Académique Documents
Professionnel Documents
Culture Documents
EN HAUTES FREQUENCES
Considérons en figure 1, une jonction PN au silicium de section S, polarisée en inverse par une
tension Vinv. De part et d’autre de la jonction métallurgique, il s’établit une zone de charge
d’espace d’épaisseur W, due à la présence d’ions de silicium négatifs du côté P et d’ions de
silicium positifs du côté N (voir le document « théorie générale du semi-conducteur »). La
jonction est traversée par un courant IS de valeur très faible et sa résistance Rinv est élevée.
Vinv
+
SiP N a SiN Nd
A K
On rappelle que la zone de charge d’espace, vide de porteurs libres s’étend sur une distance W :
2ε0εsi 1 1
W = ( + )(VΦ + Vinv ) (1)
q Na Nd
N N
Où VΦ représente le potentiel de diffusion : VΦ = UT ln( a 2 d ) (2)
ni
Na est la concentration en atomes accepteurs et Nd en atomes donneurs, ni la concentration
intrinsèque du silicium, ni = 1.45.1010 cm-3 à 300K, ε0 = 8.8510-14 F/cm et εsi = 12.
On met en série (figure2) avec la tension continue de polarisation Vinv, un générateur sinusoïdal
(eg, Rg) d’amplitude faible pour travailler aux petites variations.
eg
Vinv - + Rg
+
SiP Na SiN N d
A K
Figure 2
CT 0
CT = (4)
VΦ
1+
Vinv
Où CT0 représente la valeur de la capacité de transition pour la tension Vinv nulle.
Ce phénomène est exploité dans les diodes dites « varicap » qui permettent notamment de faire
varier l’accord d’un récepteur de radio ou de télévision. La figure 3 illustre le domaine de
variation de la capacité de ce type de diodes, pour des tensions inverses de 0,1 à 30V.
Le schéma aux petites variations de la diode en H.F. (figure 4) sera alors le suivant :
Rg
+
eg Rinv CT
-
- +
SiP Na - +
SiN++ Nd
A - + K
- +
- +
Section S
W
Figure 5 : Jonction en direct, passage de porteurs de part et d’autre de la jonction
2
La jonction est maintenant polarisée en mode passant (figure 5) avec la tension Vdirect. La zone
de charge d’espace est toujours présente. Cependant son épaisseur W est plus faible que dans la
situation précédente, en effet la relation (1) devient :
2ε0ε si 1 1
W direct = ( + )(V − Vdirect ) (5)
q Na Nd Φ
Une capacité de transition se manifeste à nouveau, mais on peut la considérer comme
négligeable devant un autre phénomène qui conduit à définir une capacité de diffusion CD.
En effet, des électrons majoritaires dans N sont injectés dans le silicium P et des trous
majoritaires dans P sont injectés dans le silicium N. Considérons le premier phénomène.
Comme le montre la figure 6, une forte concentration ∆n(0) d’électrons libres sont injectés dans
le silicium P en x = 0, début de la zone P. Ces électrons vont se recombiner avec les nombreuses
liaisons de covalences libres (les trous) dans le silicium P. Ce phénomène de recombinaison
n’est pas instantané, en effet, les électrons injectés ont une certaine durée de vie τn (de l’ordre
10-9 s).
Concentration des électrons libres injectés dans SiP
SiP N a
∆n(x)
∆n(0)
x 0
La loi de disparition de la surpopulation ∆n (x) des électrons injectés dans SiP est telle que :
x
∆n ( x ) = ∆n ( 0 ) exp(− ) (6)
Ln
où Ln est la longueur de diffusion des électrons dans SiP (de l’ordre d’une dizaine µm).
d ( ∆n ( x )) Dn
I A = − qSDn ( )x = 0 soit : I A = Sq ∆n ( 0 ) (8)
dx Ln
Imaginons maintenant que l’on mette en série avec la tension continue de polarisation Vdirect, un
générateur sinusoïdal (eg, Rg) d’amplitude faible pour travailler aux petites variations (dV). On
va faire varier de la quantité dQn la charge Qn. On définit alors la capacité de diffusion :
dQn dI
CD = = τn A (10)
dV dV
dV UT
Sachant que la résistance dynamique rd de la diode est telle que : rd = = , on obtient :
dI A IA
τn
CD = I (11)
UT A
La capacité de diffusion de la diode est proportionnelle à son courant IA. Le schéma (figure 7)
aux petites variations en hautes fréquences de la diode passante sera alors le suivant :
Rg
+
eg rd CD
-
4
2iére PARTIE : LE TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN (ou PNP)
La figure 8 représente la coupe d’un transistor NPN intégré. Pour obtenir aux petites variations, un
modèle fiable en H.F., il faut maintenant distinguer la base externe B accessible physiquement, de
la base interne B’ du transistor intrinsèque située sous le silicium N++ de l’émetteur. La liaison entre
la base B et la base interne B’ fait apparaître une résistance d’accès rbb’ qui est de l’ordre de 50Ω.
E B C
rbb’ mur P+
B’
N épitaxié
Transistor intrinsèque
Figure 8 : coupe d’un transistor NPN
B’ Cb’c
B C
rbb’
vbe vb’e rb’e rce vce
Cb’e gm vb’e
E E
ICrepos V + VCE
La transconductance gm est inchangée : gm = et rce = A .
UT ICrepos
Remarque : si on considère que les bases B et B’ sont confondues (rbb’ = 0Ω), et que l’on travaille
aux fréquences moyennes (Cb’e et Cb’c négligeables), on retrouve le schéma classique du transistor.
Son expression est analogue à celle qui a été obtenue pour la diode bloquée :
5
Cb©c0
Cb©c = (12)
V
1 + BC
VΦBC
Les résultats obtenus pour la jonction polarisée en direct ne sont pas directement exploitables.
En effet, dans le cas d’un transistor NPN, il y a bien injection d’électrons issus de l’émetteur,
dans la base P où ils sont minoritaires (figure 10). Cependant, la longueur de diffusion Ln de ces
électrons est très supérieure à l’épaisseur WB de la base (inférieure au micromètre).
Dans ces conditions on va considérer que la surpopulation des électrons injectés ∆n (x) varie
linéairement de ∆n (0) à ∆n (WB). La relation (6) est développée au premier ordre :
x
∆n ( x ) = ∆n ( 0 )( 1 − ) (13)
Lp
IE IC
ZCE (B-E) ZCE (B-C)
IB
+
V BE V CB
Exprimons la population des électrons ∆n (WB ), qui a traversé la base B’ sans se faire
recombiner avec les trous, et qui vont créer le courant de collecteur IC :
W
∆n (W B ) = ∆n ( 0 )( 1 − B )
Ln
La charge QB correspondant aux électrons qui se recombinent dans la base est alors donnée par
le calcul de la surface du triangle de la figure 10 :
1 1 ∆n ( 0 ).W B2
QB = qS ( ∆n ( 0 ) − ∆n (W B )).W B = qS (14)
2 2 Ln
Le courant IE est le résultat de la diffusion dans le SiP de la surpopulation ∆n (0) :
d ( ∆n ( x )) Dn
I E = − qSDn ( )x = 0 soit : I E = Sq ∆n ( 0 ) (15)
dx Ln
Où Dn représente la constante de temps de diffusion des électrons dans P.
6
En éliminant ∆n (0) entre les expressions de QB et IE, on obtient :
1 W B2
QB = I = τ B IE (16)
2 Ln E
Le transistor bipolaire est un générateur de courant dépendant : β ib. Comment évolue son gain
en courant β en fonction de la fréquence compte-tenu de la présence des deux capacités Cbe et
Cbc ?
+VCC
ig (ω) Cb’c
B B’ C
ICrepos+ic (ω)
rbb’
vb’e rb’e Cb’e ic (ω)
IBrepos
ig (ω) gmvbe
rb©e ic gm . rb©e
v b©e = ig ic = gm vbe = β (ω ) = (18)
1 + jω. rb©e .Ce ig 1 + jω. rb©e .Ce
7
Dans la relation (18), le produit (gm.rb’e) est le gain en courant β 0 du transistor aux très basses
fréquences alors que le premier membre de la relation représente de gain en courant β (ω). On
écrit donc sous la forme de Bode :
β0
β (ω ) = (19)
f
1 + jω
fβ
1
Le gain en courant du transistor est une fonction du premier ordre où f β = est la
2π . rb©e .Ce
fréquence de coupure à –3dB du gain en courant du transistor.
Exemple à 300K :
β 0 100
10
β (f)
0.1 Hz
4 5 6 7 8 9
1 10 1 10 1 10 1 10 1 10 1 10
fβ fT
A la fréquence dite de « transition » fT, le gain en courant est égal à 1. Au-delà, le transistor
devient un atténuateur de courant. Autrement dit, fT représente la fréquence maximale
d’utilisation du transistor. Elle est indiquée par tous les constructeurs de composants.
Explicitons la fréquence de transition. On montre facilement en prenant le module de la relation
(19) que :
fT ≈ β0 . f β (20)
soit :
8
β0 UT ICrepos
fT = avec : rbe = β0 fT = (21)
2π . rb©e ( Cb©e + Cb©c ) ICrepos 2π .UT .( Cb©e + Cb©c )
Ln
fT ≈ . (22)
UT .W B2
9
3iére PARTIE : LES TRANSISTORS JFET ET MOSFET EN H.F.
Grille VDS
ID D
P
Z ID
VGS G
Drain VDS
- VGS Positif
L canal N
+ Négatif S
Source
N Z.C.E.
Si N
Si P IDSS, V P
Z.C.E
Dans ce dispositif caractérisé, par son courant maximal de drain IDSS et sa tension de pincement
VP, les jonctions Grille-source et Drain-Grille sont bloquées. Son schéma aux petites variations
en H.F (figure 15) est obtenu en ajoutant au schéma en B.F. deux capacités de transition : Cgs et
Cdg.
id
Grille Drain
Cgd
Source
Figure 15 : Schéma équivalent au JFET N ou P en H.F.
Cgs0 Cgd 0
• Cgs = Cgd =
VGS VGD
1+ 1+
VΦgs VΦgd
2 1 + λ.VDS
• gm = I D . I DSS rds =
VP λ .ID
La résistance rgs parfois négligée, est de l’ordre du méga ohm. La capacité Cgs est de l’ordre de
quelques pF alors que Cdg est de quelques dixièmes de pF. La fréquence de transition qui
correspond à la fréquence où le rapport (ic /vgs) est égal à l’unité est telle que :
gm
fT =
2π .( Cgs + Cdg )
10
2) Transistor MOSFET canal N ou P.
S G D
B
ID
W D
G +
+ VDS
VGS
L N++
Al S
Substrat P Bulk
W, L, V th
Si O 2 épaisseur eox Si O2
P
Dans ce dispositif est caractérisé, quel que soit son type, par sa tension de seuil Vth et les
dimensions W et L de son canal, les jonctions Grille-source et Drain-Grille sont bloquées.
Son schéma aux petites variations en H.F (figure 16) est obtenu en ajoutant au schéma en B.F.
deux capacités de transition Cgs et Cdg.
id
Grille Drain
Cgd
Source
Figure 17 : Schéma équivalent en H.F. du Transistor MOS canal N ou P.
La résistance rgs très importante n’apparaît pas sur le schéma. Pour les MOS actuels, de très
faibles dimensions W et L, la capacité Cgs est de l’ordre de 10-14 F ainsi que la capacité drain
grille Cdg. On rappelle les relations importantes :
Cox W
• gm = 2 K . I D . où : K = µn ( ou ) p
2 L
1 + λ.VDS
• rds =
λ .ID
gm
• fT =
2π .( Cgs + Cdg )
11