M Ladjama Introduction aux semi-conducteurs

II : INTRODUCTION AUX SEMI-CONDUCTEURS

LA DIODE ET SES APPLICATIONS

I – Introduction aux matériaux semi-conducteurs.

Quand on applique une d.d.p entre 2 points d’un corps quelconque, celui-ci peut se comporter de
plusieurs façons. Deux cas extrêmes peuvent se présenter :
 L’excellente conduction électrique des métaux :
1.5 . 10-8 < ρ < 150 10-8  .m

 L’excellent isolement des diélectriques ( isolants ) :

1010 < ρ < 1021  .m

 Entre ces 2 cas extrêmes, existe une catégorie de corps cristallins, les semi-conducteurs qui ont
bouleversé les données technologiques de l’époque des tubes électroniques :
10 -3 < ρ < 10 9  .m à la température ambiante.

Matériaux Ordre de grandeur

matériau résistivité à
conducteurs résistivité à

x x

Argent Laiton

Cuivre Bronze

Or Acier au carbone

Aluminium Constantan

Tungstène Acier inox

Zinc Acier 18/8

Fer Nichrome

Platine Graphite

Étain carbone 4000

Chrome

Plomb

Mercure

Manganèse

Tungstène 5.7

1
M Ladjama Introduction aux semi-conducteurs
Ordre de grandeur
Matériaux isolants matériau résistivité
résistivité
Bakélite Eau distillée

paraffine Marbre

Plexiglas Polystyrène

Porcelaine Verre

bois 1014 Quartz fondu 7.5 1017

En effet, leur résistivité est inversement proportionnelle à la température : plus la température

augmente, plus leur résistivité diminue, plus ils font passer du courant, ainsi ils chauffent davantage
et conduisent plus de courant et ainsi de suite. C’est pour cela que les composants à base de semi-
conducteurs se trouvent souvent sur des radiateurs pour dissiper la chaleur.

Il existe 2 types de semi-conducteurs.

I.1. Les semi-conducteurs intrinsèques.

Ce sont des semi-conducteurs purs c'est-à-dire ne contenant pas d’atomes étrangers, exemple un
cristal de pur silicium ou un cristal de pur germanium.
Un semi-conducteur intrinsèque possède 4 électrons de valence piégés par des liaisons
covalentes.

Aux très basses températures, le semi-conducteur intrinsèque se comporte comme un isolant,

contrairement au métal . A température ambiante, certaines liaisons covalentes peuvent se rompre
entrainant un déplacement des électrons rendant la conduction possible. En quittant sa place,
l’électron laisse derrière lui un vide appelé trou.

I.2. Les semi-conducteurs extrinsèques.

Ce sont des semi-conducteurs impurs obtenus en ajoutant des impuretés au semi-conducteur pur
ou intrinsèque : le semi-conducteur est dopé.
 Quand le semi-conducteur intrinsèque est dopé avec des atomes étrangers ayant 5 électrons
de valence, on dit que le semi-conducteur est de type N et les impuretés sont des donneurs
d’électrons : exemple silicium Si ( 4e-) dopé avec des atomes d’antimoine Sb ( 5e-) .

2
M Ladjama Introduction aux semi-conducteurs
 Quand le semi-conducteur intrinsèque est dopé avec des atomes étrangers ayant 3 électrons
de valence, on dit que le semi-conducteur est de type P et les impuretés sont des accepteurs
d’électrons : exemple silicium Si ( 4e-) dopé avec des atomes d’indium In ( 3e-) :

II – Etude des jonctions.

Une jonction PN est la mise en contact de 2 types de semi-conducteurs extrinsèques, de type N et
de type P. La réalisation de la jonction se fait par différents types de procédés : évaporation,
pulvérisation, dispatching ….
Une jonction PN est obtenue en réalisant à l’intérieur d’un même morceau semi-conducteur un
dopage N d’un côté et un dopage P de l’autre. Il se forme, entre les deux régions P et N, une zone de
transition ZT dépourvue de porteurs, donc non conductrice.

1. Jonction PN non polarisée.

Les atomes étant électriquement stables, on aura une recombinaison des électrons au niveau de
la jonction des deux semi-conducteurs de type électriquement opposés.

Les trous majoritaires de la région P vont diffuser vers la région N pour se recombiner avec les
électrons , et les électrons majoritaires de la région N vers la région P pour combler les trous :
recombinaison électron-trou .Au niveau de la faible zone de jonction, il se crée une barrière de

potentiel , et un champ électrique interne Eint : les électrons plus éloignés de cette zone n'ont pas
assez d'énergie pour faire de même, car cette zone une fois réalisée se comporte en quelque sorte
comme un isolant. Le comportement de la jonction est semblable à un condensateur dont le pole +
est la zone N , le pole – est la zone P ,et la zone de transition constitue le diélectrique du
condensateur.

2. Jonction PN polarisée en direct.

3
M Ladjama Introduction aux semi-conducteurs
On applique à la jonction PN une tension continue V telle que le pôle (+) soit branché à P et le
pôle (–) à N. Le surplus d'énergie de la pile permet aux électrons éloignés de franchir la jonction. En
    
effet ,le champ extérieur Eext va s’opposer à Eint : Erésult  Eext  Eint , entrainant ainsi une
diminution de la largeur de la barrière de potentiel : les électrons et les trous pourront passer, il y
aura donc passage de courant.

3. Jonction PN polarisée en inverse.

Les charges de la jonction et de la pile sont opposées elles vont donc s'attirer entre elles, les
électrons de la jonction vont donc se diriger vers les extrémités de celle-ci et cela aura pour effet
d'élargir la barrière de potentiel. En effet , Le champ électrique externe sera dans le même sens que
  
le champ interne : Erésult  Eext  Eint entrainant une augmentation de la largeur de la barrière de
potentiel : les électrons et les trous ne pourront plus passer, il n’y aura pas donc passage de courant.

Conclusion.
Une jonction PN polarisée en direct laisse passer le courant . En inverse , elle ne le laisse pas
passer . Elle joue le rôle d’un interrupteur.

III / ETUDE DES DIODES

La jonction PN est communément appelée diode. La diode est symbolisée couramment par :

P : anode A Le sens de la "flèche" indique

N : cathode K le sens de la polarisation
P N
 La diode est passante quand elle est polarisée en direct potentiel de l’anode > potentiel
de la cathode :
A K

R
+ -

 La diode est bloquée quand elle est polarisée en inverse potentiel de l’anode < potentiel
de la cathode :

A K

R
- +

4
M Ladjama Introduction aux semi-conducteurs
III .1 / Caractéristique courant –tension d’une diode :
Le courant ID circulant dans une diode est lié à la tension V D aux bornes de la diode par la
relation :

 qV D

ID  I D 0 e kT
 1 si q= - 1.6 10-19 Coulomb
 
ID : courant traversant la diode (mA). ; VD : tension aux bornes de la diode.
IDo : courant de saturation . ; k : constante de Boltzmann = 1.38 10 - 23 j /°K.
q : charge de l’électron =1.6 10-19 coulomb ; T : température absolue ° K.

ID

Diode polarisée en inverse . diode polarisée en en direct.

VZ VD (V)

VS

VS : tension de seuil de la diode

polarisée en direct.
VZ : tension de seuil de la diode
polarisée en inverse.

Au-delà de VZ , il y a risque de claquage de la diode ( destruction ) par un fort courant inverse.

Ce phénomène a lieu soit :
 Par contournement : ionisation de l’air autour de la jonction dans le cas d’un défaut
d’isolation.
 Par effet thermique : la dissipation de chaleur importante entraine destruction de la jonction
par surcharge en puissance.
 Par avalanche : dans le cas d’un faible dopage, le champ électrique intense fait acquérir une
grande énergie cinétique à un électron libre au niveau de la jonction. Lors d'une collision avec
un atome du réseau, un second électron peut être libéré (choc ionisant) et ainsi de suite ,
comme une avalanche de neige.
 Par effet de champ ou effet Zéner : dans le cas de fort dopage, le champ électrique au niveau
de la jonction est trop élevé et risque de faire libérer un électron de valence et le transformé
en un électron de conduction qui, à son tour, entraine un effet d’avalanche.

5
M Ladjama Introduction aux semi-conducteurs
La tension de claquage est la tension pour laquelle la diode "claque" ou "grille" car la
polarisation inverse a été trop forte. Heureusement, la diode ne claque pas dès qu'on la branche
à l'envers puisque son but est justement, en autre, d'éviter les inversions de polarité dans les
montages. Elle possède donc une tension moyenne de claquage de quelques volts jusqu’à
1000V ; (actuellement diodes SEMIKRON : jusqu’à 1600 V).
La diode a un comportement identique, que ce soit en régime continu ou en régime alternatif.

Les diodes de PUISSANCE laissent passer plusieurs dizaines d’ampères. Dans ce cas, on distingue
2 types: les diodes lentes et les diodes rapides : compromis : chute de tension , rapidité

DIODES "RAPIDES" : DIODES "LENTES" :

Quelques 1000 V et 100 A Quelques 1000 V et 1000 A
Exemple: BYT 30 PI 1000 Exemple: D24N 1200P35
VRRM=1000 V, IF=30 A VRRM=1200V, IF= 35 A
VF= 2 V VF=1V
Qrr= 2 mC Qrr=60 mC ( Reverse Recovery Charge)

VForward , IF = point de fonctionnement instantané dans le sens passant

V0 = tension de seuil (varie de 2mV/ °C )
VRRM = reverse répétitif maximum volt = Tension inverse répétitive à ne pas dépasser
VRSM = reverse single max = Tension inverse non répétitive admissible

ID
IFM

VF , IF
VRSM VRRM

V0 VD

La Charge de Récupération Inverse (Qrr) est la charge accumulée dans une diode redresseur qui a
connu un courant direct. En passant à polarisation inverse, cette charge est libérée comme un
courant inverse pour une quantité de temps connu comme récupération inverse Temps (Trr).

DIODE BYT 30 PI/1000

THOMSON 366-560 FR

6
M Ladjama Introduction aux semi-conducteurs
III.2 Schéma équivalent d’une diode

 Diode réelle :
# polarisée en direct :
VS
A K A ID RD K
P N + -
VD VD

RD : de quelques Ohms à une centaine d’Ohms.

Diode au Silicium : 0.55 V ≤ VS ≤ 0.75 V

: Diode au Si la plus utilisée
Diode au Germanium : 0.15 V ≤ VS ≤ 0.35 V

# polarisée en inverse :
A P N K A Ri K
Ri >> MΩ
Résistance inverse
VD VD

 Diode idéale :
# polarisée en direct :

A K A C.C K
P N
VD VD

# polarisée en inverse :
A K A C.O K
P N
VD VD

C.C

C.O