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Chapitre 6

Phénomènes de conduction

Introduction
Ce chapitre est consacré à l’étude des phénomènes de
conduction dans les matériaux en utilisant le modèle de Drude .
Ce modèle est une adaptation effectuée en 1900 de la théorie
cinétique des gaz aux électrons des métaux. En considérant les
électrons d'un métal comme des particules classiques
ponctuelles confinées à l'intérieur du volume défini par
l'ensemble des atomes de l'échantillon, on obtient un gaz qui est
entraîné dans un mouvement d'ensemble par des champs
électriques et magnétiques et freiné dans ce mouvement par des
collisions.
Ce modèle permet de rendre compte de plusieurs propriétés
des métaux comme la conductivité électrique, la conductivité
thermique et l'effet Hall.

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Conductivité électrique
Expression macroscopique: Loi d’Ohm
On considère une substance isotrope contenant des particules
chargés (charge q, masse m), libres de se mouvoir. On peut
penser à des « électrons libres » dans un métal ou un
semiconducteur.
Un champ électrique E , dérivant du potentiel V, est appliqué
suivant Oz, par exemple. Une situation hors équilibre en résulte,
dans laquelle une densité de courant j est instaurée suivant Oz.
Cette densité est proportionnelle au champ:

j = σ E = −σ ∇V « Loi d’ohm »

La quantité σ est appelée « conductivité électrique »

Conductivité électrique
Expression microscopique
Considérons une particule, de charge q et de masse m, libre de se
déplacer dans un milieu conducteur. Cette particule est soumise
à un champ électrique E .
Le principe fondamental de la dynamique appliqué à cette
charge s'écrit:
dv
qE = ma = m
dt
La vitesse de la particule, à un instant t donné, s’écrit alors:

q
v (t ) = Et + v (0)
m
où v (0) est la vitesse initiale.

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Conductivité électrique
Expression microscopique
Le conducteur étant composé de charges mobiles et d’ions fixes.
Cependant, ces charges ne sont pas totalement libres, car elles
interagissent entre elles et avec les ions fixes du matériau.
La vitesse moyenne des particules (appelée aussi vitesse
d’entrainement), peut s’écrire sous la forme:

q
ve = v (t ) = Eτ
m
τ est le temps moyen que fait la particule entre deux collisions
successifs. τ est appelé aussi temps de relaxation.
Notons que la moyenne statistique des vitesses initiales v (0)
est nulle.

Conductivité électrique
Expression microscopique
La vitesse d’entrainement ve des particules est liée à la densité
de courant j par la relation:

j = nqve
où n est la concentration des particules de charge q.
En remplaçant ve par son expression, on obtient:
nq 2τ
j= E
m
Cette relation nous permet d’exprimer la conductivité électrique
sous la forme:
nq τ
2
σ=
m

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Conductivité électrique
Expression microscopique
Par ailleurs, la vitesse d’entrainement ve est reliée au champ
électrique appliqué E par la relation:

ve = µ E
où le coefficient µ est la mobilité des porteurs de charges libres
dans un milieu donné.
En tenant compte des expressions précédentes, on en déduit les
relations suivantes pour la conductivité électrique et la mobilité
des porteurs de charges:

σ = nq µ µ =
m

Conductivité électrique
Cas des métaux et des semiconducteurs
Dans un métal, les porteurs de charges sont les électrons de la
bande de conduction. On a par conséquent:


σ = −neµ µ = −
m
La concentration n des électrons de conduction est indépendante
de la température. C’est donc la mobilité qui règle la variation
de la conductivité en fonction de la température.
Notons que la résistivité électrique ρ est, par définition, l’inverse
de la conductivité:
m
ρ=
ne2τ

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Conductivité électrique
Cas des métaux et des semiconducteurs
Sur le tableau suivant, nous donnons les valeurs de la résistivité
de quelques métaux à différentes températures:

ρ (x10-6 Ω.cm) ρ (x10-6 Ω.cm) ρ (x10-6 Ω.cm)


Métal Τ = 77 Κ Τ = 273 Κ Τ = 373 Κ
Ag 0.3 1.51 2.13

Cu 0.2 1.56 2.24

Au 0.5 2.04 2.84

Al 0.3 2.45 3.55

Zn 1.1 5.5 7.8

Fe 0.66 8.9 14.7

Conductivité électrique
Cas des métaux et des semiconducteurs
Dans un semiconducteur, les porteurs de charge mobiles sont les
électrons de la bande de conduction et les trous de la bande de
valence. En conséquence, la conductivité électrique est
constituée par addition des deux contributions, celle des
« électrons libres » et celle des « trous libres »:

j = ne ( −e ) µe E + n p eµ p E
σ = e ( ne µe + n p µ p )
( ne , µe ) : concentration et mobilité des électrons.
( n , µ ) : concentration et mobilité des trous.
p p

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Conductivité électrique
Cas des métaux et des semiconducteurs
Dans un semiconducteur de « type N », la contribution due aux
électrons domine celle des trous. Par contre, dans un
semiconducteur de « type P », la contribution due aux trous est
dominante.
Contrairement à ce qui se passe dans les métaux, la densité des
porteurs de charge libres dans un semiconducteur dépend très
fortement de la température.
En général, dans un semiconducteur, la mobilité des porteurs de
charge est beaucoup plus élevée que celle dans un métal.
Cependant, la conductivité électrique est plus faible en raison de
la faible densité des porteurs de charge.

Conductivité thermique
Loi de Fourier pour la conduction thermique
On considère une substance dans laquelle la température n’est
pas uniforme. Supposons par exemple que la température soit
une fonction de la coordonnée x. La substance réagit dans le
sens de la restauration de l’équilibre thermodynamique.
L’énergie, sous forme d’un flux de chaleur, s’écoule de la partie
chaude vers la partie froide.

Flux de chaleur

Partie chaude Partie froide

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Conductivité thermique
Loi de Fourier pour la conduction thermique
Le flux de chaleur selon l’axe Ox est désigné par Qx: il s’agit de
la quantité de chaleur traversant l’unité de surface normale à
Ox, pendant l’unité de temps.
En régime permanent, on peut raisonnablement prévoir que le
flux de chaleur Qx est proportionnel au gradient de température:

∂T
Qx = − K
∂x
Le coefficient de proportionnalité K est appelé: « conductivité
thermique ». Le signe (−) correspond à une convention qui
impose que la quantité de chaleur échangée est positive dans le
sens des températures décroissantes et des x croissants.

Conductivité thermique
Loi de Fourier pour la conduction thermique
Dans un cas général de mécanisme de conduction
tridimensionnel on exprimera un flux de chaleur selon chacune
des directions principales d’un repère orthonormé (O, x, y, z).
On obtient la relation suivante:

Q = − K gradT

Cette relation est la loi fondamentale de la conduction


thermique. Elle a été établi en 1822 par Fourier.
La loi de Fourier représente l’analogie avec la loi d’Ohm
décrivant le transfert de charge sous champ électrique.

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Conductivité thermique
Relation conductivité – capacité calorifique
D’après la théorie cinétique des gaz nous pouvons établir
l’expression suivante de la conductivité thermique:

1
K = Cvl
3
où C est la capacité calorifique par unité de volume, v la vitesse
moyenne des particules et l le libre parcours moyen d’une
particule entre deux collisions.
Ce résultat fut appliqué pour la première fois par Debye pour
décrire la conductivité thermique dans les solides diélectriques,
avec C comme capacité calorifique des phonons, v comme vitesse
des phonons et l comme libre parcours moyen des phonons.

Conductivité thermique
Conductivité thermique des métaux
Dans le cas d’un gaz d’électrons libres de Fermi, la capacité
calorifique par unité de volume est donnée par (voir chapitre 5):

π 2 k B2T
CV = n
2 EF
N
où n = la concentration du gaz électronique.
V
1
En tenant compte des relations E F = mv F et l = v F τ , on
2

obtient l’expression:
2
π 2 nk B2Tτ
K=
3m
où τ est le temps de collision.

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Conductivité thermique
Conductivité thermique des métaux
Le rapport de la conductivité thermique K à la conductivité
électrique σ s’écrit:

π 2 nk B2Tτ 3m π 2  k B 
2
K
= =   T
σ ne2τ m 3  e 
C’est la loi de Wiedemann-Franz.
Cette loi indique que K σ est proportionnel à la température.
Le coefficient de proportionnalité L est appelé nombre de
Lorentz et a pour valeur:

π 2  kB 
2
−8
L=   = 2, 45.10 watt − ohm / deg
2
3  e 

Conductivité thermique
Conductivité thermique des métaux
Des valeurs expérimentales du nombre de Lorentz L à 0°C et à
100°C sont reportées dans le tableau suivant:
L (108 watt-ohm/deg2) L (108 watt-ohm/deg2)
Métal Température 0°C Température 100°C
Ag 2.31 2.37
Au 2.35 2.40
Cd 2.42 2.43
Cu 2.23 2.33
Mo 2.61 2.79
Pb 2.47 2.56
Pt 2.51 2.60
Ces résultats sont en bon accord avec la valeur théorique.

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Mouvement dans un champ magnétique
Equation du mouvement
Considérons le mouvement d’un électron soumis aux actions
simultanées des champs électrique E et magnétique B .
La force électromagnétique, ou force de Lorentz, exercée sur cet
électron est donnée par:

F = −e(E + v ∧ B )
En tenant compte du temps τ entre deux collisions, l’équation du
mouvement prend la forme:

 d 1
m  +  v = −e(E + v ∧ B )
 dt τ 

Mouvement dans un champ magnétique


Equation du mouvement
On considère par la suite la situation importante suivante: le
champ magnétique B est supposé uniforme et est porté par l’axe
Oz. Dans ce cas, on obtient les équations suivantes:

 d 1
m  +  vx = −e(Ex + vy B )
 dt τ 
 d 1
m  +  vy = −e(E y − vx B )
 dt τ 
 d 1
m  +  vz = −eEz
 dt τ 

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Mouvement dans un champ magnétique
Equation du mouvement
En régime continu et pour un champ électrique statique, les
dérivées par rapport au temps sont nulles, d’où:


vx = − Ex − ωcτ vy
m

vy = − E y + ωcτ vx
m

vz = − Ez
m
eB
où ωc = est appelée « fréquence cyclotron »
m

Mouvement dans un champ magnétique


Effet Hall
Edwin H. Hall a placé un échantillon conducteur, parcouru par
un courant, dans un champ magnétique en 1879 et a découvert
qu’on peut mesurer une différence de potentiel, transversale à la
direction du courant et du champ.
Cet effet, appelé l’Effet Hall, était une des premières expériences
indiquant que la charge des porteurs de courant était négative.
L’Effet Hall n’est qu’un des effets de la famille des effets
d’interaction, nommés phénomènes galvanomagnétiques, qui
sont dus aux actions communes des champs électrique E et
magnétique B .

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Mouvement dans un champ magnétique
Effet Hall
On considère un échantillon conducteur (métal ou semi-
conducteur) ayant la forme d’un parallélépipède rectangulaire
de dimensions LxLyLz. Ce barreau est placé dans un champ
électrique longitudinal Ex (donnant naissance à un courant
électrique) et un champ magnétique transversal B = Bz.
ez B
ey
Sens du courant

ex

Mouvement dans un champ magnétique


Effet Hall
Sous l’action de la force magnétique F = −e(v ∧ B ) , l’électron
sera dévié dans la direction - ey . Des électrons s’accumulent
alors sur une face du barreau et un excès d’ions positifs s’établit
sur l’autre face: il apparaît donc un champ électrique transverse
Ey entre les deux faces.
ez B
ey
+ + + + + + + + + + Ey

- - - - - - - - - -
ex

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Mouvement dans un champ magnétique
Effet Hall
A l’équilibre le champ transverse Ey crée une force qui
compense exactement l'effet du champ B, de telle sorte que seule
la composante jx du courant est non nulle (vy = 0, jy = 0) .
A partir des équations du mouvement, établies précédemment,
on obtient la relation suivante pour le champ transverse Ey:

eBτ
E y = −ωcτ Ex = − Ex
m
La tension transversale, apparaissant entre les deux bords du
l’échantillon conducteur, est appelée tension de Hall UH et a
pour expression:
U H = E y Ly

Mouvement dans un champ magnétique


Effet Hall
On définit une grandeur importante, notée RH, par la relation:
Ey
RH =
jx B
La quantité RH est appelée constante de Hall.
En tenant compte de l’expression de la densité du courant
électrique jx = (ne2τ m)E x , on obtient:

1
RH = −
ne
La mesure de RH est donc un moyen important de mesure de la
concentration en porteurs de charge libres dans un matériau.

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Mouvement dans un champ magnétique
Effet Hall
Sur ce tableau, nous présentons des valeurs expérimentales de la
constante de Hall de certains métaux ainsi que les résultats
théoriques obtenus par la théorie des électrons libres (Modèle de
Drude).
RH (10-24 unité CGS) RH (10-24 unité CGS)
Métal Mesure expérimentale Calcul théorique
Li -1.89 -1.48
Na -2.619 -2.603
Cu -0.6 -0.82
Ag -1.0 -1.19
Au -0.8 -1.18

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