Semestre 4 TP Electronique fondamentale 2

Université : Batna 2 Batna 09/04/2020

Faculté de Technologie
ème
2 année ST / Filière Electronique
Module « TP Electronique fondamentale 2 »

TP1 « Etude de l’amplificateur à transistor à effet de champ FET »

1- Objectif du TP
 Connaître les composants élémentaires de l’électronique et leurs applications dans les fonctions de base,
 Etude de l’amplificateur à transistor à effet de champ FET,
 Faire la différence entre le transistor bipolaire et le transistor FET,
 Développer l’esprit de critique (voir les avantages et les inconvénients des deux types de transistors.

2- Rappel « transistor FET »

Un transistor à effet de champ (en anglais, Field Effect Transistor ou FET) est un dispositif
semiconducteur de la famille des transistors. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux
domaines d'applications, tels que l'électronique numérique.

Un transistor à effet de champ est un composant à trois broches : la Grille, le Drain et la Source. Un
FET est un transistor unipolaire : son fonctionnement est basé sur l'action d'un champ électrique sur un canal
composé d'un seul type de porteurs de charges mobiles. Ce canal est un semi-conducteur avec un excédent
d'électrons (dopage de type N), ou de trous (dopage de type P). La présence d'un champ électrique peut
autoriser la conduction électrique dans ce canal (transistor à enrichissement, ou enhancement) ou la réduire
(transistor à appauvrissement, ou depletion). La figure 1 décrit les importantes caractéristiques du FET.

Le modèle basse fréquence du JFET (Junction Field Effect Transistor) est représenté à la figure 2. La
transconductance gm du transistor est donnée par la relation suivante, évaluée au point de repos Q(ID,VGS) :

I DSS  VGS 
g m  2  1  
Vp  Vp 

gm varie de 0.1 à 10mA/V. RDS est la résistance du transistor monté en source commune.

Canal type N/P

Drain VDS

VGS
Grille
JFET canal N JFET canal P
Source
JFET

1
Semestre 4 TP Electronique fondamentale 2

Canal N Canal P

Caractéristique : iD=f(VDS) avec VGS=Cte

2 2
 V   V 
iD  I DSS  1  GS  iD   I DSS  1  GS 
 Vp  Vp
   
Caractéristique : iD=f(VGS)

VDS  0,I D  0 VDS  0,I D  0

Vp  vGS  0 0  vGS  Vp
Polarité en amplificateur

Vp : est la tension de pincement

Figure 1 : Symboles et caractéristiques du JFET

²
VGS gm.VGS RDS

Figure 2 : Modèle petits signaux du JFET

2
Semestre 4 TP Electronique fondamentale 2

3- Travail
Préparation
a faire
On considère le montage amplificateur à un seul étage de la figure 3 :

Figure 3 : Amplificateur Source commune

On suppose que le transistor est caractérisé par une tension de pincement VP=-5.5V et un courant
IDSS=18.5mA.

On donne :

R1=100K, R2=200K, RD=2.2K, RS=10K, C1=10F, C2=10F, C3=100F, VDD=20V.

1/ Etablir le schéma en statique et déterminer le point de fonctionnement Q(VGSQ,VDSQ,IDQ).

2/ Calculer la valeur de la transconductance gm du transistor et établir le schéma petits signaux de

l’amplificateur (on négligera l’effet de la résistance rds entre drain et source).

3/ Déterminer l’expression de :

- La résistance d’entrée Re=ve/ie

- La résistance de sortie Rs
- Amplification en tension à vide Av0
- Amplification en tension Av (avec charge Ru)
- Amplification en courant Ai
- Amplification en puissance Ap=Ai.Av

Donner ensuite les valeurs numériques correspondantes.