Chap 2

Homo-jonction semiconducteur

Homojonction PN

Composant rponse non linaire

Dispositifs redresseur ou rectifier devices
2 types pour arriver au mme rsultat:

Jonction PN (notre propos)

Jonction contact Schottky (chapitre suivant)

Mcanisme de formation de la jonction PN

Mcanisme de formation de la jonction PN

Processus de mise lquilibre

1 phase : processus de diffusion
2 phase : Apparition dun E interne:
quilibre la diffusion
Recombinaison de
paires e-h

Niveau de Fermi align:

quilibre thermodynamique

E int

Tension de diffusion VD ou
built in potential VB i
Dfinition : diffrence de potentiel entre la rgion N et la rgion P
VD Vbi V N VP
Equation du courant de trous:
Soit encore

p
Dp

E ( x)

dp( x)

J P ( x) e P p ( x) E ( x) D p
0

dx

1 dp( x)
p( x) dx

ou

En intgrant de la rgion P la rgion N:

Soit finalement:

VD

e dV ( x)
1 dp( x)

kT dx
p ( x) dx

pp
kT
VD
ln( )
e
pn

kT
N N
ln ( A 2 D )
e
ni

Champ, potentiel et largeur de zone

despace (1)
Equation de Poisson:

d 2V ( x)
( x)

2
dx
sc

Dans la rgion N et P:

d 2V ( x)
e

ND
2
sc
dx

0 x WN

d 2V ( x)
e
NA
2
sc
dx

WP x 0
-WP

-WN
6

Champ, potentiel et largeur de zone

despace (2)

Champ lectrique E(x)

En ( x )

eN D

sc

( x W N)

EP ( x)

eN A

sc

( x W P)

Continuit du champ en x=0:

N DW N N AWP
EM

eN DW N

sc

eN AW P

sc
-WP

-WN
7

Champ, potentiel et largeur de zone

despace (3)

Potentiel lectrique E(x)

Vn ( x)

eN D

( x W N) 2 Vn

sc
eN A
V p ( x)
( x W P) 2 V p
sc
Zone de charge despace (ZCE)
2
eN DWn2 eN AW p
V (Wn ) V (W p ) Vd

2 sc
2 sc
2 sc
ND

W p (Vd )

Wn (Vd )

e N A (N A N D )

Vd

2 sc
NA
Vd
e ND (N A ND )

2 sc N D N A
W (Vd )
Vd
e NAND

-WP

-WN
8

Attention: tout ce que lon vient de voir

tait pour V=0. Lorsque la diode est
alimente par une tension V sur P, Vd
doit tre remplace par Vd - V

Jonction PN sous polarisation

Cette polarisation va rompre lquilibre entre les

forces de diffusion et de conduction: => apparition
dun courant ?

Hypothses simplificatrices:

ZCE vide de porteurs

Faible injection
Approximation de Boltzmann
Toute la tension VA applique sur la jonction
Pas de phnomnes de Gnration - Recombinaison 10

Jonction PN sous polarisation

Polarisation directe

Tension positive sur P

Diminution de la tension
de diffusion
Processus de diffusion
prdomine
Fort courant

11

Jonction PN sous polarisation

Fdiff e

Polarisation directe

Diminution du champ interne

par E externe oppos
Injection dlectrons de N
vers P et Injection de trous
de P vers N, donc des
minoritaires
Fort courant car rservoir
plein

Fdiff h+
12

Polarisation directe

Eext

13

Jonction PN sous polarisation

Fconde

Polarisation Inverse

Augmentation du champ
interne par E externe dans
le mme sens
Injection dlectrons de P
vers N et Injection de trous
de N vers P , donc des
majoritaires
Faible courant car
rservoir presque vide

Fcond h+

14

Jonction PN sous polarisation

lquilibre, courant nul deux composantes (diff et cond)
sopposent. Pris part , lordre de grandeur de ces composantes
104 A/cm2 (soit 1A pour diode typique) or en faible injection I
est de lordre de qq mA qq 10 mA

Approximation de Boltzmann: Lapproximation de Boltzmann

consiste dire que la rsultante des courants tant faible devant les
composantes de ce courant, on considre que lon est encore en
quasi-quilibre et donc que lquation du courant est encore valide
en remplaant Vd par Vd -Va:

e dV ( x)
1 dp( x)

kT dx
p ( x) dx

15

Densit de porteurs injects la frontire de la

ZCE

p(WN )
eV d
exp(
)
pp
kT

Si Va=0
Si Va 0

p' (WN )
e(Vd Va )
exp(
)
pp
kT

ni2
eVA
eVA
p' n pn exp(
)
exp(
)
kT
ND
kT

ni2
eV A
eV A
n' p n p exp(
)
exp(
)
kT
NA
kT

eVa
n * p p p * nn n exp(
)
kT
'
p

'
n

2
i

16

Variation de la densit de trous injects en

fonction de Va

1017
1016

Na= 1E17 cm-3

Vd=0.7 V

1015
1014
1013

P'(Wn) (cm-3)

1012
1011
1010
109
108
107
106
105
104
0,0

0,1

0,2

0,3

Va (V)

0,4

0,5

0,6

0,7
17

Injection de porteurs
En polarisation directe,
phnomnes de diffusion

Une fois injects, les

porteurs diffusent
18

Distribution des porteurs dans les rgions

neutres

Une fois les porteurs

injects, ils vont diffuser
dans la rgion neutre et se
recombiner avec les porteurs
majoritaires

Distribution des porteurs minoritaires injects

p
p
2 p p pn
J p ( x) eDp

Dp

x
t
x
p

La distribution va tre
fonction de la gomtrie de
x / Lp
x / Lp
la rgion

p pn Ae

Be

Les paramtres
discriminatoires : la longueur
de diffusion LDn,p des
lectrons et des trous et la
largeur des rgions neutres
dn,p

dp

dn
-WP 0 WN

a: rgion qcq, b: longue, c:courte,

19

Distribution des porteurs dans les rgions

neutres

Rgions longues ( d n , p L p ,n
)

p' ( x) pn pn (e

n' ( x) n p n p (e

Rgions qcq

eVa
kT

eVa
kT

1)e

1)e

(WN x ) / L p

( x Wp) / Ln

Rgions courtes ( d n , p L p ,n )
eV

pn kTa
p ' ( x) p n
(e 1)(xc x)
dn

n p eVkT
n' ( x ) n p
(e 1)( x'c x)
dp
a

eVa
xc x
pn
kT
p ' ( x) p n
(e 1) sh

dn
L

p
sh ( )
Lp

eVa
x xc'
np
n' ( x ) n p
(e kT 1) sh
dp
Ln
sh ( )
Ln

20

Courant de porteurs minoritaires dans les

rgions neutres

La distribution connue, on peut facilement calculer le courant qui

est un courant de diffusion:

dn( x)
dx
Hypothse : pas de Phnomnes de G-R dans la ZCE

dp( x)
J p ( x) eD p
dx

J n ( x) eDn

J (V ) J p (W p ) J n (W p ) J p (Wn ) J n (W p )

On obtient la formule classique:

J (V ) J S (e eV / kT 1)
JS est le courant de saturation de la diode,
ou courant inverse thorique

21

Courant de porteurs minoritaires dans les

rgions neutres

Rgions courtes
a: rgion qcq, b: longue, c:courte,

eni2 DP eni2 Dn
JS

NDdn
N Ad p

Rgions longues
eni2 DP eni2 Dn
JS

N D LP
N A Ln

Rgions qcq
eni2 DP
eni2 Dn
JS

dn
dp
N D LP th( ) N A Ln th( )
LP
Ln

-WP 0 WN

Courant de porteurs minoritaires

22

Gnration recombinaison dans

la ZCE

Gnration en inverse

Recombinaison en direct
23

La diode relle : Phnomnes de

gnration-recombinaison dans la ZCE

On affine le modle on tient compte de la G-R dans la ZCE

Mcanisme connu (Shockley-Read)

pn ni2
r
2ni p n
1

eVa

On sait galement que p(WN )n(WN ) p(WP )n(WP ) ni2 exp( )

kT
2
Si on suppose np constant dans la ZCE et >> n i (en
polarisation directe) , le taux r est max pour n=p, soit
encore
ni
eVa
rmax exp

2kT
24

La diode relle : Phnomnes de

gnration-recombinaison dans la
ZCE

Le courant de gnration recombinaison dans la

ZCE scrit alors:
1 dJ n
0
r dJ n erdx
e dx

WN

J GR e rdx
WP

En polarisation inverse ( pn ni2 ), le taux est

ni
ngatif ( r 0 ) et devient un taux net de
gnration 2

En polarisation directe , le taux est rmax=cte et le

courant est un courant de recombinaisons.
25

La diode relle : Phnomnes de

gnration-recombinaison dans la ZCE

Le courant de gnration recombinaison dans la

ZCE scrit alors:
eVa

J exp(
) 1
2kT

eni
J GR
J GR
WT
2
Le courant global en intgrant cet effet scrit:
0
GR

eVa
eVa

0
J (Va ) J S exp(
) 1 J GR exp(
) 1
kT
2kT

Facteur didalit:

eVa

J (V ) J 0 exp(
) 1
nkT

26

Diode en polarisation inverse:

claquage de la jonction

Effet thermique
Effet Zener:

Effet Avalanche:

Passage direct de la BV la
BC par effet tunnel (0) si
champ lectrique suprieur
Ecritique
Avant le tunneling ,
acclration des lectrons qui
excitent par impact des
lectrons de BV vers BC
(1,2,3) etc.

Perage ou punchtrough

VBD

.EC2
2eN B

27

Jonction en rgime dynamique: capacits de

la jonction

Capacit associe charges

2 types de charges dans la jonction

Fixes (les dopants ioniss) dans la ZCE

Mobiles (les e- et h+) injects en direct

2 types de capacits

Capacit de transition ou de la jonction

Capacit de diffusion ou stockage
28

Capacit de transition ou de jonction

Elle est simplement associe la charge Q contenue dans la ZCE

dQ
CT
dV

Q eANAWP eANDWN
2 sc
ND
Wp (Vd VA )
(Vd VA )
e N A (N A ND )

Soit:

NAND
A
2e
A
CT

2 (VD V A ) ( N A N D ) WT
29

Capacit de diffusion ou de stockage

Traduit le retard entre

la tension et le courant
Associe aux charges
injectes dans les
rgions neutres:

QSp p J p
QSn n J n

QSp

XC

QSp A e( p' ( x) pn )dx

WN

Densit de trous excdentaires

dans la rgion neutre N

dn
1

e( p' (0) p n ) LP coth( )

dn
LP

sh ( )

LP

30

Capacit de diffusion ou de stockage

Lexpression prcdente peut se mettre sous la

forme:

QSp ( p ) J P (WN )
( p) P 1
avec

dn
ch( L )
P

Lexpression du temps peut tre simplifie en fonction de

la gomtrie de la diode:

d n2
temps de transit
t
2 DP

Diode courte: ( p )

Diode longue : ( p )

dure de vie
31

Capacit de diffusion ou de stockage

Cette tude dans la rgion N est valable dans la

rgion P, et en final on obtient:

QS QSn QSp ( n ) J n (WP ) ( p ) J p (W N )

dQS
CS
Soit partir de :
dV
e
CS CSn CSp
K ( ( n ) I n ( p ) I p )
kT
Facteur qui dpend de la gomtrie
(2/3 courte)
(1/2 longue)

32

Capacit de diffusion ou de stockage

33

Jonction PN en commutation

34

Jonction PN en commutation

Wn

Tant que lexcdent de trous en Wn est

positif
Diode polarise en direct

p'n pn pn (e

eVa
kT

1)

sd Temps de stockage ie

p' (WN ) pn
35

Jonction PN en commutation

Problme majeur dans les composants

porteurs minoritaires:

Expression du temps de stockage:

If
If
sd p ln(1 ) ln(1
)
Expression du temps
descente
Ide
I f I m

m
If
F RC j
f 2.3
avec
I f Im
1

36

Schma quivalent jonction pn

dV kT 1

rsistancedynamique
dI
e I
e
Cd CS C Sn CSp
K ( ( n ) I n ( p ) I p ) capa de diffusion
kT
A
2e
N AND
A
CT C J

capa de jonction
2 (VD V A ) ( N A N D ) WT
rd

rS rsistancesrie

37

Diode Tunnel diode Backward

(a)

(b)
Va
I t I pe
V
pe

exp1 Va

V
pe

4a 2m * e
b
Tt exp

(c)

(d)
(e)

38

Diodes PIN

Dispos VLSI modernes trs fort champ

lectrique
Pb davalanche et effet de porteurs chauds
Solutions:

Rduction du champ par augmentation de la ZCE

Incorporation dune couche non dope dite
intrinsque do le nom !

39

Diodes PIN
Dpltion rgion

Rgion p

Rgion n

(x)

+ + + +
-Wp

---

+Wn

couche
intrins.

40

Diodes PIN
champ max ( dans la zone intrinsque)
eN A x p
eN D ( xn d )
Em

Si

Si

Tension de diffusion (" built in potentiel" )

Vbi

Em

( x p xn d )

2
largeur de la ZCE

Wd

Em
2

(Wd d )

2 Si ( N A N D )
Vbi d Wd 0 d
e
N AND

capacit
CT Wd 0

CT 0 Wd

champ lectrique
1
1

d
W d20

Em
Wd
d
d

1 2
Em 0 Wd Wd 0
W d 0 Wd 0
41