Les nouveaux matriaux pour le microlectronique

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December 27, 201 ENSAK

Rajae Atifi , Yacine a.Amkassou

Encadr Par :Pr. Mohamed Lamhamdi

Plan
Introduction et problmatique Le Germanium :
1. Introduction 2. Comparaison germanium / silicium 3. Technologie silicium-germanium 4. Conclusion sur le germanium 1. Proprits des matriaux III-V 2. Arsniure de gallium 3. Phosphure d'indium 1. Cest quoi le Graphne ? 2. Proprits du Graphne 3. Application

La famille des Semiconducteurs III-V :

Le Graphne :

Conclusion
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Introduction et problmatique

Introduction

Rcemment, il ya eu beaucoup d'intrt et gnr de bons progrs faits dans la recherche de matriaux non-silicium pour remplacer le silicium comme matriau canal du transistor avenir. Parmi les matriaux tudis sont Ge , faible bande interdite des semi-conducteurs composs III-V ,des nanotubes de carbone , le graphne , et ainsi de suite. Ces matriaux, en gnral, ont une mobilit significativement plus leve intrinsque (p ou n) par rapport au silicium, donc ils ont le potentiel pour permettre futures grande vitesse transistors pour applications numriques des tensions d'alimentation trs faibles. De tous ces matriaux non-Si, Ge et semi-conducteurs composs III-V sont les plus tudis, ce dernier ayant t utilise dans la communication commerciale et des produits opto-lectronique pour une longue priode.

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Introduction et problmatique

Le silicium

Depuis plus de 40 ans, la microlectronique connat une croissance rapide base essentiellement sur une technologie en silicium. En effet grce son faible cot, son abondance et aux proprits isolantes, protectrices et passivantes de son oxyde, le silicium reste le matriau de choix pour la micro et nanolectronique. Cependant le silicium ne permet pas le dveloppement de transistors trs haute mobilit et haute frquence. Ainsi pour des transistors CMOS de 11 15 nm, on peut penser que le silicium dans le canal de conduction soit remplac par un autre matriau semi-conducteur tel que le germanium ou des matriauxIII-V

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Introduction et problmatique

Problmatique

Le problme actuel du silicium: Cet lment, qui a permis une rvolution de l'lectronique, est nanmoins en train d'atteindre ses limites, du fait des avances technologiques majeures actuelles. Cest pour cela que des grandes firmes telles que IBM, Samsung et Intel investissent normment dans la recherche afin de trouver un matriau alternatif plus performant que le silicium, ou de dvelopper la recherche fondamentale sur le silicium, afin de le rendre plus efficace. Faiblesses du Silicium : Bande interdite indirecte mission de lumire inefficace Faible champ de claquage 20 V/m maxi sur 1 micron ou plus Pas dhtro-jonction adapte Transistors bipolaires et FETs handicaps Mobilit des porteurs assez faible, En volume et dans les structures MOS Diffusion assez rapide des dopants, Type N et type P
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Le Germanium la famille des Semiconducteurs III-V Le Graphne

Introductuion sur le Ge

Introduction Technologie silicium-germanium Comparaison germanium / silicium Conclusion sur le germanium

Le germanium (Ge) est le 32 lment du tableau de Mendeleev. Cest un mtallode peu dense, gris-blanc, fondant moins de 1000C. Ses proprit physiques sont intressantes: cest un semiconducteur intrinsque, qui a servi de base llectronique la fin des annes 40 (effet transistor). Le germanium est galement transparent aux rayons infrarouges. .

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Technologie silicium-germanium

Introduction Introduction Technologie silicium-germanium Technologie silicium-germanium Comparaison germanium / silicium Principales Applications Conclusion sur le germanium de SiGe

L'introduction d'alliages de silicium-germanium (Si-Ge) dans les composants lectroniques destins des applications haute frquence est une solution trs attrayante par rapport aux technologies fondes sur les composs III-V comme l'arsniure de galium. Tout d'abord parce qu'ainsi, on reste dans une technologie totalement compatible silicium, moins coteuse avec des circuits moins gourmands en nergie et qui sont mieux adapts aux basses tempratures (important pour les applications spatiales). .
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Les transistors SiGe

Introduction Introduction Technologie silicium-germanium Technologiegermanium / silicium silicium-germanium Comparaison Principales Applications de SiGe Conclusion sur le germanium

les transistors SiGe combinent les proprits de : hautes vitesses du germanium le moindre cot de production du silicium Par ailleurs SiGe ncessite moins d'nergie que Si fonctions quivalentes.

Le secteur du tlcommunications , notamment la tlphonie mobile, prsente un fort potentiel d'utilisation de germanium
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Comparaison germanium / silicium

Introduction Technologie silicium-germanium Comparaison germanium / silicium Conclusion sur le germanium

Mobilit des porteurs dans les semi-conducteurs et autres proprits de diffrents semiconducteurs 300 K

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Conclusion sur le germanium

Introduction Technologie silicium-germanium Comparaison germanium / silicium Conclusion sur le germanium

Ainsi, le germanium, grce ses diffrentes proprits, notamment la mobilit de ses porteurs, associ des matriaux high- pour le dilectrique de la grille des transistors MOS, est un bon candidat pour prendre la suite du silicium et continuer de faire voluer la microlectronique en conservant la technologie planar. Mais avant de pouvoir raliser industriellement des circuits intgrs, il manque des informations sur le matriau et son dopage et principalement sur les coefficients de diffusion des dopants, dont la connaissance prcise est trs importante pour la ralisation de jonctions fines et de divers composants.
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Conclusion sur le germanium

Introduction Technologie silicium-germanium Comparaison germanium / silicium Conclusion sur le germanium

Ainsi, le germanium, grce ses diffrentes proprits, notamment la mobilit de ses porteurs, associ des matriaux high- pour le dilectrique de la grille des transistors MOS, est un bon candidat pour prendre la suite du silicium et continuer de faire voluer la microlectronique en conservant la technologie planar. Mais avant de pouvoir raliser industriellement des circuits intgrs, il manque des informations sur le matriau et son dopage et principalement sur les coefficients de diffusion des dopants, dont la connaissance prcise est trs importante pour la ralisation de jonctions fines et de divers composants.
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Proprits des matriaux III-V Arsniure de gallium Phosphure d'indium

Matriaux III-V
Les matriaux III-V sont constitus des lments des colonnes III et V de la classification priodique des lments. Le tableau regroupe un extrait de cette classification (les chiffres en haut et en bas reprsentent respectivement le nombre atomique et la masse atomique) . Ainsi, de nombreux composs binaires peuvent tre raliss.
III
5

IV
6

V
7

10,81 13

12,01

14,01

Al

14

Si

15

26,98 31

28,09 32

30,97 33

Ga

Ge

As

69,74 49

72,59

74,92 51

In

50

Sn

Sb

114,82

118,69

121,75

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Proprits des matriaux III-V Arsniure de gallium Phosphure d'indium

Matriaux III-V
Compos III-V BN Al P Al As Al Sb BP Ga N Ga P Ga As Ga Sb In P In As In Sb
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Eg (eV) 7,5 2,45 2,16 1,58 2,0 3,36 2,26 1,42 0,72 1,35 0,36 0,17

m*/m0

(cm/V.s)

a () 3,6150 5,4510 5,6605

0,12

200

6,1355 4,5380

0,19 0,82 0,067 0,042 0,077 0,023 0,0145

380 110 8500 5000 4600 33000 80000

a=3,189 c=5,185 5,4512 5,6533 6,0959 5,8686 6,0584 6,4794

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Proprits des matriaux III-V Arsniure de gallium Phosphure d'indium

Arsniure de gallium
LArsniure de gallium est un compos chimique de formule brute GaAs appartenant la famille des semiconducteurs III-V. C'est un matriau semiconducteur :

Composants micro-ondes Des composants opto-lectroniques Des diodes lectroluminescentes dans l'infrarouge Des cellules photovoltaques.

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Proprits des matriaux III-V Arsniure de gallium Phosphure d'indium

Comparaison avec le Si : Les avantage

L'arsniure de gallium a quelques proprits suprieures celles du silicium : Il possde une plus grande vitesse de saturation des lectrons, et ceux-ci ont une mobilit plus grande, ce qui lui permet de fonctionner des frquences suprieures 250 Ghz Les dispositifs technologie GaAs gnrent moins de bruit en hautes frquences que ceux base de silicium Ils peuvent de mme fonctionner puissance plus leve, du fait d'une tension de claquage plus leve.
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Proprits des matriaux III-V Arsniure de gallium Phosphure d'indium

Comparaison avec le Si : Les inconvnient

Le silicium possde trois principaux avantages vis--vis de l'arsniure de gallium : L'Abondance L'existence d'un de ses oxydes, le dioxyde de silicium (SiO2) Le ratio

dans le silicium est de loin suprieur

celui de l'arsniure de gallium

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Proprits des matriaux III-V Arsniure de gallium Phosphure d'indium

Phosphure d'indium InP

Le phosphure d'indium est un compos inorganique de formule InP. C'est un semi-conducteur binaire de type III-V, constitu d'indium et de phosphore utilis en micro-lectronique Comme la plupart des semi-conducteurs binaires III-V, il peut tre produit par MBE partir de sources en phosphore et en indium.

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Proprits des matriaux III-V Arsniure de gallium Phosphure d'indium

Phosphure d'indium InP

Le InP est utilis dans les applications lectroniques haute frquence et haute puissance, grande mobilit lectronique Il possde un gap direct, ce qui le rend apte utilisation en optolectronique Il a aussi la proprit d'mettre des photons sous l'effet d'une tension lectrique. On parle de laser pomp lectriquement. Son paramtre de maille est suffisamment diffrent de celui de celui de l'arsniure d'indium, ce qui permet de former des structures confinement quantique
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Proprits des matriaux III-V Arsniure de gallium Phosphure d'indium

Problmes du Phosphure d'indium InP

trop chre !
Problme de colle

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Cest quoi le Graphne ? Proprits du Graphne Application

Cest quoi le Graphne ?

En effet, prenez un cristal de graphite, cest dire, en langage courant, une simple mine de crayon de papier. Dcoupez l en tranches trs fines, les plus fines possibles, savoir de la hauteur dun atome : vous obtenez alors du graphne ! En rentrant un tout petit peu plus dans les dtails, le graphne est un matriau mono-cristallin compos uniquement datomes de carbones assembls en une structure hexagonale de type nid dabeilles . Ce cristal tant de lpaisseur dun seul atome de carbone est de 70 picomtres, on considre quil est plan : on parle alors de cristal bidimensionnel. Pour illustrer la taille infinitsimale de ce cristal, il faudrait empiler prs de 3 millions de feuilles de graphnes pour obtenir un morceau de graphite dun millimtre dpaisseur.

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Cest quoi le Graphne ? Proprits du Graphne Application

Proprits du Graphne
Sa structure de bande lectronique fait que l'on peut qualifier le graphne de matriau semi-conducteur de gap nul. La mobilit lectronique thorique est de 200 000 cm2.V-1.s1 ce qui fait que ce matriau est particulirement attractif pour l'lectronique haute frquence et trahertz. les lectrons se dplacent sur le graphne une vitesse de 1000 km/s, soit presque 150 fois la vitesse des lectrons dans le silicium (7 km/s) le graphne possde une rsistance la rupture 200 fois suprieure celle de l'acier et qu'il est 6 fois plus lger.
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Cest quoi le Graphne ? Proprits du Graphne Application

Proprits du Graphne
Sa structure de bande lectronique fait que l'on peut qualifier le graphne de matriau semi-conducteur de gap nul. La mobilit lectronique thorique est de 200 000 cm2.V-1.s1 ce qui fait que ce matriau est particulirement attractif pour l'lectronique haute frquence et trahertz. les lectrons se dplacent sur le graphne une vitesse de 1000 km/s, soit presque 150 fois la vitesse des lectrons dans le silicium (7 km/s) le graphne possde une rsistance la rupture 200 fois suprieure celle de l'acier et qu'il est 6 fois plus lger.
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Rfrences
Wikipedia http://fr.wikipedia.org/wiki/Semi-conducteur Portail franais sur l'industrie minrale www.mineralinfo.org ,Dcembre 2011 Etude de la diffusion des dopants usuels dans le germanium , Thse Par Thomas Canneaux, UdS INSA ENGEES Les Semiconducteurs III-N , Christian BRYLINSKI - Fvrier 2010 Laboratoire des Multimatriaux et Interfaces,UMR 5615 Le transistor HEMT : du matriau au composant Proprits des matriaux III-V , www.polytech-lille.fr/cours-transistor-effet-champ/hemt/Hemtc1b.htm Entre de Gallium arsenide dans la base de donnes de produits chimiques GESTIS de la IFA (organisme allemand responsable de la scurit et de la sant au travail) (en) M. R. Brozel, G. E. Stillman, Properties of Gallium Arsenide, IEEE Inspec, 1996 Masse molaire calcule daprs : Atomic weights of the elements 2007 ,sur www.chem.qmul.ac.uk. futura-sciences.com Innovation : Intel met un laser dans une puce ! futura-sciences.com Le graphne, challenger du silicium pour l'lectronique de demain
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