Notions de Compatibilit

Electro Magntique
(CEM)

(Conformit Europenne)

Jean Louis Boizard

Matre de confrences, IUFM Midi Pyrnes- Toulouse II

Notions_cem_v1.2

1
 Sommaire

1) Introduction 4
1.1) Prambule 4
1.2) Un peu dhistoire 4
1.3) Les directives 89/336/CEE et 2004/108/CEE 5
1.3.1) La directive CEM : Exigences 5
1.3.2) Vocabulaire spcifique la directive CEM 5
1.3.3) Directive CEM : Domaines dexclusion 6
1.3.4) Directive CEM : la dclaration de conformit 6
1.3.5) Directive CEM : le marquage CE 7
1.4) Lois gnrales, units et outils mathmatiques utiliss en CEM 7
1.4.1) Loi de Biot et Savart 7
1.4.2) Loi de Faraday/ Loi de Lenz 8
1.4.3) Loi dAmpre 8
1.4.4) Thorme de Gauss 9
1.4.5) Les quations de Maxwell 9
1.4.6) Quelques rappels sur les ondes lectromagntiques 10
1.4.7) La transforme de Fourier 13
1.4.8) Les units utilises en CEM 14
2) Gnralits 14
2.1) Emissivit et immunit 14
2.2) Les perturbations 15
2.2.1) Gnralits et classification 16
2.2.2) Exemples de perturbations lectro magntiques 17
3) Les modes de couplage et leurs solutions 20
3.1) Couplages en mode conduit 21
3.1.1) Mode commun ou par impdance commune 21
3.1.2) Mode diffrentiel 22
3.1.3) Cas des alimentations secteur 22
3.1.4) Couplage carte chssis 23
3.2) Couplages par rayonnement 24
3.2.1) Couplages en champ proche 24
3.2.2) Couplage en champ lointain 29
4) Les moyens dessai 31
4.1) Les chambres anchoques 32
4.2) Les cages de Faraday 32
4.3) Chambres rverbrantes brassage de modes (CRBM) 33
4.4) Lanalyseur de spectre 33
4.5) Quelques antennes utilises en CEM 34
4.6) Les sondes isotropiques 34
4.7) Les RSIL (Rseaux Stabilisateurs dImpdance de ligne) 35
4.8) Tests dimmunit aux dcharges lectrostatiques (Norme CEI 61000-4-2) 35
2
 4.9) Tests de transitoires lectriques rapides en salve (TERS) 36
4.10) Tests dimmunit aux champs lectromagntiques 36
5) La CEM dans la conception des quipements lectroniques 37
5.1) Conception des circuits imprims 37
5.2) Les choix technologiques 38
5.2.1) Les familles de circuits intgrs numriques 38
5.2.2) Le choix des composants passifs 39
5.2.3) La conception et le cblage des quipements (coffrets et baies) 40
6) Les outils de simulation 41
6.1) Perturbations basse frquence 41
6.2) Perturbations haute frquence 42
6.3) Intgrit et rayonnement des torons de cbles 42
7) La certification des quipements 43
8) Bibliographie 44
9) Annexes 45

3
 1) Introduction

Note lattention du lecteur : les figures prsentes dans ce document ont t pour la plupart
extraites des ouvrages cits dans le paragraphe 9 Bibliographie .

1.1) Prambule

Lintgration de llectronique dans la vie quotidienne sest accompagne de phnomnes

parasites -les perturbations lectromagntiques- inhrents lutilisation du courant lectrique.
On appelle perturbation lectromagntique tout phnomne lectromagntique susceptible
de dgrader les performances dun dispositif, dun quipement ou dun systme. Ces
perturbations peuvent tre un bruit lectromagntique, un signal non dsir ou une
modification du milieu de propagation.
On peut dfinir la CEM comme laptitude dun appareil fonctionner normalement
dans un environnement lectromagntique donn, sans produire lui-mme des perturbations
intolrables pour les appareils qui se trouvent dans cet environnement.
On peut distinguer :

- La CEM intra-systme (propre aux perturbations mises

lintrieur dun quipement).
- La CEM inter-systme (influence de lquipement sur
lenvironnement et inversement).

Dans le premier cas, le concepteur sintressera aux fonctions que lappareil doit raliser et
plus particulirement aux problmes dauto-perturbations rencontrs lors du fonctionnement
normal.
Dans le second cas, le mme quipement devra raliser ses fonctions dans un environnement
dinstallation dtermin.

1.2) Un peu dhistoire

Le dbut des annes 30 voit lapparition des communications radio et avec elles un certain nombre
de problmes dinterfrences radio (dus aux moteurs lectriques etc.).

- 1933 : Cration du CISPR (Comit International Spcial des

Perturbations Radiolectriques) par la CEI (Commission
Electrotechnique Internationale) qui dveloppe des normes pour
viter les interfrences.

- Durant la deuxime guerre mondiale, lutilisation dappareils

lectroniques (radio, navigation, radar) sest acclre. Beaucoup de
cas dinterfrences entre radios et systmes de navigation arienne
sont constats.

- Le CISPR continue son activit en produisant plusieurs publications

techniques prsentant des techniques de mesure des perturbations et
4
 recommandant des valeurs limites dmissions. Plusieurs pays
europens ont adopt ces valeurs limites recommandes par le
CISPR.

- Laugmentation la plus significative des problmes dinterfrences

est apparue avec linvention des composants lectroniques haute
densit, tels que le transistor bipolaire dans les annes 1950, le
circuit intgr dans les annes 1960, et les puces microprocesseur
dans les annes 1970. Par ailleurs, le spectre frquentiel utilis
devient beaucoup plus large afin de subvenir aux besoins de plus en
plus croissants de transmission dinformations.

- Due la sensibilit de plus en plus accrue des circuits lectroniques,

lAmerican Federal Communications Commission (FCC) a publi
en 1979 des normes limitant les missions lectromagntiques de
tous les appareils lectroniques. Les valeurs limites dfinies par la
FCC correspondent dans lensemble celles recommandes par le
CISPR.

1.3) Les directives 89/336/CEE et 2004/108/CEE

Pour faire face aux problmes voqus prcdemment, lEurope a mis en place la directive
89/336/CEE puis la directive 2004/108/CEE qui abroge la prcdente. La premire, transpose en
droit franais et applicable depuis 1989, est obligatoire depuis le 1er janvier 1996. Son domaine
dapplication concerne tout quipement lectrique ou lectronique, mme pour une fabrication
unitaire. Il en est de mme pour les matriels doccasion reconfigurs. Ces directives imposent le
respect dexigences essentielles dordre technique aux tats membres de lUnion Europenne. Elles
imposent les contrles faire sur un produit, avant sa mise sur le march, sans prciser les modalits
techniques relevant elles de normes. Elles doivent supprimer les entraves aux changes lintrieur
de lUnion Europenne.

1.3.1) La directive CEM : Exigences

Les exigences essentielles de la directive CEM sont rdiges en termes dobjectifs

qualitatifs :

- Les perturbations gnres doivent tre limites un niveau

permettant aux systmes de radio et de tlcommunication, ainsi
quaux autres appareils, de fonctionner conformment leur
destination.

- Les appareils doivent avoir un niveau adquat dimmunit

intrinsque contre les perturbations lectromagntiques leur
permettant de fonctionner conformment leur destination.

1.3.2) Vocabulaire spcifique la directive CEM

5
 Appareil : on entend par appareil un produit fini contenant des composants
lectriques et/ou lectroniques, destin tre mis sur le march et destination de
lutilisateur final. Lappareil permet lobtention dune fonction directe et doit tre
marqu CE.
Systme : Ensemble dappareils conus et fabriqus pour tre associs entre eux
afin de remplir une tche dtermine, et mis sur le march comme une seule entit
et destination de lutilisateur final.
Installation : Association de plusieurs appareils ou systmes mis en place dans un
lieu donn, et pour un but donn, mais qui ne sont pas destins tre mis sur le
march en une seule entit. Chaque lment constitutif dune installation doit tre
CE.
Composant : Ce mot ne doit pas tre pris au sens traditionnel de llectronique,
mais au sens de sous-ensemble ou de constituant. Lorsque le composant est
destin tre intgr dans un appareil, le composant nest pas soumis aux
dispositions de la directive. Exemple : la carte alimentation dun ordinateur
destin un assembleur nest pas soumise au marquage CE, cest lordinateur
complet qui doit tre CE. Cependant si le composant dlivre une fonction directe,
il est assimilable un appareil et doit donc se conformer aux prescriptions de la
directive.

1.3.3) Directive CEM : Domaines dexclusion

Outre les composants lmentaires ou plus complexes, certains appareils ne sont pas
concerns par la directive :

Les appareils destins aux radioamateurs sils ne sont pas dans le commerce. Ils
sont toutefois directement concerns par les phnomnes lectromagntiques
(occupation du spectre).
Les produits concerns par une directive spcifique dapplication obligatoire
lorsque celle-ci prend en compte une partie spcifique de la CEM (appareils
mdicaux par exemple), lexclusion ne portant que sur celle-ci seulement.
Autres exemples : les cbles, systme de cblage et accessoires, le matriel ne
comportant que des charges rsistives sans dispositif de coupure automatique tel
que les thermostats ou les ventilateurs, les piles et accumulateurs.

1.3.4) Directive CEM : la dclaration de conformit

La dclaration de conformit, obligatoire pour la mise sur le march europen, doit

contenir les lments suivants :

- Description de lappareil vis.

- Rfrences des directives concernes.

6
 - Rfrences des normes harmonises par rapport auxquelles la
conformit a t value.
- Identification du signataire ayant reu pouvoir pour engager le
fabricant ou son mandataire.
- Le cas chant, les rfrences de lattestation CE de type ou du
rapport technique dlivr respectivement par lorganisme notifi ou
comptent.

1.3.5) Directive CEM : le marquage CE

Il signifie Conformit Europenne et est le signe distinctif de la conformit du

produit aux diverses directives qui lui sont applicables. Le fabricant ou le mandataire
a la responsabilit de la conformit de son produit aux directives. Il doit rdiger une
Dclaration de Conformit.

1.4) Lois gnrales, units et outils mathmatiques utiliss en CEM

Bien que daspect complexe, la CEM respecte les lois de la physique connues des
lectroniciens. Nous donnons ci-dessous les lois les plus utilises.

1.4.1) Loi de Biot et Savart

Un lment dl dun circuit filiforme parcouru par un courant dintensit I gnre en

un point M distant de r un champ magntique dB dfini par la relation ci-dessous :

0 Id r
dB =
4 r3

Dans laquelle I est en ampre, r et l en mtres et B en Tesla

(1 Tesla = 10 000 Gauss. A Paris le champ magntique terrestre vaut 0,5 Gauss)
0 est la permabilit du vide (0 = 410-7Hm-1).

Consquences :

a) Un conducteur de type boucle parcouru par un courant i variable (leffet est

nul en continu) peut, via le champ magntique B quil cre, perturber dautres
conducteurs placs proximit.
b) Un conducteur de type brin (antenne) aliment par une source de tension
variable (effet nul en continu) gnre un champ lectromagntique pouvant
perturber les conducteurs placs proximit.

7
 Fig. 1.a : gnration dun champ B et Fig.1.b : phnomne dantenne

c) Un conducteur plac dans un champ magntique B ou lectrique E variables

devient respectivement le sige dun courant i ou dune ddp v induits.

Fig. 2 : Phnomnes de couplage

1.4.2) Loi de Faraday/ Loi de Lenz

Quand le flux du champ magntique travers un circuit conducteur ferm varie

dans le temps, il apparat dans le circuit une f.e.m. dinduction e telle que:

d
e=
dt

Fig. 3 : Illustration de la loi de Lenz

Consquences :
Une excitation magntique variable perturbatrice H induira dans les boucles quelle
traverse, une tension parasite u telle que :
u = 0.S.dH/dt.

O S est la surface de la boucle.

8
 1.4.3) Loi dAmpre (loi de Biot et Savart applique une boucle ferme
quelconque)

En rgime quasi-permanent ou permanent (on considre comme ngligeable le temps de

propagation des ondes lectromagntiques devant la priode du signal), dans le vide, le
thorme d'Ampre nonce que la circulation le long d'un circuit ferm du champ magntique
engendr par une distribution de courant est gale la somme algbrique des courants qui
traversent la surface dfinie par le circuit orient, multiplie par la permabilit du vide 0.

o :

reprsente l'intgrale curviligne sur le contour ferm ,

est l'induction magntique,
est l'lment infinitsimal de dplacement le long du contour ,
0 est la permabilit du vide,
est la somme algbrique des intensits des courants enlacs par le contour .

1.4.4) Thorme de Gauss

Le flux du champ lectrique E travers une surface ferme S est proportionnel la somme des
charges Qint qui sont l'intrieur de cette surface divise par la permittivit du vide 0 (nota : 0 et 0
sont relis par la relation 00c =1 o c est la vitesse de la lumire).

1.4.5) Les quations de Maxwell

Les rsultats prcdents obtenus initialement en rgime stationnaire, c'est--dire indpendant du

temps, ont t gnraliss en 1861 par Maxwell au cas des rgimes variables (dpendants du temps).
Ces quations permettent de dcrire les volutions spatio-temporelles des composantes (Ex, Ey, Ez)
du champ lectrique et les composantes (Bx, By, Bz) du champ magntique dans un milieu isotrope
parfait du point de vue lectrique et magntique en les reliant leurs sources : densit de charge et
densit de courant de conduction j.

9
div E = / o => thorme de Gauss
rot E = -dB/dt => relation de Maxwell-Faraday
div B = 0. => conservation du flux magntique
rot B =o * j + o * o * dE/dt => relation de Maxwell-Ampre

Les drives sont partielles, les grandeurs physiques mises en jeu tant dpendantes de l'espace et du
temps.

Consquences :

En considrant un mme milieu homogne, ces quations admettent des solutions qui rgissent la
propagation des champs lectrique et magntique. Les champs E et B s'entretiennent mutuellement,
mais l'quilibre nergtique entre eux ne s'opre qu' une certaine distance de la source (qui peut tre
un champ lectrique ou magntique). On distingue alors deux zones :

- La zone dite de champ proche

- La zone dite de champ lointain

La zone de champ proche correspond aux phnomnes cits dans les chapitres prcdents et est
prpondrante dans ltude des couplages par diaphonie capacitive et inductive.

La zone de champ lointain est prpondrante dans ltude des couplages de type champ fil et
champ boucle .

1.4.6) Quelques rappels sur les ondes lectromagntiques

1.4.6.1) Champ lectromagntique gnr par une antenne boucle

Dans le cas dune boucle (basse impdance) parcourue par un courant variable i et en champ proche
E varie en 1/r2, H en 1/r3 et limpdance Z varie en r. En consquence, faible distance, la boucle
rayonne essentiellement en champ H.

10
 Fig.4 : Champ lectromagntique rayonn dans le vide par une boucle en fonction de la distance r
dans une direction perpendiculaire la normale de la boucle.

1.4.6.2) Champ lectromagntique gnr par une antenne fouet

Dans le cas dun diple (haute impdance) excit par une tension leve v et en champ proche, E
varie en 1/r3, H en 1/r2 et limpdance Z varie en 1/r. En consquence, faible distance, la boucle
rayonne essentiellement en champ E.

Fig.5 : Champ lectromagntique rayonn dans le vide par un fil court en fonction de la distance r
dans une direction perpendiculaire au fil.
11
Dans les deux modes (antenne boucle ou antenne fouet) en champ lointain les champs E et H
dcroissent en 1/r et tendent vers un rapport constant Z0 : E/H=377 (impdance du vide Z0 =
(0/0)1/2).

Champ lectrique rayonn E une distance d en champ lointain pour une puissance
dmission P :

E(V/m) = d-1.(30.P.G)1/2

Avec P en watt, d en mtre, G gain numrique de lantenne (non ramen en dB). Pour un doublet G
vaut 1, pour une parabole classique G vaut 1000.

Consquences :
Un champ lectrique variable se rflchissant sur un conducteur y induit un courant. Le condensateur
entre les extrmits du conducteur permet sa circulation (phnomne trs peu sensible aux basses
frquences).

Fig.6 : Effet du champ lectrique sur un conducteur

Fig.7 : Courant collect par un conducteur en fonction du champ lectrique reu

12
 1.4.7) La transforme de Fourier

La transforme de Fourier F est une opration qui transforme une fonction f(t) intgrable sur {R} en
une autre fonction, dcrivant le spectre frquentiel de cette dernire. La transforme de Fourier de
f(t) est la fonction F (f) donne par la formule:

Avec t en secondes et la frquence (en s 1).

Consquences :
Tous les signaux temporels ont une reprsentation spectrale (nergie fonction de la frquence) et les
frquences seront dautant plus leves que les signaux auront des dv/dt levs (variations
temporelles). Ils seront donc gnrateurs de signaux parasites potentiellement perturbateurs.

Fig.8 : Effets de la commutation dans les circuits numriques

Fig.9 : Pics de courant lors des commutations dun circuit CMOS

13
 Fig.10 : influence du di/dt

1.4.8) Les units utilises en CEM :

Le dBm :
Le dBm exprime le rapport entre la puissance Px du signal x considr et le milliwatt (mW)
qui est la rfrence :
X (dBm) = 10 log10 (Px/ 10-3)

Ainsi un signal de puissance 1 Watt vaudra 30 dBm et 1 W correspondra -30 dBm.

Le dBV :
Il exprime le rapport entre la ddp Vx dun signal x charg par une rsistance de 50 et le V
qui sert de rfrence :
X (dBV) = 20 log10 (Vx/ 10-6)

Fig.11 : Les valeurs de rfrence en CEM

2) Gnralits
2.1) missivit et immunit

Emissivit :
Ce terme est employ pour valuer le pouvoir perturbateur dun appareil
Perturbations gnres par un appareil :
Perturbations conduites (cbles, supports, )
Perturbations rayonnes (sous forme donde lectromagntique)
14
 Immunit :
On parle dimmunit pour caractriser le niveau de protection intrinsque dun
systme vis--vis des perturbations externes.
Immunit contre :
Les perturbations conduites
Les perturbations rayonnes

Fig.12 : Les trois acteurs de la CEM

2.2) Les perturbations

2.2.1) Gnralits et classification

Les Perturbations lectromagntiques (EMI : Electro Magnetic Interference) peuvent tre dorigine
naturelle :
- Atmosphriques (foudre)
- Solaires
- Dcharges lectrostatiques (DES) - (ESD : Electro Static Discharge)
- Bruit galactique
Ou artificielle :
- Tlcommunications (antennes)
- Fours micro ondes
- Coexistence de courants forts et de courants faibles
- Commutation industrielle (relais lectro mcaniques, alimentations
dcoupage, )
- Distances entre quipements et entre lments de + en + faibles
(miniaturisation)
- Variations de tension rapides
- Micro coupures secteur
15
 - Moteur explosion
-

On a cependant tendance classer les perturbations en fonction de leur type plutt que de leur nature,
par exemple basse ou haute frquence, transitoires ou entretenues. La figure ci-dessous illustre ce
classement.

Fig.13 : Classification des perturbations

Les perturbations conduites utilisent comme vecteur les matriaux conducteurs :

Lignes de donnes
Cbles dalimentation
Rseau de terre dficient
Les perturbations rayonnes sont transmises par une onde lectromagntique et utilisent comme
support les milieux dilectriques :
Le plastique
Le bois
Lair

SOURCES VICTIMES

metteurs radio-frquence lectronique analogique bas niveau

Rcepteur radio-frquence
Lampes arc lectronique analogique et numrique
Soudage HF lectronique analogique et numrique
Allumage automobile Rcepteurs radio-frquences, toutes les lectroniques
Relais, contacteurs Toutes les lectroniques
lectronique numrique, alim. lectronique analogique
dcoupage,
Fig.14 : Exemple de sources de perturbations et leurs victimes :

16
 2.2.2) Exemples de perturbations lectro magntiques

2.2.2.1) La foudre

Quand la foudre tombe quelque part, le courant produit un important champ magntique
impulsionnel qui vient se coupler avec tous les conducteurs environnants.

Modlisation de la foudre partir de deux exponentielles :

I=I0 (e-t/1-e-t/ 2)

Sur cette base, 90% des surtensions peuvent tre modlises partir des 3 ondes de courant typiques
ci-dessous :

Fig.15 : modlisation de la foudre

2.2.2.2) Les dcharges lectrostatiques

Il s'agit d'une source parasite naturelle trs rpandue. Le mcanisme est le suivant :

le corps d'un tre humain est charg par effet tribo-lectrique,

les charges accumules se dchargent brutalement quand une opportunit se prsente : c'est la
dcharge lectrostatique (DES ou ESD en anglais).

Les consquences possibles pour un matriel lectronique victime sont :

la destruction d'un composant (en fabrication, en utilisation ou en maintenance),

des dysfonctionnements ( plantages , pertes de donnes),
17
 des phnomnes analogiques transitoires,

Le phnomne dcharge lectrostatique d'origine humaine est modlis, dans la

normalisation, par :

un gnrateur d'impulsion, modle lectrique du corps humain, constitu d'un circuit

capacit + rsistance , en srie ; la plupart des normes font appel un condensateur de 150
pF se dchargeant dans une rsistance de 330 ; ce modle, trop grossier pour dcrire
intgralement l'impulsion, est complt par des caractristiques temporelles (majorant du
temps de monte, nombre et taux de rptition des impulsions, etc.)
un modle gomtrique d'un doigt humain, servant d'lectrode de sortie au gnrateur,
accompagn d'un scnario de couplage (contact direct, couplage inductif reprsentant un
contact sur un objet proche, etc.
un niveau de svrit, pouvant tre la tension de charge initiale du condensateur, ou la valeur
crte de l'impulsion (le gnrateur tant connect sur une charge rsistive de rfrence),
variable selon le degr de prcautions contre les dcharges lectrostatiques qu'il est
raisonnable d'attendre des humains qui se trouvent proximit.

Fig.16 : Transfert dnergie statique entre une personne et un objet.

18
 Fig.17 : Quelques ordres de grandeur en DES

2.2.2.3) Les transitoires lectriques rapides en salves (TERS)

Ils sont le plus souvent gnrs par louverture dun relais ou dun contacteur alimentant une
charge inductive (rafale dimpulsions). Lnergie dissiper est faible, mais la largeur du
spectre peut stendre au del de 100 MHz.
Le pouvoir perturbateur li ce phnomne est important : en numrique, le parasite peut tre
interprt comme un signal, ou mme induire un problme de latch-up (mise en
conduction des transistors des tages de sortie des portes logiques provoquant un court-circuit
sur les lignes dalimentation).

Fig.18 : Modlisation des TERS

2.2.2.4) Commutations courants faibles et courants forts

Elles surviennent respectivement dans les circuits numriques et alimentations dcoupage. Les
fronts montants et descendants des signaux gnrent des harmoniques dautant plus levs quils sont
brefs. Les amplitudes sont dautant plus importantes que les nergies commutes mises en jeu le
sont.
19
 A
sin(n / 2) sin(n / T0 )
U (t ) = + A cos(n0t )
2 n =1 ( n / 2) (n / T0 )
Reprsentation spectrale de U(t) :

Fig.19 : Spectre dun signal priodique et influence des commutations

3) Les modes de couplages et leurs solutions

Les couplages sont des chemins de propagation par lesquels les sources de perturbations
entrent en contact avec les quipements victimes. Il existe principalement six modes de
couplage, deux en mode conduit et quatre en mode rayonn (deux en champ proche et deux
en champ lointain).

20
 Fig.20 : Bilan des diffrents couplages

En mode conduit :
Le couplage par impdance commune.
Le couplage carte chssis .

En mode rayonn en champ proche (basse frquence):

Le couplage par diaphonie inductive.
Le couplage par diaphonie capacitive.

En mode rayonn en champ lointain (haute frquence):

Le couplage champ cble.

Le couplage champ boucle.

3.1) Couplages en mode conduit

3.1.1) Mode commun ou par impdance commune

Limpdance dun conducteur ntant jamais nulle, tout courant y circulant gnre donc aux bornes
de ce conducteur une tension U = Z . I. Ce phnomne est particulirement svre pour les circuits
bas niveaux (mesure) ou rapides (radio).

Fig.21 : Principe du couplage par impdance commune et mesure de IMC

21
Les tensions de mode commun se dveloppent entre les fils de liaisons (alimentations, signaux) et la
rfrence de potentiel : masses des appareils, fil de protection quipotentielle. La tension de mode
commun est dfinie comme tant gale la valeur moyenne de la d.d.p entre les diffrents fils et la
masse. Le courant de mode commun est gal au courant qui scoule la masse, ce courant se
partageant entre les diffrents fils de liaison, dans le mme sens sur chacun des fils. Il peut tre
mesur par une sonde de courant parcourue par les 2 fils dans le mme sens.

Remdes pour diminuer ce couplage :

Diminuer Z en mettant plus de cuivre.
Circuit imprim multicouches.
Plan de masse.
Grille.
Diminuer le courant parasite.
Alimenter les circuits de puissance en priorit.
Dcoupler les composants fort di/dt.
Sparer lanalogique et le numrique.

3.1.2) Mode diffrentiel

Les signaux utiles sont gnralement transmis en mode diffrentiel, appel aussi mode srie ,
mode normal ou mode symtrique .

Exemple : alimentation, transmission sur 2 fils etc.

Fig.22 : Principe du mode diffrentiel et mesure de IMD

La tension de mode diffrentiel est mesure entre les 2 fils, elle peut tre mesure avec une sonde
diffrentielle. Ltage dentre des systmes lectroniques comporte souvent un amplificateur
diffrentiel. Le courant de mode diffrentiel se boucle sur les 2 fils de liaison, il circule en sens
oppos sur chacun des fils. Ce courant peut tre mesur au moyen dune sonde de courant parcourue
par les 2 fils en sens oppos. Les perturbations gnralement constates dans ce mode, et qui sont
plutt faibles, viennent du dsquilibre de ltage dentre du rcepteur.

3.1.3) Cas des alimentations secteur

Pour se prmunir des perturbations conduites vhicules par les cbles secteur et se rendre conforme
aux normes en conduction, on utilise des filtres secteur. Lefficacit dun filtre est dfinie par la perte
dinsertion ou attnuation quil provoque. Cette attnuation dpend beaucoup de la disposition des
composants de filtrage par rapport aux impdances prsentes.

22
 Fig.23 : Filtre Schaffner 1 phase (ref : FN332)

Le principe de base de ce filtre repose sur lemploi dune cellule de type LC monte en filtre passe-
bas, cest dire qui laisse passer les frquences basses et coupe les frquences hautes. La frquence
de coupure est dtermine par la valeur des selfs L et des condensateurs Cx et Cy et est de lordre de
quelques KHz.
La perte dinsertion (ou attnuation) du filtre est dfinie par :

Attnuationdb = 20 Log10 (U/U)

O U reprsente la tension parasite attnue.

Prcautions de montage :
Le filtre doit tre mont sur le chssis mcanique, masse de lappareil.
Prvoir des pargnes de peinture sous le filtre. Attention aux matriaux traits !
viter les couplages entre les fils qui arrivent et ceux qui partent.
Les filtres secteur ne sont gnralement pas rversibles. Attention au montage !!!
Plaquer les cbles contre les tles.

Fig.24 : Montage dun filtre secteur

3.1.4) Couplage carte chssis

La capacit d'une carte lectronique loin de tout conducteur est gale sa capacit intrinsque. C'est
son aptitude stocker des charges lectriques lorsqu'elle est soumise un potentiel lectrique.
Lorsque cette mme carte est approche de parois mtalliques (cas de la mise en botier), elle va
subir leur influence et sa capacit intrinsque va s'ajouter aux capacits mutuelles existant entre elle
et chaque lment mtallique de son voisinage. Gnralement, la capacit intrinsque d'une carte est
gale celle d'un disque mtallique mince isol dans l'espace, de diamtre gal la plus grande
dimension de la carte. Elle vaut :
23
 CI = 4.0.R avec R : rayon du disque

Fig.25 : Capacit quivalente dune carte lectronique

3.2) Couplages par rayonnement

3.2.1) couplages en champ proche

Un signal lectrique traversant un conducteur gnre autour de celui-ci un champ lectrique et un

champ magntique. Les conducteurs voisins baignent dans ces champs et sont leur tour traverss
par un signal lectrique induit par le premier. Ces influences sont appels couplage par diaphonie
inductive (influence du champ magntique) et capacitive (influence du champ lectrique). Il est
intressant de sparer l'tude des deux diaphonies pour la comprhension des phnomnes. Cela sous
entend que les deux lignes sont courtes devant les longueurs d'onde des signaux qui les traversent.
Lorsque cette condition n'est plus valable, les lignes sont considres comme des lignes de
transmission et le calcul de la diaphonie globale devient plus complexe. La figure ci-dessous prsente
la configuration gnrale des diaphonies capacitives et inductives dans le cas des basses frquences
(cas o la longueur d'onde est telle que la longueur des cbles < /10).

Fig.26 : Modle lectrique dun couplage par rayonnement en champ proche

3.2.1.1) Couplage par diaphonie inductive

24
Un courant i circulant dans un fil gnre un champ magntique autour de celui-ci. Si ce
champ est variable, il induit une tension e dans les boucles voisines :

e = -M di/dt (loi de Lenz)

M est linductance mutuelle entre les deux circuits et di/dt la vitesse de variation du courant,
donc du champ. Cette inductance M est un artifice qui permet dviter lintroduction des
notions de champ magntique.

Fig.27 : Modle lectrique dun couplage par diaphonie inductive

Fig.28 : Effets de la diaphonie inductive de Mode Diffrentiel

La tension induite U est gale :

u =- Ldi/dt ou en rgime harmonique U= 2.F.L.I

Avec :
F frquence du courant source
L mutuelle inductance
I courant source de perturbation
di/dt vitesse de variation du courant

25
 La diaphonie est nulle en continu et reste faible jusqu des frquences de quelques KHz. Elle
nest gnante que pour les signaux bas niveaux proches de conducteurs transportant des
courants rapidement variables.

Remdes
Diminuer la mutuelle inductance en loignant le fil perturb du fil perturbateur.
Utiliser des paires torsades (utiles contre la diaphonie en MD uniquement)
Cbles plats blinds, de mise en uvre difficile, efficaces uniquement en HF.
Multiplier les conducteurs de la masse.
Adapter les impdances terminales des lignes.
Cbles en nappe torsads : alterner signal et masse

Fig.29 : Protections des signaux dans un cble en nappe

Fig.30 : Effets de la diaphonie inductive de Mode commun

Cest un des problmes les plus courant en CEM : les surfaces de boucle sont plus grandes
quen Mode Diffrentiel par consquent les effets sont plus significatifs. La diaphonie
inductive de MC est gnre par les courants de MC circulant sur les cbles perturbateurs.
Leffet est une tension induite entre un cble victime parallle et la masse la plus proche. La

26
configuration extrme viter est le cheminement de cbles voisins avec des conducteurs de
retour loigns.
Les courants de MC sont suprieurs en intensit aux signaux utiles en MD.

Fig.31 : Couplage par diaphonie inductive en mode commun

Remdes :
Diminuer la mutuelle inductance en loignant le perturb du perturbateur.
Utilisation danneau de garde reli au 0v autour des pistes sensibles.
viter les parcours parallles de cbles sur de longues distances.
Mettre le conducteur de retour dans le mme cble que le conducteur aller.
Diminuer la vitesse de variation du courant.
Plaquer les conducteurs victimes et perturbateurs sur la masse.
Travailler en basse impdance.

3.2.1.2) Couplage par diaphonie capacitive

Les variations de tension entre un conducteur et son environnement gnrent un champ

lectrique variable. Celui-ci injecte son tour un courant, proportionnel aux lignes de champ
coupes, dans les conducteurs proches. La diaphonie capacitive est un couplage par champ
lectrique. La notion de capacit de couplage parasite nous vite de calculer les champs
lectriques. Cette capacit de couplage nous permet de calculer le courant collect par un
conducteur victime :

I=Cdv/dt ou en rgime harmonique : I=2FCV

I : courant collect par la piste victime en A.

F : frquence du signal source en Hz.
C : capacit de couplage en F.

27
 V : tension de source coupable.
dv/dt : vitesse de variation de la tension coupable

Fig.32 : Modle lectrique dun couplage par diaphonie capacitive

La diaphonie capacitive est faible aux basses frquences et nulle en continu. Elle se
dcompose en deux : Mode Diffrentiel et Mode Commun. Comme pour la diaphonie
inductive de Mode Commun, la diaphonie capacitive de Mode Commun est la plus gnante.
Aux frquences leves, les diaphonies inductives et capacitives sont quivalentes en nergie.

CMD = (C11-C12-C21+C22)/2
Fig.33 : Diaphonie capacitive de Mode Diffrentiel

Elle perturbe, en BF, surtout les circuits haute impdance et bas niveaux. Le pire cas de
figure est le cble en nappe mal utilis.

Remdes :
Limiter les variations rapides de tension.
Diminuer la capacit de couplage entre les deux circuits (loigner les conducteurs).
Un cran conducteur, tresse, feuillard, plastique conducteur, est efficace mme aux
basses frquences

28
 Fig.34 : Exemple de remde la diaphonie capacitive de mode diffrentiel

Diaphonie capacitive de mode commun :

Fig.35 : Diaphonie capacitive de mode commun

La diaphonie maximale est voisine de 50%. Ds que lloignement e des cbles est suprieur
la hauteur h par rapport au plan de masse, la diaphonie dans les cas extrmes tend vers le
rapport :
R = (h/e)2

Remdes : les mmes que pour la diaphonie inductive

Diminuer la capacit de couplage en loignant le perturb du perturbateur.
Sparation des cbles bas niveaux des autres dans des goulottes spares.
viter les parcours parallles de cbles sur de longues distances.
Mettre le conducteur de retour dans le mme cble que le conducteur aller.
Diminuer la vitesse de variation du courant.

3.2.2) Couplage en champ lointain

3.2.2.1) Couplage champ fil

Un champ lectrique E, en se rflchissant sur un conducteur de longueur L, cre un courant I

en surface de ce conducteur. Le condensateur parasite entre les extrmits du conducteur
29
 permet la circulation du courant. Ce phnomne sappelle aussi couplage champ fil et
est trs faible aux frquences basses. Le courant collect en fonction du champ lectrique
peut sexprimer de deux manires selon la valeur de L :

Si L < C/4F => I = EL2F / (2400 Ln (L/2d))

Si L > C/2F => I = 1.25 E/F
Avec:
L, longueur du fil en m
E, champ lectrique en V/m
F, frquence du champ E
C, clrit de la lumire (3.108 m/s)
I, courant parasite en A
d, distance source-fil en mtres (m)
Remdes :
Pour le rduire on peut diminuer leffet dantenne en rapprochant le cble de la
masse, en blindant ou en loignant le champ lectrique perturbateur.
Effet rducteur : Plaquer le cble contre un plan de masse conducteur.

Fig.36 : Couplage champ fil

Blinder les cbles et les coffrets.

Filtrer les entres et sorties par rapport la masse mcanique.
Monter des tores de ferrites sur les cbles collecteurs.

Fig.37 : Protection contre les couplages champ fil

Nota : La TRP est une Tle de Rfrence de Potentiel.

3.2.2.2) Couplage champ boucle

Un champ magntique variable traversant une boucle y cre un flux magntique variable. Ce flux
induit une tension lectrique aux bornes de cette boucle.

30
 Fig.38 : Exemple de couplage champ boucle

Si la plus grande dimension de la boucle est d < c/4F, alors cette tension sera :
- U = 0SdH/dt ou encore U = 2f0HS en rgime sinusodal
- U = SEF/48 (E et H tant lis en champ lointain)

Si la plus grande dimension de la boucle est d > c/4F alors la loi de Lenz ne sapplique plus
directement. En effet la tension induite fluctue entre des minima et des maxima qui valent :

U # 600eH

Avec e : espace entre les conducteurs aller et retour en mtres.

Remdes :
diminuer la surface des boucles, utiliser un plan de masse sur les circuits imprims.
se protger par blindage du champ magntique perturbateur.
regrouper les entres/sorties du mme ct des cartes plutt que de les rpartir sur le
primtre.

Fig.39: Effets de la foudre et protections possibles.

4) Les moyens dessai

31
Ceux-ci ont pour but de tester un matriel en immunit et en mission dans les modes conduits et
rayonns. Dans ce contexte un certain nombre dinstruments ou moyens savrent ncessaires parmi
lesquels on peut citer :

- les dispositifs denvironnement (champ libre, cage de Faraday, chambre anchoque,

chambre brassage de modes, plateaux tournants, )

- le matriel de mesure (analyseur de spectre, wattmtre HF, RSIL, antennes et mesureurs de

champ)

- les gnrateurs de perturbations (pistolet DES, pince capacitive, amplificateur de

puissance HF, )

4.1) Les chambres anchoques

Une chambre anchoque est une salle d'exprimentation dont les murs et le plafond sont totalement
absorbants aux ondes lectromagntiques et donc ne provoquent aucun cho venant perturber les
mesures. On utilise de telles chambres pour mesurer des ondes lectromagntiques dans des
conditions de champ direct, c'est--dire en l'absence de composantes ayant subi une rverbration sur
les parois. Une telle chambre sert notamment mesurer les perturbations lectromagntiques par
rayonnement, d'appareils lectroniques. Le revtement de ces chambres est constitu de mousses
charges en carbone.

Fig.40 : Chambre anchoque

4.2) Les cages de Faraday

Ce sont des enceintes blindes utilises pour protger des nuisances lectriques et
lectromagntiques extrieures ou inversement empcher un appareillage de polluer son
environnement. Une cage de Faraday est souvent utilise pour effectuer des mesures prcises
en lectromagntisme.

32
 Fig.41 : Cage de Faraday

4.3) Chambres rverbrantes brassage de modes (CRBM)

Les chambres rverbrantes brassage de mode sont constitues dune enceinte blinde dans
laquelle se trouve un brasseur (pales en mouvement). Un des intrts de ce dispositif est de
pouvoir gnrer des champs levs en injectant des puissances relativement faibles
(exploitation des rsonances de lenceinte blinde) et de disposer dun milieu statistiquement
isotrope exempt dondes stationnaires (effet du brasseur).

Fig.42 : CRBM et zone dutilisation en frquence.

4.4) Lanalyseur de spectre

Un analyseur de spectre mesure la rpartition en frquence de lnergie d'un signal en

analysant chacune des frquences sparment dans un intervalle prdfini. La plupart des
analyseurs de spectre utiliss en CEM sont dits balayage .

33
 Fig.43 : Synoptique dun analyseur de spectre balayage

4.5) Quelques antennes utilises en CEM

Fig.44 : Antennes couramment utilises en CEM

4.6) Les sondes isotropiques

Elles sont ddies la mesure du champ lectromagntique. La sonde effectue la mesure isotropique
du champ lectrique, cest--dire indpendamment de la direction du rayonnement (sa sensibilit est
identique dans toutes les directions). Elles sont caractrises par leur gamme de frquence et de
mesure (sensibilit).

Fig.45 : Sonde isotropique et son mesureur de champ.

34
 4.7) Les RSIL (Rseaux Stabilisateurs dImpdance de ligne)

Le RSIL permet de maintenir limpdance caractristique dun circuit de mesure stable (typiquement
50 ) sur toute la plage de frquences normative (150 kHz-30 MHz). Il permet ainsi une
reproductibilit des mesures. La valeur de 50 permet l'adaptation d'impdance des appareils de
mesure tels que l'analyseur de spectre ou le wattmtre.

Fig.46 : Schma de principe dun RSIL monophas et sa courbe dimpdance

Fig.47 : Configuration de mesure dmission conduite. Lquipement

sous test est considr comme un gnrateur, le RSIL comme une charge.

4.8) Tests dimmunit aux dcharges lectrostatiques (Norme CEI 61000-4-2)

Ils concernent les perturbations provoques par les transferts de charge. En s'approchant d'un
appareil, un objet ou une personne charge d'lectricit statique peut provoquer un transfert de
charge vers son botier ou l'un de ses organes : afficheur, bouton de commande, borne de
raccordement. Il s'en suit une surtension d'nergie modre, mais trs rapide, qui peut provoquer des
dysfonctionnements, notamment pour les appareils qui traitent de l'information.
Les tests sont raliss grce un pistolet lectrique qui produit ce phnomne de manire contrle.
Les dcharges peuvent se faire par effluves dans l'air, ou par contact selon le type de botier de
l'appareil sous test. Selon le niveau de svrit du test, elles vont de 2 8 KV par contact et de 2 15

35
KV dans l'air. Elles provoquent des surtensions dont le temps de monte est trs bref (moins de 1ns).
Pour parvenir une conclusion significative, elles sont rptes de nombreuses fois de manire
attaquer plusieurs reprises toutes les parties de l'appareil, et en particulier les vis de fixation, les
joints d'assemblage et galement l'environnement de l'appareil via des plans de couplage.

Fig.48 : Pistolet de dcharge lectrostatique

4.9) Tests de transitoires lectriques rapides en salve (TERS)

Normes de rfrence : CEI 61000-4-4, 61000-4-5, 61000-4-6.

Il s'agit d'injecter sur le cble d'alimentation de l'appareil en test ou sur les cbles de connexion
entre-sortie, des courants reprsentant les perturbations transitoires d'origine industrielle, des
commutations sur le rseau de distribution, l'influence sur les cbles des rayonnements
lectromagntiques ou l'effet de la foudre. Pour cela on utilise une pince de couplage, relie un
gnrateur de tensions d'essai, compose d'une goulotte d'un mtre monte sur un support isolant et
formant avec le cble qui l'emprunte de bout en bout, un condensateur de valeur dtermine.

Fig.49 : Gnrateur de TERS et sa pince de couplage

4.10) Tests dimmunit aux champs lectromagntiques

Les essais d'immunit rayonne permettent de garantir le bon fonctionnement des appareils lorsquils
sont soumis des champs lectromagntiques. Ces essais tant particulirement sensibles

36
lenvironnement, les moyens et les comptences mettre en uvre pour raliser des mesures fiables
et reproductibles sont importants. Le milieu ambiant doit tre suffisamment propre pour ne pas tre
gn par des champs lectromagntiques parasites fortement prsents en milieu industriel. Ces essais
sont donc raliss dans des cages anchoques ou semi-anchoques. Les champs sont gnrs par
diffrentes antennes suivant les types de champ, les gammes de frquence et les polarisations voulues
(cf. fig. xx ci-dessous). Ces antennes sont alimentes partir dun gnrateur vobul dont le signal
passe par un amplificateur de puissance large bande. Les champs gnrs sont calibrs laide de
capteurs isotropiques large bande.

Fig.50 : Disposition typique de test dans une cage semi-anchoque.

Les mesures se font en deux tapes :
1 - calibrage du champ pour une gamme de frquences donne en l'absence d'quipement.
1 - vrification de l'immunit de l'quipement.

5) La CEM dans la conception des quipements lectroniques

Le cot induit de la CEM dans le processus de dveloppement dun produit est dautant plus
lev que celle-ci est prise en considration tardivement car elle peut remettre fortement en question
larchitecture et/ou les choix technologiques qui ont t effectus. Par ailleurs sur-dimensionner
un quipement pour tre certain de sa CEM peut savrer un fiasco conomique cause du surcot
que cela induit. Cest dire quil est capital de la prendre en compte au plus tt dans la phase de
conception et sa juste valeur. Les chapitres qui suivent donnent quelques pistes possibles.

5.1) la conception des circuits imprims

Les interfrences pouvant apparatre sur les cartes lectroniques sont essentiellement de deux
natures :
- celles lies aux pics de courant lors des commutations des circuits logiques
- celles lies aux diffrentes diaphonies inductives et capacitives.

La premire peut tre fortement attnue en soignant les pistes dalimentation des
circuits : on privilgiera des plans dalimentation dans les circuits imprims multicouches ou bien
des alimentations en peigne dans les circuits double face. Dans chaque cas on prendra soin de
dcoupler les circuits intgrs en plaant des condensateurs (10 nF 100 nF) entre masse et
alimentations au plus prs des circuits. Depuis lutilisation gnralise des composants monts en
surface (CMS), les condensateurs de dcouplage sont souvent placs directement sous le circuit
intgr cot soudure du circuit imprim et offrent une meilleure efficacit de dcouplage.
37
 Fig.51 : Dcouplages traversant (gauche) et CMS (droite)

Pour le deuxime point il est dj possible, dans la phase dimplantation, de rduire les couplages
entre composants dus leur proximit. Le regroupement des circuits par type : numrique -
analogique - puissance, en fonction de leur susceptibilit rduit leurs interfrences.
D'autre part le trac des pistes sur un circuit imprim a une incidence importante sur la
susceptibilit dune carte : le mme schma lectrique, implant de diffrentes manires aura une
immunit aux perturbations pouvant varier dun facteur un plusieurs dizaines.
Par exemple on vitera les fils longs, surtout ceux vhiculant des horloges frquence leve
(> Mhz) cause des effets dantenne et ceux vhiculant des signaux analogiques sensibles (faible
niveau, tages dentres impdance leve, ). On limitera galement si ncessaire le dv/dt (par
adjonction de rseau RC ou par programmation du slew rate pour les circuits FPGA). Pour rduire le
couplage par diaphonie, on vitera les cheminements des pistes en parallle sur de grandes
longueurs. On vitera galement les angles droits (rupture dimpdance) dans le trac des pistes
vhiculant des signaux haute frquence (horloges) et on prfrera des tracs de piste qui minimisent
limpdance de ligne et le rayonnement (trac langlaise) ou la diaphonie (trac avec plan de masse
ou piste de garde).

Fig.52 : Exemple de tracs de pistes

5.2) Les choix technologiques

5.2.1) les familles de circuits intgrs numriques

Un premier choix renforant limmunit aux perturbations lectromagntiques conduites dune carte
lectronique peut tre fait en optant, lorsque cest possible, pour des technologies offrant une bonne
38
marge de bruit. Plus la marge de bruit sera importante, meilleure sera limmunit. A titre dexemple
la figure ci-dessous illustre les marges de bruit respectives pour les technologies TTL-LS et HC-
MOS.

Fig.53 : Marges de bruit de circuits intgrs TTL-LS et HC-MOS

5.2.2) Le choix des composants passifs

Ceux-ci sont utiliss la priphrie des cartes lectroniques, au niveau des entres-sorties et
des alimentations en nergie. Le tableau ci-dessous donne un aperu de quelques exemples de
composants passifs et de leur domaine dutilisation.

Types Exemples Applications

Parasurtenseur Eclateur, parafoudre, Installation, alimentation,

(suppression des
surtensions)
Composants pour filtrage
(attnuation de composantes
spectrales en mode conduit)
Composants pour blindage
(attnuation de composantes
spectrales en mode rayonn)
Fig.54 : Exemples de composants passifs utiliss en CEM
limiteur, Varistance, diode contrle-commande,
Zener, transorb, transil, Circuits lectroniques
varistor,
Transformateur, inductance, Alimentation, contrle-
condensateur, filtre commande
Grillage, plan de masse, Transmission d'information,
cble blind, joint (armoire en site perturb)
hyperfrquence, doigt de
contact

Exemple de filtre et protection ESD :

Fig.55 : Protection de lignes : EMIF10-LCD03F3 de ST Microelectronics

39
Caractristiques principales:

Attnuation leve dans la bande des frquences tlphonie mobile (meilleur que -40 dB de 900
MHz 2 GHz)
Faible tension dcrtage
Faible capacit de ligne (30 pF max) convenant pour les interfaces rapides
Temps de monte/descente maxi de 6 ns (10% - 90%)
Adapt pour les transferts haut dbit

Compatible avec les standards :

IEC61000-4-2 niveau 4 sur les entres et sorties

15 kV (dcharge dans lair)
8 kV (dcharge de contact)

5.2.3) la conception et le cblage des quipements (coffrets et baies)

Les couplages dcrits dans ce document peuvent tre limits si les chemins de cblage sont raliss
selon les rgles suivantes :
Regrouper les cbles par catgorie : les cbles de puissance dun ct, les cbles bas niveau
de lautre. Si le nombre de goulottes le permet, les cbles de puissance, dintensit dpassant
quelques ampres sous 230 V, et les cbles bas niveau chemineront dans deux goulottes
diffrentes. Sinon, une distance minimale dune vingtaine de centimtres sera respecter
entre les deux catgories. Entre ces deux catgories sera soigneusement vit tout lment
commun. Les circuits ncessitant des informations bas niveau auront galement leur propre
fil de retour (0 volt) pour viter les couplages par impdance commune. En particulier, la
plupart des systmes de communication par bus ncessitent une paire de fils strictement et
exclusivement rserve lchange des informations.
La surface globale dune boucle (distance entre un conducteur et son retour), doit tre
minimise. Pour la transmission dinformations, lutilisation de lignes torsades permet de
diminuer la susceptibilit aux couplages de mode diffrentiel.
Les cbles de mesures, et de transmissions dinformations faible niveau, doivent tre
cran, celui-ci tant reli la masse en un maximum de points.
Les goulottes support du cheminement des cbles doivent tre, dans la mesure du possible,
des goulottes mtalliques. Ces goulottes sont interconnectes entre elles avec un contact
lectrique correct et interconnectes avec le rseau de masse.
Les cbles les plus sensibles, ceux de mesure par exemple, sont placs dans un angle. Ils
bnficient ainsi dune protection accrue contre les rayonnements lectromagntiques. Leur
cran, sil existe, est reli rgulirement la goulotte.

Fig.56 : Principe de cblage dun quipement

40
 6) Les outils de simulation

De part la ncessit de prendre en considration la CEM au plus tt dans le processus de

dveloppement dun produit (phase de conception), un certain nombre doutils de simulation ont vu
le jour, lesquels sont rgulirement enrichis de fonctionnalits nouvelles. On trouve globalement
deux familles de simulateurs : ceux destins lanalyse de lintgrit du signal lors du routage dune
carte (bass sur un moteur de simulation type SPICE par exemple) et ceux bass sur la reprsentation
3D de lvolution du champ lectromagntique (bas sur la rsolution des quations de Maxwell et
de Stokes).

6.1) Perturbations basse frquence

Dans ce contexte les logiciels de CAO classiques bass sur une simulation type circuit
(ex. : ELDO, ADVanceMS, ) permettent davoir une bonne estimation de linfluence des parasites
sur le comportement dune carte lectronique pour peu que lon dispose de modles de simulation
fiables. Ils permettent galement danalyser lintgrit des signaux en prenant en compte la topologie
du routage du circuit imprim (gomtrie, couplage, imperfections des composants, ). Pour cela
des outils spcifiques extraient, partir du layout (routage), les paramtres caractristiques de chaque
quipotentielle et de chaque composant (modle IBIS) et fournissent des modles de type circuit
exploitables dans le simulateur (ex : LineSim et BoardSim de la suite HyperLynx). Cette mthode
donne de bons rsultats mais est limitative ds que les effets de gomtrie deviennent prpondrants,
soit cause d'effets lis la dimension gomtrique (effets bi- ou tridimensionnels), soit cause des
effets propagatifs, ou encore lorsqu'apparaissent des effets non linaires.

Fig.57 : Analyse de lintgrit de signaux aprs routage (doc. Boardsim)

6.2) Perturbations haute frquence

41
 Beaucoup de perturbations naturelles (ex. : foudre, DES) ou industrielles (ex. : TERS)
prsentent des temps de monte/descente trs courts et gnrent en consquence des parasites
lectromagntiques dont le spectre peut stendre plusieurs dizaines de gigahertz. Les outils cits
prcdemment ne suffisent plus pour rendre compte des effets propagatifs dans lespace du champ
lectromagntique cr par ces perturbations. La recherche de ce champ passe par la connaissance de
la topologie, la nature des lments actifs, passifs et connexions qui constituent le dispositif tudier.
Dans ce contexte les simulateurs mis en uvre sont bass sur la rsolution des quations de Maxwell
et de Stokes par des mthodes numriques (diffrences finies, lments finis, lignes de transmission,
quations intgrales de frontires et des moments). Ces simulateurs prennent galement en compte
les effets de peau, les pertes dans les dilectriques et permettent davoir une reprsentation 3D de
lvolution du champ lectromagntique sur une carte lectronique en phase de routage par exemple,
ce qui permet de modifier la topologie de celle-ci en fonction des performances recherches.

Fig.58 : Exemple de rpartition des champs lectromagntiques (en rouge ou sombre les
pistes les plus polluantes )

On trouve cependant de plus en plus de logiciels qui associent les diffrentes fonctionnalits car les
problmes dintgrit de signal et champs rayonns sont interdpendants et rsoudre lun permet bien
souvent de rsoudre lautre.

6.3) Intgrit et rayonnement des torons de cbles

Certains des simulateurs prcdemment cits permettent galement, moyennant des interfaces, de
simuler le rayonnement des cbles ainsi que lintgrit des signaux qui y sont propags. Ces
simulateurs disposent de bibliothques comportant un grand nombre de varits de cbles (blinds,

42
coaxiaux, torsads, nappes, ) et prennent en compte la topologie des cblages raliss (structure
des torons). Ex. : CABLEMod de Simlab.

7) La certification des quipements

Les perturbations lectromagntiques existent en mode conduit (dans les cbles ou les pistes dun
circuit imprim) ou en mode rayonn dans lair (champ lectromagntique). Ces perturbations se
propagent par le biais de phnomnes de couplage tudis dans ce document. On distinguera donc
quatre catgories de tests :

- test dimmunit en mode conduit

- test dimmunit en mode rayonn
- test dmission en mode conduit
- test dmission en mode rayonn.
-
Sagissant des tests dimmunit (ou susceptibilit), on plonge lappareil dans un
environnement lectromagntique cr par un systme dmission dondes radiolectriques calibres.
Pour viter les influences lectromagntiques externes (non contrles), le site de test est soit une
chambre anchoque (pour les essais de perturbations rayonnes), soit une cage de Faraday (pour les
essais de perturbations conduites).
Trois classes sont spcifies pour dfinir le degr dimmunit respecter par lappareil sous test :
- classe 1 : champ de 1V/m,
- classe 2 : 3V/m,
- classe 3 : 10V/m.

Fig.59 : Exemple de mesure de susceptibilit

Pour les tests d'mission, on dfinit deux classes, en fonction de la distance de protection
(c'est dire la limite partir de laquelle le champ lectromagntique perturbateur n'a plus d'incidence
sur l'environnement):

43
 - classe A: distance de protection de 30 m,
- classe B: distance de protection de 10 m (matriels de grande diffusion).
Ces essais se font aussi sur site confin (chambre anchoque, cage de Faraday).

Fig.60 : Exemples de gabarits et de mesures

Fig.61 : Principe pour garantir le marquage CE dun systme

8) Bibliographie :

http://cem.ref-union.org/cem-reglementation.php
MARDIGUIAN Michel, "Manuel pratique de la compatibilit lectromagntique".2me dition
revue et augmente. Avril 2003. ditions Hermes.
Matrise de la CEM : les rfrentiels Dunod. EAN13 : 9782100203307
CHAROY Alain, "Parasites et perturbations des lectroniques tome 1 Sources Couplages Effets".
ditions Radio DunodTech.
CHAROY Alain, "Parasites et perturbations des lectroniques tome 2 Terres Masses Cblages".
ditions Radio DunodTech
CHAROY Alain, "Parasites et perturbations des lectroniques tome 3 Blindages Filtres Cbles
blinds". ditions Radio DunodTech.
CHAROY Alain, "Parasites et perturbations des lectroniques tome 4 Alimentation Foudre
Remdes". ditions Radio DunodTech.
CUVILLIER J. "cours de CEM Notions lmentaires" IUT de Nantes.Mars 2002.

44
9) Annexes

Quelques exemples dutilisation du spectre frquentiel

45