Académique Documents
Professionnel Documents
Culture Documents
Faculté de Technologie
Département d'électrotechnique
Electronique de puissance (LET,52)
Chapitre 3
Les Convertisseurs Alternatifs/Continu
Les Montages Redresseurs monophasés commandés
3-1- Redressement simple alternance commandé par thyristor
3-1-1-charge résistive
a- Montage
𝑣 = 𝑉𝑀 ∙ 𝑠𝑖𝑛𝜃 avec 𝜃 = 𝜔 ∙ 𝑡
𝑉𝑀 = 𝑉𝑒𝑓𝑓 ∙ √2
𝜔 =2∙𝜋∙𝑓
1
𝑓= = 50𝐻𝑧 → 𝑇 = 20𝑚𝑠
𝑇
𝑇 =2∙𝜋 Montage simple alternance commandé Sur Résistive
b- Principe de fonctionnement
On amorce le thyristor à 𝜔 ∙ 𝑡1 = 𝛼
• 𝑣 − 𝑣𝑇 −𝑣𝐶 = 0 ⇒ 𝑣𝑇 = 𝑣
• pour 0 < 𝜃 < 𝛼
• 𝑣𝐶 = 0
𝑣 > 0 𝑒𝑡 𝑖𝐺 = 0 ⇒T est bloqué ⇒
• 𝑖𝐶 = 𝑖 = 𝑖 𝑇 = 0
• 𝑣𝑇 = 0
• pour 𝛼 < 𝜃 < 𝜋
• 𝑣𝐶 = 𝑣 = 𝑉𝑀 ∙ 𝑠𝑖𝑛𝜃
𝑣 > 0 𝑒𝑡 𝑖𝐺 > 0 ⇒T est passant ⇒ 𝑣𝐶 𝑣
• 𝑖𝐶 = 𝑅
= 𝑅 = 𝑖 = 𝑖𝑇
• 𝑣 − 𝑣𝑇 −𝑣𝐶 = 0 ⇒ 𝑣𝑇 = 𝑣
• pour 𝜋 < 𝜃 < 2 ∙ 𝜋
• 𝑣𝐶 = 0
𝑣 < 0 𝑒𝑡 𝑖 𝑇 = 0 ⇒T est bloqué ⇒
• 𝑖𝐶 = 𝑖 = 𝑖 𝑇 = 0
• La valeur moyenne de la tension de sortie est positive et dépend des paramètres de la tension d'entrée et 𝛼.
• La tension maximale à supporter par le thyristor en inverse est: 𝑉𝑇𝑚𝑎𝑥 = −𝑉𝑀
〈𝑣𝐶 〉 𝑉𝑀
〈𝑖𝐶 〉 = = (1 + 𝑐𝑜𝑠𝛼) = 〈𝑖〉 = 〈𝑖 𝑇 〉
𝑅 2∙𝜋∙𝑅
Application numérique :
220∙√2 〈𝑣𝐶 〉 89.6𝑉
𝑉𝑒𝑓𝑓 = 220𝑉 , 𝛼 = 36° et 𝑅 = 100𝛺⇒〈𝑣𝐶 〉 = 2∙𝜋
(1 + 𝑐𝑜𝑠36) = 89.6𝑉 et 〈𝑖𝐶 〉 = 𝑅
= 100
= 0.896𝐴 et
𝑉𝐷𝑚𝑎𝑥 ≅ −311𝑉
𝑉𝑀 = 𝑉𝑒𝑓𝑓 ∙ √2
𝜔 =2∙𝜋∙𝑓
1
𝑓= = 50𝐻𝑧 → 𝑇 = 20𝑚𝑠
𝑇
𝑇 =2∙𝜋 Montage simple alternance commandé sur R-L
b- Principe de fonctionnement
On amorce le thyristor à 𝜔 ∙ 𝑡1 = 𝛼
• 𝑣 − 𝑣𝑇 −𝑣𝐶 = 0 ⇒ 𝑣𝑇 = 𝑣
• pour 0 < 𝜃 < 𝛼
• 𝑣𝐶 = 0
𝑣 > 0 𝑒𝑡 𝑖𝐺 = 0 ⇒T est bloqué ⇒
• 𝑖𝐶 = 𝑖 = 𝑖 𝑇 = 0
𝜃1 −𝛼
Le thyristor cesse de conduire à 𝜃𝑒𝑥𝑡 = 𝜃1⇒𝑖𝐶 = 0⇒sin(𝜃1 − 𝜑) − sin(𝛼 − 𝜑) ∙ 𝑒 − 𝜏 =0
• 𝑣 − 𝑣𝑇 −𝑣𝐶 = 0 ⇒ 𝑣𝑇 = 𝑣
• pour 𝜃1 < 𝜃 < 2 ∙ 𝜋
• 𝑣𝐶 = 0
𝑣 < 0 𝑒𝑡 𝑖 𝑇 = 0 ⇒T est bloqué ⇒
• 𝑖𝐶 = 𝑖 = 𝑖 𝑇 = 0
𝑉𝑀 = 𝑉𝑒𝑓𝑓 ∙ √2
𝜔 =2∙𝜋∙𝑓
1
𝑓= = 50𝐻𝑧 → 𝑇 = 20𝑚𝑠
𝑇
𝑇 =2∙𝜋 Montage double alternances
b- Principe de fonctionnement
On amorce le thyristor à 𝜔 ∙ 𝑡1 = 𝛼
• 𝑖𝐶 = 𝑖 = 𝑖 𝑇1 = 𝑖 𝑇2 = 𝑖 𝑇3 = 𝑖 𝑇4 = 0
• 𝑣𝐶 = 0
• Pour 0 < 𝜃 < 𝛼
• 𝑣𝑇3 = 𝑣𝑇4 (𝑡ℎ𝑦𝑟𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟𝑠 𝑖𝑑𝑒𝑛𝑡𝑖𝑞𝑢𝑒𝑠)
𝑣 > 0 𝑒𝑡 𝑖𝐺 = 0
⇒Tous les thyristors sont bloqués ⇒ • 𝑣 + 𝑣𝑇4 +𝑣𝐶 +𝑣𝑇3 = 0
𝑣 𝑉𝑀 ∙ 𝑠𝑖𝑛𝜃
⇒ 𝑣𝑇4 = − = −
2 2
• 𝑣𝑇1 = 𝑣𝑇2 = 0
• 𝑖 𝑇3 = 𝑖 𝑇4 = 0
• pour 𝛼 < 𝜃 < 𝜋 • 𝑣 − 𝑣𝑇1 −𝑣𝐶 −𝑣𝑇2 = 0⇒𝑣𝐶 = 𝑣
𝑣 > 0 𝑒𝑡 𝑖𝐺 > 0 • 𝑖𝐶 =
𝑣𝐶 𝑣
=
𝑅 𝑅
𝑇1 𝑒𝑡 𝑇2 𝑠𝑜𝑛𝑡 𝑝𝑎𝑠𝑠𝑎𝑛𝑡𝑠
⇒{
et T3 et T4 sont bloqués
}⇒ • 𝑖 = 𝑖 𝑇1 = 𝑖 𝑇2 = 𝑖𝐶
• 𝑣 − 𝑣𝑇1 +𝑣𝑇3 = 0 ⇒ 𝑣𝑇3 = −𝑣
• 𝑣𝐶 + 𝑣𝑇1 +𝑣𝑇4 = 0 ⇒ 𝑣𝑇4 = −𝑣𝐶 = −𝑣
• 𝑖𝐶 = 𝑖 = 𝑖 𝑇1 = 𝑖 𝑇2 = 𝑖 𝑇3 = 𝑖 𝑇4 = 0
• 𝑣𝐶 = 0
• Pour 𝜋 < 𝜃 < 𝜋 + 𝛼
• 𝑣𝑇3 = 𝑣𝑇4 (𝑡ℎ𝑦𝑟𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟𝑠 𝑖𝑑𝑒𝑛𝑡𝑖𝑞𝑢𝑒𝑠)
𝑣 < 0 𝑒𝑡 𝑖𝐺 = 0
⇒Tous les thyristors sont bloqués ⇒ • 𝑣 + 𝑣𝑇4 +𝑣𝐶 +𝑣𝑇3 = 0
𝑣 𝑉𝑀 ∙ 𝑠𝑖𝑛𝜃
⇒ 𝑣𝑇4 = − = −
2 2
• 𝑣𝑇3 = 𝑣𝑇4 = 0
• 𝑖 𝑇1 = 𝑖 𝑇2 = 0
𝑣𝐶 −𝑣
• pour 𝛼 + 𝜋 < 𝜃 < 2 ∙ 𝜋 • 𝑖𝐶 = =
𝑅 𝑅
𝑣 < 0 𝑒𝑡 𝑖𝐺 > 0 • 𝑖 𝑇3 = 𝑖 𝑇4 = 𝑖𝐶
𝑇1 𝑒𝑡 𝑇2 𝑠𝑜𝑛𝑡 bloqués • 𝑖 = −𝑖𝐶
⇒{ }⇒
et T3 et T4 sont passants
• 𝑣 + 𝑣𝑇4 +𝑣𝐶 +𝑣𝑇3 = 0⇒𝑣𝐶 = −𝑣
• 𝑣 − 𝑣𝑇1 +𝑣𝑇3 = 0 ⇒ 𝑣𝑇1 = 𝑣𝐶 = 𝑣
• 𝑣𝐶 + 𝑣𝑇3 +𝑣𝑇2 = 0 ⇒ 𝑣𝑇2 = −𝑣𝐶 = −𝑣
c- Valeur moyenne de la tension 𝑣𝐶 et du courant 𝑖𝐶
1 𝜋 1 𝜋 𝑉𝑀 𝑉𝑀
〈𝑣𝐶 〉 = ∫ 𝑣𝐶 ∙ 𝑑𝜃 = ∫ 𝑉𝑀 ∙ 𝑠𝑖𝑛𝜃 ∙ 𝑑𝜃 = [−𝑐𝑜𝑠𝜃]𝜋𝛼 = (1 + 𝑐𝑜𝑠𝛼)
𝜋 𝛼 𝜋 𝛼 𝜋 𝜋
1 𝜋 2 1 𝜋 𝑉𝑀2 (1 − 𝑐𝑜𝑠2𝜃) 𝑉𝑀2 𝑠𝑖𝑛2𝜃 𝜋
𝑉𝐶𝑒𝑓𝑓 2 = ∫ 〈𝑣𝑐 〉 ∙ 𝑑𝜃 = ∫ 𝑉𝑀2 ∙ (𝑠𝑖𝑛𝜃)2 ∙ 𝑑𝜃 = ∫ ∙ 𝑑𝜃 = ∙ [𝜃 − ]
𝜋 𝛼 𝜋 𝛼 𝜋 2 2∙𝜋 2 𝛼
𝑉𝑀2 𝑠𝑖𝑛2𝛼 𝑉𝑀2 𝛼 𝑠𝑖𝑛2𝛼
= ∙ [(𝜋 − 0) − (𝛼 − )] = ∙ [1 − + ]
2∙𝜋 2 2 𝜋 2∙𝜋
𝑉𝑀 𝛼 𝑠𝑖𝑛2𝛼
⇒ 𝑉𝐶𝑒𝑓𝑓 = ∙ √1 − +
√2 𝜋 2∙𝜋
〈𝑣𝐶 〉 𝑉𝑀
〈𝑖𝐶 〉 = = (1 + 𝑐𝑜𝑠𝛼)
𝑅 𝜋∙𝑅
𝑉𝐶𝑒𝑓𝑓
𝑖𝐶𝑒𝑓𝑓 =
𝑅
〈𝑖𝐶 〉 𝑉𝑀
〈𝑖 𝑇1 〉 = = (1 + 𝑐𝑜𝑠𝛼)
2 2. 𝜋 ∙ 𝑅
〈𝑖〉 = 0
𝑣 > 0 𝑒𝑡 𝑖𝐺 > 0 • 𝑖 = 𝑖 𝑇1 = 𝑖 𝑇2 = 𝐼𝐶
2 1 𝜋+𝛼 2 1 𝜋+𝛼 2 2
𝑉𝑀2 𝜋+𝛼 (1 − 𝑐𝑜𝑠2𝜃) 𝑉𝑀2 𝑠𝑖𝑛2𝜃 𝜋+𝛼
𝑉𝐶𝑒𝑓𝑓 = ∫ 〈𝑣 〉
𝑐 ∙ 𝑑𝜃 = ∫ 𝑉𝑀 ∙ (𝑠𝑖𝑛𝜃) ∙ 𝑑𝜃 = ∫ ∙ 𝑑𝜃 = ∙ [𝜃 − ]
𝜋 𝛼 𝜋 𝛼 𝜋 𝛼 2 2∙𝜋 2 𝛼
𝑉𝑀2 𝑠𝑖𝑛2(𝜋 + 𝛼) 𝑠𝑖𝑛2𝛼 𝑉𝑀2 𝑉𝑀
= ∙ [(𝜋 + 𝛼 − ) − (𝛼 − )] = ⇒ 𝑉𝐶𝑒𝑓𝑓 =
2∙𝜋 2 2 2 √2
〈𝑖𝐶 〉 𝐼𝐶
〈𝑖𝐶 〉 = 𝐼𝐶 , 〈𝑖 𝑇 〉 = =
2 2
〈𝑖〉 = 0
3-2-3-redresseur en pont sur une charge R- E
a- Montage
𝑣 = 𝑉𝑀 ∙ 𝑠𝑖𝑛𝜃 avec 𝜃 = 𝜔 ∙ 𝑡
𝑉𝑀 = 𝑉𝑒𝑓𝑓 ∙ √2
𝜔 =2∙𝜋∙𝑓
1
𝑓= = 50𝐻𝑧 → 𝑇 = 20𝑚𝑠
𝑇
𝑇 =2∙𝜋 Montage double alternances
b- Principe de fonctionnement
On amorce le thyristor à 𝜔 ∙ 𝑡1 = 𝛼
• 𝑖𝐶 = 𝑖 = 𝑖 𝑇1 = 𝑖 𝑇2 = 𝑖 𝑇3 = 𝑖 𝑇4 = 0
• pour 0 < 𝜃 < 𝜃1 • 𝑣𝐶 = 𝐸
𝑣 < 𝐸 ∀ 𝑖𝐺 > 0 • 𝑣𝑇4 = 𝑣𝑇3 (thyristors identiques)
𝑇1 𝑒𝑡 𝑇2 𝑠𝑜𝑛𝑡 𝑏𝑙𝑜𝑞𝑢é𝑠
⇒{ } ⇒ • 𝑣 + 𝑣𝑇4 +𝑣𝐶 + 𝑣𝑇3 = 0
𝑇3 𝑒𝑡 𝑇4 𝑠𝑜𝑛𝑡 𝑏𝑙𝑜𝑞𝑢é𝑠
𝑣−𝑣𝐶 𝑣−𝐸
• ⇒ 𝑣𝑇4 = 2
= 2
𝜃2 = 𝜋 − 𝜃1 ⇒ 𝑣𝐶 = 𝑣 = 𝑅 ∙ 𝑖𝑐 + 𝐸
𝑣−𝐸
𝑣 > 𝐸 𝑒𝑡 𝑖𝐺 > 0 • 𝑖𝐶 = 𝑅
= 𝑖 = 𝑖 𝑇1 = 𝑖 𝑇2
𝑇1 𝑒𝑡 𝑇2 𝑠𝑜𝑛𝑡 𝑝𝑎𝑠𝑠𝑎𝑛𝑡𝑠
⇒{ } ⇒ • 𝑣𝐶 + 𝑣𝑇1 +𝑣𝑇4 = 0 ⇒ 𝑣𝑇4 = −𝑣𝐶 = −𝑣
𝑇3 𝑒𝑡 𝑇4 𝑠𝑜𝑛𝑡 𝑏𝑙𝑜𝑞𝑢é𝑠
{
𝑇1 𝑒𝑡 𝑇2 𝑠𝑜𝑛𝑡 𝑏𝑙𝑜𝑞𝑢é𝑠
} • 𝑣 + 𝑣𝑇4 +𝑣𝐶 + 𝑣𝑇3 = 0
𝑇3 𝑒𝑡 𝑇4 𝑠𝑜𝑛𝑡 𝑏𝑙𝑜𝑞𝑢é𝑠
𝑣 − 𝑣𝐶 𝑣 − 𝐸
⇒ ⇒ 𝑣𝑇4 = =
2 2
𝐸 𝑉𝑀
= ∙𝜃 + (𝑐𝑜𝑠𝜃1 − 𝑐𝑜𝑠(𝜃2 )
𝜋 1 𝜋
𝑣𝐶 = 𝑅 ∙ 𝑖𝐶 + 𝐸 ⇒ 〈𝑣𝐶 〉 = 𝑅 ∙ 〈𝑖𝐶 〉 + 𝐸
〈𝑣𝐶 〉 − 𝐸
〈𝑖𝐶 〉 =
𝑅
〈𝑖𝐶 〉
〈𝑖 𝑇 〉 =
2
〈𝑖〉 = 0
Structure Asymétrique
Figure 1 – PD2 Mixte
Le choix entre ces différentes structures se fera en fonction de l’application visée et du nombre de
quadrants envisagés. Bien entendu, le choix d’une structure mixte permet réduire les coûts liés aux semi-
conducteurs (un thyristor restant plus élevé qu’une diode (∼ d’un facteur 5 à 10)). Compte-tenu de la disposition
des semi-conducteurs, la séquence de conduction est différentes pour un pont symétrique et pour un pont
asymétrique. Pour autant, cela n’a aucune importance sur la tension de sortie du convertisseur. La Figure 2 donne
une idée de la séquence de conduction, de la tension de sortie et de l’allure de la tension aux bornes du thyristor
1 pour les 2 ponts envisagés.