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Cours 5 (après) Physique des composants semiconducteurs

Choisissez toutes les bonnes réponses. Il peut y avoir plus d’une affirmation correcte.

1. Tracer des lignes entre la colonne de gauche et la colonne de droite :

Régime d’ionisation des impuretés T élevée

Régime d’épuisement des T basse

impuretés

Régime intrinsèque n=ND+

n=ni

T moyenne

n=p

n=ND

n=0

n=ND-

2. La dérive est
a. le fait de s'écarter de la voie normale, d'aller à l'aventure, de déraper
b. un déplacement incontrôlé d'un objet flottant ou immergé dû à l'action
du vent et des courants
c. le mouvement des particules d’une région à haute concentration de
particules vers des régions à basse concentration de particules
d. le mouvement d’une particule chargée en réponse à l’application
d’un champ électrique
3. La mobilité d’un électron ou d’un trou
a. est indépendante du champ électrique appliqué [pour des champs
appliqués pas trop importants, voir graphique]
b. est indépendante de la masse effective
c. est indépendante de la température
d. augmente lorsque le dopage augmente
e. joue un rôle dans la résistivité du matériau
f. change de signe selon qu’il s’agit d’un électron ou un trou

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4. Vrai ou faux :
a. Dans un semiconducteur dopé uniformément, un courant de diffusion
existe.
b. Si l’on applique un champ électrique sur un barreau de
semiconducteur, un courant de dérive existe.[vrai]
c. Dans un semiconducteur dopé n, seuls les courants d’électrons
peuvent exister.
d. Dans un semiconducteur dopé p, seuls les courants de trous peuvent
exister.