LES MONTAGES AMPLIFICATEURS FONDAMENTAUX

A TRANSISTORS BIPOLAIRES

Philippe ROUX 2005

 AMPLIFICATEUR A TRANSISTOR NPN MONTE EN EMETTEUR COMMUN

1 PARTIE : CONCEPTION DU MONTAGE EMETTEUR COMMUN

On considre le montage donn en figure 1 qui reprsente un transistor NPN aliment sous
une tension dalimentation V CC de 20V. Ce transistor a t polaris en tension par les rsistances
R1 et R2, de telle manire que son courant de repos de collecteur soit fix 6.5 mA. Sur le schma
est indiqu la valeur du potentiel par rapport la masse de la base, de lmetteur et du collecteur.

+ VCC = +20 V
IC repos
6.5 mA
R1 22 k RC 2 k

C 7V
B 68 A
1.25 V
IB repos
E 0.65 V

R1 1.8 k RE 100

Figure 1 : transistor NPN polaris

On dsire obtenir un montage amplificateur dit en metteur commun . Pour cela il est
ncessaire dexciter le montage entre base et masse par un gnrateur sinusodal indpendant de
rsistance interne Rg tel que : eg = Egm sin (t). La tension de sortie vs du montage doit alimenter
une rsistance dutilisation Ru (figure 2).

+ VCC = +20 V
vs
7V

ve
R1 22 k RC 2 k
1.25V
ve CL2 vs
0V CL1 C 0V
B
0.65 V
Rg E
vs vs RU
ve ve
+ RE
eg R1 1.8 k 2 k
100 CD
-

Figure 2 : Montage amplificateur en metteur commun

1
 On doit dans un premier temps rsoudre un problme. En effet, le gnrateur eg dlivre une
tension sinusodale ve qui volue autour de zro volt. Cette tension ne peut pas tre applique
directement entre la base et la masse qui doit rester au potentiel de 1.25 V pour que le transistor
reste correctement polaris.
De mme, et pour la mme raison, on ne peut pas connecter directement la rsistance Ru
entre le collecteur et la masse. On doit donc pour rsoudre ce problme, utiliser des condensateurs
de liaisons CL1 et CL2 qui se comportent :

En rgime continu comme des circuits ouverts.

En rgime sinusodal comme une impdance de module |ZCL| = (.CL)-1 qui sera ngligeable
devant les rsistances du circuit condition de choisir une valeur convenable pour CL1 et
CL2.

On peut aussi mettre en parallle avec la rsistance RE une capacit CD dite de dcouplage
qui se comporte encore comme un court-circuit pour le rgime sinusodal impos par eg.

2 PARTIE : ANALYSE GRAPHIQUE DE LAMPLIFICATION :

DROITE DE CHARGE DYNAMIQUE

On va sintresser aux tensions sinusodales qui sont reprsentes en figure 2 et qui voluent
autour des tensions continues indiques sur cette mme figure. Sachant que la tension continue VCC
est fixe par principe, ses variations sont nulles. La tension VCC se comporte donc pour les variations
comme un court-circuit.

Dessinons dans ces conditions le schma du montage aux variations (figure 3) en tenant
compte du fait que les condensateurs se comportent eux aussi comme des court-circuits.

ic
ib

Rg vce
vbe vs R C //R u
ve
+
eg R 1//R 2
-

Figure 3

Le schma de la figure 3 conduit dfinir la droite de charge dynamique du transistor liant la

variation de la tension vce celle de ic. Cette droite est diffrente de la droite de charge statique
(figure 4). En effet :

Elle passe par le point de repos (lorsque eg (t) est nul)

Son coefficient directeur est tel que : VCE = - (RC//Ru) IC.

2
 Caractristique de transfert IC en mA Caractristiques de sortie
20
VCE = 6.35 V IBen A
18 0

= 94 16 0
15
14 0
Saturation
Droite de charge dynamique
12 0

10
10 0

80
Variations de i c 6.5 mA P repos
60
5
40

20
IBen A Blocage
VCC
0
200 150 100 50 5 10 15 20
68 A 0,45 6.35 V VCE en V

0,5
Variations de V ce

0,55

P repos 0,6
0.618 V
0,65 Variations de V be

0,7
200 150 100 50
IB en A Caractristique dentre VBE en V

Figure 4 : illustration de leffet amplificateur

La figure 4 illustre avec les caractristiques du transistor leffet amplificateur. En effet, la

variation de la tension vbe (gales ve) autour de la tension VBE repos de 0.618 V, entrane une
variation du courant de collecteur autour de sa valeur de repos soit 6.5 mA. Compte-tenu de la
droite de charge dynamique, on obtient des variations de la tension vce (gales vs) de part et dautre
de sa valeur de repos 6.35 V. La tension sinusodale de sortie vs est donc en opposition de phase et
damplitude beaucoup plus grande que celle de ve.

Cependant lamplitude de la tension dentre ve doit tre faible sous peine de voir apparatre
une distorsion de la tension de sortie vs. En effet, si on augmente lamplitude de vbe, la non-linarit
de la caractristique dentre va produire une tension de sortie non sinusodale.

En rsum, pour tre en rgime linaire, on doit se contenter dappliquer des petites
variations sinusodales lentre du montage.

Dans tous les cas, la tension de sortie vs ne peut pas dpasser les deux limites qui
correspondent au blocage et la saturation du transistor.

3
 3 PARTIE : SCHEMA EQUIVALENT AU TRANSISTOR NPN (OU PNP) AUX
FREQUENCES MOYENNES ET AUX PETITES VARIATIONS

Si lamplitude de la tension dente ve est suffisamment petite (petites variations), le transistor NPN
(ou PNP) peut tre simul par le schma quivalent linaire suivant :

vbe rce
B
rbe
ib E C ic
gm vbe
ou i b

Figure 5 : schma quivalent au transistor NPN (ou PNP)

La jonction BE passante, est reprsente par sa rsistance dynamique rbe

Entre collecteur et metteur, leffet transistor est reprsent par un gnrateur de courant
dpendant de vbe ou de ib savoir : [gm.vbe] ou [ .ib].

La rsistance rce reprsente la rsistance interne du gnrateur de courant dpendant.

1) Mesure des paramtres sur les caractristiques du transistor.

Les paramtres rbe, et rce se dterminent graphiquement autour du point de repos :

dVBE dIC dVCE

rbe ( ) ( ) r ( )
dI B P r e p o s dI B VCE c o n s t a n t ce dIC IC c o n s t a n t
2) Calcul des paramtres

Il est plus commode de calculer les paramtres rbe, gm (transconductance) et rce du transistor partir
de la connaissance :
Son courant de repos IC repos (6.5 mA)
Du gain en courant (94)
De sa tension de Early VA (- 247 V) :

UT IC r e p o s VA VC E repos
rbe 361 gm 260mS rce 39k
IC repos UT IC repos

4
 4 PARTIE : DETERMINATION DES PERFORMANCES DU MONTAGE
AMPLIFICATEUR EMETTEUR COMMUN

Le calcul des performances du montage amplificateur seffectue sur le schma de la figure 6.

Ce schma est obtenu en remplaant dans la figure 3, le transistor par son schma quivalent en
[gm.vbe].

ig ib B C ic

g m vbe
Rg
vce
ve vbe rbe rce R C //R u
+ vs
eg
- R1 //R 2

Schma quivalent au transistor

Figure 6 : schma quivalent aux petites variations du montage complet.

Les rsultats du calcul des performances du montage sont rsums dans le tableau suivant :

vs
Gain en tension en charge: AV AV gm .(R ce // RC // Ru ) 253
ve
vs
Gain en tension vide: AV0 AV gm .(R ce // RC ) 494
ve
ve
Rsistance dentre vue par (eg, Rg) : Re R1 // R2 // rbe 296
ig
Rsistance de sortie vue par Ru * Rs Rce // RC 1.9k
R
Gain en puissance Ap AP 10log(Av2 e ) 40dB
Ru

(*)Mthode de lohmmtre permettant de calculer Rs :

Court-circuiter eg (et non ve).
Enlever Ru et mettre sa place un gnrateur sinusodal u qui dbite un courant i.
Dans ces conditions Rs est l'expression du rapport u / i.

Compte-tenu des rsultats du tableau, ltage amplificateur prend la forme de synthse suivante :

B C
1.9k
Rs
Rg
+
ve Re vs Ru
+ Av0 v e
eg -
296 -494 v e
- E

Rprsentation synthtique de ltage amplificateur

5
 5 PARTIE : PERFORMANCES DU MONTAGE AMPLIFICATEUR EN EMETTEUR
COMMUN SANS CAPACITE DE DECOUPLAGE DE LA RESISTANCE DEMETTEUR

Le montage tudi prcdemment est caractris par un gain en tension important.

Cependant, il faut pour cela dcoupler la rsistance dmetteur RE par un condensateur de
dcouplage Cd de forte valeur.
On se propose dtudier maintenant les performances du montage sans la capacit Cd sachant
que la polarisation est inchange. Le nouveau schma quivalent au montage complet aux petites
variations en ib (plus pratique pour ce montage) est indiqu en figure 7. La rsistance interne rce
du transistor est nglige car elle complique inutilement les calculs.

Schma quivalent au transistor

ib
ig B ib E C

rbe
Rg
ve R1 //R 2 RE vs R C //R u
+
eg
- (+1) ib

Figure 7
Lanalyse du schma permet de dterminer les expressions des performances du montage :

Rsistance dentre Gain en tension Rsistance de sortie

ve
Re R1 // R2 // rbe ( 1)R E (RC // Ru )
ig Av 9.6 Rs = RC = 2 k
rbe ( 1)RE
1.4 k

Ce montage amplificateur en metteur commun avec RE prsente des avantages par rapport au
montage o la rsistance RE est dcouple par Cd :

Sa rsistance dentre est plus grande

Dans certaines conditions, son gain en tension ne dpend plus du gain en courant du
RC // Ru
transistor. En effet, pour rbe << (+1) RE), on obtient alors : Av = -10.
RE

6
6 PARTIE : REPONSE EN FREQUENCE DU MONTAGE EMETTEUR COMMUN

Le schma quivalent de la figure 7 a permis de calculer le gain du montage Av aux

frquences moyennes (-9.6). Le signe ngatif du gain indique que la tension de sortie vs est en
opposition de phase avec la tension dentre ve.
Si on fait varier la frquence du gnrateur dexcitation eg dans un large domaine de
frquences, le module du gain Av ne sera pas constant. La figure 8 montre alors la courbe de
rponse du montage : Av F (f ) . On distingue sur le graphe :
La zone des frquences moyennes o le module du gain est constant (9.6)

Le domaine des basses frquences o le gain est plus faible. Les condensateurs de
liaisons et de dcouplage sont responsables de cette chute du gain.

Le domaine des hautes frquences o le gain chute nouveau. En H.F., le schma

quivalent du transistor prsent en figure 5 doit tre modifi pour tenir compte des
capacits des jonctions.

On dfini alors les deux frquences de coupure du montage fb et fh qui correspondent aux
frquences pour lesquelles le module du gain aux frquences moyennes est divis par 2 .La bande
passante du montage amplificateur f est donn par leur diffrence.

module de | Av | aux frquences moyennes Rponse en frquence Frequency (Hz)

+1 +10 +100 +1k +10k +100k +1Meg +10Meg

+10

+8

AV
Bande passante F
+6 2

+4

+2

+0e+000

MAG(V(VS)) *REAL(B.P.)*
fb = 6 Hz fh = 1.6MHz

Figure 8 : courbe de rponse en frquence

7
 Dans tout le domaine de frquences, par la prsence de condensateurs, le gain du montage
est un nombre complexe. Aussi le dphasage de la sortie par rapport lentre est fonction de la
frquence comme indiqu en figure 9.
Aux frquences moyennes ce dphasage est gal 180. Il tend vers zro en basses et hautes
frquences.

Dphasage de vs/ve Frequency (Hz)

+1 +10 +100 +1k +10k +100k +1Meg +10Meg

+200

+100

+0e+000

-100

-200

PH_DEG(V(VS))

Figure 9 : dphasage de vs/ve en fonction de la frquence.

8
 Amplificateur E.C transistor NPN

+VCC = + 20V

Schma aux petites variations des deux

R1 RC montages
7,10 V

6.5 mA rce
ve 1,25 V
0V vbe
68 A C L2 0V B E
rbe
vs ib
C L1 gm vbe C
Rg Rg
0,65 V ou ib
RU ve RE vs RC//Ru
R2 + R1//R2
+
eg RE eg
- -

Amplificateur E.C transistor PNP

+VCC = + 20V

R2 RE
( RC // Ru )
18.75 V
19.35 V Av =
13 V rbe + RE ( +1)
ve
0V
C L1 68 A Re = R1 // R2 // [rbe + RE ( +1)]
0V
Rg 6.5 mA C L2 vs Rs = RC
RU
+ R1
eg RC
-
 TRANSISTOR NPN : AMPLIFICATEUR COLLECTEUR COMMUN

+ VCC = + 15 V
C
9,6 V RB IC repos

0V C1 IB repos
9V
0V + VCC
B C2
15 V
Rg
1k

0,6 V E
ve
+ vs

50
RE RU
eg
-

Figure 1

Le schma d'un tage amplificateur transistor mont en collecteur commun, aliment sous une
tension d'alimentation VCC de 15 V, est donn en figure 1.Il utilise, T = 25 C, un transistor NPN
au silicium tel que : = 300, VBE = 0,6 V, Tension de Early : VA = - 200 V

1) On choisit le point de repos du transistor tel que : IC repos = 3 mA et VCE repos = 6 V.

Calculer la valeur de la rsistance d'metteur RE et de polarisation RB
Sous quelle tension continue sont charges les capacits C1 et C2 ?

2) Dessiner le schma quivalent du montage complet pour les petites variations imposes par le
gn-
rateur d'attaque sinusodal (eg, Rg ). Les capacits de liaisons C1 et C2 ont une impdance
ngligeable la frquence de travail. Choisir le schma en ib pour simuler le transistor.

3) Calculer la valeur des paramtres du transistor autour de son point de repos : r be , gm et rce.

4) Dterminer la rsistance d'entre Re du montage vue par le gnrateur d'attaque (eg , Rg).
On rappelle que Re = v e / ig o ig reprsente le courant variable impos par eg .

5) Chercher l'expression et calculer le gain en tension en charge : Av = vs /v e.

6) Calculer le gain en puissance Ap de l'tage en dciBels et son gain en courant Ai.

7) Chercher l'expression et calculer la rsistance de sortie Rs du montage vue par la rsistance Ru .

On rappelle la mthode gnrale permettant de construire le schma permettant le calcul de Rs :
Court-circuiter eg (et non ve ).
Enlever Ru et mettre sa place un gnrateur sinusodal u qui dbite un courant i.
Dans ces conditions Rs est l'expression du rapport u / i.

SOLUTION

1) On se place en rgime continu avec le gnrateur eg annul. Les capacits charges sous une
tension continue se comportent alors comme des circuits ouverts.
VEM = - VCE repos +V CC = 9V
VEM = RE ICrepos ( avec un de 300, le courant de base est ngligeable ). RE = 3 K
VBM = V BE repos + VEM = 9,6 V IB repos = IC repos / = 3 A R B = 540 k
Les tensions continues aux bornes des capacits sont indiques sur la figure 1.
2)
ig B rbe E (+1) ib

Rg ib
ve RB vs
+
eg rce RE Ru
ib
- C
Rqui

UT I C repos V CE repos + V A
3) rbe = = 2,5 K gm = = 0,12 mS r ce = = 68,7 K
I C repos UT I C repos

4) On crit lquation au noeud B :

v ig ve
ig = e + ib = 1 + 1 = Re R e = R B //
RB ve RB ve ib
ib
On recherche ensuite une relation liant v e et ib : v e = rbe i b + ( + 1) i b R qui

On obtient alors : R e = R B // rbe + ( + 1) R qui Re = 16,7 K

5) La tension de sortie est telle que : v s = ( + 1) i b R qui . Compte-tenu de lexpression de ve

prcdente :
( + 1) R qui
Av= = 0,855
rbe + ( + 1) R qui

Re AP
6) A P = 10 log A v 2 = 23,9 dB A i= = 285,6
Ru Av

7)
B rbe E i

ib i
+
Rg RB u u
rce RE -
ib
C

En sinspirant de la mthode indique en Q4, applique en amont du noeud E, on obtient :

u
i= + i' Rs = R E // rce // u
R E // rce i'
On recherche ensuite une relation entre u et i.
u = i b (rbe + R g // R B avec i' = ( + 1) i b entrane :
R g // R B + rbe
R s = R E // rce // = 11,6
+1
 ETAGE AMPLIFICATEUR : TRANSISTOR NPN EN BASE COMMUNE

+ VCC = + 15 V
RC
R1 1,2 K

C
C2
B
E
E
C1 vs

50
Rg RU
ve 6 K
Cd R2 RE
+
1 K
eg
-

M
Le schma d'un tage amplificateur transistor NPN mont en base commune est donn ci-dessus.
Il utilise un transistor NPN au silicium tel que, T = 25C :
= 100, VBE 0,6 V tension de Early : VA = - 100 V

1) Quelle valeur doit-on donner aux rsistances R1 et R2 pour polariser correctement le transistor
avec un courant de repos de collecteur IC = 4 mA ?

2) Dessiner le schma quivalent au montage complet aux petites variations et aux frquences
moyennes sachant que toutes les capacits ont alors une impdance ngligeable.
On utilisera le schma quivalent en " gm vbe " pour simuler le transistor.

3) Dterminer les paramtres rbe , gm et rce du transistor autour de son point de fonctionnement.

4) Chercher l'expression et calculer les caractristiques essentielles de cet tage amplificateur :

a) Le gain en tension en charge A v = vs/ve et vide Av0

b) La rsistance d'entre R e vue par le gnrateur d'attaque (eg, Rg )

c) La rsistance de sortie Rs vue par la rsistance d'utilisation Ru (montrer que R s peut se mettre
sous la forme : RC //k rce o k est une constante dont on donnera lexpression).
 SOLUTION

Question 1 :
+ VCC = + 15 V
4mA
23.6 k RC
R1 R1n : 22 k 10,2V 1,2 K
4,6V
IB = 40 A C

B
E 4V
10 IB = 400 A E
11.5 k
R2 RE
R2n : 10 k 1 K

Question 2 : schma quivalent au montage complet aux petites variations et aux frquences moyennes
sachant que toutes les capacits ont alors une impdance ngligeable.

rce
E

C
RG gm vbe
ve RE vbe rbe vs RC // Ru
+
eg
-
B

Question 3 :paramtres du transistor :

UT V A + V CE repos
rbe = = 625 g m = 40 IC repos = 160 mS r ce = = 26.5 k
IC repos IC repos

Question 4a :
ve vs vs
Equation au noeud C : g m v be =0 sachant que v be = -ve, on obtient :
rce R c // R u
1
A v = ( gm +
) (Rc // R // rce ) soit Av = +154
rce u

Gain en tension vide (Ru infinie) : Av0 = 183.7

Question 4b : Rsistance dentre Re vue par le gnrateur dattaque (eg ,Rg) :

v v
R = e = R // r // e
e ig E be
i

v e = rce (i+ g m v be )+ (Rc // R u ) i

 rce
ig E i i
C
RG gm vbe
ve RE vbe rbe vs RC // Ru
+
eg
-
B

Sachant que : ve = -vbe, il vient :

ve rce + (Rc // R u ) rce + (Rc // R u )

= soit : R e = R E // rbe //
i 1 + g m rce 1 + g m rce

A.N. la rsistance dentre est sensiblement gale (gm)-1 = 6.25 .

Question 4c : Rsistance de sortie vue par Ru.

Schma du montage selon la mthode de lohmmtre :

rce
E i i
i C
gm vbe +
Req
vbe u RC u
rbe // R E //R G -

R s = R c // u avec : u = rce (i' g m v be )+ R eq i' et v be = R eq i'

i'
il vient :

R eq
R s = R c // k.rce avec : k = 1 + g m R eq +
rce
A.N. Rs =1 k // 220 k = 995 .
 MONTAGES FONDAMENTAUX TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN

+ VCC + VCC + VCC

R1 RC R1 R1 RC

C C
B B

RG RU RG E E
RG RU
+ + R2 RE
eg
R2 RE eg
R2 RE RU +
eg
- -
-

Montage metteur commun Montage collecteur commun Montage base commune

1 rbe
Re = Rp // [rbe + ( +1) RE ] Re = Rp // [rbe + ( +1)(RE // RU )] Re =
gm
(rce // RC // RU ) ( + 1) (rce // RE // RU ) 1
Av = Av = 1 Av = (gm + ) (r // RC // Ru )
rbe + ( +1)RE rbe + ( + 1) (rce // RE // RU ) rce ce
(RG // Rp ) + rbe
Rs = RC // k' rce avec : k' > 1 Rs = RE // Rs = RC // k rce avec : k >1
+1

La rsistance Rp reprsente R1//R2.

Le formulaire est utilisable pour les montages transistors PNP.
I UT VA + VCE
Les paramtres du transistor sont tels que : gm = Crepos rbe = rce =
UT ICrepos ICrepos
La rsistance RG peut tre la rsistance de sortie de ltage amont et RU la rsistance dentre de ltage aval.
 CALCUL DES CAPACITES DE LIAISONS

+ VCC

RC1 RC2
C2

T2

T1
RG C1 vs RU

+
eg ve RE1 Cd RE2
-

Schma quivalent
petites variations et frquences moyennes

C1 C2
RG Rs

+ +
eg ve Re Av0 ve vs RU
- -

1 1
fce = fcs =
2 (RG + Re ) C1 2 ( Rs + Ru ) C2

Courbe de rponse en frquence du montage complet :

choix de lattnuation par rapport aux frquences moyennes
dB
dB
vs
At. (dB) eg f . moy.

0 f
f1 frquences moyennes

f 2 f 2
At(dB) = 10.log1 + 10.log1
ce
+ cs
f1 f1
 CALCUL DUNE CAPACITE DE DECOUPLAGE

+ VCC

RC1 RC2
C2

T2

T1
RG C1 vs
RU

+
eg ve RE1 Cd RE2
-

Schma quivalent
petites variations et frquences moyennes

Rth

+
eth v Cd
-

eth v 1
Fdcouplage = = 10.log1
+ 2
eth dB ( .Rth .Cd )

1
= Rth 10 0.1F 1dc

.Cd
 ASSOCIATION EMETTEUR COMMUN-BASE COMMUNE
(CASCODE)

emetteur com. base com.

+ VCC

R1 R3 RC2

T2
CL1
T1
CL2
Rg
vs1 vs2 Ru
ve R CD1 R4
+ 2
eg
-

Re1 = R1 // R2 // rbe1 1
Re2 =
gm2

AV1 = gm1 Re2 (

AV 2 = gm2 RC2 // Ru )
Rs2 = RC 2
 AMPLIFICATEUR CASCODE COMPENSE

+ VCC = +20 V
RC
R1
Base com. T2

VZ
Cp vs

6v 1.2 nF
R2

10 F Emetteur com. T1

Rg CL1
56 nF
ve
+ R3 RE CE
25 nF
eg
- 0 nF

vs g R 1+ j
= m C E = RCCp = RE CE 1 = E
1+ gm RE
C E
ve 1 + g m E
R (1+ j C )(1+ j 1 )

Courbe de rponse optimale lorsque :

RC.Cp = RE CE Large bande-Small Signal AC-8 Frequency (Hz)

+1k +3k +10k +32k +100k +316k +1Meg

+30

+25

+20

+15

+10

+5

+0e+000

-5
CE = 56 nF CE = 25 nF Sans CE *REAL(BP)*

fh = 40 kHz fh = 364 kHz fh = 512 kHz

 ASSOCIATION EMETTEUR COMMUN - COLLECTEUR COMMUN

+ VCC = +15 V

RC1 RC1= Re2 / k

IC1 +IB2

0, 6 V T2 0V
IB2
Rs impose
T1
vs
IC2
RE1 RE2 ? M (0 V)

- VEE = -15 V

On dsire avoir :

Une tension de repos en sortie nulle : VS = 0 V

Une rsistance de sortie Rs fixe
Une rsistance d entre de l tage T2 k fois plus grande que la rsistance de sortie de T1

UT V EE
r be2 = avec IC 2 =
1 I C2 R E2
R c1 = r + R E2
k be2 UT
r be2 = R
VEE E2

R c1 + rbe2
R s = RE2 / /

R E2 UT
R s = R E2 / / 1 + ( k + 1)
k V EE

ngligeable devant 1

R E2 = ( k + 1 ) R s
 Miroir de courant transistors PNP
+ VCC = +15 V

C1 C2 B2 B1
T1 T2
i gm1 vbe1 gm2vbe2
+
IC1 u rce1 vbe1 = vbe2
Iref
C1 -
R2
R1
E2 E1 rce2//rbe2//rbe1//R2
Dtermination de la rsistance de sortie vue par R1

Transistor en metteur commun charge active

+ VCC = +15 V

T1 T2

RB IC1
Iref
R2

T3

ve vs
RE

vbe rce
B E
rbe
ib i
C
gm vbe
ve RB RE ou ib vs r
ce1

Schema du montage complet en rgime des petites variations :

la rsistance rce1 de T1 constitue la charge de T3
 AMPLIFICATEUR SELECTIF EN EMETTEUR COMMUN

+ VCC

RC
CD1
SCHEMA EN REGIME CONTINU
+ VCC
R1
L
r C accord R1 RC + r

CL1
CL2

Rg vs
ve R2 RE
+ R2 RE CD2
eg
-

SCHEMA DU MONTAGE

SCHEMA EN REGIME SINUSOIDAL PETITES VARIATIONS

L 2
QL = 0
LC 0 =1
r

Rg
ve
+ rbe Rqui vs L
vbe C accord
eg gm vbe
-
R1//R2
Rqui = rce // Q 2L .r

COURBE DE REPONSE EN FREQUENCE

gm Rqui
vs
ve
gm Rqui
2

f0

f0 Rqui
f = avec: Q =
Q L 0