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Winkowski Yoan

Tiraboschi Ugo

Rapport de laboratoire d’électronique


Manipulation 9 : Relevé des caractéristiques d’un transistor

Bac 1 en électronique
Cours enseigné par Mr TAIRA 2021-2022
Introduction :
Cette manipulation a pour but de tracer le réseau de caractéristique d’un transistor afin de
déterminer ses propriétés pour ensuite l’utiliser dans divers montages et mettre en évidence
les possibilités d’utilisation.
Pour réaliser tout cela nous avons besoins du matériel suivant :
- Une alimentation stabilisée
- Une plaquette d’essais
- 4 multimètres pour mesurer le courant et la tension
- Un transistor de type NPN avec β = 173
- Des câbles bananes-bananes et bananes-croco
- 2 résistances de protection Rb = 180kΩ et Rc = 1kΩ

Rappel théorique :

Le transistor bipolaire peut être utilisé comme amplificateur ou en commutation, il est


composé d'un barreau de semi-conducteur entre 2 autres types opposés. Il est constitué
d'une base d'un émetteur et d'un collecteur 2 jonctions constitue transistor ces derniers
peuvent être assimilés à 2 diodes son sens dépends du type du transistor (NPN, PNP).

Zone linéaire :
Ic=β.iB β est le gain en courant que le transistor produit.
La beta peut être trouver grâce à la fiche technique du constructeur. VCE est compris entre 0
volts et la tension d'alimentation du montage. Lorsque la jonction base émetteur conduit VBE
vaut 0,7V dans ce cas, nous diront que le transistor est passant. Lorsque le courant IC n'est
plus proportionnel à la valeur du courant IB. Il a atteint sa valeur maximum définit par le
constructeur. Nous pourrons le comparer à un interrupteur fermé.
Donc VCE=0V

Zone de blocage :
Lorsqu'il est dans cette zone nous pouvons le comparer à un interrupteur ouvert, nous
dirons qu'il est en zone de blocage lorsqu'il n'a pas atteint les 2 dernières zones.
IB=0V VBE=0,7V IC=0V
Schéma :

Ic=f(Vce) pour 4 valeurs de Ib différentes :

Mesure 100 µA 80 µA 60 µA 40 µA
(V) Ic (mA) Vce (mV) Ic (mA) Vce (mV) Ic (mA) Vce (mV) Ic (mA) Vce (mV)
0 0 25 0 23 0 23 0 23
0,1 0 37 0 41 0 44 0 49
0,2 0,1 48 0,2 56 0,1 60 0,1 67,2
0,3 0,2 54 0,2 61 0,2 71 0,2 78,1
0,4 0,3 62 0,3 68 0,3 76 0,3 82,5
0,5 0,4 67 0,4 74 0,4 79 0,4 90,4
0,7 0,5 72 0,6 86 0,6 90 0,6 103,3
1 0,9 90 0,9 94 0,9 105 0,9 114,7
3 2,9 139 2,9 146 2,8 157,7 2,8 165
6 5,9 189 5,9 199 5,9 213,6 5,8 244,4
9 8,7 231 8,9 250 8,7 283,7 6,8 2200
12 11,7 280 11,9 321 10,2 2039 7,1 4900
15 14,9 350 13,5 1544 10,6 4504 7,4 7500
17 16,6 700 14 3290 11 6050 7,7 9250
20 17,7 2613 14,6 5342 11,6 8450 8,1 11900
Zone de Zone linéaire

saturation

30

25

20
Ic (mA)

15

10

0
-1000 1000 3000 5000 7000 9000 11000 13000 15000

Vce (mV)
100 uA 80uA 60uA 40uA courbe isopuissance

Zone linéaire car Ic=β.iB et zone saturation car Ic est diffèrent de β.iB

Ic = f(Ib) pour 3 valeurs de Uc différentes :

Mesure 2V 4V 6V
V)( Ic (mA) Ib (µA) Ic (mA) Ib (µA) Ic (mA) Ib (µA)
0 0 0 0 0 0 0
0,1 0 0 0 0 0 0
0,2 0 0 0 0 0 0
0,3 0 0 0 0 0 0
0,4 0 0,1 0 0,1 0 0,1
0,5 0 0,1 0 0,3 0 0,3
0,7 0,1 0,7 0,1 0,7 0,1 0,8
1 0,3 2,1 0,3 2,3 0,3 2,2
3 1,8 13,1 2,1 12,6 2,2 12,9
6 1,8 30,2 3,7 28,7 4,9 28,6
9 1,8 45,2 3,8 45,3 5,8 45,5
12 1,8 61,8 3,8 62 5,8 61,8
15 1,9 78,7 3,8 77,6 5,8 78,6
17 1,9 89,3 3,8 88,6 5,8 88,3
20 1,9 105 3,8 105,5 5,8 105,3
Zone de saturation Zone linéaire
7

4
Ic(mA)

0
0 20 40 60 80 100 120

Ib(µA)
2V 4V 6V

Ib = f(Vbe) :

Mesure Vc 10V
(V) Ib (µA) Vbe (mV)
0 0 37
0,1 0 76
0,2 0 180
0,3 0 314
0,4 0,1 412
0,5 0,1 463
0,7 0,6 565
1 2,2 606
3 12,8 652
6 29,1 681
9 45,8 704
12 61,7 719
15 77,8 721
17 89 722
20 104,5 723
120

100

80
Ib(µA)

60

40

20

0
0 100 200 300 400 500 600 700 800

Vbe(mV)

Ic = f(Vbe) :

Mesure Vc 10V
(V) Ic (µA) Vbe (mv)
0 0 27
0,1 0 87
0,2 0 190
0,3 0 342
0,4 0 382
0,5 2,2 470
0,7 109,8 568
1 460 608
3 2420 652
6 5390 680
9 8030 701
12 9720 717
15 9770 720
17 9780 721
20 9790 922
12000

10000

8000
Ic (uA)

6000

4000

2000

0
0 100 200 300 400 500 600 700 800

Vbe (mV)

Conclusion :
Grâce à cette manipulation nous avons pu étudier et tracer les différentes caractéristiques
du transistor ce qui nous a permis de mieux comprendre son fonctionnement et son
comportement en fonction de différentes variables.

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