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Electronique Numérique
Cycle Ingénieur TSE1
Les Familles Logiques TTL et CMOS
Les circuits intégrés (logique) sont classés suivant leur caractéristiques et performances électriques et leur technologies de fabrication
La technologie de fabrication
Les niveaux logiques en entrée et en sortie
Les courants en entrée et en sortie
La tension d’alimentation,
La consommation
La vitesse de fonctionnement
• Technologie Bipolaire
• Technologie CMOS
• BiCMOS
Nomenclature Commerciale
SN 74 LS 76 N
SOP QFP
SSOP TQFP DIP
QSOP LQFP PDIP
MSOP MQFP CDIP
TSOP PQFP
Famille TTL : Transistor Transistor Logique
3
VILmax = 0.8 V
2 VIHmin = 2 V
1
0.4
1 3 4 5 Vi
Bas 2
Haut
VILmax VIHmin
Les niveaux de sortie
Faible Faible
charge charge
Si on demande trop de courant à IOH VOL
H
une sortie au niveau haut, alors la
tension de sortie baisse IOL
Quelques courbes
VOH VOL
Niveau logique TTL en Sortie
Vo
VOLmax = 0.4 V
VOHmin = 2.4 V
4
Haut
3
VOHmin
2.4
2
Zone interdite
1
VOLmax 0.4
Bas
1 3 4 5 Vi
2
Niveaux logique de la famille TTL 5V (récap)
5 5
haut
haut
2.4
2
0.8
Bas 0.4
0 Bas
0
Immunité au bruit
15
2.4
2
VIHmin
0.8
0.4 VILmax
t
Les courants d’entrée
17
Les courants de SORTIE
18
Les courants de sortie
19
Courants de Sortie de la famille TTL
1mA 3mA
Pd typ 5V 10 mW
2
La consommation augmente légèrement avec la fréquence. On peut
considérer la valeur de 10 mW valable jusqu’à une fréquence de 1 MHz
Comportement dynamique
24
1 1
Fmax 50 MHz
TPLH TPHL 20ns
Porte collecteur Ouvert
25
3 niveaux logiques :
Niveau Bas (L)
Niveau Haut (H)
Niveau Haute Impédance (HZ)
HZ Circuit 1
Seul le circuit qui est
sélectionné pour écrire
Circuit 1
dans le bus doit être en
HZ
basse impédance, tous les
autres doivent être
HZ
déconnectés c.a.d en haute
Circuit 1
impédance
BUS
Tristate, Circuit de lecture écriture
30
Porte avec entrée Trigger de Schmitt
La caractéristique de transfert
comporte un hystérésis. Le seuil de
basculement H-L n’est pas le même
que le seuil de basculement L-H
Vo
4
Analyser le montage, dessiner l’allure des tensions aux points (1) et (2).
Calculer la période du signal obtenu
On commence le raisonnement avec le condensateur vide.
Pour la tension de sortie on prend VOL=0V, VOH=4V
Les seuils de transition sont: VTL=0.8V, VTH=1.7V
Mise en forme des signaux
33
Trigger de Schmitt, Mise en forme des signaux
34
Trigger de Schmitt, Mise en forme des signaux
TTL Schottky et Low Power Schottky
Vcc=5V Vcc=5V
R2 R6 R1 R2 R3
20K 8K
R1
2.8K Q3 74LS00 Q3
74S00 Q4 Q4
Q1 D1
Q2
R5 Vi1 R7 4k
3.5k Vo Q1
Vi1 Vi2
R4 Vo
D2 Q5
Vi2 Q6
12k
R3 R4 R5 R6
D4 1.5k 3k
D1 D2 D3
Q5 Q2
37
Famille CMOS (MOS Complémentaire)
Fabriquée avec des MOS à enrichissement canal N et canal P
Consommation quasi nulle en basse fréquence
A l’origine très lente (série 4000), aujourd’hui, on sait fabriquer des circuit CMOS rapide
Souplesse d’alimentation 3V Us=Vdd-Vss 18V
Meilleure immunité au bruit
ID ID
D D
G B G B
V GB
S
V GB S
VTH =1V VTH = -1V
VDD Vo
Vdd
Q1
P
Vi Vo
Q2
n
Vss Vi
VSS
Vss VT Vdd
V DD V SS
VT
Vss = 0 pour simplifier 2
Vi=0, VGS1=-Vdd, VGS2=0,
Q1:ON, Q2:OFF, Vo=Vdd
Q1
Vi1
Vi1
Q1 Q2
Vo Q2
Vi2
Vi2
Q3 Vo
Q3 Q4
Q4
VSS VSS
Donner la fonction
logique des deux
circuits
Niveaux logiques
41
∆Vi = 30% US
Courants de la famille CMOS
42
VDD
Le courant d’entrée est nul car on attaque sur des grilles isolées
Le courant de sortie circule à travers la résistance RDSON du MOS conducteur. Q1
La chute de tension dans cette résistance fait que VO dépend fortement de IO
Vi Vo
Q2
VSS
Niveaux logique de la famille CMOS-B
Vo
Vdd
Vdd
30% haut
30% Bas
Vss Io
Vss
Immunité au bruit
44
Sortance
1
5V
RDS
100
10V
K ( VGS Vth )
15V
C L(pF)
100 200
Consommation
47
14 13 12 11 10 9 8 14 13 12 11 10 9 8
1 2 3 4 5 6 7 1 2 3 4 5 6 7
GND GND
7400 CD 4011
74C00
74xx00
49
Les famille High Speed Cmos et Advanved CMOS
HC, HCT, AHC, AHCT, AC, ACT
Vcc Vcc
D1 D1
chute de
tension R1
Q1
R2
Q2
p
Vi Q3
M1
inverseur
n contre
réaction
Vo
d'entrée
CMOS TLL
Aucune interface n’est nécessaire
TTL CMOS
VOH garanti par TTL = 2.4V insuffisant
pour CMOS
La résistance de pull up garanti
Niveau haut > 4.6V
Niveau bas < 0.4V