4 du schéma en fonction du courant

de base IB1 de T1 et des gains en courant β1 et β2 de T1 et T2.
Montrer que les courants I3 et I4 sont sensiblement égaux.

2) On fixe I4 = 10 mA. Déterminer le potentiel par rapport à la masse de tous les nœuds
du schéma et reporter leur valeur dans les cadres prévus à cet effet.

3) Calculer la valeur à donner aux résistances R1 et R2 qui fixent le point de repos de T1

et par conséquent, celui de T2.

4) Sachant que l'impédance des condensateurs de liaisons est négligeable, dessiner le

schéma équivalent aux petites variations et aux fréquences moyennes du montage
complet en utilisant le schéma équivalent en « βi ibi » pour chaque transistor.

5) Déterminer l'expression du gain en tension de la voie 1 du montage : A1 = vs1/ve.

Donner l'expression approchée du gain A1 et faire l'application numérique.

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Philippe ROUX © 2009 http://rouxphi3.perso.cegetel.net
6) Déterminer l'expression de la résistance d'entrée Re du montage complet vue par le
générateur d'excitation ( eg, Rg ) entre B1 et M.
Donner l'expression approchée de Re et faire l'application numérique.

7) Déterminer l'expression du gain en tension A2= vs2 / ve lorsqu'on utilise la deuxième

voie de sortie. Donner l'expression approchée de A2 . Que pensez-vous du résultat ?
Faire l'application numérique.

8) Déterminer l'expression de la résistance de sortie de la voie 1 : Rs1 vue entre E1 et la

masse. Dessiner le schéma d'analyse. On négligera l’influence du pont de
polarisation de T1 devant la résistance Rg du générateur.

2
 2
CORRECTION

1. Expression des courants continus I3 et I4.

Schéma du montage en régime continu :

+ VCC = +15 V

R1 14,4 V
IC1 B2 10,4 V
T2
C1
2,8 V C2
T1 I4
B1 R4
2,2 V
IP 820 Ω
E1
R2 I3
R3
220 Ω

Courant d’émetteur de T1 : I E 1 = ( β 1 + 1) I B 1
Courant de collecteur T2 : I 4 = β 2 I B 2 = β 2 ( β 1 I B 1 )
Sachant que : I 3 = I E 1 + I 4 , on obtient : I 3 = ( β 2 β 1 + β 1 + 1) I B 1

I3 β2β1 + β1 + 1
= ≈1
I4 β2β1

2. Avec I4 = 10 mA, les potentiels des nœuds par rapport à la masse sont indiqués sur la figure.

3. Le courant de base de T1 est de 500 nA. On choisit un courant de pont IP = 10 µA. Dans ces
conditions, on obtient : R1 = 1.2 MΩ et R2 = 280 kΩ.

4. Schéma aux petites variations du montage :

C2
R4
ig B1 rbe1 E1 C1

ib1 ib2
Rg β 1 ib1
ve R1 //R2 R3 rbe2 β 2 ib2 vs2
+ vs1
eg
-

2
Philippe ROUX © 2009 http://rouxphi3.perso.cegetel.net
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5. Expression du gain en tension de la voie 1.
v e = rbe 1ib 1 + v s1
v s1 = R3 [ ( β 1 + 1)ib 1 − β 2 ib 2 ]
Avec : ib 2 = −β 1ib 1
v s1 = R3 [ β 1β 2 + β 1 + 1] ib 1
v s1 β 1β 2 R3
Gain en tension sur la voie 1 : ≈
v e rbe 1 + β 1β 2 R3

UT v s1
Avec : rbe 1 = β 1 = 50 kΩ << β 1β 2 R3 A1 = ≈1
IC 1 ve

6. Résistance d'entrée Re du montage complet vue par le générateur d'excitation ( eg, Rg ) entre
B1 et M.
v
Par définition : Re = e . Ecrivons l’équation au nœud B1.
ig
ve 1 ig 1 1
ig = + ib 1 soit : = = +
R1 // R2 Re v e R1 // R2 v e
ib 1
v
Ce qui permet d’écrire : Re = R1 // R2 // e
ib 1

Or v e ≈ ib 1 [ rbe 1 + β 1β 2 R3 ]

Re ≈ R1 // R2 // [ rbe 1 + β 1β 2 R3 ] = 216 kΩ

7. Expression du gain en tension A2= vs2 / ve

v s2 = − R4 β 2 ib 2 + v s1 avec : ib 2 = −β 1ib 1
v s2 = R4 β 2 β 1ib 1 + v s1
v e ≈ ib 1 [ β 1β 2 R3 ]

v s2 R4 v s1 R4
A2 = ≈ + ≈ + 1 = 4,73
v e R3 v e R3

8. Résistance de sortie de la voie 1. Schéma d’analyse : court-circuiter eg et placer en sortie un

générateur (u,i).

C2
R4
B1 rbe1 E1 C1

ib1 i’ ib2
Rg β 1 ib1
i
+ R3 rbe2 β 2 ib2
u
-

4
 u u
Rs1 = = R3 // u = − ( Rg + rbe 1 )ib 1
i i′
i′ = − ( β 1 + 1)ib 1 + β 1ib 2 i′ = − ( β 1β 2 + β 1 + 1)ib 1
u Rg + rbe 1
≈
i′ β 1β 2
Rg + rbe 1
Rs1 ≈ R3 // = 3Ω
β 1β 2