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Livret pdagogique
2016 / 2017
Facult de
Physique
et
Ingnierie
www.physique-ingenierie.unistra.fr
1
Sommaire
Le mot du Directeur ................................................................................................................................................................. 4
Organisation administrative...................................................................................................................................................... 6
Organisation pdagogique....................................................................................................................................................... 8
Enseignants et enseignants-chercheurs................................................................................................................................ 10
Calendrier universitaire.......................................................................................................................................................... 14
Flux dinformations et personnes ressources......................................................................................................................... 15
Informations pdagogiques.................................................................................................................................................... 16
Informations utiles.................................................................................................................................................................. 17
Rseau ALUMNI..................................................................................................................................................................... 19
Sites internet des formations.................................................................................................................................................. 20
Modalits dvaluation des tudiants..................................................................................................................................... 22
Modalits dvaluation des tudiants dans les UE de langues de licence et de master en CRL........................................... 29
Schma de loffre de formation de la Facult......................................................................................................................... 31
Licence Physique................................................................................................................................................................... 32
Licence Sciences pour lingnieur (SPI)................................................................................................................................. 56
Licence SPI parcours Ingnierie et ESA ............................................................................................................................... 59
Licence SPI parcours Ingnierie ........................................................................................................................................... 67
Licence SPI parcours ESA .................................................................................................................................................... 75
Licence SPI parcoursIngnierie cursus franco-allemand...................................................................................................... 81
Double licence Physique - Sciences de la Terre ................................................................................................................... 82
Diplme duniversit Tremplin russite................................................................................................................................... 93
CMI Micro et nano-lectronique (MNE).................................................................................................................................. 95
CMI Design des surfaces et matriaux innovants (DSMI).....................................................................................................111
Magistre de Physique fondamentale.................................................................................................................................. 125
Licence professionnelle Sant spcialit Mtiers de loptique et de la vision (MOV)........................................................... 141
Licence professionnelle Electricit et lectronique spcialit Qualit et matrise de lnergie lectrique (QMEE).............. 146
Licence professionnelle Production industrielle spcialitTechniques nuclaires et radioprotection (TNRP)..................... 151
Licence professionnelle Production industrielle spcialit Prototypage de produit et d'outillage (PPO).............................. 161
Licence professionnelle Production industrielle spcialitInstallation dquipements industriels l'international (IEII)...... 165
Master Sciences et technologie mention Physique.............................................................................................................. 174
Master Physique (M1 - tronc commun)................................................................................................................................ 178
Master Physiqueparcours Prparation lAgrgation de physique..................................................................................... 185
Master Physiquespcialit Matire condense et nano- physique (MCN).......................................................................... 201
Master Physiquespcialit Astrophysique........................................................................................................................... 208
Master Physique spcialit Physique des rayonnements, dtecteurs, instrumentation et imagerie (PRIDI)....................... 216
Master Physique spcialit Physique subatomique et astroparticules (PSA)...................................................................... 223
Master Physique spcialit Physique cellulaire (PC)........................................................................................................... 231
Master MEEF parcours Enseigner la physique-chimie (CAPES)......................................................................................... 238
Master MEEF parcours Enseigner la physique-chimie cursus tudiants ....................................................................... 244
Master MEEF parcours Enseigner la physique-chimie cursus fonctionnaire stagiaire ................................................... 248
Master Sciences et technologie mention Sciences pour lingnieur (SPI)........................................................................... 252
Master SPI spcialit Gnie industriel (GI).......................................................................................................................... 253
Master SPI spcialit Gnie industriel parcours Production industrielle (GIPI) ................................................................... 254
Master SPI spcialit Gnie industriel parcours Conception et ergonomie (GICE) ............................................................ 268
Master SPI spcialit Gnie industriel parcours franco-allemand ....................................................................................... 277
Master SPI spcialit Mcatronique et nergie (ME)........................................................................................................... 279
Master SPI spcialit Micro et nano-lectronique(MNE)..................................................................................................... 290
Master SPI spcialit Mcanique numrique en ingnierie (MNI) (computational engineering).......................................... 306
Master Sciences et technologie mention Matriauxet nanosciences.................................................................................. 316
Master Matriauxet nanosciences spcialits IMN, DSMI, IP (M1).................................................................................... 318
Master Matriaux et nanosciences spcialitIngnierie des matriaux et nanosciences (IMN)......................................... 324
Master IMN parcoursPhysique des matriaux et nanosciences ........................................................................................ 325
Master IMN parcoursNanosciences et matriaux pour la sant ......................................................................................... 330
Master Matriaux et nanosciences spcialitDesign des surfaces et matriaux innovants (DSMI).................................. 334
Master matriaux et nanosciences spcialitIngnierie des polymres (IP)....................................................................... 340
Master Matriaux et nanosciences spcialit Ingnierie des polymres parcours Franco-allemand (IM-PolyS)................ 346
Enseignements dans les autres licences de lUniversit de Strasbourg ............................................................................. 359
Licence Sciences et technologie mention Mathmatiques parcours Mathmatiques et physique approfondies (MPA)...... 359
Licence Sciences et technologie mention Physique-chimie (PC)........................................................................................ 360
Modalits dvaluation des connaissances et des comptences des 2 UE de physique en L1 Sciences de la vie............. 361
Organisation et gestion des stages...................................................................................................................................... 362
Observatoire des formations ............................................................................................................................................... 364
Hall de technologie et dinnovation ...................................................................................................................................... 365
Plateformes pdagogiques technologiques......................................................................................................................... 367
Partenaires pour les stages de licences et de masters ....................................................................................................... 368
Espace avenir....................................................................................................................................................................... 375
3
Le mot du Directeur
Le mot du Directeur
La Facult de Physique et ingnierie (P&I) couvre un spectre trs large dans les champs disciplinaires de la physique et
des sciences pour lingnieur, allant des particules lmentaires jusqu des applications en mcanique et en lectronique,
en passant par la matire condense, les matriaux et les nanosciences. Elle est localise sur 4 sites : Campus de lEsplanade, de la Meinau, dIllkirch, de Cronenbourg. A partir de la rentre universitaire 2016/2017, les activits denseignement
du site de la Meinau seront intgralement transfres sur le campus historique (rue de lUniversit).
Notre offre de formation est constitue de 25 formations diplmantes dont 6 formations en alternance (contrats dapprentissage ou de professionnalisation), 5 formations en partenariat international et 5 cohabilitations avec des Ecoles dingnieur. Les stages peuvent seffectuer dans plus de 200 structures daccueil (300 stages longs par an : 5-6 mois avec un
stage sur deux dbouchant sur un recrutement). Cette offre de formation large et diversifie, est fortement adosse
des laboratoires reconnus nationalement et internationalement et lui donne une importante visibilit. Ainsi la Facult P&I
recrute des tudiants de toutes les Universits de France, mais aussi beaucoup dtudiants trangers (24 % en licence et
47% en Master). Ceci tait particulirement vrai dans les dernires annes au niveau du M1 ce qui se traduit par exemple
par un nombre dtudiants plus important en Master quen Licence. Avec la cration en 2013 et 2014 de filires dexcellence sappuyant sur les licences (CMI, double licence Physique - Sciences de la Terre, magistre de Physique fondamentale, master franco-allemand en sciences des polymres), la Facult dveloppe son attractivit au niveau du premier
cycle, comme le montre les premires inscriptions pdagogiques pour lanne 2016-2017. Des programmes dchanges,
par exemple avec la Pologne et lUkraine, nous permettent daccueillir de trs bons lments trangers en Master.
Depuis plusieurs annes, la Facult P&I est attache dvelopper des parcours de trs haut niveau en forte synergie
avec les parcours universitaires classiques. Dans ce cadre, elle est troitement lie au Parcours Mathmatique-Physique
Approfondies port par lUFR de Mathmatique et Informatique. Ainsi, lissue de la prochaine anne universitaire, la premire promotion validera son Magistre de Physique Fondamentale, faisant de lUnistra la quatrime universit franaise
proposer ce type de formation dans le domaine de la Physique. Cette formation dexcellence, par et pour la recherche,
est fortement associe la formation des enseignants de lyces travers la prparation lAgrgation de PhysiqueOption Physique. Cette prparation qui reste la seule pour la rgion Grand Est et la rgion Bourgogne-Franche-Comt,
attire dans notre Universit des tudiants venant de diffrents horizons. La mise en place de ce DU a non seulement attir
des tudiant de trs bon niveau, mais elle a aussi entrain une mulation pour les autre tudiants de Licence et Master.
Cette mme anne diplmera au niveau Licence la premire promotion des deux Cursus Master en Ingnierie (CMI),
le CMI en Design des surfaces et matriaux innovants et le CMI en Micro et Nano-Electronique. Ces deux CMI ont t
labelliss en mai 2014 par le rseau FIGURE (Formation lInGnierie par les Universits de Recherche) auquel lUnistra
a adhr en 2013. Sappuyant sur les cursus de Licence et de Master dj existants la Facult dans ces domaines, mais
en les renforant au niveau des activits de mise en situation (projets intgrateurs en laboratoire et stages) et des enseignements douverture socio-conomique et culturelle, ces CMI forment au mtier dingnieur spcialiste dun domaine
forte culture dinnovation. Actuellement, en France, seulement 5 formations de ce type sont proposes dans le domaine
des sciences des matriaux et neuf en lectronique, la Facult P&I amenant ses propres spcificits dexcellence dans
ces deux domaines.
En rponse aux besoins de nos partenaires industriels, la composante propose plusieurs formations en alternance (5
Licences professionnelles et 2 Masters), cette offre diversifie a permis daugmenter considrablement le nombre dapprentis (30 en 2102 et 90 en 2016).
Dans le cadre des soutiens Idex, en plus du projet EX (Excellence by Experiment), nous avons obtenu en 2015 un
financement pour louverture dune nouvelle spcialit du Master de Physique concernant la Physique des Cellules et des
Tissus. Cette nouvelle spcialit, ouvertement internationale et fortement interdisciplinaire la fois par ses intervenants
pdagogiques et ses tudiants, a pour vocation daccueillir des tudiants de formations diverses : physiciens, biologistes,
chimistes. En lien avec cette spcialit, la Facult organise cet t la 15e dition du Campus Europen dEt sur le thme
Physique de la matire vivante . Nous prvoyons dinviter 40 tudiants de niveau master ayant valid au minimum
trois annes dtudes en physique. Nous accueillerons des chercheurs europens et des doctorants salaris europens.
La Facult de Physique et Ingnierie regroupe plus de 200 enseignants dont la moiti sont permanents. Sa stratgie
est axe sur un fort couplage entre formation, recherche et lien avec lindustrie. Cela se traduit concrtement par une
prsence forte de la recherche au niveau des Masters, ainsi que des liens avec le monde industriel en Licence Professionnelle et dans les Masters lis aux sciences de lingnieur. La quasi-totalit des enseignants sont affects des
laboratoires associs au CNRS et reconnus internationalement (IPCMS, ICS, IPHC et ICube), comme le dmontrent les
diffrents succs des appels doffres nationaux (ANR, LABEX (NIE, IRON)) ou internationaux et le nombre de dlgations CNRS (7 x 6 mois).
Lexcellence de la recherche porte par les Enseignants-Chercheurs de la Facult P&I sest traduite aussi par une nomination en 2016 lIUF dun membre junior et lobtention de la mdaille de bronze du CNRS pour un jeune collgue Matre
de Confrences. Finalement, la russite du Congrs Gnral de la Socit Franaise de Physique organis Strasbourg
fin Aot 2015 (environ 600 participants) est un gage de la qualit de la Physique Strasbourgeoise.
Notre offre de formation pour universitaire 2016-2017 est la suivante :
Licence Physique (parcours : CMI Design des surfaces et matriaux innovants, double licence Physique-Sciences
de la Terre)
Licence Sciences pour lIngnieur (parcours : ingnierie, ESA, franco-allemand, CMI Micro et nano-lectronique)
Diplme duniversit Tremplin russite (L1 S2)
Magistre de physique fondamentale (L3, M1, M2)
Licences professionnelles :
- Mtiers de loptique et de la vision
- Qualit et matrise de lnergie lectrique
- Techniques nuclaires et radio protection
- Prototypage de produit et doutillage
- Installation dquipements industriels linternational
Master sciences et technologie mention physique
4 spcialits (M1 commun)
- Matire condense et nanophysique (parcours : recherche, prparation agrgation de physique)
- Astrophysique
- Physique des rayonnements, dtecteurs, instrumentation et imagerie
- Physique subatomique et astroparticules
- Physique cellulaire
Master sciences et technologie mention sciences pour lingnieur
4 spcialits
- Gnie industriel (parcours : production industrielle, conception et ergonomie)
- Mcatronique et nergie
- Micro et nano-lectronique
- Mcanique numrique en ingnierie
Master sciences et technologie mention matriaux et nanosciences
3 spcialits :
- Ingnierie des matriaux et nanosciences (parcours : physique des matriaux et nanosciences,
nanosciences et matriaux pour la sant)
- Design des surfaces et matriaux innovants
- Ingnierie des polymres (parcours franco-allemand)
La physique et lingnierie sont par essence la frontire avec plusieurs autres disciplines : mathmatiques, astrophysique, science de la terre, chimie, biologie. Nous avons donc des liens trs troits avec les composantes de lUnistra et
avec lINSA associs ces disciplines, et ceci travers diffrentes actions :
Des filires communes : Licences PC, MPA, parcours dexcellence ST.
De nombreuses mutualisations dUE en Licence et Master (Facult de Chimie, UFR Math. Informatique, EOST, TPS,
ECPM, ESPE, INSA).
La Facult de Physique et Ingnierie est associe deux coles doctorales (Mathmatiques, Sciences de lInformation et
de lIngnieur, et Physique et Chimie Physique).
En conclusion, les formations dispenses au sein de la composante maintiennent un quilibre entre formations fondamentales et formations professionnelles.
Organisation administrative
NOM - Prnom
Organisation administrative
FONCTION
COURRIEL
TELEPHONE
NOURREDDINE
Abdel-Mjid
Directeur
nourreda@unistra.fr
03 68 85 06 72
03 88 10 65 76
CHARITAT Thierry
Directeur adjoint,
physique et interdisciplinarit
thierry.charitat@ics-cnrs.
unistra.fr
03 88 41 40 05
LAROCHE Edouard
Directeur adjoint,
ingnierie et suivi des formations
laroche@unistra.fr
03 68 85 44 68
TUREK Philippe
Directeur adjoint,
relations extrieures et RH
turek@unistra.fr
03 68 85 56 26
03 68 85 16 31
TRAU Patrick
trau@unistra.fr
03 68 85 49 49
REISER-DELIGNY Marc
Responsable administratif
m.reiserdeligny@unistra.fr
03 68 85 07 49
DELL Monique
Assistante de direction
monique.dell@unistra.fr
03 68 85 06 91
AZAGOUAGHE Rachida
Gestionnaire de scolarit
rachida.azagouaghe@unistra.fr
03 68 85 49 53
BERTIN-DIEBOLD Maud
Gestionnaire de scolarit
maud.bertin@unistra.fr
03 68 85 06 90
BINDEL Pierre
Logistique
bindelp@unistra.fr
03 68 85 07 22
BOAMAH Gloria
Agent dentretien
gloria.boamah@unistra.fr
06 77 76 72 14
BRAUN Patrick
patrick.braun@unistra.fr
03 68 85 46 57
DONTENVILLE Matthieu
Assistant maintenance
m.dontenville@unistra.fr
03 68 85 07 22
EHLES Francine
Gestionnaire de scolarit
francine.ehles@unistra.fr
03 68 85 06 27
FERRAZ-BOIREAU Nthali
ferrazboireau@unistra.fr
03 68 85 06 71
GODOY Laurent
laurent.godoy@unistra.fr
03 68 85 46 51
HUBER Isabelle
isabelle.huber@unistra.fr
03 68 85 49 70
HUNZINGER Marc-Olivier
Informaticien
hunzinge@unistra.fr
03 68 85 07 36
06 73 46 99 37
JEANNIN Martine
Gestionnaire de scolarit
(Cronenbourg)
martine.jeannin@iphc.cnrs.fr
03 88 10 65 04
KARTNER Eric
eric.kartner@unistra.fr
03 68 85 07 22
06 77 76 72 14
KNOBLOCH Patrick
Assistant denseignement
patrick.knobloch@unistra.fr
03 68 85 67 72
KOPFF Michel
michel.kopff@unistra.fr
03 68 85 46 61
KROPP Elise
e.kropp@unistra.fr
03 68 85 10 34
MARTIN Fabienne
Gestionnaire financire
fabienne.martin@unistra.fr
03 68 85 06 74
MAURER Valrie
Gestionnaire de scolarit
vmaurer@unistra.fr
03 68 85 07 44
MULLER Denis
Assistant denseignement
denis.muller@unistra.fr
03 68 85 06 68
NEEB Didier
Gestionnaire de scolarit
didier.neeb@unistra.fr
03 68 85 49 51
PAVLOVIC Danica
Agent dentretien
d.pavlovic@unistra.fr
06 77 76 72 14
PROHASKA Sarah
Charge de communication et RH
prohaska@unistra.fr
03 68 85 07 28
SAWMYNADEN
Kumarsamy
Agent dentretien
k.sawmynaden@unistra.fr
06 77 76 72 14
SCHLAEDER Sophie
Gestionnaire de scolarit
sophie.schlaeder@unistra.fr
03 68 85 06 70
Direction
Administration
Informaticien
olivier.schmitt@unistra.fr
SCHWARTZ Marie-Amlie
Gestionnaire de scolarit
maschwartz@unistra.fr
03 68 85 06 93
STUBER Franois
Assistant denseignement
francois.stuber@unistra.fr
03 68 85 07 39
THENAISIE Marie
thenaisie@unistra.fr
03 68 85 10 32
Chargs de missions
MISSIONS
RESPONSABLES
Herv BERVILLER
Communication
Auguste BESSON
Sandrine COURTIN
Luc HEBRARD
Denis HOENEN
Investissements pdagogiques
Danielle RAISER
Siham TOUCHAL
03 68 85 49 56
Organisation pdagogique
Service de scolarit de la Facult
Institut de Physique
3 rue de luniversit
67000 Strasbourg
03 68 85 07 30
phi-scolarite@unistra.fr
Organisation pdagogique
Antenne Cronenbourg
IPHC - BtIment 20
Bureau 115 b
23 rue du Loess
67200 Strasbourg
03 88 10 65 04
phi-scolarite@unistra.fr
FORMATIONS
RESPONSABLES
PEDAGOGIQUES
D. MATHIOT
D. RAISER
L2 Ingnierie et ESA
J. P. M. CORREIA
H. BERVILLER
L3 Ingnierie
L3 Ingnierie cursus franco-allemand
J. FRITSCH
Fr. ANTONI
Licence Physique
J.-P. LAVOINE
D. RAISER
L2 Physique
S. BOUKARI
L3 Physique
C. JOLLET
J.-P. LAVOINE
A. MAGGI
Scolarit L1
Ple L1 Sciences
Institut Le Bel
Bureau 345 h
4 rue Blaise Pascal
67000 Strasbourg
03 68 85 11 66
deptl1@unistra.fr
GESTIONNAIRES
DE SCOLARITE
SCOLARITE
E. KROPP
M. THENAISIE
Ple L1
Sciences
M.-A. SCHWARTZ
Institut de
Physique
E. KROPP
M. THENAISIE
Ple L1
Sciences
S. SCHLAEDER
Institut de
Physique
E. KROPP
M. THENAISIE
(L1)
Ple L1
sciences
S. SCHLAEDER
(L2 / L3)
Institut de
Physique
M. JEANNIN
Cronenbourg
R. AZAGOUAGHE
Institut de
Physique
V. MAURER
Institut de
Physique
M. JEANNIN
Cronenbourg
Licences professionnelles
Techniques nuclaires et radioprotection
I. ROSSINI
N. PARIZEL
R. HOUSSIN
J. FRITSCH
Ph. CELKA
Master Physique
R. JALABERT
M. BARZOUKAS
Th. CHARITAT
J. POLONYI
M2 Astrophysique
Chr. BOILY
A. SIEBERT
M2 Physique cellulaire
D. RIVELINE
P. LAQUERRIERE
J. BAUDOT
M. ALOUANI
O. ERSEN
M1 Matriaux et nanosciences
J. COMBET
A. DINIA
A. RUBIN
Chr. SERRA
V. LE HOUEROU
G. SCHAFER
M1 Micro et nano-lectronique
Fr. ANTONI
M2 Micro et nano-lectronique
L. HEBRARD
Y. HOARAU
V. MAURER
M1 / M2 Mcatronique et nergie
D. KNITTEL
R. AZAGOUAGHE
M1 / M2 Gnie industriel
B. ROSE
J. FRITSCH
M. BARZOUKAS
Th. CHARITAT
M. DUFOUR
M.-A. SCHWARTZ
Institut de
Physique
Fr. EHLES
M.-A. SCHWARTZ
Institut de
Physique
Fr. EHLES
S. SCHLAEDER (L3)
V. MAURER (M1 / M2)
L. HEBRARD
Chr. GAUTHIER
A. RUBIN
Ph. TUREK
E. KROPP
M. THENAISIE
(L1)
Ple L1
Sciences
M.-A. SCHWARTZ
(L2 / L3)
Institut de
Physique
E. KROPP
M. THENAISIE
(L1)
Ple L1
Sciences
S. SCHLAEDER
(L2 / L3)
N. FERRAZ BOIREAU
Fr. EHLES
Institut de
Physique
Master Mtiers de lenseignement, de lducation et de la formation, Ecole suprieure du professorat et de lducation (ESPE) ;
Formation ingnieur ECPM, INSA, ENGEES et TPS ;
Formations IUT ;
Licence mention Chimie parcours chimie, chimie-physique ;
Licence mentionMathmatiques ;
Licence mention Physique-chimie parcours sciences de la matire ;
Licence mention Physique-chimie parcours professorat des coles ;
Licence mention Sciences du vivantparcours chimie et biologie ;
Licence professionnelle Activit et techniques de communication ;
Licence Sciences de la Terre ;
Magistre deMathmatiques ;
Master mention Risques et environnement spcialit ingnierie environnementale et nergies nouvelles ;
Master Ingnierie et gosciences pour lenvironnement ;
Master mention Imagerie, robotique et ingnierie pour le vivant ;
Master mention Mathmatiqueset applications spcialitcalcul scientifique et mathmatiques de linformation ;
UE de dcouverte...
9
Enseignants et enseignants-chercheurs
coles doctorales affilies et laboratoires daffectation des enseignants-chercheurs :
FONCTION
LABORATOIRE
AHZI Said *
NOM - Prnom
PR
ICube
said.ahzi@icube.unistra.fr
03 68 85 29 52
ALOUANI Mbarek
PR
IPCMS
mea@ipcms.unistra.fr
03 88 10 70 06
ANSTOTZ Freddy
MCF
ICube
freddy.anstotz@unistra.fr
03 88 10 65 56
ANTONI Frdric
MCF
ICube
frederic.antoni@unistra.fr
03 88 10 65 56
ARBOR Nicolas
MCF
IPHC
nicolas.arbor@iphc.cnrs.fr
03.88.10.64.27
PR
IPCMS
florian.banhart@ipcms.unistra.fr
03 88 10 71 03
BARSELLA Alberto
MCF
IPCMS
alberto.barsella@ipcms.unistra.fr
03 88 10 70 90
BARTEL Johann
MCF
IPHC
johann.bartel@iphc.cnrs.fr
03.88.10.67.87
BARZOUKAS Marguerite
PR
Facult P&I
barzoukas@unistra.fr
03 68 85 05 82
BASCHNAGEL Jorg
PR
ICS
jorg.baschnagel@ics-cnrs.unistra.fr
03.88.41.40.56
BAUDOT Jrme
PR
IPHC
baudot@in2p3.fr
03 88 10 66 32
BAUSSAN ric
MCF
IPHC
baussan@iphc.cnrs.fr
03.88.10.65.82
BEKKOUR Karim
MCF
ICube
karim.bekkour@icube.unistra.fr
03.68.85.29.05
BENELHADJ Abdelhak
MAST
Facult P&I
abdelhak.benelhadj@unistra.fr
03 90 24 49 63
BENGONE Olivier
MCF
IPCMS
olivier.bengone@ipcms.unistra.fr
03 88 10 71 08
BERCIAUD Stphane
PR
IPCMS
stephane.berciaud@ipcms.unistra.fr
03 88 10 72 56
03 88 10 74 90
BERVILLER Herv
MCF
ICube
herve.berviller@icube.unistra.fr
03 88 10 66 07
BESSON Auguste
MCF
IPHC
abesson@in2p3.fr
03 88 10 68 01
BOUETTE Sophie
MCF
Facult P&I
sophie.bouette@unistra.fr
03 68 85 06 32
BOUKARI Samy
MCF
IPCMS
samy.boukari@ipcms.unistra.fr
03 88 10 70 08
BUCHER Jean-Pierre
PR
IPCMS
jean-pierre.bucher@ipcms.unistra.fr
03 88 10 70 96
CAILLAUD Emmanuel
PR
ICube
emmanuel.caillaud@unistra.fr
03 88 14 47 00
CELKA Philippe
PRAG
Facult P&I
celka@unistra.fr
03 68 85 06 77
CHABERT ric
MCF
IPHC
eric.chabert@iphc.cnrs.fr
03.88.10.66.31
CHARITAT Thierry
PR
ICS
thierry.charitat@ics-cnrs.unistra.fr
03.88.41.40.05
CHRISTOFFEL ric
MCF
LISEC
christof@unistra.fr
03.68.85.06.35
COMBET Jrme
MCF
ICS
jerome.combet@ics-cnrs.unistra.fr
03.88.41.40.01
COURTIN Sandrine **
PR
IPHC
sandrine.courtin@iphc.cnrs.fr
03.88.10.68.87
DADOUCHE Foudil
MCF
ICube
foudil.dadouche@icube.unistra.fr
03 88 10 62 56
DAYEN Jean-Franois
MCF
IPCMS
jean-francois.dayen@ipcms.unistra.fr
03 88 10 72 56
10
COURRIEL
TELEPHONE
MCF
ICube
jpm.correia@unistra.fr
03 68 85 49 60
03 68 85 29 55
DORKENOO Kokou
PR
IPCMS
kokou.dorkenoo@ipcms.unistra.fr
03 88 10 71 17
DORVAUX Olivier **
MCF
IPHC
olivier.dorvaux@iphc.cnrs.fr
03.88.10.65.91
DOUDIN Bernard **
PR
IPCMS
bdoudin@ipcms.unistra.fr
03 88 10 72 39
DREYER Nicole
MAST
Facult P&I
nicole.dreyer@unistra.fr
03 88 58 52 40
06 30 58 88 64
DREYSSE Hugues
PR
IPCMS
hugues.dreysse@ipcms.unistra.fr
03 88 10 70 83
DUFOUR Marianne
MCF
IPHC
marianne.dufour@iphc.cnrs.fr
03.88.10.61.73
DUSEK Jan
PR
ICube
jan.dusek@icube.unistra.fr
03 68 85 28 93
PR
IPCMS
ovidiu.ersen@ipcms.unistra.fr
03 88 10 70 28
FARAGO Jean
MCF
ICS
jean.farago@ics-cnrs.unistra.fr
03.88.41.40.32
FILIPPI-HALTE Valrie **
MCF
IPCMS
valerie.halte@ipcms.unistra.fr
03 88 10 72 13
FLIELLER Anne
PRAG
Facult P&I
anne.flieller@unistra.fr
03.68.85.07.39
FRAS Franois
MCF
IPCMS
fras@ipcms.unistra.fr
03 88 10 71 90
FRITSCH Jol
PRAG
Facult P&I
joel.fritsch@unistra.fr
03.68.85.49.55
GALL Benot **
PR
IPHC
benoit.gall@iphc.cnrs.fr
03.88.10.64.61
GALLART Mathieu
MCF
IPCMS
mathieu.gallart@ipcms.unistra.fr
03 88 10 71 93
GAUTHIER Christian
PR
ICS
christian.gauthier@unistra.fr
03 88 41 40 85
GOERLACH Ulrich **
PR
IPHC
ulrich.goerlach@iphc.cnrs.fr
03 88 10 66 44
GUY Didier
PRCE
Facult P&I
guy@unistra.fr
03.68.85.49.52
HARLEPP Sbastien
MCF
IPCMS
harlepp@ipcms.unistra.fr
03 88 10 72 13
HEBRARD Luc
PR
ICube
luc.hebrard@unistra.fr
03 88 10 62 59
HERVIEUX Paul-Antoine
PR
IPCMS
hervieux@unistra.fr
03 88 10 72 14
HIPPOLYTE Boris
MCF
IPHC
hippolyt@in2p3.fr
03.88.10.66.46
HOARAU Yannick
MCF
ICube
hoarau@unistra.fr
03 68 85 28 94
HOENEN Denis
PRAG
Facult P&I
hoenen@unistra.fr
03 68 85 49 44
HOUSSIN Rmy
MCF
INSA
remy.houssin@unistra.fr
03 68 85 49 43
HU Yann
PR
IPHC
yann.hu@iphc.cnrs.fr
03.88.10.61.14
HUILIER Daniel
MCF
ICube
daniel.huilier@icube.unistra.fr
03 68 85 28 97
HUSSON Daniel
MCF
IPHC
daniel.husson@iphc.cnrs.fr
03.88.10.64.87
JALABERT Rodolfo
PR
IPCMS
rodolfo.jalabert@ipcms.unistra.fr
03 88 10 70 76
JOLLET Ccile **
MCF
IPHC
cecile.jollet@iphc.cnrs.fr
03.88.10.63.65
KAMMERER Jean-Baptiste
MCF
ICube
jb.kammerer@unistra.fr
03 88 10 68 72
KNITTEL Dominique
PR
INSA
knittel@unistra.fr
03.68.85.49.45
KRAUS Isabelle
MCF
IPCMS
isabelle.kraus@ipcms.unistra.fr
03 88 10 71 46
LAQUERRIERE Patrice
PR
IPHC
patrice.laquerriere@iphc.cnrs.fr
03.88.10.65.09
LAROCHE douard
PR
ICube
laroche@unistra.fr
03 68 85 49 48
03 68 85 44 68
LAVOINE Jean-Pascal
MCF
IPCMS
jean-pascal.lavoine@ipcms.unistra.fr
03 88 10 71 09
LEVEQUE Patrick
MCF
ICube
patrick.leveque@icube.unistra.fr
03 88 10 62 94
MAALOUM Mounir
PR
ICS
mounir.maaloum@ics-cnrs.unistra.fr
03 88 41 40 02
MATHIOT Daniel
PR
ICube
daniel.mathiot@unistra.fr
03.88.10.65.49
11
MCF
ICube
jacques.michel@icube.unistra.fr
03.68.85.44.20
MOLIQUE Herv
MCF
IPHC
herve.molique@iphc.cnrs.fr
03 88 10 66 88
NAGEOTTE Florent
MCF
ICube
florent.nageotte@icube.unistra.fr
03 88 11 91 29
03 68 85 44 64
NOEL Bertrand
PRCE
Facult P&I
bnoel@unistra.fr
NOURREDDINE Abdel-Mjid
PR
IPHC
nourreda@unistra.fr
03 68 85 06 72
03.88.10.65.76
PARIZEL Nathalie
MCF
POMAM
n.parizel@unistra.fr
03 68 85 56 20
03 68 85 16 31
PEREZ Asher
MCF
Facult P&I
asher.perez@unistra.fr
03.68.85.06.53
POLONYl Janos
PR
IPHC
janos.polonyi@iphc.cnrs.fr
03 88 10 62 91
PRADIER Thierry
MCF
IPHC
thierry.pradier@iphc.cnrs.fr
03.88.10.66.20
PUPILLO Guido
PR
IPCMS
pupillo@unistra.fr
03 88 10 71 93
RAISER Danielle
MCF
Facult P&I
danielle.raiser@unistra.fr
03.68.85.06.75
RASTEI Mircea
MCF
IPCMS
rastei@ipcms.unistra.fr
03 88 10 71 58
RAUSCH DE
TRAUBENBERG Michel
PR
IPHC
michel.rausch@iphc.cnrs.fr
03.88.10.65.33
ROSE Bertrand
MCF
ICube
bertrand.rose@unistra.fr
03.68.85.49.43
ROSSINI Isabelle
MCF
LISEC
i.rossini@unistra.fr
03 88 10 65 44
ROUSSEAU Marc **
MCF
IPHC
marc.rousseau@iphc.cnrs.fr
03.88.10.64.58
RUBIN Anne
MCF
ICS
arubin@unistra.fr
03 88 41 4028
SALZENSTEIN Fabien
MCF
ICube
fabien.salzenstein@icube.unistra.fr
03 88 10 65 58
SCHFER Gerhard
PR
LHyGeS
schafer@unistra.fr
03 68 85 03 66
SCHMATKO Tatiana
MCF
ICS
tatiana.schmatko@ics-cnrs.unistra.fr
03 88 41 40 04
SCHWARTZ Franois
PRAG
ICube
francois.schwartz@icube.unistra.fr
03 68 85 44 02
SPIESER Joseph
MAST
Facult P&I
spieser@unistra.fr
03.68.85.49.71
THALMANN Fabrice
MCF
ICS
fabrice.thalmann@ics-cnrs.unistra.fr
03 88 41 4149
TOUCHAL Siham
MCF
ICube
siham.touchal@icube.unistra.fr
03.68.85.29.55
TRAU Patrick
PRAG
Facult P&I
trau@unistra.fr
03 68 85 49 49
TRIBOLLET Jrme
MCF
POMAN
tribollet@unistra.fr
03 68 85 56 21
03 68 85 16 31
TUREK Philippe
PR
POMAN
turek@unistra.fr
03.68.85.56.26
03.68.85.16.31
WEBER Wolfgang
PR
IPCMS
wolfgang.weber@ipcms.unistra.fr
03 88 10 70 94
WEICK Guillaume
MCF
IPCMS
guillaume.weick@ipcms.unistra.fr
03 88 10 72 62
WILLINGER Rmy
PR
ICube
remy.willinger@icube.unistra.fr
03 68 85 29 23
* Enseignant en dtachement
** Enseignant en dlgation
*** Membres de lInstitut universitaire de France
12
LABORATOIRE
COURRIEL
TELEPHONE
DUDEK Jerzy
IPHC
jerzy.dudek@iphc.cnrs.fr
03 88 10 64 98
GALERNE Yves
IPCMS
yves.galerne@ipcms.unistra.fr
03 88 10 71 54
HNERLAGE Bernd
IPCMS
bernd.honerlage@ipcms.unistra.fr
03 88 10 71 48
RIVIER Nicolas
IPCMS
nicolas.rivier@ipcms.unistra.fr
03.68.85.06.47
ATER
NOM - Prnom
LABORATOIRE
COURRIEL
TELEPHONE
BACHELLIER Nicolas
IPCMS
nicolas.bachellier@ipcms.unistra.fr
03 88 10 72 71
HURST Jrme
IPCMS
jerome.hurst@ipcms.unistra.fr
03 88 10 71 95
IPHC
youbba-ould.salem@iphc.cnrs.fr
03 88 10 62 78
LEAUTAUD Vincent
Icube
leautaud@unistra.fr
03 68 85 28 96
MONITEURS
NOM - Prnom
LABORATOIRE
COURRIEL
TELEPHONE
ADOLF Cyril
Labo.de tectonique
molculaire
cyril.adolf@etu.unistra.fr
03 68 85 13 24
(secrtariat)
AL KEBSI Ali
ICUBE
ali.al-kebsi@icube.unistra.fr
03 68 85 28 94
ALLAIS Manon
INSERM 1121
allaismanon@hotmail.com
03 68 85 33 84
BADRI Hamid
LYGHES
hbadri@unistra.fr
03 68 85 04 76
BAUMANN Arthur
ICS
arthur.baumann@etu.unistra.fr
03 88 41 40 83
CHAKER Ziyad
IPCMS
ziyad.chaker@ipcms.unistra.fr
03 88 10 71 24
CHELOUCHE Abdellatif
ICUBE
abdellatif.chelouche@icube.unistra.fr
03 88 10 64 20
DOLCI Mathias
IPCMS
mathias.dolci@ipcms.unistra.fr
03 88 10 71 27
DOPPAGNE Benjamin
IPCMS
doppagne.benjamin@gmail.com
03 88 10 70 00
ELAZHAR Halima
IPHC
halima.elazhar@iphc.cnrs.fr
03.88.10.62.82
FERNIQUE Franois
IPCMS
francois.fernique@ipcms.unistra.fr
03 88 10 72 66
HAMON Julien
IPHC
julien.hamon@iphc.cnrs.fr
03.88.10.61.99
HEYMES Julian
IPHC
julian.heymes@iphc.cnrs.fr
03.88.10.60.62
LORCHAT Etienne
IPCMS
etienne.lorchat@ipcms.unistra.fr
03 88 10 70 79
LY Ousmane
IPCMS
ousmane.ly@ipcms.unistra.fr
03 88 10 72 66
IPCMS
donald.mouafo@ipcms.unistra.fr
03 88 10 72 31
RUSCHER Cline
ICS
celine.ruscher@ics-cnrs.unistra.fr
03 88 41 40 83
SAHLI Mehdi
ICUBE
mehdi.sahli@icube.unistra.fr
03 68 85 29 54
SALAMONE Salvatore
ICS
salvatore.salamone@etu.unistra.fr
03 88 41 41 13
SPINGARN Camille
ICUBE
camille.spingarn@icube.unistra.fr
03 68 85 29 54
TAUDUL Beata
IPCMS
beata.taudul@ipcms.unistra.fr
03 88 10 70 77
TONON Nicolas
IPHC
nicolas.tonon@iphc.cnrs.fr
03.88.10.62.89
VALDES Mateo
IPHC
Mateo.Valdes-Dupuy@iphc.cnrs.fr
03.88.10.66.55
VERLHAC Benjamin
IPCMS
benjamin.verlhac@ipcms.unistra.fr
03 88 10 72 41
WALTER Vivien
ICS
vivien.walter@etu.unistra.fr
03 88 41 41 13
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15
Informations pdagogiques
Informations pdagogiques
Dans le cadre de la rforme LMD (licence master - doctorat) loffre de formation dune universit est structure en domaines qui peuvent recouvrir plusieurs disciplines et leurs champs dapplication, notamment professionnels. Ilsexpriment
des grands champs de comptence et se dclinent en mentions, que ce soit en licence, master ou doctorat. Nos filires
relvent du domaine sciences et technologies .
Le parcours universitaire
La formation est organise par semestre et valide par les diplmes de niveaux de sortie : licence, master, doctorat.
Lorganisation en LMD prvoit un ensemble dunits denseignements (UE) obligatoires, disciplinaires et transversales,
compltes par quelques UE libres qui permettent ltudiant dtre acteur de et dans sa formation et le cursus de licence
inclut un module APE (aide au projet de ltudiant) permettant daccompagner ltudiant dans laffirmation de son projet
dorientation. Un parcours de formation reprsente ainsi une progression au sein dun ensemble cohrent de matires
organises en UE proposes par luniversit. Ltudiant construit son parcours de formation et son projet professionnel
sur la base de parcours type propos par luniversit. Il peut le modifier ou le faire voluer par le choix doptions, de spcialisations et de passerelles qui lui seront proposes. Pour laccompagner dans ses choix, un responsable pdagogique
linforme et le conseille. Ce choix fait lobjet dun contrat semestriel avec signature dune inscription pdagogique.
Les insertions professionnelles sont prvues ds la licence avec des stages ouvriers en deuxime anne de licence Physique et de licence Sciences pour l'ingnieur. Des licences professionnelles (en 2 semestres aprs 4 semestres valids
de licence ou d'autres formations post-bac, autrement dit 120 crdits) sont galement proposes afin de permettre aux
tudiants des sorties niveau licence avec insertion professionnelle immdiate.
Lorganisation pdagogique est repense et progressivement mise en place pour permettre dutiliser pleinement les possibilits offertes par lorganisation LMD. Cette organisation est base sur deux quipes aux comptences dfinies.
Lquipe de formation
L'quipe de formation est attache un domaine de formation et un niveau de formation (licence, master). Elle a en
charge lorganisation gnrale et lvolution des formations et de ses passerelles, ladquation des enseignements, des
stages, des projets donns aux tudiants avec les objectifs et comptences annoncs dans les maquettes des formations.
Elle organise lvaluation des formations et des enseignements. Elle fixe les modalits de contrle de connaissances au
sein du domaine. Lquipe de formation veille la cohrence des parcours et se positionne sur lopportunit du maintien
dun parcours, voire de son volution. Lquipe de formation coordonne une ou plusieurs quipes pdagogiques. Elle
coordonne la communication propre la formation : reprsentation, publicit, cration d'vnement(s),... Lquipe de
formation est compose denseignants en gnral responsables des quipes pdagogiques, dexperts scientifiques, de
professionnels du secteur conomique et dintervenants extrieurs. Lanimation de cette quipe de formation est le rle
du responsable de formation.
Lquipe pdagogique
Lquipe pdagogique est constitue des enseignants de la mention de diplme et/ou de spcialit voire des parcours
selon la taille des promotions. Elle est pilote par un responsable pdagogique. Elle prend en charge pour tous les
semestres de licence ou de master tout ce qui concerne la pdagogie au quotidien, le suivi des tudiants, la mise en place
du tutorat, du soutien, lorganisation des jurys. Le responsable pdagogique est le garant de la cohrence pdagogique
du parcours et de sa qualit. Il valide les inscriptions pdagogiques et amnagements d'tudes relatifs aux statuts particuliers.
La gestion de certaines activits transversales, concernant l'ensemble des formations, sont confies des responsables
spcifiques. Ces activits transversales sont :
Les activits des responsables spcifiques se font en concertation avec les responsables pdagogiques, ds lors quelles
concernent la formation et lvaluation des tudiants (principalement stages, projets et relations internationales).
Pour chaque filire, un conseil de perfectionnement est constitu dont le rle est de contribuer au dveloppement de
la filire de formation en faisant des bilans, valuations et suggestions visant dfinir les axes d'amliorations possibles.
16
Informations utiles
Informations utiles
ARIANE
3 rue de luniversit, 67000 Strasbourg
03.68.85.07.04 / contact@asso-ariane.fr
www.asso-ariane.fr
Recherche de stage
Pour tout renseignement adressez-vous Isabelle HUBER (gestionnaire des stages) ou Denis HOENEN (charg de
mission insertion professionnelle).
Plateforme Placeojeunes
Placeojeunes est une plate-forme doffres de stage et demploi qui a vocation mettre en relation tudiants et entreprises.
Les offres sont gres et diffuses par lespace avenir via lE.N.T.: onglet vie tudiante, rubrique offres de stage
et demploi .
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Rseau ALUMNI
Rseau ALUMNI
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2.1.12. Capitalisation
Lacquisition dune UE emporte celle des crdits europens correspondants.
Les lments constitutifs dune UE ne sont pas affects individuellement de crdits europens.
Une UE acquise ne peut plus tre reprsente un examen, quel que soit le parcours dtudes o elle est inscrite.
Une UE non acquise appartenant un semestre valid ne peut pas tre reprsente un examen en vue damliorer la
note de ce semestre. Elle peut toutefois tre reprsente un examen si elle est inscrite dans un autre diplme (mention
ou spcialit).
En cas de redoublement ou de modification de loffre de formation, les UE acquises au titre dune anne universitaire
antrieure et ne figurant plus au programme du diplme font lobjet de mesures transitoires. Les mesures transitoires
prservent le nombre de crdits europens acquis par ltudiant.
La validation dun semestre emporte lacquisition des 30 crdits europens du semestre.
La validation de la Licence emporte lacquisition des 180 crdits europens de la licence.
2.2. Rgime de lvaluation continue intgrale
2.2.1. Principe gnral de lvaluation continue intgrale
Lvaluation continue intgrale consiste en une pluralit dvaluations diversifies, rparties rgulirement sur lensemble
des semaines du semestre et pour lensemble des enseignements dont lobjectif est de renforcer la dimension formative
des valuations et de confrer aux retours sur les valuations un rle important dans la progression des tudiants.
Elle doit permettre lquipe pdagogique dattester que ltudiant matrise les connaissances et comptences vises
dans une UE.
Elle na pas ncessairement pour objectif dvaluer tous les contenus pdagogiques dune UE.
Les modalits dvaluation, adoptes en conseil de composante et soumises la CFVU, peuvent tenir compte de situations ou de stratgies pdagogiques particulires. Ces dernires feront lobjet dune instruction par la DES et la vice-prsidence formation et seront, le cas chant, examines par la commission de suivi de lECI avant leur prsentation la
CFVU
2.2.2. Organisation de lvaluation continue intgrale
Lorganisation temporelle de toutes les valuations (avec et sans convocation) est tablie de faon concerte dans
lquipe pdagogique de la formation. Le responsable du parcours ou de la spcialit concerte, ou le directeur des tudes
(ou appellation quivalente) si cette fonction est prvue par la composante porteuse de la formation est le responsable de
ce calendrier, il a donc autorit au sein de lquipe pdagogique pour garantir la meilleure coordination possible entre les
valuations. Lorganisation pratique est coordonne par lquipe pdagogique et la scolarit de la composante et la DALI.
La rpartition rgulire des valuations peut tre garantie par le recours systmatique des crneaux hebdomadaires
identifis dans lemploi du temps.
Le planning des valuations avec convocation (qui doivent tre identifies comme telles dans les modalits dvaluation
de chaque formation de licence) sera publi au cours des deux premires semaines du semestre. Si des modifications
doivent tre apportes au planning des valuations en cours de semestre pour des raisons imprieuses, elles devront tre
communiques obligatoirement 15 jours avant l'valuation.
Des valuations peuvent galement tre ralises sans convocation dans les crneaux denseignement de lemploi du
temps (valuations en TD et TP, par exemple). Pour ces dernires, des amnagements ou des drogations sont accords au profit des tudiants profil spcifique (tudiants salaris, sportifs ou musiciens de haut niveau, en situation de
handicap, etc.).
2.2.3. Nombre dvaluations par UE
Llment de base de lvaluation et de la compensation est lUE.
Le nombre global de notes est apprcier en fonction du nombre dECTS et/ou du nombre denseignements qui composent lUE, ainsi que de la nature et de la dure des preuves. Aucune note ne peut contribuer pour plus de 50 % de la
moyenne de lUE.
Un minimum de 3 notes est fortement encourag pour permettre une vritable progression de ltudiant et des remdiations entre les valuations. Ce minimum est exig pour des UE de plus de 3 ECTS.
2.2.4. Modalits de correction des valuations et de restitution pdagogique aux tudiants
Chaque preuve doit tre corrige dans un dlai raisonnable, et en tout tat de cause avant lvaluation suivante. Elle
fait lobjet dune correction selon des modalits laisses lapprciation des enseignants. Le corrig renforce la dimension
formative de lUE. En particulier, il est remis en perspective par rapport aux attendus (connaissances et comptences) de
lenseignement.
2.2.5. Absence aux preuves
En cas dabsence une preuve avec convocation, ltudiant est dclar dfaillant quels que soient les rsultats obtenus
par ailleurs. Il devra donc repasser tous les lments non valids lors de la session de rattrapage.
Toutefois, une preuve de remplacement peut tre accorde par le Prsident du jury ou le responsable de la formation,
au cas par cas, en particulier dans les circonstances suivantes : convocation un concours de recrutement de la fonction
publique (la convocation doit tre dpose au moins 3 jours avant les preuves auprs de leur service de scolarit) ;
empchement subit et grave, indpendant de la volont de ltudiant et attest auprs du service de scolarit par un justificatif original prsent au service de scolarit dans un dlai de rigueur de 7 jours ouvrs, sauf cas de force majeure. Seul
un certificat original est recevable. Un accident, une hospitalisation, le dcs dun proche constituent des cas recevables
dans cette circonstance.
La prsence ces preuves est obligatoire, sauf dans les cas de dispense.
24
En cas dabsence une preuve sans convocation, ltudiant doit imprativement prsenter une justification au service
de scolarit dans un dlai de rigueur de 7 jours ouvrs, sauf cas de force majeur. Seul un certificat original est recevable.
Sont considres comme des justifications recevables :
une convocation un concours de recrutement de la fonction publique ; la convocation doit tre dpose au moins
3 jours avant les preuves auprs du service de scolarit.
Un empchement subit et grave, indpendant de la volont de ltudiant et attest auprs du service de scolarit
par un justificatif original dans un dlai nexcdant pas 7 jours ouvrs aprs les preuves concernes. Un accident,
une maladie obligeant un arrt, une hospitalisation, le dcs dun proche constituent des cas recevables dans
cette circonstance.
Dautres motifs peuvent tre mentionns dans les modalits dvaluation adoptes par les composantes.
En cas dabsence injustifie, ltudiant est sanctionn par la note zro cette preuve.
Une dispense totale ou partielle de prsence aux preuves sans convocation peut tre accorde dans les conditions
suivantes.
Les tudiants relevant dun profil spcifique peuvent bnficier dune dispense totale de de prsence aux preuves
sans convocation. Ils doivent en faire la demande auprs de leur service de scolarit avant la fin du premier mois
des enseignements ou dans les 15 jours suivant leur accession ce profil spcifique.
Une dispense partielle de prsence aux preuves sans convocation peut tre accorde pour des raisons juges
recevables. Ltudiant doit en faire la demande et produire les justificatifs auprs de son service de scolarit avant
lpreuve ou, en cas dvnement imprvu, au plus tard 7 jours aprs lpreuve. Une preuve de remplacement peut
lui tre propose par lenseignant responsable de lpreuve initiale, qui en dfinit les modalits ; elles peuvent tre
diffrentes de celles de lpreuve initiale. A dfaut, il nest pas tenu compte de la note manquante.
2.2.6. Session de rattrapage
Pour les tudiants dclars dfaillants ou ajourns aprs la tenue du jury, une session de rattrapage est organise pour
chaque semestre.
Par dfinition, dans un rgime dvaluation continue intgrale dont lobjectif est de favoriser la russite et les apprentissages des tudiants par des preuves formatives, multiples et diversifies, la session de rattrapage est avant tout destine
aux tudiants empchs de composer au cours du semestre et ne peut pas comporter dpreuves en nombre identique et
de mme nature que celles proposes au cours du semestre. Les modalits dorganisation de cette session de rattrapage
sont proposes par les composantes. Elles comporteront une preuve unique par UE.
Les MECC de toutes les UE dtailleront les modalits de la session de rattrapage. Si des reports de notes sont envisags
par la composante, ils devront tre explicitement prvus par les MECC.
2.3. Rgime de contrle terminal, combin ou non avec un contrle continu
2.3.1. Sessions dexamens
Deux sessions dexamens sont organises pour chaque semestre durant lanne universitaire. Les modalits dvaluation
des tudiants peuvent tre prvues en partie sous la forme dun contrle continu. Dans ce cas, il peut constituer intgralement la session principale dexamens et contribuer la session de rattrapage sous la forme dun report de notes de TD
et/ou de TP.
2.3.2. Absence aux preuves terminales
En cas dabsence une preuve de contrle terminal, ltudiant est dclar dfaillant quels que soient les rsultats obtenus par ailleurs.
Toutefois, une preuve de remplacement peut tre accorde par le prsident du jury, au cas par cas, en particulier dans
les circonstances suivantes :
convocation un concours de recrutement de la fonction publique; la convocation doit tre dpose au moins 3 jours
avant les preuves auprs de leur service de scolarit.
Empchement subit et grave, indpendant de la volont de ltudiant et attest auprs du service de scolarit par
un justificatif original prsent au service de scolarit dans un dlai de rigueur de 7 jours ouvrs, sauf cas de force
majeur. Seul un certificat original est recevable. Un accident, une maladie obligeant un arrt, une hospitalisation,
le dcs dun proche constituent des cas recevables dans cette circonstance.
Des dispositions particulires peuvent tre appliques aux tudiants profil spcifique.
2.3.3. Absence aux preuves de contrle continu
La prsence aux preuves de contrle continu est obligatoire, sauf dans les cas de dispense.
En cas dabsence injustifie une preuve de contrle continu, ltudiant est sanctionn par un zro cette preuve.
Lorsque la session principale ne comporte que des preuves de contrle continu et que ltudiant est absent toutes ces
preuves, sans justification, il est dclar dfaillant quels que soient les rsultats obtenus par ailleurs.
Une dispense totale ou partielle de contrle continu peut tre accorde dans les conditions suivantes.
Les tudiants relevant dun profil spcifique attest peuvent bnficier dune dispense totale de contrle continu. Ils
doivent en faire la demande auprs de leur service de scolarit avant la fin du premier mois des enseignements ou
dans les 15 jours suivant leur accession ce profil spcifique. Lorsque la session principale ne comporte que des
preuves de contrle continu, une preuve de substitution doit tre prvue dans le rglement des examens.
Une dispense partielle de contrle continu peut tre accorde pour des raisons juges recevables. Ltudiant doit en
faire la demande et produire les justificatifs auprs de son service de scolarit avant lpreuve ou, en cas dvnement imprvu, au plus tard dans un dlai de rigueur de 7 jours ouvrs, sauf cas de force majeur. Seul un justificatif
original est recevable.
Une preuve de remplacement peut lui tre propose. A dfaut, il nest pas tenu compte de la note manquante.
25
3.1.6. Jurys
Il est cr des jurys de semestre. Le jury de semestre est souverain pour prononcer la validation ou la non-validation dun
semestre.
Il est cr des jurys de diplme. Ces jurys sont diffrents des jurys de semestre. Ils prononcent ladmission au diplme.
Le Prsident du jury de diplme de master est dsign parmi les enseignants-chercheurs habilits diriger des recherches.
3.1.7. Compensation
Compensation au sein de lUE
Les notes qui, affectes de leurs coefficients respectifs, entrent dans le calcul de la note dune UE se compensent entre
elles, sans note liminatoire. LUE est valide ds lors quun tudiant obtient une moyenne gnrale gale ou suprieure
10/20.
Compensation semestrielle
Les notes des UE dun mme semestre se compensent entre elles. Le semestre est valid si la moyenne des UE le composant, affectes de leurs coefficients respectifs, est gale ou suprieure 10/20.
Compensation entre les semestres
Les notes des semestres du master ne se compensent pas entre elles.
Toutefois, au sein dune mme anne de master, une compensation des notes des semestres peut tre instaure.
3.1.8. Calcul de la moyenne gnrale en master
La moyenne gnrale en master est la moyenne des notes des 4 semestres, sans pondration des semestres.
Lattribution dune mention (assez bien 12/20 ; bien 14/20 ; trs bien 16/20) est calcule sur la moyenne gnrale obtenue
en master.
Le jury de master peut accorder des points de jury pour lattribution dune mention.
En cas de dispense de semestre(s), la note du master est la moyenne des notes des seuls semestres effectus lUniversit de Strasbourg.
En cas de rorientation, la note du diplme est la moyenne des 4 semestres accomplis par ltudiant lUniversit de
Strasbourg. Les tudes accomplies ltranger, selon un contrat pdagogique ralis dans le cadre dchanges internationaux conventionns, sont considres comme des tudes accomplies lUniversit de Strasbourg.
Les modalits dvaluation de ltudiant en mobilit sont prcises dans son contrat pdagogique.
3.1.9. Diplme intermdiaire de matrise
La russite au diplme intermdiaire de matrise repose sur la russite chacun des 2 premiers semestres du master. Les
semestres ne se compensent pas entre eux, sauf application des dispositions prvues au point 3.1.7 ci-dessus.
La note de matrise est la moyenne des notes des deux premiers semestres du master, sans pondration des semestres.
3.1.10. Report de notes de la session principale la session de rattrapage
Sous rserve dautres modalits valides par la CFVU et lorsquest organise une session de rattrapage, elle comporte
des preuves terminales en mme nombre et de mme nature que la premire.
Les notes suprieures ou gales 10/20 des preuves dune UE non valide sont reportes de la session principale la
session de rattrapage, sans possibilit de renonciation.
Les composantes dsirant permettre aux tudiants de renoncer aux notes suprieures ou gales 10/20 dans les
preuves des UE non acquises la session principale peuvent prvoir une drogation dment prcise dans le cadre des
modalits annuelles dvaluation des tudiants.
3.1.11. Conservation de notes dune anne lautre
Les notes des preuves suprieures ou gales 10/20 des UE non acquises ne sont pas conserves dune anne
lautre.
3.2. Rgime de lvaluation continue intgrale
3.2.1. Rgles gnrales
Les dispositions figurant ci-dessus des points 2.2.1 2.2.4 sont aussi applicables en master.
3.2.2. Absence aux preuves
En cas dabsence une preuve avec convocation, ltudiant doit imprativement prsenter une justification au service
de scolaritdans un dlai de rigueur de 7 jours ouvrs, sauf cas de force majeur. Seul un certificat original est recevable.
A dfaut de justification recevable, ltudiant est dclar dfaillant quels que soient les rsultats obtenus par ailleurs.
Sont considres comme des justifications recevables :
une convocation un concours de recrutement de la fonction publique; la convocation doit tre dpose au moins
3 jours avant les preuves auprs du service de scolarit.
Un empchement subit et grave, indpendant de la volont de ltudiant et attest auprs du service de scolarit
par un justificatif original dans un dlai nexcdant pas 7 jours ouvrs aprs les preuves concernes. Un accident,
une maladie obligeant un arrt, une hospitalisation, le dcs dun proche constituent des cas recevables dans
cette circonstance.
Des dispositions particulires peuvent tre appliques aux tudiants profil spcifique.
Dautres motifs peuvent tre mentionns dans les modalits dvaluation adoptes par les composantes.
En cas dabsence justifie une preuve avec convocation, une preuve de substitution est organise. Lenseignant responsable de lexamen initial en dfinit les modalits; elles peuvent tre diffrentes de celles de lpreuve initiale.
En cas dabsence une preuve avec convocation, ltudiant est dclar dfaillant quels que soient les rsultats obtenus
par ailleurs.
27
La prsence aux preuves nayant pas donn lieu convocation est obligatoire, sauf dans les cas de dispense.
En cas dabsence une preuve sans convocation, ltudiant doit imprativement prsenter une justification au service
de scolarit dans un dlai de rigueur de 7 jours ouvrs, sauf cas de force majeur. Seul un certificat original est recevable.
Sont considres comme des justifications recevables :
une convocation un concours de recrutement de la fonction publique ; la convocation doit tre dpose au moins
3 jours avant les preuves auprs du service de scolarit.
Un empchement subit et grave, indpendant de la volont de ltudiant et attest auprs du service de scolarit
par un justificatif original dans un dlai nexcdant pas 7 jours ouvrs aprs les preuves concernes. Un accident,
une maladie obligeant un arrt, une hospitalisation, le dcs dun proche constituent des cas recevables dans
cette circonstance.
Dautres motifs peuvent tre mentionns dans les modalits dvaluation adoptes par les composantes.
En cas dabsence injustifie, ltudiant est sanctionn par la note zro cette preuve.
Une dispense totale ou partielle de prsence aux preuves sans convocation peut tre accorde dans les conditions
suivantes.
Les tudiants relevant dun profil spcifique peuvent bnficier dune dispense totale de de prsence aux preuves
sans convocation. Ils doivent en faire la demande auprs de leur service de scolarit avant la fin du 1er mois des
enseignements ou dans les 15 jours suivant leur accession ce profil spcifique.
Une dispense partielle de prsence aux preuves sans convocation peut tre accorde pour des raisons juges
recevables. Ltudiant doit en faire la demande et produire les justificatifs auprs de son service de scolarit avant
lpreuve ou, en cas dvnement imprvu, au plus tard 7 jours aprs lpreuve. Une preuve de remplacement peut
lui tre propose par lenseignant responsable de lpreuve initiale, qui en dfinit les modalits ; elles peuvent tre
diffrentes de celles de lpreuve initiale. A dfaut, il nest pas tenu compte de la note manquante.
3.2.3. Cas particulier dun mmoire de recherche ou dun rapport de stage
Lvaluation dun stage de recherche et dun mmoire de recherche est prvue dans les modalits proposes par le
conseil de la composante laquelle est rattache la formation et qui sont soumises la CFVU. Le jury devant lequel ce
mmoire est prsent doit comporter au moins un membre habilit diriger des recherches.
Lvaluation dun stage professionnel et dun rapport de stage est prvue dans les modalits proposes par le conseil de
la composante laquelle est rattache la formation et qui sont soumises la CFVU.
3.3. Rgime de contrle terminal, combin ou non avec un contrle continu
Une session de rattrapage dexamens peut tre organise. La mention de lorganisation de la session de rattrapage dexamens figure dans les modalits annuelles dvaluation des tudiants.
Les preuves crites terminales sont anonymes.
3.3.1. Organisation des preuves
Organisation des contrles continus
Lorsque lvaluation comporte un contrle continu et une preuve terminale, lorganisation du contrle continu doit intervenir au moins 15 jours avant la fin du semestre. Ce dlai de 15 jours ne simpose pas un enseignement valu uniquement grce des contrles continus, ou aux travaux dirigs ou aux travaux pratiques.
Organisation des contrles terminaux : des preuves terminales anticipes peuvent tre organises si lenseignement
sachve avant la fin du semestre.
3.3.2. Absence aux preuves terminales
En cas dabsence une preuve de contrle terminal, ltudiant est dclar dfaillant quels que soient les rsultats obtenus par ailleurs.
Toutefois, une preuve de remplacement peut tre accorde par le prsident du jury, au cas par cas, en particulier dans
les circonstances suivantes :
convocation un concours de recrutement de la fonction publique ; la convocation doit tre dpose au moins 3
jours avant les preuves auprs de leur service de scolarit.
Empchement subit et grave, indpendant de la volont de ltudiant et attest auprs du service de scolarit par
un justificatif original prsent au service de scolarit dans un dlai de rigueur de 7 jours ouvrs, sauf cas de force
majeur. Seul un certificat original est recevable. Un accident, une maladie obligeant un arrt, une hospitalisation,
le dcs dun proche constituent des cas recevables dans cette circonstance.
Des dispositions particulires peuvent tre appliques aux tudiants profil spcifique.
3.3.3. Absence aux preuves de contrle continu
La prsence aux preuves de contrle continu est obligatoire, sauf dans les cas de dispense.
En cas dabsence injustifie une preuve de contrle continu, ltudiant est sanctionn par un zro cette preuve.
Lorsque la session principale ne comporte que des preuves de contrle continu et que ltudiant est absent toutes ces
preuves, sans justification, il est dclar dfaillant quels que soient les rsultats obtenus par ailleurs.
Une dispense totale ou partielle de contrle continu peut tre accorde dans les conditions suivantes.
Les tudiants relevant dun profil spcifique attest peuvent bnficier dune dispense totale de contrle continu. Ils
doivent en faire la demande auprs de leur service de scolarit avant la fin du premier mois des enseignements ou
dans les 15 jours suivant leur accession ce profil spcifique. Lorsque la session principale ne comporte que des
preuves de contrle continu, une preuve de substitution doit tre prvue dans le rglement des examens.
Une dispense partielle de contrle continu peut tre accorde pour des raisons juges recevables. Ltudiant doit en
faire la demande et produire les justificatifs auprs de son service de scolarit avant lpreuve ou, en cas dvnement imprvu, au plus tard dans un dlai de rigueur de 7 jours ouvrs, sauf cas de force majeur. Seul un justificatif
original est recevable. Une preuve de remplacement peut lui tre propose. A dfaut, il nest pas tenu compte de
la note manquante.
28
29
31
Niveau dentre : inscription de plein droit en L1 pour les titulaires du bac franais et sur dossier pour les titulaires
de diplmes trangers. Inscription de plein droit en L2 pour les L1 Chimie, Physique-chimie (PC), Sciences de la
Terre (ST) et inscription de plein droit en L3 pour les L2 PC et les tudiants de Mathmatiques et physique appliques (MPA) ayant valid leurs 4 semestres. Les titulaires de diplmes trangers, CPGE, BTS et DUT peuvent
entrer en L2 ou L3 sur dossier ou convention.
Dure de la formation : 3 ans.
Modalits :
Pour intgrer la L1 : pr-insciption en ligne via APB (www.admission-postbac.fr).
Pour intgrer la L2 ou la L3 : les candidats extrieurs doivent prsenter une candidature travers la plateforme
Aria (https://aria.u-strasbg.fr) ou par Campus France, selon le cas.
Dbouchs:
La licence prpare une carrire scientifique dans les entreprises (recherche et dveloppement, production, tudes et
conseils) ou dans ladministration.
Poursuites dtudes et orientation:
Les tudiants en difficult la suite du premier semestre se verront proposer, aprs un entretien personnalis, la possibilit de suivre un deuxime semestre de mise niveau qui sera sanctionn par lobtention dun diplme universitaire
(cf.:DU Tremplin russite).
DUT, BTS,
CPGE ou
quivalents
(dossier ou
convention)
4e/5e
annes
3e anne
L3 Physique
2e anne
L2 Physique
1re anne
L1 Physique ou
L1 Sciences pour lingnieur
(L1 commune)
32
Licences
pro.
Magistre
Modalits particulires dvaluation des tudiants en licence Physique et en premire anne de licence Sciences
pour lIngnieur :
Gestion des absences:
Nous souhaiterions ajouter l'article 2.2.5 des modalits votes par lUnistra la phrase suivante :
En cas dabsence une preuve de rattrapage, ltudiant est dclar dfaillant.
valuations supplmentaires:
Afin damliorer laccompagnement pdagogique de nos tudiants, nous souhaiterions complter les rgles gnrales en
ajoutant la possibilit dvaluations supplmentaires dfinies comme suit:
En fonction de la progression des tudiants dans une UE donne, des contrles supplmentaires ceux prvus initialement peuvent tre effectus. Ces valuations sont sans convocation et les tudiants doivent tre informs au moins 15
jours avant les preuves. Leur poids total ne peut reprsenter plus de 30 % de la note finale et est dfini par lenseignant
afin daccompagner au mieux les tudiants. Le poids des valuations initialement prvues sera diminu proportionnellement.
Note de participation:
Il est possible pour les enseignants de valoriser le travail effectu en cours, en cours intgr, en TD ou en TP, par une note
de participation permettant un tudiant assidu damliorer sa moyenne; elle peut tre le rsultat de prsentations orales,
de travaux crits, de rponses des questions, dexamens blancs, etc. En cas de plusieurs notes, la note de participation finale est obtenue en faisant la moyenne de lensemble. Elle doit tre concerte entre les enseignants des diffrents
groupes sil y a lieu. En cas dabsence non justifie aux enseignements o elle a t dcerne, la note de participation
nest pas prise en compte.
Calcul de la note finale:
La note finale (NF) est calcule de la manire suivante :
NF = sup(NE,0.8*NE+0.2*NP)
o NE est la note moyenne des valuations de lUE considre et NP la note de participation.
33
Enseignements :
Codes
apoge
PY10AU11
UE 1 - Physique
PY10AM12
Mcanique (*)
PY10AU21
UE 2 - Analyse mathmatique
MIT2AM12
Analyse mathmatique
PY10AU32
UE 3 - Chimie
CH10AM13
Intituls
CH30AM21
Elments chimiques
PY10AU42
UE 4 - Informatique 1
PY10AM41
Informatique
PY10AU51
UE 5 - Langues (1 au choix)
UL10AM01
UL20AM01
UL30AM01
Allemand
Anglais
Franais langue trangre
PY10AU61
UE 6 - Mthodologie du travail
universitaire
PY10AM62
Mthodologie du travail
universitaire
PY10AU72
UE 7 - Enseignement douverture
Coeff.
ECTS
Convocation
Epreuve de
rattrapage
6
0.5
0.5
1
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
CC3 (2h30)
1 preuve
crite (2h)
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
CC3 (2h)
1 preuve
crite (2h)
1 preuve
crite (1h)
6
0.5
0.5
1
6
0.1
non
0.4
non
0.5
non
Prsentation orale
(15 min)
Epreuve pratique
(4h)
Ecrit en amphi (1h)
0.25
0.25
0.5
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (45 min)
CC2 (45 min)
CC3 (1h30)
1 preuve
crite (1h30)
Moyenne de 2
rapports de TP
Epreuve crite en
amphi (1h)
1 preuve
pratique (2h)
3
0.67
oui
0.33
oui
3
oui
oui
3
Rapport crit
Prsentation orale
(15 min)
34
Rapport crit
Prsentation
orale (15 min)
Intituls
CM
TD
TP
Enseignants
CI
UE 1 - Physique
Mcanique
70
J.-P. Lavoine
UE 2 - Analyse mathmatique
70
M. Atlagh
UE 3 - Chimie
Mthodologie de la chimie
14
Elments chimiques
20
16
UE 4 - Informatique 1
R. Welter
20
UE 5 - Langues
20
UE 7 - Enseignement douverture
C. Jeandon
20
12
O. Bengone
C. Chouissa, S. Rothe
E. Laroche
Session de rattrapage
Pour les UE comprenant plusieurs matires (UE 3), les notes des matires 10 sont conserves entre les deux sessions.
35
UE 1 - Physique
Mcanique
Vitesse, acclration, force, mouvement rectiligne, mouvement dans lespace 3 dimensions, lois de Newton, dfinition
et conservation de la quantit de mouvement, conservation de lnergie mcanique, point matriel dans un champ potentiel, ouverture sur les forces dissipatives. Systme de deux corps (orbites, chocs), ouverture sur les systmes n corps.
Cinmatique dun solide libre indformable. Repre tournant, changement de repre. Moment dinertie, moment cintique,
dynamique dun solide libre indformable. Loi de gravitation, mouvement dans un champ gravitationnel, lois de Kepler. Loi
de Coulomb, champ lectrique, mouvement dune charge dans un potentiel lectrostatique. Statique et dynamique dun
fluide parfait, thorme de Bernoulli.
UE 2 - Analyse mathmatiques
Limites de suites de nombres rels. Continuit dune fonction relle ; thorme des valeurs intermdiaires. Drivabilit
dune fonction relle ; thorme des accroissements finis. Formules de Taylor et dveloppements limits. Intgration
dune fonction relle. quations diffrentielles ordinaires : variables sparables, thorme de Cauchy-Lipschitz, mthode
dEuler.
UE 3 - Chimie
Mthodologie de la chimie
Rappel des notions de base du type : stchiomtrie, bilan de raction, avancement, oxydo-rduction. Initiation aux pratiques exprimentales du chimiste :
synthse chimique
analyses
chimie-physique
reprsentation des molcules
recherche documentaire.
lments chimiques
Structure de latome (lectron, noyau, nuclons, nuclide, isotopes, lment, masses atomiques) et structure du noyau
(quelques notions de radioactivit).
Classification priodique et structure lectronique de latome : priodes, familles, blocs du tableau priodique/organisation
en sous-couches (s, p, d, f...) des couches lectroniques, spectres atomiques, limites du modle de Bohr, description
qualitative du modle des orbitales atomiques. criture de configuration lectronique. lectrons de valence. Configuration
lectronique des ions.
La liaison chimique : variation rayon, nergie dionisation, lectrongativit des lments dans le tableau priodique. Liaison iono-covalente, charges partielles, polarit. Nomenclature des composs ioniques et molculaires.
Reprsentation et gomtrie des molcules : modle de Lewis, formes limites et hybride de rsonance, charge formelle,
formes msomres, limites du modle. Gomtrie des molcules, modle de Gillespie.
Illustration de limportance de ces notions par quelques exemples de proprits chimiques ou physico-chimiques dcoulant de proprits structurales des composs, notamment : degr doxydation et ncessit de connatre la formule de
Lewis pour le dterminer - interactions covalente, ionique, van der Waals, dont liaison hydrogne, lien polarit molculaire/
interactions intermolculaires, relation avec ltat de la matire (s, l, g).
UE 4 - Informatique 1
Connaissance de larchitecture de lordinateur. Connaissance des systmes informatiques. Manipulation de fichiers sous
UNIX/Linux. Gestion dune arborescence. Manipulation de processus sous UNIX/Linux. Excution de programmes et
contrle des processus. Commandes de base. Manipulation dapplications sous UNIX/Linux. Apprentissage doutils bureautiques sous UNIX/Linux. Apprentissage doutils graphiques sous UNIX/Linux. Apprentissage de la navigation sur
Internet. Connaissance des rseaux informatiques. Manipulation doutils rseaux : connexion distance, transfert de
fichiers. Connaissance des langages balise : HTML, LaTeX. Apprentissage doutils spcialiss.
UE 5 - Langues
Dcouverte des Centres de ressources de langues (CRL) et apprentissage du travail en autonomie.
Semestre de bilan de comptences (lire, couter, parler, crire) et positionnement par rapport au cadre europen commun
de rfrence.
UE 6 - Mthodologie du travail universitaire
36
UE 7 Enseignement douverture
Conception des produits et design
Objectifs :
Prsenter les usages et techniques employes en conception de produit.
Dvelopper la capacit formuler un besoin avec mthodes.
Apprendre distinguer objectifs (besoins) et moyens (produits), fonctions et solutions matrielles.
Contenus :
Quest-ce quun produit ? : la satisfaction des besoins et la notion de valeur ; les apports de lanalyse systmique ; le cycle
de vie des produits et les processus industriels associs ; la perception des cots et lanalyse de la valeur
Une rapide histoire du Design : les origines ; de 1880 1980, un sicle de mouvements (les grands courant et leurs reprsentants, artistes et designers) ; le design daujourdhui (positionnement, organisation, rcompenses internationales, ...).
Lexpression du besoin : les fonctions et les contraintes ; la dmarche danalyse fonctionnelle ; llaboration du cahier
des charges fonctionnel.
La dmarche de conception : conception prliminaire et conception dtaille ; dcomposition fonctionnelle et structuration
matrielle du produit ; choix des solutions ; les outils numriques au service de la matrialisation des produits (CAO,
ralit virtuelle, prototypage rapide).
Pr-requis : aucun. La curiosit et/ou lenvie de dcouvrir un autre secteur dactivit suffit.
Modalits dvaluation : dossier dans lequel ltudiant tudiera un produit de son choix en analysant le besoin quil est cens
satisfaire, son design et sa conception.
Autres matires de lUE
Voir composantes porteuses.
37
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Epreuve de
rattrapage
3 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
CC3 (2h30)
1 preuve crite
(2h)
PY10BU11
UE 1 - Physique
PY10BM14
PY10BM16
Relativit restreinte
PY10BU21
UE 2 - Physique exprimentale
PY10BM15
PY10BU31
UE 3 - Mathmatiques
MIT2BM12
Algbre linaire
PY10BM31
PY10BU41
UE 4 - Chimie - Liaisons et
molcules
CH30BM33
Liaisons et molcules
PY10BU51
UE 5 - Langues (1 au choix)
UL10BM01
UL20BM01
UL30BM01
Allemand
Anglais
Franais langue trangre
PY10BU62
UE 6 - Option
CH30BM34
0.5
0.5
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
1 preuve crite
(1h)
OT10BM62
Choix 2 : Gosciences S2
0.5
0.5
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (45 min)
CC2 (45 min)
1 preuve crite
(1h)
PY10BM62
non
1 preuve
pratique (2h)
0,375
0,375
0.75
oui
oui
oui
0.5
oui
1 preuve crite
(30 min)
1 preuve crite
(30 min)
oui
Moyenne des
notes des compterendus de TP
Report de notes
(0,5)
Epreuve crite
(0,5) (1h)
3
1
6
0,375
0,375
0.75
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
CC3 (2h)
1 preuve crite
(2h)
0.25
0.25
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
1 preuve crite
(1h30)
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
1 preuve crite
(1h)
3
0.5
0.5
3
Modalits dfinies par le CRL
1
3
38
PY10BM61
PY10BU71
oui
0.5
non
0.25
oui
0.25
non
UE 7 - C2i
PY10BM71
PY10BM72
0.5
C2i
PY10BU81
UE 8 - Projet professionnel
personnel: explorer
PY10BM83
PPP : explorer
UE supplmentaire : stage volontaire
dapprofondissement
Stage volontaire dapprofondissement
(***)
Contrle continu
(1h)
Evaluation de
la ralisation
pratique au fil de
leau
Prsentation
orale du
systme ralis
(15 min)
Rapport crit
Epreuve pratique
(0,5) (1h)
Oral (0,5)
(30 min)
3
0.5
oui
0.5
oui
Epreuve
pratique (2h)
Epreuve
thorique (1h)
Rapport crit
personnel
Prsentation
orale (15 min)
Rapport crit
Epreuve thorique
(1h)
3
0.5
oui
0.5
oui
Prsentation orale
(15 min)
non
non
Rapport crit
Fiche dvaluation du matre de
stage
39
Intituls
CM
TD
TP
Enseignants
CI
UE 1 - Physique
Vibrations et ondes
56
Relativit restreinte
14
J. Bartel
J. Polonyi
UE 2 - Physique exprimentale
28
D. Raiser
UE 3 - Mathmatiques
Algbre linaire
60
S. Souaifi
24
J. Bartel
16
UE 5 - Langues
16
K. El Bayed
24
C. Chouissa, S. Rothe
16
P. Bertani
UE 6 - Option
Choix 1 : Equilibres chimiques
16
Choix 2 : Gosciences S2
24
A. Rematre
Choix 3 : Informatique S2
14
14
C Boily
20
P. Celka et E. Caillaud
UE 7 - C2i
UE 8 - Projet professionnel personnel : explorer
12
J. Petri
E. Laroche
UE 1 - Physique
Vibrations et ondes
On introduit de manire classique les notions de vibration et donde, et les phnomnes ondulatoires (diffraction, interfrences, battements) dans le cas des ondes mcaniques. Les ondes lectromagntiques transverses sont introduites par
analogie, la notion de photon par le biais des sources de lumire.
Relativit restreinte
Rfrentiels galilennes. Exprience de Michelson.Postulats de la relativit restreinte. Temps propre. Dilatation du temps.
Contraction des longueurs. Espace de Minkowski. Invariances et transformations de Lorentz. Simultanit des vnements. Cne de lumire. Composition des vitesses. Cinmatique relativiste. 4-vecteurs vitesse et impulsion. Dynamique
relativiste. Masse et nergie. Approximations faiblement relativiste et ultra-relativiste.
UE 2 Physique exprimentale
Lobjectif de cet enseignement est de permettre ltudiant dapprhender de manire exprimentale la physique vue
dans les cours de mcanique et de vibrations et ondes. Les TP portent sur le pendule de torsion, le pendule lastique
(phnomne de rsonance), les perturbations introduites par un appareil de mesure, la mesure de la vitesse du son, la
mesure de la tension superficielle dun liquide, la mesure des capacits calorifiques de lair, les instruments doptique
(lunette, microscope), la focomtrie (mesure de distances focales).
UE 3 - Mathmatiques
Algbre linaire
Systme linaire, matrice, dterminant.
Espace vectoriel, indpendance linaire, bases.
Application linaire, projection, symtrie, rotation, changements de bases.
Valeur propre, vecteur propre, diagonalisation (trigonalisation).
Orientation de Rn, produit scalaire et produit vectoriel dans R3.
Mthodes mathmatique pour la physique
Dfinitions : vecteur, norme, direction, vecteur unitaire.
Addition et soustraction de 2 vecteurs, Produit scalaire, Entrainement produit scalaire et projection de vecteurs, Produit
vectoriel, Drive dune fonction vectorielle, Vecteur en coordonnes polaires, Systme de coordonnes cylindriques,
Entrainement analyse dimensionnelle.
40
42
PY10CU12
PY10CM15
Coeff.
UE 1 - Physique
lectromagntisme
PY10CM16
Interfrence, diffraction et
spectroscopie
PY10CU22
UE 2 - Electronique
PY10CM22
Electronique
PY10CU32
UE 3 - Mathmatiques
MIEXCMM7
PY10CM33
PY10CU42
UE 4 - Informatique
PY10CM43
Intituls
Informatique
PY10EU552
UE 5 - Chimie
OT10CMCO
Chimie organique
PY10CU62
PY10CM62
PY10CU72
UE 7 - Accompagnement du
PPP choisir
PY10CM73
ECTS
Convocation
Epreuve de
rattrapage
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
oui
0.33
0.33
0.33
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
CC3 (1h30)
0.25
0.25
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
oui
oui
1.5
(a)
1.5
(b)
1 preuve crite
(3h)
3
1
(c)
1 preuve crite
(0,5) (1h30)
Report notes TP
et QCM (0,5)
1 preuve crite
(2h)
3
oui
oui
1
(d)
oui
oui
3
1 preuve crite
(2h)
1
3
oui
TP (4h)
Oral (0,5)
(15 min)
Report note des
comptes-rendus
(0,5)
oui
oui
oui
Prsentation orale
CV + lettres
Rapport
Oral (0,5)
Rapport (0,5)
3
0.25
0.25
0.5
43
Intituls
CM
TD
lectromagntisme
22
20
22
20
TP
CI
Enseignants
UE 1 - Physique
UE 2 - Electronique
M. Alouani
H. Dorkenoo
22
22
P. Lvque, D. Raiser
56
V. Fock
24
M. Rausch
UE 4 - Informatique
20
M. Alouani
UE 3 - Mathmatiques
UE 5 - Chimie
F. Bolze
Chimie organique
25
28
44
12
S. Harlepp
E. Laroche
UE 1- Physique
lectromagntisme
Interaction lectrostatique et loi de Coulomb. Flux du champ lectrique et thorme de Gauss. Potentiel lectrique. nergie lectrostatique. Diple lectrique. Conducteurs en quilibre lectrostatique. Les courants lectriques. Champ magntique et loi de Biot-Savart. Thorme dAmpre.
Interfrence, diffraction et spectroscopie
Onde lectromagntique. Fonction dilectrique. Indice de rfraction complexe. Polarisation. Formation des images. Rsolution des instruments doptique.Cohrence spatiale. Cohrence temporelle. Exprience des trous dYoung. Interfrence
deux ondes. Franges dinterfrences. Interfromtre de Michelson. Couche antireflet. Interfrences ondes multiples.
Interfromtre de Fabry-Prot. Diffraction de Fraunhofer et de Fresnel.
UE 2- lectronique
Introduction llectrocintique et au fonctionnement des dispositifs lectroniques de base. Electrocintique alternatif,
limpdance. Les diodes. Le transistor. Lamplificateur oprationnel.
UE 3 - Mathmatiques
Fonctions plusieurs variables relles
Espaces euclidiens. Limites et continuit. Drives partielles. Diffrentielle. Drives et diffrentielles dordre suprieur.
Dveloppements de Taylor. Extrema et points critiques. Extrema lis et multiplicateurs de Lagrange. Fonctions implicites
et changements de variables. Intgrales multiples. Intgrales curvilignes et de surfaces. Formules la Stokes.
Mthodes mathmatiques pour la physique
espaces vectoriels (familles libres, gnratrices et bases)
applications linaires (noyau et image)
matrice dune application linaire - changement de base
diagonalisation de matrices
tude des intgrales dpendant dun paramtre
UE 4 - Informatique
Initiation un logiciel de calcul scientifique. MATLAB dispose de potentialits graphiques trs importantes pour visualiser
des rsultats scientifiques. En plus, le traitement numrique des donnes et leur visualisation, ainsi que les techniques de
modlisation et de simulation sont simplifis par MATLAB.
UE 5 - Chimie
Chimie organique
Le but de cette UE est de donner tous les tudiants ne se destinant pas des tudes en chimie une solide introduction
la chimie organique. La pdagogie adopte est celle fonde sur les aspects lectroniques pour comprendre et prdire
le comportement des molcules organiques. Aprs quelques rappels sur les atomes et les molcules, nous traitons de la
forme des molcules organiques dans lespace. Ensuite nous passons en revue les principales molcules organiques
simples comme les hydrocarbures, les composs halogns, en mettant en avant des aspects utiles dans la vie courante,
environnementaux et physiques.
UE 6 - Physique exprimentale anglais disciplinaire
Lobjectif de ces TP est dextrapoler les connaissances thoriques des problmatiques pratiques et de rdiger un rapport
synthtique en franais et/ou en anglais des mthodes utilises et des rsultats obtenus. Les thmatiques abordes sont
les suivantes : mesure de la vitesse du son dans lair, effet Doppler, tude dune onde lectromagntique, polarisation de
la lumire, diffractions, interfrences, fibres optiques gradient, rflexion totale, mesure de champs magntiques, oscillateurs mcaniques coupls, anneaux de Newton.
UE 7 - Accompagnement du projet professionnel personnel choisir
Aide ltudiant prciser son projet et choisir les enseignements en cohrence avec ce projet. Donne ltudiant les
moyens de construire son projet de formation et dinsertion :
projection dans un cursus dtudes prcis;
bilan de ses rsultats et de ses comptences;
approfondissement de sa motivation personnelle.
45
Licence Physique(L2)
2e anne de licence - semestre 4 (L2-S4)
Responsable: Samy BOUKARI
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
PY10DU12
UE 1 - Physique
PY10DM15
Thermodynamique
PY10DM16
lectromagntisme
PY10DU22
UE 2 - Mathmatiques
MIEXDMM7
Analyse complexe
PY10DM26
PY10DU32
UE 3 - Informatique
PY10DM35
Informatique
PY10DU42
UE 4 - Physique exprimentale
Coeff.
ECTS
Convocation
Epreuve de
rattrapage
9
0.43
0.43
0.64
oui
oui
oui
oui
oui
0.75
0.75
3 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
CC3 (1h30)
2 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
1 preuve crite
(3h)
6
0.75
0.75
0.25
0.25
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
Projet
1 preuve crite
(1h30)
TP (4h)
Oral (0,5)
(15 min)
Report note des
comptes-rendus
(0,5)
1 preuve crite
(2h)
3
0.33
0.33
0.33
3
PY10DM41
Physique exprimentale
PY10DU52
UE 5 - Langues
UL10DM01
UL20DM01
Allemand
Anglais
PY10DU62
PY10DM67
Rayonnements ionisants et
radioprotection
CH32DMH1
Chimie inorganique
OB10DM61
Astrophysique
0.5
0.5
Ouverture (b)
oui
3
Selon modalits dfinies par le CRL
1
3
0.5
0.5
oui
oui
46
1 preuve crite
(1h)
2 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
1 preuve crite
(1h30)
UE 7 - Mcanique
PY10DM71
3
0.5
0.5
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
1 preuve orale
(15 min)
non
non
Rapport crit
Fiche dvaluation
du matre de stage
(a) Une option est choisir parmi la liste. Le choix de loption est communiquer la scolarit dans un dlai de 2 semaines
aprs le dbut du semestre.
(b) Ncessite l'accord du responsable pdagogique.
(c) Cette UE ne participe pas au calcul pour lobtention du diplme mais accorde en fonction de la dure effectue des
crdits supplmentaires sans aucune possibilit de se substituer ou de compenser les autres UE du diplme.
Lensemble des comptences vises par cette UE supplmentaire sajoute au supplment au diplme.
Intituls
TP
CI
Enseignants
CM
TD
Thermodynamique
22
18
P. Hbraud
lectromagntisme
22
18
C. Genet
UE 1 - Physique
UE 2 - Mathmatiques
Analyse complexe
Mthodes mathmatiques pour la physique
UE 3 - Informatique
20
48
D. Brotbek
24
A. Rubin
UE 4 - Physique exprimentale
Chr. Boily
28
UE 5 - Langues
S. Harlepp
24
UE 6 - Option et ouverture
S. Rothe
20
I. Rossini
Chimie inorganique
S. Ferlay
Astrophysique
H. Baty
Ouverture
UE 7 - Mcanique
22
47
20
P.-A. Hervieux
UE 1 - Physique
Thermodynamique
nergie et 1er principe. 2nd principe et entropie. Applications. volution et conditions dquilibre des systmes thermodynamiques. Potentiels thermodynamiques. tude thermodynamique dun corps pur sous plusieurs phases. Phnomne de
transport: Loi de Fick et de Fourier. Entropie et thermodynamique statistique.
lectromagntisme
Induction lectromagntique. quations de Maxwell dans le vide. Potentiels scalaire et vecteur et invariance de jauge.
Jauges de Coulomb et de Lorentz. nergie lectromagntique dans le vide et thorme de Poynting. Tenseur de contraintes
de Maxwell et conservation de la quantit de mouvement et du moment cintique. Ondes lectromagntiques dans le vide.
Potentiels retards (potentiel de Lienard Wiechert). Champ lectromagntique rayonn par un diple oscillant.
UE 2 - Mathmatiques
Analyse complexe
Fonctions analytiques, dveloppements en sries.
Thorme des rsidus.
Prolongement analytique.
Transformation de Fourier.
Mthodes mathmatiques pour la physique
1. Fonctions a plusieurs variables: dfinition, limite et continuit, drivation, diffrentiation, intgrales multiples.
2. Analyse vectorielle: champs de vecteurs en coordonnes cartsiennes, gradients, rotationnels, divergence et Laplacien
en coordonnes curvilignes.
3. Intgrales curvilignes: longueur d'une courbe, operateur intgrale curviligne et thorme du gradient, intgrales de
surface et thormes de Green et de Stockes, thorme de Gauss-Ostrogradski.
4. Equations aux drives partielles: quations aux drives partielles hyper-homognes, quations aux drives partielles quasi-linaires, classification des quations aux drives partielles d'ordre 2, quation des ondes, quation de la
chaleur, quations de Laplace et de Poisson, oprateur de Green, quation de Bloch modes normaux.
UE 3- Informatique
Reprsentation des nombres, notation scientifique. Erreurs darrondi, origine et estimation. Rappels sur les sries numriques: th. de dAlembert, de Cauchy, de Leibnitz. Majoration de sries (numriques, de fonctions). Thorme de
Taylor, erreur de troncature, domaine de convergence. Propagation des erreurs dans les schmas itratifs. Recherche
des zros dune fonction, rgle dor, mthode de Jacobi, conditionnement. Rsolution de systmes dquations, limination de Gauss-Jordan, les pivots. Techniques dintgration par approche numrique. Interpolation polynomiale: formule
de Neville-Lagrange, majoration de lerreur, indicatrice de Lebesgue. Intgration des quations diffrentielles, mthodes
explicite et implicite: Taylor ordre 1, 4; Runge-Kutta ordre 2. Equations une variable despace et le temps, analyse de
von Neumann, schma de Lax.
UE 4 - Physique exprimentale
Lobjectif de ces TP est lacquisition dun savoir-faire exprimental qui comprend la mise en uvre, linterprtation et
lexploitation de rsultats obtenus partir des thmatiques suivantes : dilatation thermique; conduction thermique, ferromagntisme, effet Peltier, hydrodynamique, impact dun jet, propagation, diffraction, interfrences dondes la surface
de leau, sons et transforme de Fourier, moteur Stirling, transformateur lectrique, polarisation rotatoire, effet photolectrique.
UE 5 - Langues
Allemand
Anglais
UE 6 - Options et ouverture
Rayonnements ionisants et radioprotection
Aprs quelques rappels sur les constituants du noyau atomique, la notion dinstabilit des noyaux (nergie de liaison) est
aborde. Les diffrents modes de dcroissance nuclaires sont prsents a, b et g ainsi que les processus de fission et
de fusion nuclaires. Linteraction rayonnement matire est lorigine des diffrentes mthodes de dtection utilises.
Une sance de dmonstration du fonctionnement de dtecteurs de rayonnements en salle de travaux pratiques lIPHC
est organise.
Les effets biologiques des rayonnements sont ensuite tudis donnant lieu des rgles de radioprotection. Des exemples
dapplication comme la mdecine nuclaire ou lirradiation des aliments sont traits. La radio exposition naturelle est
ensuite prsente.
Enfin une analyse du problme des dchets nuclaire sera faite au travers de laquelle le principe de base de fonctionnement dun racteur ainsi que lensemble du cycle du combustible (amont et aval) seront voqus. On discutera des
solutions actuellement proposes (transmutation, stockage souterrain).
48
Chimie inorganique
Proprits chimiques des lments du groupe principal, colonne par colonne. Sources principales des lments
chimiques. Proprits redox, pH, ractivit, et diffrents composs.
Chimie du solide. Elments de cristallographie. Structure des solides mtalliques et ioniques. Aspects nergtiques.
Autres types de solides : molculaires, covalents, notion de dimensionnalit.
Astrophysique
Il sagit de dcouvrir tout dabord la diversit des objets et phnomnes astrophysiques. Le cours commence donc par un
panorama astronomique sattardant plus particulirement sur le Soleil (notions de ractions thermo-nuclaires et deffet
dynamo) et le systme solaire. Ensuite, aprs des rappels sur la physique du rayonnement, on aborde le rayonnement des
toiles (notions de rayonnement du corps noir, classification spectrale, de continuum dmission et de spectres, etc),
ainsi que celui dobjets plus exotiques comme les galaxies (notions de rayonnement non thermique). On aborde aussi les
mthodes de calcul des distances (utilisation de parallaxe, calcul de magnitudes). On montre comment lutilisation de
leffet Doppler permet de mesurer les vitesses des toiles mais aussi dobserver le phnomne dexpansion de lUnivers.
La suite du cours se concentre plutt sur la gravitation. On montre tout dabord comment Newton a dduit la loi de la gravitation universelle partir de lobservation de lorbite de Mars autour du Soleil (et laide de la gomtrie), puis on applique
la loi diffrentes configurations astrophysiques (systmes plante-satellite, systme solaire, amas dtoiles, etc.). On
aborde succinctement, la description du phnomne dexpansion de lUnivers, la formation et lvolution des toiles, et les
effets de la relativit restreinte.
Ouverture
Selon les modalits dfinies pour cette matire mutualise.
UE 7 Mcanique
Principes variationnels
Principe de moindre action
Lois de conservation
quations canoniques
Hamilton-Jacobi et action -angle
Petites oscillations
Systmes dynamiques : introduction et caractrisation du chaos.
49
Licence Physique(L3)
3e anne de licence - semestre 5 (L3-S5)
Responsable: Ccile JOLLET
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
PY10EU12
UE 1 - Physique
PY10EM17
Mcanique quantique
PY10EM18
Physique statistique
PY10EU22
UE 2 - Physique exprimentale
PY10EM23
Physique exprimentale
PY10EU32
UE 3 - Mathmatiques
PY10EM33
MIEXEMM5
PY10EU42
UE 4 - Langues
UL10EM01
UL20EM01
Allemand
Anglais
PY10EU52
PY10EM58
Coeff.
ECTS
Convocation
Epreuve de
rattrapage
9
0.5
1
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (2h)
0.375
0.375
0.75
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
CC3 (2h)
1 preuve crite
(2h)
6
1
oui
oui
Compte-rendu de
TP (4h)
Oral (30 min)
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (2h)
CC2 (2h)
CC3 (2h)
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
9
0.375
0.375
0.75
0.75
0.75
1
1 preuve crite
(3h)
3
Selon modalits dfinies par le CRL
3
0.33
0.33
0.33
50
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (30 min)
CC2 (30 min)
CC3 (30 min)
1 preuve crite
(1h)
Volume horaire
CM
TD
Mcanique quantique
28
24
Physique statistique
28
24
TP
CI
Enseignants
UE 1 - Physique
UE 2 - Physique exprimentale
R. Jalabert
P.-A. Hervieux
56
M. Rastei, H. Dorkenoo
UE 3 - Mathmatiques
Calcul des probabilits
28
28
S. Maistre
22
22
H.Molique
18
S. Rothe
UE 4 - Langues
UE 5 - Mcanique des fluides
24
J. Dusek, M. Maaloum
UE 1 - Physique
Mcanique quantique
Introduction historique (du corps noir de M. Planck la mcanique ondulatoire dErwin Schrdinger).
Outils mathmatiques de la mcanique quantique.
Les postulats de la mcanique quantique.
tude gnrale des systmes deux niveaux.
Loscillateur harmonique.
Le moment cintique.
Latome d'hydrogne.
Physique statistique
Description dun systme lquilibre: tats microscopiques et macroscopiques. Moyennes temporelle et densemble:
thorme ergodique. Lentropie statistique. Limite thermodynamique. Lensemble microcanonique. Equiprobabilit des
tats microscopiques dun systme isol. Entropie microcanonique. Temprature, pression et potentiel chimique statistique. Lien avec le 2nd principe de la thermodynamique. Lensemble canonique. Facteur de Boltzmann. Fonction de
partition et nergie libre. nergie moyenne et fluctuations. Applications des systmes de particules sans interactions.
Lensemble grand canonique. Grande fonction de partition et grand potentiel thermodynamique. Description des gaz parfaits quantiques : statistiques de Fermi-Dirac, de Bose-Einstein.
UE 2 Physique exprimentale
TP sur stations fixes.
Thermodynamique: machines thermiques, effets Seebeck et Peltier, mission du corps noir, transfert de chaleur, effet
Hall.
Optique: rsonateur de Fabry-Perot, spectromtrie, diffraction et cration d'hologrammes, mission laser et gnration de
second harmonique, polarisation et effet Pockels.
UE 3 - Mathmatiques
Calcul des probabilits
Probabilit, Lemmes de Borel-Cantelli, Conditionnement. Variables alatoires et leurs lois, Lois usuelles. Exemples tirs
de la mcanique statistique. Indpendance. Transformes de Fourier et de Laplace. Convergences des variables alatoires. Loi des Grands Nombres. Thorme Central Limite. Statistique: Rgression linaire, Vraisemblance et Estimation.
Tests.
Mthodes mathmatiques pour la physique
Distributions. Espace de Hilbert. Sries de Fourier et transforme de Fourier de fonctions. Transforme de Fourier de
distributions.
UE 4 - Langues
Anglais, Allemand (dlivrance du CLES).
UE 4 Mcanique des fluides
Exemples d'applications de la Mcanique des Fluides. Equations de la Mcanique des Fluides. Equations de NavierStokes incompressibles et coulement de fluide parfait irrotationnel. Effets hyperboliques. Ecoulements visqueux, parallles et quasi-parallles. Ecoulements rampants. Turbulence - thorie de Kolmogorov. Turbulence dans l'ingnierie.
51
Licence Physique(L3)
3e anne de licence - Semestre 6 (L3-S6)
Responsable: Ccile JOLLET
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
PY10FU12
UE 1 - Physique
PY10FM17
Physique subatomique
PY10FM18
Physique de la matire
PY10FM19
PY10FU22
PY10FM23
PY10FU32
UE 3 - Physique exprimentale et
anglais disciplinaire
PY10FM33
PY10FU42
UE 4 - Informatique
PY10FM45
Informatique
PY10FU52
UE 5 - Option (c)
PY10FM59
Relativit
CH11FMC2
Chimie quantique
PY10FM5A
Introduction la microscopie
OB10FM51
OBEXFM32
Astrophysique :
Astrophysique des galaxies
Cosmologie
PY10FM5B
Coeff.
ECTS
Convocation
Epreuve de
rattrapage
12
0.666
0.666
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (2h)
CC2 (2h)
0.333
0.333
0.666
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (2h)
CC2 (2h)
CC3 (2h)
0.666
0.666
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (2h)
CC2 (2h)
1 preuve crite
(3h)
6
0.5
oui
0.5
1
oui
oui
3 preuves
Prsentation orale
(30 min)
Rapport crit
Contenu scientifique
de la prsentation
orale et du rapport
Oral (0,5)
(30 mIn)
Report de la note
du rapport (0,5)
3
0.5
oui
0.5
oui
Compte-rendu de
TP (4h)
Oral (30 min)
oui
oui
oui
oui
oui
6
0.3
0.7
1
1 preuve crite
(2h)
3
0.5
0.5
1 preuve crite
(1h)
1
0.5
0.5
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
1 preuve crite
(1h)
0.5
0.5
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
1 preuve crite
(1h)
non
non
52
Rapport crit
Fiche dvaluation du matre de stage
(a) la note finale dlectromagntisme est donne par la relation: (CC2 + sup(CC1,CC2)) / 2.
(b) la prsence en cours et aux TP en LaTeX est obligatoire. En cas dabsence injustifie, ltudiant sera dclar dfaillant.
Les tudiants devront informer la scolarit de leur choix de stage dans les 15 jours suivant la remise des propositions de
sujets. Les tudiants redoublants ayant dj suivi les cours et TP en LaTeX en sont dispenss.
(c) une seule option est choisir parmi la liste. Ce choix doit tre communiqu dans les 15 jours aprs la rentre.
(d) Cette UE ne participe pas au calcul pour lobtention du diplme mais accorde en fonction de la dure effectue des
crdits supplmentaires sans aucune possibilit de se substituer ou de compenser les autres UE du diplme. Lensemble
des comptences vises par cette UE supplmentaire sajoute au supplment au diplme.
Intituls
TP
CI
Enseignants
CM
TD
Physique subatomique
28
24
A. Nourreddine
Physique de la matire
28
24
G. Pupillo
28
24
M. Alouani
15
UE 1 - Physique
16
E. Chabert
28
M. Rastei, H.Dorkenoo
UE 4 - Informatique
56
UE 5 - Option
20
A. Besson
Relativit
M. Rausch
Chimie quantique
V. Robert
Introduction la microscopie
Fl. Banhart
Astrophysique
Chr. Boily
M. Maaloum
53
UE 1 - Physique
Physique subatomique
Noyaux, gnralits, nergie de liaison, goutte liquide - formule de masse, mesures de masses, radioactivit
Modle en Couches, Modles Collectifs
Notion de dtection en Physique Nuclaire
Particules, gnralits
Interactions et lois de conservation
Expriences de Physique des Particules.
Physique de la matire
Structure de la matire
Ordre et dsordre dans la matire condense
Structure des cristaux et son analyse par diffraction
Vibrations cristallines et proprits thermiques
tats lectroniques dans des cristaux: Proprits lectroniques
lectrons libres et indpendants
Thorie des bandes
Plasmons, polaritons, et polarons
Introduction aux semi-conducteurs.
lectromagntisme dans la matire
Polarisation des milieux matriels
tude microscopique de la polarisation
Aimantation des milieux matriels
tude microscopique du paramagntisme et du diamagntisme
Ferromagntisme, cycle dhystrsis, et domaines magntiques
quations de Maxwell et nergie dans les milieux matriels
Ondes lectromagntiques dans le vide
Rflexion et rfraction des ondes lectromagntiques
Absorption et dispersion
Propagation guide
UE 2 - Projet tutor
Les travaux tutors peuvent seffectuer dans les laboratoires de la Facult de physique & ingnierie. Ils constituent une
introduction aux activits de recherche dans le domaine de la physique subatomique et physique de la matire. Chaque
tudiant poursuivant cette formation choisira un projet. Les propositions des sujets sont fournies par les enseignants
chercheurs ou chercheurs associs avec cette formation. Ces personnes seront les responsables (tuteurs) des projets.
Le niveau de cette formation est adapt au niveau de connaissance de la physique en L3. Les tudiants suivront au dpart
une courte formation d'introduction la rdaction d'un document scientifique (construction et structure logique, rfrences
et citations, l'insertion du matriel graphique, prparation des documents scientifiques en LaTeX particulirement importante dans les domaines scientifiques). Les tudiants devront informer la scolarit de leur choix dans les 15 jours suivant
la remise des propositions de sujets. Pass ce dlai, ils seront considrs comme dfaillants.
La formation se terminera par la rdaction d'un document final et une prsentation orale.
UE 3 Physique exprimentale et anglais disciplinaire
Thermodynamique : machines thermiques, effets Seebeck et Peltier, mission du corps noir, transfert de chaleur,
effet Hall.
Optique : rsonateur de Fabry-Perot, spectromtrie, diffraction et cration dhologrammes, mission laser et gnration de second harmonique, polarisation et effet Pockels.
UE 4 - Informatique
UE 5 - Option
Relativit
Espace-temps et transformations de Poincar :
- notion d'espace-temps et tude de ses proprits
- groupe de Lorentz et de Poincar
- consquences des transformations de Lorentz
- calcul tensoriel en relativit
Cinmatique et dynamique relativiste :
- quadrivecteurs position, vitesse et acclration
- quadrivecteur impulsion-nergie : tude de chocs
- dynamique relativiste
Formulation tensorielle de l'lectromagntisme.
54
Chimie quantique
Rappel de la mcanique quantique de latome dhydrogne et des concepts de base de mcanique quantique, orbitales
et spin-orbitales. Principe de Pauli pour les fonctions donde des systmes poly-lectroniques, le dterminant de Slater
et configurations lectroniques. Approximation des lectrons indpendants, le traitement de Hartree-Fock, la mthode
CLOA pour le calcul pragmatique dorbitales. Aperu des thories semi-empiriques par le biais de la thorie de Hckel.
Introduction la microscopie
Optique
Microscopie en lumire visible
Microscopie lectronique
Microscopie en champs proche
Autres microscopies
Astrophysique
Astrophysique des galaxies : introduction la dynamique galactique : fluides collisionnels/non collisionnels, approximation picyclique, perturbations, rsonances ; cycle de la matire : volution chimique et temps caractristiques.
Cosmologie : univers dynamique, dcouverte de Hubble - modles de Friedmann - formation de structures - la
recombinaison et lUnivers sombre - nuclosynthse primordiale - lUnivers relativiste, poques leptonique, hadronique - inflation.
Objectifs :
Les options sont indpendantes pour lvaluation et complmentaires dans les thmatiques abordes. On recherchera
une bonne maitrise des ordres de grandeurs ainsi que les outils mathmatiques pour dcrire des systmes lquilibre,
les galaxies. Les cycles dvolution de celles-ci seront abords (toiles, morphologie des galaxies, rsonances...). Loption
de cosmologie dbute par la dcouverte de lUnivers dynamique puis aborde sa description en coordonnes co-mobiles,
pour se tourner vers la formation des galaxies, le couplage matire-lumire, lUnivers primordial relativiste, etc. Lobjectif
global est dappliquer les concepts de changement de repres, de relativit restreinte & gnrale, et de physique des
particules ce milieu volutif.
Physique de la matire molle
Forces intermolculaires
Polymre
Collodes
Matire molle et Biologie
UE supplmentaire: stage volontaire dapprofondissement
Le stage ne peut se drouler sans laccord explicite dun responsable de formation (responsable danne ou de la mention). Aprs accord, une convention de stage pourra tre signe. Le stage est valu par le responsable de formation
qui ltudiant remet un rapport de stage ainsi quune fiche dvaluation remplie par le matre de stage. Le poids de cette
dernire reprsente 40% de la note finale.
Formation dexcellence EX (EXcellence by EXperiment) - Responsables : Sandrine COURTIN et Ulrich GOERLACH
Dans le cadre des initiatives dexcellence de lUniversit de Strasbourg, les tudiants en physique de la Facult de
physique & ingnierie peuvent avoir accs des plateformes exprimentales de haut niveau dans des laboratoires de
recherche, via le projet EX2.
En L3 Physique, le travail sur une ou plusieurs de ces plates-formes peut faire lobjet dun projet tutor (code PY10FM23).
Modalits : les tudiants intresss doivent contacter les responsables de la spcialit et les responsables du projet EX2
en dbut de semestre.
Une slection des candidats sera effectue sur la base des rsultats acadmiques et en fonction des possibilits daccs
aux diffrentes plateformes.
Lassiduit est obligatoire pour les tudiants inscrits et lacquisition des connaissances et comptences sera value par
un rapport crit. Une attestation de participation la formation dexcellence EX2 pourra tre fournie ltudiant.
Pour de plus amples informations, consultez la page ddie : www.physique-ingenierie.unistra.fr/spip.php?article333
55
La licence Sciences pour lingnieur (SPI) a pour objectif de donner aux tudiants une solide formation en sciences pour
lingnieur. Ces acquis sont ncessaires soit pour intgrer un des nombreux masters de la Facult de physique & ingnierie (enseignement, recherche, industrie) ou un master dune autre universit, soit pour se spcialiser, aprs la deuxime
anne, en prparant un diplme de licence professionnelle (spcialisation bac +3) afin dintgrer la vie active; la Facult
propose plusieurs licences professionnelles dont certaines en alternance. La licence permet galement lentre dans les
coles dingnieurs par le biais de concours spcifiques ou sur dossier et oral dans certaines coles.
Description de la formation :
La licence Sciences pour lingnieur est constitue de deux parcours :
Ingnierie ;
lectronique, Signal et Automatique (ESA).
La premire anne est commune la licence Physique de la Facult. Les parcours ESA et Ingnierie ont une
deuxime anne de licence commune constituant un socle commun de connaissances en sciences pour lIngnieur.
En troisime anne, les parcours sont diffrencis : les tudiants doivent choisir entre le parcours Ingnierie et le
parcours ESA .
Au terme de la premire anne, des rorientations sont possibles vers dautres licences scientifiques. Ainsi, des passerelles existent vers la licence de mathmatiques et informatique ou vers la licence Mathmatiques, Physique-chimie pour
les tudiants dsirant se rorienter vers les mtiers de lenseignement.
Conditions dadmission et/ou conditions daccs et de pr-requis :
Niveau dentre : inscription de plein droit en L1 pour les titulaires du bac franais et sur dossier pour les titulaires de
diplmes trangers. Inscription de plein droit en L2 pour les L1 Chimie, Physique-Chimie (PC), Sciences de la Terre
(ST) et inscription de plein droit en L3 pour les L2 PC et les tudiants de Mathmatiques et physique appliques
ayant valid leurs 4 semestres. Les titulaires de diplmes trangers, CPGE, BTS et DUT peuvent entrer en L2 ou
L3 sur dossier ou convention.
Dure de la formation : 3 ans
Modalits :
Modalits pour entrer en L1 : pr-insciption en ligne via APB (www.admission-postbac.fr).
Modalits pour entrer en L2 et L3 : les candidats extrieurs doivent prsenter une candidature travers
la plateforme Aria (https://aria.u-strasbg.fr) ou par Campus France, selon le cas.
Dbouchs :
La licence prpare une carrire scientifique dans les entreprises (recherche et dveloppement, production, tudes et
conseils) ou dans ladministration.
Poursuites dtudes et orientation :
Les tudiants en difficult la suite du premier semestre se verront proposer, aprs un entretien personnalis, la possibilit de suivre un deuxime semestre de mise niveau qui sera sanctionn par lobtention dun diplme universitaire
(cf. : DU Tremplin russite). Au semestre 3, une prsentation des possibilits dorientation sera effectue et lissue des
examens du semestre 3, un entretien sera propos chaque tudiant. Au cours de cet entretien, ltudiant recevra une
analyse individuelle de ses rsultats et des suggestions pour la poursuite de ses tudes lui seront donnes.
4e/5e
annes
3e anne
DUT, BTS,
CPGE ou
quivalents
2e anne
(dossier ou
convention)
1re anne
1ere anne
L3
Ingnierie
L3
ESA
L2 Ingnierie et ESA
L1 Sciences pour lingnieur ou
L1 Physique
(L1 commune)
56
Licences
pro.
Les notes de matires et de travaux pratiques suprieures ou gales 10 sont obligatoirement conserves dans
les UE non acquises
En cas dabsence une preuve de rattrapage, ltudiant est dclar dfaillant.
57
58
Objectifs pdagogiques :
Le parcours de L2 Ingnierie et ESA permet dassurer une formation initiale dans les diffrents domaines de lingnierie ainsi que de lESA (lectronique, signal et automatique) permettant ainsi de fournir aux tudiants lensemble des
prrequis en vue de leur poursuite en troisime anne, pour laquelle les tudiants devront choisir entre les deux parcours
proposs, ESA ou Ingnierie . De plus le parcours Ingnierie et ESA permet aux tudiants, dsirant se spcialiser Bac +3, dacqurir des comptences ncessaires pour intgrer ds la fin de la 2e anne de licence Sciences pour
lingnieur (SPI) des filires qualifiantes de licence professionnelle.
Description du parcours:
La formation propose de nombreux cours permettant dacqurir les bases dans les domaines de la physique, des mathmatiques, de linformatique ainsi que dans les sciences pour lingnieur (mcanique, lectrotechnique, lectronique, automatisme). Les tudiants bnficient galement dune formation en langue (allemand ou anglais) ainsi quun stage de
dcouverte de lentreprise de 4 semaines. Enfin, la formation saccompagne de nombreuses heures de travaux pratiques.
Accs et recrutement :
Ltudiant doit avoir acquis 60 premiers crdits (ECTS) dans ce mme diplme de licence SPI (cf. : modalits de contrle
des connaissances). Les tudiants titulaires dun BTS, dun DUT ou dun niveau quivalent pourront tre accueillis avec
laccord du responsable de la commission pdagogique de la licence SPI (dcision prise aprs tude de son dossier de
candidature).
Les candidats extrieurs doivent prsenter une candidature travers la plateforme Aria (https://aria.u-strasbg.fr) ou par
Campus France, selon le cas.
Poursuites dtudes:
Le parcours Ingnierie et ESA de la licence SPI a pour vocation essentielle de prparer la poursuite d'tudes en
licence 3 Ingnierie ou en licence 3 ESA. Cependant, les tudiants dsirant entrer rapidement dans le monde
professionnel y acquirent des connaissances leur permettant laccs des licences professionnelles dans les domaines
compatibles avec la formation suivie comme celles proposes dans la Facult de physique & ingnierie avec les spcialits Qualit et matrise de lnergie lectrique et Prototypage de produit et outillage.
59
Codes
apoge
Intituls
PY40CU10
UE 1 - Projet professionnel et
langue
PY40CU11
Accompagnement du projet de
ltudiant : choisir
UL13RM02
UL21RM02
PY40CU20
Coeff.
ECTS
Convocation
Epreuve de
rattrapage
6
0.5
0.5
non
non
Dossier
Oral (6 min)
Dossier
PY40CM21
Algbre
0.5
0.5
PY40CM22
Analyse
0.5
0.5
PY40CU30
UE 3 - Informatique
oui
oui
Epreuve crite
(1h)
oui
oui
Epreuve crite
(1h)
non
non
non
Epreuve crite
(1h)
oui
oui
Epreuve crite
(1h)
PY40CM31
0.33
0.33
0.33
PY40CM32
Programmation
0.75
0.25
PY40CU40
PY40CM41
Electromagntisme, lectrostatique et
lectrocintique
0.5
0.5
oui
oui
Epreuve crite
(1h)
PY40CM42
Mcanique gnrale
(statique et cinmatique des solides)
0.5
0.5
oui
oui
Epreuve crite
(1h)
PY40CU50
PY40CM51
oui
oui
non
Epreuve crite
(1h)
PY40CU60
oui
oui
Epreuve crite
(1h)
0.11
0.22
non
oui
Rapports de TP
Epreuve TP (1h30)
PY40CM61
Etude dune chane damplification (*)
PY40CM62
3
0.33
0.33
0.33
3
TP (1h)
*
Pour la session de rattrapage, les notes de matires suprieures ou gales 10 seront conserves obligatoirement dans
les UE non acquises.
(*) La prsence aux TP est obligatoire dans la matire tude dune chane damplification chaque absence une
sance implique la note 0 pour cette sance.
60
Intituls
CM
TD
TP
Enseignants
CI
12
E. Laroche
24
S. Rothe ou S. Marten
10
10
D. Huilier
Analyse
10
10
D. Huilier
10
10
12
P. Trau
Programmation
10
10
12
B. Hippolyte
14
14
S. Boukari
14
14
J.P.M. Correia
UE 3 - Informatique
16
12
B. Nol
12
Ph. Celka
10
61
10
62
Enseignements :
Codes
apoge
PY40DU10
Intituls
Coeff.
UE 1 - Communication
PY40DM11
Communication en entreprise
PY40DU20
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
3
0.5
0.5
non
non
Dossier
Epreuve crite (30 min)
Dossier
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
PY40DM23
0.5
0.5
PY40DM24
0.5
0.5
PY40DU30
3
0.5
0.5
PY40DM32
Thermodynamique et thermique
PY40DU40
UE 4 - Gnie lectrique
PY40DM43
Electronique
0.33
0.33
0.33
oui
oui
non
Epreuve
crite (1h)
PY40DM46
Electrotechnique
0.5
0.5
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
PY40DU50
PY40DM52
Matriaux
0.5
0.5
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
PY40DM53
0.5
0.5
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
PY40DU60
UE 6 - Option (1 au choix)
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
non
non
non
non
non
non
non
non
non
non
0.33
0.33
0.33
oui
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
Dossier
oui
Feuille valuation de
lentreprise
Dossier
Oral (30 min)
PY40DM61
PY40DM62
PY40DU70
UE 7 - Stage
3
0.5
PY40DM71
Stage oprateur
Epreuve
crite (1h)
0.25
0.25
63
Pour la session de rattrapage, les notes de matires suprieures ou gales 10 seront conserves obligatoirement dans
les UE non acquises.
La prsence aux TP est obligatoire dans la matire lectronique chaque absence une sance implique la note 0 pour
cette sance.
(*) Contrle facultatif de remdiation propos lissu du contrle continu caractre formatif. Afin dencourager la participation des tudiants lensemble du dispositif, cest la meilleure note entre la moyenne de CC et le CFR qui sera
retenue.
Intituls
CM
TD
UE 1 - Communication
Enseignants
TP
24
J.-F. Jacob
10
10
D. Huilier
10
10
H. Berviller
14
14
T. Schmatko
Electronique
10
10
Electrotechnique
14
14
J. Michel
Matriaux
14
14
S. Touchal
14
14
J.P.M. Correia
Ph. Celka
UE 6 - UE Option
Option orientation gnie mcanique
(construction mcanique)
10
14
UE 7 - Stage
64
20
14
D. Guy
L. Hebrard
UE 1 Communication en entreprise
Sensibilisation la vie professionnelle. En amont : acquisition des notions de base, notamment les lments quotidiens
de la communication crite et orale dans les organisations en gnral et les entreprises en particulier, tant les relations
internes quexternes. En aval : stage doprateur en environnement industriel pour dcouvrir la ralit de lentreprise de
lintrieur.
UE 2 Mathmatique pour lingnieur 2
Fonctions plusieurs variables relles
Gnralits: continuit. Drives partielles, directionnelles. Diffrentiabilit. Dveloppements de Taylor. Extrema et
points critiques.
Intgrales multiples : changement de variables, matrice jacobienne, Intgrales triples, Coordonnes cylindriques,
Coordonnes sphriques.
Notions sur les quations aux drives partielles : mthode de sparation des variables, solutions en sries de
fonctions polynmiales. Systmes dynamiques, stabilit, rduction dquations aux drives partielles un systme
dquations diffrentielles ordinaires ventuellement non linaires
Courbes et Intgrales curvilignes, introduction la mthode des diffrences finies rsolution de lquation de
Laplace en 2D.
Sries et transformes de Fourier
Prambule sur les dfinitions des signaux et leurs transformations
Srie de Fourier (dfinition, contexte, applications)
Transforme de Fourier (dfinition, contexte, applications)
UE 3 - Physique pour lingnieur 2
Cette matire permet ltudiant dacqurir des connaissances physiques dans le domaine de la thermodynamique et
du thermique.
Thermodynamique :
Systmes thermodynamiques. Diffrents tats de la matire. Les notions de travail et de chaleur. quilibre thermodynamique ;
Premier Principe. nergie interne, enthalpie. Systmes ouverts en coulements stationnaires ;
Deuxime principe de la thermodynamique. Entropie et phnomnes irrversibles ;
Potentiels thermodynamiques et relations thermodynamiques. Coefficients calorimtriques ;
Changements de phase ;
Cycles thermodynamiques.
Thermique :
Introduction la physique des transferts ;
Transfert de chaleur par conduction. Loi de Fourier ;
Conduction en rgime permanent, la rsistance thermique, conduction unidirectionnelle, ailettes et surfaces ailetes.
UE 4 - Gnie lectrique
lectronique
Lois gnrales de llectrocintique, thormes fondamentaux des rseaux linaires ;
Fonctions de llectronique analogique ;
Les diffrentes familles de composants lectroniques.
lectrotechnique
lectrocintique dans les circuits lectriques de distribution dnergie ;
Expression de la puissance lectrique en rgime continu et alternatif ;
Formalisation en complexe des grandeurs alternatives purement sinusodales ;
tude des circuits magntiques avec applications aux bobines noyau.
UE 5 - Matriaux pour la mcanique
Matriaux
Cette matire permet l'tudiant d'acqurir des connaissances sur le comportement mcanique des matriaux :
Rappels sur les caractristiques de ltat solide ;
Introduction la science des matriaux : dfinitions, prsentation gnrale des principales famille de matriaux
(mtaux, polymres, cramiques, mufti-matriaux), critres de classification ;
Dtails sur les familles de matriaux, exemples illustratifs.
Rsistance des matriaux
Cette matire permet l'tudiant d'acqurir des connaissances en gnie mcanique dans le domaine des rsistance des
matriaux :
Hypothses de la thorie des poutres ;
Notion de contrainte et dlasticit plane ;
tudes des sollicitations simples : traction-compression, cisaillement, torsion, flexion ;
Dimensionnement de pices mcaniques.
65
UE 6 - UE Option
Option orientation gnie mcanique (construction mcanique)
Cette matire doit permettre l'tudiant d'acqurir des connaissances en gnie mcanique dans les disciplines de la
construction mcanique. Elle se structure en 2 chapitres :
Chapitre 1 : dessin technique
Termes gnraux (documents tracs et documents rdactionnels) ;
Mthodes de reprsentation (reprsentation orthographique, axonomtrique et centrale) ;
Les codes de reprsentation (traits, vues et reprsentations particulires) ;
Les principaux dessins du concepteur (le processus de conception, dessin d'ensemble et dessin de dfinition) ;
lments de gomtrie descriptive (intersection de surfaces, recherche de vraie grandeur, dveloppement) ;
Chapitre 2 : Conception des pices mcaniques
Approche fonctionnelle (fonctions de service et fonctions techniques, analyse fonctionnelle) ;
Les fonctions mcaniques lmentaires (liaisons, lubrification et tanchit ; ralisation des fixations et des guidages ;
L'influence des procds d'laboration (les rgles de base pour la conception de pices moules, soudes, usines...).
Option orientation gnie lectrique (micro-lectronique)
Bases de physiques des semi-conducteurs et de technologie de fabrication des circuits intgrs. Principe de fonctionnement dun transistor MOS ;
Intgration de fonctions analogiques de base: miroir de courant, tage de gain, tage diffrentiel. Savoir pr-dimensionner un tage en fonction des performances vises ;
Intgration de fonctions numriques de base: algbre de Boole, architecture des portes standard (NAND, NOR,
Bascule D), introduction aux circuits numriques squentiels.
UE 7 Stage oprateur
4 semaines de mise en situation dans une entreprise de production sur un poste doprateur intervenant sur la production
(agent de production, gestionnaire de stocks, magasinier, contrleur, etc.) ou de technicien intervenant sur le processus
(maintenance, travaux neufs, amlioration).
66
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY40EU10
UE 1 Langues
UL10EM01
UL20EM01
Allemand ou
Anglais
PY40EU20
UE 2 - Mathmatique et
informatique
PY40EM24
Programmation et bases de
donnes
0.5
0.5
oui
non
Epreuve crite
(1h)
PY40EM25
0.33
0.33
0.33
oui
oui
oui
Epreuve crite
(1h)
PY40EU30
UE 3 - Asservissement et
automatisme
PY40EM34
Asservissement
0.75
0.25
oui
non
Epreuve crite(1h)
Rapport de TP
Epreuve crite
(1h)
PY40EM35
Automatisme
0.33
0.33
0.33
non
oui
non
Epreuve crite(1h)
Epreuve crite(1h)
Rapports de TP
Epreuve crite
(1h)
PY40EU40
UE 4 - Gnie mcanique
0.5
non
0.5
oui
Contrle continu
formatif des TP
Epreuve crite (2h)
Epreuve crite
(2h)
0.75
0.25
oui
oui
Epreuve crite
(1h)
oui
oui
Epreuve crite
(1h)
Dossier
Dossier
PY40EM44
PY40EM45
PY40EU50
UE 5 - Gnie industriel
PY40EM54
Contrle qualit
PY40EM55
Dmarche de projet
3
Modalits dfinies par le CRL
1
6
6
0.5
0.5
1
Pour la session de rattrapage, les notes de matires suprieures ou gales 10 seront conserves obligatoirement dans
les UE non acquises.
La prsence aux TP est obligatoire dans la matire Signaux et systmes continus chaque absence une sance
implique la note 0 pour cette sance.
(*) Le contrle continu repose sur une valuation rgulire en TP (au minimum 5 valuations). Ce contrle continu ne sera
pris en compte que sil est favorable ltudiant. La note finale est donc NF = sup (CT ; 05 CT + 0,5 CC) o CT est la
note de lpreuve crite terminale.
68
Volume horaire
CM
UE 1 Langues
TD
TP
18
Enseignants
CI
S. Rothe ou S. Marten
UE 2 - Mathmatique et informatique
Programmation et bases de donnes
12
16
P. Trau
10
10
12
Asservissement
Automatisme
10
10
12
D. Knittel, F. Schwartz
10
10
12
P. Trau
24
D. Guy
12
C. Gauthier
UE 3 - Asservissement et automatisme
UE 4 - Gnie mcanique
Conception des mcanismes
10
14
14
UE 5 - Gnie industriel
Contrle qualit
Dmarche de projet
20
12
B. Nol
12
D. Guy
UE 1 Langues
Pratique crite et orale dune langue trangre (usage gnral).
UE 2 Mathmatique et informatique
Programmation et base de donnes
Cette matire permet l'tudiant d'acqurir des connaissances informatiques dans le domaine de la programmation et
base de donnes :
Connatre les fondamentaux des bases de donnes : principes et mise en uvre, architecture client-serveur, bases
locales et partages, rgles de conception d'une base, relations et requtes ;
Connatre la prsentation d'informations sur le rseau : pages statiques et dynamiques ;
Connatre la programmation (variables, tableaux, boucles de test, procdures et fonctions) ;
Etude de cas : mise en uvre d'une base de donnes partages, programmation des interfaces.
Signaux et systmes continus
Gnralits sur les signaux ;
Gnralits sur les systmes lectriques, analyse des circuits dans le domaine temporel (1er et 2e ordre) ;
Analyse des circuits en rgime sinusodal (fonction de transfert, diagrammes de Bode) ;
Analyse des circuits en rgime variable (transforme de Laplace) ;
Quadriples et filtres.
UE 3 Asservissement et automatisme
Asservissement
Cette matire permet l'tudiant d'acqurir des connaissances dans le domaine des asservissements du gnie lectrique:
mise en quation des systmes dynamiques temps continu et temps discret : transformation de Laplace et en z ;
principes de rgulation : fonction de transfert, tude temporelle et frquentielle, stabilit et robustesse de systmes,
systme en boucle ferme, synthse des rgulateurs PID ;
notions sur les asservissements par calculateur.
Automatisme
Cette matire permet l'tudiant d'acqurir des connaissances dans le domaine de l'automatisme du gnie lectrique :
Notions de base du domaine de l'automatisme : systmes de numrotation, reprsentation des donnes en mmoire, oprateurs arithmtiques et logiques, algbre de Boole, logique combinatoire et squentielle ;
Chane fonctionnelle en automatisme : rfrentiel, notions de chanes fonctionnelles, structures d'un automatisme,
programmation et Grafcet ;
organisation matrielle de la partie commande et partie oprative, interactions entre systmes via rseau de terrain.
69
UE 4 Gnie mcanique
Conception des mcanismes
Cette matire permet l'tudiant d'acqurir des connaissances dans le domaine de la conception des mcanismes
propres au gnie mcanique :
Chapitre 1 : lments de thorie des mcanismes
Approche mcanique des liaisons mcaniques lmentaires (torseurs cinmatiques et torseurs d'actions mcaniques) ;
Concept de liaison quivalente (combinaison de liaisons en parallle ou en srie) ;
tude mcanique des chanes cinmatiques lmentaires (tudes cinmatique et statique des chanes cinmatiques ouvertes, fermes et complexes).
Chapitre 2 : spcification gomtrique des produits (GPS)
Cotation et tolrancement dimensionnel (dfinitions, transcription et quantification) ;
Tolrancement gomtrique (principes de base, dfinition des critres, transcription et quantification) ;
Spcification des tats de surface (dfauts (dfinitions, origines), paramtres et lments de quantification) ;
Compensation des carts gomtriques par les degrs de libert et les jeux (carts gomtriques, dplacements
libres et dplacements parasites ; quations de compensation des carts par les jeux).
TP : dcouverte des fonctionnalits de base du logiciel Autodesk Inventor pour la conception des pices en 3D et leur
mise en plan (ralisation de dessins de dfinition).
Dynamiques des systmes mcaniques
Connaissance sur la gomtrie des masses : masse, centre de gravit, moment d'inertie et matrice d'inertie ;
Apprendre mettre en quation les systmes mcaniques 1 ou 2 degrs de libert par le thorme de l'nergie
cintique et les principes gnraux de la mcanique ;
Savoir prendre en compte les contraintes de frottement dans la dynamique des systmes mcaniques.
UE 5 Gnie industriel
Contrle qualit
Cette matire permet l'tudiant d'acqurir des connaissances dans les disciplines du gnie industriel et de l'assurance
qualit :
approche introductive de la qualit et de ses outils classiques ;
mthodes AMDEC et HACCP ;
matrise statistique des procds ;
ralisation de plans d'expriences et de tables de Taguchi.
Dmarche de projet
Cette matire permet l'tudiant d'acqurir des connaissances dans les disciplines du gnie industriel et de la gestion
de projet :
Apprendre connatre les outils de la gestion de projet : le suivi projet, l'approche qualit et l'approche processus,
la dfinition d'objectifs, la planification, la tenue de runion, la documentation, le management des connaissances,
le management des risques ;
Etudier la dfinition de projet par l'illustration d'tudes de projets mdiatiss ;
Apprentissage du logiciel de planification MS PROJET ;
Apprendre prparer une runion d'avancement par l'approche processus ;
Etudier la pratique du jeu des projets HORIZON du CIPE.
70
Intituls
PY40FU10
UE 1 Sciences et technologie en
socit
PY40FM14
PY40FU20
UE 2 - Electronique industrielle
PY40FM24
PY40FM25
Electronique de puissance
PY40FU30
UE 3 - Gnie industriel
PY40FM34
Gestion de production
PY40FU40
UE 4 - Gnie mcanique
PY40FM44
Elasticit
PY40FM45
Transmission de puissance
PY40FU50
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
3
1
non
Dossier
Dossier
0.5
0.5
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
0.5
0.5
oui
non
Epreuve
crite (1h)
oui
oui
non
Epreuve
crite (1h)
0.75
0.25
oui
non
Epreuve
crite (1h)
0.33
0.33
0.33
oui
oui
non
Epreuve
crite (1h)
6
0.4
0.4
0.2
6
UE 51 - Mecatronique et nergie
PY40FM12
Energie lectrique
0.5
0.5
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
PY40FM13
Mcatronique
0.33
0.33
0.33
oui
oui
non
Epreuve
crite (1h)
UE 52 - Gnie industriel
PY40FM22
Industrialisation et logistique
0.5
0.5
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
PY40FM23
Maintenance
0.5
0.5
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
Matriaux avancs
0.5
0.5
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
PY40FM33
0.5
0.5
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
PY40FU60
UE 6 - Projet
PY40FM64
non
CC projet (*)
Dossier
3
1
71
Feuille valuation
de lentreprise
Dossier
(*) Le contrle continu de projet repose sur lvaluation du travail ralis, du rsultat obtenu et du compte rendu crit et
oral qui en est fait par ltudiant ou le groupe dtudiants. Compte tenu de la particularit de cet enseignements, nous nous
limitons une seule valuation pour lUE.
Pour la session de rattrapage, les notes de matires suprieures ou gales 10 seront conserves obligatoirement dans
les UE non acquises.
La prsence aux TP est obligatoire dans la matire lectronique de puissance chaque absence une sance implique
la note 0 pour cette sance.
CM
TD
Enseignants
TP
24
A. Benelhadj
UE 2 - Electronique industrielle
Acquisition et traitement de donnes
10
10
12
Y. Hu
Electronique de puissance
10
10
40
UE 3 - Gnie industriel
Gestion de production
UE 4 - Gnie mcanique
Elasticit
10
10
12
S. Touchal
Transmission de puissance
10
10
12
J. Fritsch
Energie lectrique
18
10
Mcatronique
Industrialisation et logistique
16
16
R. Houssin, J. Spieser
Maintenance
14
14
L. Krieger
Matriaux avancs
14
14
A. Rubin
14
14
D. Huilier
UE 5 - Option
UE 51 - Mecatronique et nergie
J. Michel
12
UE 52 - Gnie industriel
UE 53 - Mcanique et matriaux
UE 6 - Projet
30
(6 8 semaines)
72
D. Guy (Mcanique),
Ph. Celka (Mcatronique)
B. Rose (Gnie industriel)
UE 52 - Gnie industriel
Industrialisation et logistique
Cette matire doit permettre ltudiant dacqurir des connaissances en gnie lectrique dans les disciplines de lindustrialisation et de la logistique, telles que :
la fabrication et la mise au point des documents opratoires ;
la conception des outillages : positionnement de la pice dans lespace de travail, accssibilit, vacuation des
effluents, etc.;
la validation du processus et rception des moyens : spcifications de fabrication, programme, AMDEC process,
essai et pr-sries, etc.
Maintenance
Cette matire doit permettre ltudiant dacqurir des connaissances en gnie industriel dans les disciplines de la maintenance, telles que :
Les rles et objectifs de la maintenance : stratgies et organisation ;
Les cots et de la gestion oriente performance ;
Les acteurs et la politique (prvention et corrective) de la maintenance.
UE 53 - Mcanique et matriaux
Matriaux avancs
Cette matire doit permettre ltudiant dacqurir des connaissances plus approfondies en science des matriaux, telles
que:
les proprits des matriaux solides : proprits mcaniques, lectriques et magntiques ;
les aspects macroscopiques et microscopiques des matriaux ;
la physique des interfaces : tension interfaciale, tension superficielle, mouillage ;
les matriaux diviss : composites, mousses, systmes disperss ;
les cristaux liquides.
Mcanique des fluides et hydraulique industrielle
Cette matire doit permettre l'tudiant d'acqurir des connaissances en gnie mcanique dans les disciplines de la
mcanique des fluides :
hydrostatique : pression statique, rpartition de pression et de temprature dans l'atmosphre, fluides parfaits,
thormes de Bernouilli et d'Euler ;
premiers principes de la dynamique des fluides visqueux : notions de viscosit, de tenseur des contraintes visqueuses, lois de comportement des fluides Newtoniens incompressibles, quation de Navier-Stokes bas nombre
de Reynolds ;
hydraulique : coulements en conduite, coulements laminaire en conduite cylindrique, pertes de charges linaires
et singulires.
Les notions de mcanique des fluides seront appliques des problmes dhydraulique industrielle.
UE 6 Projet
Cette UE consiste mener, en quipe, un projet impliquant les diffrents secteurs disciplinaires de la licence. Lobjectif est
de permettre aux tudiants d'exploiter les connaissances, mthodes et outils acquis dans leur formation, en exprimentant
la ralit du travail en quipe. Chaque projet dbouchera sur la dfinition d'un produit au travers d'un dossier technique
et d'un prototype numrique.
Laccent sera mis sur lappropriation de la dmarche de conception (de l'expression du besoin la dfinition du produit), le
management du projet (organisation et gestion des tches), et l'emploi des outils numriques (modlisation et simulation).
Les tudiants disposeront d'une demi-journe par semaine pour conduire, en toute autonomie, leurs projets, et leur travail
sera supervis par une quipe d'enseignants reprsentant l'ensemble des comptences requises.
74
Le parcours Electronique, Signal et Automatique (ESA) a pour objectif de donner aux tudiants une solide formation
initiale (thorique et pratique) en lectronique, signal et automatique pour leur permettre une poursuite d'tude en master
Sciences Pour l'Ingnieur (SPI), spcialit Micro-Nano-Electronique (MNE), de la Facult de physique et ingnierie, ou
dans tout autre master de sensibilit EEA.
Description du parcours:
La troisime anne du parcours ESA est une anne de spcialisation, au cours de laquelle les tudiants reoivent une
formation leur permettant d'acqurir la matrise des techniques mathmatiques et informatiques utiles au secteur de
l'EEA, la matrise des phnomnes physiques sous-jacents l'lectronique et les comptences de base en lectronique
analogique et numrique, thorie du signal et automatique. Les tudiants bnficient galement d'une formation la
langue anglaise.
Accs et recrutement:
La troisime anne du parcours ESA est accessible de plein droit aux tudiants ayant acquis les 120 crdits correspondant aux 2 premires annes de la licence Sciences Pour lIngnieur. L'autorisation d'inscription en L3 ESA est galement
donne automatiquement aux tudiants titulaires d'un DUT Mesures physiques, Gnie industriel et maintenance ou Gnie
lectrique et informatique industrielle, obtenus dans les IUT de lUniversit de Strasbourg, et ayant eu la mention " trs
favorable " ou " favorable " l'avis de poursuite d'tudes en L3 SPI par la commission pdagogique du dpartement
concern. Peuvent galement candidater en L3 ESA les titulaires dun DUT autre que ceux prcdemment cits, d'un
BTS, dun diplme jug quivalent ou les lves des classes prparatoires.
Les candidats extrieurs doivent prsenter une candidature travers la plateforme Aria (https://aria.u-strasbg.fr) ou par
Campus France, selon le cas.
Dbouchs:
Bien que l'objectif premier soit de permettre une poursuite d'tudes en master, les comptences acquises en L3 ESA permettent d'envisager une insertion professionnelle, au niveau technicien suprieur/assistant ingnieur, dans les nombreux
secteurs utilisant l'lectronique.
Poursuites dtudes:
Les tudiants ayant valid le parcours ESA de la licence SPI ont accs de plein droit au master mention SPI, spcialit
Micro-Nano-Electronique de la Facult de physique et ingnierie. Ils peuvent galement envisager une poursuite d'tudes
dans d'autres masters ou en premire anne d'cole d'ingnieur de sensibilit EEA.
Modalits particulires pour la Licence 3 Electronique, Signal et Automatique
Travaux pratiques
Les contrles de TP des diffrentes matires ncessitent la connaissance du matriel propos leurs ralisations. En
consquence, la prsence aux TP est obligatoire et toute absence injustifie une sance implique une note de 0/20
prise en compte dans le calcul de la moyenne.
Session de rattrapage
Les notes de matires et de travaux pratiques suprieures ou gales 10 sont obligatoirement conserves dans les UE
non acquises.
Stage volontaire dapprofondissement
Un tudiant ayant valid au moins un des semestres peut effectuer un stage volontaire dapprofondissement dans le cadre
dune UE supplmentaire. Celui-ci a pour but dacqurir des comptences en cohrence avec la formation ou favoriser
un projet dinsertion professionnel.
Ce stage pour valeur 3 ECTS qui ne seront pas pris en compte pour la validation du diplme.
Il peut avoir une dure de 4 8 semaines et sa validation se fait au travers dune fiche dautovaluation valide par le
matre de stage et le tuteur pdagogique.
75
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
PY30EUMA
UE 1 - Mathmatiques
PY30EMTM
PY30EUOM
UE 2 - Ondes et matriaux
PY30EMRP
Rappels de physique
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
oui
3 preuves crites
(mme %) (3 x 2h)
1 preuve crite
(2h)
1 preuve crite
(1h30)
6
2
9
Pas dpreuves
PY30EMON
Ondes
1.5
oui
2 preuves crites
(mme %) (2 x 2h)
PY30EMMC
Matriaux et composants
1.5
oui
2 preuves crites
(mme %) (2 x 2h)
1 preuve crite
(1h30)
PY30EUE1
UE 3 - Electronique 1
PY30EMEA
Electronique analogique
1.33
oui
2 preuves crites
(mme %) (2 x 2h)
1 preuve
crite (1h30)
PY30EMSI
Signaux et systmes
1.33
oui
2 preuves crites
(mme %) (2 x 2h)
1 preuve
crite (1h30)
PY30EMTA
TP Electronique analogique
0.67
oui
1 preuve pratique
(2h)
1 preuve
pratique (2h)
PY30EMTS
TP Signaux et systmes
0.67
oui
1 preuve pratique
(2h)
1 preuve
pratique (2h)
PY30EULV
UE 4 - Langues vivantes
UL20EM01
Anglais
12
3
1
76
Intituls
CM
TD
TP
Enseignants
CI
UE 1 - Mathmatiques
44
30
F. Salzenstein
S. Bouette
UE 2 - Ondes et Matriaux
Rappels de physique
16
K. Dorkenoo
Ondes
24
16
B. Hippolyte
Matriaux et composants
24
14
D. Mathiot
Electronique analogique
20
12
F. Antoni
Signaux et systmes
20
10
H. Berviller
(mutalis avec les L3 Ingnierie)
UE 3 - Electronique 1
TP Electronique analogique
16
F. Antoni, F. Schwartz
TP Signaux et systmes
24
H. Berviller, E.Christoffel
UE 4 - Langues vivantes
12
M. Schlick-Renner
UE 1 - Mathmatiques
Techniques mathmatiques pour llectronique
Espaces fonctionnels. Transformes de Laplace et de Fourier des fonctions.
Distributions. Convolution et transformes des distributions. Spectre et filtrage.
Transforme en Z.
UE 2 - Ondes et matriaux
Rappels de physique
Ondes
Les lignes de transmission.
Les quations de Maxwell, les ondes lectromagntiques.
Rflexion et rfraction dune onde.
Propagation dans un guide rectangulaire, tude gnrale de la propagation guide.
Les antennes.
Matriaux et composants
Notions de physique du solide et statistique appliques aux semi-conducteurs
Les semi-conducteurs lquilibre (SC intrinsque, dopage, densits de porteurs et niveau de Fermi)
Mcanismes de transport dans les SC (conduction, diffusion)
Les semi-conducteurs hors quilibre (gnration / recombinaison, quation de continuit)
Les composants de base (jonction p/n, bipolaire, MOS)
UE 3- lectronique 1
lectronique analogique
Lois gnrales de llectrocintique
Modlisation des composants semi-conducteurs
Montages fondamentaux composants semi-conducteurs
Signaux et systmes
Gnralits sur les signaux, signaux temps continu (srie et transforme de Fourier)
Signaux temps discret (transforme en Z, Transforme de Fourier Discrte)
Gnralits sur les systmes lectriques, analyse des circuits dans le domaine temporel (1er et 2e ordre)
Analyse des circuits en rgime sinusodal (fonctions de transfert, diagrammes de Bode).
Analyse des circuits en rgime variable (transforme de Laplace)
Quadriples et filtres, introduction sur le bruit.
UE 4- Langues vivantes
Anglais crit et oral
77
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY30FUE2
UE 5 - Electronique 2
PY30FMEA
Electronique analogique
oui
2 preuves crites
(mme %) (2 x 2h)
1 preuve crite
(1h30)
PY30FMEN
Electronique numrique
oui
2 preuves crites
(mme %) (2 x 2h)
1 preuve crite
(1h30)
PY30FMTE
TP Electronique analogique
0.5
oui
1 preuve pratique
(2h)
1 preuve
pratique (2h)
PY30FMTN
TP Electronique numrique
0.5
2 comptes rendus
(mme %)
1 preuve
pratique (2h)
PY30FUCO
UE 6 - Convertisseurs
PY30FMCO
Convertisseurs statiques
PY30FMCE
Convertisseurs lectromcaniques
PY30FMTC
TP Convertisseurs statiques
PY30FUAO
UE 7 - Automatique
PY30FMAU
Automatique
PY30FMTA
TP Automatique
PY30FUIN
UE 8 - Informatique
PY30FMIN
Informatique
9
1.33
oui
2 preuves
crites
(mme %) (2x2h)
1 preuve crite
(1h30)
oui
1 preuve
pratique (2h)
1 preuve crite
(1h30)
0.67
oui
1 compte rendu
1 preuve
pratique (2h)
oui
2 preuves
crites (mme %)
(2 x 2h)
1 preuve crite
(1h30)
oui
3 comptes rendus
(mme %)
1 preuve
pratique (2h)
3 comptes rendus
(mme %)
1 preuve
pratique (2h)
3
1
UE supplmentaire - Stage
volontaire dapprofondissement
Fiche dautovaluation
78
Intituls
CM
TD
TP
Enseignants
CI
UE 5 - Electronique
Electronique analogique
10
Electronique numrique
20
10
F. Antoni
F. Anstotz
TP Electronique analogique
24
F. Schwartz
TP Electronique numrique
20
F. Dadouche
UE 6 - Convertisseurs
Convertisseurs statiques
24
16
Convertisseurs lectromcaniques
14
12
TP Convertisseurs statiques
J.-B. Kammerer
UE 7 - Automatique
Automatique
26
24
F. Nageotte
TP Automatique
12
UE 8 - Informatique
24
F. Nageotte
30
C. Boily
UE 5- lectronique 2
lectronique analogique
Comportement frquentiel des amplificateurs transistors.
La contre-raction en lectronique.
Montages linaires et non linaires amplificateurs oprationnels.
lectronique numrique
tude des fonctions et architectures des circuits combinatoires et arithmtiques.
tude, analyse et synthse des systmes squentiels synchrones et asynchrones.
Analyse critique, fonctionnement pire cas.
UE 6 - Convertisseurs
Convertisseurs statiques
Gnralits sur les diffrents types de convertisseurs statiques.
Applications industrielles associes.
Composants de llectronique de puissance.
La conversion alternatif-continu: montages redresseurs diodes et thyristors.
La conversion alternatif-alternatif: gradateurs monophas et triphas.
La conversion continu-continu: montages hacheurs (srie, parallle, demi-pont, quatre quadrants).
La conversion continu-alternatif: onduleurs de tension monophas et triphas; onduleur de courant, onduleur rsonance.
Convertisseurs lectromcaniques
Les systmes triphass.
Les transformateurs monophas et triphas.
La machine courant continu en modes moteur et gnrateur principe de la variation de vitesse.
Les machines courant alternatif: machine asynchrone et synchrone.
UE 7 - Automatique
Reprsentation des systmes linaires (fonctions de transfert et schmas fonctionnels).
Analyse des systmes asservis linaires invariants.
Diagrammes harmoniques et lieu dEvans.
Correction dynamique des systmes asservis.
Mthodes dauto-rglage des correcteurs.
Reprsentation des non-linarits simples : mthodes du 1er harmonique.
79
UE 8 - Informatique
Langage C.
Langage Unix.
Approche rseaux.
Systme de multifentrage, graphique Xwindows.
80
Objectifs pdagogiques:
Le cursus franco-allemand de la licence Sciences pour lingnieur (SPI) parcours Ingnierie sappuie sur un accord de
coopration entre la Facult de physique & ingnierie et la Hochschule Offenburg.
Description du parcours:
Ce parcours est propos partir du quatrime semestre de licence (semestres S1, S2 et S3 dans le pays dorigine de
ltudiant). Pour obtenir une licence ltudiant doit obtenir 60 crdits ECTS denseignements dans le pays partenaire en
suivant le parcours des semestres S4, S5 et S6 que montre le tableau ci-dessous:
Semestres
Diplmes
Semestre 1
Pays dorigine
Semestre 2
Pays dorigine
Semestre 3
Pays dorigine
Semestre 4
Allemagne
Semestre 5
France
Semestre 6
Licence
Semestre 7
Allemagne
Bachelor Maschinenbau
A l'issue des 7 semestres l'tudiant obtiendra le diplme franais de licence et le diplme allemand de Bachelor.
Accs et recrutement:
tudiants ayant obtenus une licence 1re anne ou quivalent. Une bonne matrise de lallemand est exige.
Admission sur dossier.
Dbouchs:
Tous les mtiers de la production, de la conception. En particulier dans les entreprises transfrontalires.
Poursuites dtudes:
Masters franco-allemand Gnie industriel / Mechanical engineering ou tout autre master en sciences et techniques.
Par ses diffrents parcours, la licence offre des poursuites dtudes dans une large palette de masters. Elle permet galement lentre dans des coles dingnieurs et des grandes coles par le biais de concours spcifiques.
Modalits de contrle des connaissances:
Les UE proposes Strasbourg sont identiques celles de la licence SPI spcialit Ingnierie et sont disponibles
avec la version du cursus gnral de la spcialit. Ils ne sont pas reproduits par la suite pour des raisons de concision.
Lenseignement dispens en ingnierie et technologie, en licence conduit un double diplme franco-allemand.
A noter que ltudiant en ralisant un stage lors dun semestre supplmentaire (S7) obtient le bachelor de la
Hochshule
Les modalits de contrle des connaissances de ce cursus respectent donc les mmes que ceux dcrit dans celles du
cursus gnral du parcours ingnierie de la licence Sciences pour lingnieur.
81
Objectifs pdagogiques:
La double licence Physique - Sciences de la Terre confre deux diplmes de licence aux tudiants qui suivront son cursus: la licence Physique et la licence Sciences de la Terre. Les objectifs de la formation sont de permettre aux tudiants
d'acqurir les connaissances fondamentales en physique et en sciences de la terre et de leur apprendre observer,
dcrire et mesurer les phnomnes physiques et naturels pour ensuite les expliquer au moyen de concepts gnraux.
Description de la formation:
Cette formation est sur 6 semestres et regroupe les enseignements dispenss dans les deux licences Physique et
Sciences de la Terre. Ce regroupement est possible du fait du recouvrement important existant entre les deux cursus.
Nanmoins, la double licence Physique - Sciences de la Terre est une formation exigeante et chaque semestre comporte
davantage d'units d'enseignements qu'une simple licence: les deux premiers semestres (S1 et S2) reprsentent chacun
33 ECTS, le troisime (S3) correspond 39 ECTS et les semestres restants (S4,S5 et S6) sont 42 ECTS pour un total
de 231 ECTS qui sont comparer aux 180 ECTS d'une licence habituelle. Un tudiant qui valide les 231 crdits de la
double licence valide galement les 180 crdits de la licence Physique et les 180 crdits de la licence Sciences de la Terre.
Pour un descriptif plus prcis du contenu des enseignements et des modalits d'valuation, nous renvoyons aux descriptions des Licences Physique et Sciences de la terre ainsi qu' leurs modalits respectives.
Des informations concernant la gestion et le contenu sciences de la Terre de la formation sont en ligne sur le site : eost.
unistra.fr/lm/double-licence-psi-stue
Accs et recrutement:
Niveau dentre : la premire anne (L1) est ouverte aux bons tudiants titulaires du bac franais. Les titulaires
de diplmes trangers, les lves de CPGE et les tudiants dautres universits peuvent intgrer la formation sur
dossier ou convention.
Dure de la formation : 3 ans
Modalits :
Pour entrer en L1 : pr-inscription en ligne via APB (www.admission-postbac.fr).
Pour entrer en 2e (L2) ou 3e anne (L3) : candidature en ligne via Aria (https://aria.u-strasbg.fr).
Le candidat la double licence Physique - Sciences de la Terre, devra soumettre un dossier qui sera examin par une
commission pdagogique qui pourra donner lieu, dans certains cas, un entretien avec le candidat pour une orientation
active au regard de la charge de travail attendue et des dbouchs particuliers.
Dbouchs:
La vocation de la double licence Physique - Sciences de la Terre n'est pas de donner des dbouchs professionnels
immdiats mais est la poursuite d'tude.
Poursuites dtudes et orientation:
La double licence a essentiellement pour but de former des tudiants de haut niveau et de leur fournir des comptences
pluridisciplinaires pour qu'ils puissent intgrer des masters de Physique, Astrophysique ou Sciences de la Terre, que ce
soit l'Universit de Strasbourg ou ailleurs. Par ailleurs, les titulaires de la double licence peuvent galement postuler
des coles d'ingnieurs.
Modalits dvaluation :
Les modalits dvaluation sont dfinies par celles de la licence de Physique pour les matires dpendant de la physique
et par celles de la licence Sciences de la Terre pour les matires dpendant des sciences de la Terre. Pour les matires
mutualises, les modalits dvaluation sont les mmes dans les deux licences.
(*) alessia@unistra.fr
82
ECTS
Enseignants
Physique 1 : mcanique
J.-P. Lavoine
M. Atlagh
Chimie 1 :
lments chimiques
R. Welter
Mthodologie de la chimie
C. Jeandon
Informatique 1
O. Bengone
Anglais
C. Chouissa, S. Rothe
E. Laroche
H. Whitechurch
Enseignement douverture
D. Raiser
ECTS
Physique 2 :
Enseignants
Vibrations et ondes
J. Bartel
Relativit restreinte
J. Polonyi
Physique exprimentale
Mathmatiques 2 :
Algbre linaire
D. Raiser
S. Souaifi
J. Bartel
Chimie 2 :
Liaisons et molcules
K. El Bayed
Equilibres chimiques
P. Bertani
Langues
C. Chouissa
Gosciences 2
A. Remaitre
PPP et C2i
T. Weber
(*) alessia@unistra.fr
84
Enseignements :
Intituls
ECTS
Physique 3 :
Enseignants
Electromagntisme
M. Alouani
H. Dorkenoo
Electronique
Mathmatiques 3 :
P. Levque, D. Raiser
F. Delage
M. Rausch
Informatique 3
M. Alouani
F. Beck
H. Whitechurch
V. Ansel
S. Harlepp
UE choix (1 au choix) :
P. Guillout
Introduction lhydrologie
S. Rihs - Y. Lucas
Chimie organique
F. Bolze
(*) alessia@unistra.fr
85
Elments de cristallographie, arrangement de la matire, les dfauts, croissance et dissolution des minraux.
Les oprateurs de symtries, les proprits physico-chimiques des minraux silicats et non silicats.
Les lments de diagnoses des minraux silicats et non silicats.
Classifications des roches magmatiques, mtamorphiques et sdimentaires.
Introduction lhydrologie
La premire partie du cours sattachera une description qualitative des aquifres, des bilans hydrogologiques et
lalimentation des nappes.
La seconde partie du cours prsentera les concepts de base des coulements souterrains en milieux poreux: dfinition des paramtres dcrivant le stockage de leau dans les nappes (porosit et coefficient demmagasinement
souterrain), de la charge hydraulique, prsentation de la loi de Darcy et sa gnralisation dans le cas de nappes
captives en rgime permanent.
Laspect technique de la ralisation des ouvrages de captage deau et le dimensionnement des primtres de protection sera galement abord.
Premires notions de fonctionnement des aquifres.
Premire approche des lois dcoulement en milieu poreux.
Chimie organique
Le but de cette UE est de donner tous les tudiants ne se destinant pas des tudes en chimie une introduction la
chimie organique fonctionnelle et transformationnelle. La pdagogie adopte est celle fonde sur les aspects lectroniques et mcanistiques des fonctions de la chimie organique et des transformations fonctionnelles en mettant en avant
les aspects environnementaux et physiques.
86
Enseignements :
Intituls
ECTS
Physique 4 :
Enseignants
Thermodynamique
P. Hebraud
Electromagntisme 2
C. Genet
Mathmatiques 4 :
Analyse complexe
D. Brotbek
A. Rubin
Cartographie:
Gophysique 2
F. Masson
Sdimentologie et stratigraphie
D. Gosheny
Informatique 4
C. Boily
Physique exprimentale 4
S. Harlepp
Langues
S. Rothe
L. Martinez
UE optionnelles (2 au choix) :
Terre, biosphre, temps
Astrophysique
L. Cambresy
Gologie structurale
K. Schulmann
I. Rossini
Chimie inorganique
S. Ferlay
Mcanique
(*) alessia@unistra.fr
87
P.-A. Hervieux
Durant cette UE nous reverrons lhistorique de la connaissance de la forme de la Terre. Nous verrons les principes physiques qui rgissent cette forme et les outils mathmatiques pour la dcrire. Nous verrons aussi les techniques anciennes
et modernes de mesure de la forme de la Terre.
Terre, biosphre, temps
connatre les concepts de base de la stratigraphie.
connatre les mcanismes de lvolution biologique.
connatre les grandes tapes de la biosphre au cours des temps gologiques.
connatre les mcanismes et les causes des crises biologiques.
Astrophysique
La Voie Lacte : contenu de la Galaxie, aperu sur lvolution stellaire, structure spirale, rotation diffrentielle
Processus dmission : corps noir, raies spectrales, rappel de physique atomique
Lobservation professionnelle en astronomie du domaine radio aux rayons X, notion de traitement du signal, bruit
Le milieu interstellaire : tats physiques du gaz, instabilit gravitationnelle, effondrement, fragmentation, physique
des grains de poussire, transfert radiatif, quilibre thermodynamique
Formation stellaire, fonction initiale de masse des toiles
Cosmologie observationnelle : distribution des galaxies, fond cosmologique, fonds diffus cosmiques.
Gologie structurale
Description et caractrisation des structures gologiques: failles, plis, foliations, linations, clivages.
Dformation homogne et htrogne (zones de cisaillement), principe dellipsode de dformation, sections principales dobservation et dtermination de sens et gomtrie de flux. Superposition des dformation, transposition et
analyse des structures polyphass.
Mthodes de projection, construction des lments structuraux en utilisant projection strographique
Mthodes de cartographie structurale, construction des coupes et cartes structurales.
88
Enseignements :
Intituls
ECTS
Physique :
Enseignants
Mcanique quantique
R. Jalabert
Physique statistique
P.-A Hervieux
Physique exprimentale 5
M. Rastei, H. Dorkenoo
H. Molique
Langues
S. Rothe
UE choix (3 au choix) :
18
G. Schafer
Ptrographie magmatique
H. Whitechurch
Tectonique
G. Manatschal
Y. Rogister
Physique de la Terre
Astrophysique
J.-L. Halbwachs
Mthodes gophysiques
M. Munschy
(*) alessia@unistra.fr
89
90
Enseignements :
Intituls
ECTS
Physique 6 :
Enseignants
12
Physique subatomique
A.-M. Nourredine
Physique de la matire
G. Pupillo
Electromagntisme
M. Alouani
Projet tutor
E. Chabert
Informatique
A. Besson
UE choix (3 au choix) :
18
A. Siebert
Ondes sismiques
J.-M. Marthelot
Godsie
J.-P. Boy
Ph. Duringer
Ptrographie mtamorphique
P. Stipska
Hydrodynamique souterraine
Y. Lucas
Hydraulique applique
G. Schafer
(*) alessia@unistra.fr
91
Ondes sismiques
Equations donde lastiques en milieu homogne, vitesses de propagation et polarisation des ondes de compression et de cisaillement, ondes planes et sphriques.
Calcul des temps de propagation en milieu stratifi, trac de rayons et quation iconale en milieu 3D htrogne.
Coefficients de rflexion/transmission, ondes guides par la surface libre et dans une couche, vitesse de groupe.
Ondes planes lastiques en milieu stratifi et en milieu anisotrope (cas de lisotropie transverse).
Radiation dondes P et S par une force ponctuelle.
Les roches sdimentaires : lhritage du relief terrestre, gense, classification et reconnaissance macroscopique
et microscopique des grands groupes (roches silicoclastiques, carbonates, volcano-sdimentaires, siliceuses,
salines, carbones).
Les structures progradantes toutes les chelles
Les figures sdimentaires physico-dynamiques
Les figures sdimentaires lies aux carbonates
Les figures sdimentaires lies la vie
La sdimentation actuelle travers quelques exemples cls
Introduction aux paloenvironnements.
Ptrographie mtamorphique
Le cours commence par la reconnaissance macroscopique des roches et par leur placement dans les cadres godynamiques principaux, tel que la subduction, la collision, le mtamorphisme de contact et le mtamorphisme ocanique. Le
cours continue par la description des substitutions majeures dans les minraux mtamorphiques, le calcul de la formule
structurale, des diagrammes ternaires ACF et AKF, des projections et le diagramme AFM pour les mtaplites, les ractions discontinues, la mthode de Schreinemakers pour la construction des grilles ptrogntiques, les mthodes de la
thermobaromtrie.
Au cours des TD toutes ces mthodes sont pratiques et sont mises en relation avec ltude microscopique des groupes
de roches mtamorphiques principaux comme des mtaplites, mtabasites et roches calco-silicates.
Hydrodynamique souterraine
Hydrodynamique en milieu poreux ; interprtation des essais de pompage (Theis, Jacob, milieu fractur, Hantush-Jacob,
limites) ; transport de polluants non-miscibles/miscibles ; modlisation.
Hydraulique applique
coulements en charge (quations de lnergie, perte de charge linaire et singulire, calcul de perte de charge
totale, rseaux des conduites) ;
coulements surface libre en rgime dcoulement uniforme (formule de Manning-Strickler, profondeur normale,
coefficient de Strickler des sections composes) ;
stabilit des canaux non revtus, charriage (vitesses critiques, tensions critiques (stabilit du matriaux de fond
(paramtre de Shields), stabilit du matriaux sur les talus des berges) ;
coulements graduellement varis, les courbes de remous ;
coulements brusquement vari, le ressaut hydraulique, dversoirs des crues, etc.
bassin de dissipation dnergie ;
mesures hydrauliques (hauteurs pizomtriques, pressions, dbits et vitesses dans les canaux).
92
Objectifs pdagogiques:
Lobjet de ce diplme duniversit (D.U) Tremplin russite est de prendre en charge au deuxime semestre des tudiants
de premire anne des licences Physique ou Sciences pour l'ingnieur dont les rsultats indiquent quils ne pourront
trs vraisemblablement pas valider leurs semestres 1 et 2. Il doit tre vu comme un semestre de transition permettant de
renforcer les enseignements de bases et de combler d'ventuelles lacunes.
Conditions dadmissionet/ou conditions daccs et de pr-requis:
La mise en uvre de ce diplme ncessite de reprer les primo-entrants luniversit qui ne possdent pas les pr-requis
ncessaires pour pouvoir valider leurs semestres 1 et 2. Leur dtection est faite partir des rsultats obtenus aux examens de la premire session du premier semestre des licences Physique ou Sciences pour l'ingnieur. Les tudiants non
dfaillants lensemble des UE et qui nont pas obtenu une note moyenne suprieure 7 sur 20 se verront proposer un
rendez-vous avec une quipe pdagogique constitue par le responsable du diplme. Au vu des changes et en fonction
des places disponibles, les tudiants seront invits sinscrire au D.U. Tremplin russite.
valuation des connaissances:
Elle est entirement ralise par contrles continus.
Pour les UE propres ce diplme, la frquence de ces contrles, leur nature (preuve crite, orale) et leurs poids respectifs, sont dfinis par chaque enseignant et communiqus aux tudiants ds le dbut des cours. Une seule note moyenne
rsultant dau moins trois contrles est transmise la scolarit et il nest pas prvu de deuxime session.
En cas dabsence non justifie un contrle, ltudiant est sanctionn par une note de zro ce contrle. Si ltudiant est
absent tous les contrles sans justification il est dclar dfaillant et est limin.
Lorsque labsence est justifie:
soit par une dispense accorde un tudiant bnficiant dun statut particulier (salari, sportif de haut niveau) ;
soit pour des raisons juges recevables par un enseignant responsable;
ltudiant dpose sa demande ainsi que les justificatifs auprs du service de scolarit dans un dlai nexcdant pas 7 jours
aprs lpreuve et une preuve de remplacement peut lui tre accorde. La nature de celle-ci ainsi que sa dure sont
choisies par lenseignant concern.
Poursuites dtudes et orientation :
Les tudiants ayant obtenu le D.U. Tremplin russite pourront soit reprendre le cours normal de la licence (en L1-S1), soit
sorienter vers une autre licence ou un I.U.T. Par ailleurs, les tudiants des licences Physique ou Sciences pour l'ingnieur
ayant valid l'UE de chimie pourront reporter leur note sur celle de l'UE 3 - Mthodologie de la chimie du premier semestre
si cette dernire n'avait pas t valide.
Les connaissances acquises lors de ce diplme leur seront utiles dans toutes les formations scientifiques.
93
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
TSRL1U1
Contrle continu
TSRL1U2
Contrle continu
TSRL1U3
UE 3 Culture humaniste
Contrle continu
TSRL1U4
UE 4 Fondements disciplinaires
Contrle continu
TSRL1M41
0.33
Contrle continu
PYRLBM11
Physique (*)
1.33
Contrle continu
PYRLBM21
Mathmatiques (*)
1.33
Contrle continu
CHRLBM31
Chimie (*)
1.33
Contrle continu
VIRLBM41
Biologie (*)
1.33
Contrle continu
Volume horaire
CM
Enseignants
TD
TP
CI
46
24
IUT Illkirch
24
20
IUT Illkirch
UE 3 Culture humaniste
36
16
IUT Illkirch
UE 4 Fondements disciplinaires
58
10
E. Triby
Physique
24
M. Gallart
Mathmatiques
24
Z. Guellil
Chimie
24
P. De Frmont, V. Bulach
Biologie
24
J. De Montigny, C. Bergmann
Physique
Vitesse, acclration, force, mouvement rectiligne, mouvement dans lespace trois dimensions, lois de Newton, dfinition et conservation de la quantit de mouvement, conservation de lnergie mcanique, point matriel dans un champ
potentiel, ouverture sur les forces dissipatives. Systme de deux corps (orbites, chocs), ouverture sur les systmes n
corps. Cinmatique d'un solide libre indformable. Moment d'inertie, moment cintique, dynamique d'un solide libre indformable. Loi de gravitation, mouvement dans un champ gravitationnel. Loi de Coulomb, champ lectrique, mouvement
dune charge dans un potentiel lectrostatique. Notions de vibration et donde, et de phnomnes ondulatoires (diffraction, interfrences, battements) dans le cas des ondes mcaniques.
Mathmatique
Limites de suites de nombres rels. Continuit d'une fonction relle ; thorme des valeurs intermdiaires. Drivabilit
d'une fonction relle ; thorme des accroissements finis. Formules de Taylor et dveloppements limits. Intgration
d'une fonction relle. quations diffrentielles ordinaires: variables sparables, thorme de Cauchy-Lipschitz.
Chimie
Fondements: atomes et lments ; moles et masses molaires; mlanges et solutions ; stoechiomtrie des ractions,
avancement, rendement, ractif limitant; oxydo-rduction; units et dimensions; modles molculaires; recherche
documentaire et sa restitution.
Des lments aux molcules: classification priodique et structure lectronique de latome; nature de la liaison chimique
suivant les lments lis; nomenclature de composs simples; reprsentation et gomtrie des molcules; polarit et
interactions molculaires
Les travaux pratiques, connects aux notions abordes en CI, mettront en jeu extraction, synthse et analyse sur
lexemple dune raction doxydo-rduction.
94
Ouverture en septembre 2014 : seules les trois premires annes sont dcrites
Objectifs pdagogiques:
Le cursus master en ingnierie (CMI) en Micro et nano-lectronique (MNE) forme au mtier dingnieur expert ou de
chercheur spcialiste de la micro et nano-lectronique avec un spectre de connaissances tendu, allant de la physique
et de la technologie des composants lmentaires et des micro-capteurs jusqu la conception de circuits et systmes
lectroniques intgrs mixtes et htrognes.
Ltudiant diplm possde les comptences techniques et managriales pour grer tous les aspects dun projet dlectronique, depuis le choix de la technologie jusqu la conception du systme, en passant par la dfinition des spcifications.
Il est capable de travailler dans un environnement international anglophone.
Le CMI-MNE est labellis par le rseau FIGURE (reseau-figure.fr) et respecte ce titre la charte du rseau. A lissue des
3 premires annes de cette formation de 5 ans, ltudiant sera diplm de la licence Sciences pour lingnieur parcours
lectronique, signal et automatique. Puis, lissue des 5 annes, il est diplm du master Micro et nano-lectronique avec
le label dexcellence CMI.
Description de la formation:
Les deux premires annes de la licence donnent un socle commun de connaissances en sciences de lingnieur puis la
3e anne cible les connaissances indispensables au secteur de llectronique. Le master confre les connaissances de la
spcialit. Grce aux modules optionnels, ltudiant peut sorienter vers la technologie et les composants lmentaires
ou vers la conception de systmes intgrs. Il peut aussi choisir de suivre un parcours mixte mlant technologie et
conception. Langlais est enseign tout au long du cursus pour que les tudiants deviennent autonomes dans un milieu
professionnel anglophone. Enfin, les enseignements douverture socio-conomique et culturelle permettent aux tudiants
dacqurir une certaine culture gnrale, de parfaire leurs techniques dexpression orale et crite, et de mieux comprendre
lenvironnement socio-conomique et juridique de lentreprise.
Conditions dadmissionet/ou conditions daccs et de pr-requis:
Fonctions : ingnieur R&D, architecte de systmes intgrs, ingnieur procd de fabrication, ingnieur design
kit , chef de projet lectronique, chercheur (aprs un doctorat)...
Secteurs : industrie des semi-conducteurs (fabrication, conception des circuits intgrs, test). Industrie de llectronique (dveloppement de systmes lectroniques, systmes embarqus, instrumentation). Grands secteurs dapplication : communication, informatique, transport, instrumentation, nergie
95
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
PY10AU11
UE 11 - Physique
PY10AM12
Mcanique (*)
PY10AU21
UE 12 - Analyse mathmatique
MIT2AM12
Analyse mathmatique
PY10AU32
UE 13 - Chimie
CH10AM13
CH10AM24
Elments chimiques
PY10AU42
UE 14 - Informatique
PY10AM41
Informatique
PY10AU51
UE 15 - Langues
UL20AM01
Anglais
PY10AU61
UE 16 - Mthodologie du travail
universitaire
PY10AM62
PY10AU71
ED01AMD3
Enseignement douverture
PYG8AU21
UE 18 - Sciences et risques
PYG8AU21
Enseignement douverture
PY10AU94
UE 19 - Electronique
Coeff.
ECTS
Convocation
Epreuve de
rattrapage
6
0.5
0.5
1
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
CC3 (2h30)
1 preuve
crite (2h)
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
CC3 (2h)
1 preuve
crite (2h)
1 preuve
crite (1h)
6
0.5
0.5
1
0.5
0.1
non
0.4
non
0.5
non
Prsentation orale
(15 min)
Epreuve pratique
(4h)
Ecrit en amphi (1h)
0.25
0.25
0.5
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (45 min)
CC2 (45 min)
CC3 (1h30)
1 preuve
crite (1h30)
Moyenne de 2
rapports de TP
Ecrit en amphi (1h)
1 preuve
pratique (2h)
3
0.67
oui
0.33
oui
3
1
3
0.5
0.5
oui
oui
Rapport crit
Prsentation orale
(15 min)
Rapport crit
Prsentation
orale (15 min)
oui
non
Epreuve crite
(2h)
oui
Dissertation (3h)
Dissertation
(3h)
3
1
3
1
3
3 preuves
crites (***)
PY10CM22
Electronique
96
oui
oui
CC1 (1h)
CC2 (1h)
1 preuve crite
(0,5) (1h30)
oui
oui
QCM (1h30)
TP (4h)
Report notes TP
et QCM (0,5)
Intituls
CM
TD
TP
CI
Enseignants
UE 11 - Physique
Mcanique
70
J.-P. Lavoine
UE 12 - Analyse mathmatique
70
M. Atlagh
UE 13 - Chimie
Mthodologie de la chimie
14
Elments chimiques
20
16
20
UE 14 - Informatique
R. Welter
20
UE 15 - Anglais
UE 16 - Mthodologie du travail universitaire
20
UE 18 - Sciences et risques
12
UE 19 - Electronique
C. Jeandon
12
O. Bengone
20
C. Chouissa, S. Rothe
E. Laroche
G. Le Dref
C. Allamel-Raffin, N. Arbor
12
16
P. Leveque, D. Raiser
97
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
PY10BU11
UE 21 - Physique
PY10BM14
PY10BM16
Relativit restreinte
PY10BU21
UE 22 - Physique exprimentale
PY10BM15
PY10BU31
UE 23 - Mathmatiques
MIT2BM12
Algbre linaire
PY10BM31
PY10BU41
UE 24 - Chimie - Liaisons et
molcules
CH30BM33
Liaisons et molcules
PY10BU51
UE 25 - Langues
UL20BM01
Anglais
PY10BU61
UE 26 - Informatique :
programmation
PY10BM62
PY10BU71
UE 27 - C2i
PY10BM71
PY10BM72
C2i
PY10BU81
UE 28 - Projet professionnel
personnel : explorer
PY10BM83
PPP : explorer
Coeff.
ECTS
Convocation
Epreuve de
rattrapage
3 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
CC3 (2h30)
1 preuve crite
(2h)
1 contrle crit
(30 min)
1 preuve crite
(30 min)
Moyenne notes
des compterendus de TP
Report de notes
(0,5)
Epreuve crite
(0,5) (1h)
6
0,375
0,375
0.75
oui
oui
oui
0.5
oui
3
oui
1
6
0,375
0,375
0.75
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
CC3 (2h)
1 preuve crite
(2h)
0.25
0.25
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
1 preuve crite
(1h30)
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
1 preuve crite
(1h)
3
0.5
0.5
3
1
3
non
Evaluation
pratique
exprimentale
au fil de leau
1 preuve
pratique (2h)
Epreuve pratique
(2h)
Epreuve thorique
(1h)
Epreuve pratique
(2h)
Epreuve
thorique (1h)
Rapport crit
personnel
Prsentation orale
(15 min)
Rapport crit
3
0.5
oui
0.5
oui
3
0.5
oui
0.5
oui
98
Prsentation
orale (15 min)
UE 29 - Stage oprateur de 4
semaines minimum
PY40DM71
PY10BU93
EG01BMD5
PY01BMD6
3
0.5
oui
0.25
0.25
oui
Evaluation
entreprise
Rapport
Soutenance orale
(30 min)
Report de la note
3
0.5
0.5
Epreuve crite
(30 min)
oui
Epreuve crite
(30 min)
(*) Note finale : NF = sup ( NE , 0.8 * NE + 0.2 * NP ) avec NE = moyenne pondre des 3 valuations et NP = note de
participation.
(**) Lorsquil y a plusieurs valuations pour une matire, labsence toutes les valuations quivaut une dfaillance
lUE.
Intituls UE
CM
TD
TP
Enseignants
CI
UE 21 - Physique
Vibrations et ondes
56
Relativit restreinte
14
J. Bartel
J. Polonyi
UE 22 - Physique exprimentale
28
D. Raiser
UE 23 - Mathmatiques
Algbre linaire
60
S. Souaifi
24
J. Bartel
16
UE 25 - Langues
16
K. El Bayed
24
UE 26 - Informatique : programmation
C. Chouissa, S. Rothe
14
UE 27 - C2i
14
12
C. Boily
J. Petri
E. Laroche
14
D. Hoenen
20
C. Allamel-Raffin
12
A. Benelhadj
99
100
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Epreuve de
rattrapage
PY40CU10
PY40CM11
Accompagnement du projet de
ltudiant : choisir
UL21RM02
Anglais
PY40CU20
PY40CM21
Algbre
0.5
0.5
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
PY40CM22
Analyse
0.5
0.5
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
PY40CU30
UE 33 - Informatique
non
non
non
Epreuve
crite (1h)
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
2 devoirs maison
DE1
DE2
Epreuve
crite (1h30)
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
oui
oui
non
Epreuve
crite (1h)
0.33
0.33
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
0.11
0.22
non
oui
Rapports de TP
TP (1h30)
TP (1h)
oui
oui
Dossier
Epreuve crite (1h)
Epreuve orale
(20 min)
0.5
0.5
1
PY40CM32
Programmation
0.75
0.25
PY40CU40
PY40CU50
PY40CM51
PY40CU60
PY40CM61
Etude dune chane damplification (**)
PY40CM62
PYG7DUEP
UE 37 Franais : techniques
dexpression professionnelle
PYG0DMEP
Electromagntisme (*)
Mcanique gnrale
(statique et cinmatique des solides)
Dossier
PY40CM31
PY40CM42
Dossier
Oral (6 min)
0.33
0.33
0.33
PY40CM15
non
non
oui
oui
0.5
0.5
3
0.33
0.33
0.33
3
6
0.33
0.33
0.33
*
101
Epreuve
orale
(20 min)
Pour la session de rattrapage, les notes de matires suprieures ou gales 10 seront conserves obligatoirement dans
les UE non acquises.
(*) La note finale est calcule de la manire suivante o CC est la moyenne de CC1 et CC2, et DE est la moyenne DE1
et DE2 : sup(CC, (CC + DE) / 2).
(**) La prsence aux TP est obligatoire car chaque absence une sance implique la note 0 pour cette sance.
Intituls
CM
TD
TP
Enseignants
CI
Anglais
12
E. Laroche
24
S. Rothe, S. Marten
10
10
D. Huilier
Analyse
10
10
D. Huilier
10
10
12
P. Trau
Programmation
10
10
12
P. Trau
lectromagntisme
22
20
M. Alouani
Mcanique gnrale
14
14
J.P.M. Correia
10
10
12
R. Houssin
10
10
12
Ph. Celka
UE 33 - Informatique
20
L. Faucheux
102
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
PY40DU10
UE 41 - Communication en entreprise
PY40DM11
Communication en entreprise
PY40DU20
UE 42 - Mathmatique pour
lingnieur 2
PY40DM23
PY40DM24
PY40DU30
PY40DM32
Thermodynamique et thermique
PY40DU40
UE 44 - Gnie lectrique
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
3
0.5
0.5
non
non
Dossier
Oral (30 min)
Dossier
0.5
0.5
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
0.5
0.5
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
oui
oui
non
Epreuve
crite (1h)
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
oui
oui
Epreuve
crite (1h)
oui
oui
oui
Epreuve
crite (2h)
Evaluation entreprise
(**)
Dossier
Epreuve orale
(30 min)
Dossier
Epreuve
crite
(1h30)
3
0.5
0.5
6
PY40DM43
Electronique (*)
0.33
0.33
0.33
PY40DM46
Electrotechnique
0.5
0.5
PY40DU50
PY40DM52
Matriaux
0.5
0.5
PY40DM53
0.5
0.5
PY40DU60
UE 46 - UE orientation gnie
lectrique
PY40DM62
Introduction la micro-lectronique
PY40DU70
UE 47 - Stage
PY40DM71
Stage oprateur
PYG7DU30
UE 48 - Informatique : analyse
numrique
PY10DM35
Informatique
PYG7DUEC
UE 49 - Ouverture socio-conomique
et culturelle
MI10FM00
PYG7DMAN
Anglais
3
0.33
0.33
0.33
3
0.5
0.25
0.25
oui
3
0.33
0.33
0.33
oui
oui
3
PYG0DMPR
Recherche bibliographique
3
Rapport +
soutenance
(30 min)
oui
Pas de
ratrappage
Pour la session de rattrapage, les notes de matires suprieures ou gales 10 seront conserves obligatoirement dans
les UE non acquises.
(*) La prsence aux TP est obligatoire dans la matire lectronique chaque absence une sance implique la note
0 pour cette sance.
(**) Fiche dvaluation transmise par lentreprise.
Intituls
CM
TD
UE 41 - Communication
Enseignants
TP
24
J.-F. Jacob
10
10
D. Huilier
10
10
H. Berviller
14
14
T. Schmatko
Electronique
10
10
Electrotechnique
14
14
J. Michel
Matriaux
14
14
S. Touchal
14
14
J.P.M. Correia
14
14
L. Hebrard
Ph. Celka
20
8
8
20
Anglais
12
P. Acker
6
104
L. Hebrard
105
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
PY30EUMA
UE 51 - Mathmatiques
PY30EMTM
PY30EUOM
UE 52 - Ondes et matriaux
PY30EMRP
Rappels de physique
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
6
2
oui
3 preuves crites
(2h)
1 preuve
crite (2h)
1 preuve
crite (1h30)
9
Pas dpreuves
PY30EMON
Ondes
1.5
oui
2 preuves crites
(2h)
PY30EMMC
Matriaux et composants
1.5
oui
2 preuves crites
(2h)
1 preuve
crite (1h30)
PY30EUE1
UE 53 - Electronique 1
PY30EMEA
Electronique analogique
2 preuves crites
(2h)
1 preuve
crite (1h30)
PY30EMSI
12
1,33
oui
Signaux et systmes
1,33
oui
2 preuves crites
(2h)
1 preuve
crite (1h30)
PY30EMTA
TP Electronique analogique
0,67
oui
1 preuve pratique
(2h)
1 preuve
pratique (2h)
PY30EMTS
TP Signaux et systmes
0,67
oui
1 preuve pratique
(2h)
1 preuve
pratique (2h)
PY30EULV
UE 54 - Langues vivantes
UL20EM01
Anglais
PYG7EUOS
PYG7EMPS
0,5
oui
1 preuve crite
(30 min)
1 preuve
crite (30 min)
PYG7EMTG
0,5
oui
1 preuve crite
(1h)
1 preuve
crite (1h)
PYG7EUPI
UE 56 : Projet intgrateur
PYG7EMPI
oui
Soutenance mi-projet
(20 min)
Report de la
note
3
1
oui
3
1
106
Intituls
CM
TD
44
30
TP
CI
Enseignants
UE 51 - Mathmatiques
Techniques mathmatiques pour llectronique
F. SALZENSTEIN, S. BOUETTE
UE 52 - Ondes et matriaux
Rappels de physique
16
K. DORKENOO
Ondes
24
16
B. HIPPOLYTE
Matriaux et composants
24
14
D. MATHIOT
Electronique analogique
20
12
F. ANTONI
Signaux et systmes
20
10
H. BERVILLER
(mutualis avec la L3 Ingnierie)
UE 53 - Electronique 1
TP Electronique analogique
16
F. SCHWARTZ, F. ANTONI
TP Signaux et systmes
24
H. BERVILLER,
E. CHRISTOFFEL
UE 54 - Langues vivantes
Anglais
12
M. SCHLICK-RENNER
12
A. BENELHADJ, B. ROSE
L. HEBRARD
107
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY30FUE2
UE 61 - Electronique 2
PY30FMEA
Electronique analogique
oui
2 preuves crites
(2h)
1 preuve
crite (1h30)
PY30FMEN
Electronique nummrique
oui
2 preuves crites
(2h)
1 preuve
crite (1h30)
PY30FMTE
TP Electronique analogique
0,5
oui
1 preuve pratique
(2h)
1 preuve
pratique (2h)
PY30FMTN
TP Electronique nummrique
0,5
oui
2 comptes rendus
1 preuve
pratique (2h)
PY30FUCO
UE 62 - Convertisseurs
PY30FMCO
Convertisseurs statiques
1,33
oui
2 preuves crites
(2h)
1 preuve
crite (1h30)
PY30FMCE
Convertisseurs lectromcaniques
oui
1 preuve pratique
(2h)
1 preuve
crite (1h30)
PY30FMTC
TP Convertisseurs statiques
0.67
oui
1 compte rendu
1 preuve
pratique (2h)
PY30FUAU
UE 63 - Automatique
PY30FMAU
Automatique
oui
2 preuves crites
(2h)
1 preuve
crite (1h30)
PY30FMTA
TP Automatique
oui
3 comptes rendus
1 preuve
pratique (2h)
PY30FUIN
UE 64 - Informatique
PY30FMIN
Informatique
oui
3 comptes rendus
1 preuve
pratique (2h)
PYG7FUOS
PYG7FMAN
Anglais
0,5
oui
PYG7FMFE
0,5
oui
1 preuve crite
(30 min)
1 preuve
crite (30 min)
PYG7FUPI
UE 66 - Projet intgrateur
oui
Rapport
Soutenance projet
(20 min)
Report de la
note
oui
Rapport
Soutenance projet
(20 min)
Report de la
note
PYG7FMPI
PYG7FUST
UE 67 : Stage de spcialisation
PYG7FMST
9
2
1
3
1
3
Dfinies par le CRL
3
0,5
0,5
3
0,5
0,5
108
Intituls
CM
TD
TP
Enseignants
CI
UE 61 - Electronique 2
Electronique analogique 2
10
Electronique nummrique
20
10
F. ANTONI
F. ANSTOTZ
TP Electronique analogique 2
24
F. SCHWARTZ
TP Electronique nummrique
20
F. DADOUCHE
UE 62 - Convertisseurs
Convertisseurs statiques
24
16
J.-B. KAMMERER
(mutualis avec la L3 Ingnierie)
Convertisseurs lectromcaniques
14
12
J. MICHEL
TP Convertisseurs statiques
16
J.-B. KAMMERER
UE 63 - Automatique
Automatique
26
24
TP Automatique
F. NAGEOTTE
12
UE 64 - Informatique
Informatique
24
30
C. BOILY
12
A. BENELHADJ
12
UE 67 : Stage de spcialisation
L. HEBRARD
au moins 10 semaines
109
110
Objectifs pdagogiques:
Le design des surfaces a pour but dtudier et damliorer les proprits des surfaces, de dvelopper des solutions et des
applications industrielles. Loptimisation du choix des matriaux, la modification des proprits de surfaces des matriaux
par traitement ou revtement, et loptimisation des conditions dutilisation sont au coeur du mtier. La formation dispense
permet une insertion directe dans le milieu industriel (service R&D, proprits industrielle/brevets, service qualit),
comme une insertion en milieu acadmique avec la prparation dune thse de doctorat.
Ltudiant diplm du Master Design des surfaces et matriaux innovants avec le label cursus master en ingnierie (CMI)
possde les comptences techniques et de management pour grer tous les aspects dun projet de R&D depuis le choix
de la technologie jusqu la conception du systme, en passant par la dfinition des spcifications.
Description de la formation:
Sur les trois premires annes, la licence apporte un socle cohrent de fondamentaux scientifiques, une initiation aux
sciences de lingnieur, lmergence dune majeure prfigurant la spcialisation du master, et une formation en sciences
humaines et sociales. Le master, sur les deux dernires annes, confre lexpertise conceptuelle et applicative dans
le secteur de qualification cibl. Les projets et stages occupent une part importante de la formation travers diverses
activits de mise en situation. Enfin, la formation est adosse un ensemble de laboratoires et de centres de recherches
dinnovations et de transferts de technologies et sinsre dans un cadre partenarial industrie-recherche souvrant linternational par le biais des stages et sjours dtudes. A lissue du cursus, ltudiant est diplm de la licence et du master
avec le label national CMI.
Accs et recrutement:
Niveau dentre : L1. Sur dossier et entretien. Un contrat dengagement est propos.
Dure de la formation : 5 ans.
Modalits : candidature en ligne via www.admission-postbac.fr
111
UE 11 - Physique
PY10AM12
Mcanique (*)
PY10AU21
UE 12 - Analyse mathmatique
MIT2AM12
Analyse mathmatique
PY10AU32
UE 13 - Chimie
CH10AM13
Intituls
CH30AM21
Elments chimiques
PY10AU42
UE 14 - Informatique 1
PY10AM41
Informatique
PY10AU51
UE 15 - Anglais
UL20AM01
Anglais
PY10AU61
UE 16 - Mthodologie du travail
universitaire
ED01AMD3
PY10AU71
ED01AMD3
Enseignement douverture
PY10AU92
UE 18 - Sciences et risques
EG01AMD3
Enseignement douverture
PY10AU91
UE 19 - Principes et faits
conomiques contemporains
EG01AMD2
Enseignement douverture
Coeff.
ECTS
Convocation
Epreuve de
rattrapage
6
0.5
0.5
1
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
CC3 (2h30)
1 preuve
crite (2h)
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
CC3 (2h)
1 preuve
crite (2h)
1 preuve
crite (1h)
6
0.5
0.5
1
0.5
0.2
non
0.3
non
0.5
non
Prsentation orale
(15 min)
Epreuve pratique
(4h)
Ecrit en amphi (1h)
0.25
0.25
0.5
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (45 min)
CC2 (45 min)
CC3 (1h30)
1 preuve
crite (1h30)
Moyenne de 2
rapports de TP
Ecrit en amphi (1h)
1 preuve
pratique (2h)
3
0.67
oui
0.33
oui
3
1
3
0.5
0.5
oui
oui
3
Rapport crit
Prsentation orale
(15 min)
Rapport crit
Prsentation
orale (15 min)
3
1
112
(*) Note finale : Note finale : NF = sup ( NE , 0.8 * NE + 0.2 * sup ( NP , NCC ) ) avec NE = moyenne pondre des 3
valuations, NP = note de participation et NCC = note de complments de cours.
(** ) Ltudiant(e) absent(e) toutes les preuves de la matire sera considr(e) comme dfaillant(e).
Session de rattrapage : Pour les UE comprenant plusieurs matires (UE 3), les notes des matires 10 sont conserves
entre les 2 sessions.
Intituls
CM
TD
TP
CI
Enseignants
UE 11 - Physique
Mcanique
70
J.-P. Lavoine
UE 12 - Analyse mathmatique
70
M. Atlagh
UE 13 - Chimie
Mthodologie de la chimie
14
Elments chimiques
20
16
UE 14 - Informatique
R. Welter
20
UE 15 - Anglais
C. Jeandon
20
12
O. Bengone
20
C. Chouissa, S. Rothe
E. Laroche
20
G. Le Dref
UE 18 - Sciences et risques
12
C. Allamel-Raffin, N. Arbor
20
E. Fries-Gugenheim
114
PY10CM15
Intituls
ECTS
UE 31 - Physique
lectromagntisme
PY10CM16
Interfrence, diffraction et
spectroscopie
PY10CU22
UE 32 - Electronique
PY10CM22
Electronique
PY10CU32
UE 33 - Mathmatiques
MIEXCMM7
PY10CM33
PY10CU42
UE 34 - Informatique
PY10CM43
Coeff.
Informatique
PY10EU552
UE 35 - Chimie
OT10CMCO
Chimie organique
PY10CU62
UE 36 - Physique exprimentale
anglais disciplinaire
PY10CM62
Physique exprimentale
anglais disciplinaire
PY10CU72
UE 37 - Accompagnement du
PPP choisir
PY10CM73
Convocation
Epreuve de rattrapage
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
2 devoirs-maison
DE1
DE2
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
CC3 (1h30)
oui
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
QCM (1h30)
TP (4h)
0.33
0.33
0.33
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
CC3 (1h30)
0.25
0.25
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
oui
oui
1.5
(a)
1.5
(b)
1 preuve crite
(3h)
3
1
(c)
1 preuve crite
(0,5) (1h30)
Report notes
TP + QCM (0,5)
1 preuve crite
(2h)
3
oui
oui
1
(d)
oui
oui
3
2 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
2 devoirs-maison
DE1
DE2
1 preuve crite
(2h)
1
3
oui
TP (4h)
oui
oui
oui
Prsentation orale
CV + lettres
Rapport
3
0.25
0.25
0.5
115
Oral (0,5)
Rapport (0,5)
UE 38 - Techniques dexpression
professionnelle
PYG0DMEP
6
0.25
0.25
0.5
3 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
CC3 (2h)
oui
oui
oui
1 preuve
orale (15
min)
Intituls
CM
TD
TP
CI
Enseignants
UE 31 - Physique
lectromagntisme
22
20
22
20
UE 32 - Electronique
M. Alouani
H. Dorkenoo
22
22
P. Lvque, D. Raiser
UE 33 - Mathmatiques
Fonctions plusieurs variables relles
56
24
M. Rausch de Traubenberg
UE 34 - Informatique
20
M. Alouani
UE 35 - Chimie
25
F. Bolze
28
2
S. Harlepp
12
E. Laroche
20
116
L. Faucheux
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
PY10DU12
UE 41 - Physique
PY10DM15
Thermodynamique
Coeff.
ECTS
Convocation
Epreuve de
rattrapage
9
0.43
0.43
0.64
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
CC3 (1h30)
0.75
0.75
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
Projet
1 preuve crite
(1h30)
oui
TP (4h)
Oral (0,5)
(15 min)
Report note des
comptes-rendus
(0,5)
PY10DM16
lectromagntisme
PY10DU22
UE 42 - Mathmatiques
MIEXDMM7
Analyse complexe
PY10DM26
PY10DU32
UE 43 - Informatique
PY10DM35
Informatique
PY10DU42
UE 44 - Physique exprimentale
PY10DM41
Physique exprimentale
PY10DU52
UE 45 - Langues
UL10DM01
UL20DM01
Allemand
Anglais
PY10DU62
PY10DM67
Rayonnements ionisants et
radioprotection
CH30DMG1
Chimie inorganique
OB10DM61
Astrophysique
0.5
0.5
Ouverture (b)
1 preuve crite
(3h)
6
0.75
0.75
0.25
0.25
1
1 preuve crite
(2h)
3
Selon modalits dfinies par le CRL
3
0.5
0.5
oui
oui
117
1 preuve crite
(1h)
2 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
1 preuve crite
(1h30)
UE 47 - Mcanique
PY10DM71
PYG8DUDE
MI10FM00
PY10CU72
UE 49 - Projet 1 50 h de travail
PYG8DUVT
3
0.5
0.5
oui
oui
2 preuves crites
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
1 preuve orale
(15 min)
oui
oui
oui
3 preuves crites
CC1 (1h)
CC2 (1h)
CC3 (2h)
1 preuve orale
(15 min)
oui
oui
Dossier
Oral (15 min)
Dossier
Oral (15 min)
3
0.25
0.25
0.5
3
0.5
0.5
(a) Une option est choisir parmi la liste. Le choix de loption est communiquer la scolarit dans un dlai de 2 semaines
aprs le dbut du semestre.
(b) Ncessite laccord du responsable pdagogique.
Intituls
TP
Enseignants
CM
TD
CI
Thermodynamique
22
18
P. Hbraud
lectromagntisme
22
18
C. Genet
UE 41 - Physique
UE 42 - Mathmatiques
Analyse complexe
Mthodes mathmatiques pour la physique
UE 43 - Informatique
20
48
O. Guichard
24
B. Fuks
UE 44 - Physique exprimentale
C. Boily
28
UE 45 - Langues
S. Harlepp
24
UE 46 - Option et ouverture
S. Rothe
20
I. Rossini
Chimie inorganique
S. Ferlay
Astrophysique
H. Baty
Ouverture
UE 47 - Mcanique
22
20
UE 49 - Projet 1 50 h de travail
20
P.-A. Hervieux
C. Gauhtier
118
119
PY10EU12
Intituls
Coeff.
UE 51 - Physique
PY10EM17
Mcanique quantique
PY10EM18
Physique statistique
PY10EU22
UE 52 - Physique exprimentale
PY10EM23
Physique exprimentale
PY10EU32
UE 53 - Mathmatiques
CC1 (1h)
CC2 (2h)
0.375
0.375
0.75
oui
oui
oui
CC1 (1h)
CC2 (1h)
CC3 (2h)
Epreuve crite
(2h)
oui
oui
Compte-rendu de
TP (4h)
Oral (30 min)
oui
oui
oui
CC1 (2h)
CC2 (2h)
CC3 (2h)
oui
oui
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
PY10EM34
0.75
0.75
PY10EU42
UE 54 - Langues
UL10EM01
UL20EM01
Allemand
Anglais - CLES
PY10EU52
Epreuve crite
(3h)
3
Selon les modalits dfinies par le CRL
1
3
0.33
0.33
0.33
oui
oui
oui
Epreuve crite
(2h)
oui
1 preuve crite
(1h)
0.5
non
0.5
oui
Rapport dinsertion
(5 p)
Oral (10 min)
Rapport
dinsertion (5 p)
Oral (10 min)
UE 56 - Techniques quantitatives
de gestion et projet
Techniques quantitatives de gestion
(*)
Epreuve de
rattrapage
oui
oui
PYG7EMTG
Au cours du
semestre
PY10EM33
0.5
1
0.375
0.375
0.75
PY10EM58
ECTS
Convocation
120
Intituls
CM
TD
Mcanique quantique
28
24
Physique statistique
28
24
TP
CI
Enseignants
UE 51 - Physique
UE 52 - Physique exprimentale
R. Jalabert
P.-A. Hervieux
56
M. Rastei, H. Dorkenoo
UE 53 - Mathmatiques
Calcul des probabilits
28
28
V. Vigon
22
22
H.Molique
18
S. Rothe
UE 54 - Langues
UE 55 - Mcanique des fluides
24
J. Dusek
56
12
14 demi-journes
121
Intituls
Coeff.
UE 61 - Physique
Epreuve de
rattrapage
12
PY10FM17
Physique subatomique
0.666
0.666
PY10FM18
Physique de la matire
0.333
0.333
0.666
oui
oui
oui
CC1 (2h)
CC2 (2h)
CC3 (2h)
PY10FM19
0.666
0.666
oui
oui
CC1 (2h)
CC2 (2h)
PY10FU22
PY10FM23
oui
oui
oui
Oral (0,5)
(30 mIn)
PY10FU32
UE 63 - Physique exprimentale et
anglais disciplinaire
PY10FM33
0.5
oui
0.5
oui
Compte-rendu TP
(4h)
Oral (30 mIn)
PY10FU42
UE 64 - Informatique
oui
oui
oui
CC1 (1h)
CC2 (2h)
Oral projet
oui
oui
0.5
0.5
1
CC1 (2h)
CC2 (2h)
Epreuve crite
(3h)
Report note du
rapport (0,5)
6
0.3
0.7
1
PY10FM45
Informatique
PY10FU52
UE 65 - Options (c)
PY10FM59
Relativit
CH11FMC2
Chimie quantique
PY10FM5A
Introduction la microscopie
0.5
0.5
OB10FM51
OBEXFM32
Astrophysique :
Astrophysique des galaxies
Cosmologie
PY10FM5B
PYG7FMFE
oui
oui
Epreuve crite
(2h)
3
0.25
0.75
Epreuve crite
(1h)
oui
oui
CC1 (1h)
CC2 (1h)
Epreuve crite
(1h)
0.5
0.5
ECTS
Convocation
oui
oui
CC1 (1h)
CC2 (1h)
Epreuve crite
(1h)
0.5
oui
0.5
oui
122
3
0.5
non
Projet de modlisation en
laboratoire
0.5
oui
Rdaction dun
dossier sur la mise
en pratique dans un
laboratoire
Oral projet (20 min)
Evaluation orale
(20 min)
Intituls
TP
CI
Enseignants
CM
TD
Physique subatomique
28
24
A. Nourreddine
Physique de la matire
28
24
G. Pupillo
28
24
M. Alouani
15
UE 61 - Physique
16
E. Chabert
28
M. Rastei, H. Dorkenoo
UE 64 - Informatique
56
UE 65 - Options
20
A. Besson
Relativit
M. Rausch
Chimie quantique
V. Robert
Introduction la microscopie
Fl. Banhart
Astrophysique
Chr. Boily
M. Maaloum
12
12
123
A. Benelhadj
124
Objectifs pdagogiques:
Le magistre de Physique fondamentale (MdPF) est un diplme universitaire sanctionnant une formation scientifique
dexcellence dune dure totale de trois ans qui dbute en L3.
Description de la formation:
Cette formation inclut et complte la prparation des diplmes nationaux de licence et de master Physique.
La formation du MdPF dbouche sur lobtention des diplmes nationaux de licence et de master Physique, ainsi que du
diplme duniversit (DU) magistre de Physique fondamentale .
Le MdPF offre la possibilit de prparer lagrgation de Physique et chimie (option physique). Les tudiants concerns
peuvent ainsi prparer ce concours tout en suivant un cursus renforc menant aux mtiers de la recherche.
Conditions dadmissionet/ou conditions daccs et de pr-requis:
Niveau dentre : L2 ou quivalent. Le MdPF est une filire slective qui recrute les tudiants sur dossier et aprs
un ventuel entretien. A lUniversit de Strasbourg, le MdPF est ouvert aux tudiants de L2 Maths et Physique Approfondies, L2 Physique et L2 Physique-chimie ayant eu dexcellents rsultats. Plus gnralement, il est galement
ouvert aux tudiants de filires quivalentes proposes par dautres universits et des CPGE.
Dure de la formation : 3 ans (admission en L3).
Modalits :
Entrer en L3 : tous les candidats doivent prsenter une candidature travers la plateforme Aria
(https://aria.u-strasbg.fr) ou par Campus France, selon le cas.
Entrer en M1 : admission de plein droit aux tudiants ayant valids la premire anne du magistre de
Physique fondamentale de lUnistra (L3 MdPF).
Tous les autres candidats doivent prsenter une candidature travers la plateforme Aria
(https://aria.u-strasbg.fr) ou par Campus France, selon le cas.
125
Sem.
29/08/2016
35
05/09/2016
36
Semaine 1
Semaine 2
12/09/2016
37
Semaine 3
19/09/2016
38
Semaine 4
26/09/2016
39
Semaine 5
03/10/2016
40
Semaine 6
10/10/2016
41
Semaine 7
17/10/2016
42
Semaine 8
24/10/2016
43
Vacances "Toussaint"
31/10/2016
44
Semaine 9
07/11/2016
45
Semaine 10
14/11/2016
46
Semaine 11
21/11/2016
47
Semaine 12
28/11/2016
48
05/12/2016
49
Semaine 14
12/12/2016
50
Semaine 15
19/12/2016
51
Vacances "Nol"
26/12/2016
52
Vacances "Nol"
02/01/2017
09/01/2017
Examens session 1 S1
16/01/2017
Semaine 1
23/01/2017
Semaine 2
30/01/2017
Semaine 3
06/02/2017
Semaine 4
13/02/2017
Semaine 5
20/02/2017
Vacances "Hiver"
27/02/2017
Semaine 6
06/03/2017
10
Semaine 7
13/03/2017
11
Semaine 8
20/03/2017
12
Semaine 9
27/03/2017
13
Semaine 10
03/04/2017
14
Semaine 11
10/04/2017
15
Semaine 12
17/04/2017
16
Vacances "Printemps"
24/04/2017
17
Semaine 13
01/05/2017
18
Semaine 14
08/05/2017
19
15/05/2017
20
Examens session 1 S2
22/05/2017
21
Examens session 1 S2
29/05/2017
22
JURYS Session 1
05/06/2017
23
JURYS Session 1
126
24
Examens session 2 S1
19/06/2017
25
Examens session 2 S2
26/06/2017
26
03/07/2017
27
JURYS Session 2
10/07/2017
28
JURYS Session 2
(1) pour les tudiants inscrits uniquement en Master 2 physique cellulaire le jury aura lieu semaine 19 et pour les tudiants en double diplme avec l'ESBS un second jury aura lieu en septembre.
127
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Epreuve de
rattrapage
UE 1 - Physique
PY10EM17
Mcanique quantique
1.5
PY10EM18
Physique statistique
1.5
PY10EU12
UE 2 - Physique exprimentale
PY10EM23
Physique exprimentale
PY10EU13
UE 3 - Mathmatiques
PY10EM33
1.5
PY10EM34
1.5
PY10EU14
UE 4 - Langues
UL10EM01
UL20EM01
Allemand
Anglais
PY10EU15
PY10EM23
PY4EUU16
UE 6 - Mcanique quantique et
physique statistique avance
PY10GMMA
0.75
PY10GMPA
0.75
PY4EUU17
UE 7 - Principes variationnels et
mcanique analytique
PY10GMPV
3
Suivant MECC votes pour ces matires
3
1.5
128
Intituls
TP
CI
Enseignants
CM
TD
Mcanique quantique
28
24
Physique statistique
28
24
UE 1 - Physique
UE 2 - Physique exprimentale
56
Al. Barsella
UE 3 - Mathmatiques
Calcul des probabilits
28
28
V.Vignon
22
22
H.Molique
18
S. Rothe
UE 4 - Langues
UE 5 - Mcanique des fluides
24
J. Dusek
14
J. Polonyi
14
Th. Charitat
28
J. Farago
129
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Epreuve de
rattrapage
UE 1 - Physique
12
PY10FM17
Physique subatomique
1.332
PY10FM18
Physique de la matire
1.332
PY10FM19
1.332
PY4EUU22
PY10FM23
Projet tutor
PY4EUU23
UE 3 - Physique exprimentale et
anglais disciplinaire
PY10FM33
PY4EUU24
UE 4 - Informatique
PY10FM45
Informatique
PY4EUU25
CH11FMC2
Chimie quantique
PY10FM5A
Introduction la microscopie
OB10FM51
Astrophysique 1
OBEXFM32
Astrophysique 2
PY10FM5B
6
2
PY4EUU26
PY10FM59
Relativit
1.5
1.5
(*) Ce choix doit tre communiqu dans les 15 jours aprs la rentre.
Bien que le maximum sera fait pour les viter, des chevauchements dans lemploi de temps entre diffrents cours sont
possible pour les matires mutualises entre diffrentes filires.
130
Intituls
TP
Enseignants
CM
TD
CI
Physique subatomique
28
24
A. Nourreddine, C. Jollet
Physique de la matire
28
24
28
24
15
UE 1 - Physique
M. Alouani, K. Dorkenoo
16
J. Dudek
28
UE 4 - Informatique
A. Barsella, K. Dorkenoo
56
A. Besson, E. Chabert
16
16
V. Robert, B. Senjean
Introduction la microscopie
20
F. Banhart
Astrophysique
20
C. Boily
20
M. Maaloum
20
M. Rausch
131
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Epreuve de
rattrapage
PY10GM1A
1.5
OPY10GUMQ
0.5
PY10GM1B
1.5
0.5
ORPY10GUPS
UE 2 - UE choix 1
( choisir parmi programmation ou chimie
organique et cintique) (*)
CMPY10GU32
TPPY10GU32
1
1
CHFMGM01
CHFMGM03
UE 3 - UE choix 2
( choisir parmi choix 1 ou 2 ) (*)
PY10GM4A
PYEXGMM2
PYEXGMM3
Electronique, lectrotechnique et
application (choix 2)
UE 4 - UE Option
(1 matire obligatoire et 1 au choix) (*)
PY10GMA1
OB10GM1A
PY10GMB1
PY10GMD1
PY10GME1
PY10GMF1
PY10GMG1
UL21RM02
132
PY4EULP5
UE Libre (*)
PY1BGU08
UE SPECIFIQUES M1 MdPF
UE 6 - Problmes quantiques plusieurs
corps
PY10GMPQ
3
1.5
UE 7 - Phnomnes critiques et
physique statistique hors quilibre
PY10GMPC
1.5
Bien que le maximum sera fait pour les viter, des chevauchements dans lemploi de temps entre diffrents cours sont
possible pour les matires mutualises entre diffrentes filires.
(*) Ce choix doit tre valid par la responsable du M1 MdPF et communiqu la scolarit dans les 15 jours de la rentre.
133
Intituls
TP
CI
Enseignants
CM
TD
Mcanique quantique
28
28
J. Polonyi, H. Molique
Physique stastitique
28
28
T. Charitat, G. Weick
UE 2 - UE choix 1
Programmation et simulation numrique
24
42
Chimie organique
24
N. Ludwig
21
Cl. Loubat-Hugel
UE 3 - UE choix 2
Physique exprimentale I
60
N. Arbor, S. Berciaud
Electromagntisme et optique
Electronique, lectrotechnique et application
UE 4 - UE Option
56
28
F. Thalmann
28
S. Derrire
28
J. Dudek
28
P. Laquerrire
Relativit gnrale
28
J. Polonyi
Nanostructures et nanophysique
28
B. Doudin
16
S. Rothe
UE 5 - UE choix 3
UE Libre
12
A. Sprauer
28
M. Dufour
28
J. Farago
134
32
M. Dufour, M. Barzoukas
135
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Epreuve de
rattrapage
PY10HM1A
PY10HM1B
Physique de la matire
ORPY10HU12
Oral
UE 2 - UE choix 1
( choisir parmi choix 1 ou 2) (*)
12
PY10HM2A
Stage (choix 1)
PY10HM2B
PY1BHM04
TP montages (choix 2)
PY1BHM05
0.5
PY1BLM4B
0.5
PY1BHM02
1
Suivant MECC votes pour ces matires
de M1 Prparation l agrgation
PY10HMA3
PY1BHM07
Optique physique
PY10HM4A
Particules et astroparticules
PY10HM1B
PY10HM4C
PY10HM4F
Projet tuteur
PY10GMC1
PY10HMAN
PY10HMF2
PYEXHMM1
CHFMHM01
*
136
PY10HU52
UE Libre
CHFMHM02
1.5
1.5
(*) Ce choix doit tre valid par la responsable du M1 MdPF et communiqu la scolarit dans les 15 jours de la rentre.
Bien que le maximum sera fait pour les viter, des chevauchements dans lemploi de temps entre diffrents cours sont
possible pour les matires mutualises entre diffrentes filires.
137
Intitul UE
TP
Enseignants
CM
TD
CI
28
28
S. Courtin et J. Baudot
Physique de la matire
28
28
R. Jalabert, D. Weinmann
UE 2 - UE choix 1
Stage
S. Courtin
J.-Fr. Dayen
TP montages
32
A. Flieller
14
Th. Charitat
14
Th. Charitat
Stage en laboratoire
M. Barzoukas
UE 3 - UE choix 2
Recherches actuelles en physique
Optique physique
20
M. Barzoukas
UE 4 - UE Option
Particules et astroparticules
28
U. Goerlach
28
A. Lanon
28
G. Pupillo
Projet tuteur
28
J. Polonyi
28
D. Riveline
28
Chr. Boily
30
30
V. Villar
N. Ludwig, N. Belfrekh
UE 5 - UE Libre
UE Libre
8.75
21
N. Ludwig
UE 6 - UE spcifique M1 S2 MdPF
Mcanique quantique relativiste
28
28
J. Polonyi
Les jurys du Semestre 3 et 4 de la 2e anne du Magistre sont composs du responsable MdPF et dau moins deux
membres de lquipe pdagogique.
Pour valider la 2e anne du magistre, ltudiant doit :
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Epreuve de
rattrapage
10
30
(a) Le choix du master Recherche 2e anne de Physique, Strasbourg ou ailleurs, doit tre valid par la responsable du
MdPF et communiqu la scolarit.
(b) Le choix de(s) matire(s) supplmentaire(s) doit tre valid par la responsable du MdPF et communiqu la scolarit.
139
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Au cours du
semestre
Epreuve
de rattrapage
10
30
6
1.5
1.5
non
non
Rapport crit
Oral
Report
Report
(a) Le choix du master recherche 2e anne de Physique doit tre valid par la responsable du MdPF.
(b) Le choix du magistre doit tre valid par la responsable du MdPF..
140
Objectifs pdagogiques:
Cette licence professionnelle (LP) sadresse toute personne possdant un BTS dOptique-lunetterie (OL). Son contenu,
vari mais cibl, permettra aux diplms de prendre de faon efficace, des responsabilits au sein de leur magasin ou succursale. Les matires enseignes couvrent aussi bien loptomtrie, la contactologie et la basse vision de faon approfondie, que loptique physique, des notions de neurosciences, le marketing, la vente, la gestion dentreprise, les ressources
humaines, et des aspects juridiques. A ct des enseignements structurs, des intervenants extrieurs proposeront des
ateliers qui serviront de base dchanges avec les salaris et qui pourront dboucher sur le suivi des projets tuteurs.
Description de la formation:
La formation acadmique se fera les lundis et mardis (532 heures) tandis que le reste de la semaine (21 heures) sera
consacr lactivit en entreprise. Le stage est donc remplac par lactivit tout au long de lanne (de mi septembre
mi juillet) en magasin ou autre, et le rapport sera une analyse critique dun aspect particulier du mtier, en accord avec
le responsable.
Lobtention de la licence suppose lacquisition des certificats de comptence en langue (CLES) et en informatique (C2i).
Leur prparation est incluse dans la formation.
Conditions dadmissionet/ou conditions daccs et de pr-requis:
Admission sous rserve de lobtention du diplme BTS OL et lissue dun entretien.
Contrat de professionnalisation sign avec une entreprise.
La date limite de dpt des candidatures est fixe dbut juillet pour une convocation mi-juillet et dcision quelques jours
aprs.
Candidature dposer sur le site: aria.u-strasbg.fr
Dbouchs :
Les titulaires de la licence professionnelle mtiers de loptique et de la vision peuvent exercer le mtier dopticien lunetier
avec des connaissances supplmentaires (gestion, marketing) et donc plus de responsabilits quavec un simple BTS
OL.
Poursuites dtudes:
Les personnes ayant obtenu une licence professionnelle mtiers de loptique et de la vision peuvent prsenter un master
doptomtrie. Elles seront ainsi capables la fois denseigner loptomtrie tout en ayant en charge un magasin dopticien
lunetier.
141
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Natures et dures
des valuations
(au cours du semestre)
PY503U12
UE 1 - Optique et vision
PY503M15
Optique physique
1
1
1
non
non
non
PY503M16
TP doptique
non
Rapport de TP
PY503M17
Neurosciences
non
QCM
PY503U22
UE 2 - Marketing, comptabilit
PY503M25
Marketing et vente
1.5
1.5
1.5
non
non
non
CC1 (1h30)
CC2 (1h30)
CC3 (1h30)
PY503M26
4.5
2
2.5
non
non
PY503U32
UE 3 - Management des RH
non
non
PY503M37
Gestion dentreprise
1
1
PY503M38
Ressources humaines
non
non
PY503M39
Aspects juridiques
non
PY503U42
UE 4 - Optomtrie, contactologie,
basse vision
PY503M46
Optomtrie
2
2
2
non
non
non
PY503M47
2
2
2
non
non
non
PY503U52
UL10EM01
UL20EM01
Allemand ou
anglais
oui
PY503B52
oui
PY503M62
Ateliers
PY503U72
UE 6 - Projet tutor
PY503M71
Projet tutor
PY503U82
UE 7 - Rapport professionnel
PY503M83
Rapport professionnel
12
1.5
non
0.5
non
6
3
2
non
non
non
Rapport crit
Prsentation orale
(30 min)
Apprciation du tuteur
12
6
4
non
non
non
142
Rapport crit
Prsentation orale + questions
(30 min)
Apprciation du patron
(*) Des preuves de rattrapage sont organises par le CRL et le dpartement de prparation au C2i auxquelles les tudiants peuvent sinscrire.
QCM pour le rattrapage de la note des ateliers.
Session de rattrapage : preuve orale d1/2 heure par matire. Report des notes > 10/20.
Pour valider la licence professionnelle MOV, il faut obtenir la moyenne gnrale pour lensemble des UE et, en plus, la
moyenne lensemble (UE 7 + UE 8).
Volume horaire
CM
TD
TP
CI
Enseignants
UE 1 - Optique et vision
50
Optique physique
20
TP doptique
N. Parizel
N. Parizel
15
D. Hicks
Marketing et vente
40
F. Remy
40
D. Spitzer
Gestion dentreprise
18
A. Quentel-Kaesmann
Ressources humaines
20
A. Quentel-Kaesmann
Aspects juridiques
12
Matre G. Scheuer
Neurosciences
UE 2 - Marketing, comptabilit
UE 3 - Management des RH
60
50
R. Derhy, R. Benolid
60
50
Q. Bena
12
S. Rothe
15
B. Vileno
40
Ateliers
UE 6 - Projet tutor
Q. Bena
UE 7 - Rapport professionnel
R. Derhy
143
UE 1 - Optique et vision
Optique physique
Les thmes visent actualiser un certain nombre des connaissances en optique de base et en particulier celles lies aux
instruments et celles ncessaires pour suivre lvolution des techniques optiques dans le domaine de loptique-lunetterie
(vision 3D, optique diffractive).
Optique ondulatoire
Rappel sur les ondes
Ondes lectromagntiques
Interaction lumire-matire
Passage dun milieu un autre
Milieux birfringents et optiquement actifs, dispositifs de polarisation
Optique gomtrique
Rappels
Traitement des associations de lentilles et des systmes pais
Instruments doptique
Photonique
Dcouverte du photon, discontinuit des niveaux dnergie, Absorption, missions spontane et stimule, Principe
du LASER, diodes lectroluminescentes, photorcepteurs
lments de photomtrie
Caractrisation des sources et des faisceaux, grandeurs et units photomtriques
TP doptique
Les TP doptique reprsentent 5 sances de 4 h abordant loptique gomtrique et ondulatoire. Des thmes comme la
focomtrie, les divers types daberrations des lentilles, les interfrences, la diffraction, la polarisation, la dispersion
seront expriments. Les tudiants remettront un compte-rendu aprs chaque sance.
Neurosciences
Cet enseignement porte sur la manire dont le cerveau traite le signal du nerf optique et dun certain nombre de pathologies que lopticien lunettier doit pouvoir distinguer dun simple problme dacuit visuelle telle la dyspraxie.
UE 2- Marketing, comptabilit
Marketing et vente
Le cours aborde les thmes suivants : 1. dfinition du marketing; 2. le march et le consommateur; 3. les tudes et
recherches en marketing; 4. marketing et stratgie; 5. le marketing-mix; 6. la politique de produit; 7. la politique de prix;
8. la politique de distribution; 9. la politique de vente; 10. la politique de communication
Comptabilit, gestion dentreprise
Lenseignement est constitu dun cours o sont abordes les bases de la cration, du fonctionnement et de lexploitation
dune entreprise.
Les thmes abords sont: 1. La cration de la socit: formes juridiques, intrts et inconvnient de chaque forme,
dmarche de cration. 2. Les rgimes sociaux des dirigeants dentreprise. 3. Le rsultat comptable et fiscal de lentreprise.
4. La TVA et autres obligations fiscales. 5. Les salaris de lentreprise. 6. Seuil de rentabilit et autres outils danalyse. 7.
La responsabilit du dirigeant dentreprise. 8. Lentreprise en difficult. 9. Le business plan.
Au terme du semestre, les tudiants, par groupe de 4 5 personnes, tablissent un business plan (environ 30 pages),
qui fait lobjet dune soutenance orale.
UE 3 - Management des ressources humaines
Ressources humaines
Les thmes abords seront : 1. Les principes directeurs de la communication: mal communiquer est normal! 2. Le dveloppement du capital humain : lquilibre motivation et challenge. 3. Les bases de la dlgation : gnrer linitiative et
susciter la crativit. 4. Les principaux styles de management et leurs consquences : sadapter ses collaborateurs et
son environnement entrepreneurial. 5. tre un exemple nimplique pas toujours dtre exemplaire ! 6. Le contrle et ses
consquences : contrler pour aider. 7. La reconnaissance de leffort et du rsultat : la flicitation. 8. Lentretien constructif
: ltape incontournable du dveloppement personnel. 9. Le changement et la remise en cause : dpasser la rsistance
naturelle au changement et continuer apprendre. 10. La dcision et la reconnaissance de lerreur: des responsabilits
managriales non dlgables. 11. La rprimande : la motivation par la rfrence aux principes. 12. La ngociation : un
tat constant qui implique des mthodes et des comportements contrls. 13. La conduite de lquipe : lingnieux complmentarit des valeurs ajoutes.
Gestion dentreprise
Les thmes abords seront: 1. lanalyse du bilan le bilan fonctionnel, le fonds de roulement, le besoin en fond de roulement, la trsorerie. 2. lanalyse du compte de rsultat. 3. les comptes intermdiaires de gestion. 4. Les ratios danalyse
de lentreprise. 5. Le financement de lentreprise et les principaux quilibres.
Aspects juridiques
Les thmes abords seront: 1. La structure juridique de lentreprise; 2. Les relations juridiques de lentreprise avec ses
salaris; 3. Les relations juridiques de lentreprise avec ses fournisseurs; 4. Les relations juridiques de lentreprise avec
ses clients; 5. Les relations juridiques de lentreprise avec ses concurrents
144
Licence professionnelle Electricit et lectronique spcialit Qualit et matrise de lnergie lectrique (QMEE)
Responsable: Philippe CELKA
Objectifs pdagogiques:
La formation rpond aux nouveaux besoins en matire d'efficacit nergtique, du dveloppement des nergies renouvelables et de la matrise de la qualit de l'nergie lectrique. Elle apporte des tudiants de niveau Bac +2 les complments indispensables permettant d'acqurir les savoirs, savoir-faire et savoir-tre demands par les entreprises dans ces
nouveaux domaines.
Description de la formation:
La formation se fait en alternance entre une partie formation et une partie en entreprise. La formation est quilibre entre:
les enseignements scientifiques gnraux ncessaires une bonne comprhension des phnomnes en jeu;
les enseignements technologiques spcifiques au domaine de l'nergie lectrique permettant d'acqurir une bonne
culture du domaine;
les enseignements transversaux qui permettent de se positionner comme un collaborateur fiable et efficace en
entreprise.
Accs et recrutement:
La licence professionnelle QMEE s'insre dans l'offre de formation de l'Universit de Strasbourg et fait partie des dbouchs possibles pour les tudiants inscrits en licences Physique ou Sciences pour lingnieur (entre de plein droit avec
120 crdits ECTS). Les diplmes suivants permettent galement un accs la licence professionnelle: DUT GEII et GIM,
BTS Electrotechnique. Les candidatures d'un bon niveau des diplmes suivants peuvent galement tre acceptes: BTS
Domotique, BTS Techniques physiques pour l'industrie et le laboratoire, DUT Mesures physiques. Possibilit de VAE et de
VAP. Ladmission se fait aprs une slection sur dossier puis entretien.
Dbouchs :
La Licence professionnelle QMEE vise une insertion professionnelle directe sur des postes suivants: technicien dexpertise des rseaux lectriques, technicien de bureau de contrle, technicien de laboratoire dessais, technico-commercial,
assistant chef de produit, conducteur de travaux; et terme sur les postes suivants: responsable nergie, maintenance
et travaux neufs, charg daffaires ou de clientle, manager marketing technique, responsable produits, chef de projets...
Poursuites dtudes:
Les licences professionnelles visent l'insertion professionnelle l'issue de la formation. A titre exceptionnel, des poursuites
en master sont possibles, notamment dans des masters en alternance.
Modalits dvaluation particulires:
La validation de la licence professionnelle ncessite une moyenne suprieure ou gale 10 lensemble des UE
de lanne (y compris stage et projets) ET une moyenne suprieure ou gale 10 aux UE 4 et 5 (stage et projets).
Capitalisation des UE : une UE acquise (note suprieure ou gale 10/20) lest dfinitivement et ne peut tre reprsente.
En premire session : le contrle des connaissances est une valuation continue intgrale. Ces preuves sont organises
sans convocation.
En cas dabsence une preuve de contrle continu, ltudiant devra envoyer par mail lenseignant concern un justificatif avec copie la scolarit, au responsable de formation et au matre dapprentissage (pour les apprentis et contrats
pro.) Cette dmarche devra imprativement tre effectue dans un dlai de rigueur de 7 jours ouvrs sauf cas de force
majeur. Lenseignant jugera la recevabilit du motif dabsence.
En cas dabsence justifie une preuve crite de contrle continu, ltudiant subit un contrle individuel crit ou oral.
En cas dabsence non justifie, lenseignant attribuera la note de 0/20 lpreuve correspondante.
Une session de rattrapage (2nd session) est organise sous forme dpreuves orales selon les matires pour les
tudiants qui nauraient pas valid le diplme la premire session.
Report de notes (1re session -> 2nd session) en cas dinsuccs la 1re session :
- Les notes obtenues lors de la 1re session aux TP sont reportes la 2nd session.
- Les UE dont la note est suprieure ou gale 8/20 peuvent tre conserves pour la session de rattrapage.
- Les UE dont la note est infrieure 8/20 doivent obligatoirement tre reprsentes en session de rattrapage.
- Lorsquun tudiant choisit de se reprsenter la session de rattrapage pour amliorer ses rsultats dans une UE, il doit
imprativement repasser toutes les matires de cette UE dont les notes sont infrieures 10/20.
- Une note suprieure ou gale 10/20 obtenue un lment constitutif dune UE non valide en premire session peuttre conserve uniquement pour la seconde session de lanne en cours. Cependant, si ltudiant choisit de repasser
lpreuve correspondante, seule la note obtenue en session de rattrapage sera prise en considration.
146
Enseignements
:
Codes
apoge
PY523U01
Intituls
Coeff.
UE 1 Comptences transversales
ECTS
Convocation
12
PY523MA1
3/7
2/7
PY523MA1
Management
1/7
non
Travail en groupe
PY523MA1
Action commerciale
1/7
non
Travail en groupe
PY523MA2
Anglais
2/9
2/9
non
non
Modalits dfinies
par le CRL
PY523MA2
Finance dentreprise
3/9
non
PY523MA2
Communication
1/9
1/9
non
non
PY523MA3
Normes
5/10
3/10
1/10
non
non
non
PY523MA3
Scurit
1/10
non
PY523U02
UE 2 - Comptences scientifiques
PY523MB1
2/3
2/3
2/3
1
non
non
non
non
PY523MB2
Transformateurs et alternateurs
2/3
1/3
non
non
PY523MB2
Electronique de puissance
2/3
1/3
non
non
PY523MB3
Thermique et thermodynamique
1/2
1/2
non
non
PY523MB4
Communication et rseaux
informatiques
2/3
1/3
non
non
PY523U03
UE 3 - Comptences professionnelles
PY523MC1
1/2
1/2
non
non
PY523MC2
5/7
non
Travaux personnels
PY523MC2
Compatibilit lectromagntique
1/7
non
PY523MC3
Energie photovoltaque
1/4
non
PY523MC3
Projets photovoltaques
1/3
non
Travaux personnels
PY523MC3
Energie olienne
1/8
non
PY523MC4
Eclairage
2/6
1/6
non
non
PY523MC4
Efficacit nergtique
1/2
non
Travaux personnels
PY523MC4
1/6
non
PY523U04
UE 4 Projet tuteur
non
Projet tuteur
non
non
Travaux personnels
Oral (20 min)
Epreuve orale
de 15
30 min.
Report des
notes suprieures ou
gales 10.
12
Epreuve orale
de 15
30 min.
Report des
notes suprieures ou
gales 10.
15
Epreuve orale
de 15 30
min.
Report des
notes suprieures ou
gales 10.
6
1/5
PY523U04
Session de
rattrapage
2/5
2/5
147
non
non
Rapport +
soutenance
UE 5 - Stage
15
Prparation au stage
1/5
non
Dossier
Stage
4/5
non
Rapport + soutenance +
note de travail (1h)
Dossier +
soutenance.
Report de la note
Volume horaire
CM
TD
TP
Enseignants
CI
UE 1 Comptences transversales
Management, gestion de projet, marketing et
action commerciale
61
Anglais
18
Environnement juridique
Finance dentreprise
24
Communication
10
S. Aubriot
Fr. Jolly
Normes
33
Scurit
V. Di Cerbo
UE 2 - Comptences scientifiques
Signaux et systmes lectriques
33
12
E. Laroche
Transformateurs et alternateurs
12
12
Electronique de puissance
16
16
Ph. Celka
20
F. Menina
12
Ph. Celka
24
M. Chafra
24
S. Vossot
Thermique et thermodynamique
Communication et rseaux informatiques
UE 3 - Comptences professionnelles
Compatibilit lectromagntique
Energie photovoltaques
J. Michel
10
P. Lvque, J. Krauth
J. Krauth
12
Ph. Celka
Efficacit nergtique
36
S. Vossot
R. Altenbach
Energie olienne
Eclairage
UE 4 Projet tuteur
100
148
149
150
La licence professionnelle (LP) TNRP est conue pour donner, en un an, une connaissance et un savoir-faire directement
utilisables dans lindustrie nuclaire. Elle a t cre parmi les premires licences professionnelles en 2000. Elle fait suite
un diplme duniversit (le certificat denseignement spcialis TNRP), reconnu pour la qualit des promotions formes
depuis de nombreuses annes.
Elle forme des techniciens suprieurs et des cadres susceptibles dintervenir dans les diffrents mtiers relevant des
sciences et techniques nuclaires : mtrologie des rayonnements, instrumentation nuclaire, radiochimie, exploitation
dinstallations nuclaires, radioprotection en milieu hospitalier et industriel, dmantlement dinstallations nuclaires, surveillance de lenvironnement.
Description de la formation:
Les licences professionnelles sont conues comme des formations spcialises de caractre technologique au niveau
Bac +3. Un enseignement de cette nature est fond dune part sur un besoin conomique identifi et dautre part sur
lexistence de comptences et dun soutien logistique garantissant la qualit de la formation.
L'Universit de Strasbourg bnficie dune renomme internationale pour ses activits scientifiques, pour la qualit de son
enseignement et ses laboratoires de recherche fondamentale et applique associs. Elle est rpute pour son importante
activit de recherche en physique nuclaire et sa large exprience pdagogique dans les formations fondamentales et
technologiques divers niveaux (licence et master professionnels).
La formation est adosse au laboratoire de lInstitut pluridisciplinaire Hubert-Curien (dpartement de recherche subatomique), ple de comptence en physique nuclaire.
Conditions dadmissionet/ou conditions daccs et de pr-requis:
Cette formation est accessible aux titulaires dun diplme scientifique niveau bac +2: L2 (ou DEUG) sciences (Physique,
Chimie, STPI), DUT (MP, Chimie, GEII, GTE, HSE), BTS (TPIL, Chimie, CIRA). Possibilit de VAE et de VAP.
Ladmission se fait aprs une slection sur dossier puis un entretien (nombre de places limit 24 par promotion).
La formation est propose aussi en enseignement distance pour les stagiaires en formation continue.
Dbouchs :
Cette licence professionnelle tant ddie au domaine du nuclaire, la quasi-totalit des tudiants diplms intgrent les
laboratoires du CEA 16 %, les entreprises du groupe AREVA 14 %, les centres EDF 10 % et des entreprises ou organismes de contrle qui leur sont lis: CERAP 7 %, APAVE 7 %, IRSN 5 %, autres entreprises du domaine 29 %.
Ces dernires annes, nous constatons l'mergence dune demande du secteur hospitalier qui prend progressivement
conscience de limportance de la radioprotection dans son fonctionnement quotidien CHU 2 %.
Poursuites dtudes:
Certains tudiants diplms (environ 10 %) choisissent galement de poursuivre leurs tudes (masters professionnels,
coles dingnieurs), bien que ce ne soit pas le dessein dune formation professionnelle.
Pour dautres, une poursuite dtudes en master professionnel au titre de la formation continue a pu tre effectue aprs
plusieurs annes dans le monde professionnel.
La validation des acquis de lexprience (VAE) a permis, aprs plusieurs annes passes en entreprise, certains professionnels de postuler pour lobtention du diplme de la licence pro TNRP.
151
Admission : une moyenne suprieure 10/20 aux UE 1 8 (compensation entre les semestres 5 et 6 en fonction des
coefficients) et une moyenne suprieure ou gale 10 aux UE 7 + UE8 (semestre 6) sont requises. Il y a compensation entre les lments constitutifs dune UE. La compensation est possible entre les UE 1 8.
Capitalisation des UE : une UE acquise (note suprieure ou gale 10 /20) lest dfinitivement et ne peut tre
reprsente.
En premire session : le contrle des connaissances est une valuation continue intgrale. Les contrles crits
E sont organiss sans convocation pendant les modules denseignement attribus chaque matire et ont une
dure variant de 45 minutes 1h30 ; le calcul de la note finale est explicit pour chaque matire dans le tableau
page suivante.
Les coefficients des diffrentes matires sont proportionnels au volume horaire (cf tableau).
Les TP sont soumis un contrle continu tabli par chaque enseignant correspondant en gnral la notation des
comptes rendus de travaux pratiques (CR) et le calcul de la note finale est fourni dans le tableau page suivante.
Les modalits dvaluation des projets et du stage sont prcises dans le tableau suivant.
En cas dabsence une preuve de contrle continu, ltudiant devra envoyer par mail lenseignant concern un
justificatif avec copie la scolarit et au responsable de la formation. Loriginal du justificatif devra tre remis la
scolarit. Cette dmarche devra imprativement tre effectue dans un dlai de rigueur de 7 jours ouvrs sauf cas
de force majeure. Lenseignant jugera de la recevabilit du motif dabsence.
En cas dabsence justifie une preuve crite de contrle continu, ltudiant subit un contrle individuel crit ou
oral. En cas dabsence des TP, les sances doivent obligatoirement tre rattrapes.
En cas dabsence non justifie, lenseignant attribuera la note de 0/20 lpreuve correspondante.
Si ltudiant est absent tous les contrles dune matire sans justification, il est dclar dfaillant lUE et est
limin du semestre.
Une session de rattrapage est organise sous forme dpreuves crites ou dpreuves orales selon les matires
pour les tudiants qui nauraient pas valid le diplme la premire session (cf tableau page suivante).
Report de notes (1re session -> 2e session) en cas dinsuccs la 1re session :
- Les notes obtenues lors de la 1re session aux TP, projets et TER sont reportes la 2e session.
- Les UE dont la note est suprieure ou gale 8/20 peuvent tre conserves pour la session de rattrapage.
- Les UE dont la note est infrieure 8/20 doivent obligatoirement tre reprsentes en session de rattrapage.
- Lorsquun tudiant choisit de se prsenter la session de rattrapage pour amliorer ses rsultats dans une
UE, il doit imprativement repasser toutes les matires de cette UE dont les notes sont infrieures 10/20.
- Une note suprieure ou gale 10/20 obtenue un lment constitutif dune UE non valide en premire
session peut tre conserve uniquement pour la session de rattrapage de lanne en cours. Cependant, si
ltudiant choisit de repasser lpreuve correspondante, seule la note obtenue en session de rattrapage
sera prise en considration.
Des calculatrices TI-30-collge sont fournies pour toutes les preuves de contrle continu. Seule lutilisation de ces
calculatrices est autorise.
Toute situation particulire, non prvue par les rgles dadmission, sera examine par le Jury de la Licence Professionnelle.
Mesures transitoires : le jury examinera au cas par cas les situations et fera une proposition de contrat pdagogique
permettant de garantir la meilleure russite possible aux tudiants redoublants pour la rentre 2014.
Stage :
Les soutenances de mmoires de stages ont lieu en prsence de plusieurs enseignants de la Licence Professionnelle et des Matres de stages.
Jury :
Le Conseil pdagogique est compos de tous les enseignants et intervenants extrieurs.
Le jury de diplme est compos de quatre enseignants dont le responsable de la formation.
152
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY53EU12
PY53EM1D
Physique atomique
non
0,33 x E1 (1h) +
0,67 x E2 (1h30)
E (1h)
PY53EM1E
Physique nuclaire
2.5
non
0,33 x E1 (1h) +
0,67 x E2 (1h30)
E (1h)
PY53EM1F
TP physique nuclaire
1.5
non
Moyenne CR (*)
Report note TP
PY53EU22
UE 2 - Comptences en dtection
des rayonnements ionisants
PY53EM2E
Electronique nuclaire
non
0,5 x E1 (1h) +
0,5 x E2 (1h)
E (1h)
PY53EM2F
2.5
non
0,33 x E1 (1h) +
0,33 x E2 (1h) +
0,33 x E3 (1h)
E (1h30)
PY53EM2G
TP dtecteurs + lectronique
nuclaire
1.5
non
Moyenne CR (*)
Report note TP
PY53EU32
UE 3 - Comptences en ingnierie
des racteurs
PY53EM3A
non
E (1h30)
E (30 min)
PY53EM3C
Chimie du cycle
1.5
non
E (1h)
E (45 min)
non
1.5
non
Moyenne CR (*)
Report note TP
1.5
non
E (1h)
non
E (1h)
PY53EM3D
PY53EM3E
TP racteurs
PY53EU42
PY53EM4B
Radiochimie
PY53EM4C
PY53EM4D
Radioprotection et confrences
dexpertise
non
0,5 x E1 (1h30) +
0,5 x E2 (1h30)
non
E (1h)
E (30 min)
non
E (1h)
E (30 min)
1.5
non
Moyenne CR (*)
Report note TP
PY53EM4E
PY53EM4F
153
UE 5 - Comptences en acquisition et
traitement des donnes
PY53EM54
TP Labview
1.5
non
Moyenne des CR
Report notes TP
PY53EM55
non
Moyenne des CR
Report notes TP
PY53EM56
non
0,5 x E1 (1h30) +
0,5 x E2 (1h30)
E (1h)
PY53EM57
TP simulation numrique
1.5
non
Moyenne des CR
Report notes TP
PY53EU62
UE 6 - Projet personnel de
comptences (3 au choix)
PY53EM61
non
E (1h30)
E (1h) + E (1h)
+ E (1h)
PY53EM62
non
0,67 x E (1h) +
0,33 x CR
PY53EM63
non
0,8 x E (1h) +
0,2 x CC
PY53EM64
non
E (1h30)
PY53EM66
Technique du vide
non
0,75 x E (1h) +
0,25 x CR
PY53EM68
non
0,67 x E (1h) +
0,33 x CR
Report notes TP
E : preuve crite
RE : rapport crit
CR : compte-rendu
(*) Une moyenne des notes des comptes rendus de TP sera effectue en affectant des coefficients en relation avec la
dure des TP.
154
Intituls
TD
TP
Enseignants
CI
21
I. Rossini
27
O. Dorvaux
40
I. Rossini
21
M. Rousseau
24
12
M. Rousseau
N. Arbor
20
8
I. Rossini
M. Rousseau
12
K. Bekkour
Chimie du cycle
12
Q. Raffy
24
B. Gall
TP racteurs
14
15
Q. Raffy
I. Rossini
33
A. Nourreddine + 9h confrences
Dr Gonzalez, C. Brossard,
S. Dion
12
N. Clauss
12
R. Nuez
8
16
12
12
D. Raiser
18
TP simulation numrique
Chr. Hoffmann
24
N. Arbor
A. Sellam, N. Arbor
15
B. Gall, A. Sellam
E. Chrsitoffel
15
P. Choquet
15
Q. Raffy
Technique du vide
12
D. Raiser, M. Rastei
F. Kuntz
155
156
158
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY53FU12
UE 7 - Projet tuteur
UL20EM01
Anglais technique
6
oui
PY53FM16
Projet personnel
non
RE + TP
E(1h)
PY53FM17
TER radioproetction +
projet tudiant de valorisation
non
PY53FU22
UE 8 - Stage
PY53FM23
Stage
non
MCC LV (3h)
15
15
E : preuve crite
RE : rapport crit
ET : valuation du travail par le matre de stage
MCC LV: modalit de contrle de connaissances en LV dfinies par le CRL: examen CLES2 en fin de semestre (dure
3h).
Admission : une moyenne suprieure 10/20 aux UE 1 8 (compensation entre les semestres 5 et 6 en fonction des
coefficients) et une moyenne suprieure ou gale 10 aux UE 7 et 8 sont requises.
Volume horaire
CM
TD
TP
Enseignants
CI
UE 7 - Projet tuteur
Anglais technique
12
M. Schlick
Projet personnel
28
B. Gall et autres
15
A. Nourreddine, I. Rossini
UE 8 - Stage
159
UE 7 Projet tuteur
Anglais technique
Auto formation au Centre de ressources de langues minimum de 12 h daccs fixe plus accs libre.
Prparation obligatoire du CLES.
Projet personnel
Le projet personnel dune dure de 28 h se droule sur la priode de janvier mars. Les sujets traits sont en relation
avec les thmatiques de la formation et le travail seffectue en petits groupes de 2 6 tudiants environ. Il est souhaitable
que les travaux incluent une partie exprimentale, une analyse des rsultats, une recherche et une tude de documents.
Un rapport crit sera fourni et valu par le lenseignant tuteur du projet.
TER + projet tudiant de valorisation
Travail encadr de recherche de radioprotection (TER)
Des sujets dont les thmatiques sont en rapport avec le cours de radioprotection seront proposs durant lanne. Un
travail de synthse sera effectu par les tudiants en binmes ou trinmes et donnera lieu une soutenance orale et un
rapport crit qui seront valus.
Projet tudiant de valorisation
Aider ltudiant prciser et valoriser son parcours pour intgrer le monde professionnel. Mise en uvre de 5 tapes
mthodologiques : bilan personnel, recherche dinformations, prcision de son projet, rdaction dun CV et dune lettre de
motivation, prparation lentretien de slection ou de recrutement. Prparation aux soutenances orales et la rdaction
du rapport de stage.
UE 8 - Stage en entreprise
Un stage obligatoire dune dure de 16 24 semaines doit permettre ltudiant de prendre conscience de la problmatique industrielle et de mener bien une tude ou un projet prsentant un intrt pour lentreprise et constituant une
premire exprience professionnelle. Une soutenance orale et un rapport crits seront fournis lissue du stage.
160
La Licence professionnelle production industrielle spcialit prototypage de produit et d'outillage vise optimiser dune
part la relation produit /matriau /procd /processus partir des donnes de conception et de production issues du
bureau dtude.
Dune part elle vise former des diplms (bureau dtudes-bureau de mthodes) qui pourront voluer dans le secteur
de la production mcaniquepour promouvoir linnovation dans ces diffrentes tapes et rduire les dlais de conception
et dindustrialisation.
Dautre part, les enseignements ont pour objectif damener les tudiants valider un principe doutillage garantissant la
faisabilit des pices envisages via la dfinition de maquettes numriques, prototypages rapides
Description de la formation:
Ne de la demande industrielle et fortement soutenue par le tissu industriel rgional, cette licence professionnelle dispense conjointement par lUniversit de Strasbourg et le lyce du Haut Barr Saverne sappuie sur une pdagogie active,
mlant enseignements thoriques, projets et travaux pratiques, en lien permanent entre la matire et le virtuel.
Au sein dune pdagogie active, une place toute particulire est accorde au passage de la maquette numrique la
matire en termes dingnierie (qualit, calculs/dimensionnement, processus de fabrication), laissant une large place
la mise en uvre de projets.
Cest une formation:
universitaire valide par 60 crdits ECTS ;
en troite relation avec les professionnels du secteur (30% des enseignements + stage) ;
o Les tudiants peuvent bnficier d'un contrat d'apprentissage ou d'un contrat de professionnalisation ;
organise en alternance (2 semaines en cours/2 semaines en Entreprise).
Accs et recrutement:
La Licence professionnelle PPO s'insre dans l'offre de formation de l'Universit de Strasbourg et fait partie des dbouchs possibles pour les tudiants inscrits en licence Physique ou Sciences pour lingnieur (entre de plein droit aprs
une tude de dossier).
Les diplmes lis aux domaines du gnie mcanique, des matriaux et des procds donnent galement accs la
licence professionnelle.
Cette licence est galement ouverte aux lves de classes prparatoires aux grandes coles TSI et PT, aux lves
d'coles d'ingnieurs en rorientation, aux tudiants trangers de niveau comparable aux DUT ou BTS, et aux personnes
ayant entam une dmarche de validation des acquis de l'exprience (VAE).
Cette licence professionnelle est ouverte en formation initiale, dans le cas dune rorientation ou dune reprise ou dune
poursuite dtudes, en complment dune formation Bac +2 obtenue dans des thmatiques ayant trait au gnie mcanique et au gnie industriel
Dbouchs :
Les diplms, linterface entre le bureau dtude et la fabrication, pourront voluer dans le secteur de la production
mcanique: secteur de production mcanique: service industrialisation, bureau des mthodes, service qualit, service de
lorganisation et de la gestion de production, service maquettage et prototypage
Poursuites dtudes:
Cette licence est oriente vers la professionnalisation, les tudiants seront bien prpars pour le travail. Elle nest pas
destine au renforcement des connaissances ncessaires pour la poursuite des tudes.
Modalits dvaluation particulires :
Pour obtenir la licence professionnelle Prototypage de produit et doutillage, il est ncessaire dobtenir :
une moyenne gnrale (UE 1 5) suprieure ou gale 10/20 ;
une moyenne suprieure ou gale 10/20 dans les UE 4 et UE 5.
161
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY553U10
UE 1 - Communication et
entreprise
PY553M11
oui
PY553M12
Communication
non
PY553M13
Management
non
Notes TP
PY553M14
Conception inventive
non
PY533U20
UE 2 - Dveloppement de
produits
PY553M21
Mthodologie de conception
0.5
0.5
non
PY553M22
non
PY553M23
non
PY553M24
Chane numrique
non
PY553U3A
UE 3 A Parcours prototypage
PY553MA1
1
1
non
PY553MA2
CAO
0.5
0.5
non
PY40EM44
0.5
0.5
non
oral (2h)
PY553U3B
UE 3 B- Parcours outillage et
validation process
PY553MB1
0.5
0.5
non
crit (2h)
PY553MB2
non
PY553MB3
1
1
non
PY553U40
UE 4 - Projet
PY553M41
Projet tutor
non
rapport + soutenance +
travail
PY553M42
non
Dossier +
oral (30 min)
PY553U50
UE 5 - Stage
PY553M51
Stage en entreprise
non
Soutenance + travail +
rapport (30 min)
Soutenance
PY553M52
Valorisation de stage
Dossier
Dossier
6
Modalits dfinies par le CRL
12
12
12
24
oui
Session de rattrapage : les notes suprieures ou gales 10 par lments sont reportes la session de rattrapage.
La prsence aux TP est obligatoire car chaque sance est note.
Lobtention de la licence professionnelle ncessite :
une moyenne gnrale suprieure ou gale 10.
une moyenne des UE 4 (projet) et 5 (stage) suprieure ou gale 10.
162
Intituls
CM
TD
Enseignants
TP
UE 1 - Communication et entreprise
Langue vivante
18
S. Rothe
Communication
20
Fr. Jolly
Management
20
L. Oberl
Conception inventive
20
O. Klein
UE 2 - Dveloppement de produits
Mthodologie de conception
14
20
16
10
R. Houssin
15
A. Rubin
Chane numrique
10
10
P. Trau
UE 3 A Parcours prototypage
Prototypage rapide et fabrication rapide
14
12
28
D. Heassig
CAO
10
10
28
J. Fritsch, C. Kszak
24
D. Guy
30
16
16
12
40
UE 4 - Projet
Projet tutor
150
16
10
Equipe pdagogique
22
D. Guy + N. Dreyer
16
D. Hoenen, A. Benelhadj
UE 5 - Stage
Stage en entreprise
16 semaines
Valorisation de stage
163
UE 1 - Communication et entreprise
Acqurir des connaissances en anglais scientifique et technique. Ainsi que connatre les processus dune entreprise
et les diffrents aspects de la proprit industrielle. Maitriser les outils de communication. Les crits professionnels :
rapport, compte-rendu, note de service, courriel. Maitriser la prparation dun entretien dembauche, les comptences
recherches, orientation de la recherche demploi. Permettre aux tudiants dintgrer la notion dinnovation et de crativit
dans leurs projets. Acqurir une formation de sensibilisation concernant la dmarche de cration dentreprise.
UE 2 - Dveloppement de produits
Matriser lestimation des cots dune fonction, le choix dune solution.
Amliorer la comptence des tudiants pour la matrise du processus dinnovation collaboratif. Concevoir dans un cadre
multi-expertises et multi-sites et concevoir des produits en prenant en compte limpact environnemental,
Permettre ltudiant de mettre en uvre une production :
de dfinir une famille de produits en utilisant la technologie de groupe.
danalyse le cot de fabrication.
de connatre les procds de fabrication.
de pouvoir traduire ces exigences fonctionnelles en spcifications normalises dont linterprtation univoque est
comprise.
de choisir et optimiser une association produit - matriau procd (utilisation base de donnes matriaux).
de concevoir des outillages pour la fabrication de pices en matire plastique.
de matriser les passerelles entre la CAO et le calcul/ la cinmatique.
de connatre les bases de donnes o sont stockes les donnes issues du cycle de vie du produit
UE 3 A Parcours prototypage
Choisir et mettre en uvre des moyens de validation dune solution par la matrise de diffrents procds de prototypage.
Pouvoir exploiter les rsultats pour en vrifier la conformit et Choisir le moyen de production le mieux appropri. Mettre
en uvre des procdures qualifies.
Matriser la fabrication assiste par ordinateur (FAO) et lusinage grande vitesse (UGV).
Savoir utiliser les fonctionnalits de base.
Dcouvrir un autre logiciel de CAO et transposer les mthodologies de conception dun logiciel un autre.
Utiliser les ressources des logiciels de CAO pour simuler des comportements de mcanisme en statique, cinmatique et
dynamique.
Connatre les moyens doptimisation des formes des pices laide des outils de simulation numriques. Rduire le
nombre de prototypes raliser par linterprtation des rsultats obtenus laide de ces outils.
Comprendre lapproche mcanique des liaisons mcaniques lmentaires et pouvoir dfinir la cotation et tolrancement
et la modlisation des dfauts gomtriques.
UE 3 B Parcours outillage et validation process
Matriser les techniques de ralisation dun outillage.
Matriser l'utilisation des outils pour optimiser le choix d'une matire, matriser les notions fondamentales de conception
des outillages.
Matriser les concepts de base des techniques d'assemblage. Connatre les techniques de dcoration, connatre les bases
de l'utilisation d'un logiciel de simulation rhologique,
Pouvoir proposer des mthodes de mesurage et identifier les outils et les instruments ncessaires. Matriser les process
et les techniques de lassurance de la qualit,
Prendre connaissance des normes de qualit ISO et autre.
UE 4 - Projet
Apprendre rsoudre un problme pratique en identifiant les donnes les contraintes, les ressources et identifier les
solutions optimales.
UE 5 - Stage
tudes, prparation, ralisation ainsi que les proccupations transversales repres : scurit, animation, coordination,
information, restitution et dmarches de progrs.
164
Objectifs pdagogiques:
Cette licence professionnelle vise former des techniciens au fonctionnement des systmes mcatroniques afin dinstaller
des quipements industriels de faon autonome, oprationnelle et mthodique, sur site, en clientle ltranger
Description de la formation :
La Licence est uniquement en alternance:
les tudiants doivent avoir un contrat avec une entreprise du type contrat de professionnalisation ou contrat dapprentissage au plus tard 2 mois aprs le dbut de la formation. Certaines UE pourront tre ouvertes en priodes de
professionnalisation (voir offre du SFC) ;
lalternance se pratique en 15 jours / 15 jours ;
il ny a pas de semestrialisation.
Conditions dadmission et/ou conditions daccs et de pr-requis:
Fonctions: technicien itinrant international, technicien dinstallation, chef de chantier, charg daffaires, installateur dquipements industriels, monteur externe, monteur linternational, support technique itinrant, oprateur
extrieur, commissioning.
Secteurs: tous secteurs et domaines ncessitant la prsence de techniciens sur sites, chez le client linternational.
Enseignements
:
Codes
apoge
PY553U10
Intituls
UE 1 - Domaine de la mcanique
Coeff.
ECTS
Convocation
Au cours du
semestre
Modification de pices
1/3
1/3
1/3
non
non
non
PY563M12
Techniques de montage
1/3
1/3
1/3
non
non
non
PY533U20
PY563M21
1/3
1/3
1/3
non
non
non
PY563M22
1/3
1/3
1/3
non
non
non
PY563M23
1/3
1/3
1/3
non
non
non
PY563M24
Rseau et communication
non
PY563M25
2/3
1/3
non
non
PY563U30
UE 3 Domaine de la gestion
Gestion des contrats en anglais,
gestion budgtaire, gestion des
stocks, des pices dtaches et leur
approvisionnement
2/3
non
PY563M31
1/3
non
PY563M32
Droit du travail
non
PY563M33
1/2
1/2
non
non
PY563U40
UE 4 - Communication et
dveloppement personnel
PY563M41
Communication et dveloppement
personnel
1
1
1
non
non
non
PY563M42
Techniques de formation de
lutilisateur
non
PY563M43
Sminaire douverture
professionnelle, confrences, visite
dentreprises
non
Dossier
PY563U50
UE 5 - Domaine de linternational
PY563M51
Techniques de lgislation du
commerce international en anglais
1
1
non
non
PY563M52
non
Dossier
PY563M53
non
Oral
PY563M11
Session de
rattrapage
preuve
crite (1h)
preuve
crite (2h)
preuve
crite (1h)
preuve
crite (1h)
166
preuve
crite (1h)
UE 6 - Langues
PY563M51
6
oui
PY563M52
non
non
PY563U70
UE 7 - Projet tutor
PY563M71
Gestion de projet
Des preuves de
rattrapage sont
organises par le
CRL auxquelles
les tudiants
peuvent sinscrire
9
non
PY563M72
Projet
PY563U80
UE 8 - Stage
PY563M81
1.5
non
Dossiers
PY563M82
Stage
4.5
non
Rapport +
soutenances
Le dossier est
refaire en tenant
compte des
remarques faites
lors des
valuations
antrieures
18
167
Le rapport de
stage est
refaire en tenant
compte des
remarques faites
sur les valuations antrieures.
Lvaluation
prendra
galement en
compte le
droulement du
stage
Intituls
CM
TD
Enseignants
TP
CI
Modification de pices
20
14
B. Nol
Techniques de montage
16
16
J. Fritsch
12
16
P. Trau, F. Klein
20
24
12
16
Fr. Imbert
15
W. Fix
20
20
J. Spieser
Droit du travail
16
A.C Peter
16
24
10
S. Zingaretti
10
B. Rose, J. Fritsch
26
S. Gobetti
20
S. Sfeir
20
S. Sfeir
UE 1 - Domaine de la mcanique
Rseau et communication
Vision industrielle, compatibilit lectromagntique,
applications industrielles de la radioactivit
UE 3 - Domaine de la gestion
UE 5 - Domaine de linternational
UE 6 - Langues
Anglais face face pdagogique
50
S. Rothe
14
N. Dreyer
Projet
UE 8 - Stage
Prparation et valorisation de stage
28
Stage
168
D. Hoenen
UE 1- Domaine de la mcanique
Modification de pices
L'installation d'quipements mcaniques ncessite souvent la ralisation ou la modification de pices et le contrle dimensionnel et gomtrique (macro et micro) des lments d'un assemblage ou d'une transmission (analyse des dysfonctionnements).
Comptences vises :
Raliser des pices simples (usinage, pliage, cintrage, soudage...) ;
Contrler les spcifications gomtriques d'une pice (dimensions, gomtrie, rugosit) ;
tre capable de raliser ou de modifier des pices pour des lments d'un assemblage ou d'une transmission.
Contenus :
Les procds d'laboration : rappels des techniques disponibles pour la ralisation de pices mcaniques (mtalliques, plastiques). Dfinitions des conditions de bonne excution des tches de fabrication les plus courantes:
conditions de coupe en perage, tournage et fraisage, soudage et brasage, mtallerie. Emploi des machines
commande numrique.
Spcification gomtrique des produits et mtrologie : tolrancement gomtrique et spcification des tats de surface (point de vue du concepteur). Les moyens de contrle: catalogue, performances, condition d'emploi.
TP: fabrication et contrle de pices.
Techniques de montage
Linstallation dquipements mcaniques ncessite, au-del de la simple comprhension des plans, la connaissance des
raisons qui ont conduit aux choix des solutions employes, la matrise des techniques de montage et la capacit de dfinir
les ventuelles adaptations lexistant.
Comptences vises :
Connatre et savoir identifier les solutions mcaniques de liaison et transmission de puissance ;
Analyser et/ou modifier des sous-ensembles mcaniques ;
Connatre les rgles de montage des lments et savoir les mettre en uvre.
Contenus :
Les fixations et les guidages : approche morphologique et technologique des liaisons encastrement, pivot et glissire. Dimensionnement et mise en uvre des solutions les plus usites (vis, roulements) Rgles de montage
des lments.
Transmission de puissance : les accouplements (rigides, lastiques, articuls). Les commutateurs: embrayage,
coupleur, freins et roues libres. Les transformateurs: systmes frictions, courroies et chanes, engrenages, cames,
systme vis-crou et systme bielle-manivelle (et ses drivs). Les actionneurs pneumatiques et hydraulique (vrins, coupleurs et moteurs).
TP: Ralisation dun mcanisme de transmission avec implantation des lments standards. Adaptation des lments mcaniques. Alignement des guidages et rglage de la transmission...Manipulation de mcanismes (dmontage/montage, tests).
UE 2- Domaine des EEA
Mise en uvre dautomate programmable industriel
Comprendre le fonctionnement dun systme automatis, pouvoir diagnostiquer do provient un dysfonctionnement (partie commande ou oprative, programme ou matriel, lment individuel ou dialogue entre lments...) et ventuellement
y remdier dans les cas simples.
Comptences vises :
tre capable dlaborer la chane fonctionnelle dun automatisme partir dune programmation base de logique
combinatoire et squentielle dun Grafcet.
Mettre en oeuvre un automate programmable industriel, RFID et traabilit
Contenus : les concepts (partie oprative, commande, actionneurs et capteurs, combinatoire et squentiel), rsolution
des problmes combinatoires et numriques, rsolution des problmes squentiels (Grafcet), mise en oeuvre sur automate programmable (langage contacts, portes, Grafcet), lautomatisme dans le rseau (configuration bus, priphrie
dcentralise, matre-esclave), dcouverte de la supervision automate et identification (codes barre, RFID...), tracabilit.
Fonctionnement des actionneurs
Comptences vises :
Identifier les fonctions et les organes des systmes dactionnement lectrique.
tre capable de reprer des dysfonctionnements partir de lobservation des signaux lectriques.
Contenus : prsentation des diffrentes technologies dactionneurs (asynchrone, synchrone brushless). Prsentation des
diffrentes technologies de convertisseurs pour lalimentation et le pilotage des actionneurs. Choix des appareillages et
dimensionnement dun dpart moteur. Initiation lhabilitation lectrique.
lectronique numrique pour la commande
Connatre les systmes de contrle-commande base de micro-contrleurs de type PIC. tre capable de traduire en
langage C un algorithme de commande. tre capable de comprendre un programme en langage C et de pouvoir ladapter
au besoin
Comptences vises : programmation dun micro-contrleur de type PIC 16F. Adaptation aux autres micro-contrleurs de
type PIC (18F, 24F,33F,32F).
169
Rseaux et communication
Comptences vises :
tre capable de mettre en uvre une communication industrielle de type RS entre un systme htrogne et une
commande ou supervision.
Etre capable dinterconnecter et de configurer un systme sur le rseau Ethernet et TCP/IP.
Contenus : les principaux standards de communication industriels : RS 232, RS 485, Bus USB, Bus Firewire ;les principaux protocoles des rseaux informatiques, notamment ceux du rseau Internet. Connaissances des bus utiliss en
GTB: profibus, profinet. Outils de diagnostics, liens de tlmaintenance.
Vision industrielle, compatibilit lectromagntique, applications industrielles de la radioactivit
Vision industrielle
Comptences vises : connatre les principes de la mesure par camra. Matriser les conditions dclairage permettant
un systme de vision industrielle de fonctionner correctement.
Contenus : introduction a la vision industrielle ; caractristiques des systmes de vision (diffrentes typologies de camera,
objectifs, dbit) et lment de base de la formation de limage ; prsentation des algorithmes de traitement dimage le
plus courants (segmentation, seuillage et binarisation) et ses applications dans les systmes de production (reconnaissance de forme, classification) ; volution de la vision industrielle dans le futur.
Compatibilit lectromagntique
Comptences vises : dmystifier les problmes complexes de compatibilit lectromagntique avec une approche pragmatique et une mthodologie permettant dapprhender les phnomnes sous forme dune dcomposition de problmes
simples. Les tudiants auront les bases de la CEM ainsi quune mthodologie pragmatique pour la rsolution de problmes complexes.
Contenus :
Principes gnraux de la CEM (perturbations conduites, rayonnes, mission, immunit, mode commun et diffrentiel
Normalisation et aspects rglementaires.
Mesures en CEM : Mesures des perturbations conduites. Mesures des perturbations rayonnes.
Origine des perturbations - mthodes de couplage et de propagation.
Quelques remdes : lectronique de puissance. Pistage des cartes lectroniques.
Perturbations basses frquences (harmoniques de courant).
Applications industrielles de la radioactivit
Comptences vises : connatre les rgles de radioprotection lies l'utilisation de sources radioactives scelles, comprendre le principe de fonctionnement des contrles non destructifs et des jauges industrielles utilisant les rayonnements
ionisants.
Contenus : notions de base de radioactivit (stabilit des noyaux, activit, priode), interactions avec la matire et dtection des rayonnements ionisants (alpha, bta, X, gamma et neutrons), notions de radioprotection et de gestion des
dchets nuclaires, principes de fonctionnement des contrles non destructifs et des jauges radioactives.
UE 3 - Domaine de la gestion
Gestion budgtaire, gestion des contrats en langue anglaise, gestion de stocks, des pices dtaches et leur
approvisionnement
Gestion budgtaire
Savoir grer un budget lors dune installation dun quipement sur site, imputation dans une comptabilit analytique et un
compte dexploitation.
Gestion des contrats en langue anglaise
Connatre les spcificits de l'environnement juridique international.
Comptences vises : acqurir des connaissances en matire de contrats internationaux, trouver les solutions en matire
de conflits de lois au regard des conventions internationales en vigueur.
Contenus : le contrat international, le contentieux des affaires internationales.
Gestion de stocks, des pices dtaches et leur approvisionnement
La performance d'exploitation d'un quipement dpend de la solidit de sa gestion des stocks de pices de rechanges
et des chanes d'approvisionnement qui y sont associes. Il est fondamental de savoir dfinir une gestion des stocks et
d'approvisionnement approprie aux besoins et de savoir en mesurer les consquences.
Comptences vises :
- Etre capable de modliser une supply chain pour des pices de rechanges ;
- Connatre et savoir utiliser les facteurs d'influences pour une dfinition optimale des paramtres de gestion des stocks.
Contenus : diffrents types et classifications des stocks, le gestionnaire de stock, outils de gestion, inventaires, techniques
de rapprovisionnement, stocks de consignation et magasins avancs, la valorisation des stocks, scurit et hygine.
Droit du travail
Apprhender le droit du travail dans le contexte de lvolution de lentreprise et de son management.
Comptences vises : connatre les bases du droit du travail.
Contenus:
les sources du droit du travail: code du travail, conventions collectives, accords dentreprises
le contrat de travail: les diffrentes formes (CDI, CDD) les clauses, la modification du contrat
la suspension du contrat: les congs et absences
la dure et lamnagement du temps de travail
les salaires: fixation du salaire et paiement, les salaires diffrs et lpargne salariale
la protection sociale: scurit sociale, prvoyance, retraite
le droit disciplinaire
la rupture du contrat de travail: dmission, licenciement, rupture conventionnelle
les instances reprsentatives du personnel: dlgus du personnel, CE, CHSCT, dlgu syndical.
170
171
172
UE 8 Stage
Le stage de 12 16 semaines dbute aprs le projet et au plus tard fin avril. Les tudiants sont prpars au stage comme
pour un recrutement. Au retour du stagiaire a lieu une valorisation de stage qui permet ltudiant de faire un bilan de
comptences acquises. La cellule stage dispose dune liste dentreprises auprs desquelles les tudiants de la Facult
peuvent postuler pour un stage, un projet ou/et un partenaire pour lalternance.
Prparation et valorisation de stage
Savoir apprhender son march du travail, proposer ses services aux entreprises ;
Connatre et mettre en application le systme de gestion des stages ;
Connatre les missions et mtiers de la formation ;
Dfinir son projet professionnel ;
Savoir rdiger lettre de motivation et C.V, se prsenter, passer un entretien ;
Etre capable de valoriser son stage sur les aspects mthodologiques, statgiques et conomiques ;
Raliser un bilan de des comptences dveloppes et des connaissances utilises ;
Rsumer son stage sous forme dun article ou dun poster.
Contenus :
Mtiers lissu de la formation ;
Le march du travail (secteur et mtiers) ;
Le bilan ;
Le projet professionnel ;
Cv et lettre de motivation ;
Relance et entretien de recrutement ;
Rapport et soutenance ;
Mthodologie de travail et gestion du projet ;
Aspect conomiques et stratgiques du stage ;
Le management et la communication du projet ;
Gestion des ressources de lentreprise ;
Bilan et projet professionnel.
Stage
Comptences vises:
mthodologie dans lanalyse du ou des problme(s) ;
management dans la capacit participer un projet ;
de communication dans le cadre des revues de projet ;
autonomie, dans sa capacit une indpendance progressive.
Contenus :
Le stage se fait en entreprise en alternance partir de mi-mars, puis en continu partir de mi-avril. Intgrer une fonction
de technicien ou dassistant ingnieur dans les domaines delinstallation dquipements linternational couvre :
La dfinition des besoins sur site ;
La participation et le suivi du chantier ;
Le rglage des quipements ;
la formation des personnes aux installations ;
La rparation et/ou la modification des quipements ;
La garantie dun travail conforme et le suivi des quipes sous-traitantes ;
La traabilit des travaux sous forme de dossier chez le client et le fournisseur ;
Tout cela dans une langue trangre : anglais et ventuellement allemand.
173
La Facult de physique & ingnierie propose, travers le master Physique, un programme denseignement associant physique fondamentale et applique. Lobjectif est damener les tudiants un haut niveau de comptence et de comptitivit
dans les domaines mentionns ci-dessus tout en dveloppant leur crativit ain que ces futurs physiciens soient capables
dtendre le domaine dapplication de leurs connaissances pour rpondre aux dis de demain.
Le programme du master couvre les axes principaux de la recherche conduite au sein de la Facult P&I et sa ralisation
sappuie sur 3 laboratoires rattachs la Facult : lInstitut Charles-Sadron (ICS), lInstitut de physique et chimie des
matriaux de Strasbourg (IPCMS), lInstitut pluridisciplinaire Hubert Curien (IPHC) et lObservatoire astronomique de
Strasbourg.
La mthode denseignement sappuie sur le contact direct entre les tudiants et les chercheurs et sur linitiation par des
problmes actuels de la recherche.
En syntonie avec ces objectifs de formation, le master Physique prpare aussi des tudiants aux concours de lenseignement (Agrgation de Physique Chimie - Option Physique, CAPES de Physique Chimie) travers un parcours Prparation
lAgrgation.
Formation dexcellence EX (EXcellence by EXperiment) - Responsables : S. Courtin et U. Goerlach
Dans le cadre des initiatives dexcellence de lUniversit de Strasbourg, les tudiants en physique de la Facult peuvent
avoir accs des plateformes exprimentales de haut niveau dans des laboratoires de recherche, via le projet EX2.
En M1, le travail sur une ou plusieurs de ces plateformes peut remplacer une partie des travaux pratiques de lUE physique exprimentale 1 (code PY10GU42), faire lobjet de stages de recherche (UE physique en laboratoire, stage code
PY10HM2A), dun projet tuteur (code PY10HM4F) ou bien faire lobjet dun travail de recherche dvelopp dans le cadre
dun contrat pdagogique.
Les tudiants intresss doivent contacter les responsables de la spcialit et les responsables du projet EX2 en dbut de
semestre. Une slection des candidats sera effectue sur la base des rsultats acadmiques et en fonction des possibilits daccs aux diffrentes plateformes. Lassiduit est obligatoire pour les tudiants inscrits et lacquisition des connaissances et comptences sera value par un rapport crit. Une attestation de participation la formation dexcellence EX2
pourra tre fournie ltudiant.
Pour plus dinformations, vous pouvez consulter la page ddie : www.physique-ingenierie.unistra.fr/spip.php?article333
Description de la mention :
Le master Sciences et technologie mention Physiquepropose5 spcialits:
Astrophysique ;
Matire condense et nanophysique (MCN)
Physique des rayonnements, dtecteur, instrumentation et imagerie (PRIDI) ;
Physique subatomique et astroparticules (PSA) ;
Physique cellulaire (PC).
Le master sciences et technologie mention Physique propose aussi un parcours prparant aux concours de lenseignement :
Parcours Prparation lagrgation de physique.
La premire anne du master Physique est commune toutes les spcialits sauf le parcours prparation
lagrgation de Physique. Pour les deux annes du master, les notes des units denseignement dun mme semestre
se compensent entre elles.
Linscription en master Physique est la suite naturelle de la licence Physique ou dune autre licence quivalente. Pour prparer leur avenir dans une communaut scientifique mondialise, les tudiants seront encourags passer un semestre
dans une universit trangre partenaire. Ils pourront galement changer leurs expriences avec les tudiants trangers
qui suivent des enseignements du master.
Les sportifs de haut niveau et tudiants salaris peuvent bnficier de cursus amnags.
Conditions dadmissionet/ou conditions daccs et de pr-requis:
M1 : admission de plein droit aux tudiants titulaires de la licence Physique ou de la licence Physique-chimie de lUnistra.
Les candidats extrieurs doivent prsenter une candidature travers la plateforme Aria (https://aria.u-strasbg.fr) ou par
Campus France, selon le cas.
M2 : admission de plein droit aux tudiants issus du M1 Physique de lUnistra (avec passage simplifi par la plateforme
Aria). Les candidats extrieurs doivent prsenter une candidature travers la plateforme Aria (https://aria.u-strasbg.fr) ou
par Campus France, selon le cas.
174
M1 parcours Prparation lagrgation de physique : admission de plein droit aux tudiants ayant valids la premire
anne du magistre de Physique fondamentale de lUnistra (L3 MdPF). Tous les autres candidats doivent prsenter une
candidature travers la plateforme Aria (https://aria.u-strasbg.fr).
M2 parcours Prparation lagrgation de physique : admission de plein droit aux tudiants issus du M1 Prparation
lagrgation de physique de lUnistra. Les autres candidats doivent prsenter une candidature travers la plateforme
Aria (https://aria.u-strasbg.fr).
Dbouchs:
Selon la spcialit choisie et le cursus individuel de ltudiant, le master de physique peut dboucher sur la poursuite
dune thse en vue de lobtention dun doctorat, linsertion professionnelle dans le secteur industriel public et priv ou la
prparation aux mtiers de lenseignement.
Poursuites dtudes:
La poursuite dtudes la plus courante est un travail de thse pour lobtention dun doctorat. Ceci permet laccs aux
postes de recherche dans les grands organismes publics, la recherche et dveloppement dans le secteur priv, ainsi
qu lenseignement suprieur.
Les collaborations internationales tant multiples, en particulier travers des contrats europens et thses en cotutelle,
celles-ci facilitent la mobilit internationale des diplms.
Les collaborations internationales tant multiples, en particulier travers des contrats europens et thses en cotutelle,
celles-ci facilitent la mobilit internationale des diplms.
M2-S2
M2-S1
M1-S2
Spcialit
Matire condense et
nanophysique
(MCN)
Parcours
prparation
lagrgation
Parcours
recherche
Spcialit
Spcialit
Physique des
Physique
rayonnements, subatomique et
dtecteurs,
astroparticules
instrumentation
(PSA)
et imagerie
(PRIDI)
de
physique
Master Physique
175
Spcialit
Spcialit
Astrophysique
Physique
cellulaire
Sem.
29/08/2016
35
05/09/2016
36
Semaine 1
Semaine 2
12/09/2016
37
Semaine 3
19/09/2016
38
Semaine 4
26/09/2016
39
Semaine 5
03/10/2016
40
Semaine 6
10/10/2016
41
Semaine 7
17/10/2016
42
Semaine 8
24/10/2016
43
Vacances "Toussaint"
31/10/2016
44
Semaine 9
07/11/2016
45
Semaine 10
14/11/2016
46
Semaine 11
21/11/2016
47
Semaine 12
28/11/2016
48
05/12/2016
49
Semaine 14
12/12/2016
50
Semaine 15
19/12/2016
51
Vacances "Nol"
26/12/2016
52
Vacances "Nol"
02/01/2017
09/01/2017
Examens session 1 S1
16/01/2017
Semaine 1
23/01/2017
Semaine 2
30/01/2017
Semaine 3
06/02/2017
Semaine 4
13/02/2017
Semaine 5
20/02/2017
Vacances "Hiver"
27/02/2017
Semaine 6
06/03/2017
10
Semaine 7
13/03/2017
11
Semaine 8
20/03/2017
12
Semaine 9
27/03/2017
13
Semaine 10
03/04/2017
14
Semaine 11
10/04/2017
15
Semaine 12
17/04/2017
16
Vacances "Printemps"
24/04/2017
17
Semaine 13
01/05/2017
18
Semaine 14
08/05/2017
19
15/05/2017
20
Examens session 1 S2
22/05/2017
21
Examens session 1 S2
29/05/2017
22
JURYS Session 1
05/06/2017
23
JURYS Session 1
176
24
Examens session 2 S1
19/06/2017
25
Examens session 2 S2
26/06/2017
26
03/07/2017
27
JURYS Session 2
10/07/2017
28
JURYS Session 2
17/07/2017
29
(1) pour les tudiants inscrits uniquement en Master 2 physique cellulaire le jury aura lieu semaine 19 et pour
les tudiants en double diplme avec l'ESBS un second jury aura lieu en septembre.
Membres des jurys pour le M1 Physique et du M1 Agreg : R. Jalabert - J. Polonyi - T. Charitat (membres supplants : S. Courtin - S. Berciaud - C. Boily).
Membres du jury pour le M2 Agreg : M. Barzoukas - T. Charitat - D. Husson (membres supplants : S. Berciaud
- F. Melin - F. Thalmann).
Membres du jury pour le M1 Magistre : M. Dufour - T. Charitat - J. Polonyi (membres supplants : M. Barzoukas,
J. Farago, S. Berciaud).
Membres du jury pour le M2 Physique cellulaire : D. Riveline - R. Jalabert - T. Charitat
plants:L. Navoret- G. Fuks - J. Schacherer - S. Harlepp).
177
(membres sup-
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY10GU12
UE 1 - Mcanique quantique et
physique statistique
PY10GM1A
1.5
oui
Ecrit (2h)
Ecrit (2h)
O1PY10GU12
0.5
oui
PY10GM1B
1.5
oui
Ecrit (2h)
Ecrit (2h)
O2PY10GU12
0.5
oui
PY10GU32
UE 3 - Programmation et simulation
numrique
oui
oui
oui
Report note
Report note
TP not
oui
Ecrit
Report note
6
0.68
0.66
0.66
PY10GU42
UE 4 - Physique exprimentale I
PY10GM4A
Contrle continu
PY10GU52
PY10GMA1
oui
Ecrit (1h30)
Ecrit (1h30)
OB10GM1A
oui
Ecrit (2h)
Ecrit (2h)
PY10GMB1
oui
Ecrit (2h)
Ecrit (2h)
PY10GMD1
oui
Ecrit (2h)
Ecrit (2h)
PY10GME1
Relativit gnrale
oui
PY10GMF1
Nanostructures et nanophysique
oui
Ecrit (2h)
Ecrit (2h)
PY4EUU16
(20 min)
(20 min)
PY10GMMA
PY10GMPA
PY10GMPV
PY10GMPQ
PY10GMPC
PY10GU62
UE 6 - UE Libre
Le choix devra tre valid par le
responsable du master
6
2
6
0.5
0.5
oui
oui
Oral
Oral
Oral
Oral
oui
0.67
oui
Production crite
rendre
Ecrit (2h)
oui
Ecrit (2h)
Ecrit (2h)
0.33
178
Valide si assiduit
Les choix dUE doivent tre communiqus la scolarit dans les 15 jours suivant la rentre.
Intituls
UE 1 - Mcanique quantique et physique statistique
CM
TD
56
56
TP
Mcanique quantique
Enseignants
J. Polonyi, H. Molique
Physique stastitique
24
UE 4 - Physique exprimentale I
UE 5 - Options
42
60
N. Arbor, S. Berciaud
56
F. Thalmann
S. Derrire
H. Molique
P. Laquerrire
Relativit gnrale
J. Polonyi
Nanostructures et nanophysique
B. Doudin
M. Dufour
J. Farago
UE 6 - UE Libre
179
32
M. Barzoukas, M. Dufour
UE 4 - Physique exprimentale I
TP sur stations fixes en physique de la matire, physique subatomique et astrophysique. Certaines expriences (physique
subatomique / astrophysique) pourront tre ralises sur les plateformes du projet EX (voir page 170 et www.physiqueingenierie.unistra.fr/spip.php?article333).
UE 5 - Options
Mcanique des milieux continus
Hydrodynamique : cinmatique, nombre de Reynolds, coulement irrotationnel, vorticit ;
Elasticit des solides : dfinitions des tenseurs (contraintes, dformation), loi de Hooke
Mcanique des interfaces : tension de surface, loi dYoung, loi de Laplace
Objets de lunivers et leur observation
Observations en imagerie et exploitation: imagerie directe, interfromtrie,applications. Domaines UV, optique,
infrarouge, radioet mcanismes dmission de continu dans ces domaines. Photomtrie (diagramme HertzsprungRussell et volution stellaire, morphologie des galaxies).
Observations en spectroscopie: principes des spectrographes. Mcanismes dmission et dabsorption de raies
spectrales, bases du transfert de rayonnement. Exploitation (expansion de lUnivers, raie 21 cm de lhydrogne et
cinmatique gazeuse, diagnostic des conditions physiques et de la composition chimique...).
Thorie des groupes
Exemples de symtries en physique groupes discrets et continus ;
Reprsentations de groupes et algbres ;
Groupes de symtrie en cristallographie ;
Rgles de slection ;
Groupes SO(2), SO(3) et SU(2), algbre de Lie ;
Groupe des permutations, diagrammes d Young.
Rayonnement ionisants et mthodes de dtection
les diffrents types de dtecteur et leur utilit en fonction des particules dtecter ;
les caractristiques dun dtecteur (efficacit, angle solide...) ;
les principes de base de la formation dune image utilisant un rayonnement ionisant (exemple de limagerie par
mission de positrons).
Relativit gnrale
Principe dquivalence ;
Thorie de jauge et gomtrie diffrentielle ;
Thorie dEinstein-Hilbert ;
Energie-impulsion de la matire ;
Solution de Schwarzschild ;
Trou noir ;
Effondrement gravitationnel ;
Modle cosmologique de Robertson-Walker.
Nanostructures et nanophysique
Introductions aux concepts de bases de la physique msoscopique et de nouveaux phnomnes de transport lectriques
pour des dimensions nanomtriques. Ce cours est une introduction, prsentant essentiellement des rsultats exprimentaux.
180
181
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY10HU13
PY10HM1A
oui
Ecrit (2h)
Ecrit (2h)
PY10HM1B
Physique de la matire
oui
Ecrit (2h)
Ecrit (2h)
ORPY10HU12
Oral
oui
PY10HU23
UE 2 Physique en laboratoire
PY10HM2A
Stage
oui
Report note
session 1
PY10HM2B
oui
Ecrit (2h)
Ecrit (2h)
PY10HU32
UE 3 - Recherches actuelles en
physique
PY10HMA3
oui
PY10HU42
PY10HM4A
Particules et astroparticules
oui
Ecrit (2h)
Ecrit (2h)
PY10HM1B
oui
Ecrit (2h)
Ecrit (2h)
PY10HM4C
oui
Ecrit (2h)
Ecrit (2h)
PY10GMC1
oui
Ecrit (2h)
Ecrit (2h)
PY10HM4E
oui
PY10HM4F
Projet tuteur
1/2 CC
(report)
+ 1/2 oral
PY10HMAN
PY10HU52
UE 5 - UE libre
Le choix devra tre valid par le
responsable du master
12
3
1
3
oui
3
Les choix dUE doivent tre communiqus la scolarit dans les 15 jours suivant la rentre.
182
Intituls
UE 1 - Matire nuclaire et particules lmentaires et
physique de la matire
CM
TD
56
56
TP
Enseignants
S. Courtin, A. Besson
Physique de la matire
UE 2 Physique en laboratoire
16 j
Stage
S. Courtin
J.-Fr. Dayen
28
UE 4 - Options
28
S. Berciaud
Particules et astroparticules
E. Chabert
A. Lanon
G. Pupillo
D. Riveline
J. Polonyi
Projet tuteur
J. Polonyi
Chr. Boily
UE 5 - UE libre
UE 4 - Options
Particules et astroparticules
Introduction exprimentale: acclrateurs et dtecteurs
Structure de la matire et particules lmentaires
tudes exprimentales des proprits de la matire
De llectromagntisme llectrodynamique quantique
Des hadrons la chromo-dynamique quantique
De linteraction faible au modle lectro-faible (EW)
Modle standard, Brisure de symtrie EW, mcanisme de Higgs
Le secteur des neutrinos
Introduction aux astroparticules
Physique des astres
lments de lvolution stellaire
quilibre hydrostatique et consquences; sources de pression dans les toiles (quations dtat)
nuclosynthse stellaires; les ractions dintrt astrophysique en laboratoire
cas des astres compacts : naines blanches, toiles neutrons; effets relativistes; questions ouvertes
lments de transfert du rayonnement; autres mcanismes de transfert dnergie
Physique atomique et molculaire
Atomes N lectrons :
Approximation du champ central, systme priodique, mthode de Hartree-Fock et champ auto-coherent;
Corrections lapproximation du champ central (couplage LS et JJ),
Structure molculaire :
Approximation de Born-Oppenheimer, tats lectroniques dune molcule
Introduction aux molcules poly atomiques
Interaction avec le champ lectromagntique :
Susceptibilit, transitions spontanes et induites, largissement homogne et inhomogne
Application: introduction aux lasers et aux masers
Introduction la physique du vivant
Physique lchelle de la cellule : implications du bas nombre de Reynolds
Moteurs molculaires
Polymres hors quilibre et motilit cellulaire
Rseaux de signalisation et informations logiques
Rles du bruit dans des rseaux gntiques
Mcanique quantique relativiste
Mcanique quantique relativiste : quations du mouvement, ondes planes, symtries discrtes, anti-particules, paradoxes
Deuxime quantification, champ quantique, reprsentation de Heisenberg
lectromagntisme quantique
Processus lmentaires : diffusion lectron-lectron, cration de pair lectron-positron et particule-trou, diffusion
de Mott
Projet tuteur
Un projet individuel, rsume dans un sminaire la fin du semestre.
Application numrique en physique
Problmes-types et rappels : langages, IPE, Unix, valeurs propres, diagonalisation de matrices ;
Exemple de lquation de Schrdinger de la mcanique quantique ;
quations hyperboliques et paraboliques, quations type de la physique (Hamilton, ondes, Poisson, chaleur) ;
Mthodes spectrales : transformes de Fourier, base orthogonale, ondelettes ;
Plate-forme multi-coeurs, programmation OpenMP, architecture parallle (MPI) ;
Intgration numrique (1D, 2D, Monte Carlo), contraintes type Dirichlet et von Neumann ;
Travail sous forme de deux projets avec rapport et une prsentation orale en fin de semestre.
184
Objectifs pdagogiques:
Ce parcours a pour objectif de prparer les tudiants aux concours de lenseignement secondaire (CAPES physique
chimie et Agrgation de physique chimie Option physique). Les comptences vises sont celles que doit possder un
bon enseignant de physique et chimie. Elles sont la fois disciplinaires (matrise des concepts, de la dmarche exprimentale) mais aussi professionnelles (techniques denseignement, connaissance du systme ducatif,...).
Description du parcours:
En premire anne, les tudiants sont forms aux matires de physique fondamentale du master de Physique. Ils prparent en mme temps les preuves du concours CAPES physique chimie. En deuxime anne, ils prparent le concours
de lagrgation physique chimie option physique.
Conditions dadmissionet/ou conditions daccs et de pr-requis:
Prrequis : Niveau requis licence Physique Chimie ou Physique.
Entre en premire anne (M1) :
Admission de plein droit aux tudiants ayant valids la premire anne du magistre de Physique fondamentale de
lUnistra (L3MdPF). Tous les autres candidats doivent prsenter une candidature travers la plateforme Aria (https://
aria.u-strasbg.fr).
Entre en deuxime anne (M2) :
Admission de plein droit aux tudiants issus du M1 Prparation lagrgation de physique de lUnistra.
Les autres candidats doivent prsenter une candidature travers la plateforme Aria (https://aria.u-strasbg.fr).
Dbouchs:
Les dbouchs du parcours prparation lagrgation de physique sont ceux offerts par les concours de lenseignement :
en M1 celui du CAPES de physique chimie et du CAPLP Mathmatiques - physique chimie.
en M2 celui de lagrgation de Physique chimie option physique.
Poursuites dtudes:
Le parcours prparation lagrgation de physique a aussi pour objectif de permettre aux tudiants qui le souhaitent de
poursuivre leurs tudes en validant un M2 Physique recherche et par la suite un doctorat.
185
Sem.
29/08/2016
35
05/09/2016
36
Semaine 1
Semaine 2
12/09/2016
37
Semaine 3
19/09/2016
38
Semaine 4
26/09/2016
39
Semaine 5
03/10/2016
40
Semaine 6
10/10/2016
41
Semaine 7
17/10/2016
42
Semaine 8
24/10/2016
43
Vacances "Toussaint"
31/10/2016
44
Semaine 9
07/11/2016
45
Semaine 10
14/11/2016
46
Semaine 11
21/11/2016
47
Semaine 12
28/11/2016
48
Semaine 13
05/12/2016
49
Semaine 14
12/12/2016
50
Semaine 15
19/12/2016
51
Vacances "Nol"
26/12/2016
52
Vacances "Nol"
02/01/2017
09/01/2017
Examens session 1 S1
16/01/2017
Semaine 1
23/01/2017
Semaine 2
30/01/2017
Semaine 3
06/02/2017
Semaine 4
13/02/2017
Semaine 5
20/02/2017
Vacances "Hiver"
27/02/2017
Semaine 6
06/03/2017
10
Semaine 7
13/03/2017
11
Semaine 8
20/03/2017
12
Semaine 9
27/03/2017
13
Semaine 10
03/04/2017
14
Semaine 11
10/04/2017
15
Semaine 12
17/04/2017
16
Vacances "Printemps"
24/04/2017
17
Semaine 13
01/05/2017
18
Semaine 14
08/05/2017
19
15/05/2017
20
Examens session 1 S2
22/05/2017
21
Examens session 1 S2
29/05/2017
22
JURYS Session 1
05/06/2017
23
JURYS Session 1
186
24
Examens session 2 S1
19/06/2017
25
Examens session 2 S2
26/06/2017
26
03/07/2017
27
JURYS Session 2
10/07/2017
28
JURYS Session 2
(1) pour les tudiants inscrits uniquement en Master 2 physique cellulaire le jury aura lieu semaine 19 et pour
les tudiants en double diplme avec l'ESBS un second jury aura lieu en septembre
187
Date
Sem.
29/08/2016
35
05/09/2016
36
Semaine 1
Semaine 2
12/09/2016
37
Semaine 3
19/09/2016
38
Semaine 4
26/09/2016
39
Semaine 5
03/10/2016
40
Semaine 6
10/10/2016
41
Semaine 7
17/10/2016
42
Semaine 8
24/10/2016
43
Vacances "Toussaint"
31/10/2016
44
07/11/2016
45
Semaine 10
14/11/2016
46
Semaine 11
21/11/2016
47
Semaine 12
28/11/2016
48
Semaine 13
05/12/2016
49
Semaine 14
12/12/2016
50
Semaine 15
19/12/2016
51
Vacances "Nol"
26/12/2016
52
Vacances "Nol"
02/01/2017
09/01/2017
Semaine 1
16/01/2017
Semaine 2
23/01/2017
Semaine 3
30/01/2017
Semaine 4
06/02/2017
13/02/2017
20/02/2017
Semaine 7
27/02/2017
Semaine 8
06/03/2017
10
Semaine 9
13/03/2017
11
Semaine 10
20/03/2017
12
Semaine 11
27/03/2017
13
Semaine 12
03/04/2017
14
Semaine 13
10/04/2017
15
Semaine 14
17/04/2017
16
Vacances "Printemps"
24/04/2017
17
Semaine 15
01/05/2017
18
08/05/2017
19
15/05/2017
20
22/05/2017
21
29/05/2017
22
05/06/2017
23
Semaine 21
12/06/2017
24
Semaine 22
188
(1) pour les tudiants inscrits uniquement en Master 2 physique cellulaire le jury aura lieu semaine 19 et pour les tudiants en double diplme avec l'ESBS un second
jury aura lieu en septembre
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY1BGU01
PY10GM1A
1.5
ORPY10GUMQ
0.5
PY10GM1B
1.5
ORPY10GUPS
0.5
PY1BGU02
UE 2 - Chimie M1-S1
CHFMGM01
oui
(session 2)
CHFMGM03
oui
(session 2)
PY1BGU03
UE 3 - Optique et lectronique
PYEXGMM2
Matire 2 : lectromagntisme et
optique
oui
(session 2)
PYEXGMM3
Matire 3 : lectronique,
lectrotechnique et application
oui
(session 2)
PY1BGX04
PY10GMA1
UL21RM02
Anglais
PY1BGU08
6
Suivant modalits
votes pour ces
matires
mutualises de
lESPE
6
Suivant modalits
votes pour ces
matires
mutualises de
lESPE
Rapport tuteur du
stage
Report
Intituls
TP
Enseignants
CM
TD
CI
Mcanique quantique
28
28
J. Polonyi, H. Molique
Physique stastitique
28
28
Chimie organique
24
N. Ludwig
21
C. Loubat-Hugel
lectromagntisme et optique
16
M. Barzoukas
16
N. Arbor
UE 2 - Chimie M1-S1
UE 3 Optique et lectronique
UE 4 - Option
Mcanique des milieux continus
28
Anglais
Enseignement et apprentissage des sciences physiques
(niveau 1)
32
190
F. Thalmann
16
S. Rothe
12
A. Sprauer
M. Dufour, M. Barzoukas
191
Intituls
Coeff.
PY1BHX01
UE 1- Matires nuclaire et
particules lmentaires et physique
de la matire (2 matires au choix) (*)
PY10FM17
Physique subatomique
4.5
PY10FM18
Physique de la matire
4.5
PY10HM1A
PY10HM1B
Physique de la matire
ORPY10HU12
Oral
PY1BHU02
UE 2 - Stage
PY1BHM02
Stage en laboratoire
PY1BHU03
CHFMHM01
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
9
Suivant modalits votes pour ces matires
mutualises de L3 Physique
6
1
oui
(session 2)
Rapport crit
Rapport crit
6
0.5
oui
(session 2)
0.5
oui
(session 2)
oui
(session 2)
PYEXHMM1
CHFMHM02
PY1BHU04
PY1BHM04
TP Montages
PY1BHM05
0.5
PY1BLM4B
0.5
PY1BHU05
UE 5 - Optique physique
PY1BHM07
Optique physique
Suivant
modalits
votes pour
cesmatires
mutualises de
lESPE
6
non
Moyenne des
rapports de TP
Epreuve
pratique TP (2h)
oui
(session 2)
oui
(session 2)
oui
(session 2)
Oral (1h)
3
1
192
Intituls
TP
Enseignants
CM
TD
CI
Physique subatomique
28
24
A. Nourreddine, C. Jollet
Physique de la matire
28
24
28
28
S. Courtin et J. Baudot
Physique de la matire
28
28
R. Jalabert, D. Weinmann
UE 2- Stage en laboratoire
M. Barzoukas
30
30
8h45
N. Ludwig
V. Villar
21
N. Ludwig
32
A. Flieller
14
T. Charitat
14
T. Charitat
UE 5 - Optique physique
20
M. Barzoukas
193
UE 1 - Matires nuclaire et particules lmentaires et physique de la matire : voir licence Physique (L3-S6) et
master Physique (M1-S2).
UE 2 - Stage
Ce stage de 5 semaines dans un laboratoire de recherche a pour but dinitier les etudiants a la recherche en laboratoire. Le
sujet peut tre choisi, en accord avec le responsable du parcours, parmi les propositions des laboratoires daccueil ou de
tout autre laboratoire de recherche acceptant daccueillir un etudiant en stage. Il doit comporter obligatoirement un travail
personnel effectif de letudiant au sein de lequipe. Les etudes uniquement bibliographiques sont exclues.
UE 3 - Prparation aux preuves du CAPES
Prparation aux preuves dadmissibilit
Cette UE concerne la preparation intensive aux epreuves ecrites du concours du CAPES de sciences physiques et
chimiques. Elle sorganisera autour de la correction de problemes de concours pralablement cherchs par les tudiants,
de passages rguliers loral, et sur lorganisation dpreuves crites blanches portant sur lensemble du programme du
concours dans les deux disciplines.
Prparation lpreuve exprimentale matire 2 : chimie
Preparation en conditions du concours CAPES Sciences physiques et chimiques de lpreuve de chimie caractre
exprimental.
UE 4 - Prparation aux preuves de lagrgation
TP Montages
Appliquer les connaissances vues en cours, approfondir ces domaines. Les TP portent sur la dynamique newtonienne, la
tension superficielle, la thermomtrie, les transitions de phase, les interfrences lumineuses, les milieux magntiques, les
matriaux semi-conducteurs, ltude de leffet capacitif.
Prparation aux concours
Cette enseignement permettra aux tudiants de dvelopper leur culture gnrale en physique travers des exemples
dpreuves de concours. Ce sera aussi loccasion de complter certaines lacunes par des rappels de cours.
Prparation intensive lpreuve crite de physique M2S4
Cette enseignement permettra aux tudiants de dvelopper leur culture gnrale en physique travers des exemples
dpreuves C de lagrgation de Physique chimie - option physique. On cherchera traiter des problmes mlangeant
les grands domaines de la physique moderne : physique quantique, physique statistique lquilibre et hors-quilibre,
lectromagntisme, relativit...
UE 5 - Optique physique
Propagation dans les milieux anisotropes. Tenseur de susceptibilit.
Structure dune onde plane dans un milieu anisotrope. quation de Fresnel .
Axes optiques .Ellipsode des indices. Birfringence. Polariseurs. Lames cristallines.
Optique nonlinaire quadratique et cubique.
194
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY1BKU01
PY1BKM1A
non
Moyenne dpreuves
pratiques (5h)
Report
PY1BKM1B
oui
(pour
loral)
Moyenne notes
prsentations
montages physique
Oral (1h)
PY1BKU02
PY1BKM2A
PY1BKM2B
PY1BKU03
PY1BKM3A
PY1BKU04
CHPYKM01
CHPYKM02
CHO1KMEI
6
Pas de note
oui
(pour
loral)
Moyenne notes
prsentations leons
de physique
oui
(pour
loral)
Ecrit (5h)
oui
(pour
loral)
Ecrit (2h)
oui
(pour
loral)
Moyenne notes
prsentations leons
de chimie
Oral (1h)
6
3
3
Ecrit (6h)
9
2
2
Ecrit (2h)
Pas de note
(*) cette matire est acquise pour les tudiants ayant fait preuve d'assiduit pendant le semestre.
195
Intituls
CM
TD
TP
Enseignants
CI
80
35
A. Flieller
A. Flieller, F. Fras
10
A. Flieller
62
F. Thalmann, S. Berciaud,
Th. Charitat, D. Husson,
M. Barzoukas
54
F. Melin
56
25
Chimie exprimentale
S. Durot, C. Loubat-Hugel
V. Robert
30
196
F. Melin
197
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY1BLU01
PY1BLM1A
non
Moyenne preuves
pratiques (5h)
Pas de notes
PY1BLM1B
oui
(pour
loral)
Moyennes notes
prsentations
montages physique
Oral (2h)
(coeff. 12)
PY1BLU02
CHPYLM01
oui
(pour
loral)
Ecrit (2h)
oui
(pour
loral)
Moyennes notes
prsentations leons
de chimie
12
9
1.5
3
4.5
Ecrit (5h)
CHPYLM02
CH1BLME1
PY1BLU03
UE 3 - Prsentation leons de
physique M2-S4
PY1BLM3A
PY1BLM3B
PY1BLU04
PY1BLM4A
Prparation lpreuve C de
physique
1.5
oui
(pour
loral)
Ecrit (6h)
PY1BLM4B
1.5
non
Ecrit (5h)
Oral (1h)
pas de note
6
oui
(pour
loral)
Moyennes notes
prsentations leons
de physique
Oral (1h)
pas de note
3
UE Facultative
(au-del de 30 ECTS)
Stage dobservation et apprentissage
des sciences physiques (niveau 2)
3
0
rapport du tuteur de
stage
(*) Cette matire est acquise pour les tudiants ayant fait preuve dassiduit pendant le semestre.
198
report
Volume horaire
CM
TD
Enseignants
TP
80
A. FLIELLER
25
30
25
F. MELIN
30
F. MELIN
30
F. THALMANN, S. BERCIAUD,
Th .CHARITAT, D. HUSSON,
M. BARZOUKAS
40
A. FLIELLER
24
Th.CHARITAT, M. BARZOUKAS
14
Th.CHARITAT
12
N. COPPENS, A. SPRAUER
199
200
Objectifs pdagogiques:
Cette spcialit vise laborer, caractriser et comprendre les objets solides ou polymriques, et particulirement ceux
de tailles rduites jusqu un nanomtre. Ce domaine est en plein essor grce limportance croissante des recherches
sintressant au monde nano.
La spcialit Matire condense et nanophysique (MCN), par et pour la recherche, permet de former des physiciens
exprimentateurs et thoriciens dans le domaine de la matire condense. Les proprits lectroniques, optiques, magntiques et leurs combinaisons constituent lessentiel des domaines denseignement et de recherche, lesquels sont fortement orients vers ltude de phnomnes nouveaux dus la taille des chantillons. Un travail de recherche personnalis
en laboratoire permettra une prparation une carrire dans la recherche, en milieu acadmique ou industriel.
Description de la spcialit :
La spcialit MCN sadresse des tudiants qui envisagent de poursuivre par une thse de doctorat.
La spcialit MCN est complte par un travail de recherche personnalis en laboratoire qui permet une prparation une
carrire dans la recherche, en milieu acadmique ou industriel.
Conditions dadmissionet/ou conditions daccs et de pr-requis:
Admission de plein droit aux tudiants issus du M1 Physique de lUnistra (avec passage simplifi par la plateforme Aria).
Les candidats extrieurs doivent prsenter une candidature travers la plateforme Aria (https://aria.u-strasbg.fr) ou par
Campus France, selon le cas.
Dbouchs:
Les dbouchs en termes de carrire R&D dans le priv sont galement possibles et ncessitent souvent un travail prliminaire de thse.
Poursuites dtudes:
La poursuite dtudes la plus standard est un travail de thse pour lobtention dun doctorat. Ceci permet laccs aux
postes de recherche dans les grands organismes publics, ainsi qu lenseignement suprieur. Les collaborations internationales tant multiples, en particulier travers des contrats europens, une mobilit internationale fera part intgrante
de la carrire.
201
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY13KU12
PY13KM1A
1.5
oui
Oral (2h)
PY13KM2A
Interaction photon-matire
1.5
oui
Oral (2h)
PY13KU22
PY13KM1B
1.5
oui
Oral (2h)
PY13KM2B
1.5
oui
Oral (2h)
PY13KU32
UE 3 - UE obligatoire choix
(3 au choix) (*)
PY13KMA3
oui
Rapport crit +
prsentation orale
(20 min)
PY13KMB3
Magntisme et nanostructures
magntiques
oui
Oral (2h)
PY13KMC3
oui
Oral (2h)
PY13KMD3
oui
Oral (2h)
Oral (2h)
9
N/A
PY13KME3
Spintronique
oui
Contrle continu +
preuve crite (2h)
PY13KMF3
oui
Oral (2h)
PY13KMG3
oui
Oral (2h)
PY13KMH3
oui
Oral (2h)
PY13KMJ3
oui
Oral (2h)
PY13KMK3
oui
Oral (2h)
PY13KMM3
oui
Oral (2h)
PY13KMN3
oui
Oral (2h)
oui
Oral (2h)
PY13KU42
UE 4 - UE libre (**)
202
(*) Choix communiquer au service de scolarit dans les 4 semaines suivant le dbut du semestre.
(**) Ltudiant soumet ce choix au responsable du diplme dans lequel il est inscrit. Sil obtient laccord, il sinscrit pdagogiquement auprs de la scolarit.
Intituls
CM
TD
TP
Enseignants
28
R. Jalabert
Interaction photon-matire
28
P.-A. Hervieux
28
J. Bashnagel
UE 3 - UE obligatoire choix
Projet tutor : traitement informatique d'un projet de physique
Magntisme et nanostructures magntiques
18
W. Weber
18
M. Alouani
18
A. Johner
Spintronique
18
B. Doudin
18
P. Gilliot
18
G. Pupillo
C. Marques
F. Bahnart
18
Th. Charitat
18
M. Rawiso
203
205
206
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
PY13LUM12
PY13LM13
Stage
Coeff.
ECTS
Convocation
30
5
oui
207
Description de la spcialit:
Lastrophysique est un domaine de recherche en plein essor. Le dveloppement rapide de nouvelles techniques dobservation apporte sa moisson de dcouvertes (proprits de la matire noire, exoplantes, formation des lments qui nous
constituent). Lobjectif du parcours est de former pour lastrophysique du futur des personnes autonomes, capables
dapprhender les questions ouvertes de la discipline en sappuyant sur des connaissances solides de la physique connue
des objets de lUnivers, et dutiliser avec adresse les outils technologiques modernes du chercheur.
Objectifs pdagogiques:
Les tudiants du parcours auront une bonne vision de ltat des connaissances sur lUnivers et ses composants. Ils auront
t confronts directement la modlisation de phnomnes complexes de manire analytique ou numrique, et auront
appris confronter les thories aux observations, que celles-ci soient rares et bruites ou au contraire disponibles en
masse.
Ils sauront utiliser la programmation (C ou Fortran, Java, Python, SQL) pour la modlisation physique, la visualisation,
et pour la ralisation et lexploitation des bases de donnes.. Ils pourront ainsi tre efficaces rapidement en stage ou en
thse, ou faire valoir leur savoir-faire en entreprise.
Ils auront eu loccasion de travailler en groupe et en temps limit, souvent sur la base de documents en anglais, et ils
auront eu prsenter leurs rsultats aussi bien par crit que devant une audience.
Organisation :
En M1, la formation est commune plusieurs spcialits du master. Une place importante est rserve aux mini-stages en
laboratoire tout au long de lanne. A chaque semestre, une option et des projets dastrophysique sont proposs.
Le M2 est une anne de spcialisation. Les tudiants sont intgrs lObservatoire astronomique de Strasbourg. Ils
disposent de leur salle quipe et assistent aux sminaires de recherche. Le premier semestre regroupe CM/TD/TP
et projets. Le second semestre comporte une initiation aux observations astronomiques et un stage long de recherche
(Strasbourg, France ou tranger). Le calendrier des tudes est celui de lObservatoire Astronomique.
Conditions dadmissionet/ou conditions daccs et de pr-requis:
Admission de plein droit aux tudiants issus du M1 Physique de lUnistra (avec passage simplifi par la plateforme Aria).
Les candidats extrieurs doivent prsenter une candidature travers la plateforme Aria (https://aria.u-strasbg.fr) ou par
Campus France, selon le cas.
Linscription en M2 est possible partir dhorizons divers, sur dossier uniquement.
Elle est autorise par la commission pdagogique. La validation dtudes au niveau M1 est un pr-requis.
La connaissance des bases dun langage de programmation et de bonnes notions danglais sont ncessaires.
Dbouchs:
Le diplme est une tape daccs aux mtiers de la recherche (publique ou prive). Pour ce type de carrire, le doctorat
est ncessaire. Trouver un laboratoire daccueil et obtenir un contrat doctoral demande un investissement actif de ltudiant ds le dbut du M2, et ncessite des rsultats dun bon niveau.
Les dbouchs hors recherche sont divers et dpendent des cursus individuels. Exemples sur les quelques dernires
annes : pilotage de satellites chez SES Satellites (Luxembourg) ; Centre de pilotage de la Station Spatiale Internationale
(Allemagne); traitement du signal appliqu limagerie mdicale (Angleterre), veille technologique (Grenoble), conseil en
informatique (Genve), enseignement, diffusion des connaissances, ...
En moyenne 60 % des diplms poursuivent en contrat doctoral en France ou ltranger.
Poursuites dtudes:
Les tudiants qui souhaitent poursuivre leurs tudes sont accompagns personnellement aussi bien pour la recherche
dun contrat doctoral que pour une ventuelle rorientation vers un autre master.
208
Enseignements :
Le calendrier du M2 Astrophysique est celui de lObservatoire astronomique de Strasbourg (calendrier drogatoire).
Dans les tableaux ci-dessous, les coefficients des preuves indiquent la pondration interne chaque UE. Le poids
de la note dUE dans la moyenne de semestre est indiqu entre parenthses aprs le nombre dECTS que confre lUE.
Codes
apoge
Convocation
Intituls
Coeff.
ECTS
OB10KU11
UE 1 - Objets de lastrophysique:
astres, galaxies et univers
12
OB10KM11
Astres
oui
Contrle continu
Epreuve crite
OB10KM12
Astres binaires
non
Contrle continu
Note conserve
OB10KM13
Milieux interstellaires
oui
Contrle continu
Epreuve orale
OB10KM14
Galaxies
oui
Contrle continu
Epreuve crite
OB10KM15
Cosmologie
oui
Contrle continu
Epreuve crite
Au cours du
semestre
Session de
rattrapage
Le contrle continu de lUE ci-dessus comporte une preuve orale (mini-sminaire sur base darticle), un devoir rendre
date fixe, et 3 preuves crites en temps limit.
En 2nde session, les notes suprieures ou gales 10 sont conserves, ainsi que la note du devoir quelle quelle soit (la nonremise de ce devoir se traduit par un 0). Pour les preuves crites, de nouvelles preuves sont proposes avec un contour
thmatique identique celui de la 1re session. La prsentation orale est remplace par un rapport crit sur un article choisi
par lenseignant.
OB10KU21
UE 2- Modlisation physique et
numrique des milieux
astrophysiques
OB10KM22
oui
(pour
loral)
Contrle continu
Epreuve orale
sur projet
OB10KM23
oui
Contrle continu
(2h)
Epreuve crite
(2h)
OB10KM24
Simulation numrique
oui
Contrle continu
Epreuve orale
sur projet
Le contrle continu de lUE ci-dessus comporte 2 projets et une preuve crite en temps limit (plasmas et fluides astrophysiques). Les projets sont raliss en binme ou individuellement suivant la taille de la promotion. Les projets lis dune part
la mise niveau informatique, dautre part lenseignement des simulations numriques, sont valids chacun par un court
rapport crit, suivi dun entretien oral (sauf dispense explicite par lenseignant au vu du rapport crit).
En 2nde session, les notes suprieures ou gales 10 sont conserves. Une nouvelle preuve crite est propose. Pour les
projets, une nouvelle valuation orale est mise en place, portant sur le mme projet que pour la session 1.
OB10KU31
UE 3- Outils et mthodes de
lexploitation de donnes
OB10KM32
Statistiques et probabilits
oui
Contrle continu
(crit) (3h)
Epreuve crite
(3h)
OB10KM33
oui
Contrle continu
(projet)
Epreuve orale
sur projet
Le projet peut tre ralis individuellement ou en binme suivant la taille de la promotion. Il est valid par un rapport crit
et un entretien oral.
En 2nde session, les notes suprieures ou gales 10 sont conserves. Une valuation orale portant sur le mme projet
quen session 1 est propose. Elle peut tre largie lensemble des notions traites dans lenseignement
bases de donnes et observatoires virtuels .
209
UE 4 - UE obligatoire choix
(1 au choix)
OB10KM42
oui
Epreuve crite
(2h)
Epreuve crite
(2h)
OB10KM43
oui
Epreuve orale
(30 min)
OB10KM44
oui
Contrle continu
Epreuve orale
(30 min)
OB10KM45
Transfert du rayonnement
oui
Epreuve crite
(2h)
Epreuve crite
(2h)
La liste ci-dessus est indicative - toutes les options ne pourront tre ouvertes simultanment que si le nombre dtudiants
inscrits le permet.
Mthodes inverses et interprtation des donnes : une preuve crite (2h; coeff. 1/2) et un TD not (coeff. 1/2). En 2nde
session, la note de TD est conserve et une nouvelle preuve crite est propose (sauf absence dment justifie au TD,
auquel cas seule lpreuve crite est prise en compte).
OB10KU51
UE 5- UE libre (1 au choix)
OB10KM42
oui
Epreuve crite
(2h)
OB10KM43
oui
Epreuve orale
(30 min)
OB10KM44
oui
Epreuve orale
(30 min)
OB10KM45
Transfert du rayonnement
oui
Epreuve crite
(2h)
OB10KMPL
Plantologie (Grenoble)
oui
Epreuve crite
(2h)
OB10KM46
Tlescopes et instrumentation
(Fribourg)
oui
Epreuve crite
(2h)
LUE libre permet ltudiant de choisir un enseignement soit dans la liste ci-dessus, soit dans une autre UFR de lUniversit
de Strasbourg, soit dans une universit partenaire de lUniversit de Strasbourg. Un choix externe la liste ci-dessus doit
tre valid par les responsables pdagogiques de la spcialit (aprs un entretien pendant lequel ceux-ci valueront la
cohrence du projet de ltudiant). Il doit aussi obtenir laval du responsable de la filire daccueil.
Le cours Tlescopes et instrumentation , sil a lieu, est dispens et valu exclusivement en langue anglaise. Il est
organis en partie en visioconfrence, dans le cadre dchanges avec luniversit de Fribourg et le Kiepenheuer Institut fr
Sonnenphysik. Le cours de Plantologie , sil a lieu, est organis en visioconfrence.
OB10KU51
OB10KM42
oui
Epreuve crite
(2h)
OB10KM43
oui
Epreuve orale
(30 min)
OB10KM44
oui
Epreuve orale
(30 min)
OB10KM45
Transfert du rayonnement
oui
Epreuve crite
(2h)
Rapport crit
Rapport crit
3
1
LUE facultative (au-dela de 30 ECTS pour le semestre) permet a letudiant denrichir son cursus. Elle ne peut tre slectionne par ltudiant que si lemploi du temps le permet. En cas dinscription pedagogique dans une UE au-dela de 30
ECTS, letudiant sengage a assister aux enseignements et a se presenter aux epreuves de controle des connaissances et
competences.
Dans le cas o lUE facultative est choisie parmi les 4 enseignements lists explicitement ci-dessus (OB10KM42,
OB10KM43, OB10KM44, OB10KM45), la rgle suivante sapplique : parmi la note de lUE obligatoire a choix, la note de
lUE libre et la note de lUE au-dela de 30 ECTS, les 2 meilleures seront retenues pour le calcul de la moyenne de semestre.
Une attestation sera alors fournie pour le troisieme de ces enseignements.
210
Intituls
CM
TD
Enseignants
TP
20
A. Lanon
Astres
11
J. Ptri
Astres binaires
Milieux interstellaires
Galaxies
18
Cosmologie
16
J.-L. Halbwachs
L. Cambrsy
2
C. Boily, O. Bienaym
D. Aubert
26
18
Simulation numrique
H. Baty
26
18
12
S. Derrire
16
L. Boirin
16
C. Boily, A. Lanon
16
E. Thibaut, M. Louys
Transfert du rayonnement
16
J. Petri et R. Goosmann
16
L. Boirin
16
C. Boily, A. Lanon
16
E. Thibaut, M. Louys
Transfert du rayonnement
16
J. Petri et R. Goosmann
UE 4 - UE obligatoire choix
UE 5- UE libre
Plantologie (Grenoble)
M. Barthlmy
16
L. Boirin
16
C. Boily, A. Lanon
16
E. Thibaut, M. Louys
Transfert du rayonnement
16
J. Petri et R. Goosmann
211
212
213
Enseignements :
Le calendrier du M2 Astrophysique est celui de lObservatoire astronomique de Strasbourg (calendrier drogatoire).
Dans les tableaux ci-dessous, les coefficients des preuves indiquent la pondration interne chaque UE. Le poids
de la note dUE dans la moyenne de semestre est indiqu entre parenthses aprs le nombre dECTS que confre lUE.
Codes
apoge
Coeff.
ECTS
UE 1- Mission dinitiation
lobservation et projet
bibliographique
Projet bibliographique
OB10LU21
UE 2- Stage
OB10LM22
Stage de 15 semaines
OB10LU11
Intituls
Convocation
Au cours du
semestre
Session de
rattrapage
non
Rapport crit en
groupe
Note conserve
oui
Rapport crit +
oral (30 min)
oui
Rapport crit +
oral (30 min)
Rapport crit +
oral
OB10LM12
27
Intituls
Enseignants
CM
TD
TP
5 nuits
P. Ocvirk, A. Lanon
Projet bibliographique
A. Lanon, C. Boily
UE 2- Stage
Stage de 15 semaines
C. Boily, A. Lanon
214
Master Physique spcialit Physique des rayonnements, dtecteurs, instrumentation et imagerie (PRIDI)
Responsable: Patrice LAQUERRIERE
Objectifs pdagogiques:
La spcialit Physique des rayonnements, dtecteur, instrumentation et imagerie est destin former des tudiants
par la recherche pour les laboratoires de recherche publique et prive. Lobjectif de cette formation est lacquisition des
connaissances ncessaires la conception de nouveaux instruments de dtection principalement ddis limagerie
mdicale rpondant aux besoins des problmatiques souleves dans les disciplines telles que la biologie et la mdecine.
Ce parcours a donc galement pour objectif de dlivrer ltudiant les connaissances indispensables pour comprendre et
analyser les problmes se situant linterface entre la biologie, la mdecine, la chimie et la physique.
Description de la spcialit:
Une partie de lenseignement obligatoire est destine dlivrer des notions de base en biologie cellulaire et molculaire
ainsi quen biochimie. Lautre partie, plus importante, est ddie lapprentissage des systmes de dtection des rayonnements, les chanes dacquisition de donnes ainsi que le traitement du signal associ. Plusieurs sminaires tout au long
de la formation sont dlivrs pour complter le cours sur les bases physiques de limagerie mdicale et pour donner une
ouverture vers des projets de recherche nationaux et internationaux.
Le choix des modules optionnels doit permettre de dfinir un profil plus spcifique de ltudiant recouvrant les domaines
de comptences suivants :
Instrumentation en physique nuclaire et physique des particules
Conception et ralisation en systme de dtection
Travail de recherche linterface entre la physique, la biologie et la mdecine
Recherche et dveloppement en imagerie par rsonance magntique nuclaire
Recherche et dveloppement en imagerie optique
Recherche et dveloppement en imagerie utilisant les rayonnements ionisants
Conditions dadmissionet/ou conditions daccs et de pr-requis:
Admission de plein droit aux tudiants issus du M1 Physique de lUnistra (avec passage simplifi par la plateforme Aria).
Les candidats extrieurs doivent prsenter une candidature travers la plateforme Aria (https://aria.u-strasbg.fr) ou par
Campus France, selon le cas.
Linscription est soumise lautorisation de la commission pdagogique aprs examen du dossier et avis de ltablissement dorigine.
Dbouchs:
Les tudiant du parcours PRIDI seront mme de passer le concours DQPRM (diplme de dualification en physique
radiologique et mdicale) s'ils le souhaitent et s'ils remplissent les conditions ncessaires. Plus d'informations sur le site
de l'INSTN: www-instn.cea.fr/-DQPRM-Physique-medicale-.html?lang=fr&lang=fr
Lapprentissage de lexprimentation en recherche et dveloppement se fait par le biais de mini projets et dun stage en
laboratoire au second semestre. Les possibilits ouvertes aux tudiants, aprs le master, se situent dans les secteurs
suivants :
Secteur industriel public et priv : toute entreprise dveloppant des dtecteurs et des systmes de mesure, systmes dimagerie
Centres et services dimagerie publics ou privs : optimisation des protocoles lis aux systmes dimagerie en place.
Interface entre linstrument et lutilisateur
Enseignants-Chercheurs dans le domaine des constituants lmentaires (CNU 29e section)
Chercheurs dans les domaines interactions, particules, noyaux, du laboratoire au Cosmos (CNRS, Section 03)
Chercheurs en thrapeutique, pharmacologie et bioingnierie (CNRS, Section 30)
Cette formation sera fortement adosse lInstitut pluridisciplinaire Hubert-Curien (IPHC, UMR 7178) et aux hpitaux
universitaires de Strasbourg.
Poursuites dtudes:
La finalit professionnelle ou oriente vers la recherche (poursuite en doctorat) de chaque spcialit est dtermine
essentiellement par la nature des stages effectus et le choix doptions spcifiques. Des passerelles existent vers des
masters connexes dans de nombreuses universits franaises et europennes.
216
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
PY15KU12
PY15KM1A
Cours
TP
PY15KU22
UE 2 - Traitement du signal
PY15KM2A
Traitement du signal
PY15KU32
UE 3- Interaction rayonnement
matire / effets biologiques
PY15KM3A
PY15KU42
UE 4- Dtecteurs et instrumentation
PY15KM4A
Dtecteurs et instrumentation
PY15KU52
UE 5 - Base physique de
limagerie mdicale
PY15KM5A
PY15KU62
PY15KM6A
PY15KU72
PY15KM7A
PY15KM7B
PY15KM7C
2.5
1.5
Convocation
Session de
rattrapage
non
non
Epreuve crite
(2h)
non
non
Epreuve orale
(30 min)
non
Epreuve crite
(2h)
1.5
non
2.5
non
Epreuve orale
partielle (20 min)
Epreuve crite
terminale (2h)
Epreuve crite
terminale (2h)
Epreuve orale
partielle (20 min)
Epreuve crite
terminale (2h)
Epreuve crite
terminale (2h)
non
Epreuve crite
(2h)
non
Epreuve orale
partielle (20 min)
Epreuve orale
(20 min)
Epreuve orale
(20 min)
Projet de simulation
numrique
Examen crit (2h)
Examen crit
(2h)
Epreuve orale
partielle (20 min)
Epreuve crite
terminale (2h)
Epreuve crite
terminale (2h)
1.5
2.5
3
non
non
1
1
1
2
1.5
2.5
217
non
non
non
non
non
Traitement dimage
non
Epreuve crite
(2h)
PY15KM7E
Dosimtrie 1
non
Epreuve crite
(2h)
PY15KM7G
non
Rapport crit
Rapport crit
PY15KM7H
Prparation DQPRM
Dosimetrie 2
1
1
non
non
(*) Choix communiquer au service de scolarit de la Facult de physique et ingnierie dans les 2 semaines suivant le
dbut du semestre.
Volume horaire
Enseignants
CM
TD
TP
CI
24
24
UE 2 - Traitement du signal
30
J. Baudot
18
J. M. Jung
UE 4- Dtecteurs et instrumentation
30
Y. Hu, P. Laquerrire
18
P. Laquerrire
18
A. Ouadi
18
D. Grcker
18
O. Haeberl
18
P. Laquerrire
Traitement dimage
18
M. Louys
Dosimtrie 1
18
C. Gally
UE 7 - Options
D. Karamanoukian
12
9
218
16
12
Z. El Bitar
D. Karamanoukian, P. Laquerriere
Modles biologiques. Des cellules aux organismes. Frontires en Biologie cellulaire et molculaire)
Techniques microscopiques dtude des tissus et de la cellule.
Larchitecture cellulaire et les organisations tissulaires: la cellule animale. Les tissus pithliaux.
Rplication de lADN, transcription, traduction: cycle cellulaire chez les eucaryotes suprieurs. Apoptose et mort
cellulaire.
Fonctions des diffrentes organelles: chimie et biochimie des membranes.
TP : fabrication de la molcule radio-marque, obtention et traitement de limage de la molcule radio-marque.
UE 2 - Traitement du signal
Introduction : les rayonnements ionisants (neutres, chargs, avec ou sans masse, nergies, ordres de grandeurs).
Les rayonnements non-ionisants (exemple de la RPE, et de la RMN). Gnralits sur la matire (semi-conducteurs,
matire molculaire, solides, liquides). Couplage rayonnement matire.
Interactions des photons X et avec latome : effet photolectrique, diffusion Thomson-Rayleigh, diffusion Compton,
cration de paires. (Sections efficaces et distributions spatiales lectroniques).
Interaction des rayonnements avec la molcule : excitations naturelles de la molcule (modes propres lectroniques et vibrationnels, nergies, frquences). Ionisation molculaire (ionisation directe, autoionisation, transfert
de charge). Processus uni et bimolculaires induits (conversion interne, conversion inter-systme). Exemple de la
scintillation et de ses applications.
Pertes dnergie dans la matire continue : particules charges lgres et lourdes (ralentissement lectronique et
nuclaire, traces nuclaires, effet Cerenkov, rayonnement de freinage, noyaux et lectrons de basses nergies,
positons). Particules neutres (neutrons rapides et neutrons thermiques, transport, diffusions lastique et inlastique, capture, sections efficaces et parcours). Photons (attnuation, absorption, diffusion). Exemple de calcul des
caractristiques dune trace nuclaire. Effets physico-chimiques des rayonnements : Processus physico-chimiques
induits dans les solides et liquides molculaires (espces radicalaires formes, effets transitoires et permanents).
Exemple de la radiolyse.
Effets biologiques des rayonnements : effets molculaires : dommages photo- et radio-induits lADN en tant que
principale cible au niveau de la cellule (effets directs et indirects, coupures simples et doubles brins, pontages, effets
radiolytiques).
Effets cellulaires : ltalit, mutagnse, cancrognse, facteurs de radiosensibilit cellulaire. Exemple de lapoptose radio-induite.
Effets pathologiques des rayonnements ionisants : effets dterministes et stochastiques (origines et caractristiques, expositions globale et partielle, comparatifs, valuation des risques), sources dinformation sur la cancrognse (tudes in vivo, animales ou pidmiologiques). Extrapolation des risques de cancers aux faibles doses et
dbits de doses, risques sur lensemble de la vie, risques hrditaires. Exemple des irradis dHiroshima.
UE 4 - Dtecteur et instrumentation
Introduction : mesure et mesurande, chane dacquisition dun signal analogique avec dclenchement, conditionnement et temps mort.
Luminescence : fluorescence et Phosphorescence; dtecteurs base de matire scintillante et transparente.
Transducteurs optolectroniques de trs haute sensibilit : tube photomultiplicateur simple anode et multi anodes.
Tube photomultiplicateur sensible la position.
Lonisation, transport et amplification de charge dans des milieux gazeux : la chambre fils et ses diffrents modes
(Geiger, MWPC et tube drive). La trajectographie par dtecteurs Multi-chantillons et MSGC. Dtection optique
des avalanches. Trajectographie projection temporelle. Application en imagerie.
Dtecteurs semi-conducteurs : diodes PIN et LED, Photodiode avalanche (APD), photo-dtecteur hybride
(HPD), Micro-pistes silicium, Micro-pixels silicium.
lectronique de proximit : amplification bas bruit, mise en forme rapide, dclenchement et auto-dclenchement.
Intgration ou mise en forme adquate. Echantillonnage du signal.
Numrisation du signal: la conversion analogique-numrique et les CAN (discrets et intgrs). Le multiplexage.
Dtecteurs monolithiques : dtecteurs intgrant llectronique de proximit. CCD et amliorations.
Systme dacquisition : notion de traitement temps rel et dlectronique numrique embarque. Transfert et stockage de donnes. Les bus et chssis industriels (PCI, VME et ponts dinterconnexion).
Outils informatiques de dveloppement de logiciels dacquisition de donnes : LabVIEW, Custom avec C++ ou Java
Real Time.
Systme intgr de conditionnement du signal: dtecteurs silicium.
Mesure dnergies et de positions (microstrips et pixels). Systmes dlectronique de lecture : architecture lmentaire de circuits intgrs CMOS (sources de courant, miroir de courant, suiveur de source, amplificateurs cascade
et diffrentiel). Sources de bruit (bruit thermique, bruit de grenaille, et 1/f). Mesure de charges (amplificateurs de
charges et de transimpdance). Filtrage et mise en forme (shaping). Systmes de double chantillonnage. Gnration de signaux : oscillateurs et gnrateurs de fonctions. PLL et DLL. Bruit de phase. Convertisseurs AnalogiqueNumrique (CAN) : CAN Flash. CAN approximation successive. Convertisseur Pipeline. CAN Sigma-Delta. CAN
rampe analogique.
219
Introduction limagerie mdicale : dates importantes et concepts physiques donnant naissance limagerie mdicale daujourdhui.
Imagerie ultrasonore : physique des ultrasons (description dune onde acoustique, quation de propagation, interaction onde/matire). Gnration dune onde acoustique (anatomie dune sonde, le faisceau ultrasonore, la focalisation). Modes dimagerie ultrasonore (formation du signal, adaptation du signal, Doppler, chographie 3D).
Imagerie par rsonance magntique nuclaire : comportement dun diple magntique dans un champ magntique.
Le signal RMN (passage du monde microscopique au monde macroscopique, rception du signal, paramtres du
signal). Les phnomnes de relaxation. Obtention de limage RMN. Exemples dapplications (imagerie anatomique,
imagerie fonctionnelle, imagerie de diffusion)
Radiologie : production des rayons X. Interaction photon/matire (rayonnement diffus, contraste dans limage).
Formation de limage. Systmes de dtection (rcepteur photographique, systmes numriques, proprits des
dtecteurs). Quelques applications (angiographie, tomodensitomtrie X (TDM)).
Mdecine nuclaire : principe de limagerie radio-isotopique. La scintigraphie (principe, systme de dtection). La
tomographie mission de simples photons. Tomographie mission de positons (TEP). Aspect bi-modal TEP/
TDM. Sminaires sur des sujets complmentaires.
Dfinition gnralits.
Diffrents types de marqueurs.
Physicochimie du marquage: Concept acide/base. Consistance des acides/bases. Principe de Pearson. Oxydo-rduction. Relations acide/base et oxydo-rduction. Complexes de coordination. change isotopique.
Critres de qualit et de choix.
Contrle de qualit.
Diffrents traceurs employs en mdecine nuclaire : radiopharmaceutiques existants et en cours de dveloppement.
Traceurs utiliss en tomographie par rayons X.
Traceurs utiliss en IRM : imagerie T1, T2 et imagerie spectroscopique.
Traceurs utiliss en imagerie ultrasonore.
Caractrisation biologique dun marqueur : Bio distribution. Analyse compartimentale. Cintique du marquage. Toxicit. Sensibilit.
UE 7 - UE obligatoires choix
Rsonance magntique nuclaire
Bases physiques de la RMN : les principes de la rsonance magntique .La rsonance nuclaire dans les solides.
lments de spectroscopie dans les liquides. La relaxation de spin. La polarisation des tats de spin.
Imagerie de rsonance magntique nuclaire : les gradients de champ magntique pour coder lespace. Lchantillonnage. Les principales techniques dimagerie RMN. Limagerie de flux. Limagerie de diffusion. Limagerie multiquanta. Limagerie fonctionnelle.
Imagerie spectroscopique : Voxel unique. Imagerie spectroscopique multi-voxel
Simplification des spectres. Quantification. RMN 2D.
Imagerie RPE : principes. Reconstruction dimages. Rsolution et sensibilit de la mthode. Imagerie de double
rsonance.
Nouvelles mthodes dimagerie et de microscopie optique du vivant
Interactions lumire tissus : bases physiques permettant de dcrire les proprits optiques des tissus et la propagation des photons : absorption et diffusion. Spectroscopie des tissus. Rsolution de lquation de transport radiatif.
Instrumentation optique : les principes et caractristiques principales des diffrents composants optiques : sources.
Dtecteurs. Microscope. Interfromtre.
Imagerie optique des tissus : principales mthodes de mesure et dimagerie macroscopique des proprits optiques: tomographie optique diffuse. Dtection photoacoustique. Autres mthodes.
Microscopie optique des tissus : principales mthodes de mesure et dimagerie microscopique des proprits optiques : microscopie confocale. Microscopie multiphotonique. Tomographie optique cohrente. Autres mthodes.
Imagerie utilisant les rayonnements ionisants
Introduction la mdecine nuclaire.
Principe de la scintigraphie : prsentation de la camra dAnger. Formation de limage scintigraphique. Principe de
collimation. Principales caractristiques et contrle qualit.
Tomographie dmission de simples photons (TEMP) : principe de lacquisition tomographique. Reconstruction de
limage par des mthodes analytiques et itratives. Quantification.
Tomographie dmission de positons (TEP) : collimation lectronique. Notion de temps de vol. Reconstruction et
quantification des images.
Tomodensitomtrie X (CT) : gnration du rayonnement X. Systme de dtection associ. Mode dacquisition.
Reconstruction dimages. Artefacts prsents dans limage.
Imagerie bimodalit TEP/CT : intrt de la multimodalit.
220
Traitement dimage
Ce cours a pour objet dintroduire les notions fondamentales du traitement dimage au travers de logiciels libres accessibles aux tudiants. Il sagit donc surtout de fournir une connaissance pratique de ce qui est rapidement faisable partir
des oprateurs de base et comment ces oprateurs fonctionnent. Cet enseignement sera donc principalement pratique.
Introduction : formation de limage, transformation de limage, extraction des informations contenues dans limage.
Transformation de limage : les outils de bases (filtres, morphologie mathmatique).
Extraction dinformation : segmentation 2D/3D par analyse de rgion ou de contours.
Visualisation du rsultat : rendu volumique ou surfacique.
Recalage dimages : recalage temporel, recalage multimodal.
Utilisation en routine: applications pratiques et logiciels existants accessibles.
Dosimtrie 1
Base physique de la dosimtrie, micro dosimtrie
Grandeurs de la dosimtrie (kerma, ...)
Les principaux dosimtres absolus (calo, chimiques, chambres dionisation) -dtermination de la dose absorbe
Dosimtrie de X de basse nergie (radiothrapie et radiologie)
Dosimtrie des radionuclotides
Notions de radiobiologie.
Simulation numrique pour limagerie
Lobjectif principal de ce module est dacqurir des connaissances approfondies des mthodes de simulation numrique
et stochastique. Les mthodes de Monte Carlo utiliss pour simuler les interactions des particules avec la matire seront
tudies en dtails. On prsentera lutilit des simulations pour la conception et le dveloppement des dtecteurs ainsi
que pour dvelopper des mthodes de reconstruction dimages et des mthodes de correction des effets physiques dgradant la qualit des images en imagerie par transmission et par mission. Les outils de simulation Geant4 et Gate (Geant4
Application in Tomographic Emission) seront principalement prsents. Une bonne connaissance de ces deux outils sont
des atouts pour tout travail de thse ou de recherche poursuivis la sortie du master II.
Objectifs en termes de comptences:
Savoir utiliser un logiciel de simulation Monte Carlo pour concevoir et modliser des appareils dimagerie mdicale
nuclaire tels que les tomodensitomtres, les tomographes mission monophotonique ou les tomographes
mission de positons.
Savoir aussi simuler des systmes dhadronthrapie ou de radiothrapie.
Savoir traiter les fichiers de sortie des simulations, faire de la quantification sur les images, calculer le signal sur
bruit, la rsolution spatiale, la rsolution en nergie, etc.
Dosimtrie 2 et prparation au concours DQPRM
Complments loption dosimtrie 1: prparation au concours DQPRM en refaisant les annales du concours.
221
Intituls
Coeff.
PY15LU22
UE 1- TIPP (EX)
PY15LM23
TIPP
PY15LU12
UE 2- Stage
PY15LM13
Stage crit
PY15LM14
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
3
non
Compte rendu
de TP
12
non
Rapport crit
Stage oral
12
non
Epreuve orale
(40 min)
non
Compte rendu
de TP
27
UE 1- TIPP (EX2)
Participation une plateforme exprimental de la formation dexcellence EX.
Un projet de recherche ralis pendant 3-4 semaines sur une des plateformes exprimentales (EX2) de haut niveau dans
des laboratoires de recherche, cres dans le cadre des initiatives dexcellence de lUniversit de Strasbourg. Pour participer les tudiants postulent et sinscrivent la formation EX2.
Pour plus dinformations, consultez le site de la Facult : www.physique-ingenierie.unistra.fr/spip.php?article333
UE 2- Stage
Le stage fait lobjet dun rapport crit et dune prsentation orale publique de 30 minutes, suivie de 15 minutes de questions. Le choix du stage est soumis laccord des responsables de la spcialit. Le jury valuera le travail effectivement
ralis en cours de stage (avis du matre de stage sur le travail, lindpendance constructive, lintgration dans le laboratoire daccueil; contenus exposs par crit et loral), la qualit des prsentations crites et orales, la maturit scientifique
(appropriation du sujet dans son contexte, rponses aux questions).
Une session 2 est organise pour la validation du stage uniquement lorsque le stage a t entirement effectu et quun
cas de force majeure dment justifi empche la soutenance. Le jury peut tre alors restreint 2 membres (minimum).
222
Objectifs pdagogiques:
Le parcours Physique subatomique et astroparticules de Strasbourg est une formation par et pour la recherche visant
former des spcialistes de linfiniment petit, exprimentateurs et thoriciens en physique du noyau, des particules, astroparticules et cosmologie.
Les thmes phares de cette spcialit sont la physique autour des grands acclrateurs de la physique des particules (le
LHC) et de la physique nuclaire (SPIRAL) ainsi que la physique en lien troit avec la cosmologie et lastrophysique. Les
diplms du M2 seront capables dintervenir durant les diffrentes phases dun projet de physique subatomique :
Dfinition de la problmatique de physique,
Recherche et dveloppement des systmes de dtection,
Prise de donnes,
Analyse, modlisation et interprtation.
Cet enseignement constitue le premier jalon dune formation par la recherche qui prpare des doctorats en physique
subatomique exprimentale et thorique : noyaux, particules, astroparticules et cosmologie.
Description de la spcialit:
La premire anne est commune plusieurs spcialits du master Physique. Tout au long de lanne, ltudiant sinsre
auprs de chercheurs dans les laboratoires associs, pour mener bien des projets de recherche, le tout formant une
unit denseignement appele physique exprimentale. La seconde anne renforce encore ce lien avec les laboratoires
via les expriences, les mini projets et le stage de laboratoire.
Formation dexcellence EX (EXcellence by EXperiment)
Dans le cadre des initiatives dexcellence de lUniversit de Strasbourg, les tudiants en physique de la Facult de
physique et ingnierie peuvent avoir accs des plateformes exprimentales de haut niveau dans des laboratoires de
recherche, via le projet EX2.
Pour plus dinformations, consultez le site de la Facult : www.physique-ingenierie.unistra.fr/spip.php?article333
Conditions dadmissionet/ou conditions daccs et de pr-requis:
Admission de plein droit aux tudiants issus du M1 Physique de lUnistra (avec passage simplifi par la plateforme Aria).
Les candidats extrieurs doivent prsenter une candidature travers la plateforme Aria (https://aria.u-strasbg.fr) ou par
Campus France, selon le cas.
Linscription est soumise lautorisation de la commission pdagogique aprs examen du dossier et avis de ltablissement dorigine.
Dbouchs:
Les possibilits ouvertes aux tudiants, aprs ce master, se situent dans les secteurs publics et privs (universits, CNRS,
CEA, IRSN, EDF, ANDRA, AREVA, entreprises dveloppant des dtecteurs et des systmes de mesure).
Poursuites dtudes:
Les tudiants titulaires du master Physique subatomiques et astroparticules ont la possibilit de postuler pour prparer un
doctorat Strasbourg ou dautres universits au niveau national ou international. Plusieurs possibilits de financement
sont offertes: bourses ministrielles, bourses cofinanc par le CNRS, la Rgion, la CEA ou l'IRSN...
Pour plus dinformations, consulter le site web de l'cole doctorale physique et chimie-physique de lUniversit de Strasbourg:edpcp.u-strasbg.fr
223
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY16KU12
PY16KM1A
2.7
9
oui
PY16KM1B
2.7
oui
PY16KM1C
2.7
oui
PY16KM1D
0.9
oui
Prsentation orale
(1h)
PY16KU3B
UE 3SB - Instrumentation et
modlisation
PY16KMIR
1.8
oui
PY16KMPS
1.8
oui
PY16KMMA
2.4
oui
PY16KU32
PY16KM3A
oui
PY16KM3B
oui
PY16KM3C
oui
PY16KM3D
oui
PY16KM3E
oui
PY16KM3F
6. Astroparticules et cosmologie
observationnelle
oui
PY16KM3G
oui
PY16KM3H
oui
PY16KM3I
oui
PY16KU42
UE libre (**)
12
(*) Choix communiquer au service de la scolarit de la Facult dans les 2 semaines suivant le dbut du semestre.
(**) UE communiquer la scolarit de la Facult dans les 2 semaines suivant le dbut du semestre.
Ltudiant informe la scolarit grant le diplme dans lequel est inscrite lUE de son intention de choisir cette UE.
Ltudiant soumet ce choix au responsable de son diplme dans lequel il est inscrit. Si ltudiant obtient laccord du responsable
de son diplme, il sinscrit pdagogiquement auprs de la scolarit qui gre son diplme.
224
Intituls
CM
TD
Enseignants
TP
22
J. Polonyi
22
O. Dorvaux
H. Molique
22
U. Goerlach
20
J. Dudek et U. Goerlach
14
A. Nourreddine
14
J. Baudot
20
B. Hippolyte
20
M. Dufour
20
B. Gall
20
J. Andrea (IPHC)
20
I. Ripp-Baudot (IPHC)
20
M. Rausch de Traubenberg
20
Th. Pradier
20
G. Henning (IPHC)
N. Arbor
20
J. Bartel
20
UE obligatoire choix
UE libre
225
226
227
228
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Natures et dures
des valuations
PY16LU12
PY16LM1A
oui
PY16LM1B
oui
PY16LM1C
oui
Voir rglement de
l'ESIPAP
PY16LU22
PY16LM23
24
oui
PY16KM3J
Insertion professionnelle
oui
EE (1h) + EO (1h)
non
Rapport crit
27
3
3
2e sessions :
Une 2e session des preuves du S3 est prvue au dbut du S4. Cette session de rattrapage est exclusivement compose
dexamens oraux.
Il ny a pas de 2e session pour le S4, dont lvaluation correspond exclusivement des soutenances de projets et de
stages.
Compensation :
Les notes des units denseignement dun mme semestre se compensent entre elles. Les notes de 2 semestres ne se
compensent pas.
Capitalisation :
Une unit denseignement est dfinitivement acquise et les crdits europens affrents sont capitalisables ds lors quune
moyenne de 10/20 y est obtenue. Le semestre est acquis si la moyenne du semestre est gale ou suprieure 10/20.
Lacquisition du semestre emporte lacquisition des 30 crdits europens du semestre. Les Units denseignement acquises ne peuvent plus tre reprsentes un examen.
Une unit denseignement propose dans plusieurs parcours ne peut pas tre reprsente un examen si elle a dj t
acquise dans lun de ces parcours.
La note dun semestre valid est dfinitive. Une unit denseignement acquise appartenant un semestre valid ne peut
tre reprsente un examen que si elle est prsente dans une autre habilitation.
230
(*) contact@cellphysics-master.com
231
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY1AKU11
UE 1 - Physique lchelle de la
cellule et Physique statistique hors
quilibre
PY1AKMPT
oui
(oral)
Ecrit (3h)
Oral
PY1AKMPE
oui
(oral)
Ecrit (3h)
Oral
PY1AKU21
Suivant modalits
votes pour cette
matire mutualise
( titre dinfo : crits
de 1h30 chacun)
Ecrit (1h30)
Oral
oui
(oral)
Ecrit (3h)
Oral
oui
(oral)
Ecrit (3h)
Oral
oui
(oral)
Ecrit (3h)
Oral
non
Moyennecomptes
rendus de TP
Report de la
note
Report de la
note
EB013M25
6
0.5
oui
(oral)
0.5
PY1AKMPB
Physique et biologie
PY1AKU31
PY1AKMCV
PY1AKL41
PY1AKMMV
PY1AKU51
PY1AKMMF
Microfabrication
1
3
3
3
9
0,75
VI99KMMF
Microfluidique
0,75
non
Suivant modalits
votes pour cette
matire mutualise
(pour info: moyenne
comptes rendus TP)
PY1AKMAM
Atlier de mcanique
0,75
non
Moyenne comptes
rendus de TP
Report de la
note
PY1AKMSN
Simulation numrique
0,75
non
Moyenne comptes
rendus de TP
Report de la
note
PY1AKMBC
0,75
non
Moyenne comptes
rendus de TP
Report de la
note
PY1AKMIM
Imageries
0,75
non
Moyenne comptes
rendus de TP
Report de la
note
PY1AKMEL
Electronique
0,75
non
Moyenne comptes
rendus de TP
Report de la
note
(*) contact@cellphysics-master.com
232
3
1
PY1AKMBP
Bases en physique
0,5
non
Ecrit (2h)
Report de la note
PY1AKMBH
Bases en chimie
0,5
non
Ecrit (2h)
Report de la note
MIEXKMM5
Bases en maths
0,5
non
Ecrit (2h)
Report de la note
PY1AKMBB
Bases en biologie
0,5
non
Ecrit (2h)
Report de la note
(*) Ce choix doit tre communiqu dans les 30 jours aprs la rentre. Ce choix doit tre valid par le responsable de master, qui peut permettre l'tudiant de s'inscrire plus de 4 matires pour enrichir son cursus. Dans ce cas, les 4 meilleures
notes seront retenues pour le calcul de la moyenne de semestre.
233
Intituls
CM
TD
Enseignants
TP
14
2
14
10
K. KRUSE
I. KULIC
Fr. GRANER
P. DIDIER
6
10
4
R. VOITURIEZ
A. OTT
M. MAALOUM, S.HARLEPP
16
12
G. CHARVIN, A. DEJAEGERE,
S. MORLOT
J. SCHAECHERER
Physique et biologie :
- Models systems
- Classics in biological physics
16
16
INTERVENANTS EXTERIEURS
D. RIVELINE
20
D. VAUTIER, A. KLYMCHENKO,
A. REISCH, L. JIERRY
20
L. NAVORET
UE 5 - TP pour le vivant
60
Microfabrication
15
H. MAJJAD
15
M. RYCKELYNCK
Atlier de mcanique
16
L. WALTER
Simulation numrique
16
M. MADEC
16
D. RIVELINE, G. CHARVIN
Imageries
16
B. GURCHENKOV, E. GUIOT
Electronique
16
M. MADEC
UE Libre
16
T. CHARITAT, F. THALMANN
Bases en chimie
16
G. FUKS
16
L. NAVORET
24
C. GALLY
234
235
UE 5 - TP pour le vivant
Microfabrication
Design of masks
Realization of replica
Preparation of chips
Microfluidique
Chips designs
Drops preparation
Directed evolution
Atelier de mcanique
Design of mechanical parts for manipulation and control
Fabrication of simple parts
Control with a PC
Simulation numrique
Matlab and applets for living matter
SciLab
Code writing
Troubleshooting
Results
Biologie cellulaire et biologie moleculaire
Design of primers
PCR
Preparation and characterization of a fluorescent construct
Transfection
Basics in cell biology: cultures and observations
Imageries
Optical microscopy: epifluorescence/spinning disk confocal
2 photon microscopy
FRAP/FRET
Super-resolution
Electron microscopy: basics
Electronique
Feedback loops
Op-Amp: basic logic circuits
Strategies for backward engineering in electronics
Links with systems biology
UE Facultative - Bases physique cellulaire
Bases en physique
Life at low Reynolds number
Energy, minimization of energy
Elasticity : examples with polymers and with simple visco-elastic materials
Physics of membrane: examples with caveolae
Hydrodynamics: the Navier-Stokes equation
Scaling
Phase transition
Novelties in physics
Bases en chimie
Basics in chemical biology: basic reactions
Basic reasoning and strategies in synthesis
Classical methods for characterisations
Novelty in chemical biology
Bases en maths
Differential calculus
Solving partial differential equation
Stochastic differential equation and Brownian motion
Cell displacements and collective effects: examples with Vicsek models and comparisons with experiments
Novelties in mathematical biology
Bases en biologie
DNA/RNA/protein
Prokaryotic cells/Eukaryotic cells: compartments and their functions
Multicellular organisms and model systems/plants
Signaling pathways: examples and meanings
The cytoskeleton
Basics in evolution
Novelties in biology
236
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
UE 1 - Expriences en laboratoires
Session de
rattrapage
30
5
Expriences en laboratoires
ECTS
Convocation
oui
(pour la
session
2)
March-June:
Internship in laboratories, defense in June (oral with written documents).
(*) contact@cellphysics-master.com
237
Rapport crit
Rapport crit
Prsentation
orale
Prsentation
orale
Le master MEEF 2nd degr est divis en diffrents parcours. Le parcours Enseigner la physique-chimie (CAPES) est gr
par lEcole suprieure du professorat et de lducation (ESPE) de Strasbourg et des composantes disciplinaires la Facult
de physique et ingnierie et la Facult de chimie.
La partie disciplinaire du parcours Enseigner la physique-chimie (CAPES) est dispense sur les deux annes du
master:
en master 1, le premier semestre est consacr un approfondissement des bases de la physique et de la chimie,
permettant par ailleurs une prise en compte de lhtrognit de parcours des diffrents tudiants. Au second
semestre, leffort est port sur la prparation spcifique aux preuves crites et orales du concours. Les enseignements disciplinaires sont volontairement regroups au sein dune seule UE par semestre pour pouvoir favoriser les
changes entre les deux disciplines.
en master 2 cursus Fonctionnaires stagiaires , la formation disciplinaire est axe sur une initiation la
dmarche scientifique en laboratoire. Au premier semestre (S3), un travail bibliographique approfondi est men
individuellement ou en binme, sur des articles de recherche et enseignement suprieur (European Journal of Physics,...) ou de vulgarisation avance. Au second semestre (S4), ce travail dinitiation la recherche se poursuit par
un stage dans un laboratoire de recherche ou par la mise en place dun projet ducatif, par exemple dans le cadre
de lASTEP ou des olympiades de chimie.
Pour plus dinformations sur le master consultez la page ddie sur le site de lESPE :
espe.unistra.fr/masters-meef-et-du/master-meef-2nd-degre
Intituls
Coeff.
ECTS
Volumes
horaires
FMUGGU1
FMUGGM1
10h TD + 40h
stage
FMUGGM2
32h CI
FMU0GM51
2h CM + 8h TD
2h TD
FMUGGU2
PYEXGMM1
Mathmatiques
12h TD
PYEXGMM2
1,4
16h TD
PYEXGMM3
1,4
16h TD
PYEXGMM4
Mcanique et relativit
1,4
20h TD
PYEXGMM5
Vibrations et ondes
1,4
16h TD
PYEXGMM6
Thermodynamique
1,4
16h TD
CHFMGM01
Chimie organique
24h TD
CHFMGM04
Cristallographie et thermochimie
18h TD
CHFMGM03
21h TD
CHFMGM02
Electrochimie
21h TD
FMUGGU3
PYEXGMM7
Physique
14h TD +
33h TP
CHFMGM05
Chimie
14h TD +
33h TP
Enseignants
15
M. Barzoukas,
N. Parizel
M. Gallart
N. Arbor
Cl. Loubat-Hugel
N. Ludwig
Fr. Melin
G. Weick
239
Ph. Beckrich
A. Flieller
G. Lemoine
Cl. Loubat-Hugel
N. Ludwig
Fr. Stuber
S.Zabrocki
240
241
Intituls
Coeff.
ECTS
Volumes
horaires
FMUGHU1
FMUGHM1
10h TD +
40h stage
FMUGHM2
20h CI
2h TD
Enseignants
FMUGHU2
FMUGHM3
45h TD
FMU0HM51
2h CM + 8h TD
FMUGHU3
PYEXHMM1
Physique
30h TD
CHFMHM01
Chimie
30h TD
FMUGHU4
PYEXHMM2
Physique
78h TP +
36h TD
CHFMHM02
Chimie
78h TP +
36h TD
6
N. Belfrekh
N. Ludwig
V. Villar
12
Ph. Beckrich
N. Coppens
A. Flieller
G. Lemoine
243
Intituls
Coeff.
ECTS
Volumes
horaires
FMUGKU4
FMUGKM40
4h CI + 4h TD
+ 40h stage
FMUGKM41
15h TD
FMUGKM21
16h CI
FMUGKU5
CHFMKMA1
40h TD
PYEXKMAP
40h TD
CHFMKMB1
3.5
15h TP +
12h CI
PYEXKMAO
3.5
15h TP +
12h CI
FMUGKU6
FMU0KM03
Allemand
FMU0KM04
Anglais
12
15
244
Enseignants
20h TD
M. Barzoukas
Ph. Beckrich
N. Parizel
A. Flieller
N. Arbor
G. Lemoine
Cl. Loubat-Hugel
N. Ludwig
Fr. Melin
Fr. Stuber
G. Weick
S. Zabrocki
245
Intituls
Coeff.
ECTS
Volumes
horaires
FMUGLU3
FMUGLM30
4h CI + 2h TD
+ 40h stage
FMUGLM31
15h TD
FMUGLM21
4h CI + 7h TD
FMUGLU4
CHFMLMA1
1.5
15h TD
PYEXLMAE
1.5
15h TD
CHFMLMB1
3.5
20h TP +
12h TD
PYEXLMAO
3.5
20h TP +
12h TD
FMUGLU5
UE 3 - Initiation la recherche
Enseignants
8
Ph. Beckrich
N. Coppens
A. Flieller
G. Lemoine
Cl. Loubat-Hugel
N. Ludwig
Fr. Stuber
F. Thalmann
S. Zabrocki
N. Belfrekh
V. Villar
10
CHFMLMC1
Initiation la recherche
FMUGLU6
FMU0LM03
Allemand
FMU0LM04
Anglais
24h TD
3
20h TD
M. Barzoukas
M. Roynette
Cl. HuguenardDevaux
A. Sprauer
S. Choppin
247
Intituls
Coeff.
ECTS
Volumes
horaires
FMUGKU1
FMUGKM10
10
4h CI + 17h TD
+ 160h stage
9h TD
FMU0KM02
9h TD
FMUGKU2
FMUGKM20
10h CM + 24h
CI + 9h TD
FMUGKM21
16h CI
FMU0KM01
20h TD
FMT0KM01
FMUGKU3
PYEXKM01
FMUGKU6
FMU0KM03
Allemand
FMU0KM04
Anglais
Enseignants
10
14
2h CM + 4h TD
3
30h TD
3
20h TD
M. Barzoukas
M. Roynette
Cl. HuguenardDevaux
A. Sprauer
S. Choppin
249
Intituls
Coeff.
ECTS
Volumes
horaires
FMUGLU1
FMUGLM1
4h CI + 14h TD
+ 160h stage
6h TD
FMU0LM02
4hTD
FMUGLU2
FMUGLM20
9h CM + 10h
CI + 14h TD
FMUGLM21
4h CI + 7h TD
FMU0LM01
4h TD
FMT0LM01
4h CM + 8h TD
FMUGLU5
UE 3 - Initiation la recherche
10
CHFMLMC1
Initiation la recherche
FMUGLU6
FMU0LM03
Allemand
FMU0LM04
Anglais
Enseignants
250
24h TD
3
20h TD
M. Barzoukas
M. Roynette
Cl. HuguenardDevaux
A. Sprauer
S. Choppin
251
Formation oriente la fois vers la recherche et linsertion professionnelle avec quatre spcialits: Gnie industriel,
Computational engineering (Mcanique numrique en ingnierie), Mcatronique et nergie, Micro et nanolectronique.
Le master est en partenariat avec la Hochschule dOffenburg pour un double diplme en spcialit Gnie industriel,
lENGEES pour la spcialit Mcanique numrique en ingnierie et Tlcom physique Strasbourg pour la spcialit Micro
et nano-lectronique.
Les dbouchs sont nombreux, au niveau national et international en tant quingnieur logistique et amlioration continue ou conception dans les grands groupes industriels et les PME/PMI, et dans les tablissements publics de
recherche et denseignement suprieur aprs un doctorat.
M2-S2
M2-S1
Spcialit
Spcialit
Spcialit
Spcialit
Gnie industriel
(GI)
Mcatronique et
nergie (ME)
Micro et
nano-lectronique
(MNE)
Mcanique
numrique en
ingnierie (MNI)
Parcours :
(Computational
engineering)
Production
industrielle (GIPI)
M1-S2
ou
Conception et
ergonomie (GICE)
M1-S1
252
Trs concrte, la formation en gnie industrielest dlibrment ouverte sur le monde industriel. Elle vise former des
cadres techniques pouvant exercer les fonctions de responsables ou cadres dans le domaine du gnie mcanique et
gnie industriel pour la conception et la gestion des systmes industriels.
Les principales comptences des diplms vont de la conception de produits et de systmes de production la gestion
industrielle en passant par la qualit, la scurit ou lenvironnement. Lacquisition de ces comptences inclue galement
la prise en compte des ralits de lentreprise (dimension conomique, juridique et managriale). Cette formation sappuie
troitement sur le tissu industriel environnant. Elle fournit ses diplms les outils et les mthodes utilises par les ingnieurs.
Description de la spcialit :
La formation mobilise des savoirs varis touchant tous les domaines du gnie industriel, allant de linformatique industrielle et de lautomatisme la mcanique et la rsistance des matriaux en passant par la conception de produits et de
machines. La prise en compte de la vision de lingnieur en tant que manager est galement trs largement couverte par
la formation, en regard notamment des modules de communication, de gestion des ressources humaines Une sensibilisation la recherche est galement largement aborde.
Cette spcialit propose deux parcours. De plus, la formation est propose en double diplme dans un parcours francoallemand en collaboration avec la Hochschule dOffenbourg.
Parcours production industrielle: gnraliste, il intervient sur la mise en uvre de la production, depuis sa
dfinition (mthode, industrialisation) jusqu loptimisation et au respect des critres de scurit, qualit, cot et
dlais (QSE, logistique, ordonnancement, lean manufacturing). Ce parcours fonctionne en alternance sur les 2
ans (possibilit de contrat dapprentissage et de professionnalisation).
Parcours conception et ergonomie: spcialiste, il conoit des produits et des systmes de production avec une
attention particulire pour l'interface mcanique homme/produit.
253
Master SPI spcialit Gnie industriel parcours Production industrielle (GIPI) (M1)
1re anne de master - semestre 1 (M1-S1)
Responsable : Bertrand ROSE
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
PY4JGU10
UE 1 Matriaux et construction
mcanique
PY4JGM11
PY4JGU20
PY4JGM21
PY4JGU30
PY4JGM31
PY4JGU40
UE 4 - Technologie mcanique
PY4JGM41
Technologie mcanique
PY4JGU50
UE 5 - LV1
UL20GM01
UL10GM01
Allemand
Anglais
PY4JGU60
UE 6 - conomie dentreprise et
conomieindustrielle
PY4JGM61
PY4JGU70
PY4JGM71
PY4JGU80
UE 8 Libre (*)
Coeff.
ECTS
Industrie et environnement
PY4JGU90
UE 9 Amlioration continue
PY4JGM91
Amlioration continue
PY4JGU00
UE 10 Gestion de production
PY4JGM01
Gestion de production
Session de
rattrapage
3
1/2
1/2
non
non
EE (1h)
CC TP
EE + TP
conservs (1h)
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
non
non
non
EE (1h)
EE (1h)
CC TP (4h)
EE (1h)
3
1/2
1/2
3
1/2
1/2
3
1/3
1/3
1/3
3
Modalits dfinies par le CRL
1
1
3
1/2
1/2
non
non
EE (1h)
EE (1h)
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
3
1/2
1/2
EE (1h)
Libre (*)
PY4JGM81
Convocation
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
non
non
EE (1h)
CC TP (1h)
EE (1h)
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
3
1/2
1/2
3
1/2
1/2
(*) ltudiant informe la scolarit grant le diplme auquel appartient lUE envisage de son intention de choisir cette UE.
Il soumet ce choix au responsable de sa spcialit de diplme dinscription initiale. Suite laccord du responsable, il
sinscrit pdagogiquement lUE choisie.
254
Intituls
CM
TD
12
14
10
12
16
UE 4 - Technologie mcanique
12
UE 5 - LV1
TP
Enseignants
CI
16
S. Touchal, D. Guy
B. Nol
16
J.Fritsch
16
CRL
14
12
A. Benelhadj, B. Rose
10
16
E. Caillaud, D. Maire
UE 8 - Libre
Libre
Industrie et environnement
24
UE 9 - Amlioration continue
12
UE 10 - Gestion de production
12
255
16
16
A. Chalt
B. Spatz, D. Hoenen
R. Houssin
Rappel des gnralits sur la science des matriaux : dfinitions, caractristiques gnrales des principales familles
de matriaux (mtaux, polymres organiques, cramiques, multi matriaux), classification.
Rappels sur les liaisons : primaires et secondaires, directionnelles ou isotropes, rle sur la compacit, la cohsion
et l'lasticit.
Structures des principaux matriaux : verre ou cristal, dfauts du cristal rel, microstructures des mtaux et alliages
mtalliques, principaux matriauxorganiques et cramiques, transformations structurales, rle des transformations
structurales sur les proprits mcaniques.
256
Mcanismes :
Cots et prix : analyse entre/sortie
Marchs et formation des prix
Cycle de vie de produit
Circuit conomique
Indicateurs
Taux de marge et taux de profit, taux dpargne, taux dinvestissement
Coefficients techniques, coefficients de capital
Dsquilibres
Concepts de stabilit et quilibre, de crise et catastrophe (topologie diffrentielle)
Macro-conomie : chmage, inflation, dficits budgtaire, financiers, extrieurs.
Cycles technologiques et cycles conomiques
Approche montariste : Taux dintrt et masse montaire
Approche keynsienne : entre hausse des cots et de la demande.
Financement des entreprises : circuits bancaires, marchs financiers et inter et dsintermdiation.
Objectifs en termes de comptences
tre capable :
deffectuer des calculs conomiques lmentaires
de comprendre lespace de contraintes des entreprises industrielles
de justifier et de conforter les dcisions des entreprises
UE 7 - Intro gestion de projet et communication
Objectifs en termes de connaissances
Grer un projet efficacement :
Comprendre les enjeux dune organisation de projet pour la mise en uvre du changement dans lentreprise .
Sinspirer de diffrentes mthodologies de gestion de projet et leur spcificit (PMI, Goal PLAN, Mthodes agiles,).
Savoir anticiper en sappuyant sur: lapproche qualit, lapproche processus, lanalyse des risques par la pratique du
jeu des projets horizon du CIPE, la construction dobjectifs.
Documenter le projet , capitaliser les connaissances.
Identifier et prendre en compte les facteurs cls de succs.
Objectifs en termes de comptences
Construire une organisation de projet adapte, en identifiant les enjeux du projet, les acteurs et parties prenantes,
les risques, les contraintes en termes de cot, qualit et dlai, les facteurs cls de succs, les livrables, les phases
du projet, les points de dcision, les rles et fonctions de chacun, les ressources associes.
Planifier les activits identifies et assurer le suivi en utilisant un logiciel de planification (MS project 2010, GANTT)
Exprimenter cette organisation lors du projet raliser en quipe.
Prsenter oralement le projet lors dune runion de lancement (power point), prsenter de faon synthtique son
travail, rendre compte tout au long du projet et valoriser son exprience lors dune soutenance de projet.
UE 8 UE libre
UE libre
Voir composante porteuse
Industrie & environnement
Introduction au droit, acteurs et intrts en jeu : le droit, la hirarchie des normes, l'organisation juridictionnelle, responsabilits et sanctions. Dfinition du droit de l'environnement : caractristique et contenu; les normes; les grands principes
Procdures dvaluation et de participation : tudes d'impact, tudes de dangers et tudes dchets. Enqutes publiques,
CLIS, SPPPI, CNDP Le rgime des installations classes pour la protection de l'environnement : procdures dautorisation
et de dclaration, contrles des installations, cessation dactivit, les installations SEVESO Introduction aux dmarches
volontaires (politiques environnementales) : analyse du cycle de vie, rglement co-audit, la normalisation (ISO), management intgr.
UE 9 Amlioration continue
Objectifs en termes de connaissances
Connatre les notions et concepts de :
Total Productive Management
Mthodologie 6 Sigma (DMAIC)
Introduction au lean manufacturing avec dveloppement
PDCA, SDCA, A3 Toyota et 8D
5S et management visuel
Objectifs en termes de comptences
Etre capable de mettre en place des actions damlioration continue,
Savoir mettre en place la TPM, la dmarche 6 Sigma
Savoir appliquer la mthodologie de rsolution de problme en groupe
Connaitre la dmarche Lean et appliquer le 5S
Fiabiliser les quipements de production
UE 10 Gestion de production
Objectifs en termes de connaissances
Complments de cours sur MRP 1 et 2 - Plan industriel et commercial - Problmes dordonnancement - Diagrammes de
GANTT et PERT OPT.
Objectifs en termes de comptences
Matrise des concepts et des mthodes de gestion de production.
Capacit rsoudre des problmes dordonnancement.
257
Master SPI spcialit Gnie industriel parcours Production industrielle (GIPI) (M1)
1re anne de master - semestre 2 (M1-S2)
Responsable : Bertrand ROSE
Enseignements
:
Codes
apoge
PY4JHU10
Intituls
Coeff.
UE 1 - Gestion de la qualit
PY4JHM11
Gestion de la qualit
PY4JHM20
UE 2 - Projet 1
PY4JHM21
Projet 1
PY4JHU30
UE 3 - Informatique applique et
C2I ingnieur
PY4JHM31
PY4JHU40
UE 4 - Initiation la recherche et
communication scientifique et
technique
PY4JHM41
PY4JHU50
PY4JHM51
Communication - Techniques
dexpression professionnelle
PY4JHU60
UE 6 - Achats industriels et
stratgie industrielle
PY4JHM61
PY4JHU70
UE 7 - Lean 1 (outils)
PY4JHM71
Lean 1
PY4JHU80
UE 8 - Contrle de gestion
PY4JHM81
Contrle de gestion
PY4JHU90
UE 9 - Systmes dinformation et
PLM
PY4JHM91
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
3
1/2
1/2
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
non
Dossier +
soutenance
Dossier
non
non
EE (1h)
CC TP (4h)
Dossier (C2i)
EE + TP
conserv(s)(1h)
Dossier
non
Dossier
Dossier
non
non
EE (1h)
CC TP (2h)
EE + TP
conservs (1h)
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
non
non
EE (1h)
CC TP (4h)
EE + TP
conservs(1h)
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
1/3
1/3
non
non
1/3
non
CC TP (PLM)
CC TP (syst. dinformation)
EE (1h)
EE + TP
conservs(1h)
3
1
3
1/2
1/2
1
6
1
3
1/2
1/2
3
1/2
1/2
3
1/2
1/2
3
1/2
1/2
3
258
PY4JHM01
1/2
non
EE (1h)
EE + TP
conserv(s)
(1h)
PH00RMPI
1/2
non
EE (1h)
EE (1h)
PY4JHM02
1/2
1/2
non
non
CC TP
EE (1h)
EE + TP
conserv(s)
(1h)
Intituls
CM
UE 1 - Gestion de la qualit
TD
12
UE 2 - Projet 1
TP
Enseignants
CI
16
B. Nol, R. Houssin
10
D. Guy
16
P. Trau, D. Maire
E. Caillaud
16
F. Jolly
12
12
12
12
UE 7 - Lean 1 (outils)
12
16
D. Hoenen, B. Spatz
UE 8 - Contrle de gestion
12
16
D. Haemmerl
12
16
12
16
B. Nol
16
B. Rose, E. Caillaud
P. Trau
259
UE 1 Gestion de la qualit
Objectifs en termes de connaissances :
Les plans d'expriences fractionnaires. Utilisation des tables de Taguchi. Calcul de Capacit, Capabilit. Les cartes de
contrles: calcul des limites, vrification de normalit d'une distribution (Test du Khi 2 et Droite de Henry). La mthode
AMDEC en 7 tapes.
Objectifs en termes comptences :
Etre capable de mettre en place des plans d'expriences.
Etre capable de vrifier qu'une distribution correspond une loi normale.
Etre capable d'interprter des cartes de contrle.
Etre capable d'animer une tude AMDEC Produit et Processus.
UE 2 Projet 1
262
Master SPI spcialit Gnie industriel parcours Production industrielle (GIPI) (M2)
2e anne de master - semestre 3 (M2-S3)
Responsable : Bertrand ROSE
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
PY4JKU10
UE 1 - Sminaire d'ouverture
professionnelle
PY4JKM11
PY4JKU20
PY4JKM21
PY4JKU30
UE 3 - GPAO / logistique
PY4JKM31
GPAO / logistique
PY4JKU40
UE 4 - Lean 2 (dploiement)
PY4JKM41
Lean 2
PY4JKU50
UE 5 - Au choix (1 au choix)
PY4JKM5A
PY4JKM5B
PY4JKU60
UE 6 - Projet 2
PY4JKM61
Projet 2
PY4JKU70
UE 7 - Modlisation produit /
processus / service
PY4JKM71
PY4JKU80
UE 8 - LV1 (2)
UL10KM01
UL20KM01
Allemand
Anglais
PY4JKU90
UE 9 - Management et GRH
PY4JKM91
Management et GRH
PY4JKU00
UE 10 Libre (*)
Autre UE aprs accord du responsable
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
3
1
non
Dossier
Dossier
non
non
EE (1h)
EE TP (4h)
EE (1h)
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
non
non
EE (1h)
CC TP (4h)
EE (1h)
non
Dossier
Dossier
1/2
1/2
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
Dossier +
soutenance
Dossier
3
1/2
1/2
3
1/2
1/2
3
1/2
1/2
3
3
1
3
1/2
1/2
non
non
EE (1h)
CC TP (4h)
EE +TP
conserv(s) (1h)
3
Modalits dfinies par le CRL
1
1
3
1/2
1/2
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
3
1
PY4JGM81
Industrie et environnement
(uniquement pour les non-apprentis)
1/2
1/2
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
PY4JKM02
BASICS/APICS
1/2
1/2
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
(*) ltudiant informe la scolarit grant le diplme auquel appartient lUE envisage de son intention de choisir cette UE.
Il soumet ce choix au responsable de sa spcialit de diplme dinscription initiale. Suite laccord du responsable, il
sinscrit pdagogiquement lUE choisie.
263
Intituls
CM
TD
Enseignants
TP
30
16
12
UE 3 - GPAO/logistique
12
12
16
D.Hoenen, B. Spatz
12
16
A. Benelhadj
12
16
P. Trau, R. Houssin
30
16
J. Spieser
UE 5 - Au choix :
UE 6 - Projet 2
UE 7 - Modlisation produit/processus/service
12
UE 8 - LV1
8
16
CRL
UE 9 - Management et GRH
12
12
R. Dasen, M. Veynand
UE 10 Libre
12
12
A. Chalt, J.Spieser
UE libre
Industrie et environnement
BASICS/APICS
264
265
Master SPI spcialit Gnie industriel parcours Production industrielle (GIPI) (M2)
2e anne de master - semestre 4 (M2-S4)
Responsable : Bertrand ROSE
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
PY4JLU10
UE 1 - Prparation de stage
PY4JLM11
PY4JLU20
UE 2 - Stage
PY4JLM21
Stage
PY4JLU30
UE 3 - Valorisation de stage
PY4JLM31
Valorisation de stage
Coeff.
ECTS
Au cours du
semestre
Session de
rattrapage
3
1
Dossier
Dossier
Evaluation + rapport
+ soutenance
Conserv
Dossier
Dossier
24
8
3
1
Volume horaire
CM
TD
TP
Enseignants
CI
UE 1 - Prparation de stage
36
A. Benelhadj, D. Hoenen
UE 2 - Stage
UE 3 - Valorisation de stage
24
Master SPI spcialit Gnie industriel parcours Conception et ergonomie (GICE) (M1)
1re anne de master - semestre 1 (M1-S1)
Responsable : Bertrand ROSE
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
PY4JGU10
UE 1 Matriaux et construction
mcanique
PY4JGM11
PY4JGU20
PY4JGM21
PY4JGU30
PY4JGM31
PY4JGU40
UE 4 - Technologie mcanique
PY4JGM41
Technologie mcanique
PY4JGU50
UE 5 - LV1
UL10GM01
UL20GM01
Allemand
Anglais
PY4JGU60
UE 6 - conomie dentreprise et
conomie industrielle
PY4JGM61
PY4JGU70
PY4JGM71
PY4JGU80
UE 8 Libre (*)
Libre (*)
PY4JGM81
Industrie et environnement
PY4KGU90
UE 9 - Mcanique du solide
PY4KGM91
Mcanique du solide
PY4KGU00
UE 10 - Physiologie humaine
PY4KGM01
Physiologie humaine
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
3
1/2
1/2
non
non
EE (1h)
CC TP (1h)
EE + TP
conservs (1h)
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
non
non
non
EE (1h)
EE (1h)
CC TP (4h)
EE (1h)
3
1/2
1/2
3
1/2
1/2
3
1/3
1/3
1/3
3
Modalits dfinies par le CRL
1
1
3
1/2
1/2
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
3
1/2
1/2
3
1
1/2
1/2
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
non
non
EE (1h)
Prsentation
orale (20 min)
EE (1h)
3
1/2
1/2
3
1/2
1/2
(*) ltudiant informe la scolarit de son intention de choisir cette UE. Il soumet ce choix au responsable de sa spcialit de
diplme dinscription initiale. Suite laccord du responsable, il sinscrit pdagogiquement lUE choisie.
268
Intituls
CM
TD
12
14
10
12
16
UE 4 - Technologie mcanique
12
UE 5 - LV1
Enseignants
TP
16
S. Touchal, D. Guy
B. Nol
16
J.Fritsch
16
CRL
14
12
A. Benelhadj
10
16
E. Caillaud, D. Maire
UE 8 Libre
Libre
Industrie et Environnement
24
A. Chalt
UE 9 - Mcanique du solide
12
16
J.P.M. Correia
UE 10 - Physiologie humaine
12
12
D. Guy
UE 10 - Physiologie humaine
Objectifs en termes de connaissances :
Anatomie du corps humain : les membres suprieurs et infrieurs. La tte et le cou; le tronc et la colonne vertbrale.
Les fonctions motrices :
Les divers types de mouvements et leur accomplissement.
Les dysfonctionnements musculaires accidentels (claquage, tendinite, crampe).
Lhygine des muscles.
Analyse des gestes et postures : lment de mcanique articulaire. Les risques et les pathologies.
Objectifs en termes de comptences :
Etre capable dintgrer la composante humaine la conception des produits.
Identifier et valuer les risques lis lutilisation des matriels.
269
Master SPI spcialit Gnie industriel parcours Conception et ergonomie (GICE) (M1)
1re anne de master - semestre 2 (M1-S2)
Responsable: Bertrand ROSE
Enseignements
:
Codes
apoge
PY4JHU10
Intituls
Coeff.
UE 1 - Gestion de la qualit
PY4JHM11
Gestion de la qualit
PY4JHM20
UE 2 - Projet 1
PY4JHM21
Projet 1
PY4JHU30
UE 3 - Informatique applique et
C2i ingnieur
PY4JHM31
PY4JHU40
UE 4 - Initiation la recherche et
communication scientifique et
technique
PY4JHM41
PY4JHU50
UE 5 - Communication - Techniques
dexpression professionnelle
PY4JHM51
Communication - Techniques
dexpression professionnelle
PY4KHU60
PY4KHM61
PY4KHU70
PY4KHM71
PY4KHU80
UE 8 - Exprimentations
mcaniques
PY4KHM81
Exprimentations mcaniques
PY4KHU90
UE 9 - Conception et technologie
dinterfaces mcaniques
Homme / matriel
PY4JHM11
PY4KHU00
PY4JHM01
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
3
1/2
1/2
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
non
Dossier +
soutenance
Dossier
1/4
1/4
non
non
EE (1h)
CC TP (1h)
EE (1h)
1/2
non
Dossier
Dossier
non
Dossier
Dossier
non
non
EE (1h)
CC TP
EE (1h)
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
non
non
EE (1h)
rapports TP
EE + TP
conservs (1h)
non
non
EE (1h)
CC TP
EE + TP
conservs(1h)
non
CC TP
TP conservs
(2h)
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
3
1
3
6
1
3
1/2
1/2
3
1/2
1/2
3
1/2
1/2
3
1/2
1/2
3
1
3
1/2
1/2
270
CM
UE 1 - Gestion de la qualit
TD
12
UE 2 - Projet 1
Enseignants
TP
16
B. Nol, R. Houssin
10
D. Guy
16
P. Trau
E. Caillaud, URFIST
16
Fr. Jolly
12
12
12
12
20
UE 8 - Exprimentations mcaniques
12
16
N. Bahlouli, C. Beck
12
15
D. Guy
12
16
B. Nol
271
15
J.P.M. Correia
Objectifs en termes de connaissances : faire l'tat de l'art en matire d'interfaces mcaniques homme /matriel.
Adaptation anatomique et contact.
Approche mcanique : pression et action mcanique de contact, vibrations et chocs. Les formes et les matriaux participant au confort et l'efficience : les critres d'une bonne adaptation anatomique, caractrisation du contact et classification des matriaux , absorption des effets indsirables. Les quipements de protection individuelle : les obligations
rglementaires et les quipements disponibles dans les domaines du travail, de la vie quotidienne, des loisirs et du sport.
Efficience musculaire.
Analyse mcanique et technologique des organes de prhension ou de manipulation (poignes, manches, leviers, manivelles et volants), et de motricit (chaussures).
tudes de cas.
Les TP consisteront analyser et (re)concevoir des quipements dont la fonction essentielle ncessite une bonne adaptation l'anatomie et la physiologie humaine : outillage, mobilier, quipements sportifs, ...
Objectifs en termes de comptences :
Choisir et dimensionner un organe mcanique adapt l'anatomie humaine.
Analyser et optimiser la relation mcanique homme / matriel.
UE 10 Bonnes pratiques de Fabrication/technologie/Procds
Master SPI spcialit Gnie industriel parcours Conception et ergonomie (GICE) (M2)
2e anne de master - semestre 3 (M2-S3)
Responsable: Bertrand ROSE
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
PY4KKU10
UE 1 - Conception et technologie
des quipements d'assistance
mcanique
PY4KKM11
PY4KKU20
UE 2- Vibrations et ondes
PY4KKM21
Vibrations et ondes
PY4KKU30
UE 3 - Fatigue, endommagement et
rupture
PY4KKM31
PY4KKU40
PY4KKM41
Conception et CAO
PY4KKU50
UE 5 - Projet 2
PY4KKM51
Projet
PY4KKU60
UE 6 - Modlisation produit /
processus / service
PY4KKM61
PY4KKU70
UE 7 - LV1 (2)
UL10KM01
UL20KM01
allemand
anglais
PY4KKU80
UE 8 - Management et GRH
PY4KKM81
Management et GRH
PY4KKU90
UE 9 Libre (*)
PY4KKM91
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
3
1/2
1/2
non
non
EE (1h)
CC TP
EE + TP
conserv(s) (1h)
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
non
non
EE (1h)
CC TP
EE (1h)
non
non
EE (1h)
Rapports TP
EE + TP
conserv(s) (1h)
non
Projet +
soutenance
Projet
1/2
1/2
non
non
EE (1h)
CC TP
EE + TP
conserv(s) (1h)
3
1/2
1/2
3
1/2
1/2
3
1/2
1/2
3
3
Modalits dfinies par le CRL
3
3
3
1/2
1/2
non
non
EE (1h)
EE (1h)
EE (1h)
Dossier
Dossier
(*) Inscription aux UE libres: ltudiant informe le service de scolarit grant le diplme auquel appartient lUE envisage
de son intention de choisir cette UE. Ltudiant soumet ce choix au responsable de sa spcialit de diplme dinscription
initiale. Suite laccord du responsable de sa spcialit, il sinscrit pdagogiquement lUE choisie.
273
Intituls
Volume horaire
CM
TD
TP
Enseignants
CI
12
16
D. Guy
UE 2 - Vibrations et onde
12
16
R. Willinger
12
16
C. Fond
20
36
UE 5 - Projet 2
UE 6 - Modlisation Produit / Processus / Service
30
12
UE 7 - LV1
UE8 - Management et GRH
12
16
CRL
12
R. Dasen, M. Veynand
UE 9 - Libre
UE libre
30
Finalement, le comportement des pices fissures et ltablissement des conditions de leur rsistance la rupture seront
tudis. Les connaissances de base permettant dapprhender les concepts de mcanique linaire de la rupture seront
abordes: mthodes dapproche locale (champs de dformations et de contraintes) et mthodes dapproche globale
(nergies).
Objectifs en termes de comptences :
Etre capable de :
prvoir lvolution dune fissure par la mcanique de la rupture.
intgrer lendommagement dans un code calcul par lments finis.
dimensionner une pice mcanique en fatigue.
UE 4 - Conception et CAO
Objectifs en termes de connaissances :
Etude globale en conception intgre. Aspect collaboratif de la CAO en terme de conception, vrification et simulation
dusinage. Modlisation et simulation du comportement dynamique d'un systme mcanique (les TP se focaliseront sur le
pilotage d'un systme en CAO et l'interprtation des rsultats) Modlisation et simulation du comportement mcanique
d'une pice sous sollicitations (les TP se focaliseront sur les diffrentes notions de taille et choix du maillage, du type
dlment et de conditions aux limites).
Objectifs en termes de comptences :
Concevoir en collaboratif.
Etre capable de vrifier un modle en 3D en dynamique. Acqurir des notions de base sur la mthode des lments
finis (MEF).
UE 5 - Projet 2
Objectifs en termes de connaissances :
Management de projet : management de produit et management de processus, structure projet, utilisation dun logiciel de
planification (suite). Problmatique de la formalisation dun problme.
TP : seuls ou en quipe, les tudiants devront dmontrer leur capacit prendre en charge des problmatiques industrielles pluridisciplinaires ou de recherche et dveloppement (dans une logique d'initiation la recherche). Cette dmonstration pourra se faire soit au travers de la prise en charge dun projet dans son ensemble, soit au travers de la rsolution
dune problmatique spcifique.
Remarque : le projet peut prparer le stage en entreprise qui sera ralis au semestre 4.
Objectifs en termes de comptences :
Prendre en charge une problmatique et orienter sa rsolution.
Organiser son travail et rendre compte.
Acqurir des connaissances et des outils spcifiques aux problmatiques abordes
UE 6 - Modlisation Produit/Processus/Service
Objectifs en termes de connaissances :
Outils mthodologiques dans un environnement de conception innovante : analyse fonctionnelle, analyse de la valeur,
blocs diagrammes fonctionnels, matrices de dcouverte, brainstorming, veille technologique. Problmatique de la formalisation de linvention et de linnovation en conception. Thorie de rsolution de problmes dinvention : axiomes, notion de
contradictions. Lois dvolutions, principes dinvention. Mthodes pour la rsolution de problmes dinvention : (problmes
standards et problmes difficiles). Outils supports de mthodes de rsolution de problme dinvention. Modlisation des
processus/service et modlisation produit. Evaluation de la performance d'une activit. Ingnierie intgre : intgration
multi-mtiers, jeu des cmaostes
Objectifs en termes de comptences :
Orienter et mettre en uvre une rsolution de problmatique innovante.
Etre capable de modliser un processus/service l'aide de diffrents formalismes.
Savoir travailler dans le cadre dune entreprise tendue.
UE 7 Langues
Anglais ou allemand
UE 8 - Management et GRH
Objectifs en termes de connaissances :
Rappels sur lenvironnement socio-conomique de lentreprise Approche sociale de lentreprise La fonction RH : administration et gestion du personnel, recrutement, dveloppement des comptences, rgulation du climat social, stratgie
RH Les savoir-faire et savoir-tre des responsables RH : savoir ngocier, argumenter, conduire des entretiens Droit
du travail.
Les mcanismes humains : rsistances au changement, dissonances cognitives, thorie des besoins, influence et recherche du pouvoir. Dveloppement des RH : stratgie de recrutement Les missions RH : dtecter et dvelopper des
potentiels, construire des rpertoires de comptences, piloter le plan de formation, mettre en place un systme de rmunration adapt, mesurer le climat social, mettre en place des outils de pilotage RH.
Objectifs en termes de comptences :
Etre capable de prendre une responsabilit incluant le management des collaborateurs.
Comprendre les enjeux du dveloppement des ressources humaines et collaborer ce dveloppement.
275
Master SPI spcialit Gnie industriel parcours Conception et ergonomie (GICE) (M2)
2e anne de master - semestre 4 (M2-S4)
Responsable: Bertrand ROSE
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
PY4KLU10
UE 1 - Prparation de stage
PY4KLM11
PY4KLU20
UE 2 - Stage
PY4KLM21
Stage
PY4KLU30
UE 3 - Valorisation de stage
PY4KLM31
Valorisation de stage
Coeff.
ECTS
Au cours du
semestre
Session de
rattrapage
3
1
Dossier
Dossier
Evaluation + rapport
+ soutenance
Conserv
Dossier
Dossier
24
8
3
1
Volume horaire
CM
TD
UE 1 - Prparation de stage
TP
36
Enseignants
CI
A. Benelhadj, D. Hoenen
UE 2 - Stage
UE 3 - Valorisation de stage
24
Le march de lemploi
Le projet professionnel
Le bilan de comptence
CV et lettre de motivation
Management visuel en entreprise
Prparation oprationnelle du stage
UE 2 - Stage
Pendant au moins 20 semaines, ltudiant intgrera une entreprise ou un laboratoire afin de dmontrer quil possde bien
les comptences requises pour assumer des fonctions dingnieur ou de chercheur.
Les tudiants des spcialits professionnelles devront intgrer un service li la production ou la conception, ceux de
la spcialit mcanique devront imprativement intgrer un service li la recherche applique ou fondamentale, que ce
soit en entreprise ou dans un service public.
UE 3 - Valorisation de stage
Mthodologie de travail et gestion du projet:
Aspects conomiques et stratgiques du stage.
Management et communication du projet (poster)
Gestion des ressources de lentreprise.
Bilan de comptences.
Pr-requis: Stage de M2
276
Double diplme :
Master SPI spcialit Gnie industriel Master of Science spezialitt Mechanical engineering ou
Master of Science spezialitt Wirtschaftsingenieurwesen
Objectifs pdagogiques:
La formation a pour objectifs de former des cadres techniques matrisant parfaitement le franais et lallemand. La prise en
compte des aspectes interculturels permet une intgration rapide au sein des entreprises internationales.
Description de la formation:
La proximit pdagogique et gographique des formations dispenses la Facult de physique & ingnierie et la
Hochschule dOffenbourg permet nos deux tablissements de proposer un cursus intgr bi-national offrant la possibilit
d'obtenir conjointement les diplmes franais et allemands correspondants.
Le cursus dbute en licence, mais les tudiants ont la possibilit de faire uniquement le bachelor ou le master.
Les principes retenus sont les suivants:
Pour obtenir la licence les tudiants doivent valider 60 ECTS d'enseignement dans l'tablissement partenaire durant
les 6 premiers semestres,
Pour obtenir le bachelor les tudiants doivent valider 60 ECTS d'enseignement dans l'tablissement partenaire
durant les 6 premiers semestres et 30 ECTS de stage ralis dans le pays dont ils ne sont pas originaires,
Pour obtenir simultanment deux masters (double diplme) les tudiants doivent valider 60 ECTS dans l'tablissement partenaire (30 crdits denseignement + 30 crdits de stage).
277
Formation
Semestre
Diplme
Licence
S 1
S 2
S 3
S 4
S 5
S 6
Pays dorigine
Pays dorigine
Pays dorigine
Allemagne
France
France pour les tudiants
originaires de la Hochschule et
Allemagne pour les tudiants
originaires de la Facult
Master
S 7
S 8
S 9
S 10
Licence
Les modalits de contrle de connaissances sont celles du pays dans lequel le semestre est effectu.
Chaque semestre russi dans le pays partenaire permet lobtention de 30 crdits europens reconnus dans le pays
dorigine.
278
Lobjectif est de former des cadres techniques et des responsables de projets en recherche & dveloppement dans les
domaines de la conception de produits mcatroniques et de systmes de production lectromcaniques instruments.
Un approfondissement plutt systmes embarqus ou plutt nergies renouvelables se fera au cours de la formation. Les enseignements en gestion de lnergie confrent une spcificit cette spcialit.
Les comptences acquises doivent permettre aux tudiants de matriser une dmarche scientifique et technologique
pour, dune part, tablir ou optimiser le cahier des charges multicritres et multiphysiques de produits et de systmes de
production mcatroniques et, dautre part, procder leur conception ou optimisation.
Cette spcialit est oriente la fois vers une finalit recherche et vers une finalit professionnelle: les tudiants pourront
ainsi aller dans lindustrie ou poursuivre leurs tudes en doctorat.
A lissue de la formation, les tudiants auront de fortes comptences en (re)conception base sur la modlisation et la
simulation de systmes mcatroniques, en instrumentation et acquisition de signaux:
Conception, mise au point et maintenance de produits mcatroniques et lectromcaniques
Conception de systmes lectromcaniques instruments
Amlioration technique dune machine dans le domaine de la commande et/ou des nergies
Modlisation et simulation de systmes mcatroniques
Conception et validation de circuits programmables
Dveloppement dun logiciel dacquisition de mesures
laboration et mise en place de bancs dessais ou de tests
Dfinition et mise au point de mthodologies de mesure
Analyse de dfaillances des produits
Standardisation des automates et/ou intgration dune supervision
Bilan nergtique, dveloppement durable
Conduite dexpertises techniques
Conditions dadmissionet/ou conditions daccs et de pr-requis:
Recrutement en M1:
Admission de plein droit aux tudiants titulaires de la licence Sciences pour lingnieur issus de lUnistra (parcours Ingnierie et parcours ESA). Les candidats extrieurs doivent prsenter une candidature travers la plateforme Aria (https://
aria.u-strasbg.fr) ou par Campus France, selon le cas.
Redoublement en M1:
Le redoublement en M1 nest autoris quaprs avis favorable du jury de M1.
Recrutement en M2:
Admission de plein droit aux tudiants issus du M1 Sciences pour lIngnieur de la spcialit Mcatronique et nergie de
lUnistra. Les candidats extrieurs doivent prsenter une candidature travers la plateforme Aria (https://aria.u-strasbg.fr)
ou par Campus France, selon le cas.
Redoublement en M2:
Le redoublement en M2 nest autoris quaprs avis favorable du jury de M2.
Dbouchs :
Cette spcialit permet laccs aux secteurs innovants qui se situent aux interfaces de la mcanique, de lEEA et de
linformatique.
Les dbouchs sont nombreux, autant dans les grandes socits que les PME/PMI. Ils se situent dans une grande varit
de domaines : aronautique, automobile, nergies renouvelables, production de produits semi-finis, micro-systmes, instrumentation,
Les dbouchs sont galement possibles dans les tablissements publics (CNRS, Universits) de recherche et denseignement suprieur.
Poursuites dtudes:
Thse dans le domaine de la mcatronique et de l'nergie.
279
Intituls
UE 1 - EEA
Coeff.
ECTS
PY4H3M11
Actionneurs lectriques
2/3
1/3
PY4H3M12
2/3
1/3
PY4H3M13
Code (TP)
2/3
Convocation
Au cours du
semestre
Session de
rattrapage
oui (session 2)
Epreuve crite
(1h30)
oui (session 2)
Epreuve crite
(1h30)
Epreuve crite
(2h)
Epreuve TP (2h)
oui (session 2)
1/3
PY4HGU20
UE 2 - Informatique industrielle
PY4H3M21
Gnie informatique
2/3
1/3
oui (session 2)
Epreuve crite
(1h30)
PY4H3M22
Automatisme et supervision
2/3
1/3
oui (session 2)
Epreuve crite
(1h30)
PY4HGU30
UE 3 - Systmes mcaniques
PH49GM31
1/2
1/2
oui (session 2)
Epreuve crite
(1h30)
PH49GM32
Modlisation de systmes
mcaniques
3/4
1/4
oui (session 2)
Epreuve crite
(1h30)
PY4HGU40
UE 4 conomie et gestion
industrielle
PY4H3M41
1/2
1/2
oui (session 2)
Epreuve crite
(1h)
PY4H3M42
Economie dentreprise et
conomie industrielle
1/2
1/2
oui (session 2)
Epreuve crite
(1h)
PY4HGU50
UE 5 Langues: anglais
scientifique 1
PY4H3M51
Langue : anglais
280
CM
TD
Enseignants
TP
CI
Actionneurs lectriques
12
18
12
18
UE 1 - EEA
14
16
F. Dadouche
UE 2 - Informatique industrielle
Gnie informatique
16
14
P. Trau
Automatisme et supervision
16
14
P. Trau
24
J. Fritsch
22
S. Touchal
UE 3 - Systmes mcaniques
Choix et dimensionnement des lments
Modlisation de systmes mcaniques
10
16
N. Dreyer
14
12
A. Benelhadj
16
UE 1 - EEA
Actionneurs lectriques
Revue des proprits et caractristiques de la conversion lectromcanique dans laquelle on distinguera les caractristiques respectives et les domaines dapplications spcifiques des actionneurs lectriques et des moteurs
lectriques dans le domaine industriel.
Analyse des principales structures dactionneurs bases sur le principe de maximisation du flux magntique pour en
dduire les forces (couples) gnres pour diffrentes topologies de dispositifs.
Analyse des structures dactionneurs lectriques comportant des aimants permanents.
Etude des principes de commande de ces dispositifs sans contre raction.
Dimensionnement dune chaine lectromcanique lmentaire. On y tudiera un actionneur bobine mobile (le
haut-parleur) et des actionneurs dits linaires ayant un circuit magntique symtrique et asymtrique pour une
application industrielle spcifique.
Traitement du signal et commande
Traitement du signal:
Rappel des transformes de Fourier, Laplace et en Z
Transformes de Fourier discrte et analyse spectrale dun signal chantillonn
Synthse de filtres analogiques
Synthse de filtres numriques (FIR et IIR)
Commande:
Analyse des performances de systmes asservis linaires continus et discrets: stabilit, prcision, lieu des racines
Synthse de correcteurs PID analogiques et numriques
initiation lespace dtat: modlisation de systmes et commande par retour dtat par placement de ples
lectronique Numrique VHDL
tude du langage de description VHDL : prsentation des concepts et mthodes de description de circuits numriques
laide du langage de description matriel VHDL.
Modlisation et simulation numrique :
Introduction des aspects fondamentaux de la modlisation des circuits et systmes numriques,
Simulation logique de circuits modliss et dcrits en VHDL.
Introduction la synthse et limplmentation de systmes numriques sur circuits programmables.
UE 2 Informatique industrielle
Automatisme et supervision
Lautomatisation des systmes industriels, mise en uvre sur automate programmable industriel, cas combinatoires et
squentiels. Diffrents langages des automates : contacts, portes logiques, langage mnmonique, Grafcet. Rseaux
dautomates programmables. Supervision des systmes automatiss. Aspects conomiques et technologiques dans le
choix dune solution.
Pr-requis : numration binaire et hexadcimale, rsolution des problmes combinatoires simples (algbre de Boole,
tableaux de Karnaugh, portes logiques). Utilisation de base du Grafcet (linaire, ET, OU).
281
Gnie informatique
Les langages volus et de bas niveau. Programmation en langage C : variables, boucles et tests, fonctions et arguments.
Algorithmes et gestion des donnes, tableaux, pointeurs et listes. Organisation d'un programme, modularit, structuration.
Introduction l'informatique temps rel. Les TP sont orients "commande des systmes".
UE 3 - Systmes mcaniques
Choix et dimensionnement des lments
lments de thorie des mcanismes Spcification gomtrique des produits : rappel sur les notions de base, compensation des carts gomtriques par les jeux Ralisation des fixations et des guidages : catalogue des solutions, critres
de choix et de dimensionnement, prescription de montage.
Modlisation de systmes mcaniques
Thorie du contact : action mcanique et pression de contact (thorie de Hertz...), glissement et roulement, lubrification,
modlisation du frottement tude mcanique des guidage et des transmissions : les modles de calcul, estimation des
performances et dimensionnement La fatigue des pices mcaniques.
UE 4 conomie et gestion industrielle
Introduction gestion projet et communication
Grer un projet efficacement :
Comprendre les enjeux dune organisation de projet pour la mise en uvre du changement dans lentreprise.
Sinspirer de diffrentes mthodologies de gestion de projet et leur spcificit (PMI, Goal PLAN, Mthodes agiles,).
Savoir anticiper en sappuyant sur: lapproche qualit, lapproche processus, lanalyse des risques par la pratique du
jeu des projets horizon du CIPE, la construction dobjectifs.
Documenter le projet, capitaliser les connaissances.
Identifier et prendre en compte les facteurs cls de succs.
conomie dentreprise et conomie industrielle
Objectifs
Etre capable :
Deffectuer des calculs conomiques lmentaires
De comprendre lespace de contraintes des entreprises industrielles
De justifier et de conforter les dcisions des entreprises
UE 5 Langues
Anglais scientifique
282
Convocation
Coeff.
ECTS
UE 1 - Instrumentation
PY4HHM11
lectronique analogique
2/3
1/3
oui (session 2)
Epreuve crite
(1h30)
PY4HHM12
Mesure et instrumentation
2/3
1/3
oui (session 2)
Epreuve crite
(1h30)
PY4HHU20
UE 2 - Implantation numrique
PY4HHM21
2/3
1/3
oui (session 2)
Epreuve crite
(1h30)
PY4HHM22
Systmes numriques
embarqus
1/2
1/2
oui (session 2)
Epreuve crite
(1h30)
PY4HHU30
UE 3 nergie 1
PY4HHM31
Conversion lectromcanique
2/3
1/3
oui (session 2)
Epreuve crite
(1h30)
PY4HHM32
2/3
1/3
oui (session 2)
Epreuve crite
(1h30)
PY4HHM33
nergie renouvelable 1
2/3
1/3
oui (session 2)
Epreuve crite
(1h30)
PY4HHU40
UE 4 - CAO de systmes
lectromcaniques
PY4HHM41
oui (session 2)
Compte-rendu de TP
Epreuve de TP
(3h)
PY4HHM42
PY4HHU50
UE 5 - Projet 1
PY4HHM51
Projet 1
PY4HHU10
Intituls
Au cours du
semestre
Session de
rattrapage
1/2
oui (session 2)
1/2
6
Epreuve crite
(1h30)
Epreuve de TP
(2h)
3
non
Dossier +
soutenance
Dossier
non
Evaluation (matre de
stage et tuteur)
+ rapport
Conserv
Volume horaire
CM
TD
TP
CI
12
14
Enseignants
UE 1 - Instrumentation
lectronique analogique
Mesure et instrumentation
18
12
Y. Hu
Y. Hu, Fr. Schwartz
UE 2 - Implantation numrique
Cibles dimplantation numrique
Systmes numriques embarqus
12
14
12
16
F. Dadouche
F. Dadouche
UE 3 nergie 1
Conversion lectromcanique
18
18
E. Laroche
nergie renouvelable 1
22
D. Knittel
28
20
UE 5 - Projet 1
J. Fritsch
10
R. Willinger, J. Fritsch
J. Fritsch
6 10 semaines
284
UE 1 - Instrumentation
lectronique analogique
Acqurir les connaissances ncessaires pour le fonctionnement des dispositifs lectroniques de base comme les amplificateurs, les oscillateurs et les modulateurs et les dmodulateurs damplitudes et de frquences.
Mesure et instrumentation
Connatre la notion de base en termes de rsolution, perturbation, etc. pour une chane de mesure instrumentale
Comprendre comment valuer les rsultats de mesure et amliorer la prcision, etc. pour une chane de mesure
Matriser lutilisation du logiciel Labview pour le traitement et lacquisition de donnes.
UE 2 Implantation numrique
Cibles dimplantation numrique
Ltude des diffrentes cibles dimplantation numrique permet den comprendre le fonctionnement et les limites, ainsi que
leurs technologies de programmation. Cela permet de choisir la cible dimplantation adquate en fonction des applications
et des objectifs fixs.
Les circuits reconfigurables FPGA seront plus particulirement viss et seront utiliss en TP pour limplantation de
quelques fonctionnalits numriques permettant ainsi de se familiariser avec lutilisation de ces circuits trs rpondus
mais aussi de sapproprier les outils de conceptions associs.
Systmes numriques embarqus
tude des solutions de microprocesseurs embarqus sur FPGA. Processeurs Soft / Hard Core. Conception conjointe
matrielle logicielle.
tude des priphriques embarqus et de leur systme de communication (BUS) et mode daccs.
TP sous forme dun mini projet.
UE 3 - nergie
Conversion lectromcanique
Convertisseurs statiques: redresseurs, hacheurs, onduleurs; leur commande
Utilisation des convertisseurs statiques pour lalimentation des moteurs
Utilisation des convertisseurs statiques pour le filtrage actif
Gestion et qualit de lnergie lectrique
Les thmes gnraux abords dans cet enseignement concernent les aspects suivants :
Gestion de lnergie lectrique : au-del de la production, le dveloppement des fonctions stockage et transport.
Dsensibilisation aux perturbations dues au rseau EDF et aux charges industrielles.
Impact de linsertion de la production dcentralise (ressources nergtiques) dans les rseaux lectriques.
nergie renouvelable 1
Etre capable de choisir une solution en nergie renouvelable selon lapplication propose
Etre capable de raliser le dimensionnement dun systme photovoltaque ou olien et den valuer la pertinence
conomique
Etre capable de modliser et de simuler un systme photovoltaque ou olien partir de logiciel ddi
UE 4 - CAO de systmes lectromcaniques
DAO et CAO de systmes
DAO: construction de modles volumiques
CAO de systmes mcaniques intgrant les actionneurs (lectriques, pneumatiques) et les capteurs, simulation du
comportement dynamique, interfaage du modle de simulation dynamique avec le logiciel Matlab.
lments finis et simulation
Initiation (ou rappel) de mcanique des milieux continus (tenseurs des contraintes, champ de dplacement, tenseur
des dformations, loi de comportement)
Application aux sollicitations lmentaires
Rsolution de problmes dlastostatique par la mthode des rigidits
Fonctions de forme dun lment
Les tapes de la MEF
lments ressort, barre, poutre
Mise en uvre des simulations :
implantation des contacts
implantation des chargements en fonction du temps
implantation des fonctions cinmatiques.
Les diffrents types de rsultats et leur signification.
UE 5 Projet 1
Dmarche de projet: projet et produit, les processus de changement dtat, lexpression du besoin, analyse fonctionnelle et analyse de la valeur, conception prliminaire.
Gestion de projet: les enjeux du management de projet, organisation et suivi de projet, utilisation dun logiciel de
planification (PS Project).
Mthodologie de rsolution de problmes en groupe (MRPG): poser un problme et en extraire la partie essentielle,
organiser son travail et rendre compte, organiser une runion de travail.
TP: prise en charge dune problmatique technologique permettant de mettre en application les concepts abords
en cours.
285
Intituls
Coeff.
ECTS
PY4HKU10
UE 1- Mcanique et multiphysique
PY4HKM11
1/2
1/2
PY4HKM12
Systmes thermiques et
multiphysiques
2/3
1/3
PY4HKU20
UE 2 - Commande industrielle
PY4HKM21
Commande avance
PY4HKM22
Capteurs et rseaux
PY4HKU30
UE 3 - UE choix (1 au choix)
PY4HKU3A
Convocation
Session de
rattrapage
oui (session 2)
Epreuve
crite (1h30)
oui (session 2)
Epreuve
crite (1h30)
2/3
1/3
oui (session 2)
Epreuve
crite (1h30)
1/2
1/4
1/4
oui (session 2)
Epreuve
crite (1h30)
1/2
non
report
1/2
non
report
1/3
1/3
1/3
oui (session 2)
Epreuve
crite (1h30)
oui (session 2)
Epreuve
crite (1h30)
non
Dossier + soutenance
Dossier
oui (session 2)
Epreuve
crite (1h)
PY4HKU3B
UE 3b Approfondissement nergie
nergie renouvelable 2
PY4HKU40
UE 4 Optimisation et nergie
PY4HKM41
Optimisation et nergie
PY4HKU50
UE 5 Projet 2
PY4HKM22
Projet 2
PY4HKU60
PY4HKM61
1/2
1/2
PY4HKU70
UE 7 Langue: anglais
scientifique 2
PY4HKM71
PY4HKU80
UE 8 - UE libre
PY4HKM81
lectronique de puissance
1/3
1/3
1/3
9
1/3
1/3
1/3
oui (session 2)
Epreuve
crite (1h30)
286
Volume horaire
CM
TD
Enseignants
TP
CI
20
14
18
Bekkour, J. Fritsch
Commande avance
12
18
D. Knittel
Capteurs et rseaux
16
18
E. Laroche, P. Celka
UE 1- Mcanique et multiphysique
UE 2 - Commande industrielle
UE 3 - UE choix
UE 3a Approfondissement systmes embarqus
Architecture des processeurs
12
10
H. Berviller
8
UE 3b Approfondissement nergie
nergie renouvelable 2
22
D. Knittel
UE 4 Optimisation et nergie
12
18
D. Knittel
UE 5 Projet 2
UE 6 Assurance qualit et co-conception 1
Responsable : D. Knittel
14
10
B. Rose
16
UE 8 - UE libre
lectronique de puissance
14
287
10
UE 1 - Mcanique et multiphysique
Mcanique flexible et matriaux
Lois de comportement des matriaux, lastique
Intgration des lois de comportement dans un logiciel de simulation flexible.
Intgration des contraintes thermiques
Gestion du contact
implantation des diffrents modles de guidage; palier, roulement
implantation des lois de commande
comparaison des mthodes dintgration sur la stabilit du modle dynamique
Approche microscopique des matriaux (comparaison mtaux / polymres)
comportement lastique (liaison interatomique vs flexibilit macromolcule)
comportement plastique (dislocation vs coulement plastique)
endommagement (oxydation-corrosion / fluage / frottement)
Systmes thermiques et multiphysiques
Les lois de la thermique Les modes de diffusion de la chaleur Les applications
Les quations dtat, les transformations, les principes de la thermodynamique
Les machines thermodynamiques et leur caractristiques globales
Les bilans nergtiques
Les systmes multi physiques les diffrentes modlisations
UE 2 Commande industrielle
Commande avance
savoir synthtiser des commandes industrielles avances (continues ou discrtes) pour des systmes lectro-mcaniques monovariables ou multivariables complexes ;
savoir synthtiser des observateurs linaires (continus ou discrets) pour des systmes complexes, et des observateurs non linaires par filtrage de Kalman tendu ;
Capteurs et rseaux
tre capable de faire un choix de capteur et sa mise en oeuvre.
tre capable de choisir une technologie de rseau industriel et de lutiliser pour la communication de dispositifs de
commande ou une supervision.
UE 3 UE choix
Architectures des processeurs
Architecture des processeurs d'usages gnraux (historique, volutions, RISC, multiprocesseurs)
Spcificits des systmes embarqus
Architectures des processeurs embarqus (ARM, Nios,..)
Systmes dexploitation embarqus
Gnralits sur les systmes d'exploitation
Spcificits architecturales des systmes embarqus
Fonctionnement et architectures des systmes d'exploitation embarqus (contraintes temps rel, priphriques,
systmes distribus)
nergie renouvelable 2
Etre capable d'exploiter les systmes photovoltaque et olien (installation, appareillages, normes, etc.)
Etre capable d'exploiter et d'optimiser la production nergtique partir de solutions photovoltaques (diffus, ombrage, intgration systmes) et oliennes
UE 4 - Optimisation et nergie
UE 5 Projet 2
Notion de processus, les rfrentiels normatifs qualit et leurs utilisations, enjeux de la qualit en entreprise, la
dmarche de certification.
Notion de cycle de vie produit : modle gnrique de prise en compte des aspects environnementaux dans le processus de conception et de dveloppement de produit. Lco-conception en tant que projet dentreprise.
UE 7 Langues
Anglais scientifique
288
PY4HLU10
Intituls
Coeff.
UE 1: Prparation et recherche
de stage
PY4HLU11
PY4HLU20
UE 2: Stage industriel ou de
recherche
PY4HLU21
Stage
PY4HLU30
UE 3: Valorisation de stage
PY4HLU31
Valorisation de stage
ECTS
Convocation
Au cours du
semestre
Session de
rattrapage
3
3
non
Dossier
Dossier
non
Evaluation + rapport
+ soutenance
(30 min)
Conserv
non
Dossier
Dossier
24
24
3
3
Volume horaire
CM
Enseignants
TD
TP
CI
36
42
UE 3: Valorisation de stage
24
A. Benelhadj, D. Hoenen
A. Benelhadj, D. Hoenen
289
La spcialit MNE a pour objectif de former des chercheurs ou des ingnieurs en micro et nano-lectronique ayant un
spectre de connaissances tendu, allant de la physique et de la technologie des composants lmentaires et des microcapteurs la conception de circuits et systmes intgrs mixtes. Laccent est mis sur les phnomnes intervenant dans
les dispositifs nanomtriques. La 1re anne de Master MNE permet galement ltudiant dacqurir de solides connaissances dans les domaines connexes de lEEA (traitement du signal et automatique). Une organisation du cursus en option
permettra chacun de personnaliser son parcours en fonction des objectifs personnels.
Description de la spcialit:
La formation stale sur deux annes. La premire anne porte sur lacquisition des bases en lectronique analogique
et numrique, en physique du composant, en traitement du signal et en automatique ncessaires pour une tude approfondie, en deuxime anne, des technologies de lintgration, des composants lmentaires (transistors, micro-capteurs)
et de lintgration de systmes analogiques et mixtes. Le domaine de la micro-lectronique est largement abord ds la
premire anne, au travers dun projet de conception dun convertisseur analogique-numrique intgr en technologie
CMOS, projet utilisant les logiciels de conception professionnels Cadence et Altera Un choix de modules optionnels
permet aussi ltudiant dapprofondir certains domaines comme les technologies de fabrication (travaux pratiques en
salle blanche), les capteurs intgrs, la testabilit des circuits intgrs, les systmes de communication numriques, la
modlisation des systmes.
La deuxime anne est entirement axe sur la micro et la nano-lectronique. Aprs un tronc commun denviron 150
heures couvrant la physique et la technologie des composants lmentaires, ainsi que la conception de fonctions intgres de base en analogique et en numrique, ltudiant personnalise son parcours en choisissant quatre modules optionnels de 30 heures parmi douze propositions. Il peut ainsi se spcialiser vers les composants lmentaires avancs (nanocomposants, composants organiques) et les technologies de fabrication (modlisation des technologies, caractrisation
des matriaux), ou vers la conception de systmes intgrs mixtes. Il a aussi la possibilit de panacher ses choix en
optant pour un module orient composants et technologie, associ un module orient conception de systmes.
Conditions dadmissionet/ou conditions daccs et de pr-requis:
Entre en premire anne (M1):
(i) de plein droit aux tudiants titulaires de la licence Science Pour lIngnieur (SPI) de lUniversit de Strasbourg et ayant
suivi le parcours lectronique, Signal et Automatique (ESA).
(ii) sur dossier dpos via la plateforme ARIA et examin par la commission pdagogique pour les tudiants issus dun
autre parcours de la Licence SPI ou dune autre spcialit de Licence de sensibilit EEA. Les candidats extrieurs doivent
prsenter une candidature travers la plateforme ARIA (https://aria.u-strasbg.fr) ou par Campus France, selon le cas
Entre en deuxime anne (M2):
Admission de plein droit aux tudiants issus du M1 Sciences pour lIngnieur de la spcialit correspondante de lUnistra.
Les candidats extrieurs doivent prsenter une candidature travers la plateforme Aria (https://aria.u-strasbg.fr) ou par
Campus France, selon le cas.
Dbouchs:
Les dbouchs sont nombreux, tant au niveau national quinternational, que ce soit chez les grands fabricants de microlectronique en tant quIngnieur process ou conception, dans les PME/PMI utilisant ou dveloppant des sousensembles lectroniques dans leurs produits, ou dans les tablissements publics (CNRS, CEA, Universits) ou privs de
recherche.
Poursuites dtudes:
En moyenne, un tiers des tudiants poursuit en thse de doctorat. Les deux autres tiers entrent sur le march du travail
dans des grands groupes de la microlectronique ou dans des PME dveloppant des systmes lectroniques.
290
Intituls
PY4AGU42
UE 1 Introduction la gestion de
projet et communication
PY4JGM71
PY4AGU12
UE 2 - Composants et microlectronique 1
PY4AGM1A
PY4AGM1B
Microlectronique 1
PY4AGU22
UE 3- Traitement du signal et
automatique
PY4AGM2A
Traitement du signal
PY4AGM2B
TP traitement du signal
PY4AGM2C
Automatique
PY4AGM2D
TP automatique
PY4AGU32
UE 4- lectronique 1
PY4AGM3A
Electronique Analogique 1
PY4AGM3B
TP Electronique Analogique 1
PY4AGM3C
PY4AGM3D
PY4AGM3E
VHDL
PY4AGM3F
TP VHDL
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
3
oui
1 preuve
crite (1h)
oui
1 preuve
crite (3h)
oui
1 preuve
crite (2h)
oui
1 preuve
crite (2h)
0.5
oui
1 preuve pratique
(3h)
1 preuve
pratique (3h)
oui
1 preuve
crite (2h)
0.5
oui
1 CC + 1 TP (2h)
1 preuve
pratique (1h)
oui
1 preuve
crite (2h)
0,5
oui
1 preuve pratique
(2h)
1 preuve
pratique (2h)
oui
1 preuve
crite (2h)
0,5
oui
1 CC + 1 TP (2h)
1 preuve
pratique (2h)
oui
1 preuve
crite (2h)
0,5
oui
Compte-rendus
1 preuve
pratique (2h)
1
6
12
preuves de TP: les preuves terminales de TP des diffrentes matires ncessitent la connaissance du matriel propos leurs ralisations. En consquence, la prsence aux TP est obligatoire et seuls les tudiants prsents toutes
les sances de TP prvues dans lanne pourront se prsenter aux preuves correspondantes. Cette clause concerne
galement la 2nde session dexamen.
Report de notes de la session 1 la session 2: les notes suprieures ou gales 10/20 des preuves dune UE non
valide sont reportes de la session 1 la session 2, sans possibilit de renonciation.
291
Intituls
TD
10
16
24
12
D. Mathiot
Microlectronique 1
20
L. Hbrard
24
10
TP
CI
Enseignants
CM
UE 2 - Composants et microlectronique 1
12
Automatique
24
16
TP automatique
12
F. Salzenstein
F. Nageotte
UE 4- lectronique 1
lectronique analogique 1
16
TP lectronique analogique 1
10
F. Antoni
12
16
F. Anstotz
16
VHDL
14
TP VHDL
16
292
F. Schwartz
H. Berviller
F. Dadouche
293
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY4AHU12
UE 1- lectronique et microlectronique 2
PY4AHM1A
lectronique analogique 2
0.67
oui
1 preuve
crite (2h)
PY4AHM1B
TP lectronique analogique 2
0.33
oui
1 preuve pratique
(2h)
1 preuve
pratique (2h)
PY4AHM1C
lectronique numrique 2
0.67
oui
1 preuve
crite (2h)
PY4AHM1D
TP lectronique numrique 2
0.33
oui
Rapport (1/3)
Examen de TP (2/3)
1 preuve
pratique (2h)
PY4AHM1E
CAO microlectronique
oui
1 projet (1/3)
1 exam de TP (4h)
(2/3)
1 preuve
pratique (4h)
PY4AHXO2
UE 2- UE choix (1 au choix)
PY4AHUOA
oui
1 preuve orale
(30 min)
1 preuve
orale (30 min)
Architectures de conversion et de
filtrage :
- CAN/CNA
- Architectures de filtrage numrique
oui
1 preuve orale
(30 min)
1 preuve
orale (30 min)
oui
1 preuve orale
(30 min)
1 preuve
orale (30 min)
PY4AHMCN
PY4AHMBC
Systmes de communication
numriques :
- Communications numriques
- Bus de communication
oui
1 preuve orale
(30 min)
1 preuve
orale (30 min)
PY4AHUOE
PY4AHMCT
PY4AHMSN
Systmes embarqus :
- Capteurs
- Systmes numrique embarqus
oui
1 crit + 1 projet +
1 oral (1h45)
1 crit + 1 oral
(1h45)
PY4AHUOF
PY4AHMSB
PY4AHMMI
Instrumentation :
- Signaux et bruits
- Mesure et instrumentation
oui
2 preuves orales
(30 min)
2 preuves
orales (30 min)
PY4AHU32
UE 3- T.E.R
PY4HM3A
oui
Rapport +
soutenance
Report de la
note > = 0
PY4AHU42
UE 4- Anglais
UL20HM01
Anglais
PY4AHXO5
UE 5- UE choix
PY4AHMCD
PY4HMCIA
PY4AHUOB
PY4AHMCA
PY4AHMAF
PY4AHUOC
PY4AHMTN
PY4AHMTA
PY4AHUOD
6
2
3
1
6
2
294
Epreuves de TP
Les preuves terminales de TP des diffrentes matires ncessitent la connaissance du matriel propos leurs
ralisations. En consquence, la prsence aux TP est obligatoire et seuls les tudiants prsents toutes les sances de
TP prvues dans lanne pourront se prsenter aux preuves correspondantes. Cette clause concerne galement la 2nde
session dexamen.
Report de notes de la session 1 la session 2
Les notes suprieures ou gales 10/20 des preuves dune UE non valide sont reportes de la session 1 la session
2, sans possibilit de renonciation.
Accs de droit :
Les tudiants ayant valids la licence mention Sciences pour lingnieur, parcours ESA, ont accs de plein droit la 1re
anne du master SPI spcialit Micro et nano-lectronique.
Volume horaire
CM
TD
20
10
Enseignants
TP
UE 1- lectronique et micro-lectronique 2
lectronique analogique 2
TP lectronique analogique 2
lectronique numrique 2
Y. Hu
16
16
Fr. Schwartz
Fr. Anstotz
TP lectronique numrique 2
16
CAO microlectronique
36
Fr. Schwartz, Y. Hu
16
Fr. Antoni
D. Mathiot, P. Levque
UE 2- UE choix
Technologie des composants et des CIs :
- Composants discrets
- Intro. la techno composants intgrs et circuits
20
14
10
18
6
4
4
8
J.-B. Kammerer
Fr. Anstotz
8
12
6
8
8
8
10
10
6
6
F. Salzenstein
J. Michel
Systmes embarqus :
- Capteurs
- Systmes numrique embarqus
10
14
4
16
J.-B. Kammerer
F. Dadouche
Instrumentation :
- Signaux et bruits
- Mesure et instrumentation
14
14
12
H. Berviller, F. Salzenstein
Y. Hu
Fr. Antoni
UE 4- Anglais
16
295
M. Perrot
UE 1 - lectronique et microlectronique 2
lectronique analogique 2
Objectifs : acqurir les connaissances ncessaires pour le fonctionnement des dispositifs lectroniques de base comme
les oscillateurs, les boucles verrouillage de phase, les modulateurs et les dmodulateurs damplitudes et de frquences.
lectronique numrique 2
tude des diffrentes architectures dimplmentation de systmes numrique :
Pr-caractris
Mer de portes
Circuit programmable (PAL, FPGA, technologies de programmation...)
Mthode de conception de systmes numriques :
Synthse logique automatique
Conception top-down , bottom-up
Analyse pire cas , chemin critique, limite de fonctionnement.
CAO microlectronique
Matriser la conception de circuits intgrs au travers dun projet de conception tudi du point de vue thorique au
semestre 1 (cours de microlectronique 1) et ralis en pratique ici sous forme de 36 h de TP. Ltudiant matrisera:
Le flot de conception d'ASIC mixte
La synthse logique
La saisie de schma et la simulation circuit
La simulation logico-temporelle et mixte
Le dessin des masques (DRC, LVS)
La post-simulation.
UE 2 - UE choix
Technologie des composants et des circuits intgrs
Composants discrets :
Fabrication, utilisation et caractristiques des rsistances, capacits et inductances.
Composants optolectroniques, capteurs et metteurs de lumire.
Technologies des crans plats.
Les fibres optiques.
Composants hyperfrquences.
Les accumulateurs et leurs utilisations.
Les interconnexions en lectronique : soudure, brasure et circuits imprims.
Introduction la technologie des composants intgrs et circuits :
Connaissances gnrales sur les enchanements technologiques permettant la ralisation des circuits intgrs :
Gnralits (loi de Moore, filire type, du sable au substrat de Si)
Lithographie et gravures
Formation des films minces (dpts, oxydation thermique)
Dopage localis (implantation ionique et diffusion)
Principales techniques de caractrisation lectrique ["Spreading resistance", effet Hall, C(V) et I(V)]
Interconnexions et mise en botier
TP : ralisation d'une capacit MOS en salle blanche.
Architectures de conversion et de filtrage
CAN/CNA :
Architectures de bases des convertisseurs analogiques-numriques et numriques analogiques.
Problmes lis l'chantillonnage.
Sur-chantillonnage (convertisseur Sigma-Delta, augmentation de la frquence d'chantillonnage par interpolation).
Architectures de filtrage numrique :
Architectures d'implmentation de filtres numriques cbls (FPGA, Cellules standard...) ou programms (DSP)
Reprsentation des nombres, oprateurs du traitement de signal
Filtre moyenneur (Comb)
Filtres FIR et IIR, structures parallle ou srie...
Application au filtrage numrique en sortie d'un convertisseur Sigma-Delta.
Testabilit et fiabilit des circuits intgrs
Testabilit des circuits numriques :
Gnralits sur la problmatique du test industriel
Modles de dfaillances
Gnrations de vecteurs de test
Simulation de fautes
Conception en vue du Test, Test intgr
TP de test de CI numrique sur testeur industriel du CRTC (Centre de Ressources en Test et CAO du ple CNFM
(Coordination Nationale pour la Formation en Micro-lectronique et nano-technologie) de Montpellier.
Testabilit des circuits analogiques :
Nous abordons les tests effectus au cours du processus de fabrication permettant de superviser le processus puis
les tests aprs fabrication. Ce cours tant li au cours de fiabilit, nous montrons que les tests doivent non seulement
conduire lacceptation ou au rejet dun circuit mais doivent aussi permettre dalimenter les bases de donnes ncessaires aux tudes de fiabilits. Les tests normaliss IEEE P1500 sont analyss.
TP de test de CI mixte sur testeur industriel du CRTC (Centre de ressources en test et CAO du ple CNFM de Montpellier).
296
297
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Natures et dures
des valuations
PY4AKUBM
UE 1- Bases de la microlectronique
PY4AKMAB
0.125
12
oui
1 preuve crite(1h30)
PY4AKMNB
0.125
oui
1 preuve crite(1h30)
PY4AKMMO
0.25
oui
1 preuve TP (4h)
PY4AKMPC
0.25
oui
PY4AKMTC
0.25
oui
1 preuve crite(1h30)
PY4AKUOP
UE 2 - Ouverture professionnelle
UL20KM01
Anglais
0.5
PY4AKMAE
0.5
oui
PY4AKX3O
PY4AKUT1
T1: Nano-composants
PY4AKMPN
0.5
oui
PY4AKMCU
0.5
oui
1 preuve orale
(20 min)
PY4AKUT2
PY4AKMCO
Composants organiques
0.75
oui
1 preuve crite(1h30)
PY4AKMCI
Composants inorganiques
0.25
oui
1 preuve crite(1h30)
PY4AKUT3
PY4AKMBP
oui
1 preuve crite(1h30)
PY4AKUT4
PY4AKMCM
0.75
oui
1 preuve crite(1h30)
PY4AKMCC
0.25
oui
1 preuve orale
(15 min)
PY4AKUC1
PY4AKMAA
0.6
oui
1 preuve crite(1h30)
PY4AKMCS
Conditionnement du signal
0.4
oui
1 preuve crite(1h30)
PY4AKUC2
PY4AKMAO
0.5
oui
PY4AKMUC
0.5
oui
PY4AKUC3
PY4AKMMM
Modlisation multi-domaine
0.4
oui
PY4AKMMC
0.6
oui
298
1 preuve crite(1h30)
PY4AKMAS
0.5
oui
PY4AKMMH
0.5
oui
1 compte rendu de TP
PY4AKUC5
PY4AKMOP
oui
1 preuve de TP (4h)
PY4AKUC6
PY4AKMII
0.5
oui
PY4AKMTT
0.5
oui
PY4AKUC7
PY4AKMAP
0.5
oui
PY4AKMSE
0.5
oui
PY4AKUC8
PY4AKMPR
Protocoles de communication
0.4
oui
PY4AKMAT
Architectures de transfert
0.6
oui
PY4AKX4O
UE 4- UE obligatoire choix
UE 5- UE obligatoire choix
UE 6- UE obligatoire choix
Epreuves de TP :
Les preuves terminales de TP des diffrentes matires ncessitent la connaissance du matriel propos leurs ralisations.
En consquence, la prsence aux TP est obligatoire et seuls les tudiants prsents toutes les sances de TP prvues dans
lanne pourront se prsenter aux preuves correspondantes. Cette clause concerne galement la 2nde session dexamen.
Contrle continu :
Le CC est organis dans chaque matire par lenseignant, lissue des enseignements concerns, selon un calendrier
fix en dbut danne.
Session 2 :
Il ny a pas de 2nde session pour le semestre 3. Toutefois, en cas dabsence une preuve terminale, une preuve de
remplacement sera organise, au cas par cas, dans les circonstances suivantes :
- convocation un concours de recrutement de la fonction publique ; la convocation doit tre dpose au moins 3 jours
avant les preuves auprs du service de scolarit
- empchement subit et grave, indpendant de la volont de ltudiant et attest auprs du service de scolarit dans un
dlai nexcdant pas 7 jours aprs les preuves concernes. Un accident, une hospitalisation, le dcs dun proche sont
des cas recevables dans cette circonstance.
De mme, en cas dabsence justifie une preuve de CC, une preuve de remplacement sera organise.
299
Intituls
CM
TD
Enseignants
TP
UE 1- Bases de la microlectronique
Architectures analogiques de base
15
L. Hbrard
10
Fr. Anstotz
20
30
15
Fr. Schwartz
D. Mathiot, C. Lallement, P. Lvque
C. Lallement
15
UE 2 - Ouverture professionnelle
Anglais
Assurance qualit (ISO) et co-conception 1
14
16
10
B. Rose
UE 3- UE obligatoire choix
T1: Nano-composants
Physique des nano-composants
14
12
F. Prgaldiny
D. Mathiot
Composants organiques
20
T. Heiser
Composants inorganiques
10
P. Lvque
22
D. Mathiot, P. Lvque
18
P. Lvque
8
18
L. Hbrard
Conditionnement du signal
12
Y. Hu
14
F.r Anstotz
16
H. Berviller
10
16
J. Michel
4
L. Hbrard, N. Dumas
10
16
26
J.-B. Kammerer
14
Y. Hu
16
Fr. Anstotz
300
12
10
H. Berviller
8
E. Schaeffer
12
Architectures de transfert
18
J. Michel
UE 1 - Bases de la microlectronique
Architectures analogiques de base
Mthode de conception de blocs fonctionnels de base en analogique.
Modle du transistor MOS (statique, petits signaux).
Montage metteur commun, drain commun, grille commune (cascode)
Etage de gain Etage suiveur, Etage diffrentiel.
Amplificateur oprationnel deux tages (OTA).
Techniques de dessin des masques spcifiques lanalogique.
Architectures numriques de base
Etude, conception et dimensionnement d'une bibliothque de cellules logiques pr-caractrises en technologie CMOS
Mise en uvre des outils CAO
Application de la mthodologie top-down/bottom up pour la conception d'un systme intgr mixte en utilisant l'outil de
CAO cadence :
Conception analogique au niveau transistor
Conception logique partir de cellules standards
Synthse logique
Simulation circuit, logico-temporelle et mixte
Dessin des masques (DRC, LVS)
Physique des composants et modles compacts
Rappels de physique des composants lmentaires (semi-conducteurs, jonctions, bipolaire, MOS) et introduction
aux phnomnes opto-lectroniques.
tude des principaux effets physiques dans les technologies CMOS avances.
tude critique des principaux modles compacts du TMOS ddis la conception.
Extraction de paramtres.
Aspects statistiques : tude du " matching - Statistique des paramtres.
Technologie des composants intgrs et MEMS
Les principales briques technologiques (dopage, oxydation, dpts, photo-lithogravure) et filire C-MOS standard.
Les composants : Les matriaux Les capteurs Les actionneurs - Les sources dnergie.
Les technologies clefs (La microstrophotolithographie, le LIGA, etc.).
Les produits microsystmes (MEMS, MOEMS) et leurs applications.
Les acteurs et leur march
Ralisation de transistors en salle blanche
Les TP de fabrication de transistors MOS s'effectuent dans la salle blanche du ple CNFM-CIME de Grenoble. A l'issue
de ces TP, les tudiants ont ralis sur des wafers 2 un jeu de transistors NMOS qu'ils caractrisent lors de la dernire
sance.
L'objectif vis est de :
Apprhender d'un point de vue pratique les diffrentes tapes technologiques d'un procd CMOS
Connatre les principaux quipements ncessaires aux tapes de fabrication (chimie, photolithographie, four d'oxydation, dpt par PECVD, bti de pulvrisation, implanteur ionique...)
Connatre les principaux quipements de caractrisation lectrique
UE 2 Ouverture professionnelle
Anglais
L'objectif vis est d'tre capable de :
Communiquer en anglais avec des professionnels et/ou des chercheurs sur lavance des connaissances, sur des
tudes raliser ou des projets mener, que ce soit par le biais darticles scientifiques ou dans le cadre de collaborations, runions, sminaires, colloques ou congrs.
Rdiger un CV en anglais.
301
C1 Analogique avanc
Architectures analogiques avances
Etude en bruit des tages de base (tage de gain, miroir de courant, tage diffrentiel), Application la conception
dun OTA Miller bas-bruit
Amplificateurs oprationnels entre et sortie diffrentielles
Techniques dynamiques de rduction du bruit (auto-zro, double chantillonnage corrl, stabilisation par dcoupage)
Etages cascods, Etages diffrentiels cascods replis, Etages dentre rail-to-rail, Etages de sortie de classe
AB, Application la conception damplificateurs oprationnels hautes performances et faible tension dalimentation
Architectures trs faible tension dalimention (utilisation de transistors grilles flottantes, transistor entre par
le bulk...)
Conditionnement du signal
Acqurir les connaissances ncessaires pour :
la pr-amplification faible bruit et faible consommation ddie aux micro-capteurs
les filtres capacits commutes
la boucle de verrouillage de phase ralise en technologie CMOS
lanalyse de bruit de phase et de jitter dans une source lectronique (oscillateurs)
larchitecture de traitement analogique en mode courant
C2 Numrique avanc
Architectures des oprateurs arithmtiques
tude des diffrentes architectures d'oprateurs arithmtiques (+,-,X,/).
Analyse des diffrentes architectures
tude des performances
Comparaison des diffrentes solutions (performance, surface, complexit, )
Units de calculs avances
Rappel de l'architecture gnral d'un processeur
Architectures des UAL
Architectures des UAL flottantes,
Processeurs arithmtiques/multimdias
Architectures spcifiques : CORDIC
C3 Capteurs intgrs
Modlisation multi-domaine
Comprendre et matriser les avantages et les spcificits du langage VHDL-AMS afin de pouvoir dcrire puis simuler un
systme htrogne comportant autant des modules lectroniques que des modules mcaniques ou hydrauliques, etc.
Micro-capteurs compatibles CMOS
Phnomnes physiques auxquels le silicium est sensible et pouvant tre utilis pour raliser des capteurs sur puce (effets
thermo-lectriques, galvanomagntiques, pizo-rsistifs, interaction rayonnement/matire)
Avantage de la co-intgration sur la mme puce de silicium de l'lectronique de conditionnement.
Exemples de micro-capteurs sur silicium :
Micro-capteurs bass sur des effets thermiques (capteur de temprature, acclromtre thermique, anmomtre
thermique...)
Micro-capteurs magntiques (Plaque effet Hall et spinning-current , MAGFET, capteur magntique vibrant)
APS (Active Pixel Sensor)
Capteurs mcaniques (Acclromtre, capteur de pression)
Exemples d'applications industrielles et mdicales.
Outils de conception de micro-capteur (Coventor) : exemple de ralisation
C4 Systmes intgrs htrognes 1
Architectures de systmes htrognes
L'objectif de ce cours est d'apprendre concevoir sur un exemple concret un systme intgr htrogne comprenant
un ou plusieurs capteurs ou actionneur et l'lectronique de conditionnement associe.
Modlisation haut-niveau de systmes htrognes
Mthodologies de conception Top-Down et Bottom-Up
Modlisation de systmes multi-domaines
Modlisation de l'environnement du systme
Modlisation multi-abstractions
Exemples de mise en uvre de la mthode s'appuyant entre autres sur le systme dvelopp dans le cours
architectures de systmes htrognes
303
304
Intituls
PY4ALUPR
PY4ALMPR
PY4ALUSF
PY4ALMSF
PY4ALUVS
UE 3 - Valorisation de stage
PY4ALMVS
Valorisation de stage
Coeff.
ECTS
Convocation
3
1
oui
Dossier
oui
oui
Dossier
24
1
3
1
Volume
horaire et enseignants :
Intituls
Volume horaire
CM
TD
Enseignants
TP
16
E. Laroche
UE 3 - Valorisation de stage
A. Benelhadj, D. Hoenen
305
306
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Au cours du
semestre
Session de
rattrapage
PY4LGU10
UE 1 - Programming language
non
Rapport crit
PY4LGU20
UE 2 - Computing project
non
Rapport crit
PY4LGU30
non
Contrle crit
(1h30)
PY4LGU40
UE 4 - Continuum mechanics
non
Contrle crit
(1h30)
PY4LGU50
UE 5 - Numerical resolution of
equations
non
Contrle crit
(1h30)
PY4LGU60
non
Examen oral
(1h30)
PY4LGU70
UE 7 - Computational fluid
mechanic, incompressible flows
non
Examen oral
(1h30)
PY4LGU80
non
PY4LGU90
UE 9 - Introduction to project
management and communication
non
PY4LGU00
UE 10 - Project
non
(*) UE libre: ltudiant informera la scolarit assurant la gestion pdagogique de lUE libre du choix de lUE et soumettra
le choix au responsable de la spcialit MNI. Aprs accord du responsable de la spcialit, il procdera linscription
pdagogique de lUE.
Intituls
CM
TD
TP
50
CI
24
Enseignants
Y. Hoarau
14
10
Chr. Prudhomme
UE 4 - Continuum mechanics
14
10
S. Touchal
14
10
M. Szopos
14
10
M. Fahs
14
10
J. Dusek
UE 8 - Free UE / FLE
20
10
Y. Hoarau
10
16
UE 10 - Project
5
307
50
M. Fahs, A.Wanko
UE 1 - Programming language
Basic FORTRAN Language : data type, variables, DO and other loops, arrays, common block, intrinsic functions etc. Main
program, Subroutine, Function and passing variables between Subroutines, functions and the main program. Compiling
and debugging a FORTRAN code, Program input and output. Optimization techniques. Use of MATLAB for computation.
Use of MATLAB for graphics and visualization.
UE 2 - Computing project
Programming of the Navier-Stokes equation in a finite volume formulation, based on the SIMPLE numerical scheme on
staggered grids : application to the simulation of the flow in a driven cavity. Programming of the resolution of an linear
elasticity problem by the finite element method. Advance programing in Fortran and C++.
UE 3 - Mathmatical methods for physics
Linear algebra : linear spaces. Matrices. Determinants. Duality. Dot product. Orthogonality notions.
Functions of several variables : continuous linear applications. Differentiability. Taylor formula. Local inversion theorem.
Notions of differential geometry : differential forms. Tensors. Differential operators (exterior derivative of a differential form,
gradient, curl, divergence, laplacian). Change of coordinates. Integration of differential forms. Stokes formula.
UE 4 - Continuum mechanic
Motion of continuum body in lagrangian description and in eulerian description. Properties of the mapping function F of the
initial configuration onto the current configuration. Construction of the strain tensors in finite strain theory (Green, Almansi,
Hencky, etc.) and the associated stress tensors (Cauchy, Kirschhoff, PKII). Introduction of materials derivative of a tensor
field. Local and global conservation of mass, momentum and energy, applied in solids and fluid statics and dynamics.
Variational formulations and principle of virtual power. Applications in elasticity, newtonian fluids, Navier-Stockes equation,
local state thermodynamics, inequality of Clausius-Duhem. Energy theorems and introduction to finite element method.
UE 5 - Numerical resolution of equations
Numerical resolution of linear systems of equations: direct methods (LU, Cholesky), iterative methods (Jacobi,
Gauss-Seidel, relaxation, Krylov spaces, conjugate gradient). Sparse matrices.
Numerical resolution of non-linear systems of equations : Picards iterations, Newton and quasi Newton methods.
Numerical resolution of differential equations. One-step methods (Runge-Kutta). Multi-step methods. Stability notions. Stiff problems, implicit methods.
UE 8 - Free UE / FLE
Voir composante porteuse
UE 9 - Introduction to project management and communication
Rappels sur lenvironnement socio-conomique de lentreprise Approche sociale de lentreprise La fonction RH : administration et gestion du personnel, recrutement, dveloppement des comptences, rgulation du climat social, stratgie
RH Les savoir-faire et savoir-tre des responsables RH : savoir ngocier, argumenter, conduire des entretiens Droit
du travail.
Les mcanismes humains : rsistances au changement, dissonances cognitives, thorie des besoins, influence et recherche du pouvoir. Dveloppement des RH : stratgie de recrutement. Les missions RH : dtecter et dvelopper des
potentiels, construire des rpertoires de comptences, piloter le plan de formation, mettre en place un systme de rmunration adapt, mesurer le climat social, mettre en place des outils de pilotage RH.
UE 10 - Project
Implementation of computational courses in the framework of a project based on a problem in computational fluid dynamics or in Computational Solid Mechanics.
308
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Au cours du
semestre
Session de
rattrapage
PY4LHU10
UE 1 - Spectral analysis
non
Contrle crit
(1h30)
PY4LHU20
non
Rapport crit
Contrle crit
(1h30)
PY4LHU30
UE 3 - Computational plasticity
non
Contrle crit
(1h)
Contrle crit
(1h30)
PY4LHU40
UE 4 - Computational fluid
mechanics, compressible flows
non
Contrle crit
(1h30)
PY4LHU50
UE 5 - Multiscale modelling
non
Contrle crit
(1h)
Examen oral
(1h30)
PY4LHU60
non
Contrle crit
(1h)
Examen oral
(1h30)
PY4LHU70
non
Contrle crit
(1h)
Examen oral
(1h30)
PY4LHU80
non
Rapport crit
Contrle crit
(1h30)
PY4LHU90
non
Contrle crit
(1h)
Contrle crit
(1h30)
PY4LHU00
UE 10 Project
non
Intituls
CM
TD
TP
Enseignants
UE 1 - Spectral analysis
14
10
A. Sadi
14
10
Y. Hoarau
UE 3 - Computational plasticity
M. Fahs
14
10
J. Dusek
UE 5 - Multiscale modelling
14
10
C.Deck
14
10
R. Willinger
14
10
14
14
UE10 - Project
10
5
309
Y. Hoarau
20
N. Bahlouli
K. Bekkour
50
Y. Hoarau
UE 1 - Spectral analysis
Decomposition in Fourier series. Distributions, Dirac mass. Fourier transform. Notions of signal processing (filters). Wavelets.
The Fast Fourier Transform (FFT) algorithm. Application to pseudo-spectral methods for the numerical solution of PDEs
Numerical methods for the computation of eigenvalues and eigenvectors of matrices: power method, inverse power
method, Jacobi method, QR method.
UE 2 - Advanced Finite Element/ Volume Numerical Methods
Difficulties with standard numerical methods (complex geometry, heterogeneous and isotropic domains, advective
transport)
Lagrange multiplicators
The Discontinuous Galerkin Finite Element method, Extended Finite Element Method, spectral methods
Fictitious domains, chimera method, immersed boundary method, level-set method, Volume of Fluid method
Boundary conditions in fluid and solid mechanics.
UE 3 - Computational plasticity
Introduction to plasticity and viscoplasticity and the numerical modeling of these theories.
Fundamentals for plasticity of metals and polymers and phenomenological aspects of the flow behavior.
Perfect plasticity, isotropic hardening, kinematic hardening and yield anisotropy .
General formulation of the plastic behavior, yield surfaces and dissipation potential.
Associated and non associated flow potentials, consistency conditions, determination of the plastic multiplier.
Particular constitutive laws for arbitrary and cyclic loadings.
Computational methods for plasticity, limit analysis, finite elements and energy method.
Viscoplasticity et phenomenological aspects. Dissipation potential, particular constitutive laws, arbitrary and cyclic
loadings. Effects of temperature, strain rate, recovery, and creep behavior. Numerical methods in viscoplasticity.
Explicit approaches for the principal scales in physics and mechanics of heterogeneous materials, from the molecular to the macroscopic (part dimensions) scales, and principal phenomena associated with each scale. Brief description of molecular dynamics, atomistic and Monte Carlo simulations. Brief description of the nano/micro-structures
metals, ceramics and polymers: crystallographic structure, nanoscale structures, meso-scale structures, Methods
and approaches for scale transitions.
Homogenization and general construction of the representative volume element (RVE). Eshelby inclusion problem.
Homogenization methods: upper and lower bounds, self consistent approaches, Mori-Tanaka approach, energy-based methods. Applications of to elasticity, thermo-elasticity, visco-elasticity, electrical conductivity and other
physical properties. Application to different materials such as polycrystalline metals or ceramics, semi-crystalline
polymers, composites and polymer nano-composites. Study of special cases such as periodical micro-structures.
Numerical methods and discretisation issues
Extension to non linear problems
310
The Viscous, Elastic (small and large elastic deformations) and Viscoelastic response.
Simple shear flow of a Newtonian fluid.
Non-Newtonian behaviour : time-independent fluids (rheological models without yield stress, rheological models with
yield stress, structural models).
Extensional flow (elongational viscosity).
Time-dependent fluids : memory effects, the mechanism of thixotropy, rheopexy.
Linear viscoelasticity : mechanical models, stress relaxation experiment for a Maxwell fluid, creep and recovery experiment for a Kelvin solid, oscillatory measurements, 1D-models, 3D-models, Mooney-Rivlin model, Ogden model
Elasto-plasticity, Visco-plasticity, Elasto-visco-plasticity, hyper-elasticity.
The Time-Temperature Superposition Principle.
UE 10 - Project
Informatics practices in computational fluid dynamics or in computational solid mechanics.
311
Enseignements
:
Natures et dures des
valuations
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
PY4LKU10
UE 1 - Applied computational
engineering for heat and mass transfer
non
Rapport crit
Examen oral
(1h)
PY4LKU20
UE 2 - Applied computational
engineering for materials and structures
non
Contrle crit
(1h)
Examen oral
(1h)
PY4LKU30
non
Rapport crit
Examen oral
(1h)
PY4LKU40
non
Rapport crit +
oral
Examen oral
(1h)
PY4LKU50
non
Rapport crit
Examen oral
(1h)
PY4LKU60
UE 6 - Advanced computation in
biomechanics
non
Contrle crit
(1h)
Examen oral
(1h)
PY4LKU70
non
Rapport crit
Examen oral
(1h)
PY4LKU80
non
Rapport crit
Examen oral
(1h)
PY4LKU90
non
Contrle crit
(1h)
Contrle
crit (1h30)
Au cours du
semestre
Session de
rattrapage
Volume horaire
TD
TP
Enseignants
CI
24
G.Schaefer
24
J.P de Malgalhes
24
50
Y. Hoarau
24
J. P. de Magalhes
24
R. Willinger
24
C. Beck
A. Wanko
24
24
24
312
Y. Hoarau
Reminder of the basic differential equations governing the heat and mass transfer, fluid flow and the related processes.
Constitutive equations of Newtonian and non-Newtonian fluid.
Mathematical derivation of the differential equations governing multiphase mass transport in porous media
3-dimensional finite volume discretisation of the heat transfer equation, using different resolution schemes.
3-dimensional finite volume discretisation of incompressible fluid flow equations.
Introduction to parallel programming (MPI): application to 2-dimensional heat transfer equation using finite volume
and finite difference methods.
Presentation of the different commercial numerical codes. Advantages and inconvenients of a numerical code, selection criteria. Open and closed numerical codes.
Presentation of the main usage for structural analyses and material mechanics. Static and dynamical approaches.
Exemples of using a particular code, input and output variables, coupling, material behaviour law available within the
code, meshing techniques, pre and post treatment.
Applications from industrial and research examples.
UE 9 - UE free/FLE
This teaching unit has to be chosen in the university offer. It has to be discussed and accepted by the head of the specialty.
UE 10 - Quality policy and eco-conception
Assurance aualit : la notion de processus, les rfrentiels normatifs aualit et leurs utilisations, enjeux de la qualit
en entreprise, la dmarche de certification.
Eco-conception : la notion de cycle de vie produit : modle gnrique de prise en compte des aspects environnementaux dans le processus de conception et de dveloppement de produit. Lco-conception en tant que projet
dentreprise.
Des exemples types de procds dco-conception correspondants chaque spcialit du master SPI seront tudis en TD.
314
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Au cours du semestre
Session de
rattrapage
PY4LLU10
UE 1 - Internship preparation
Rapport crit
Rapport crit
PY4LLU20
UE 2 - Internship valorisation
Rapport crit
Rapport crit
PY4LLU30
UE 3 - Master thesis
24
Volume horaire
CM
TD
UE 1 - Internship preparation
24
UE 2 - Internship valorisation
24
UE 3 - Master thesis
20
315
Enseignants
CI
B. Rose
Y. Hoarau
M2-S4
M2-S3
Spcialit
Ingnierie des matriaux
et nano-sciences (IMN)
Parcours
Parcours
physique des nanosciences
matriaux et et matriaux
nanosciences pour la sant
Spcialit
Design des
surfaces et
matriaux
innovants
(DSMI)
Spcialit
Ingnierie des
polymres (IP)
International
master on
Polymer science
(IM-PolyS)
M1-S2
M1 commun
M1-S1
Objectifs pdagogiques:
La science des matriaux est par nature interdisciplinaire, linterface entre la physique et la chimie, et aussi la biologie.
Un matriau de fonction est un assemblage datomes, de molcules ralis en vue de lobtention dune proprit ou de
son amlioration, ou mettant en jeu plusieurs proprits au sein du mme assemblage. Les proprits des matriaux
daujourdhui et du futur doivent rpondre des demandes de plus en plus complexes. Paralllement des matriaux aux
multiples applications et produits en grandes quantits (polymres, cramiques, semi-conducteurs, mtaux), mergent
des matriaux dont on dit parfois quils sont intelligents, car capables dadaptation aux sollicitations externes. Ceci est
ralis par exemple en associant et en contrlant plusieurs proprits au sein du mme assemblage: composants magnto-optiques, films plastiques lectroluminescents, matriaux pour llectronique de spin, etc.
Les formations de master proposes par la mention rgionale matriaux ont pour objectif premier de faire comprendre les
proprits de la matire pour concevoir et laborer de nouveaux matriaux. Elles couvrent la plupart des domaines dapplication des matriaux de fonction en mettant laccent sur les relations structure / proprits au sens large.
Description de la formation :
La mention matriaux est une mention de site partage entre lUniversit de Strasbourg (Unistra) et lUniversit de HauteAlsace de Mulhouse (UHA), propose en 4 spcialits avec diffrents parcours possibles. Lcole de chimie, polymres et
matriaux de Strasbourg (ECPM), l'cole nationale suprieure de chimie de Mulhouse (ENSCMu) et lInstitut national des
sciences appliques de Strasbourg (INSA) participent galement au master.
Seules les formations dispenses sur le site de Strasbourg sont dtailles ci-aprs, savoir:
Ingnierie des matriaux et nanosciences (IMN)
- ParcoursPhysique des matriaux et nanosciences
- Parcours Nanosciences et matriaux pour la sant
Design des surfaces et matriaux innovants (DSMI)
Ingnierie des polymres (IP)
Ingnierie des polymre parcours franco-allemand (IM-PolyS)
316
Recherche scientifique dans les organismes publics (ADEME, ANDRA, BRGM, CEA, CNES, CNRS, INRIA, ONERA)
Enseignement suprieur
Recherche et dveloppement industriel, technico-commercial, management scientifique des industries, depuis les
PME jusqu'aux grands groupes europens et mondiaux (PSA, BASF, Michelin, L'Oral, Dow...)
Poursuites dtudes:
La finalit professionnelle ou oriente vers la recherche (poursuite en doctorat) de chaque spcialit est dtermine
essentiellement par la nature des stages effectus et le choix doptions spcifiques. Des passerelles existent vers des
masters connexes dans de nombreuses universits franaises et europennes.
317
Le S1 est commun toutes les spcialits du master Matriaux et nanosciences et peut se faire indiffremment Strasbourg (Unistra) ou Mulhouse (UHA), le contenu des enseignements tant quivalent.
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY2EGU11
UE 1- Identification, comprhension
et caractrisation des matriaux
CH1HGMM1
oui
CH1HGMN1
Comprhension de la matire
oui
CH1HGMH1
Structure et diffraction
oui
PY2EGU21
UE 2- Mcanique quantique
CHPYGM06
Mcanique quantique
oui
PY2EGU31
UE 3- Physique statistique
PY2EGM31
Physique statistique
oui
PY2EGU41
PY2EGB41
PY2EGM41
PY2EGM42
Chimie orga/inorga :
- Chimie organique et supramolculaire
- Chimie inorganique et de coordination
oui
oui
PY2EGM43
oui
PY2EGU51
UE 5 Langues: Anglais
PY2EGU61
UE 6- UE libre (1 au choix)
PY2CGM41
oui
PY2CGM42
oui
PY2CGM43
oui
PY2CHM31
TP Physique
3
1
3
1
6
1
3
318
oui
Contrle continu
(2/3)
Prsentation
orale (1/3) (2h)
Report
Intituls
CM
TD
Enseignants
TP
24
Comprhension de la matire
24
M. Henry
Structure et diffraction
24
UE 2- Mcanique quantique
20
12
E. Fromager
UE 3- Physique statistique
20
12
F. Thalman
32
16
J.-M. Becht
G. Chaplais
24
24
16
CRL
F. Bahnart ; R. Welter
UE 4- UE choix restreint
UE 5- Langues: Anglais
UE 6- UE libre
Chimie organique et supramolculaire
J.-M. Becht
G. Chaplais
24
24
UE 7- TP Physique
32
319
UE 2 - Mcanique quantique
Insuffisances de la formulation Lagrangienne et Hamiltonienne de la mcanique classique. Ncessit de lapproche quantique au travers des problmes soulevs par le spectre du rayonnement du corps noir (thorie des quanta), de la stabilit atomique (modle de Bohr) et de la capacit calorifique (quantification de lnergie). Quantification du rayonnement
lectromagntique (diffusion Compton et exprience des fentes de Young), dualit onde-corpuscule. Le formalisme de
la mcanique quantique et la notation de Dirac (bras, kets, espace de Hilbert, observables, relations fondamentales de
commutations entre position et impulsion et entre les 3 composantes du moment cintique). La mcanique quantique en
reprsentation de Schrdinger: quation dvolution dans le temps, paquets dondes libres et pigs dans un puits de
potentiel. La mcanique quantique en reprsentation dHeisenberg: correspondance entre transformations canoniques
et oprateurs unitaires, correspondance entre crochets de Poisson et commutateurs, thorme dEhrenfest, theorme du
viriel. Les oprateurs de moment cintique orbital et de spin. Drivation de leur spectre des valeurs propres partir des
relations de commutations, absence dquivalent classique de la notion de spin (matrices de Pauli).
UE 3 - Physique statistique
UE 4 - UE choix restreint
Chimie organique et supramolculaire
Gnralits sur les composs organiques: liaisons, conformations, strochimie. Les ractions et leurs mcanismes.
Alcanes, alcnes, alcynes et hydrocarbures cycliques. Drivs halogns. Alcools, poxydes, ther oxydes, thiols, thiothers, amines. Aldhydes, ctones, acides carboxyliques et drivs. Arnes. Introduction la chimie supramolculaire.
Chimie inorganique et de coordination
Spectroscopie lectronique des complexes de mtaux de transition : ce cours a pour objectif, l'analyse des spectres
lectroniques de complexes de mtaux de transition. Il traite de l'origine des spectres et de leur structure en corrlation
avec la gomtrie des complexes, la nature de leurs ligands et du centre mtallique. Rappels rapides sur les proprits
des lments du tableau priodique ; approximation du champ faible pour un complexe octadrique, ttradrique ou
carr plan; approximation du champ fort dans les complexes octadriques ; effet Jan-Teller ; termes spectroscopiques ;
diagrammes de corrlation et de Tanabe-Sugano ; rgles de slection ; transitions d-d ; transitions de transfert de charge.
Chimie organomtallique : dans la 2nde partie, l'accent est mis sur la ractivit de ces complexes et sur les notions de base
de la catalyse homogne par l'tude de quelques cycles catalytiques : la polymrisation des olfines ; la mtathse des
olfines. Principales fonctions et ractions fondamentales des complexes de mtaux de transition ; principe d'un cycle
catalytique ; tudes mcanistiques de quelques cycles catalytiques.
Proprits des matriaux
Proprits lectroniques, optiques, magntiques, et mcaniques des matriaux : quations de Maxwell dans les milieux
anisotropes, matriaux dilectriques, bandes dnergie dans les solides: mtal, isolant, semi-conducteur. Semi-conducteursintrinsques, dops et jonction p-n.
UE 5- Langues: Anglais
UE 6- UE Libre
1 matire de lUE 4 ou autre choix aprs accord des responsables.
UE 7 - TP Physique
Techniques du vide
Mesure de la rsistivit dun matriaux en fonction de la temprature (trs faibles rsistances : 10 -3 10 -4 Ohm)
Mesures magntiques (courbes daimantation correction par le facteur dmagntisant)
Rayons X sur alliages granulaires
Simulation numrique de molcules et de matriaux Calcul des niveaux dnergie distribution de charges
Microscopie en champs proche (STM)
Dpt de couches minces par pulvrisation cathodique. Influence des paramtres de dpt sur la structure cristalline et les proprits optiques
Initiation la salle blanche
320
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
PY2EHU11
PY2CHM11
PY2EHU21
PY2CHM21
PY2EHU31
UE 3 - TP Matriaux
PY2CGM71
TP Matriaux
PY2EHU41
PY2CHM41
PY2EHU51
UE 5 - Stage
PY2CGM51
PY2EHU61
UE 6 - UE libre (*)
PY2EHU71
UE 7 - Langues
UL20HM01
Anglais
Convocation
Session de
rattrapage
3
1
oui
Oral
(15 min)
oui
Oral
(15 min)
Report
Examen crit
Oral
(15 min)
Report
3
1
3
1
3
1
oui
12
(*) Le choix de lUE libre doit tre valid par le responsable pdagogique.
2016-2017 : pour les enseignements pouvant ventuellement se faire en commun avec une autre composante ou sur un
semestre diffrent, un contrat pdagogique devra tre tabli.
321
Volume horaire
CM
24
14
TD
Ph. Turek
10
UE 3 - TP Matriaux
UE4 - Biologie cellulaire et tissulaire
UE 5 - Stage
M. Henry
S. Ferlay, N. Viart, O. Baudron, N. Douce, A. Hebraud
14
10
F. Meyer
8 semaines
UE 6 - UE libre
UE 7 - Langues
Enseignants
TP
CRL
Dynamique des vibrations cristallines; proprits thermiques: Oscillateur harmonique - Chane linaire un atome
par maille - Chane linaire deux atomes par maille - Proprits thermodynamiques - Dtermination exprimentale
des courbes de dispersion.
Milieux dilectriques: polarisation statique dun dilectrique - Mcanisme de polarisation des dilectriques - Champ
local, polarisabilit et constante dilectrique - Polarisation dans un champ variable - Constantes optiques Ferrolectricit - Pizolectricit
Magntisme: origine du magntisme Diamagntisme Paramagntisme - Magntisme itinrant - Magntisme des
atomes et des ions - Ordres magntiques - Anisotropie magntique -Parois et domaines magntiques.
Savoir dcrire lorganisation ultrastructurale dune cellule eucaryote et les fonctions des diffrentes organelles intracellulaires.
Connatre lorganisation supra cellulaire: du tissu lorganisme entier
Connatre les fondements et les consquences de laction des toxiques sur la cellule et lorganisme
Acqurir le savoir ncessaire la comprhension et lanalyse dun problme de toxicit.
UE 5 - Stage
Le sujet doit tre propos par les diffrents laboratoires habilits par le master et le sujet tabli par le matre de stage.
Les stages en laboratoires dune dure de 6 semaines sont prcds par une formation pratique et de prparation au
stage dune dure de 6 semaines galement. Cette priode de formation pratique et de prparation, effectue en relation
avec le laboratoire daccueil du stage, pourra tre planifie au cours de lanne universitaire en accord entre le laboratoire daccueil et ltudiant. La note de lUE est compose de 30% de la note de prparation stage et de 70 % de la note
dvaluation du stage.
322
UE 6 UE libre
Voir composante porteuse
UE 7 - Langues
Travail de recherche documentaire, ou autre, en fonction des options prises avec les facults.
Pratique en centres de ressources de langues (CRL) sur des objectifs individuels en fonction du niveau de comptence
personnel et des besoins spcifiques dans le domaine dtudes.
323
Acqurir les outils de base en physique et en chimie permettant de comprendre la science des matriaux - nature, laboration, caractrisation (relation structure-proprits physiques), procds de miniaturisation.
Accder des thses et/ou former des cadres de lindustrie dans les secteurs axs sur les matriaux de fonction pour
diffrents types de matriaux, allant du massif aux matriaux innovants en couches minces : nanomatriaux pour llectronique de spin, nanomatriaux catalytiques, oxydes et cramiques.
Description de la spcialit:
La spcialit Ingnierie des matriauxet nanosciences est galement un master dlocalis de lUniversit de Strasbourg lUniversit Fehrat Abbas de Stif en Algrie.
Le 1er semestre (S1) est commun tous quelle que soit la spcialit choisie.
Le S2 permet de commencer sa spcialisation, avec des parcours diffrencis. Il se conclut par un stage obligatoire de
3 mois.
Le S3 est diffrent selon la spcialit et les options choisies.
Le S4 est rserv un stage de 5 mois soit dans lun des laboratoires daccueils reconnus des deux sites soit en milieu
industriel.
Conditions dadmissionet/ou conditions daccs et de pr-requis:
Admission de plein droit aux tudiants issus du M1 Matriaux et Nanosciences de lUnistra.
Les candidats extrieurs doivent prsenter une candidature travers la plateforme Aria (https://aria.u-strasbg.fr) ou par
Campus France, selon le cas.
Formation continue:
Les admissions seront accordes en M1 (M2) sur dossier et entretien, aprs validation des acquis dexprience (VAE) par
la commission comptente accordant une quivalence de la licence (matrise) dans un des domaines considrs pour
lentre en M1 en formation initiale.
Dbouchs:
Les mtiers de la recherche scientifique dans les organismes publics (ADEME, ANDRA, BRGM, CEA, CNES,
CNRS, INRIA, ONERA) ;
Les mtiers de lenseignement suprieur ;
Ingnierie recherche et dveloppement (R&D) au sein des laboratoires de recherche des grands groupes industriels
menant une activit de recherche dans le domaine des matriaux avancs (St-Gobain, Glaverbel, Corning, Rhodia,
Thales, KyoCera) ;
Les emplois de cadres scientifiques dans les industries de llectronique, de biotechnologies, des polymres.
Poursuites dtudes:
La finalit professionnelle ou oriente vers la recherche (poursuite en doctorat) de chaque spcialit est dtermine
essentiellement par la nature des stages effectus et le choix doptions spcifiques. Des passerelles existent vers des
masters connexes dans de nombreuses universits franaises et europennes.
(*) aziz.dinia@ipcms.unistra.fr
324
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY2EKL11
UE 1 - Obligatoires
CP013MM2
oui
Ecrit (2h)
Oral
CP013MM4
oui
Ecrit (2h)
Oral
PY2EKL21
UE 2 - Obligatoires choix
CP013M20
oui
Ecrit (2h)
Oral
CP013MM7
oui
Ecrit (2h)
Oral
CP013MM8
Biomatriaux
oui
Ecrit (2h)
Oral
CP013MN4
Matriaux optiques
oui
Ecrit (2h)
Oral
CP013MP3
oui
Ecrit (2h)
Oral
CP013MSC
oui
Ecrit (2h)
Oral
CP013MN3
Matriaux catalytiques
oui
Ecrit (2h)
Oral
PY2EKU22
oui
Ecrit (2h)
Oral
PY2EKM21
Modlisation numrique
oui
Ecrit (2h)
Oral
PY2EKL31
UE 3 - UE libre (*)
PY2EKL41
UE 4 - Anglais
(*) aziz.dinia@ipcms.unistra.fr
325
Intituls
CM
TD
Enseignants
TP
UE 1 - Obligatoires
Elaboration des Matriaux : mthodes physiques
24
A. Dinia
18
N. Viart; P. Schaaf
18
18
Biomatriaux
21
L. Averous; P. Schaaf
Matriaux optiques
24
I. Kraus
18
N. Leclerc; T. Heiser
18
A. Dinia; S. Colis
Matriaux catalytiques
18
E. Savinova
30
A. Dinia; E. Savinova
UE 2 - Obligatoires choix
J. Baschnagel; C. Fond;
D. Stoeffler
Modlisation numrique
UE 3 - UE libre
UE 4 - Langues
16
326
CRL
UE 1 - Obligatoires
laboration des matriaux : mthodes physiques
Intrt des couches minces et revtement de surfaces, proprits des couches minces, applications des couches
minces
Techniques de dpt de couches minces: pulvrisation par diode DC ; pulvrisation par triode ; pulvrisation par
diode radio frquence ; pulvrisation par magntron ; pulvrisation ractive.
Techniques modifies et hybrides.
Evaporation thermique sous vide.
Ablation laser
Physiques des surfaces et interfaces
Proprits physiques et chimiques de la surface de matriaux inorganiques lchelle nanoscopique :
Les surfaces idales de matriaux inorganiques
Les carts lidalit dans les surfaces relles
Approche thermodynamique de lnergie de surface
Systme lectronique en surface, effet dagrgats
Les interfaces de matriaux
Les phnomnes dadsorption. Approche macroscopique. quilibres adsorption-dsorption
Mcanismes molculaires de ladsorption
Les consquences pratiques: catalyse htrogne, corrosion.
Proprits dinterface des matriaux organiques :
Les mthodes exprimentales : llipsomtrie - plasmon de surface - technique de guide donde - IR en mode ATR - Microbalance quartz - Potentiel zeta. tude de systmes particuliers : polymres aux interfaces(quelques rsultats gnraux
-isothermes dadsorption, - change - profil de concentration) - Application dans le domaine de la chromatographie - nanofilms de polylectrolytes (applications dans le domaine optique, des lentilles de contact...) - self assembled monolayers
- Application dans le domaine des bio-sensors - Surfaces hydrophiles, hydrophobes mthodes pour rendre les surfaces
hydrophiles, hydrophobes, effet Lotus - membranes (transport, slectivit, effet Donnan).
UE 2 Obligatoires choix
Introduction aux nanotechnologies
Prsentation des nanosciences et nanotechnologies : approches top-down et bottom-up - Influence de la taille nanomtrique sur les proprits des matriaux - Description des techniques AFM et STM - Techniques de lithographies.
Lobjectif de ce cours est de dvelopper des comptences en nanotechnologies. Les nanotechnologies reprsentent
lensemble des techniques visant produire, manipuler et mettre en uvre des objets et des matriaux lchelle du nanomtre. Elles consistent en deux approches : top-down (miniaturisation des dispositifs et des structures jusqu lchelle
nano : ingnierie en couches minces et petits objets)et bottom-up (manipulation de briques lmentaires que lon organise
pour former des dispositifs), qui sont dvelopps dans le cadre de ce cours.
Matriaux hybrides et biomimtiques
Matriaux biomimtiques :
Introduction, prsentation de quelques exemples
Effet Lotus et surfaces super-hydrophobes
Surfaces anti-brouillard
Effet Gecko
Couleurs structurelles dans la nature
Surfaces anti-rflchissantes
Films mcaniques mimant la Nacre (matriaux forces sacrificielles)
Le fil daraigne
Vers des matriaux sites cryptiques
Matriaux hybrides :
Gnralits-dfinition
les silices hybrides: approche sol-gel
les matriaux hybrides lamellaires
les nanoparticules fonctionnalises
Biomatriaux
Biomatriaux synthtiques et biomimtiques: gnralits (dfinitions, grands domaines dapplications, enjeux conomiques et de socit); biomatriaux mtalliques et leurs applications(alliages base de cobalt, titane, mtaux
prcieux), avantages et problmes lis lutilisation de ces matriaux. Biomatriaux cramiques (types de cramiques et verres, utilisation, avantages et inconvnient). Biomatriaux polymriques (polymres synthtiques et biorsorables): proprits et applications. Ingnierie tissulaire base de matriaux biologiques (ie biomimtiques).
Interactions entre un biomatriau et son environnement (matire biologique constitue de fluides, protines et
cellules): notions sur les protines, cellules, interactions spcifiques et non spcifiques; interaction avec le sang,
rponse tissulaire limplantation, consquences possible dune implantation.
Fonctionnalisation dun biomatriau (en volume et en surface): introduction dun principe actif dans la masse du
matriau, modification directe des proprits de surfaces (chimique ou physique), ou par greffage sur la surface de
molcules dintrt (molcules, films bioactifs); mthode de contrle du greffage. Application des nano-technologies
au domaine des biomatriaux (biopuces, biocapteurs, biomatriaux nano-structurs).
327
Matriaux optiques
Cristaux liquides : matriau organique fonction optique. les diffrentes phases cristal liquide (les msophases)
- leurs caractrisations lanatomie des molcules - leurs proprits lastiques, optiques et lectriques - leurs applications: cran plat, thermomtre, billet de banque, etc.
Fibres optiques : leurs applications.
Matriaux LASER : leurs applications.
Une courte introduction sera donne aux tudiants sur les matriaux pour loptique non-linaire.
Matriaux semi-conducteurs organiques
Introduction gnrale.
Structures et proprits (macro-)molculaires :
Notion de conjugaison lectronique
Matriaux conjugus et fonctions
Outils de conception et de synthse
Matriaux organiques pour les transistors
Matriaux organiques pour les diodes lectroluminescentes
Matriaux organiques pour les cellules photovoltaques
Proprits optolectroniques des matriaux et leurs applications :
Etats excits et porteurs de charges
Transport de charge : mcanisme et modlisation
Transistors effet de champ : principe de fonctionnement et technologies
Diodes lectroluminescentes : principe de fonctionnement et technologies
Cellules photovoltaques : principe de fonctionnement et technologies
Semi-conducteurs inorganiques: technologie et caractrisation
Bases physiques de la technologie des semi-conducteurs:
Prparation des substrats semi-conducteurs
Dpt de couches dilectriques
Dopage des dispositifs semi-conducteurs
Micro lithographie et gravure
Exemple de filire: le Transistor MOS auto-align sur silicium
Mthodes de caractrisation des semi-conducteurs
Introduction aux mthodes de caractrisation des semi-conducteurs
Mthodes lectriques
Mthodes optiques
Analyses physico-chimiques
Analyse de surface par microscopie de proximit
Matriaux magntiques et matriaux pour le stockage de lnergie
Matriaux magntiques :
I: Rappels : moments magntiques atomiques ; Diamagntisme; Paramagntisme ; Etats ordonns magntiques ; Moments magntiques dans les couches minces ; II: nergie dans un corps ferromagntique; IV: matriaux pour lenregistrement magntique ; V: lectronique de spin et capteurs magntorsistifs ; VI: matriaux magntiques mergents pour
llectronique de spin ; VII: matriaux magntiques et aimants: matriaux doux ; Matriaux durs ; Applications.
Matriaux pour le stockage dnergie:
Les batteries - Gnralits : nergie, nergie massique, puissance, puissance spcifique, capacit, rgime de dcharge...
Dynamique des lectrodes et systmes complets
Les principaux types de piles et accumulateurs (Piles lectrolyte aqueux, Piles au lithium,
Les applications, le recyclage
Les piles combustibles : principes de fonctionnement, matriaux et lectrodes, tude des diffrents types
Les supercondensateurs : principes de fonctionnement, matriaux et systmes
Modlisation numrique
Introduction (chelles de temps/longueur : lectrons-(macro-) molcules - objets msoscopiques-proprits macroscopiques; approche multi-chelle : potentiel dinteraction raliste, semiempirique, simplifi)
Structure lectronique et proprits (Hartree-Fock, thorie de la fonctionnelle de la densit, applications): Illustrations.
Modlisation molculaire (fondations thoriques, dynamique molculaire, mthode de Monte Carlo, applications : CarParrinello, simulation des systmes polymres).
UE 3 - UE libre
Voir composante porteuse.
UE 4 - Langues
Voir CRL
328
Enseignements
:
Codes
apoge
Intitul
PY2ELU11
PY2ELM11
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
30
10
Rapport crit et
prsentation orale
oui
Pas de
rattrapage
Volume horaire
(**)
Enseignants
A. Dinia
(**) Le stage dune dure de 5 mois au minimum, fait lobjet dun rapport final et dune prsentation orale devant un jury
constitu du responsable de lUE et dautres enseignants du Master ou enseignants-chercheurs. Le rapport final compte
pour et la prsentation orale pour de la note du stage.
(*) aziz.dinia@ipcms.unistra.fr
329
Enseignements
:
Codes
apoge
Intitul UE
Coeff.
ECTS
CP013MN4
CP013M20
UE 3 - Cramiques technologiques
CP013MM7
CP013MM8
CP013MM7
PY2EKL31
Convocation
Session de
rattrapage
oui
Ecrit (2h)
Oral
oui
Ecrit (2h)
Oral
oui
Ecrit (2h)
Oral
oui
Ecrit (2h)
Oral
UE 5 - Biomatriaux
oui
Ecrit (2h)
Oral
UE 6 - Ingnierie tissulaire
oui
Ecrit (2h)
Oral
UE 7 - Matriaux hybrides et
biomimtiques
oui
Ecrit (2h)
Oral
oui
Ecrit
Oral
UE 9 - UE libre (*)
UE 10 - Langues
(*) Le choix de lUE libre est communiquer imprativement au service de scolarit de la Facult de physique & ingnierie
dans les 2 semaines suivant le dbut du semestre. Ltudiant informe le service de la scolarit grant le diplme dans
lequel est inscrite lUE de son intention de choisir cette UE. Ltudiant soumet ce choix au responsable de son diplme
dans lequel il est inscrit. Si ltudiant obtient laccord du responsable de son diplme, il sinscrit pdagogiquement auprs
du service de scolarit qui gre son diplme.
(*) aziz.dinia@ipcms.unistra.fr
330
CM
TD
Enseignants
TP
18
N. Viart, P. Schaaf
18
UE 3 - Cramiques technologiques
24
22
UE 5 - Biomatriaux
18
L. Averous, P. Schaaf
UE 6 - Ingnierie tissulaire
21
21
20
UE 9 - UE libre
N. Viart
2
UE 10 - Langues
voir CRL
331
Biomatriaux synthtiques et biomimtiques: gnralits (dfinitions, grands domaines dapplications, enjeux conomiques et de socit); Biomatriaux mtalliques et leurs applications(alliages base de cobalt, titane, mtaux
prcieux), avantages et problmes lis lutilisation de ces matriaux. Biomatriaux cramiques (types de cramiques et verres, utilisation, avantages et inconvnient). Biomatriaux polymriques (polymres synthtiques et biorsorables): proprits et applications. Ingnierie tissulaire base de matriaux biologiques (ie biomimtiques).
Interactions entre un biomatriau et son environnement (matire biologique constitue de fluides, protines et
cellules): notions sur les protines, cellules, interactions spcifiques et non spcifiques; interaction avec le sang,
rponse tissulaire limplantation, consquences possible dune implantation.
Fonctionnalisation dun biomatriau (en volume et en surface): introduction dun principe actif dans la masse du
matriau, modification directe des proprits de surfaces (chimique ou physique), ou par greffage sur la surface de
molcules dintrt (molcules, films bioactifs); mthode de contrle du greffage. Application des nano-technologies
au domaine des biomatriaux (biopuces, biocapteurs, biomatriaux nano-structurs).
UE 6- Ingnierie tissulaire
Apporter une connaissance de base sur les interactions entre le vivant et les biomatriaux afin que de futurs ingnieurs
en charge de llaboration de nouveaux biomatriaux puissent sintgrer dans une quipe pluridisciplinaire comportant
physiciens, chimistes, biologistes et cliniciens. Dans cet esprit la matrise du mme vocabulaire et une connaissance des
approches de chacun des partenaires est primordiale pour une bonne transmission des informations. Les enseignements
tant sur les bases fondamentales que sur les aspects plus techniques des interactions cellule/biomatriaux permettront
ltudiant physicien ou chimiste douvrir ainsi le champ dapplication de ses connaissances thoriques.
UE 7 - Matriaux hybrides et biomimtiques
Matriaux biomimtiques :
Introduction, prsentation de quelques exemples
Effet Lotus et surfaces super-hydrophobes
Surfaces anti-brouillard
Effet Gecko
Couleurs structurelles dans la nature
Surfaces anti-rflchissantes
Films mcaniques mimant la Nacre (matriaux forces sacrificielles)
Le fil daraigne
Vers des matriaux sites cryptiques
Matriaux hybrides :
Gnralits-dfinition
Les silices hybrides: approche sol-gel
Les matriaux hybrides lamellaires
Les nanoparticules fonctionnalises
UE 8- Ingnierie et applications biomdicales des nanovecteurs
A lissue de cet enseignement, ltudiant connatra les principaux vecteurs nanoparticulaires dvelopps pour le domaine
biomdical, leurs techniques de formulation et leurs mthodes de caractrisation. Il connatra leurs interactions avec le
vivant et les contraintes lies ce domaine dapplications. Les nombreux exemples dcrits dans cette UE confreront
ltudiant des outils concrets lui permettant dapprcier lintrt des vecteurs. Le contenu de lUE (dcrit ci-dessous)
sarticulera autour de 3 grands axes :
Ingnierie des vecteurs nanoparticulaires :
les principaux vecteurs nanoparticulaires (nanoparticules lipidiques, nanoparticules polymres
principales techniques de formulation
caractrisation physicochimique (taille, potentiel zta, stabilit)
Interactions avec le vivant :
devenir des vecteurs aprs administration
bioadhsion, furtivit, ciblage
risque toxique
Exemples dapplications biomdicales : diabte, cancer, vaccination, thrapie gnique.
UE 9 - UE libre
Voir composante porteuse.
UE 10 - Langues
Voir CRL
332
Enseignements
:
Codes
apoge
Intitul UE
PY2ELU11
PY2ELM11
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
30
10
Rapport crit et
prsentation orale
oui
Pas de
rattrapage
Volume horaire
(**)
Enseignants
A. Dinia
(**) Le stage dune dure de 5 mois au minimum, fait lobjet dun rapport final et dune prsentation orale devant un jury
constitu du responsable de lUE et dautres enseignants du master ou enseignants-chercheurs. Le rapport final compte
pour et la prsentation orale pour de la note du stage.
(*) aziz.dinia@ipcms.unistra.fr
333
Le design des surfaces a pour but d'tudier les proprits des surfaces et de les amliorer, de dvelopper des solutions
et des applications industrielles. Loptimisation du choix des matriaux, la modification des proprits de surfaces des
matriaux par traitement ou revtement, et loptimisation des conditions dutilisation sont au cur du mtier. Cette spcialit du Master Matriaux vise permettre ltudiant dacqurir un savoir-faire dans la fabrication, le comportement et
le traitement/revtement des matriaux (mtaux, semi-conducteurs, verres/cramiques, polymres) sous diverses formes
(matriaux massifs, surfaces, couches minces) et proposer une initiation aux techniques et mthodes de caractrisation
des surfaces grce au 50 h de TP sur les quipements scientifiques des laboratoires Matriaux et nanosciences d'Alsace.
Lobjectif est de former des cadres de niveau ingnieur dans le domaine des matriaux avec une orientation spcifique
surfaces-interfaces et couches minceset pouvant oprer :
Soit en milieu industriel dans un large champ dapplications,
Soit poursuivre des tudes doctorales de caractre fondamental ou appliqu.
Description de la spcialit:
Ce diplme est cohabilit avec lInstitut national des sciences appliques (INSA) de Strasbourg.La seconde anne est
entirement commune avec la dernire anne de cycle ingnieur en gnie des matriaux de la filire Gnie mcanique
de lINSA. Plusieurs cours doption sont galement communs avec la dernire anne de cycle ingnieur de la filire Matriaux de l'cole de chimie, polymres et matriaux (ECPM) de Strasbourg.
La premire anne est commune avec la spcialit Ingnierie des matriauxet nanosciences . Le S3 est spcifique
avec un choix doptions. Le S4 est rserv un stage de 5 mois soit dans lun des laboratoires daccueils reconnus des
deux sites soit en milieu industriel.
Conditions dadmissionet/ou conditions daccs et de pr-requis:
Admission de plein droit aux tudiants issus du M1 Matriaux et Nanosciences de lUnistra.
Les candidats extrieurs doivent prsenter une candidature travers la plateforme Aria (https://aria.u-strasbg.fr) ou par
Campus France, selon le cas.
Formation continue:
Les admissions seront accordes en M1 (M2) sur dossier et entretien, aprs validation des acquis dexprience (VAE) par
la commission comptente accordant une quivalence de la licence (matrise) dans un des domaines considrs pour
lentre en M1 en formation initiale.
Dbouchs:
Fonctions : doctorant, ingnieur dtudes, charg de recherches et enseignant chercheur, chef de projet R&D,
responsable de laboratoire de recherche, ingnieur projet, chef de projet industriel, responsable de services techniques, ingnieur procds et environnement, ingnieur qualit, ingnieur technico-commercial
Secteurs : industriels et R&D car l'amlioration des performances, des rendements et des tenues en service des
produits manufacturs est un enjeu industriel pour tous les secteurs de biens manufacturs. Les secteurs d'insertion
historiques sont ceux du transport, de l'horlogerie ou des traitements de surfaces. Les secteurs mergents sont ceux
aux interfaces: fonctionnalisation pour biocompatibilit des dispositifs mdicaux implantables...
Poursuites dtudes:
La finalit professionnelle ou oriente vers la recherche (poursuite en doctorat) de la spcialit est dtermine essentiellement par la nature des stages effectus et le choix doptions spcifiques. Des passerelles existent vers des masters
connexes dans de nombreuses universits franaises et europennes.
334
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY2DKU12
UE 1- Surfaces et interfaces
PY2DKM12
2/3
1/3
3
oui
non
EO (30min)
1/2
1/2
oui
non
Epreuve crite
(30 min)
Note biblio.
EO (30min)
PY2DKU22
PY2DKM21
oui
EO (30min)
PY2DKM22
oui
EO (30min)
PY2DKM23
Microscopies lectroniques
oui
EO (30min)
PY2DKM24
Spectroscopies dlectrons
oui
EO (30min)
PY2DKU32
UE 3- Endommagements
surfaciques, tribologie
oui
(session 2)
EO (30min)
oui
non
EO (30min)
oui
Epreuve crite
(1h30)
EO (30min)
oui
(session 2)
Rapport (5 p.)
Oral projet (10 min)
EO (30min)
oui
EO (30min)
Surfaces organiques
PY2DKU41
UE 4- Procds de fonctionnalisation
des surfaces et environnement
PY2DKM41
PY2DKU51
UE 5- Formation pratique
PY2DKM51
Formation pratique
PY2DKU61
UE 6 - Ouverture professionnelle
PY2DKM61
PY2DKU71
UE 7 - Langues: Anglais
PY2DKM71
Anglais
PY2DKU81
UE 8 - UE obligatoire (2 au choix)
PY2DKM83
1
2/3
1/3
3
1
3
1
3
1
3
1
6
1
oui
EO (30min)
PY2DKM84EC
0.5
oui
EO (30min)
PY2DKM84EC
- Semiconducteurs
0.5
oui
Epreuve crite
(1h30)
Epreuve crite
(1h30)
PY2DKM84
335
EO (30min)
UE 9 - UE Libre (1 matire)
PY2DKM91
3
1
oui
Epreuve crite
(1h30)
EO (30 min)
Intituls
UE 1- Surfaces et interfaces
TD
TP
17
15
28
24
32.5
17
UE 5- Formation pratique
UE 6 - Ouverture professionnelle
Enseignants
CM
20
UE 7 - Langues: Anglais
16
S. Rothe (CRL)
UE 8 - UE obligatoire choix
Dpts des couches minces par voie physique ou chimique
24
Applications des couches minces pour loptique, loptolectronique et les semi conducteurs:
- Couches minces optiques
- Semiconducteurs
36
UE 9 - UE Libre
Electrochimie (Corrosion / Vieillissement)
336
UE 1 - Surface et interfaces
Lobjectif est dacqurir des connaissances suffisantes sur la comprhension des phnomnes de physiques des surface
et sur les applications industrielles. Cette UE est divise en deux parties et visent comprendre les surfaces / interfaces
par une approche type i) ingnierie et ii) recherche. Lapproche ingnierie permettra didentifier les modes de
dgradations des surfaces, afin de dfinir des solutions palliatives (choix des couples de matriaux, et des gomtries
des surfaces en contact, choix des traitements et revtements de surface) dans une dmarche de conception produits.
Lapproche recherche permettra de comprendre les phnomnes de physique des surfaces entrant en jeu dans la
conception de revtements multi-couches et de connaitre les techniques mme de les caractriser.
Ce cours apportera des notions avances sur le champ scientifique que constitue lingnierie des surfaces, qui a pour but
dtudier les proprits des surfaces, de les amliorer et de les caractriser avec les bons outils.
Ce cours portera sur les notions suivantes :
Physique des surfaces et mthodes exprimentales
1. Dfinition des notions de surfaces et interfaces (proprits physico-chimiques spcifiques, proprits mcaniques)
2. Techniques de caractrisation des surfaces / interfaces.
Ingnierie et ruines des surfaces
3. Dfinition des notions de surfaces et rugosits des surfaces (paramtres 2D et 3D standards, paramtres 2D et 3D
hybrides, notion de surfaces fractales, courbe dAbbott-Firestone)
4. Mode de dgradation des surfaces (usures, fatigue superficielle)
UE 2 - Caractrisation des surfaces
Les spectroscopies dlectrons pour lanalyse des surfaces: analyse structurale des surfaces (LEED, RHEED), spectroscopies (XPS, AES, EXAFS, EELS, SIMS), ainsi que les techniques danalyse par DRX et fluorescence X
Les microscopies lectroniques (MEB, MET) et les microscopies en champ proche (AFM, STM).
Formation pratique: TPde microscopies lectroniques (MEB, MET), Ablation Laser, Ultravide, PVD, DRX/Fluorescence X.
UE 3 - Endommagements surfaciques, tribologie
UE consacre aux notions gnrales sur les mcanismes de dgradation des surfaces fonctionnelles et/ou fonctionnalises par contact mcanique. Principaux mcanismes dusure, couplages entre les diffrents mcanismes, et la relation usure frottement, en introduisant quelques rappels sur les modes de lubrification des surfaces (frottement solide,
rgimes hydrodynamiques et lasto-hydrodynamiques). Spcificits pour les diffrentes classes de matriaux.
Ruine des matriaux mtalliques
Mode de lubrification des surfaces en contact.
Couplages dgradations mcaniques dgradation lectrochimiques.
Surfaces organiques
Diffrence entre frottement vrai et frottement apparent. Etude de cas, volution du frottement vrai en fonction de la pression de contact.
Rponse viscolastique et viscoplastique dune surface de polymre en indentation et glissement/rayure. Dfinition de
la dformation, de la vitesse de dformation et condition pour estimer une duret dynamique ou statique. Relation entre
dformation et pression de contact. Passage Tg. Illustrations et tudes de cas.
Comportement des revtements. Solutions utilises pour rendre une surface moins rayable. Endommagements types :
fissure, caillage.
UE 4 - Procds de fonctionnalisation des surfaces et environnement
Les matriaux subissent beaucoup de services lusage. Leur dure de vie est donc plus ou moins longue (corrosion,fatigue,
surcharge). Les principales sollicitations pour un matriau ltat industriel sont les suivantes :
Sollicitations thermiques
Sollicitations mcaniques
Sollicitations environnementales
Lobjectif est donc de comprendre le rle dun revtement traitement de surface fonctionnaliser une surface.
PROGRAMME :
1) Prparation de surface
Prsentation des procdes industriels (prparation mcanique, dgraissage, dcapage), Mcanismes de ladhsion,
Prparation de surface de polymres par laser impulsionnel.
2) Traitements de surfaces par voie humide
Electrochimie et traitements de surface, Dpts lectrolytiques / lectrochimiques, Dpts mtalliques cathodiques /anodiques, Dpts organiques electrophoretiques (cataphorse, anaphorse), o Peintures et vernis traitement multicouches,
Revtements polymriques, Dpts chimiques auto catalytiques, Traitements de conversion (anodisation,phosphatation)
3) Traitements de surfaces par voie sche
Projection thermique, Technologies laser (rechargement, refusions, dpt laser puls), Dpts sous vide en phase
vapeur (PVD, CVD), Revtements minces nanostructures, Revtements Duplex, Implantation ionique
4) Nouvelles techniques de fonctionnalisation de surfaceCouches minces par procds sol-gel, Fabrication additive
(SLM, SLS, CLAD)
5) Applications industrielles
337
UE 5- Formation pratique
Projet de recherche bibliographique dune problmatique acadmique ou industrielle.
UE 6 Ouverture professionnelle
Plan dexpriences :
Se familiariser avec les notions fondamentales ncessaires pour l'optimisation des procds, la base des rsultats exprimentaux. Introduire et dvelopper l'ide de conception des programmes optimums pour la recherche exprimentale,
en vue d'atteindre un but clairement dfini et des performances bien prcises. Apprendre des techniques de conception
des plans d'expriences optimums et d'analyse de rsultats exprimentaux, en vue d'obtenir le maximum d'informations
sur l'objet de l'tude (phnomne, procd), pour un minimum de moyens investis (nombre d'expriences rduits).
Qualit et amlioration continue en production :
Analyser les rsultats de mesures et d'analyses, identifier les non-conformits dfinir et prconiser les actions correctives
et contrler leur mise en uvre. Animer des dmarches de progrs (MRPG, HOSHIN, KAIZEN, 5S, SMED). Elaborer et
faire voluer des procdures, des modes opratoires, des procds de fabrication ou d'industrialisation et contrler la
conformit de leur application. Evaluer le cot des non-conformits. Procder un audit qualit, fournisseur, environnement
Ordonnancement et Logistique :
Dfinir les flux de production et le dispositif de gestion et de suivi. Identifier des risques de ruptures de flux et dterminer des solutions
prventives ou correctives. Participer la conception ou l'adaptation d'outils de gestion de flux. Rpartir et planifier la charge de
production entre les sites, les ateliers, les lignes de productions, en fonction des spcificits et disponibilits des quipements.
UE 7 - Langues: Anglais
Favoriser les projets associant langues et parcours disciplinaires.
Description: travail de recherche documentaire, ou autre, en fonction des options prises avec les Facults.
Pratique en Centres de ressources de langues (CRL) sur des objectifs individuels en fonction du niveau de comptence
personnel et des besoins spcifiques dans le domaine dtudes.
Ateliers rpondant aux besoins spcifiques des tudiants et leurs intrts (expression orale avec lecteurs trangers,
phontique, CV, culture)
UE 8 - UE obligatoire choix
Dpt des couches minces par voie physique et chimique
Procd dlaboration par voie physique:
I. Intrt des couches minces et revtement de surface; Proprits des couches minces; Applications des couches
minces; II: Les techniques de dpt de couches minces: Pulvrisation par diode DC; Pulvrisation par triode; Pulvrisation par diode radio frquence (RF); Pulvrisation par magntron; Pulvrisation ractive; IV: Techniques de dpts
physiques modifies et hybrides: Ion plating; vaporation ractive; Techniques assistes par faisceaux dions IAD et
IBS; V: vaporation thermique sous vide; -VI: Technique dablation Laser: Caractristiques; Mcanismes physiques;
Technique de dpt
Applications des couches minces pour loptique, loptolectronique et les semi-conducteurs
Les proprits optiques des matriaux (les constantes optiques, interprtation classique et quantique, les coefficients de
transmission et rflexion, absorption et mission, transitions optiques). Les matriaux de base des couches minces et
leurs caractristiques (mtaux, dilectriques, semiconducteurs). Les couches minces optiques (calculs et applications).
Les couches minces optolectroniques (LED et diodes laser). Diverses tudes de cas industriels (rtroviseurs de voiture, verres ophtalmiques, vitrages isolants, ou filtrants ou lectrochromiques).
Les technologies des circuits intgrs: mthodes dlaboration des composants de la microlectronique (technologie
CMOS, SOI, etc.), challenges et volution.
UE 9 - UE libre
Electrochimie (Corrosion / Vieillissement)
OBJECTIF : acqurir des connaissances sur la corrosion des structures afin de pouvoir faire les meilleurs, choix en
matire de conception. La matrise des notions de base de la corrodabilit des matriaux mtalliques et polymres. Les
outils ncessaires pour apprhender la durabilit physicochimique des matriaux mtalliques et polymres. Mettre en
uvre les moyens de mesure et de contrle de la corrosion : aspects cintiques et dynamiques.
PROGRAMME :
Notions de base dlectrochimie (thermodynamique et cintique lectrochimique, surtensions, courbes de polarisation):Application aux piles, lectrolyses, revtements lectrolytiques.
Prsentation des outils lectrochimiques applicables la corrosion (corrosion humide) et mcanismes de la corrosion lectrochimique, systmes coupls lectrodes localises, couplage dlectrodes non localises : corrosion
gnralise, tat actif et tat passif, corrosions localises (caverneuse, par piqres, intergranulaire, sous contrainte,
fragilisation par hydrogne)
Mtrologie de la corrosion : objectifs, principe du trac des courbes Intensit-Potentiel, impdances lectrochimiques, mthodes non lectrochimiques.
Vieillissement physique : absorption de solvant (plastification, gonflement diffrentiel, fissuration) et perte dadjuvants (stabilisants, plastifiants)
Vieillissement chimique : thermique (en prsence ou non doxygne), photochimique (radiations solaire), hydrolytique, biochimique, ractifs chimiques
Moyen de lutter contre la corrosion : Revtement lectrolytiques et Procds de fonctionnalisation des surfaces.
338
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
PY2DLU11
UE 1 Prparation stage
PY2DKLM11
Prparation stage
PY2DLU21
UE 2 Stage
PY2DKLM21
Stage
PY2DLU31
UE 3 Valorisation stage
PY2DKLM31
Valorisation de stage
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
3
1
Dossier
Dossier
Evaluation + rapport +
soutenance (30 min)
Conserv
Dossier
Dossier
24
8
oui
3
UE 1 Prparation stage
Le marche de lemploi - Le projet professionnel - Le bilan de comptence - CV et lettre de motivation - Management visuel
en entreprise - prparation oprationnelle du stage.
UE 2 - Stage
Pendant au moins 20 semaines (6 mois devant tre la norme), ltudiant intgre une entreprise ou un laboratoire. Ce
stage a pour vocation de prparer les tudiants pour le monde de la recherche et dveloppement. Il doit avoir lieu dans
un laboratoire de recherche universitaire ou industrielle. La possibilit de leffectuer dans un laboratoire industriel doit se
faire aprs accord du responsable du Master pour sassurer que le contenu correspond bien aux critres dun stage R&D.
UE 3 - Valorisation Stage
Mthodologie de travail et gestion du projet:
- Aspects conomiques et stratgiques du stage.
- Management et communication du projet (poster)
- Gestion des ressources du laboratoire ou de lentreprise.
- Bilan de comptences.
- Bilan et projet professionnel
339
Les mtiers de la recherche scientifique dans les organismes publics (ADEME, ANDRA, BRGM, CEA, CNES,
CNRS, INRIA, ONERA).
Les mtiers de lenseignement suprieur.
Secteurs recherche et dveloppement industriel, technico-commercial, management scientifique des industries,
depuis les PME jusqu'aux grands groupes europens et mondiaux (PSA, BASF, Michelin, L'Oral, Dow, ...).
Poursuites dtudes:
La finalit professionnelle ou oriente vers la recherche (poursuite en doctorat) de chaque spcialit est dtermine
essentiellement par la nature des stages effectus et le choix doptions spcifiques. Des passerelles existent vers des
masters connexes dans de nombreuses universits franaises et europennes.
(*) christophe.serra@unistra.fr
340
Enseignements
:
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY27KU12
PY27KM12
oui
Ecrit (1.75h)
CP013MP5
Gnie de la polymrisation
oui
Ecrit (1.75h)
PY27KM22
PY27KM22
oui
Ecrit (1.75h)
CP013MQ5
oui
Ecrit (1.75h)
PY27KM43
UE 3 - Physico-chimie
PY27KM43
oui
Ecrit (1.75h)
PY27KM23
oui
Ecrit (1.75h)
PY27KU62
UE 4 - Physique
PY27KU62
oui
Ecrit (1.75h)
CP013MP4
oui
Ecrit (1.75h)
CP013MQ7
UE 5 Simulation numrique et
monographies
CP013MQ7
Simulation numrique
oui
Ecrit (1.75h)
CP013MQ8
Monographies
oui
Ecrit (1.75h)
CP013MET
UE 6 - Entreprenariat
oui
Ecrit (1h30)
PY27KU82
oui
Rapport crit
+ prsentation orale
CP013ML1
UE 8 Langue : Anglais
UE 9 - UE Libre
(*) christophe.serra@unistra.fr
341
Intituls
CM
TD
Enseignants
TP
18
18
R. Muller
Gnie de la polymrisation
UE 2 - Rhologie et mise en uvre
Rhologie des fluides complexes
Technologies de mise en uvre des polymres
UE 3 - Physico-chimie
Physico-chimie des systmes aqueux
A. Hbraud
18
Y. Holl
Simulation numrique
18
G. Schlatter
Monographies
12
M. Bouquey
UE 4 - Physique
Proprits physiques et mcaniques surfaces polymres
Mcaniques et microstructure des polymres
UE 5 - Simulation numrique et monographies
UE 6 - Entreprenariat
UE 7 - Recherche documentaire / microprojet
UE 8 - Anglais
UE 9 - UE Libre
342
UE 3 - Physico-chimie
Physico-chimie des systmes aqueux
Les polymres sont largement utiliss dans les formulations aqueuses, et en particulier pour lencapsulation de mdicaments dans les cosmtiques et les produits pharmaceutiques. Le but de ce cours est de donner un aperu complet des
formulations polymres aqueuses.
Dans la premire partie, lauto-assemblage de tensioactifs polymres dans des solutions sera introduit. Nous allons galement tudier leur adsorption aux interfaces afin de comprendre leur rle dans la stabilisation de formulations biphasiques.
La deuxime partie prsente les diffrents types dmulsions. Aprs un rappel gnral sur la formulation des mulsions,
nous allons nous concentrer sur les proprits dmulsions concentres, mulsions Pickering et micro-mulsions. Les
proprits fondamentales des micromulsions seront dcrites : leur formation et leur stabilit, les caractristiques des
films de tensioactifs quelles comportent et leur diagramme de phase. Enfin, la dernire partie traite des diffrents systmes polymres utiliss pour encapsuler des molcules actives et les librer de manire contrle : mulsions doubles,
liposomes, coacervation complexe et nanoprcipitation par effet ouzo . Nous verrons leurs avantages et inconvnients
et des exemples dapplications dans les cosmtiques ou le domaine pharmaceutique.
Matriaux polymres en couches minces. Exemples des peintures et adhsifs
Acqurir une vision globale des matriaux polymres en couches minces travers leurs diffrents mcanismes de formation et leurs principales proprits et applications. tre confront des problmatiques plus spcialises quen deuxime
anne (rhologie des collodes, mcanismes de schage, mcanismes dadhsion) et rviser cette occasion divers
aspects fondamentaux de la physico-chimie des polymres et des collodes. Intgrer des concepts divers pour apprhender la complexit de la formulation des peintures et adhsifs.
1. Gnralits sur les matriaux polymres en couches minces
Gamme dpaisseur, principales applications et proprits, techniques de prparations.
2. Proprits rhologiques des collodes
2.1. Introduction
2.2. Effets de fraction volumique et dinteraction
2.3. Effets de taille et de forme des particules
2.4. Effet de la phase continue
3. Mcanismes de formation des films minces polymres
3.1. Gnralits
3.2. Films de latex versus films solutions
4. Mcanismes dadhsion
Ladhsion sur les plans pratiques et thoriques
5. Formulations des peintures
6. Formulation des adhsifs
7. Vision industrielle sur les revtements organiques (intervenant BASF)
UE 4 - Physique
Proprits physiques et mcaniques des surfaces de polymres
Physique des surfaces:
Mcanisme microscopique du frottement dans les matriaux polymres:
I. Rappels : lment de dynamique des polymres (modles de Rouse, modle de Zimm, reptation)
II. Friction une interface polymre-approche microscopique
1) Liquide polymre : coulement dun fondu sur une brosse. Cas dun fondu trs enchevtr, extrusion
2) Frottement dun lastomre sur une surface (Reiter, de Gennes, Adjari)
3) Frottement dun gel sur une surface (Reiter, Osada, application la biologie)
4) Notion de lubrification.
Relation Frottement/mcanique lors du contactsur surfaces de polymres vitreux. volution du frottement en fonction de
la pression de contact et de la recouvrance structurale.
Proprits mcaniques :
Proprits volumiques: dformation, plasticit et ruptures des polymres.
Proprits mcaniques des surfaces de polymres massifs et en couches minces : viscolasticit, viscoplasticit en
indentation et glissement/rayure et techniques de mesures associes. Solutions utilises pour rendre une surface moins
rayable. Endommagements types: fissure, caillage. Analyse mcanique de lessai JKR.
UE 5 Simulation numrique et monographies
Introduction (chelles de temps/longueur : lectrons-(macro-)molcules-objets msoscopiques-proprits macroscopiques ; approche multi-chelle : potentiel dinteraction raliste, semiempirique, simplifi).
Structure lectronique et proprits (Hartree-Fock, thorie de la fonctionnelle de la densit, applications).
Modlisation molculaire en physique de la matire condense (fondations thoriques, dynamique molculaire, mthode
de Monte Carlo, applications : Car-Parrinello, simulation des systmes polymres).
Description de la matire par la thorie des milieux continus (par ex. mthode des lments finis).
343
344
Enseignements
:
Codes
apoge
PY23LU41
Intituls
Stage
Coeff.
ECTS
10
30
Session de
rattrapage
(**)
Volume horaire
Stage
(**)
Enseignants
Y. Holl
(**) Le stage, dune dure de 5 mois au minimum, fait lobjet dun rapport final et dune prsentation orale devant un jury
constitu du responsable de lUE et dautres enseignants du master ou enseignants-chercheurs. Le rapport final compte
pour et la prsentation orale pour de la note du stage.
La session 2 consiste en une rvaluation du rapport et/ou de la prsentation orale selon les notes obtenues la 1re session. Une note suprieure ou gale 10/20 est reporte pour la 2e session.
(*) christophe.serra@unistra.fr
345
Scope:
The International Master of Polymer Science (IM-PolyS) aims at providing a comprehensive and interdisciplinary training
including chemical, physical and biological aspects of polymer and soft matter sciences.
Organisation description:
S1 (Strasbourg): Introduction to polymer and soft matter science, complemented by courses in physical chemistry
and/or physics
S2 (Freiburg): Advanced modules (courses and practicals) in polymer and soft matter science, also from industry,
complemented by elective courses from chemistry and/or physics
S3 la carte: Specialization through a broad list of elective courses offered in Strasbourg and Freiburg ; preparatory
work for the Master Thesis.
S4: Masters research internship (5 months minimum)
Application:
The applicants to the IMPolyS (M1) must hold a bachelor degree in chemistry, physics or engineering, or must be about
to get this degree. All sucessfull applicants have proficiency in English (B2 level), and will have to move between Freiburg
and Strasbourg during the master.
Job prospects:
Contacts with industry and early possibilities to specialize according to individual preferences will offer broad opportunities
for a career in the industry. This IM-PolyS is also supported by the Franco-German University (Universit Franco-Allemande / Deutsch-Franzisishe Hochschule) in the framework of its PhD-Track programme, so as it facilitates the entrance
to doctoral research and academia career.
346
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
Convocation
Session de
rattrapage
PY2HGU11
PY2HGM11
Polymer science
oui
Final written
exam (2h)
Oral exam
(30 min)
PY2HGM12
oui
Oral exam
(30 min)
PY2HGU21
UE 2 - Polymer characterization
PY2HGM21
Polymer characterization
oui
Oral exam
(30 min)
PY2HGU31
UE 3 - Chemistry of macromolecular
materials
PYHGM31
oui
Oral exam
(30 min)
PY2HGU41
UE 4 - Introduction to continuum
and materials mechanics
PY2HGM41
Continuum mechanics
oui
Oral exam
(30 min)
PY2HGM42
Materials mechanics
oui
Oral exam
(30 min)
PY2HGU51
PY2HGU61
UE 6 - Statistical physics _
Introductory course
PY2HGM61
PY2HGU71
UE 7 - Statistical Physics _
Advanced course
PY10GM1B
PY2HGU81
UE 8 - Quantum mechanics_
Introductory course
PY2HGM81
PY2HGU91
UE 9 - Quantum mechanics_
Advanced course
PY10GM1A
5
1
5
1
5
3
Continuous evaluation
including a personal
research project on an
intercultural topic and a
final oral examination
For session 2,
the work of the
semester is to
resume, improve,
complete and
present at an oral
interview
3
1
oui
Oral exam
(30 min)
oui
Oral exam
(30 min)
Oral exam
(30 min)
Oral exam
(30 min)
6
1
3
1
6
1
347
oui
Intituls
Enseignants
Lecture
Tutorial
Polymer science
20
10
Y. Holl
12
P. Hbraud
UE 2 - Polymer characterization
24
12
M.Brogly
22
12
N. Badi
Continuum Mechanics
12
J. Baschnagel
Materials Mechanics
10
V. Le Hourou
24
M. Leyendecker
18
10
35
35
18
10
35
35
Th. Charitat
J. Polonyi
348
UE 2 - Polymer characterization
The course provides an overview of polymer characterization test methods. The methods and instrumentations described represent modern analytical techniques commonly used by researchers, product development specialists, and
quality control experts in order to characterize molecular, compositional, rheological, and thermodynamic properties of
polymers, from thermoplastics to thermosets and elastomers. The following analytical techniques will be studied:
NMR and FTIR spectrometry for the determination of polymer chemical composition.
Size Exclusion Chromatography (SEC) and Rheological techniques for the determination of
polymer molecular weights, weight distributions and polydispersity.
Differential Scanning Calorimetry (DSC) and Thermo-Gravimetric Analysis (TGA) for the
determination of thermal transitions (glass transition temperature (Tg), melting temperature (Tf),
curing temperature ), associated endotherms or exotherms, degree of cristallinity and also
thermal stability.
Tensile, shear, flexural tests and Dynamical Mechanical Analysis (DMA) for the determination
of mechanical and time dependent properties.
Selected polymer characterization techniques (electronic and optical microscopies, X-ray
scattering).
The course also describes the significance of analytical data for the quantification of the interrelationship between
microstructure and macroscopic properties of polymers.
UE 3 - Chemistry of Macromolecular Materials
This course is focused on educating and training students about the different aspects of polymer chemistry. All major
synthetic methods are studied including: step growth polymerization, chain polymerization, coordination polymerization,
ring-opening polymerization, copolymerization, industrial techniques, supramolecular polymers etc.
Chain polymerization, anionic, cationic, classic and controlled radical polymerization techniques will be detailed studied.
A focus is placed on the relation-ship between synthetic technique and the control of structural properties of the formed
macromolecular material (molecular weight, molecular weight distribution, architecture, crystallinity etc.).
UE 4 - Introduction to Continuum and Materials Mechanics
Mechanics is complementary to chemistry and physics in material science. Actually, lifetime duration of a material is
directly governed by both its properties and the solicitations induced by the use. Then, this course is divided in two mail
parts: a) Fundamental Mechanics, and b) Material Mechanics.
The first part consists in introducing the fundamental concepts of continuum mechanics applied to fluids and deformable
solids: hydrodynamics (Euler, Bernoulli and Navier-Stockes equations, Couette and Poiseuille flows of Newtonian fluids,
non-Newtonian fluids) and elasticity of homogeneous solids (stress-strain relationship for uniaxial and multiaxial deformations).
The second part focuses on the description of mechanical behaviors of materials: elasticity, plasticity, viscoelasticity and
associated properties are introduced. Metals, Ceramics and Glasses, Polymers and Composites are catalogued in
the light of mechanical properties, forming and use in order to give an exhaustive overview in material choice perpectives.
UE 5 - Languages - French/German
French or German classes will be offered to the students. The choice between the two of them will be made by the student,
with the agreement of the responsible for the program. This choice will be made taking into account the language background of each student.
Students who speak neither French nor German will take necessarily French courses in this semester.
UE 6 - Statistical Physics - Introductory course
This teaching unit is a self-contained introduction to the basic concepts of statistical physics, illustrated by applications to
fluids and classical magnetism. The course is divided into four parts.
The first part introduces the canonical ensemble, the canonical partition function and measure, avoiding unnecessary
formalism and axiomatism, and taking a fluid of classical non interacting particles for illustrating the concepts.
A second part will unveil the specific way of reasoning associated to the statistical description of physical systems: fluctuating observables, statistical ensembles and connection with usual thermodynamic potentials. Isothermal-isobaric, grandcanonical ensembles and Langevin paramagnetism are presented at this stage.
The third part goes deeper into the application of statistical physics to real fluids, by introducing the concept of interaction
and correlation. Fluid pair correlation function and virial expansion are introduced, and the Ising model is presented.
The fourth and last part of the course aims at making contact with standard quantum mechanics, outlining how the canonical partition function can be built from a quantum hamiltonian. The Pauli principle is exposed and the determination of the
Fermi-Dirac average occupation function comes as a conclusion of this course.
UE 7 - Statistical Physics - Advanced course
This teaching unit is an advanced lecture on statistical physics at equilibrium, illustrated by applications to fluids and
classical magnetism. A prerequisite is a required introductory course in Statistical Physics. The course is divided into four
parts. The first part introduces the statistical entropy and revisit the different statistical ensemble in terms of entropy maximisation. The grand-canonical ensemble is also introduce in the same framework.
The second part of the course describe the statistical mechanic of quantum systems, introducing Bose-Einstein and FermiDirac distributions. The quantum statistics properties of ideal gas of both fermions and bosons are investigated in details.
349
The third part deals with the application of statistical physics to real fluids, by introducing the concept of interaction and
correlation. Fluid pair correlation function and virial expansion are presented in details. The case of plasmas and electrolyte is also treated.
The fourth part is devoted to phase transition. The main part deals with the mean-field approximation and its application
to the Ising model. Various concepts are discussed in details: order parameter, correlations, phase transition, critical point,
Landau theory.
UE 8 - Quantum Mechanics - Introductory course
Quantum mechanics is one of the most important achievements of the physics of the past century, which gave access to
the understanding of the physical processes at the atomic and molecular scales.
The aim of this course is to present an introduction to the quantum mechanics, to make the students familiar with the
original concepts and reasonings so peculiar to this domain.
In a first part, an introduction to the mathematical tools and notations will be given, and the postulates of the theory presented and discussed.
A second part will be dedicated to basic but fundamental examples (two-level systems, hydrogen atom, etc...), for which
exact calculations are tractable.
UE 9 - Quantum Mechanics - Advanced course
The course is intended to students already familiar with basics of quantum mechanics. The main chapters are:
Reminder of the principles of quantum mechanics.
Perturbation theory. Variational methods.
Symmetries and their representation, tensorial operators. Translations and rotations.
Spin degrees of freedom.
Addition of angular momentum. Spin-orbit coupling and atomic states.
Systems of non discernable particles and elements of second quantification.
350
Enseignements :
S2 (Freiburg): practical in polymer science, complemented by courses (chemistry, physics, engineering) pertaining to
polymer and soft matter systems
351
(*) v.lehouerou@unistra.fr
352
Enseignements
:
Codes
apogee
Intituls
Coeff.
ECTS
Session de
rattrapage
Module takes place in Freiburg and the University of Freiburg is in charge of examination
regulation. The grade conversion between german/french marks will be done by a french jury
6, 12
ou 18
Languages
Module takes place in Freiburg and the University of Freiburg is in charge of examination
regulation. The grade conversion between german /french marks will be done by a french jury
Continuous evaluation
including a personnal
research project on an
inter-cultural topic and
final oral examination
Biomaterials
PY2HKM1A
PY2CKM62
0.25
0.75
CP013MP1
Macromolecular engineering
CP013MP2
CP013MQ3
CP013MQ1
Biopolymers
CP013MP3
CP013MP5
CP013MQ5
Polymer processing
CP013MQ6
CP013MQ7
PY13KMJ3
PY13KM1B
PY13KMD3
PY13KMF3
PY13KMM3
Biophysics
PY13KMN3
353
(*) Une exception est envisageable et prononce par le responsable du master pour les tudiants ayant une connaissance
avre des deux langues : ils pourraient alors choisir une autre langue. La note correspondante se substituerait celle
du FLE / allemand considre dans la maquette du master.
Intituls
Lecture
25
30
Tutorial
Practical
Enseignants
45
18
F. Boulmedais
27
P. Mesini
24
L. Vonna
V. Le Hourou
Macromolecular engineering
18
J-F Lutz
18
R. Muller
Y. Holl
18
L. Averous
18
T. Heiser, N. Leclerc
12
A. Hebraud
18
C. Serra
18
L. Averous
27
J. Baschnagel
28
18
T. Charitat
18
P. Hbraud
Biophysics
18
M. Maaloum
28
J. Baschnagel
L. Averous
C. Marques
J. Combet
354
LANGUAGE COURSES
French or German classes will be offered to the students. The choice between the two of them will be made by the
student, with the agreement of the responsible for the program. This choice will be made taking into account the language
background of each student. Students who speak neither French nor German will take necessarily French courses in this
semester.
BIOMATERIALS
Biomaterials are devices that replace a part or a function of the body in a safe, economic and physiologically acceptable
manner. Synthetic or natural material in contact with tissue, blood and biological fluids, they are used for prosthetic, diagnostic, therapeutic and storage applications without affecting in adverse manner the living organism and its components.
The aim of this course is to provide a familiarity with the uses and rational basis for applications of materials in medicine.
An introduction will be given that present the different materials (metallic, ceramic and polymeric materials) used for the
development of biomaterials. Basis in biology will be addressed in particular cell culture, receptor adhesion and signaling
processes in cells, the cell response to biomaterials (cytotoxicity and inflammation) and the physical chemistry of biological
surfaces. Smart biomaterials in the field of drug delivery (liposomes, nanoparticles) and functionalization of biomaterials will be presented.Two examples taken for tissue engineering will be described: bone regeneration and blood vessel
reconstruction.
CHEMICAL STRUCTURE OF NATURAL POLYMERS
Structure of polysaccharides: chemical structure of sugars and the different O-glycosidic bonds, (regio and / anomeric).
Cellulose, starch, chitosan, dextran. Reactivity and modification of cellulose. Chemical basis of the polypeptide structure:
constitutive amino acids, peptidic bond, non-covalent interactions within peptides, conformation of the peptidic chain.
Secondary structures and structures, loops and hairpin loops. Some examples of tertiary domains. Examples of
fibrillar proteins: collagen, keratin. Some important soluble proteins: immunoglobulins, enzymes. Chemical basis of DNA
and RNA: nucleic bases, base complementarity, ribonucleosides, ribonucleotides, chemical structure of the single strand.
Geometry of the DNA double strand, minor and major grooves, introduction to topoisomeres.
PHYSICAL AND MECHANICAL PROPERTIES OF POLYMER SURFACES
Physics of polymer surfaces
This part is intended to introduce Surface Physics to students. This supposes discussing first different definitions or phenomena such as the surface tension/energy, the surface roughness, wetting or adhesion for example. This module will
introduce finally the relationship between the surface energy/roughness and its wetting properties, focusing on specific
behaviors such as superhydrophobicity or superoleophobicity.
Contact mechanics of polymer surfaces
Damage of bulk polymers are introduced and some reminders consist of fundamentals in mechanics of polymers (strain,
plasticity, viscous flow).
Thus, mechanical properties of surfaces of bulk and coated polymers are explored: viscoelasticity, viscoplasticity in indentation and sliding/scratching (+associated measures). The solutions in order to improve the scratch resistance of surfaces
are discussed. The cases of problems involving adhesion are considered: film/substrate adherence and adhesive contact).
Scientific approach of real research cases are discussed in two think tanks during the courses.
MACROMOLECULAR ENGINEERING
This course will describe advanced aspects of polymer synthesis. For about 20 years, the term macromolecular engineering was introduced to describe the synthesis of polymers with complex macromolecular structures. This implies
control of molecular parameters such as chain-length, molecular weight distribution, chain-ends (i.e. telechelic polymers),
microstructure (i.e. chain tacticity, sequences of comonomers), composition and topology. In the latter case, a large number of complex architectures (e.g. block and multiblock copolymers, graft copolymers, hyperbranched polymers, cyclic
and multicyclic macromolecules) have been reported during the last decades. The course will highlight the scientific relevance of these new engineered macromolecular structures but will also emphasize the synthetic methods allowing their
preparation. For instance, ionic polymerizations, ring-opening polymerization and step-growth polymerization will be discussed. Moreover, more recent approaches such as ring-opening metathesis polymerization (ROMP), nitroxide mediated
polymerization (NMP), atom transfer radical polymerization (ATRP) and reversible addition-fragmentation chain-transfer
polymerization (RAFT) will be presented in details. Post-polymerization modification approaches (e.g. azide-alkyne click
chemistry, use of activated esters) will be also presented.
RHEOLOGY OF COMPLEX FLUIDS
The constitutive equations of the Newtonian and generalized Newtonian fluids are first recalled and examples of stress
and strain rate fields in particular flow situations are given. The course itself includes a phenomenological part in which
objective differential viscoelastic constitutive equations based on the Jaumann and Oldroyd derivatives are introduced
and their main predictions in shear and elongational flows, like normal stress differences in shear and strain hardening in
elongation, derived. Based on the different strain measurements and the concept of damping function, integral constitutive
equations are introduced, in particular the so-called rubber-like liquid model, the Wagner and K-BKZ models.The second
part of the course is devoted to molecular aspects : the molecular origin of the stress tensor in a polymer solution is first
discussed, based on the elastic dumbell model. A survey of viscoelasticity of polymer solutions and melts as a function of
concentration and chain length is then given based on the Rouse and Doi-Edwards models. The course ends with a short
overview on suspension and emulsion rheology.
355
BIOPOLYMERS
Outline of the course. A-Biodegradable polymers, bio-based and sustainable polymers. Classifications and concepts. The market: an overview. Approaches the biodegradability. Biodegradability and Biofragmentability. Biodegradability, ecotoxicity and
phytotoxicity. Biodegradability duration. Measurement of Biodegradability. Agropolymers. Cellulose. Chitin-chitosan. Starch.
Lignins. Proteins. Biodegradable polyesters. PHA. PLA ...Biobased and non-biodegradable materials (sustainable). B-Biomaterials. Definitions. Classifications. Living tissue Material Relationships
POLYMER PROCESSING
A - Hollow parts (Bottle, trays ) : Extrusion Blow molding. Example: Bottles, ...Bottle blowing (biaxial). Example: PET
bottle.Thermoforming. Example: Yoghurt Pot. Rotational Molding.
B-Films : Film Blowing.Double Bubble Process. Flat die extrusion. Stenter Process. Multilayer. Co-extrusion. Deposits
barriers. Coating / Laminating.
C - Foam Systems : PES - Extrusion and molding, PU-Foam. PE-foam (extrusion-expansion)...
D-Sealing
E- Printing-Decoration of Plastics
F- materials / process relationships for plastic with high barrier
356
BIOPHYSICS
The lecture is divided into five sections:
I.Biological molecules : Phospholipids Membrane, Nucleic acids: DNA, RNA, Proteins : Structure and proteins folding
II.Biological polymers : Polymers: Physical properties of a single polymer chains; effect of polymers stiffness. Persistence length; ideal chain, Polymer chains under mechanical stretching,
III.Manipulation of single molecules : icro and Nano-manipulation techniques: Atomic force microscopy (AFM), optical
tweezers, magnetic tweezer, micropipette. Force measurements at piconewtons and nanometer scales. Force curves
and interactions between single molecules. Mechanical properties of DNA, RNA and proteins.
IV. Filaments du cytosquelette : Structure of filaments : actine filaments, microtubules. Dynamics of actine and microtubule filaments.
V.Molecular motors - Structure and function
357
Enseignements :
Codes
apoge
Intituls
Coeff.
ECTS
30
Convocation
Session de
rattrapage
(*)
(*) A 4-month minimum research internship will require a final report and an oral presentation in front of a jury constituted
by the responsible of the module and other masters teaching staff. The final report will count for half of the research
internships grade and the oral presentation for the other half.
The 2nd session examination will consist in a reevaluation of the report and/or oral presentation, according to the grade
obtained in 1st session.
A grade superior or equal to 10/20 is reported to 2nd session.
358
Les enseignants de la Facult de physique & ingnierie participent activement aux enseignements dans deux licences de
champ disciplinaire trs proche.
Ces deux licences sont prsentes de manire trs synthtique dans le livretpdagogique. Pour de plus amples informations, vous pouvez vous rendre sur les sites indiqus ci-dessous ou vous renseigner auprs des scolarits.
Licence Sciences et technologie mention Mathmatiques parcours Mathmatiques et physique approfondies (MPA)
Responsables:Gianluca PACIENZA (*) et Marianne DUFOUR
En premire anne (L1) : via le portail Admission Post Bac (APB). Les tudiants sont slectionns aprs examen
du dossier, dans la limite de 40 places.
En deuxime anne (L2) : en dposant un dossier aprs une 1re anne de CPGE ou de licence brillamment russie, via la plateforme de candidature en ligne Aria : https://aria.u-strasbg.fr
Grandes coles dingnieurs (concours par voie universitaire ou admission sur dossier dans les coles ayant un
partenariat avec MPA).
Magistre de Physique ou de Mathmatiques.
Licence de Physique ou Mathmatiques.
Des passerelles entre le parcours MPA et les autres licences sont prvues la fin de chaque semestre. Elles offrent
ltudiant diverses possibilits dvolution de son parcours.
Contacts:
UFR Mathmatique et dInformatique
7 rue Ren Descartes
67000 Strasbourg
03 68 85 01 23
mathinfo-scol@unistra.fr
http://mpa.unistra.fr
(*) gianluca.pacienza@math.unistra.fr
359
Objectifs:
Cette formation pluridisciplinaire est centre sur linterface entre la physique et la chimie et sappuie sur une formation
en mathmatiques et en informatique destine permettre lacquisition de nouveaux concepts, mthodes et outils pour
apprhender les sciences de la matire, au niveau universitaire.
Les deux premires annes sont communes (L1 et L2) et la troisime anne (L3) propose deux parcours distincts :
Parcours sciences de la matirepour les tudiants dsirant poursuivre en master, ou prparer les concours
CAPES ou Agrgation.
Parcours professorat des colespour les tudiants dsirant prparer le concours de professeur des coles.
Cette licence a pour vocation de doter de comptences disciplinaires solides en physique et en chimie, des tudiants ne
souhaitant pas se spcialiser avant le niveau master.
Elle constituera donc une formation particulirement bien adapte aux tudiants souhaitant se diriger vers des masters
interdisciplinaires ou vers des masters professionnaliss dans le domaine des sciences de la matire, de lenvironnement,
de lanalyse et des matriaux.
Elle est galement parfaitement adapte aux futurs professeurs des collges et des lyces en sciences physiques et aux
futurs professeurs des coles.
Accs et recrutement:
Poursuites dtudes:
Master s sciences (recherche et professionnel) :
Chimie
Physique
Matriaux
Environnement
Autres dbouchs :
Accs en premire ou deuxime anne dcole dingnieur
ESPE prparation au concours de professorat des coles
ESPE prparation au concours du CAPES
Master I physique pour la prparation au concours de lagrgation sciences physiques option physique
Master I chimie pour la prparation au concours de lagrgation sciences physiques option chimie
Contact:
Facult de chimie
1 rue Blaise Pascal
67000 Strasbourg
03 68 85 16 01
chimie-scolarite@unistra.fr
chimie.unistra.fr/formations/licences/licence-de-physique-chimie
Modalits dvaluation des connaissances et des comptences des 2 UE de physique en L1 Sciences de la vie
Responsable: Mounir MAALOUM
Semestre 1 :
Intituls
Coeff.
BIOPHYSIQUE
ECTS
Convocation
Session de rattrapage
BIOPHYSIQUE COURS
et TD
0.75
0.75
oui
oui
1h
BIOPHYSIQUE TP
1.5
non
1h
crit 1h30
Si des reports de notes obtenues pendant le
semestre sont envisags, prciser les modalits de ces reports :
- les tudiants redoublants, nayant pas valid
lUE en 2015-2016 et ayant obtenu une note
de TP suprieure 12/20 pendant lanne
acadmique 2015-2016, pourront demander
le report de cette note pour lanne 20162017 auprs de lenseignant responsable de
lUE. Ce report ne pourra se faire que pour
lanne 2016-2017, pas pour les annes
suivantes.
- Les tudiants ayant obtenu une note suprieure ou gale 10/20 la premire session
verront cette note reporte avec un coefficient
de 1,5 pour le calcul de la note de lUE la
session de rattrapage.
Au cas o la note de TP en S2 est infrieure
10/20 elle ne sera pas reporte et la note de
lUE sera calcule uniquement sur lpreuve
de rattrapage sus-mentionne.
Objectifs pdagogiques de lvaluaton : Acqurir une formation pluridisciplinaire de base solide en physique et aux
interfaces Physique-Biologie.
Semestre 2 :
Intituls
Coeff.
Champs et interactions
pour le Vivant
ECTS
Convocation
Session de rattrapage
crit 1h30
PHYSIQUE COURS et TD
0.75
0.75
oui
oui
1h
PHYSIQUE TP
1.5
non
1h
Objectifs pdagogiques de lvaluaton : Acqurir une formation pluridisciplinaire de base solide en physique et aux
interfaces Physique-Biologie.
361
Analyse et valorisation du travail : mthodologie de travail, aspect ressources humaines du stage, fonctions
adjacentes au bon droulement du stage, aspects conomiques du stage, intgration de son travail dans la stratgie
dentreprise, valorisation de ses connaissances acquises luniversit, utilisation de cette exprience professionnelle en vue dune insertion professionnelle, valorisation des comptences mises en uvre sur le terrain, savoir
tre, gestion des difficults et des imprvus
Publication : Il est galement demand l'tudiant de raliser un rsum de stage publiable synthtisant le stage
ou valorisant une squence du travail effectu en entreprise ou un poster rsumant le stage.
Encadrement du stage:
La logistique de la gestion des stages
Elle repose sur des fonctions identifies: responsable, administration, tuteurs et matres de stage (valable pour les stages
de licence professionnelle et de master).
362
363
Le concept:
La Facult de physique & ingnierie dispose des instruments ncessaires lvaluation de sa mission denseignement.
Cette observation est indispensable la prise en compte de lvolution de la formation dispense. Les fluctuations de
lenvironnement (institutionnel, conomique, scientifique et technologique) ont un impact dont il importe de tenir compte
afin dajuster les formations aux besoins du march de lemploi (au sens large, y compris la recherche et lenseignement)
vers lequel se dirigent ses diplms.
Cr au cours de lanne universitaire 1999-2000, lObservatoire de la Facult a donc pour vocation la production de
donnes utiles la dcision, renseignements qui concernent essentiellement: les flux entre/sortie et les destinations
professionnelles, la formation ainsi que les stages.
Ses champs d'activit portent sur:
1. Les flux entre/sortie
Lobservation des flux pose et tente de rpondre essentiellement trois questions quant lorigine des tudiants (do
viennent-ils ?), leur destination ultrieure (o vont-ils lissue de leur formation la Facult de physique et ingnierie et
leur gestion de carrire que deviennent-ils professionnellement ?).
Lorigine des tudiants de la Facult de physique et ingnierie
La provenance des tudiants est elle-mme segmente en trois sous-ensembles: les origines gographiques (bassins
de recrutement), les origines scolaires et universitaires (profils et trajectoires) et les caractristiques dmographiques de
rfrence (ge, sexe, nationalit).
Les destinations leur sortie de la Facult de physique et ingnierie
Les chemins emprunts par les tudiants la fin de leur cursus la Facult de physique et ingnierie sont consigns,
selon quils poursuivent leurs tudes dans dautres structures de formation (universitaires ou non), choisissent linsertion
en entreprise, ou se trouvent dpourvus dactivit rmunre.
Trajectoire professionnelle et gestion de carrire
La trajectoire des anciens tudiants de la Facult de physique et ingnierie est observe selon les rubriques suivantes :
les branches et secteurs dactivit, la taille des entreprises, la cration ventuelle dune entreprise, linactivit (chmage)
et lvolution des rmunrations (salaires et revenus lentre, 1 an, 2ans).
2. Observation des formations
Cette observation porte spcifiquement sur trois axes distincts, qui sont: les fluctuations et lvolution des effectifs dune
anne lautre (en distinguant particulirement les recrutements en licence (L3) et les entres en master), lvolution des
taux de russite, et limpact de la formation sur lorientation lissue des cycles licence et master, mais aussi sur linsertion
professionnelle.
3. Observation des stages
Cette tude prte attention dune part aux types dentreprises (secteurs, branches, tailles, statuts juridiques) et de
stages (thmatiques et volution), lvaluation des stages par les entreprises et les tudiants et limpact des stages sur
la formation, sur le recrutement et sur lemploi dautre part.
364
366
La plateforme STnano (projet conjoint CNRS-Unistra) consiste en une salle blanche de 180 m2 qui dispose despaces
de travail de classe 100 dans un environnement de classe 1000. Elle est complte par deux laboratoires ddis la
lithographie par faisceau dlectrons et dions. Cet ensemble dappareils de technologie de pointe permet de raliser des
objets pouvant atteindre jusqu des tailles minimum de quelques dizaines de nanomtres!
Les salles blanches sont utilises la fois dans le monde industriel et le monde de la recherche ds lors que les objets
tudis ou leur processus de fabrication sont trs sensibles aux contaminations environnementales (poussire, humidit,
certaines frquence du spectre lumineux, etc..). On les retrouve donc dans les laboratoires de physique des matriaux, de
nanotechnologies, mais aussi dans les industries de microlectronique, de biotechnologies ou encore dans la construction
d'engins spatiaux, la construction d'optique ou de micro-mcanismes, et les blocs opratoires des hpitaux.
Les TPs de salle blanche que nous proposons ont pour vocation la familiarisation des tudiants aux diffrentes mthodes
de fabrication pour les nanotechnologies, utilises tant au niveau industriel que dans les laboratoires de recherche publique. Les tudiants, accompagns par lenseignant, mettront en uvre un procd complet de fabrication dun chantillon typique de nanolectronique. Ils raliseront enfin galement sa caractrisation de surface et de ses proprits
lectriques.
A la fin de cette formation, les tudiants auront t initis aux techniques de lithographie optique, de dveloppement, de
dpt de couche mtallique, de lift off, ainsi quaux techniques de profilomtrie et caractrisation rsistive sous pointe.
www.ipcms.unistra.fr/?page_id=2317
LUniversit de Strasbourg est un des douze membres du GIP-CNFM (Groupement dIntrt Public de la Coordination
Nationale pour la Formation en Microlectronique et nanotechnologie) et gre ce titre le ple CNFM-MIGREST (Microlectronique Grand EST). Les tudiants de la Facult bnficient ainsi des moyens offerts par la plateforme CAO du
CNFM-MIGREST.
Cette plateforme met disposition douze stations de travail quipes des dernires versions de logiciels de conception
utiliss dans lindustrie de la microlectronique. En particulier, les tudiants ont accs la suite logicielle Cadence pour
la conception de circuits intgrs mixtes, configure avec une technologie CMOS industrielle. Ils ont aussi accs aux
logiciels SILVACO et ATLAS pour la simulation des technologies et au logiciel COVENTOR pour la conception de
MEMS (Micro Electro-Mechanical Systems).
Outre ces moyens de CAO microlectronique, le CNFM-MIGREST met aussi disposition des tudiants des kits de dveloppement pour circuits programmables (FPGA ALTERA et XILINX ).
Chaque anne, les licences sont mises jour pour bnficier des dernires versions de logiciels permettant aux tudiants
dtre pleinement oprationnels ds leur arrive sur le march du travail.
http://icube.unistra.frpole-migrest
367
Entreprises, collectivits locales, organisations qui les reprsentent ou les assistent (la CCI, l'ARI, certains OPCA) apportent
leur concours et soutiennent, des degrs divers, nos efforts de formation. Ils fournissent nos tudiants un environnement
et un encadrement adquat pour leurs stages (en licences et en masters), mais aussi pour leurs projets et leur recherche. Des
ingnieurs et cadres dentreprises contribuent nos formations, par lenseignement quils dispensent, quils proposent ou expertisent, par les confrences quils donnent, les sminaires auxquels ils participent, les visites dentreprises quils organisent.
VAE, formation continue, contrats d'apprentissage, conseil de perfectionnement font aussi partie des espaces de collaboration
et de concertation o se retrouvent universitaires et professionnels pour concevoir et raliser une formation de qualit, adapte
lvolution scientifique, technologique, conomique et sociale.
Certaines de ces entreprises nous accompagnent dans nos changes internationaux (cest le cas notamment de TEI, de CEAI,
de OTE, de lENMTP ou de Wrigley), en finanant certaines oprations ou en accueillant des stagiaires venus duniversits
trangres, dans le cadre dune coopration croise, impliquant de manire concerte universits et entreprises.
Beaucoup dentre elles enfin, ainsi assures de la qualit de nos formations, recrutent nos tudiants lissue de leurs tudes.
A
ADOCIA (Lyon)
Aemo Automation Engineering (Sausheim)
AERIAL (Illkirch)
AJILON Engineering (Schiltigheim)
ALSAPAN (Dingsheim)
Andra (Soulaisnes dHuys)
Alara Solutions (Strasbourg)
Alcan Packaging (Slestat)
Alcan RHENALU (Biesheim)
ALCOA (Guebwiller)
ALDES AERAULIQUE (Strasbourg)
ALPACI (Bouxwiller)
ALTRICS (Rosheim)
ANCEL, DR OETKER (Strasbourg)
ANDALFRANCE (Sarreguemines)
APM - Alsacienne des Ptes Mnagres (Hoerdt)
AQUAPULSE (Duttlenheim)
ARCELOR MITTAL MAISIERES RESEARCH SA (Maizires-ls-Metz)
ARCELOR MITTAL GLOBAL R&D (Montataire)
ARKEMA (Saint-Avold)
AREVA (Paris)
AREVA (La Hague)
ARJOWIGGINS (Arches)
ASN (Strasbourg)
ASTEEL ELECTRONIQUE EST (Duttlenheim)
Assystem (Grenoble)
AstraZeneca (Mlndal, Sude)
ATA - Automatismes et Technologies Associes (Strasbourg)
AUTOLIV ELECTRONICS (Clergy St Christophe)
AUTOMOTIVE LIGHTING REUTLINGEN GmbH (Reutlinger, Allemagne)
B
Badische Stahl - Engineering (Kehl-Auenheim, Allemagne)
BAKEMARK INGREDIENTS France (Bischheim)
BASF (Ludwigshafen, Allemagne)
Bayer MaterialScience AG (Leverkusen, Allemagne)
BEHR FRANCE (Rouffach)
BEI Ideacode (Schiltigheim)
BILDSCHEER / CITEOS (Hoenheim)
BIO-RAD (Schiltigheim)
BONGARD SAS (Holtzheim)
BOSCH REXROTH FLUIDTECH SAS (Bonneville)
Bouygues (Caluire et Cuire)
BRUKER BIOSPIN (Wissembourg)
BURKERT & CIE (Triembach Au Val)
BUSINESS & DECISION HEADQUARTERS (Paris)
368
C
Canberra (Lingolsheim)
CAPITOL EUROPE SA (Niederbronn les Bains)
CAPSUGEL (Colmar)
CEBTP Alsace (Strasbourg)
CEDAM (Obernai)
CEDETI (Hoerdt)
C.E.E.R.ISA (Saulxures / Moselotte)
CEFIO (Strasbourg)
CEMAGREF (Lyon)
CEREC INGENIERIE (Wolfisheim)
CINTECH (Hoenheim)
Cinetic Automation
City-Lum (Duttlenheim)
Clemessy SA (Mulhouse)
CLESTRA HAUSERMAN (Strasbourg)
CMO OBERNAI
COLIN PALC (Mittelhausen)
COMESSA SA (Strasbourg)
COMMUNAUTE URBAINE DE STRASBOURG (Strasbourg)
Compagnie Rhnane de Raffinerie (Mundolsheim)
Confoelec (Lutterbach)
CONSEIL GENERAL DU BAS-RHIN (Strasbourg)
COSTRAL SA (Riquewihr)
CONTINENTAL AUTOMOTIVE SAS (Foix)
CYBIO France SARL (Savigny le temple)
CRISTAL UNION (Erstein)
D
Daimler Chrysler AG (Wrth, Allemagne)
DARAMIC SAS (Slestat)
Dassault Systmes
DATA MAILING (Geispolsheim)
DE DIETRICH (ZINSWILLER)
DE DIETRICH THERMIQUE (Mertzwiller)
DE DIETRICH THERMIQUE (Niederbronn-les-Bains)
DELPHI AUTOMATIVE SYSTEMS (Luxembourg)
DELPHI MECHATRONIC SYSTEM (Illkirch)
Delphi (Illkirch)
Depalor (Phalsbourg)
DHJ INTERNATIONAL (Slestat)
DIROY (Bouxwiller)
DORIS ENGINEERING (Paris)
DOW AGROSCIENCES (Lauterbourg)
DR. OETKER FRANCE (Schirmeck)
DuPont de Nemours (Contern, Luxembourg)
E
EBERLE SAS (Reichstett)
EBERSPCHER GmbH & Co KG (Neunkirchen, Allemagne)
ECOTECH (Plobsheim)
EDF R&D (Moret sur Loing)
EDF CEIDRE (Chinon)
EDF-CNPE de Cattenom
EDF-CNPE de Chinon (Avoine)
EDF-CNPE de Chooz (Givet)
EDF-CNPE de Dampierre (Ouzouer-sur-Loire)
EDF-CNPE de Fessenheim
EDF-CNPE de Nogent
EDF-CNPE de St-Alban (St Maurice lexil)
EDF-CNPE du Blayais (Braud)
EDF-CNPE du Tricastin (St Paul 3 chteaux)
EDF UTO (Noisy le Grand)
EEPI - Robotique Europenne d'Engineering (Wasselonne)
EIFFAGE THERMIE EST (Pulnoy)
EIFFEL (Colombres)
ELECTRICITE DE STRASBOURG (Strasbourg)
ELIS ALSACE (Strasbourg)
EIMI Alsace (Strasbourg)
EMFI (Haguenau)
EMAIREL SA (Bischwiller)
ENMTP (Constantine, Algrie)
369
F-G
FAGORBRANDT SAS (St Jean de la Ruelle)
FAURECIA INTERIOR SYSTEMS (Hagenbach, Allemagne)
FAURECIA SIELEST (Pulversheim)
FAURECIA SYSTEMES (Valentigney)
FELS CONSTRUCTIONS lectriqueS (Illkirch)
FERCO INTERNATIONAL (Rding)
Fiber & Polymer (Stockholm, Sude)
F-LAQUE (Rhinau)
FLENDER (Illkirch-Graffenstaden)
FLEXTAINER (Schalbach)
Fluid Automation Systems Technologies SA (Palezieux Gare)
FWB (Pirmasens, Allemagne)
GAGGENAU Industrie (Lipsheim)
GE ENERGY PRODUCTS SNC (Belfort)
GEEPE (Belfort)
General Electric
GENERAL MOTORS (Strasbourg)
GEORGIA PACIFIC (Kunheim)
GRAF DISTRIBUTION SARL (Dachstein Gare)
GUILLET S.A. (Molsheim)
GUNTHER TOOLS (Soultz-sous-Fort)
GURTNER SA (Pontarlier)
H
HAEMMERLIN SA (Monswiller)
HAGER CONTROLS (Saverne)
HAGER ELECTRO (Obernai)
HEBECO PLASTIC (Colmar)
HERRENKNECHT AG (Schwanau, Allemagne)
HES ENERGIE (Dinsheim)
HENKEL AG & Co. KGaA (Hambourg, Allemagne)
Hispano Mecano Electrica (Barcelone, Espagne)
HOPITAL SAINTE CATHERINE (Saverne)
HUSSOR S.A.S. (Lapoutroie)
HUTCHINSON SNC (Persan)
I-J
ID LUMIERE (Chtenois)
IMPREGLON FRANCE (Pulversheim)
INA France SAS (Haguenau)
INEO RESEAUX CENTRE (St Germain du Puy)
INGEROP (Oberhausbergen)
Innovation in Design (Strasbourg)
INTIC (Strasbourg)
REPA LASER (Illkirch)
ISRI France (Merkwiller-Pechelbronn)
ITERG - Dpartement Analyse (Pessac)
JACOB HOLM INDUSTRIES SAS (Soultz)
JIAWEI EUROPE SAS (Wasselonne)
JOHN DEERE WERKE MANNHEIM (Mannheim, Allemagne)
JOHNSON CONTROLS (Strasbourg)
K-L
KNAUF FIBRE SAS (La Cote)
KORAMIC TUILES SAS (Bouxwiller)
KRAFT FOODS STRASBOURG (Strasbourg)
KS CONSTRUCTION (Bischheim)
KUHN SA (Saverne)
L&L PRODUCTS EUROPE (Molsheim)
LABONAL (Dambach la ville)
LA CASE AUX EPICES (Hochfelden)
LAGOONA (Schiltigheim)
LARISYS INDUSTRIES (Vill)
LAIGANG STEEL GROUP (Chine)
LALIQUE (Wingen sur Moder)
LEGRAND (Limoges)
LEUCO PRODUCTION (Beinheim)
370
M-N
MACK RIDES GmbH & Co KG (Waldkirch, Allemagne)
MAGNA COSMA EUROPE (Henriville)
MARK IV SYSTEMES MOTEURS (Orbey)
MARQUARDT GmbH (Rietheim Weilheim, Allemagne)
MARS CHOCOLAT France (Haguenau)
MASTERFOODS (Haguenau)
MATERIA NOVA (Mons, Belgique)
MATERIA NOVA (Ghislenghien, Belgique)
MECANOB SA (Oberhoffen sur Moder)
MECAPLAST (Ostwald)
MECAPROBE / TECHSOFT (Puteaux la Dfense)
MECASEM MESURES (Ostwald)
MECATHERM SA (Schirmeck)
MERCEDES BENZ (Molsheim)
MERCK GROUP (Molsheim)
MESSIER SERVICES (Molsheim)
MESSIER BUGATTI (Molsheim)
METAL FORMING CENTER (Rosheim)
MFP Michelin (Bangkok, Thailande)
MGP MIRION Technologies (Lamanon)
MH Ingnierie (Oberhausbergen)
MICHELIN (Clermont-ferrand)
MINITEC France (Sarreguemines)
NEOLOGIKS (Oberhergheim)
NESTLE WATERS (Vergeze)
NESTLE WATERSSupply (Vittel)
NOVARTIS (Ble, Suisse)
NOVARTIS PHARMA SAS (Huningue)
O
OCTAPHARMA S.A.S (Lingolsheim)
OMEGA ELECTRICITE (Hoenheim)
OERLIKOW SPACE AG (Zrich, Suisse)
OREST, SOCIETE NOUVELLE (Erstein)
ORIL INDUSTRIE (Bolbec)
OSBORN INTERNATIONAL SRL (Roumanie)
Osram (Molsheim)
OTE Ingnierie (Illkirch)
OUTILTEC (Soufflenheim)
OYAK-Renault (Bursa, Turquie)
P
Papeteries de Champagne, Les (Nogent sur Seine)
PARKEON (Besanon )
PARLEMENT EUROPEEN (Strasbourg)
PAUL HARTMANN (Lipvre)
PERINFO (Strasbourg)
PHARMASTER (Erstein)
Phosylab SAS (Strasbourg)
PPG Packaging Coatings (Bodelshausen, Allemagne)
PROFIL ALSACE (Niederlauterbach)
Project Managing R&D (Dossenheim / Zinsel)
PROSENSOR (Amanvillers)
Protirs (Strasbourg)
PSA PEUGEOT CITRON (Mulhouse)
PTC NESTLE (Lisieux)
R
R&D PROJECT MANAGING (Dossenheim sur Zinsel)
RAPID STAPLES (Lutzelbourg)
RMT (Kehl, Allemagne)
ROHL SA (Krafft)
ROHM AND HAAS (Lauterbourg)
ROSHEIM INDUSTRIES (Rosheim)
371
S
SAIT MINING SAS (Saverne)
SALM SAS (Lipvre)
SANOFI-AVENTIS (Strasbourg)
SAREL SAS (Sarre-Union)
SCA PACKAGING (Illkirch)
SCHROFF (Betschdorf)
SCHAAL (Illkirch)
Schaal chocolaterie (Geispolsheim)
SCHAEFFLER France (Haguenau)
SCHILLER MEDICAL (Wissembourg)
SCHLUMBERGER FONDERIE (Guebwiller)
SECMAIR (Cosse-Le-Vivien)
SECO-EPB (Bouxwiller)
SECOME SA & ADECUT (Benfeld)
Scurit Automatisme (Altkirch)
SEGULA TECHNOLOGIES (Rueil Malmaison)
SELMONI SECURITE AUTOMATISME (Altkirch)
SEPPIC (Castres)
SEPTODONT (Saint Maure des Fosss)
SERMES (Strasbourg)
SEW USOCOME (Haguenau)
SIDEL "Conveying & Cap Feeding (Reichstett)
SIEMENS SAS (Haguenau)
SIF France (Schirmeck)
SILEC CABLE (Montreau Fault Yonne)
SITA
SMART FRANCE SAS (Hambach)
SNCF (Strasbourg)
SNCF Eimm (Bischheim)
SNECMA - Groupe SAFRAN (Evry)
SOCOMEC (Benfeld)
SOCOMEC SICON UPS (Huttenheim)
SOGECA (Herrlisheim)
Sogest (Vieux Thann)
SOGETI HIGH TECH (Issy-les-Moulineaux)
SOLU-TECH (Illkirch)
SOLVAY (St-Fons)
SOLVAY-Rhodia (Bristol, USA)
SOMETA (Sarre-Union)
SOMEX SAS (Ensisheim)
SONATRACH (Algrie)
SOPREMA Service R&D (Strasbourg)
SOPROREAL (Aulnay-sous-bois)
SONY France (Ribeauvill)
SOVEC (Geispolsheim)
SPIE EST (Illkirch)
STACCO SAS (Wasselonne)
STEELCASE (Marlenheim)
STEELCASE SA (Schirmeck)
ST MICROELECTRONICS (Crolles)
STOCKO CONTACT (Barr)
STRACEL (Strasbourg)
SUPRA SA(Obernai)
T- U
TARKETT R&D center (Luxembourg)
TATA TECHNOLOGIES (Schiltigheim)
TECHLAM (Cernay)
TECHLASE (Slestat)
TECHNIQUE SPORT DESIGN (Phalsbourg)
TECHNIVERRE INDUSTRIES (Duttlenheim)
TECHNOLOGY STRATEGY (Strasbourg)
TEMAUKEL (Mulhouse)
TEI (Griesheim)
THURMELEC (Pulversheim)
TOYOTA Motor Manufacturing (Onnaing)
Triumph International SA (Obernai)
TRUMPF MACHINES SARL (Haguenau)
TRYBA SOLAR SARL (Mertzwiller)
TRW (Schirmeck)
UGINE ALZ (Isbergues)
372
V-W
VALBLOR IMPRIMERIE (Illkirch)
VALEO DAV (Annemasse)
VALEO SYSTMES LECTRIQUES (Angers)
Valeo clairage Signalisation (Meslin l'Evque, Belgique)
VARICOR (Wisches)
VILLEROY 1 BOCH AG Sanitrfabrick (Mettlach, Allemagne)
VIRAX SAS (Epernay)
VISTEON SYSTEMES INTERIEUS (Rougegoutte)
VIWAMETAL (Ostwald)
VOSSLOH COGIFER (Reichshoffen)
WIMETAL SA (Wissembourg)
WIENERBERGER S.A.S (Achenheim)
WRIGLEY France S.N.C. (Biesheim)
WRTH (Erstein)
Laboratoires, universits et coles
Analytical REACH Coordination Muttenz
California Institute of Technologie (CalTech) (Pasadena, Californie, USA)
Centre dAnalyses et de Recherches (Illkirch-Graffenstaden)
CETIM-CERMAT (Mulhouse)
Cis bio International (Gif-sur-Yvette)
Clariant Analytical Services Muttenz
Clariant Products (Switzerland)
Colorado School of mines (USA)
CRITT Matriaux Alsace (Strasbourg)
Dpartement de Photochimie Gnrale (UMR 7525 CNRS-UHA)
cole des applications militaires de lnergie atomique (Cherbourg)
cole des mines de Nantes (Nantes)
Grand acclrateur national dions lourds (GANIL) (Caen)
Groupe de REcherche en Matriaux, Microlectronique, Acoustique et Nanotechnologie (GREMAN-Universit de Tours)
Institut automatisur de la division dAnhui (Chine)
Institut Charles Sadron (ICS) - UPR 22 CNRS
Institut de Chimie des Surfaces et Interfaces ICSI (UPR 9069 CNRS)
Institut de Chimie Esplanade (UMR 7177 CNRS-Unistra)
Institut de chimie et procds pour lnergie, lenvironnement et la sant (ICPEES) (UMR 751 CNRS-Unistra)
Institut de Chimie Molculaire de Reims
Institut de Pharmacologie Molculaire et Cellulaire (IPMC) (Valbonne)
Institut de Physique Biologique (IPB) (Strasbourg)
Institut de Physique et Chimie des Matriaux de Strasbourg (IPCMS) (UMR 7504 CNRS-Unistra)
Institut de physique nuclaire de Lyon
Institut de Recherche contre les Cancers de lAppareil Digestif (IRCAD) (Strasbourg)
Institut de Science des Matriaux de Mulhouse (IS2M) (LRC 7228)
Institut de Science et dIngnierie Supramolculaires (ISIS) (UMR 7006 Unistra - CNRS)
Institut de technologie de Karlsruhe (Allemagne)
Institute for transuranium Elements (ITU) (Karlsruhe, Allemagne)
Institut Laue Langevin (Grenoble)
Institut of high energy physics (Beijing, Chine)
Institut Pluridisciplinaire Hubert Curien (IPHC) (UMR 7178 CNRS-IN2P3-INC-INEE-Unistra)
KTH Royal Institute of Technology - School of Chemical Science and Engineering (Stockholm, Sude)
Laboratoire Atmosphres, Milieux, Observations Spatiales (LATMOS) Saint-Maur
Laboratoire dessais et danalyses industrielles
Laboratoire dEtudes Spatiales et dInstrumentation en Astrophysique (LESIA)
Laboratoire dIngnierie des Surfaces de Strasbourg (LISS, LGECO, INSA Strasbourg)
Laboratoire de Biologie Chimique ISIS (UMR 7006 CNRS-Unistra)
Laboratoire de Chimie Organique et Bioorganique - (UMR 7015 CNRS-UHA)
Laboratoire de Physique et de Cosmologie (LPSC) (Grenoble)
Laboratoire de Physique et de Spectroscopie lectronique (LPSE) (UMR 7014 CNRS-UHA)
Laboratoire des Composites ThermoStructuraux (LCTS) (Pessac)
Laboratoire des Matriaux Porosit Contrle (LMPC) (UMR 7016 CNRS-UHA)
Laboratoire des Matriaux, Surfaces et Procds pour la Catalyse (LMSPC-ECPM) (Strasbourg)
Laboratoire des sciences de lingnieur, de linformatique et de limagerie (ICube) (Strasbourg)
Laboratoire Leprince-Ringuet - Ecole polytechnique (Palaiseau)
Laboratoires Pharmaster (Erstein)
Laboratoire RMN de la biophysique des membranes (UMR 7177) (Strasbourg)
Laboratoires SERVIER Oril Industrie Bolbec
Northwestern University
Physikalisches Institut Of technology (KARLSRUHE, Allemagne)
Tectonique molculaire du solide (UMR 7140)
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Espace avenir
Espace avenir
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