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– Structure
– Caractéristiques statiques :
- Particularités
– Caractéristiques dynamiques :
- Amorçage
Particularité (mode de déclenchement )
Paramètres identiques aux SCRs
- Blocage
Particularité au blocage
– Applications
STRUCTURE
Gate
Anode 1 (G)
(A1) A1A2
G
N1 N4 P1 A2
A2
N2
1
CARACTERISTIQUES STATIQUES
CARACTERISTIQUES STATIQUES
Paramètres liés à la structure Thyristor
IA
Les triacs actuellement fabriqués ont des tenues en tension qui vont de 400V à 1200V
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CARACTERISTIQUES STATIQUES
Spécification au retournement pour les ACS
I
Turn -on by overvoltage
VAC + VP P R L
IOUT
OUT
OUT
V DRM V CL V
VOUT
G
COM
AC LINE &
SURGE VOLTAGE
GENERATOR
IO U T MAX = 10A
OUT Vz
A2 dIOUT/dt = 50 A/µs
G
= V OUT (200 V/div)
A1
G
Time(200ns/div)
COM
CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES
Amorçage
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CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES
Les 4 quadrants d’amorçage
A2 polarity
+ +
Ig(+)
Ig(-) Q2 Q1
G polarity
- -
CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES
Paramètres liés à la structure Thyristor RL
A2
+/ -
IG IA
+/ - A1 Va
Gate G
Rg
generator VG
Les temps de commutation spécifiés sont ceux liés au quadrant le plus lent.
Le td est voisin de 0.5 µs pour un courant de gâchette > 5.IGT
Le retard total à l’amorçage (tgt = td + tr) est inférieur à 2 µs (négligeable pour les
applications 50 Hz).
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CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES
Courant de gâchette & Quadrant
On trouve sur le marché des triac dits "sensibles": IGT de 3mA à 5mA / 10mA (suivant les séries )
et des triacs "standard": IGT : 25mA, 35 mA et 50mA
REMARQUE :
La plupart des nouveaux triacs ne peuvent pas être déclenchés dans le 4ème quadrant
(Séries "Snubberless” et “ACS”)
Cette modification de la structure permet de meilleures performances en commutation à
l'ouverture.
CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES
Courant de latching versus Quadrant & sensibilité
IL = f (Ig)
60
50 Q2
IL (mA)
40
Q3
30
20 Q1
10
30 40 50 60 70 80 90 100
Ex : BTB16 600CW
IG ( mA) Triac 3 Quadrants 16 Amp. 600V - IGT=50mA
Valeurs typiques
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CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES
Blocage
CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES
Risque de réamorçage au blocage
IT
A l’ouverture au zéro de courant (IG = 0), il y a conjonction de deux
(di/ dt)c phénomènes:
t 1) Recombinaison: présence d’un courant inverse de
recombinaison (+/ - important selon le Ih, la Tj, etc.)
VT t
2) Courant capacitif: lié au dV/dt négatif réappliqué aux bornes
(dv /dt)c du Triac.
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r L triac
(di/dt)c
(di/dt)c t
t
VT
VT
line voltage
line voltage
t t
(dv/dt)c
(dv/dt)c
load
CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES R
ic
Limitation du (dV/dt)c
C
r L r
L triac
Load
Load R
V = V line
line Ct
Triac seul:
Le (dV/dt)c est limité seulement par la capacité propre detriac .
La faible valeur de cette capacité (quelques dizaines de pF) conduit à des
(dV/dt)c pouvant atteindre 50 à 100 V/µs. VM
Avec Snubber :
On réalise un circuit oscillant amorti avec la charge inductive et le réseau (dv /dt)c t
auxiliaire RC.
On peut ainsi contrôler la pente de la tension réappliquée aux bornes du
triac , (dV/dt)c, ainsi que la surtension VM.
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CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES
(di /dt)c critique fonction du (dV/dt)c
(di/dt)c A/ms
100
#2
10
(dI/dt)c 2
(dI/dt)c 1
1 #1
0
0.1 1 10 100
(dV/dt)c V/µs
APPLICATIONS
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APPLICATION
Deux modes de fonctionnement
(I) ( II )
Control signal Control signal
ON
OFF
δ φ
DOMAINES D'APPLICATION
ä Electroménager
- Machines à laver
- Réfrigérateurs
- Aspirateur
- Four Micro -ondes
- Cuisinière
- Petit électroménager
ä Eclairage
- Gradateur de lumière (dimmer
- Starter lampes à décharge
ä TV -Equipement de bureau
- Commutateur automatique 110-220V
- Limeur de courant d'appel (SMPS)
- Circuit de démagnétisation
- Photocopieurs
ä Industriel
- Relais Statiques ( Automate programmable, distributeurs ,...)
- Contrôle de moteurs
- Soudure à l'arc
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GRADATEUR DE LUMIERE
( Lampe à incandescence )
TRIAC
AC Line
DIAC
CONCLUSION
A retenir...
– Intérêt d’utilisation
Forte capacité en courant
Amorçage par une impulsion de courant (structure vérouillée)
Tenue en tension alternative
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BACK-UP
DECLENCHEMENT Q1 ( + + )
VG+
(G) + A2
(A1)
P2
N1 N4 N2
P1
P1
N2 G
+
N1
P2 N3
A1
+ (A2)
Le déclenchement se fait exactement commepour un
thyristor:
Le courant positif de gâchette polarise en direct la jonction
P1N1 ce qui amorce le thyristor P2N2P1N1.
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DECLENCHEMENT Q2 ( + - )
VG -
(G) + A2
(A1)
P2
N1 N4 P1
N2 N2
N2 P1
N4 N1
P2 N3
A1
G -
(A2)
+ Le courant de gâchette circule de P1 vers N4 ce qui déclenche le
thyristor P2N2P1N4.
Le courant de ce thyristor polarise positivement la zone P1 ce qui a pour
effet l'amorçage du thyristor principal (Th1) P2N2P1N1.
Le courant passe essentiellement dans cette partie de la structure et le
"petit" thyristor P2N2P1N4s'ouvre (IH).
DECLENCHEMENT Q3 ( - -)
VG -
(G) A1
(A1)
P1
N1 N4 P1
N2
P2
N2
N4
P2 G N3
N3 -
A2
-
- (A2)
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DECLENCHEMENT Q4 ( -+)
VG +
(G)
G
+ A1
(A1) P1
N1 N4 N1 R1
P1 P1
T3
T1'
N2
N2 N2
T1
R2
P2
N3 P2
P2
(A2)
- N3 T2
A2
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