Chapitre 1I: Les diodes. I) Introduction.

I- Introduction:
Les matériaux sont classés électriquement en trois catégories;
II- Diode (dipôle non linéaire)
conducteur, isolant et semi-conducteur. L'avantage de ce dernier
III- Point de fonctionnement
est la variation de sa résistivité avec la température. Elle
IV- Diodes Zener diminue lorsque la température augmente contrairement au
IV- Autres types de diodes. conducteur où leur résistivité augmente légèrement, alors que
celle de l'isolant est infinie quelque soit la température.
Cet avantage et d'autres ont permis aux matériaux semi-
II) Le dipôle non linéaire: la diode. conducteurs d'être la base des composants électroniques comme
1/ Constituants. les diodes et les transistors.

La diode est composée de deux matériaux semi-conducteurs; l'un est riche d'électrons (dit de type N) et le
second est riche en trous (dit de type P). Les électrons et les trous sont appelés porteurs de charge: l'électron
lui correspond une charge -e et le trou une charge +e (Figure1). Pour qu'un semi-conducteur soit riche en
trous ou en électrons, on procède à l'opération de dopage.

Le semi-conducteur de type P constitue la borne anode (A)

de la diode et le semi-conducteur de type N forme la borne
cathode (K).

Ce dipôle électrique est unidirectionnel car si la

tension à l'anode (UA) est supérieure à celle à la
cathode (UK), le courant électrique traverse la diode;
la diode est dite passante ou en polarisation directe. Figure 1
Dans le cas contraire, le courant ne pourra pas P N
traverser la diode; la diode est dite bloquée ou en
polarisation inverse.
2/ Courbe caractéristique. La courbe caractéristique réelle d'une diode est comme suite:

La tension VD = U A - U K. La diode est passante si la tension VD

est positive et dans le cas contraire la diode est bloquée.

En polarisation directe, la diode ne laisse passer le courant

que si VD dépasse sa tension seuil V0. Cette dernière
V0 dépend des semi-conducteurs constituant la diode
Elle est de 0,6V si les deux semi-conducteurs P et N sont
ID >>>> IS en silicium (Si) et elle vaut 0,3V si les deux semi-
Figure 2 conducteur sont en germanium (Ge)

Pour VD supérieure à V0 mais proche de sa valeur, la variation du courant ID avec VD est presque
quadratique. A des valeurs de VD largement supérieures à V0 , ID évolue linéairement avec V D. La région
d'évolution linéaire permet de déterminer deux résistances de la diode:

(i) résistance statique qui est définit en chaque point de la région linéaire

(ii) résistance dynamique qui n'est autre que la pente de l'évolution linéaire
En polarisation inverse, le courant est très faible
de façon à le considérer nul. Cependant, en En examinant en détail la relation courant-tension
d'une jonction polarisée, on constate que le courant
augmentant la tension VD et à partir d'une
certaine valeur le courant électrique augmente évolue, avec la tension appliquée, selon la loi
exponentielle suivante:
brusquement. Cette tension est dite tension de
claquage et elle est notée V BR . Dans cette région
la diode sera détruite.
(Eq1)

* VT est la tension thermodynamique qui vaut

= 26mV à 25°C (q=1,6x10-19C; K=1,23x10-23J/K)

* Le courant Is est appelé courant
inverse de saturation. C'est la * n est le coefficient d'émission ou facteur
valeur asymptotique du courant d'idéalité. Il dépend du matériau, voisin de 1 pour les
traversant la jonction en diodes au germanium, et compris entre 1 et 2 pour les
polarisation inverse. diodes au silicium.

Dans le cas où la tension V D excède 100mV, la

caractéristique courant-tension (Eq1) peut être (Eq2)
approximée convenablement par la relation
3/ Modèles statiques de la diode. L'analyse des structures électroniques nous met dans une
situation de simplifier la courbe ID = f(V D). Cette
a- Diode idéale simplification dépend du problème à étudier où différentes
hypothèses peuvent être envisagées.

Si VD < 0, le courant ID = 0 et ID > 0 si la tension VD ≥ 0.

La diode est équivalente à un interrupteur.
Figure 3

b- Diode parfaite

Si VD < VD0 (ou V0), le courant ID = 0. Si VD ≥ VD0, le courant ID > 0.

La diode est équivalente soit à un circuit ouvert, soit à une source de
tension parfaite de f.é.m VD0.

Figure 4
 Si VD < V D0, le courant ID = 0. Si ID > 0; la tension V D = VD0 + RD ID. La diode est
c) Diode réelle équivalente soit à un circuit ouvert, soit à une source de tension de f.é.m VD0 et de
résistance interne RD.

Figure 5

4/ Modèle dynamique de la diode.

Dans quelques applications, on cherche à déterminer le comportement en courant alternatif du
circuit à diodes autour d'un point de fonctionnement Q. On a donc une superposition d'un signal de
courant continu et d'un signal d'un courant alternatif de faible amplitude (Figure 6)

Figure 6
Le signal instantané appliqué à la diode est :

Le courant dans la diode correspondant s'écrit :

comme il s'en suit:

où rd est la résistance dynamique de la diode définie par:

La résistance dynamique précédente n’est pas

suffisante pour caractériser la diode à jonction pour
des petites variations rapides (vD , iD ) autour des
valeurs de repos de la diode (VD , ID). La relation liant
C ayant les dimensions d’une capacité, et il est
les petites variations de courant i aux petites
la somme de deux composantes:
variations de tension v est en fait:
C = Cj + Cdiff
Cj est la capacité de jonction ou de transition et Cdiff En polarisation inverse, la largeur de la
est la capacité de diffusion. Le deuxième terme est
zone de transition dépend de la tension
prépondérant en polarisation directe. En polarisation
directe, la diode est équivalente en dynamique au
externe appliquée, elle est
circuit suivant: proportionnelle à V0 − V pour une
jonction abrupte, V0 étant la hauteur de la
Figure 7 barrière de potentiel, et V la différence de
potentiel externe appliquée à la jonction,
négative en polarisation inverse
Si la tension inverse appliquée à la diode −V est augmentée
de −dV , la zone de charge d’espace (zone de transition)
augmente de dxp côté P et de dx n côté N. La charge
d’espace augmente donc de −dQ côté P et de +dQ côté N
Dans cette situation, la capacité de transition
Cj l'emporte devant celle de diffusion. D'autre
part et dans certaines conditions la diode sera
équivalente à une capacité de transition sans
la résistance dynamique.

III) Point de fonctionnement.

1/ Cas général
Comment déterminer la tension aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et
le courant qui la traverse? En d'autre terme le point de fonctionnement.
Prenons le cas simple suivant:

Les grandeurs électriques ID et V D à déterminer doivent

Figure 8
En conclusion, au point de
fonctionnement de la diode, (ID,V D)
remplissent ces deux conditions.
respecter les lois de Kirchhoff. En plus ces deux grandeurs
doivent être sur la caractéristique ID(VD) du composant.
Pour déterminer ce point de fonctionnement,
on procède de la façon suivante:

* On étudie la loi de Kirchhoff du circuit:

Cette équation est appelée "équation de la droite de charge" de

la diode dans le circuit. ID = f(VD) est une droite de pente 1/RL.
* Cette droite doit être tracée sur la caractéristique
ID(VD) de la diode comme le montre la figure 9. Figure 9

Une telle procédure est appelée "détermination du

point de fonctionnement graphiquement".

2/ Point de fonctionnement via l'utilisation des schémas équivalents

On peut “calculer” le point de fonctionnement en décrivant la diode par un modèle simplifié. Donc, il faut:
i) choisir un schéma équivalent.
ii) trouver, en vous aidant de la droite de charge, le point de fonctionnement Q de la diode
iii) vérifier la cohérence du résultat avec l’hypothèse de départ.

Prenons maintenant le circuit de la figure 8.

a) Diode idéale

La diode est équivalente à un

interrupteur fermé si VD ≥ 0, et à un Figure 10
interrupteur ouvert dans le cas inverse.
 On aura les solutions graphiques suivantes selon la valeur de Val.:

Figure 11

Retrouvons ces valeurs par le calcul. Si Val. ≥ 0, le circuit électrique est:

La valeur de ID et V D sont conformes au point de

fonctionnement trouvé graphiquement (Figure 11).

Si Val. < 0, le circuit est:

Idem, résultat de ID et V D conforme à celui

trouvé graphiquement (Figure 11).
b) Diode parfaite La diode est équivalente à un générateur de f.e.m V0 si VD ≥ V0 , et à
un interrupteur ouvert dans le cas inverse.

On aura les solutions graphiques suivantes, toujours

pour le montage de la figure 8, selon la valeur de Val.:

Figure 12

Retrouvons ces valeurs par le calcul.

Si Val. ≥ V0, le circuit électrique est:

Si VD<V0, on aura:

Quelque soit la valeur de Val., les valeurs de ID et V D sont

conformes au point de fonctionnement trouvé
graphiquement (Figure 12 et 12).
c) Diode réelle
La diode est équivalente à un générateur de f.e.m V0 et une résistance RD si V D ≥ V0,
et à une résistance RiD dans le cas inverse.

On aura les solutions graphiques suivantes,

toujours pour le montage de la figure 8, selon
la valeur de Val.:

Retrouvons ces valeurs par le calcul. Si

Val. < V0, le circuit électrique est:
 Alors que dans le cas contraire on aura:

d) Exemple

Prenons la figure 8 où la diode est considérée

réelle. La tension d'alimentation Val. est de 5V,
la résistance RL = 1kW. Calculer ID et VD.
On donne V 0=0,6V e RD=12W. Et en inverse
RiD = 0.99MW.

En polarisation directe, le réseau est équivalent à:

En polarisation inverse on aura

3/ Remarque: région de claquage Pour le bon fonctionnement de la diode il faut se limité
- à la région du fonctionnement limitée par l'hyperbole

où Pmax est la puissance maximale

supportée par la diode et qui est
- au dessus de la tension de claquage VBR. donnée par le constructeur.

La tension de claquage V BR est

de quelques dizaine de Volts.

1ère cas Val. = 5V

2ème cas Val. = -5V
4/ Exercice d'application
Soit une diode considérée parfaite de
tension seuil V0 = 0,6V. Elle est
insérée dans le montage suivant.
Déterminer ID et VD.
 IV) Diode Zener. 1/ Effet Zener En polarisation inverse et pour certaines diodes, des électrons
dans la bande de valence du côté P peuvent passer directement
dans la bande de conduction du côté N, par un processus
quantique appelé « effet tunnel »
Cet effet, donnant naissance à une
augmentation du courant inverse, est Cependant pour les diodes classiques on aura un effet
appelé effet Zener et la diode est dite d’avalanche qui est un mode de claquage
"Diode Zener"

2/ Rôle d'une diode Zener
Comme la diode classique, la diode Zener laisse
passer le courant que dans un sens, mais
contrairement à la diode classique elle permet le
passage du courant dans le sens inverse à partir d'une
certaine valeur de la tension inverse et ce qui est
important sans destruction de la diode.
3/ Schéma équivalent
En effet, c'est une diode conçue pour fonctionner
dans la zone de claquage inverse
Elle est caractérisée, essentiellement, par une
tension seuil négative ou « tension Zener » (VZ)
La diode Zener est une diode qui est utilisée,
principalement, en polarisation inverse

Le symbole de la diode Zener est D Z. Son schéma

est:

Figure 13: Schéma de la diode Zener

* la tension Zener VZ ainsi
que le courant maximal
IZmax à ne pas dépasser. En
polarisation inverse, la
diode Zener peut avoir une
résistance dynamique.
En général, le constructeur spécifient:
* la puissance maximale
* le courant minimal et maximal
* le coefficient de variation en température de la tension Zener

En polarisation inverse, la
diode Zener conduit lorsque la La caractéristique de cette diode
tension inverse à ses bornes linéarisée conduit à l’équation: U= UZ +RZI
devient supérieure à UZ.

où Rz est la résistance dynamique inverse

(résistance Zener). Dans ce cas la diode
Zener en polarisation inverse est Figure 14: Schéma équivalent d'une Zener
équivalente au modèle suivant:

Remarque:
Si la résistance dynamique R Z est
négligée, la tension aux bornes de la
diode lorsqu’elle conduit en inverse
est constante quelque soit le courant Figure 15: Schéma équivalent d'une Zener parfaite
qui la traverse. La diode Zener est
parfaite.
 4/ Caractéristique de la diode Zener La caractéristique de la diode avec son schéma équivalent est:

Ainsi la diode Zener est

passante en inverse si V ≤ -UZ
ou V ≥ V0 et elle est bloquée
ailleurs

Les résistances RD et RZ sont

nuls si la diode Zener est
parfaite.

De même V0 est nul si la

diode Zener est idéale

Figure 16: Caractéristique de la diode Zener

Remarque: * IZmax
* la tension VZ
Le choix d'une diode Zener
repose sur ses grandeurs
* IZmin caractéristiques:
* température de la jonction, température à
l'intérieur de la diode.
 5/ Associations des diodes Zener a) Association en parallèle

L'association des diodes Zener (D Z) en parallèle permet de

diviser le courant I dans chaque D Z. L'avantage d'un tel
montage est d'utiliser plusieurs DZ ayant un courant IZ<I.

Toutefois cette association

comporte un risque dans le cas où Figure 17: Association en parallèle de quatre DZ.
une DZ présente une anomalie Il en résulte le chauffage de la DZ en question et
permettant à un passage de courant par la suite sa destruction
supérieur à IZ.

Dans le circuit électrique on aura
une branche, contenant la diode
détruite, qui se comporte à une des
deux situations suivantes:
b) Association en série
* le courant circule dans les deux sens mais ce cas n'est pas souhaité,
* la branche est isolante et par suite le courant I sera redivisé sur les
autres DZ et il y a un risque que les courants résultant de la division
peuvent être supérieur au courant limite IZ. D'où la destruction des
différentes DZ.

L'association des diodes Zener (D Z) en série

permet d'avoir une tension constante quelque
soit le courant qui passe les D Z. Ce type de
montage est intéressant pour certaines
applications.
Figure 18: Association en série de trois DZ.
 Il existe d'autres types de diodes qui sont utilisées soit pour les mêmes
V) Autres types de diodes. fonctions soit pour d'autres telles que la régulation ou l'oscillation ou bien
les circuits d'accord
1/ Diode Schottky
Leur tension seuil est de 0,3V. La faible
les diodes Schottky sont à Elles sont très utilisée dans capacité de jonction permet d’utiliser ce
jonction métal/semi- les circuits logiques rapides type de diode dans les applications à très
conducteur; elles sont (TU Schottky) hautes fréquences (RF) de l'ordre de
remarquables d'être très 20GHz
rapide.

2/ Diode Varicap: Diode à capacité variable
C'est une diode à jonction. Elle présente une
capacité variable en fonction de la tension inverse
qui lui est appliquée.
Donc, cette diode est utilisée comme la diode
Zener en inverse. Ce composant est très
employé dans les oscillateurs à fréquence
contrôlée par une tension externe (V.C.O :
voltage controlled oscillator).

La représentation électrique et le schéma équivalent de cette diode Varicap sont:

≡
A B A Cj B

Figure 18: Diode Varicap : schémas électrique et schéma équivalent.

Cj : capacité de jonction de la diode Varicap
Leur capacité évolue selon la relation:
3) Diodes tunnels
Ce sont des diodes à semi-conducteur
fortement dopé. La caractéristique directe
d'une diode tunnel montre une plage (zone
grisée de la figure en dessous) où la résistance
présentée par cette diode est négative.
CV la capacité à la tension V, V0
tension seuil de la diode, C0 la
capacité à la tension V0 et g facteur de
forme varie de 0,33 à 1.
Cet effet remarquable, permet d'utiliser la diode
tunnel plus particulièrement dans les circuits
oscillateurs comme élément actif

Ces diodes doivent impérativement travailler à bas niveau.

Ces diodes sont utilisées en électronique de commutation dans la réalisation des oscillateurs ayant des
fréquences de résonnance de l'ordre de 10GHz ainsi que dans le domaine des radars hyperfréquences.

iD Le schéma équivalent le plus simple

Résistance iD : courant direct de la diode tunnel en conduction
ip négative
Vp, Vv : tensions de pic et de vallée.
négative est donné par:
Iv; Ip: courants de vallée et de pic.

i ≡
v A B A Rj B
v 0 V D
v
Vp Rj : résistance négative de la diode tunnel
4) Diodes électroluminescentes (LED)

L’abréviation LED (LED : Light Emitting

Diode) est fréquemment employée pour Anode
parler des diodes électroluminescentes. Une
Cathode
diode électroluminescente peut-être
Cathode
schématisée selon la figure : Anode

Ces diodes « LED » sont fabriquées par des

matériaux dopés de façon que lorsqu’elles Le rayonnement peut avoir différentes couleurs :
sont polarisées dans le sens passant (tension rouge, verte, jaune, bleue ou blanche.
de l’anode supérieure à la tension de la
cathode) d’émettre un rayonnement visible.

La caractéristique directe d’une diode « LED » ressemble à celle d’une diode classique à
jonction PN. La différence essentielle réside dans la valeur de la tension seuil.

Par rapport aux lampes de poches, les

LED ont une durée de vie pouvant Néanmoins, on peut trouver des LED bicolores où
atteindre 10 à 20 ans et ne consomme deux LED d'émission de couleur différente sont
pas beaucoup de courant, quelques intégrées en antiparallèle.
milliampères.

Ces diodes sont, actuellement, largement utilisées dans presque tous les équipements électroniques
et électriques; télécommandes, tableaux d'affichage, témoins lumineux, systèmes d'alarme,
horlogeries, instruments de mesure, éclairage domestique et public....
 LED LED jaune et
rouge verte
I
D

LED
blanche

LED 5) Diodes photodiode: PIN

bleu
Vseui De 3,5 à
l de 3,8 V VD
Une photodiode est un composant semi-
conducteur ayant la capacité de détecter
un rayonnement du domaine optique et de
Comme les diodes, cette diode photodiode le transformer en signal électrique.
(PIN) est constituée d'une jonction PN.
En absence de polarisation directe (appelé mode
photovoltaïque) elle génère une tension. En
polarisation inverse par une alimentation externe
Cette configuration de base fut perfectionnée par
(mode photoampérique), elle génère un courant.
l'introduction d'une zone intrinsèque (I) pour former
la photodiode PIN.
D'autre part, la photodiode PIN polarisée dans
le sens direct (passante) offre une impédance
Donc, une photodiode PIN est une diode constituée dynamique (vis-à-vis des signaux variables)
d'une zone non-dopée, dite intrinsèque I, intercalée extrêmement faible.
entre deux zones dopées P et N.
Polarisée dans le sens inverse (bloquée) elle offre une très grande impédance et en
particulier une très faible capacité (elle se comporte comme un condensateur de très
faible valeur, quelques picoFarads, ou alors bien moins toujours suivant les modèles).

Comme domaines d’applications, ces diodes (caractérisées par une

commutation rapide) sont utilisées pour les signaux de hautes fréquences
comme: circuits atténuateurs, commutateurs, déphaseurs.