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autres composants de puissance

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thyristor GTO transistor de puissance MOSFET de puissance IGBT mos controlled thyristor MCT

une commande simplifie quelques centaines de kW de multiples versions entre le mosfet et le transistor bipolaire une autre combinaison
une collection d'icnes pour visiter tout le site

Hormis le thyristor et le triac anctres du domaine, on rencontre aujourd'hui de nombreux dispositifs de puissance drivs dont nous donnons ci-aprs une courte description des principaux.

le thyristor GTO (gate turn-off thyristor)


Il s'agit d'un dispositif qui prsente l'avantage par rapport au thyristor de pouvoir tre commut ( rendu passant) par une impulsion et bloqu par une autre impulsion inverse. Cette impulsion inverse dpend du courant d'anode interrompre et de ce fait le circuit de commutation va tre simplifi, le blocage est trs rapide et en consquence ce dispositif va pouvoir travailler des frquences suprieures celles du simple thyristor. Mais le courant inverse de gate qui va provoquer le blocage doit tre lev. Ainsi un GTO qui possde un courant de pointe direct de 2000A ncessitera un courant inverse de gate de 500A pour tre interrompu. De plus il ne faut pas que sa temprature dpasse 125C sinon il a tendance rester conducteur. On emploie des GTO jusqu' 4500V et 2500A.

Transistor de puissance
Les transistors de puissance sont utiliss dans des applications ncessitant jusqu' des centaines de kilowatts et des frquences de commutation infrieures 10kHz. Ce sont gnralement des transistors de type npn qui ont des temps d'ouverture relativement longs ce qui explique les limites en frquence. A la diffrence des thyristors on ne peut les protger par des fusibles car ils claquent avant le fusible donc les protections devront tre du type lectronique (voir chapitre alimentation pour avoir un exemple de circuit de protection). En rgle gnrale afin de ne pas avoir trop de problmes de commande ils seront conus sur la base du montage Darlington ralis soit sur une puce unique soit en deux parties intgres dans un mme boitier et dont le schma de principe est donn ci-dessous. Les composants de puissance occupant une surface de silicium leve leur gomtrie est donc critique ainsi pour assurer une rpartition uniforme du courant dans l'ensemble du dispositif on ralise en gnral des metteurs fortement interdigits avec la base.

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MOSFET de puissance
Ces composants portent des dnominations varies selon les constructeurs, souvent justifies par des gomtries trs varies : MegaMOS, HEXFET, SIPMOS, TMOS... Ils sont intressants car leur commande de gate implique une simple variation de potentiel sans prsence de courant puisque le gate d'un transistor mos est par hypothse isol et a donc un courant de fuite qui s'exprime en nanoampres. Cependant ceci n'est vrai qu'en condition statique, en rgime transitoire les capacits drain-gate ou source-gate doivent tre charges et dcharges de manire approprie pour pouvoir commuter le dispositif une certaine frquence ce qui implique pour le circuit de contrle une impdance de sortie relativement faible. Comme ce sont essentiellement des dispositifs quivalents une rsistance lorsqu'ils sont passants (RDSon) leurs caractristiques thermiques sont lies l'effet joule. Il faut noter que lorsque leur temprature augmente cette rsistance crot aussi et donc simultanment les pertes joule ils seront donc moins performants que des transistors bipolaires pour des courants importants.

Par ailleurs leur technologie est diffrente de celle des transistors bipolaires. Les bipolaires sont des composants de surface, tandis que les MOS de puissance ont une structure verticale afin d'obtenir un canal conducteur de grande section mais de faible longueur : il en rsulte un risque de transistor npn parasite qui dans les conditions d'exploitation limite du MOS va induire des catastrophes. L'art des concepteurs de MOS de puissance va donc tre de raliser des gomtries minimisant ces risques particulirement exacerbs pendant les phases transitoires.

IGBT insulated gate bipolar transistor


Il s'agit d'un composant qui va possder la haute impdance et la grande vitesse de commutation d'un MOSFET avec des caractristiques de conductivit d'un transistor bipolaire. On rend conducteur un IGBT en appliquant une tension positive entre gate et metteur et comme dans un MOS on le bloque en inversant lgrement cette tension (ou

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simplement l'annulant). On peut les utiliser jusqu' 50kHz sans difficults, au del les pertes sont trop importantes. Par contre, la diffrence des MOSFETs on ne peut pas les mettre en parallle car il est trs difficile de trouver deux IGBT ayant exactement les mmes temps de commuutation et il est clair que le courant passe par celui qui est devenu conducteur le premier et dans ce cas il est aussi clair que ce courant dpasse les limites du composant, le problme est encore plus dramatique la fermeture.

MOS Controlled Thyristor (MCT)


Il s'agit d'un thyristor associ un dispositif de commutation bas sur un double MOSFET (un pour la conduction et l'autre pour le blocage). L'intrt d'une telle configuration est de permettre des valeurs trs leves des variations de courant et tension admissibles sans dgts de l'ordre de 2500A/s et 20000V/s ce qui en fait un composant exploitable pour piloter des moteurs, des alimentations ininterruptibles aussi bien que des systmes d'alimentation haute puissance.

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