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ETML

ELECTRONIQUE

NUMERIQUE

Cours destiné aux Automaticiens

Yves Darbellay

Bibliographie
Electronique Automobile de l’AMAD.
Circuits numériques Ronald J.Tocci
Techniques numériques série Schaum

00 TITRENUM_04/ 10 JUILLET 2006


ETML Introduction : 1

1. INTRODUCTION
1.1 Représentation des grandeurs
Nombreux sont les systèmes qui utilisent des grandeurs en entrée, les traitent et délivrent en
sortie des commandes ou des informations pour l'utilisateur. Les grandeurs peuvent être
représentées de deux façons :

• Représentation analogique
• Représentation numérique

1.1.1 La représentation analogique


La plupart des capteurs transforment une grandeur physique (température, pression...) en
grandeur électrique. De même, le microphone transforme la pression acoustique en grandeur
électrique proportionnelle.
Caractéristique des grandeurs analogiques :
Elles peuvent prendre toutes les valeurs en variant graduellement entre deux limites, par exemple
une automobile peut avoir une vitesse variant entre 0 et 220 km/h.

1.1.2 La représentation numérique


La grandeur mise sous forme numérique n'est plus proportionnelle à la grandeur d'entrée. Elle
s'exprime par symboles ou codes (chiffres) par exemple: le tachymètre (se prononce "takimetre")
d'une automobile, s'il est numérique, indique une valeur par pas de 1 km/h : la progression est
discontinue; s'il est analogique (à aiguille), la progression est continue. La représentation
numérique est donc DISCONTINUE.

1.2 Les systèmes numériques


Les dispositifs travaillant avec des valeurs discontinues sont dits systèmes numériques
(calculatrices, ordinateurs, voltmètre numérique, machines-outils à commande numérique). Ils
sont programmables, rapides, capables de garder des données en mémoire.
Ce sont ces systèmes que nous allons étudier dans le présent cours, les systèmes analogiques
sont traités dans le cours ELECTRONIQUE ANALOGIQUE.

01 INTRONUM_04/ 10 JUILLET 2006 Page 1


ETML Systèmes de numération : 2

2. SYSTEMES DE NUMERATION
2.1 Introduction
Le nombre de symboles utilisés caractérise le numéro de la base. Celui que nous connaissons le
mieux est le système décimal mais nous allons aussi définir les systèmes binaire, octal,
hexadécimal.

2.2 Le système décimal ou base 10


Comporte 10 symboles : 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 et 9.
Pour le distinguer d'un autre système, on peut préciser la base d'un nombre en plaçant cette
dernière en indice à la fin du nombre.
Exemple : 1981 peut s’écrire 1981 10
Ce nombre se décompose ainsi :

milliers centaines dizaines unités


10 3 10 2 10 1 10 0
1 9 8 1

Remarque : 10 0 = 1

1981 10 = 1 · 10 3 + 9 · 10 2 + 8 · 10 1 + 1 · 10 0
Autre exemple : 27,46

dizaines unités dixièmes centièmes


10 1 10 0 10 -1 10 -2
2 7 4 6

27,46 10 = 2 · 10 1 + 7 · 10 0 + 4 · 10 -1 + 6 · 10 -2

2.3 Le système binaire naturel


Les systèmes électriques et électroniques sont caractérisés par deux états :
• interrupteur : ouvert ou fermé
• transistor : bloqué ou saturé

De cette constatation est née l'idée d'utiliser le système à base 2 ou système binaire.
La base 2 n'utilise que deux symboles : 0 et 1.

02 NUMERAT_04/ 10 JUILLET 2006 Page 1


ETML Système de numération : 2
L'équivalence avec les circuits électriques se fera ainsi :
0= interrupteur ouvert aucun courant ne peut circuler,
la lampe est éteinte correspond au transistor bloqué.

1 = interrupteur fermé le courant peut circuler, la lampe est


allumée correspond au transistor saturé.

Si l'on écrit : 10110 2 Que signifie cela ?


10110 2 = 1· 2 4 + 0 · 2 3 + 1 · 2 2 + 1 · 2 1 + 0 · 2 0 = 22 10
Compléter la liste des 16 premiers nombres binaires

Equivalent 23 22 21 20
Décimal
8 4 2 1
0 0 0 0 0
1 0 0 0 1
2 0 0 1 0
3 ..... ..... ..... .....
4 ..... ..... ..... .....
5 ..... ..... ..... .....
6 ..... ..... ..... .....
7 ..... ..... ..... .....
8 ..... ..... ..... .....
9 ..... ..... ..... .....
10 ..... ..... ..... .....
11 ..... ..... ..... .....
12 ..... ..... ..... .....
13 ..... ..... ..... .....
14 ..... ..... ..... .....
15 ..... ..... ..... .....

Page 2 02 NUMERAT_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Systèmes de numération : 2
Définissons maintenant ce qu'est un bit, mot que nous utiliserons fréquemment de
BINARY DIGIT c'est l'unité élémentaire d'information logique. Il peut valoir 1 ou 0.
Voici un mot de 8 bits
27 26 25 24 23 22 21 20
1 0 1 1 0 0 1 1
MSB LSB

LSB = bit de poids le plus faible (à droite)


MSB = bit de poids le plus fort (à gauche)

LSB = Least significant bit


MSB = Most significant bit

Le poids des bits dépend de leur rang dans l'écriture :


3ème depuis la droite : 22 = 4 : poids de 4
6ème depuis la droite : 25 = 32 : poids de 32

etc...

2.3.1 La conversion décimal → binaire


Nous utiliserons la méthode des divisions successives.
Principe : on divise le nombre décimal par la base 2, puis le quotient obtenu de nouveau par 2
jusqu'à ce qu'il devienne NUL. Les restes successifs lus de BAS EN HAUT représentent le
nombre binaire.
Exemple : Transformer 88 10 en binaire

88 : 2 = 44 Reste 0 LSB
44 : 2 = 22 Reste 0
22 : 2 = 11 Reste 0
11 : 2 = 5 Reste 1
5 : 2 = 2 Reste 1
2 : 2 = 1 Reste 0
1 : 2 = 0 Reste 1 MSB

Alors 88 10 = 1011000 2

Important :
• Ne pas oublier la dernière ligne pour avoir le quotient 0.
• Ne pas oublier de lire de BAS en HAUT.

02 NUMERAT_04/ 10 JUILLET 2006 Page 3


ETML Système de numération : 2
Pour la conversion de la partie fractionnaire il est possible d’utiliser la méthode des produits
successifs.
Principe: Le nombre décimal fractionnaire est multiplié par 2. La partie entière de ce produit
représente le premier bit après la virgule. La partie fractionnaire de ce premier produit est à son
tour multipliée par 2. La partie entière de ce produit représente le deuxième bit après la virgule.
L’opération de conversion continue de la même manière jusqu’à ce que le produit obtenu soit
égal à 1.0.
Exemple: 0.84375 10 à convertir en binaire.
0.84375 ⋅ 2 = 1.6875
0.6875 ⋅2 = 1.375
0.375 ⋅2 = 0.75
0.75 ⋅2 = 1.5
0.5 ⋅2 = 1.0
0.84375 10 = 0, 1 1 0 1 1 2

2.3.2 Conversion binaire → décimal


Il suffit de faire la somme de tous les poids des bits à 1. Les poids des bits à 0 ne sont pas pris.
Exemple : soit 10110010 2 à transformer en décimal.
Décomposons

27 26 25 24 23 22 21 20
128 64 32 16 8 4 2 1
1 0 1 1 0 0 1 0
↓ ↓ ↓ ↓
128 + 32 + 16 +2 = 178 10

Exemple : soit 0.101 2 à convertir en décimal.


Décomposons
2 -1 2 -2 2 -3
0.5 0.25 0.125
1 0 1
↓ ↓
0.5 + 0.125 = 0.625 10

Cas très utilisé : 210 = 102410 = "kilo" binaire

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ETML Systèmes de numération : 2

2.4 Le système octal


Etant donné le peu d'emploi de ce système, nous le citons pour information.
Le système octal utilise 8 symboles numériques, les chiffres 0 à 7. C'est donc la base 8.
Par exemple : 651 8 = 6 · 82 + 5 · 81 + 1 · 80
= 384 + 40 + 1 = 425 10

Son avantage réside dans sa facilité de conversion en binaire :


Chaque chiffre octal est directement équivalent à 3 bits
soit 6 5 18
↓ ↓ ↓
110 101 001

donc 651 8 = 110101001 2

Inversement, l'équivalent octal d'un nombre binaire s'obtient en séparant ses chiffres en tranches
de 3, en partant de la droite, et en écrivant l'équivalent octal de chacune de ces tranches.
Exemple : 1011101 2 en octal

001 011 101 2


↓ ↓ ↓
1 3 5 d'où 1011101 2 = 135 8

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ETML Système de numération : 2

2.5 Le système hexadécimal


Il est très employé, surtout en informatique. C'est un système numérique ayant pour base 16. On
l'utilise pour l'écriture condensée de nombres binaires. Le seul inconvénient est l'utilisation de
nouveaux symboles pour les chiffres supérieurs à 9.
Les 16 symboles sont les suivants :
• Dix chiffres de 0 à 9.
• Six lettres majuscules de A à F
Les symboles hexadécimaux A à F correspondent aux valeurs décimales 10 à 15.
Un caractère hexadécimal représente un mot binaire de 4 bits.
Cette écriture est de loin plus pratique qu'une suite de 1 et de 0.

Exemple : 01101011 2 = 6B 16
11111111 2 = FF 16

2.5.1 Conversion hexadécimal → décimal

Exemples : 356 16 = 3 ·16 2 + 5 ·16 1 + 6 ·16 0


= 768 + 80 +6 = 854 10

2 AF 16 = 2 ·16 2 +10 ·16 1 + 15 ·16 0


= 512 + 160 + 15 = 687 10

A3F.C 16 = 10 ·16 2 +3 ·16 1 + 15 ·16 0 + 12 ⋅ 16 -1


= 2560 + 48 + 15 + 0.75 = 2623.75 10

2.5.2 Conversion décimal → hexadécimal


Comme en binaire on procédait par divisions successives par deux, on va ici opérer par des
divisions successives par 16 en conservant les mêmes principes.
Exemple : Convertir 423 10 en hexadécimal

423 : 16 = 26 reste 7 LSB


26 : 16 = 1 reste 10 ↑
1 : 16 = 0 reste 1 MSB

423 10 = 1A7 16
Pour la partie fractionnaire, on procède par produits successifs par 16.
Exemple: Convertir 0.2265625 10 en hexadécimal
0.2265625 ⋅ 16 = 3.625
0.625 ⋅ 16 = 10.0
0.2265625 10 = 0.3A 16

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ETML Systèmes de numération : 2
2.5.3 Conversion hexadécimal → binaire
Cette conversion est très simple.
Chaque symbole hexadécimal est remplacé par son équivalent binaire de 4 bits.
Exemple : 9F3 16 à convertir en binaire

9 F 3
1001 1111 0011

9F3 16 = 100111110011 2
Exemple : AC1.3B 16 à convertir en binaire

A C 1 . 3 B
1010 1100 0001 . 0011 1011

AC1.3B 16 = 101011000001 . 0011 1011 2

2.5.4 Conversion binaire → hexadécimal


C'est l'inverse de la précédente, donc avec autant de simplicité, on divise le nombre binaire par
tranches de 4 chiffres depuis la droite, puis on substitue à chaque groupe son équivalent
hexadécimal.
Exemple : 110110100111 2 à convertir en hexadécimal

1101 1010 0111


D A 7

Donc 110110100111 2 = DA7 16

Exemple : 10011010101.10001 2 à convertir en hexadécimal

100 1101 0101 . 1000 1


4 D 5 . 8 8

Donc 10011010101.10001 2 = 4D5 . 88 16

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ETML Système de numération : 2
2.5.5 Table d'équivalence décimal - binaire - hexadécimal

Base 10 Base 2 Base 16


décimal binaire hexadécimal
0 0 0
1 1 1
2 10 2
3 11 3
4 100 4
5 101 5
6 110 6
7 111 7
8 1000 8
9 1001 9
10 1010 A
11 1011 B
12 1100 C
13 1101 D
14 1110 E
15 1111 F
16 10000 10
17 10001 11
18 10010 12
19 10011 13
20 10100 14
21 10101 15
22 10110 16
23 10111 17
24 11000 18
25 11001 19
26 11010 1A
27 11011 1B
28 11100 1C
29 11101 1D
30 11110 1E
31 11111 1F
32 100000 20

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ETML Systèmes de numération : 2

2.6 Exercices
2.6.1 Convertir les binaires suivants en décimal
a) 001100 2 e) 101010 2 i) 11110001111 2
b) 000011 2 f) 111111 2 j) 11100.011 2
c) 011100 2 g) 100001 2 k) 110011.10011 2
d) 111100 2 h) 111000 2 l) 1010101010.1 2

2.6.2 Convertir les décimaux suivants en binaire


a) 64 10 d) 145 10 g) 34.75 10
b) 100 10 e) 255 10 h) 25.25 10
c) 111 10 f) 500 10 i) 27.1875 10

2.6.3 Convertir les octaux suivants en décimal


a) 42 8 c) 1057 8 e) 37.123 8
b) 376 8 d) 11.11 8 f) 45.765 8

2.6.4 Convertir les octaux suivants en binaire


a) 3 8 c) 16.3 8 e) 37.6 8
b) 72 8 d) 20.1 8 f) 11.4 8

2.6.5 Convertir les binaire suivants en octal


a) 011 2 c) 111.001 2 e) 110110.11011 2
b) 111000 2 d) 1011.011 2 f) 11000.1001 2

2.6.6 Convertir les hexadécimaux suivants en décimal


a) C 16 c) D3.E 16 e) 888.8 16
b) 67E 16 d) 1111.1 16 f) EBA.C 16

2.6.7 Convertir les décimaux suivants en hexadécimal


a) 8 10 e) 80 10 i) 204.125 10
b) 10 10 f) 2560 10 j) 255.875 10
c) 14 10 g) 3000 10 k) 631.25 10
d) 16 10 h) 62500 10 l) 10000.00390625 10

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ETML Système de numération : 2
2.6.8 Convertir les hexadécimaux suivants en binaire
a) B 16 d) A64 16 g) AB.F 16
b) E 16 e) 1F.C 16 h) 123.8 16
c) 1C 16 f) 239.4 16 i) 2AB.C4 16

2.6.9 Convertir les binaire suivants en hexadécimal


a) 1001.1111 2 c) 110101.011001 2 e) 10100111.111011 2
b) 10000001.1101 2 d) 10000.1 2 f) 1000000.0000111 2

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ETML Les codes binaires : 3

3. LES CODES BINAIRES


3.1 Introduction
L'action de faire correspondre à des nombres, des lettres ou des mots un groupe spécial de
symboles s'appelle CODAGE et le groupe de symboles s'appelle un CODE.
En fait, le binaire est déjà un codage par rapport au décimal.
Nous allons examiner quelques codes que nous utiliserons plus tard.

3.2 Le code BCD


BCD est la contraction de Binary Coded Decimal se traduisant par décimal codé binaire.
L'homme étant habitué au système décimal, il a été nécessaire de créer un code permettant de
conserver les avantages du système décimal sans sacrifier la simplicité de conversion directe en
binaire. Le BCD n'utilise que les 10 premières combinaisons. Pour chaque chiffre décimal, nous
avons besoin de 4 bits.
Attention : Ne pas confondre le BCD avec le binaire naturel.
Exemple : 347 10 à convertir en BCD

3 4 710 mais 34710


↓ ↓ ↓ ↓
0011 0100 0111BCD 101011011 2

347 10= 0011 0100 0111 en BCD et 101011011 en binaire

3.2.1 Table des codes BCD

Equivalent BCD
décimal
8 4 2 1
0 0 0 0 0
1 0 0 0 1
2 0 0 1 0
3 0 0 1 1
4 0 1 0 0
5 0 1 0 1
6 0 1 1 0
7 0 1 1 1
8 1 0 0 0
9 1 0 0 1

03 CODAGE_04/ 10 JUILLET 2006 Page 1


ETML Les codes binaires : 3

3.3 Le code majoré de 3 (excédent 3) ou EXCESS-3 ou XS-3


Apparenté au code BCD, on a parfois recours au code XS-3 en raison de la simplification qu'il
apporte à certains calculs arithmétiques :
On a ajouté 3 à chaque terme BCD, ce qui donne un effet miroir complémentaire entre 4 et 5.

3.3.1 Table du code XS3

Décimal XS 3

0 0 0 1 1
1 0 1 0 0
2 0 1 0 1
3 0 1 1 0
4 0 1 1 1
5 1 0 0 0
6 1 0 0 1
7 1 0 1 0
8 1 0 1 1
9 1 1 0 0

3.4 Le code de Gray ou binaire réfléchi


C'est un code à distance minimale car on passe d'une ligne à la suivante en ne changeant qu'un
seul bit.

On ne peut affecter aucun poids aux bits dans les groupes codés : ce code est non pondéré.

3.4.1 Table des codes Gray de 0 à 15

Décimal Gray

0 0 0 0 0
1 0 0 0 1
2 0 0 1 1
3 0 0 1 0
4 0 1 1 0
5 0 1 1 1
6 0 1 0 1
7 0 1 0 0
8 1 1 0 0
9 1 1 0 1
10 1 1 1 1
11 1 1 1 0
12 1 0 1 0
13 1 0 1 1
14 1 0 0 1
15 1 0 0 0

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ETML Les codes binaires : 3
3.4.2 Conversion binaire → Gray
• Le bit de gauche du code Gray est le même que le bit de gauche du nombre binaire.

• Ajouter le MSB du nombre binaire à son voisin immédiat et reporter la somme en


négligeant une retenue éventuelle sur la ligne inférieure correspondante au code Gray.
• Continuer l’addition des bits à leur voisin de droite et reporter les sommes ainsi obtenues
jusqu’à atteindre le LSB.
• Le nombre en code Gray comportera toujours le même nombre de bits que le binaire
original.
Exemple : soit à convertir le binaire 10110

1 0 1 1
1 0 1 1 0 Nombre binaire
+ + + +
↓ ↓ ↓ ↓ ↓
1 1 1 0 1 Code Gray

3.4.3 Conversion Gray → binaire


• Le bit de gauche du nombre binaire est le même que le bit de gauche du code Gray.

• Ajouter le MSB du nombre binaire obtenu au voisin de droite immédiat du code Gray.
• Continuer les additions jusqu’à atteindre le LSB.

Exemple : soit à convertir le code Gray 1001

1 1 1
1 0 0 1 Code Gray
+ + +
↓ ↓ ↓ ↓
1 1 1 0 Binaire

3.5 Le code ASCII


ASCII est la contraction de American Standard Code for Information Interchange.
C'est un code alphanumérique utilisé dans les mini-ordinateurs et micro-ordinateurs.
Il permet de coder :
• 26 lettres minuscules
• 26 lettres majuscules
• 10 chiffres
• environ 25 caractères spéciaux et signes
Chaque code comporte 7 bits. Le code ASCII est employé dans la transmission d'informations
alphanumériques entre un ordinateur et des dispositifs d'entrée/sortie externes (clavier,
imprimante, écran, etc..)

03 CODAGE_04/ 10 JUILLET 2006 Page 3


ETML Les codes binaires : 3
3.5.1 Table ASCII (liste partielle)
Caractère ASCII à 7 éléments Hexadécimal
A 100 0001 41
B 100 0010 42
C 100 0011 43
D 100 0100 44
E 100 0101 45
F 100 0110 46
G 10 0 0111 47
H 100 1000 48
I 100 1001 49
J 100 1010 4A
K 100 1011 4B
L 100 1100 4C
M 100 1101 4D
N 100 1110 4E
O 100 1111 4F
P 101 0000 50
Q 101 0001 51
R 101 0010 52
S 101 0011 53
T 101 0100 54
U 101 0101 55
V 101 0110 56
W 101 0111 57
X 101 1000 58
Y 101 1001 59
Z 101 1010 5A
0 011 0000 30
1 011 0001 31
2 011 0010 32
3 011 0011 33
4 011 0100 34
5 011 0101 35
6 011 0110 36
7 011 0111 37
8 011 1000 38
9 011 1001 39
blanc 010 0000 20
. 010 1110 2E
( 010 1000 28
+ 010 1011 2B
$ 010 0100 24
* 0101010 2A
) 010 1001 29
- 010 1101 2D
/ 010 1111 2F
, 010 1100 2C
= 011 1101 3D

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ETML LES CODES BINAIRES : 3

3.6 Exercices
3.6.1 Convertir les BCD suivants en décimal
a) 00010111 c) 010101000011 e) 0001000000000000.0101
b) 10000110 d) 00110010.10010100 f) 1010

3.6.2 Convertir les décimaux suivants en BCD


a) 6 c) 99.9 e) 145.6
b) 13 d) 872.8 f) 21.001

3.6.3 Convertir les décimaux suivants en XS3


a) 9 c) 37 e) 650
b) 18 d) 42 f) 689

3.6.4 Convertir les BCD suivants en XS3


a) 0001 c) 01100000 e) 10000100
b) 0111 d) 00101001 f) 00111100

3.6.5 Convertir les XS3 suivants en décimal


a) 0011 c) 11001011 e) 10000101
b) 01100100 d) 10011010 f) 00010000

3.6.6 Convertir les binaires suivants en code Gray


a) 1010 c) 10001 e) 10011
b) 10000 d) 10010 f) 11100

3.6.7 Convertir les codages Gray suivants en binaire


a) 0100 c) 10101 e) 11100
b) 11111 d) 110011 f) 101010

3.6.8 Codage ASCII


Donner la liste des codages ASCII correspondants à l’émission par un clavier du message:
PAY(ER) F.10.0

Page 5 03 CODAGE_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4

4. SYSTEMES LOGIQUES COMBINATOIRES


4.1 Les fonctions logiques de base
Pour étudier les systèmes logiques, il est nécessaire de posséder:
• Un outil mathématique, c'est l'algèbre de Boole. Dans cet ensemble de lois
mathématiques, il n'y a que deux constantes que nous désignerons par 0 et 1. Ces
symboles 0 et 1 représentent deux ETATS et non deux chiffres. On utilise aussi H pour
high (haut) et L pour low (bas).
• Un outil physique pour matérialiser les fonctions de base utilisées, ce sont les circuits
logiques.
Les variables sont des grandeurs qui ne peuvent prendre que deux états (0 ou 1). Comme en
algèbre ordinaire, on symbolise ces variables par des lettres, par exemple :

• variables d'entrée : A, B, C, D, X, Y, etc...


• variables de sortie : F ⇒ Fonction
S ⇒ Sortie
L ⇒ Lampe
M ⇒ Moteur, etc...

Une expression booléenne est une association de variables liées par des signes d'opérations
Exemple: S = A · B + C
Lire S égale A et B ou C car en algèbre de Boole · = ET, + = OU (sera expliqué plus loin)
Lorsque l'état des sorties d'un système logique ne dépend uniquement que de l'état des entrées et
non du passé du système, on parle de LOGIQUE COMBINATOIRE, dans le cas contraire, on
parle de LOGIQUE SEQUENTIELLE.

4.2 La table de vérité (en abrégé TdV)


Elle permet de connaître systématiquement les états que peut prendre une fonction logique pour
TOUTES les combinaisons des variables. Pour n variables, nous aurons 2n combinaisons
différentes.
Exemples:
• Pour 1 variable, la TdV aura 21 = 2 lignes
• Pour 2 variables, la TdV aura 22 = 4 lignes
• Pour 3 variables, la TdV aura 23 = 8 lignes
• Pour 4 variables, la TdV aura 24 = 16 lignes

La partie gauche de la table de vérité contient TOUTES les combinaisons des variables (entrées).
La partie droite contient la valeur prise par l'expression pour chaque combinaison (sortie).

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 1


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
Pour la réalisation de la TdV, on remarque que la variable A (poids faible) change à chaque
ligne, la variable B change toutes les deux lignes, C toutes les quatre lignes, etc...
Exemple: TdV à trois variables
C B A S
0 0 0 1
0 0 1 1
0 1 0 0 Conseil: dans la partie gauche, toujours placer la variable de plus faible
poids le plus à droite, puis placer les autres variables vers la gauche dans
0 1 1 1 l'ordre croissant des poids. Cette disposition évitera des ennuis par la
1 0 0 0 suite.

1 0 1 0
1 1 0 0
1 1 1 1

Variables État de
d'entrée la sortie

4.3 Les opérateurs logiques de base


Définissons tout d'abord le BLOC LOGIQUE:
C'est un symbole qui exprime une relation d'opération entre les entrées et les sorties sans
représenter un circuit physique. Nous utiliserons les symboles de la norme US-MIL ainsi que les
symboles de la norme CEI (commission électrotechnique internationale). La préférence sera
donnée à cette dernière norme, beaucoup plus précise dès que la complexité des circuits
augmente. La norme CEI est incluse dans les logiciels DAO pour circuits électroniques tels
ORCAD, P-CAD, etc...

4.3.1 La fonction Inversion aussi appelée fonction NON (NO) (INV) (inversion)
On l'exprime en plaçant une barre au-dessus du symbole à inverser.

Exemple: A qu'on lit "A barre" ou aussi "Non A".


Variable non surmontée d'une barre ⇒ forme vraie
Variable surmontée d'une barre ⇒ forme inverse ou complémentée
Attention: Toute entrée d'un circuit logique non raccordée (entrée en l'air) se met dans l'état "1"
et est sensible aux parasites (effet d'antenne). On prendra donc garde de ne jamais laisser une
entrée inutilisée en l’air, même si la porte n’est pas utilisée.

Page 2 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.3.1.1 Symboles de l'inversion

NORME MIL NORME CEI


A 1 A A 1 A
A A A A
A 1 A A 1 A

Remarque: En norme CEI, la pointe du triangle sur la ligne indique la direction de propagation
de l'information.

4.3.1.2 TdV de l'inverseur

A S= A
0 .....
1 .....

4.3.1.3 Formes d’ondes correspondantes

1
A
0
S 1

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 3


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.3.1.4 Exemple de circuit intégré pour l’inverseur
74LS04
Ce numéro peut être décomposé en trois parties.
• 74 Numéro de la série TTL (Transistor Transistor Logic).
• LS Indication de la technologie utilisée: Schottky faible consommation.
• 04 Numéro indiquant le contenu de l’IC: 6 inverseurs avec le brochage suivant.
VCC
14 13 12 11 10 9 8

1 2 3 4 5 6 7
GND

La patte 7 doit être reliée au GND (Ground, terre, 0 V).


La patte 14 doit être reliée au VCC, soit +5 V pour la série 74.
Les six inverseurs contenus dans un IC 74LS04 ne fonctionnent que si l’IC est correctement
alimenté en 5 V entre les pattes 7 et 14.
Prendre garde à la numérotation des inverseurs.

4.3.2 La fonction ET (AND)


Cette opération est appelée multiplication ou produit logique. On l'exprime par un point (qui se
lit ET), par des parenthèses ou par des variables qui se suivent, comme en algèbre:
A·B·C (A + B) C AB + CD
ou encore : A ∩ B ∩ C

4.3.2.1 Symboles logiques d’une porte ET

MIL CEI
A A
S=A⋅B & S=A⋅B
B B

Page 4 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.3.2.2 TdV de la porte ET

B A S=A·B
0 0 .....
0 1 .....
1 0 .....
1 1 .....

4.3.2.3 Formes d’ondes correspondantes


1
A
0
1
B
0
S 1

4.3.2.4 Exemple de circuit intégré pour la porte ET


74LS08
Ce numéro est décomposé de la même manière que le 74LS04.
• 08 Numéro indiquant le contenu de l’IC: 4 portes ET avec le brochage suivant.
VCC B4 A4 S4 B3 A3 S3
14 13 12 11 10 9 8

1 2 3 4 5 6 7
A1 B1 S1 A2 B2 S2 GND

Prendre garde à la numérotation des portes.

4.3.3 La fonction OU (OR)


Cette opération est appelée addition ou somme logique. Pour l'indiquer, on utilise le signe + (se
lit "ou").
A+B
ou encore A ∪ B

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 5


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.3.3.1 Symboles logiques d’une porte OU
MIL CEI
A A
S=A+B ≥1 S=A+B
B B

4.3.3.2 TdV de la porte OU

B A S=A+B
0 0 .....
0 1 .....
1 0 .....
1 1 .....

4.3.3.3 Formes d’ondes correspondantes


1
A
0
1
B
0
S 1

4.3.3.4 Exemple de circuit intégré pour la porte OU


74LS32
Ce numéro est décomposé de la même manière que le 74LS04.
• 32 Numéro indiquant le contenu de l’IC: 4 portes OU avec le brochage suivant.
VCC B4 A4 S4 B3 A3 S3
14 13 12 11 10 9 8

1 2 3 4 5 6 7
A1 B1 S1 A2 B2 S2 GND

Prendre garde à la numérotation des portes.

Page 6 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.3.4 La fonction NON-ET (NAND)
C'est l'association de la porte ET avec un inverseur. Le résultat de la fonction ET est inversé en
sortie.

A⋅ B

4.3.4.1 Symboles logiques d’une porte NON-ET

MIL CEI
A A A
S=AB & S=AB & S=AB
B
ou
B B

4.3.4.2 TdV de la porte NON-ET

B A S=A⋅B

0 0 .....
0 1 .....
1 0 .....
1 1 .....

4.3.4.3 Formes d’ondes correspondantes

1
A
0
1
B
0
S 1

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 7


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.3.4.4 Exemple de circuit intégré pour la porte NON-ET
74LS00
Ce numéro est décomposé de la même manière que le 74LS04.
• 00 Numéro indiquant le contenu de l’IC: 4 portes NON-ET avec le brochage suivant.
VCC B4 A4 S4 B3 A3 S3
14 13 12 11 10 9 8

1 2 3 4 5 6 7
A1 B1 S1 A2 B2 S2 GND

Prendre garde à la numérotation des portes.

4.3.5 La fonction NON-OU ou NI (NOR)


C'est l'association de la porte OU avec un inverseur. Le résultat de la fonction OU est inversé en
sortie.
A+ B
4.3.5.1 Symboles logiques d’une porte NON-OU

MIL CEI
A A A
S=A+B ≥1 S=A+B ≥1 S=A+B
B B ou B

4.3.5.2 TdV de la porte NON-OU

B A A+B

0 0 .....
0 1 .....
1 0 .....
1 1 .....

Page 8 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.3.5.3 Formes d’ondes correspondantes
1
A
0
1
B
0
S 1

4.3.5.4 Exemple de circuit intégré pour la porte NON-OU


74LS02
Ce numéro est décomposé de la même manière que le 74LS04.
• 02 Numéro indiquant le contenu de l’IC: 4 portes OU avec le brochage suivant.
VCC S4 B4 A4 S3 B3 A3
14 13 12 11 10 9 8

1 2 3 4 5 6 7
S1 A1 B1 S2 A2 B2 GND

Prendre garde à la numérotation des portes.

4.3.6 La fonction OU EXCLUSIF (XOR)


La porte OU EXCLUSIF a un niveau haut à sa sortie lorsqu’il y a un nombre impair de 1 aux
entrées.
Pour une porte OU EXCLUSIF à deux entrées, la sortie est haute si une entrée ou l’autre est à 1,
mais pas les deux à la fois.

A⋅B+A⋅B=A⊕B
4.3.6.1 Symboles logiques d’une porte OU EXCLUSIF

MIL CEI
A A
S=A⊕B =1 S=A⊕B
B B

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 9


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.3.6.2 TdV de la porte OU EXCLUSIF

B A A⊕B
0 0 .....
0 1 .....
1 0 .....
1 1 .....

4.3.6.3 Formes d’ondes correspondantes


1
A
0
1
B
0
S 1

4.3.6.4 Exemple de circuit intégré pour la porte OU EXCLUSIF


74LS86
Ce numéro est décomposé de la même manière que le 74LS04.
• 86 Numéro indiquant le contenu de l’IC: 4 portes OU EXCLUSIF avec le brochage
suivant.
VCC B4 A4 S4 B3 A3 S3
14 13 12 11 10 9 8

1 2 3 4 5 6 7
A1 B1 S1 A2 B2 S2 GND

Prendre garde à la numérotation des portes.

Page 10 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.3.7 La fonction NON-OU EXCLUSIF ou NI EXCLUSIF (XNOR)
La porte NON-OU EXCLUSIF a un fonctionnement exactement opposé à celui du circuit OU
EXCLUSIF.

A⋅B+A⋅ B= A⊕B
4.3.7.1 Symboles logiques d’une porte NON-OU EXCLUSIF

MIL CEI
A A A
S=A⊕B =1 =1 S=A⊕B
B B ou B

4.3.7.2 TdV de la porte NON-OU EXCLUSIF

B A A⊕B

0 0 .....
0 1 .....
1 0 .....
1 1 .....

4.3.7.3 Formes d’ondes correspondantes


1
A
0
1
B
0
S 1

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 11


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4.3.7.4 Exemple de circuit intégré pour la porte NON-OU EXCLUSIF
74LS266
Ce numéro est décomposé de la même manière que le 74LS04.
• 266 Numéro indiquant le contenu de l’IC: 4 portes NON-OU EXCLUSIF avec le
brochage suivant.
VCC B4 A4 S4 Y3 B3 A3
14 13 12 11 10 9 8

1 2 3 4 5 6 7
A1 B1 S1 S2 A2 B2 GND

Prendre garde à la numérotation des portes.

4.4 Opérations booléennes


OU ET NON
0 + 0 = ..... 0 ⋅ 0 = ..... 0 = .....
0 + 1 = ..... 0 ⋅ 1 = ..... 1 = .....
1 + 0 = ..... 1 ⋅ 0 = .....
1 + 1 = ..... 1 ⋅ 1 = .....

Page 12 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


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4.5 Mise sous forme algébrique des circuits logiques


Tout circuit logique, quelle que soit sa complexité, peut être décrit au moyen des opérations
booléennes.

4.5.1 Exemple de mise sous forme algébrique

A B C D
1 ............. &
.............

≥1
& .............
.............
1 .............

&
.............

4.6 Évaluation des sorties des circuits logiques


Quand on connaît l’expression booléenne de la sortie d’un circuit, il est possible de trouver le
niveau logique correspondant à n’importe lesquelles des valeurs se trouvant aux entrées du
circuit.

4.6.1 Exemple d’évaluation


Déterminons le niveau logique de la sortie du schéma du paragraphe 4.5.1.
A=1 B=0 C=0 D=1

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 13


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4.7 Détermination d’un niveau de sortie d’après un diagramme


Le niveau d’une sortie pour des entrées données se détermine également directement d’après le
diagramme du circuit, sans qu’il soit nécessaire de recourir à l’expression booléenne.
Cette méthode est particulièrement indiquée lors de dépannage de circuits logiques.

4.7.1 Exemple
Déterminons l’état de la sortie S, si les quatre entrées sont à 0.

A & ..... 1 .....


B

C ≥1 ≥1 S = .....
.....
D

=1
.....

4.8 Construction de circuits à partir d’expressions booléennes


Il est possible de tracer directement un diagramme logique à partir d’une expression booléenne.

4.8.1 Exemple
Tracer le circuit qui matérialise l’expression S = AC + B C + A BC

Page 14 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


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4.9 Théorèmes de Boole


1. x ⋅ 0 = .....
2. x ⋅ 1 = .....
3. x ⋅ x =.....

4. x ⋅ x = .....
5. x + 0 = .....
6. x + 1 = .....
7. x + x = .....

8. x + x = .....
9. x + y = y + x
10. x ⋅ y = y ⋅ x
11. x + ( y + z ) = ( x + y ) + z = x + y + z
12. x ( y z ) = ( x y ) z = x y z
13.x ( y + z ) = x y + x z
14.( w + x ) ( y + z ) = w y + w z + x y + x z
15.x + x y = x
16.x + yz = (x + y) (x + z)

17.x + x y = x + y

4.10 Théorèmes de De Morgan


Les théorèmes du mathématicien De Morgan se révèlent d’une grande utilité pour simplifier des
expressions comprenant des sommes ou des produits de variables complémentés.

• (X + Y) = X ⋅ Y

• (X ⋅ Y) = X + Y

4.10.1 Exemple d’utilisation des théorèmes de De Morgan


Simplifier l’expression z = (A + C) ⋅ (B + D)

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 15


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4.10.2 Exemple d’utilisation des théorèmes de De Morgan
Simplifier l’expression z = (A + (B ⋅ C))

4.10.3 Exemple d’utilisation des théorèmes de De Morgan


Simplifier l’expression z = (A + BC) ⋅ (D + EF)

4.10.4 Conséquences des théorèmes de De Morgan


Le premier théorème

• (X + Y) = X ⋅ Y

peut se traduire schématiquement


X X
≥1 X+Y & X⋅Y = X + Y
Y Y

La fonction NOR peut donc être représentée de deux manières.

Page 16 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


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Le deuxième théorème

• (X ⋅ Y) = X + Y

peut se traduire schématiquement


X X
& X⋅Y ≥1 X + Y = X⋅Y
Y Y

La fonction NAND peut donc être représentée de deux manières.

4.11 Universalité de la porte NAND


Toute expression logique est réalisable en ne recourant qu’à des portes NAND.

&


&
&

&

&
&

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 17


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
De même toute expression logique est réalisable en ne recourant qu’à des portes NOR.

≥1


≥1
≥1

≥1

≥1
≥1

4.12 Simplification des circuits logiques
4.12.1 Forme canonique
C’est la forme sous laquelle nous allons exprimer les équations à simplifier. Voici quelques
exemples:

• ABC + ABC

• AC + BC + AB + D

• A B + CD + A D + EF + G H
Il est à noter, que dans la forme canonique, le signe de complémentation (barre) ne peut pas
surmonter plus d’une variable d’un terme. On ne peut pas avoir par exemple:

• BCD

• ACD

4.12.2 Simplification algébrique


Ces simplifications sont faites en utilisant les théorèmes de De Morgan et de Boole.

Page 18 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


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4.12.2.1 Exemple
Simplifier le circuit suivant:

C B A

1
& &
≥1 x
1

&

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 19


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4.12.2.2 Exemple
Simplifier l’expression z = ABC + ABC + A BC

4.12.2.3 Exemple
Simplifier l’expression z = (A + B)(A + B + D)D

Page 20 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


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4.12.2.4 Exemple
Simplifier l’expression z = A C (A B D ) + A BC D + A BC

4.13 Conception de circuits logiques combinatoires


Cette conception peut se faire de la manière suivante:
1. Construire la table de vérité selon la donnée du problème.
2. Ecrire l’expression Booléenne relative à la Tdv.
3. Simplifier l’équation.
4. Simulation
5. Réaliser le schéma de l’équation simplifiée.
6. Mise en service et dépannage.

4.13.1 Construction de la Tdv


Il s’agit de traduire une donnée de problème ou un cahier des charges d’un client en une Tdv. On
prendra donc soin d’analyser toutes les possibilités des variables d’entrées. C’est certainement le
point le plus important de la conception. Une Tdv ne peut être correcte que si les données sont
parfaitement comprises.

4.13.2 Ecriture de l’expression Booléenne


Cette écriture peut se faire sous deux formes:
1. Somme de produits.
2. Produit de sommes.

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 21


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.13.2.1 Somme de produits ou forme minterme
Toutes les lignes de la Tdv comportant un « 1 » à la sortie sont additionnées logiquement pour
donner l’expression Booléenne.
C B A Y
0 0 0 0
0 0 1 1 ABC
0 1 0 0
0 1 1 0
1 0 0 0
1 0 1 0
1 1 0 0
1 1 1 1 ABC

y = ABC + A B C

4.13.2.2 Produit de sommes ou forme maxterme


Toutes les lignes de la Tdv comportant un « 0 » à la sortie sont multipliées logiquement. Pour
ces lignes, toutes les variables d’entrée sont inversées et additionnées logiquement.

C B A Y
0 0 0 0 A+B+C
0 0 1 1
0 1 0 1
0 1 1 1
1 0 0 1
1 0 1 0 A+B+C
1 1 0 1
1 1 1 1

y = (A + B +C) ⋅ ( A + B + C )

Pour cet exemple, l’expression sous la forme minterme est plus longue et donc moins
avantageuse. Chaque cas doit être analysé afin de choisir la meilleure forme.

Page 22 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


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4.13.3 Simplification de l’équation
Cette simplification peut se faire de manière algébrique, en utilisant les théorèmes de Boole et de
De Morgan.

L’équation y = ABC + ABC + ABC + ABC peut par exemple être simplifiée de la manière
suivante:
Le terme A B C comporte deux variables communes avec chacun des autres termes. L’algèbre de
Boole nous autorise à ajouter deux autres termes A B C et de mettre en facteur:

y = ABC + ABC + ABC + ABC + ABC + ABC

y = BC(A + A) + AC(B + B) + AB(C + C)

y=BC+AC+AB
y = C (B + A) + A B
Le chapitre suivant nous montrera une autre méthode pour la simplification de ces équations.

4.13.4 Schéma de l’équation simplifiée


Il s’agit de convertir l’équation obtenue en un schéma réalisable. Par exemple pour l’équation
obtenue au chapitre 4.13.3 :
y=BC+AC+AB
Le schéma comporte 3 portes ET à 2 entrées et une porte OU à 3 entrées.

C B A
&

& ≥1 y

&

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 23


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
Dans la série TTL, les portes NON-ET sont les plus répandues. Pour cette raison nous allons
transformer le schéma obtenu ci-dessus de manière à n’utiliser que des portes NAND. Nous
utiliserons le théorème de De Morgan pour cette transformation:

C B A
&

& ≥1 y

&

Les 3 AND à 2 entrées sont transformées en NAND en ajoutant un cercle aux sorties.
Pour rétablir l’égalité logique, il faut ajouter un cercle d’inversion aux entrées de la porte OR.
La porte OR ayant ces entrées inversées n’est autre qu’une des représentations d’une porte
NAND à deux entrées. Sur le schéma définitif, on laissera de préférence cette représentation qui
illustre bien la forme originelle d’une somme de produit.

4.13.5 Mise en service et dépannage


Il ne reste plus qu’à réaliser le câblage pratique, pour ce faire on indique sur le schéma les
numéros des bornes de chaques portes utilisées:

C B A
D1a
1 &
3
2

D1b D2a
4 & 13 ≥1 y
6 1 12
5 2

D1c
9 &
8
10

D1d D2b D2c


12 & 3 ≥1 9 ≥1
D1 = 74LS00 11 4 6 10 8
D2 = 74LS10 13 5 11

Alimentation D1 à D2:
VCC pin 14
GND pin 7

Page 24 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


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4.14 Tables de Karnaugh
L’algèbre de Boole est la base de la simplification de tous les circuits logiques. Une des
méthodes de simplification les plus simples à mettre en oeuvre est la méthode des tables ou
diagrammes de Karnaugh. C’est une méthode de simplification graphique fondée sur
l’application de l’algèbre de Boole. Elle comporte les étapes suivantes:
1. Déduire un minterme de la Tdv.
2. Reporter les " 1 " sur la table de Karnaugh.
3. Faire des boucles de groupes adjacents de 2, 4, 8, 2X " 1 " sur la table de Karnaugh.
4. Eliminer la ou les variables qui apparaissent avec leur complément à l’intérieur d’une
boucle et garder les variables restantes.
5. Additionner logiquement les groupes qui restent pour former le minterme simplifié.

4.14.1 Exemple pour deux entrées

B A S
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1

B B

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 25


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.14.2 Exemple pour trois entrées

C B A S
0 0 0 0
0 0 1 1
0 1 0 1
0 1 1 1
1 0 0 0
1 0 1 1
1 1 0 0
1 1 1 1

C
C C

AB

AB Ou B
AB
A

AB

Page 26 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.14.3 Exemple pour quatre entrées

D C B A S
0 0 0 0 0
0 0 0 1 1
0 0 1 0 0
0 0 1 1 1
0 1 0 0 0
0 1 0 1 1
0 1 1 0 1
0 1 1 1 1
1 0 0 0 0
1 0 0 1 1
1 0 1 0 0
1 0 1 1 1
1 1 0 0 0
1 1 0 1 1
1 1 1 0 0
1 1 1 1 1

C
CD CD CD CD

AB

AB Ou B
AB
A

AB

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 27


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.14.4 Quelques bouclages particuliers

C C

1 1 1

B B

A A
1 1 1

D
S = ............................
S = ............................
C C

1 1

1 1
B B
1 1
A A
1 1

D D
S = ............................ S = ............................

4.14.5 Etats indéterminés


Si dans une Tdv, une ligne correspond à un cas indéterminé, la sortie peut prendre la valeur " 0 "
ou " 1 ". On utilisera dans les tables de Karnaugh un " X " ou " Φ" qui pourra être pris soit pour
un " 1 " soit pour un " 0 ".
Par exemple si A est le fin-de-course droite de la table d’une fraiseuse et B le fin-de-course
gauche, toutes les lignes de la Tdv où A = B = 1 auront leur sortie à un état indéterminé.

4.14.6 Tables de Karnaugh à maxtermes


1. Déduire un maxterme de la Tdv (Attention à la forme inversée).
2. Reporter les " 1 " sur la table de Karnaugh à maxtermes.
3. Faire des boucles de groupes adjacents de 2, 4, 8, 2X " 1 " sur la table de Karnaugh.
4. Eliminer la ou les variables qui apparaissent avec leur complément à l’intérieur d’une
boucle et garder les variables restantes.
5. Multiplier logiquement les groupes qui restent pour former le maxterme simplifié.

Page 28 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.14.6.1 Exemple

D C B A S
0 0 0 0 0
0 0 0 1 0
0 0 1 0 0
0 0 1 1 1
0 1 0 0 1
0 1 0 1 1
0 1 1 0 1
0 1 1 1 1
1 0 0 0 0
1 0 0 1 1
1 0 1 0 0
1 0 1 1 1
1 1 0 0 1
1 1 0 1 1
1 1 1 0 1
1 1 1 1 1

C
C+D C+D C+D C+D

A+B

A+B Ou B
A+B
A

A+B

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 29


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4

4.15 Exercices
4.15.1 Exercice sur la fonction AND
4.15.1.1 Compléter le diagramme des temps Y1
4.15.1.2 Compléter le diagramme des temps Y2 si l’entrée A est court-circuitée à la masse.
4.15.1.3 Compléter le diagramme des temps Y3 si l’entrée A est court-circuitée au VCC.

B A
&
B Y

C C

Y1

Y2

Y3

Page 30 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.15.2 Exercice sur la fonction OR
4.15.2.1 Compléter le diagramme des temps Y1
4.15.2.2 Compléter le diagramme des temps Y2 si l’entrée A est court-circuitée à la masse.
4.15.2.3 Compléter le diagramme des temps Y3 si l’entrée A est court-circuitée au VCC.

B A
>=1
B Y

C C

Y1

Y2

Y3

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 31


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.15.3 Exercice sur la fonction NAND
4.15.3.1 Compléter le diagramme des temps Y1
4.15.3.2 Compléter le diagramme des temps Y2 si l’entrée A est court-circuitée à la masse.
4.15.3.3 Compléter le diagramme des temps Y3 si l’entrée A est court-circuitée au VCC.
4.15.3.4 Compléter le diagramme des temps Y4 si A et C sont court-circuitées au VCC.
4.15.3.5 Compléter le diagramme des temps Y5 si A et C sont court-circuitées au GND.

B A
&
B Y

C C

Y1

Y2

Y3

Y4

Y5

Page 32 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.15.4 Exercice sur la fonction NOR
4.15.4.1 Compléter le diagramme des temps Y1
4.15.4.2 Compléter le diagramme des temps Y2 si l’entrée A est court-circuitée à la masse.
4.15.4.3 Compléter le diagramme des temps Y3 si l’entrée A est court-circuitée au VCC.
4.15.4.4 Compléter le diagramme des temps Y4 si A et C sont court-circuitées au VCC.
4.15.4.5 Compléter le diagramme des temps Y5 si A et C sont court-circuitées au GND.

B A
>=1
B Y

C C

Y1

Y2

Y3

Y4

Y5

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 33


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.15.5 Exercice sur les fonctions XOR et XNOR
4.15.5.1 Compléter le diagramme des temps

A =1
S
B

4.15.5.2 Remplir la Tdv et trouver l’application proposée.

A1 =1
Nombre binaire
{ A0
&
Y
B1
=1
Nombre binaire
{ B0

A1 A0 B1 B0 Y
0 0 0 0 .......
0 0 0 1 .......
0 0 1 0 .......
0 0 1 1 .......
0 1 0 0 .......
0 1 0 1 .......
0 1 1 0 .......
0 1 1 1 .......
1 0 0 0 .......
1 0 0 1 .......
1 0 1 0 .......
1 0 1 1 .......
1 1 0 0 .......
1 1 0 1 .......
1 1 1 0 .......
1 1 1 1 .......

Page 34 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.15.5.3 Remplir la Tdv et trouver l’application proposée.

D2 =1

D1 =1
P
D0

D2 D1 D0 P
0 0 0 .......
0 0 1 .......
0 1 0 .......
0 1 1 .......
1 0 0 .......
1 0 1 .......
1 1 0 .......
1 1 1 .......

4.15.5.4 Compléter le diagramme des temps

A =1
S
B

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 35


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.15.5.5 Remplir la Tdv et trouver l’application proposée.

P =1

D2 =1

D1 =1
E
D0

P D2 D1 D0 E
0 0 0 0 .......
0 0 0 1 .......
0 0 1 0 .......
0 0 1 1 .......
0 1 0 0 .......
0 1 0 1 .......
0 1 1 0 .......
0 1 1 1 .......
1 0 0 0 .......
1 0 0 1 .......
1 0 1 0 .......
1 0 1 1 .......
1 1 0 0 .......
1 1 0 1 .......
1 1 1 0 .......
1 1 1 1 .......

Page 36 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.15.6 Exercices de mise sous forme algébrique
4.15.6.1 Donner l’équation du circuit

1
A

>=1 1

1 &
B Y

4.15.6.2 Donner l’équation du circuit

A B C D

&

& >=1
Y

&

4.15.7 Exercices d’évaluation des sorties ses circuits logiques


A partir de l’équation trouvée dans l’exercice 4.15.6.2 évaluer la sortie du circuit si
A = 1, B = 0, C = 1 et D = 1.

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 37


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.15.8 Exercices de détermination d’un niveau de sortie d’après un diagramme
Déterminer le niveau de la sortie du circuit suivant si A = 0, B = 0, C = 1, D = 1.

A B C D

>=1

>=1 &
Y

>=1

4.15.9 Exercices de construction de circuits à partir d’expressions booléennes


Construire les circuits

a) Y = AB(C + D)

b) Y = (A + B + CDE) + BCD

Page 38 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.15.10 Exercices de simplification algébrique
4.15.10.1 Simplifier les expressions
a) Y = (M + N)(M + P)( N + P)

b) Y = ABC + ABC + BCD

c) Y = ABC

d) Y = A + BC

e) Y = ABCD

f) Y = A(B + C)D

g) Y = (M + N)(M + N)

h) Y = ABCD

4.15.11 Exercices de transformation de circuit en portes NAND et NOR


4.15.11.1 Construire les circuits puis les transformer en utilisant que des portes NAND
a) X = BC + AC + AB
b) Y = A + BCD

c) Z = P + QR

d) S = AB + AB

e) P = A B + AB
f) Q = AB + AB

g) U = AB + C + DE

h) V = A + BC + D

4.15.11.2 Construire les circuits puis les transformer en utilisant que des portes NOR
a) X = (A + B)(C + D)

b) Y = (A + B)C(D + E)

c) Z = A(B + C)D

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 39


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.15.12 Exercices de simplification par Karnaugh
4.15.12.1 Simplifier les expressions en utilisant les diagrammes de Karnaugh
a) X = ABC + ABC + ABC + ABC + ABC

b) Y = (C + D) + ACD + ABC + ABCD + ACD

c) Z = ABCD + ABCD + ABCD + ABCD + ABCD + ABCD

4.15.12.2 Donner les équations simplifiées par Karnaugh relatives aux Tdv
a) Table à mintermes

D C B A X
0 0 0 0 1
0 0 0 1 0
0 0 1 0 1
0 0 1 1 0
0 1 0 0 1
0 1 0 1 0
0 1 1 0 1
0 1 1 1 0
1 0 0 0 0
1 0 0 1 0
1 0 1 0 0
1 0 1 1 0
1 1 0 0 0
1 1 0 1 0
1 1 1 0 0
1 1 1 1 1

Page 40 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
b) Table à mintermes
D C B A Y Z
0 0 0 0 1 1
0 0 0 1 0 0
0 0 1 0 0 0
0 0 1 1 0 0
0 1 0 0 1 1
0 1 0 1 1 0
0 1 1 0 0 0
0 1 1 1 0 0
1 0 0 0 1 0
1 0 0 1 0 1
1 0 1 0 0 0
1 0 1 1 0 0
1 1 0 0 1 1
1 1 0 1 1 0
1 1 1 0 0 1
1 1 1 1 0 0

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 41


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
c) Table à maxtermes
D C B A Y Z
0 0 0 0 1 1
0 0 0 1 1 0
0 0 1 0 0 1
0 0 1 1 1 1
0 1 0 0 1 1
0 1 0 1 1 0
0 1 1 0 1 1
0 1 1 1 0 1
1 0 0 0 1 0
1 0 0 1 1 1
1 0 1 0 1 1
1 0 1 1 0 0
1 1 0 0 1 1
1 1 0 1 1 0
1 1 1 0 1 1
1 1 1 1 1 0

Page 42 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.15.13 Exercices de conception
a) Concevoir un circuit logique dont la sortie est au niveau haut seulement quand au moins
deux des trois entrées A, B et C sont au niveau bas.
b) Un nombre binaire de 4 bits est noté A3A2A1A0 où A3, A2, A1 et A0 représentent chacun
des bits, A0 étant le LSB. Concevoir un circuit logique qui donne une sortie haute quand
le nombre binaire est supérieur à 0010 et inférieur à 1000.
c) Trois cellules photoélectriques sont éclairées par trois rayons lumineux (Une par rayon).
Elles sont à l’état haut lorsqu’elles sont éclairées et à l’état bas dans le noir. Ces rayons
clignotent de manière séquentielle. Concevoir un circuit logique qui produit un signal haut
quand les trois rayons sont allumés ou éteints en même temps.
d) Quatre grandes cuves dans une usine de fabrication de produits chimiques contiennent
différents liquides chauffés. Des capteurs de niveau servent à déceler le dépassement d’un
niveau préétabli dans les cuves A et B. Des capteurs thermométriques surveillent la
température des cuves C et D pour qu’elles ne descendent pas sous une valeur de
consigne. Supposer que les capteurs de niveau sont à " 0 " quand le niveau est correct et à
" 1 " quand il est trop haut. Supposer que les capteurs thermométriques sont à " 0 " quand
la température est acceptable et à " 1 " quand elle est trop basse. Concevoir un circuit
logique qui sonne l’alarme quand se produisent en même temps un niveau trop haut dans
A ou B et une température trop basse dans C ou D.
e) Ce schéma illustre un circuit d’alarme d’une automobile qui détecte diverses situations
non souhaitables. Les trois contacts donnent respectivement l’état de la porte du
conducteur, de l’allumage et des phares. Concevoir un circuit logique ayant ces trois
contacts comme entrées et comme sortie une alarme à un si:
• Les phares sont allumés et l’allumage est coupé.
• La porte est ouverte et le contact d’allumage est mis.

+5 V

Ouvert Porte

Fermé

+5 V
Alarme
Allumage Circuit
ON

OFF Logique

+5 V
Phares
ON

OFF

04 COMBIN_04/ 10 JUILLET 2006 Page 43


ETML Systèmes logiques combinatoires : 4
4.15.14 Exercices de conception: Un encodeur à priorité.

Un encodeur est utilisé avec un microprocesseur. Il comporte 3 entrées et 2 sorties.


Les entrées sont INT1, INT2, INT3 ; elles sont appelées signaux d’interruption et sont utilisées
pour gérer un événement spécial (une alarme par exemple). Les deux sorties sont C0 et C1, elles
indiquent la valeur de l’interruption à ‘1’.
Par exemple si INT1 est à "1" et tous les autres à "0" alors C1=0 et C0=1.
Si plusieurs signaux d’interruption sont à "1" les sorties indiquent la valeur du signal qui a la
plus grande priorité. L’ordre des priorités est INT3 puis INT2 et enfin INT1.

Page 44 04 COMBIN_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Les bascules : 5

5. LES BASCULES
Faisant suite à notre étude de la logique combinatoire, nous abordons maintenant la logique
SEQUENTIELLE.

5.1 La logique séquentielle


Souvenons-nous qu'en logique combinatoire, nous avions la situation suivante :
• A chaque état des variables d'entrée correspond un seul état des variables de sortie et
inversement.
La situation est différente avec les circuits séquentiels :
• A un état des variables d'entrée peut correspondre plusieurs états différents des variables
de sortie parce que le circuit se souvient de ses états précédents.
Les circuits séquentiels complexes sont constitués de circuits séquentiels élémentaires et
de circuits combinatoires. Parmi les principaux, citons :
• Les fonctions mémoires
• Les fonctions de comptage
La fonction mémoire élémentaire est réalisée par les BASCULES.

Sorties mémorisées

Entrées
Logique Logique
Entrées Sorties Mémoire Sorties mémorisées
combinatoire combinatoire

Schéma-bloc d'un circuit combinatoire Schéma-bloc d'un circuit séquentiel

5.2 Les bascules


Les bascules, aussi appelées "flip-flop" sont les éléments de base des systèmes séquentiels. Elles
sont capables de MEMORISER une information logique donnée sous forme d'IMPULSION.

Une bascule a deux sorties dont l'une est l'inverse de l'autre. Elles se notent Q et Q .

• Q est appelée sortie normale

• Q est appelée sortie inversée

• On dit que la bascule est à "1" (niveau HAUT) si Q = 1 et Q = 0

• On dit que la bascule est à "0" (niveau BAS) si Q = 0 et Q = 1

• La bascule comprend une ou plusieurs entrées. Ces dernières déterminent le passage en


sortie d'un état à un autre (basculement).

05 BASCULE_04/ 10 JUILLET 2006 Page 1


ETML Les bascules : 5
• Lorsqu'une impulsion modifie l'état de la sortie, la sortie reste dans cet état après
l'impulsion : c'est la mémoire de la bascule.
• La bascule n'a que deux états de sortie :

• Q = 0 et Q = 1

• Q = 1 et Q = 0

• Les états Q =1 et Q =1 ou Q = 0 et Q = 0 ne peuvent exister dans un fonctionnement


normal.

Q Sortie normale
Entrées

Q Sortie inversée

5.3 La bascule RS
R signifie RESET ou Remise à Zéro (RAZ)
S signifie SET ou Remise à un (RAU)

5.3.1 Schémas à portes NAND

S S &
Q Q

Q &
Q
R R

5.3.2 Symbole général

S S Q

R R Q

Page 2 05 BASCULE_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Les bascules : 5
5.3.3 TdV

R S Q Q
0 0 ..... .....
0 1 ..... .....
1 0 ..... .....
1 1 ..... .....

5.3.4 Fonctionnement
• On a au départ S = 1 et R = 1 Q = 0, Q = 1

• Si on donne une impulsion S = 0, le système bascule et Q = 1, Q = 0, cet état reste


mémorisé après l'impulsion de commande.

• Une nouvelle impulsion 0 sur S ne changera rien.

• Une impulsion 0 sur R fait basculer les sorties et Q = 0, Q = 1.

• Une nouvelle impulsion 0 sur R ne change rien.

• Si on applique simultanément 0 sur S et R , les sorties Q et Q sont à un mais ne


mémorisent pas cet état instable; la première impulsion qui disparaît laisse la priorité à
l'autre. Si elles disparaissent en même temps, c'est le hasard et le temps de commutation
des composants qui vont déterminer Q et Q . R = S = 0 est INTERDIT.

5.3.5 Application : l'interrupteur sans rebondissement

& Q

& Q

Ce système donne en sortie une commutation franche. De plus, avec les deux sorties Q et Q , on
dispose d'une sortie qui recopie la position de l'interrupteur et d'une sortie qui recopie l'inverse
de la position de l'interrupteur.

05 BASCULE_04/ 10 JUILLET 2006 Page 3


ETML Les bascules : 5
5.3.6 Diagramme des temps ou chronogramme
Il permet de connaître à tout instant l'état des sorties en fonction des états d'entrées

S S Q

R R Q

1
S
0

1
R
0

1
Q

1
Q
0

5.3.7 Le signal d'horloge


Les bascules que nous venons d'étudier sont dites asynchrones, c'est-à-dire :
• Les sorties peuvent changer d'état à tout moment quand une ou plusieurs entrées
changent et sans aucune autre dépendance.
Dans un système synchrone, un signal supplémentaire appelé signal d'horloge (en anglais
CLOCK ou CLOCK PULSE) et noté CLK va imposer le moment exact ou la sortie change
d'état.
Le signal d'horloge est une suite d'impulsions carrées ou rectangulaires

1
0

Page 4 05 BASCULE_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Les bascules : 5
• Le moment où la sortie change d'état s'appelle TRANSITION
• La transition peut se faire pendant que le signal d'horloge est égal à 1 mais le plus
souvent :
• Quand le signal d'horloge passe de 0 à 1, on parle alors de front montant (positive
edge)
• Quand le signal d'horloge passe de 1 à 0, on parle alors de front descendant (negative
edge)

Nous trouverons sur les schémas les symboles suivants sur l'entrée d'horloge :

Le signal de sortie peut changer d'état en fonction des modifications des


LATCH signaux d'entrée pendant que l'impulsion d'horloge vaut 1. On parlera alors
C1 de bascule transparente (LATCH).

Même situation que précédemment mais pendant que l'impulsion d'horloge


LATCH vaut 0.
C1

La bascule est activée seulement pendant le front montant de l'horloge


CLK (POSITIVE EDGE TRIGGERED) (Entrée dynamique)
C1

La bascule est activée seulement pendant le front descendant de l'horloge


CLK (NEGATIVE EDGE TRIGGERED) (Entrée dynamique)
C1

Il est à noter que la majorité des systèmes numériques existants sont synchrones. On parlera
alors de systèmes SEQUENTIELS par opposition aux systèmes combinatoires déjà étudiés.

05 BASCULE_04/ 10 JUILLET 2006 Page 5


ETML Les bascules : 5

5.4 La bascule RS synchronisée


5.4.1 Schéma à portes NAND

S &
&
Q

LATCH

&
& Q
R

5.4.2 Fonctionnement
La sortie ne peut changer d'état que si on a une impulsion S = 1 ou R = 1 pendant
que LATCH = 1. S = R = 1 interdit pendant que LATCH = 1.
5.4.3 Symboles généraux

S 1S Q S 1S Q

LATCH C1 CLK C1

R 1R Q R 1R Q

Correspond au schéma ci-dessus. Transition pour front positif d'horloge.

S 1S Q S 1S Q

LATCH C1 CLK C1

R 1R Q R 1R Q

Bascule transparente pour LATCH = 0 Transition pour front négatif d'horloge.

Page 6 05 BASCULE_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Les bascules : 5

5.5 La bascule D
5.5.1 Schéma à portes NAND

D &
&
Q

LATCH

&
& Q
1

La version représentée ci-dessus est une bascule D transparente (D LATCH).

5.5.2 Symboles généraux

1D Q D 1D Q
D

LATCH C1 CLK C1

Q Q

Bascule D transparente. (D LATCH) Bascule D avec transition sur front positif

5.5.3 TdV de la bascule D

D Q Q
0 ..... .....
1 ..... .....

L'entrée est recopiée à la sortie Q en synchronisation avec l'horloge

5.5.4 Fonctionnement de la bascule D


Le fonctionnement est identique à la bascule RS synchronisée mais dans ce cas, il n'y a pas le
désavantage de l'état interdit R = S = 1. Cette bascule est couramment utilisée dans les
compteurs et les registres à décalage ou pour saisir des données passagères.
Une impulsion sur CLK mémorise sur Q l'information se trouvant sur D.

05 BASCULE_04/ 10 JUILLET 2006 Page 7


ETML Les bascules : 5
5.6 La bascule JK
5.6.1 Symboles de la bascule JK

J 1J Q J 1J Q

LATCH C1 CLK C1

K 1K Q K 1K Q

Bascule JK transparente Bascule JK déclenchée par front descendant

5.6.2 Equation de la bascule JK


La sortie de cette bascule peut être obtenue en utilisant l'équation suivant.

Q + = JQ + KQ

Nous désignons par Q l'état de la sortie avant la transition et par Q+ l'état de la sortie après la
transition.
Nous pouvons remplir la TdV de la JK en utilisant cette équation.

5.6.3 TdV de la bascule JK

J K Q+
1) 0 0 .....
2) 0 1 .....
3) 1 0 .....
4) 1 1 .....

Nous constatons :
• Ligne 1): Il n'y a pas de changement, la sortie reste stable
• Ligne 2) et 3): La sortie Q après transition copie l'état de J
• Ligne 4): À chaque transition, Q est inversé, la bascule fonctionne en diviseur par 2.
Dans ce mode, on parle de bascule bistable.

Page 8 05 BASCULE_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Les bascules : 5
5.6.4 Universalité de la bascule JK
La bascule JK peut être considérée comme la bascule universelle. Les entrées J et K remplissent
les mêmes fonctions que les entrées R et S de la bascule RS, la mise de J et K à "1" ne pose par
contre aucun problème.
Le schéma suivant nous montre le câblage de la bascule JK fonctionnant comme une bascule D.

D 1J Q
CLK C1

1K Q

Le schéma ci-dessous nous montre l'utilisation de la bascule JK en bascule bistable.

VCC 1J Q Q
CLK

1K
C1

Q
≡ T

5.6.5 La remise à 0 et la remise à 1 (CLEAR et PRESET)


Certaines bascules sont équipées d'entrées pour la remise à 0 ou à 1 ou les deux. Ces entrées sont
asynchrones. Elles sont alors prioritaires sur les autres entrées dont l'horloge et agissent
immédiatement.

J 1J Q PRE S Q
CLK C1 CLK C1

K 1K D 1D
CLR R Q CLR R Q

Bascule JK avec clear Bascule D avec clear et Preset

05 BASCULE_04/ 10 JUILLET 2006 Page 9


ETML Les bascules : 5

5.7 Exercices
5.7.1 Exercice sur la bascule RS S S Q
Dessiner le chronogramme des sorties Q et Q .

R R Q

5.7.1.1
1
S
0
1
R
0
1
Q

0
1
Q
0

5.7.1.2
1
S
0
1
R
0
1
Q

0
1
Q
0

Page 10 05 BASCULE_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Les bascules : 5
5.7.2 Exercice sur la bascule RS synchronisée
S 1S Q
Dessiner le chronogramme des sorties Q et Q .
LATCH C1

R 1R Q

5.7.2.1
1
S

1
R

1
LATCH

1
Q

1
Q
0

5.7.2.2
1
S

1
R

1
LATCH

1
Q

1
Q
0

05 BASCULE_04/ 10 JUILLET 2006 Page 11


ETML Les bascules : 5
Dessiner le chronogramme des sorties Q et Q .
S 1S Q

CLK C1

R 1R Q

5.7.2.3
1
S

0
1
R

0
1
CLK

0
1
Q

0
1
Q
0

5.7.2.4
1
S

0
1
R

0
1
CLK

0
1
Q

0
1
Q
0

Page 12 05 BASCULE_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Les bascules : 5
Dessiner le chronogramme des sorties Q et Q .
S 1S Q

CLK C1

R 1R Q

5.7.2.5
1
S

0
1
R

0
1
CLK

0
1
Q

0
1
Q
0

5.7.2.6
1
S

0
1
R

0
1
CLK

0
1
Q

0
1
Q
0

05 BASCULE_04/ 10 JUILLET 2006 Page 13


ETML Les bascules : 5

5.7.3 Exercice sur la bascule D D 1D Q

Dessiner le chronogramme des sorties Q et Q . CLK C1

5.7.3.1
1
D

0
1
CLK

0
1
Q

0
1
Q
0

5.7.3.2
1
D

0
1
CLK

0
1
Q

0
1
Q
0

Page 14 05 BASCULE_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Les bascules : 5

5.7.4 Exercice sur la bascule D transparente


D 1D Q
Dessiner le chronogramme des sorties Q et Q .
LATCH C1

5.7.4.1

1
D

1
LATCH

1
Q

1
Q
0

5.7.4.2

1
D

1
LATCH

1
Q

1
Q
0

05 BASCULE_04/ 10 JUILLET 2006 Page 15


ETML Les bascules : 5

D 1D Q
5.7.5 Exercice sur la bascule D
CLK C1
Dessiner le chronogramme des sorties Q et Q .
Q

5.7.5.1
1
D

0
1
CLK

0
1
Q

0
1
Q
0

5.7.5.2
1
D

0
1
CLK

0
1
Q

0
1
Q
0

Page 16 05 BASCULE_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Les bascules : 5

D 1D Q
5.7.6 Exercice sur la bascule D
CLK C1
Dessiner le chronogramme des sorties Q et Q .
Q

5.7.6.1
1
D

0
1
CLK

0
1
Q

0
1
Q
0

5.7.6.2
1
D

0
1
CLK

0
1
Q

0
1
Q
0

05 BASCULE_04/ 10 JUILLET 2006 Page 17


ETML Les bascules : 5

J 1J Q
5.7.7 Exercice sur la bascule JK
Dessiner le chronogramme de la sortie Q. CLK C1

K 1K Q

5.7.7.1
1
J

0
1
K

0
1
CLK

0
1
Q

5.7.7.2
1
J

0
1
K

0
1
CLK

0
1
Q

Page 18 05 BASCULE_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Les bascules : 5
5.7.8 Exercice sur la bascule JK avec CLR et PRE
PRE S Q
Dessiner le chronogramme de la sortie Q.
J 1J
CLK C1

K 1K
CLR R Q

5.7.8.1
1
PRE

0
1
CLR

0
1
J

0
1
K

0
1
CLK

0
1
Q

5.7.8.2
1
PRE

0
1
CLR

0
1
J

0
1
K

0
1
CLK

0
1
Q

05 BASCULE_04/ 10 JUILLET 2006 Page 19


ETML Les bascules : 5
5.7.9 Application des bascules: discriminateur de sens

Capteur S1 Noir = 1

Capteur S2 Blanc = 0

Diagramme temporel pour une rotation à droite


1
S1

0
1
S2

Diagramme temporel pour une rotation à gauche


1
S1

0
1
S2

Réaliser un montage dons la sortie est à 1 pour une rotation à droite et à 0 pour une rotation à
gauche. (Ce montage peut être réalisé en utilisant une seule bascule étudiée au chapitre 5.

Page 20 05 BASCULE_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Les compteurs : 6

6. LES COMPTEURS
6.1 Introduction
Les compteurs sont des circuits électroniques numériques importants. Ce sont des circuits
logiques séquentiels et sont construits en utilisant des bascules. Les caractéristiques principales
des compteurs numériques sont les suivantes:
• Capacité maximum de comptage
• Comptage direct ou décomptage
• Fonctionnement synchrone ou asynchrone
• Fonctionnement permanent ou à arrêt automatique

6.2 Compteur à propagation


Les compteurs numériques ne comptent qu’en binaire ou en code binaire. Par exemple un
compteur 0 à 15 en décimal a la séquence suivante en binaire:
0000-0001-0010-0011-0100-0101-0110-0111-1000-1001-1010-1011-1100-1101-1110-1111-
0000- ...
Un tel compteur est appelé modulo 16. Le modulo d’un compteur est sa capacité, on utilise
parfois l’abréviation mod (Un compteur mod 16).

6.2.1 Schéma d’un compteur modulo 16 à bascules JK


1 QA 1 QB 1 QC 1 QD
1J 1J 1J 1J

CLK C1 C1 C1 C1

1K 1K 1K 1K
1 Q 1 Q 1 Q 1 Q

6.2.2 Chronogramme
CLK

QA

QB

QC

QD

06 COMPTEUR_04/ 10 JUILLET 2006 Page 1


ETML Les compteurs : 6
6.2.3 Fonctionnement
Les quatre bascules JK sont montées en mode .......................... et leurs sorties sont appliquées
aux entrées d'horloge du flip-flop suivant. Le déclenchement des bascules se propage dans le
compteur, pour cette raison on parle de compteur à propagation.
Il s'écoule un certain temps entre le front descendant de l'horloge et le déclenchement des flip-
flops suivants, c'est donc un type de compteur asynchrone, dans la mesure où toutes les bascules
ne déclenchent pas exactement en accord avec les impulsions d'horloge.
Notons encore, que chaque cellule divise la fréquence de son entrée par deux.

6.2.4 Exercice sur le compteur asynchrone


Compléter le chronogramme et donner la séquence du compteur ci-dessous.

1 QA 1 QB 1 QC 1 QD
1J 1J 1J 1J

CLK C1 C1 C1 C1

1K 1K 1K 1K
1 Q 1 Q 1 Q 1 Q

CLK

QA

QB

QC

QD

6.2.5 Exercice sur le compteur asynchrone


Compléter le chronogramme et donner la séquence du compteur ci-dessous.

1 QA 1 QB 1 QC 1 QD
1J 1J 1J 1J

CLK C1 C1 C1 C1

1K CLR 1K CLR 1K CLR 1K CLR


1 Q 1 Q 1 Q 1 Q

&

Page 2 06 COMPTEUR_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Les compteurs : 6
CLK

QA

QB

QC

QD

6.3 Compteurs parallèles


Comme il a été mentionné, l'inconvénient présenté par le compteur à propagation asynchrone est
le délai qui existe au cours des basculements successifs. Ce délai peut être supprimé en montant
les flip-flops de manière à ce que toutes les entrées d'horloge soient reliées entre elles et au
signal d'horloge. De cette manière le fonctionnement de ce type de compteur est synchrone.

6.3.1 Schéma d’un compteur modulo ........... à bascules JK

QA QB & QC
1
J Q J Q J Q

C1 C1 C1
1 K K K

CLK

6.3.2 Chronogramme
CLK

QA

QB

QC

06 COMPTEUR_04/ 10 JUILLET 2006 Page 3


ETML Les compteurs : 6

6.4 Conception de compteurs synchrones


La conception de compteurs synchrones peut être faite en utilisant des bascules JK. L'exemple
suivant illustre une méthode de recherche du circuit à partir d'un cycle donné.

6.4.1 Cycle du compteur


La première étape consiste à poser le cycle que l'on désire obtenir, par exemple:

1 3

7 5

6.4.2 Tdv du compteur


A partir de l'équation du flip-flop JK, il est possible de trouver les états de J et de K en fonction
de Q et Q+ (état futur).

Q + = J Q + KQ
Q Q+ J K
0 0 ..... .....
0 1 ..... .....
1 0 ..... .....
1 1 ..... .....

De ce tableau, il est maintenant possible de remplir la Tdv du compteur:

QC QB QA QC+ QB+ QA+ JC KC JB KB JA KA


0 0 1 0 1 1 ..... ..... ..... ..... ..... .....
0 1 1 1 0 1 ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 0 1 1 1 1 ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 1 1 0 0 1 ..... ..... ..... ..... ..... .....

Toutes les autres lignes sont des états indéterminés. Il est maintenant possible de trouver après
simplification les équations des entrées J et K des bascules JK.

Page 4 06 COMPTEUR_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Les compteurs : 6
6.4.3 Simplification des entrées J et K
Pour l’exemple ci-dessus, nous trouvons:
JA = .......... JB = .......... JC = ..........
KA = .......... KB = .......... KC = ..........

6.4.4 Schéma logique du compteur 1 - 3 - 5 - 7

6.4.5 Contrôle des états indéterminés


Il reste maintenant une dernière étape dans la conception de notre compteur, consistant à vérifier
les états indéterminés. Cette étape est importante, le compteur pouvant s’engager dans une
boucle indésirable, ne répondant pas au cahier des charges. Pour notre exemple nous pourrions
avoir un cycle " parasite " 2 - 4 -2 - ...
Nous allons remplir la Tdv complète de notre compteur:
QC QB QA QC+ QB+ QA+ JC KC JB KB JA KA
0 0 0 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
0 0 1 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
0 1 0 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
0 1 1 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 0 0 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 0 1 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 1 0 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 1 1 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....

06 COMPTEUR_04/ 10 JUILLET 2006 Page 5


ETML Les compteurs : 6
Marche à suivre:
a) Remplir J et K selon les équations trouvées ( 6.4.3 )
b) Remplir Q+ en utilisant l’équation de la JK ( 6.4.2 )
c) Extraire le cycle complet du compteur, par exemple sous la forme utilisée dans 6.4.1.:

Cette solution n'est pas unique et nous allons supposer que les équations trouvées sont:
JA = 0 JB = 1 JC = QB
KA = 0 KB = 1 KC = QB

6.4.6 Schéma logique du compteur 1 - 3 - 5 - 7

Page 6 06 COMPTEUR_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Les compteurs : 6
6.4.7 Contrôle des états indéterminés

QC QB QA QC+ QB+ QA+ JC KC JB KB JA KA


0 0 0 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
0 0 1 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
0 1 0 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
0 1 1 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 0 0 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 0 1 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 1 0 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....
1 1 1 ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... ..... .....

Cycle complet du compteur:

06 COMPTEUR_04/ 10 JUILLET 2006 Page 7


ETML Les compteurs : 6
6.4.8 Exercice sur les compteurs parallèles utilisant des bascules JK
Réaliser un compteur dont le cycle est 1 - 2 - 3 - 1 - ... si S = 0 et le cycle
1 - 3 - 2 - 1 - ... si S = 1. (S est une entrée donnant le sens du compteur)

6.4.9 Exercice sur les compteurs parallèles utilisant des bascules D


Réaliser un compteur dont le cycle est 1 - 2 - 3 - 1 ...

Page 8 06 COMPTEUR_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Logique programmable : 7

7. Logique programmable
7.1 Introduction
Circuits Logiques Programmables = Programmable Logic Devices = PLD
L'apparition de circuits logiques programmables a considérablement bouleversé la conception
des systèmes numériques électroniques. Grâce à cette technique, il est maintenant possible de
résoudre un problème numérique avec un minimum de circuits intégrés et un maximum de
flexibilité. La personnalisation d'une application est maintenant possible sans pour autant
redévelopper la partie matérielle, donc à moindre frais.
Historiquement, les premiers circuits logiques programmables ont été au début des années 60, les
matrices à diodes avec leurs fusibles. L'utilisation de PLDs s'est de plus en plus répandue ces dix
dernières années et aujourd'hui (2006) il est rare de ne pas rencontrer de tel circuit sur un
nouveau développement numérique.
Afin de bien pouvoir comparer les différentes techniques, nous allons résoudre le même
problème en utilisant tout d'abord les circuits numériques traditionnels puis en utilisant un PLD.
La même approche sera faite pour un système combinatoire et pour un système séquentiel.

7.2 Concept de base1


Un circuit de logique programmable (PLD) est un circuit intégré qui peut être programmé afin
d'exécuter des fonctions logiques spécifiques. La plupart des PLDs sont constitués de deux
réseaux de portes logiques, un réseau AND suivi d'un réseau OR. Les équations des fonctions
programmées sont écrites sous la forme minterme ou somme de produits. (Voir cours
d'électronique numérique - Systèmes logiques combinatoires).

1
Extrait d'Electronique Industrielle Fernand Dominé ETML

07 PLD_04/ 10 JUILLET 2006 Page 1


ETML Logique programmable: 7

7.3 Convention de notation1


La structure des PLDs étant très différente de celle des portes TTL ordinaires, de nouvelles
notations logiques ont été développées.
Exemple: S = A ⋅ B ⋅ C

A B C
A S = A⋅B⋅C S = A⋅B⋅C
B X X X
C

Représentation standard Représentation pour PLD

• La porte AND est appelée une ligne de


produits.
• Les lignes verticales sont les entrées du
PLD.
• Les "X" représentent des fusibles.

• Les fusibles relient les entrées du PLD


aux entrées de la porte AND
Lors de la programmation d'un PLD un fusible indésirable est ouvert et le "X" disparaît.
Exemple: S = A ⋅ B

Fusible programé
(Ouvert)
A B C

S = A⋅B
X X

Fusible non-programmé
(Intact)

1
Extrait d' Electronique Industrielle Fernand Dominé ETML

Page 2 07 PLD_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Logique programmable : 7

7.4 Les différents types de PLDs


Nous pouvons citer trois types de base de PLDs:

7.4.1 PROM: Programmable Read Only Memories.2


Ce sont des PLDs en lecture seule, qui peuvent servir à stocker des programmes fixes ou être
utilisées pour des applications logiques. Dans ce cas, le réseau AND est fixe et le réseau OR est
programmable.

A B

Fusible OR

AB

AB

AB

AB

Hard AND F1 F2 F3 F4

Sur cet exemple les sorties ont pour équations:


F1 = ...........................................................................................................
F2 = ...........................................................................................................
F3 = ...........................................................................................................
F4 = ...........................................................................................................

2
Extrait de Programmable Logic Devices Databook and Design Guide National Semiconductor

07 PLD_04/ 10 JUILLET 2006 Page 3


ETML Logique programmable: 7
7.4.2 PLA: Programmable Logic Array.3
Les deux réseaux AND et OR sont programmable.

A B

Fusible OR

AB

AB

Fusible AND F1 F2 F3 F4

Sur cet exemple les sorties ont pour équations:


F1 = ...........................................................................................................
F2 = ...........................................................................................................
F3 = ...........................................................................................................
F4 = ...........................................................................................................

3
Extrait de Programmable Logic Devices Databook and Design Guide National Semiconductor

Page 4 07 PLD_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Logique programmable : 7
7.4.3 PAL: Programmable Array Logic.4
Le réseau AND est programmable et le réseau OR est fixe.

A B

Hard OR

AB

AB

AB

Fusible AND

F1 F2 F3 F4

Sur cet exemple les sorties ont pour équations:


F1 = ...........................................................................................................
F2 = ...........................................................................................................
F3 = ...........................................................................................................
F4 = ...........................................................................................................

4
Extrait de Programmable Logic Devices Databook and Design Guide National Semiconductor

07 PLD_04/ 10 JUILLET 2006 Page 5


ETML Logique programmable: 7
7.5 Explication de la marche à suivre
7.5.1 Exemple
Pour illustrer les procédures à suivre pour la programmation d'un PLD, prenons un exemple
simple. Réalisons un circuit à deux entrées et quatre sorties dont les équations sont:

A F1 = A

B
? F2 = AB
F3 = A + B
F4 = AB + AB

7.5.2 Choix du PLD


Il faut maintenant choisir un PLD permettant de réaliser notre problème. Il faut donc qu'il ait au
moins 2 entrées et 4 sorties. Prenons par exemple de notre stock un PAL de la marque AMD:5

PAL CE 16 V 8 H - 25

Type de la famille

Technologie:
CMOS Eletrically
Erasable

Nombre d'entrées

Type des sorties


V = Versatile
(Bidirectionnelles)

Nombre de flip-flops

Puissance
H = Half Power
(90 mA)

Vitesse
-25 = 25 ns tPD

Ce PLD comporte donc 16 entrées dont 8 peuvent être utilisées en sortie ou entrée-sortie.

5
Voir PAL Device Data Book and Design Guide AMD

Page 6 07 PLD_04 / 10 JUILLET 2006


ETML Logique programmable : 7
7.5.3 Compilation
Il s'agit maintenant de déterminer les fusibles à "griller". Ce travail pourrait être fait à la main
mais serrait considérable. C'est pourquoi il existe plusieurs programmes capables de générer une
liste de fusibles à "griller" à partir de:
• Equations booléennes
• Table de vérité
• Graphes d'état
• Logigrammes
• VHDL
• ...
Au terme de cette compilation, un fichier contenant les informations nécessaires à la
programmation du PLD est généré. Il peut être de type "JEDEC" et portant l'extension .JED.

7.5.4 Programmation
Il s'agit maintenant d'utiliser le fichier contenant les fusibles à griller pour programmer notre
PLD. Cette opération peut être faite sur un programmeur universel, commandé par un logiciel. Il
faudra alors choisir le bon type du PLD, charger le fichier "JEDEC" et programmer le PLD.

7.5.5 Applications
La conception d'un circuit électronique numérique combinatoire ou séquentiel ne se fait
aujourd'hui qu'à l'aide de logique programmable. Le prix du développement et du hardware,
l'économie de volume ainsi que la facilité de mise en application sont les principaux avantages
de cette technique. De même une conception particulière peut être très simplement modifiée pour
un autre client, et cela uniquement par une nouvelle programmation et sans aucune modification
du hardware.

07 PLD_04/ 10 JUILLET 2006 Page 7


ETML Le circuit intégré 555 : 8

8. LE CIRCUIT INTEGRE 555


Appelé MINUTERIE ou TIMER, ce circuit intégré est très polyvalent. Ses deux
fonctionnements de base sont:
• Multivibrateur monostable
• Multivibrateur astable
L’origine du nom " 555 " vient du diviseur interne de tension, constitué de trois résistances de
5 kΩ. Ce diviseur permet de définir deux seuils, 1/3 VCC et 2/3 VCC.

8.1 Brochage
Masse / Ground - 1 8 - Vcc

Enclenchement / Trigger - 2 7 - Décharge / Discharge

Sortie / Output - 3 6 - Seuil / Threshold

Réinitialisation / Reset - 4 5 - Tension de commande

Control Voltage

La tension d'alimentation Vcc peut être comprise entre 4,5 et 18 V

8.2 Schéma bloc


VCC

VCC

> 2/3 VCC


5k
Control voltage
-
Treshold S Q
+
5k
+
Output
R Preset Q
Trigger
-
5k < 1/3 VCC

Reset
Discharge

GND

08 555_04/ 10 JUILLET 2006 Page 1


ETML Le circuit intégré 555 : 8
8.4.2 Fonctionnement
Au repos borne 3 =0V
bornes 6 et 7 = 0 V
borne 2 = VCC

Dès que l'on envoie une impulsion < 1/3 Vcc sur 2, la sortie 3 passe à 1. Le condensateur C se
charge à travers R car le transistor Q est bloqué. Au moment où UC atteint 2/3 Vcc, la sortie 3
revient à 0, le transistor Q conduit et le condensateur est déchargé, on se retrouve à l'état de
repos. La durée d'impulsion se calcule par

t = 1,1 · R · C

avec

t en [s]
R en [Ω]
C en [F]

Remarque: Dans tous les cas, la durée de l'impulsion Trigger sur borne 2 devra être plus courte
que l'impulsion de sortie.

8.4.3 Diagramme des temps. (pour Vcc = 5 V)


Trigger (2)
VCC

1/3 VCC

Output (3) t
VCC

Threshold (6) t
Discharche (7)

2/3 VCC

08 555_04/ 10 JUILLET 2006 Page 3


ETML Le circuit intégré 555 : 8

8.3 Description des bornes du circuit


• 1 - GND = masse. Cette patte doit être reliée à la masse de l’alimentation.
• 2 - TRIGGER = enclenchement. Cette entrée sert à l’enclenchement du circuit, elle
provoque un état de sortie haut. Le niveau de repos de l’entrée TRIGGER doit être haut.
L’enclenchement a lieu si la tension descend au-dessous de 1/3 VCC (1/2 Vref si une
tension est appliquée à la broche 5).
La durée de la temporisation ne peut être inférieure à la durée de l’impulsion
d’enclenchement.
• 3 - OUTPUT = sortie. Cette sortie peut délivrer ou absorber un courant de 200 mA.
• 4 - RESET = remise à zéro. Cette entrée permet de remettre à zéro la sortie et provoque
la mise en conduction du transistor de décharge, ce qui revient à mettre la broche 7 à la
masse.
Si cette entrée RESET n’est pas utilisée, on la connectera au VCC afin d’éviter des
remises à zéro intempestives du 555 par des parasites.
• 5 - CONTROL VOLTAGE = tension de référence. Cette entrée permet de modifier les
seuils 1/3 VCC et 2/3 VCC. Les seuils deviennent ½ Vref et Vref.
Si cette entrée n’est pas utilisée, on placera un condensateur entre cette broche et la
masse (10 nF). Il aura pour effet de stabiliser la tension interne de référence.
• 6 - THRESHOLD = seuil. Entrée du comparateur 2/3 VCC. Lorsque la tension de cette
entrée dépasse 2/3 VCC (Vref si une tension est appliquée à la broche 5) la sortie est
remise à zéro et la broche 7 est mise à la masse.
• 7 - DISCHARGE = décharge. En fin de temporisation ou après une impulsion de RESET,
la sortie passe à l’état bas et un transistor interne NPN, émetteur à la masse, devient
conducteur. Cette broche 7 est utilisée pour la décharge du condensateur externe de
temporisation.
• 8 - + VCC = Alimentation du circuit entre + 4,5 et 18 V.

8.4 Le fonctionnement en monostable


L’application du 555 en monostable (ou temporisateur) est à l’origine de la conception du
circuit. Elle permet des temporisations d’une durée de 1 µs à 1 h.

8.4.1 Schéma
VCC

R
4 8
6 3
C 7
555
2 5
1
10nF

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ETML Le circuit intégré 555 : 8
8.4.4 Exemple d’application comme monostable
Le 555 peut détecter, s’il est branché comme sur cet exemple, une impulsion manquante dans un
train d’impulsions de fréquence fixe et connue. La sortie est à l’état haut tant que la tension de la
capacité ne dépasse pas les 2/3 VCC. Chaque impulsion d’entrée décharge le condensateur et
enclenche la temporisation (t = 1.1 ⋅ R ⋅ C). Il suffit qu’une impulsion soit absente du train pour
que le condensateur se charge et que la sortie passe momentanément à l’état bas, annonçant ainsi
l’erreur. Une erreur se produira également si la fréquence devient trop basse. On peut ainsi
détecter par exemple une vitesse de rotation d’un moteur trop lente.

VCC

R
4 8
6 3
7
Entrée C 555
2 5
1
10nF

Trigger (2)
VCC

1/3 VCC

Output (3) t
VCC

Threshold (6) t
Discharche (7)

2/3 VCC

Sur cet exemple, si R = 1 kΩ et C = 100 nF et que le train d’impulsions soit généré par un
capteur donnant 1000 impulsions par tour, quel doit être la vitesse minimum du moteur pour que
le circuit ne donne pas d’erreur?

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ETML Le circuit intégré 555 : 8

8.5 Le fonctionnement en astable


8.5.1 Schéma
VCC

RA
4 8
7 3

RB
555
6
2 5
C 1

8.5.2 Fonctionnement
• Dès qu'il est mis sous tension, ce système génère des signaux rectangulaires. Supposons
la sortie 3 au niveau 1 donc le transistor Q1 est bloqué. Le condensateur se charge à
travers RA + RB.
• Quand UC atteint 2/3 VCC, la sortie 3 passe à 0 V, le transistor Q1 est conducteur.
• Le condensateur se décharge à travers RB
• Quand UC descend en dessous de 1/3 VCC, la bascule RS est remise à 0 par l'entrée 2 et la
sortie repasse à 1. C se recharge à travers RA + RB et le cycle recommence

Remarque: le condensateur se charge à travers RA + RB mais se décharge seulement à travers RB.


Donc, pour une période, la sortie restera plus longtemps à 1 qu'à 0. On produit un signal
rectangulaire.

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ETML Le circuit intégré 555 : 8
Nous appellerons le temps où la sortie est égale à 1 "tch" pour temps de charge et le temps où la
sortie est égale à 0 "tdech" pour temps de décharge. Ainsi on obtient:

tch = 0,7 (RA + RB) · C


tdech = 0,7 · RB · C
et la période T = tch + tdech = 0,7 (RA + 2 RB) · C
1 143
.
ce qui donne la fréquence f = =
T ( R A + 2 RB ) ⋅ C

avec t en [s]
C en [F]
R en [Ω]
T en [s]
f en [Hz]
Attention: la fréquence maximum à laquelle le 555 peut fonctionner en astable est 200 kHz

Nous pouvons exprimer le rapport cyclique ou le facteur de forme du signal de sortie par:
t ch
D= ⋅100
T
ou
RA + RB
D= ⋅ 100
RA + 2RB

avec
D en [%]
tch et T en [s]
RA et RB en [Ω]

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ETML Les Mémoires : 9

9 LES MÉMOIRES
9.1 Terminologie des mémoires
Bit : ‘Binary digit’, c’est l’unité logique ; il peut prendre la valeur 1 ou 0.

Cellule mémoire : Cellule électrique qui stocke un seul bit.


Exemple : bascule, condensateur , point aimantable sur bande ou disque
magnétique.

Mot mémoire : Groupe de bits correspondant à une instruction ou à une donnée.


Par exemple un registre formé de 8 bascules peut être considéré comme un mot
mémoire de 8 bits. La longueur des mots s’échelonne habituellement de 4 à 128
bits selon le type de microprocesseur.

Octet ( byte ) : Mot de 8 bits. C’est la longueur de mot la plus usuelle.

Capacité : Quantité de bits que la mémoire peut mémoriser.


Exemple1 : une mémoire de 4 Mbytes mémorise 4 •106 • 8 = 32 •106 bits.
Exemple2 : une mémoire de 4096 mots de 14 bits mémorise 57344 bits.

Adresse : Nombre permettant de localiser physiquement un mot en mémoire.


Adresse Contenu de la mémoire
0 0 Mot 0
0 1 Mot 1
1 0 Mot 2
1 1 Mot 3
…etc... …etc...

Temps d’accès : Durée pour faire une opération de lecture, ce temps est désigné pat tACC.
9.2 Fonctionnement d’une mémoire électronique:
Les mémoires sont des circuits intégrés de forte densité d’intégration capables de stocker de
l’information sous forme binaire. Elles sont réalisées en technologie bipolaire ou CMOS (voir les §
16.3 à 16.7) .
Il y a, en ce qui concerne leur organisation, deux grandes familles : les mémoires à accès parallèle
ou sériel. Dans les mémoires sérielles il existe plusieurs protocoles de communication, les plus
répandus étant I2C-Bus, SPI-Bus, Microwire-Bus.

Vcc Vcc
Bus d’Adresses Bus de Données
Clk
Serial Data&Adr
CS In/Out
R/W OE Chip Enable
Gnd
Gnd
Mémoire parallèle Mémoire sérielle (I2C-Bus)

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ETML Les Mémoires : 9

Mémoire parallèle Mémoire sérielle


Avantages Grande capacité. Encombrement très réduit ; nécessite
Très rapide. peu de signaux de commande ; bonne
immunité aux parasites
Inconvénients Encombrement ; nécessite beaucoup de Très lente
signaux de commande

9.2.1 Architecture des mémoires

Sélection de Rangée Rangée 0 OE CS


A0 Decodeur Registre 4
Registre 0
1:4 E E E E
A1

Bus de données
Rangée 1
Registre 1 Registre 5
Rangée 2 E E E E Tampon de
sortie
Rangée 3

D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
Sélection de Colonne
Colonne 0
A2 Decodeur Colonne 1
1:4 Colonne 2
A3 Colonne 3

Cette architecture est présente aussi bien dans une mémoire parallèle que dans le cœur d’une
mémoire sérielle.

9.2.2 Signaux de commande des mémoires parallèles

/CS /CS

Adresse Adresse

/OE /OE tCW


R/W tCSA R/W

Données Dout Données Din

Cycle de lecture Cycle d’écriture

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ETML Les Mémoires : 9
9.2.3 Signaux de commande des mémoires sérielles ( protocole I2C-Bus)
SCL
SCL = Serial clock

SDA MSB R/W ACK SDA = Serial Data In/Out


Start Stop
R/W = 0 : Ecriture R/W = 1 : Lecture
Cycle de lecture ou d’écriture

9.3 Mémoires vives : RAM


RAM = « Random Access Memory », c-à-d. mémoire à accès aléatoire. Cette appelation qui paraît
désuète aujourd’hui rappelle que les RAM furent les premières mémoires à accès aléatoire contrairement
aux bandes magnétiques par exemple qui ont un accès purement séquentiel.
Les RAM sont des mémoires vives dans lesquelles on peut lire ou écrire des données.Elles servent au
stockage temporaire d’informations numériques.
Leur conteneu peut changer continuellement à mesure de l’exécution du programme. Elles doivent donc
être rapides pour ne pas ralentir le fonctionnement de l’ordinateur.
Ce sont des mémoires dites volatiles car elles perdent leur contenu aussitôt que l’on coupe leur tension
d’alimentation. Il arrive assez fréquement que l’on utilise une pile ou une batterie pour éviter de perdre
leur contenu à la mise hors tension. C’est le cas par exemple pour la mémoire de l’horloge interne des
ordinateurs personnels.
On rencontre deux grandes familles de RAM : les RAM statiques appelées SRAM et les RAM
dynamiques appelées DRAM.

9.3.1 SRAM
Les SRAM sont des mémoires qui conservent leur information indéfiniment aussi longtemps
qu’elles sont alimentées.
Elles peuvent être fabriquées en technologie bipolaire ou MOS, quoique la majorité se trouve en
technologie MOS.
Les bipolaires sont plus rapides mais consomment plus et sont de moins grande capacité à surfaces
de silicium égales.
Dans le cadre de ce cours nous étudierons les RAM en technologie NMOS et CMOS

Dans cette technologie Q1 à Q6 sont des transistors NMOS ( tous les transistors sont des MOS
canal-N). On a donc Q3 et Q4 montés en résistances ce qui entraîne une consommation en courant
relativement importante.

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ETML Les Mémoires : 9
Ligne de mot
Vcc

Q3 Q4
Q5 Q6 SRAM en technologie NMOS
Ligne de Q1 Q2 Ligne de
Donnée D Donnée /D
Gnd

Les opérations de lecture et écriture se font en ouvrant Q5 et Q6 par la ligne de mot (Word Line).
Lors de l’écriture on vient forcer la gate de Q2 à travers Q5 respectivement celle de Q1 à travers
Q6.
L’utilisation de la technologie CMOS (Complementary MOS) permet de supprimer le principal
défaut de cette cellule SRAM, à savoir sa consommation en courant.
Les tensions sont stables aussi longtemps que l’alimentation est présente.

Montage amélioré :

Ligne de mot
Vcc

Q3 P P
Q4
Q5 Q6
SRAM en technologie CMOS
Ligne de Q1 Q2 Ligne de
N N
Donnée D Donnée /D
Gnd

Dans cette technologie Q1 et Q2 sont des transistors NMOS ; Q3 et Q4 sont des PMOS.
Q1 et Q4 conduisent alors que Q2 et Q3 sont bloqués ou inversément. On n’a donc aucune
consommation de courant statique.
CMOS = « Complementary Metal Oxyde Semiconducteur », on utilise donc à la fois des
transistors MOS canal-N et des MOS canal-P.

Les SRAM sont les mémoires les plus rapides que l’on trouve sue le marché.

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ETML Les Mémoires : 9
9.3.2 DRAM
Les mémoires vives dynamiques (dynamic RAM) sont fabriquées en technologie MOS ; elles ont une
grande capacité, une faible consommation et une assez grande vitesse ( mais plus lentes que les SRAM).
Contrairement aux SRAM qui conservent leurs données dans des bascules, les DRAM stockent les
informations binaires ( 0 ou 1) dans des condensateurs MOS très petits ( quelques pF). Ces minuscules
condensateurs se déchargent dans le temps et nécessitent d’être périodiquement rechargés. On parle alors
du rafraîchissement des DRAM. Cette opération est nécessaire toutes les 5 à 50 ms selon le type ( le plus
long étant le mieux). Ceci est un désavantage, car il faudra une circuiterie supplémentaire par rapport à la
SRAM . Pour les DRAM de petite capacité (< 64kbytes), le contrôleur de mémoire dynamique, qui
renferme l’électronique de rafraîchissement, se trouve intégrée sur la même puce; de l’extérieur ces RAM
dynamiques s’utilisent comme des RAM statiques. Pour les DRAM de grande capacité, le contrôleur de
mémoire dynamique sera externe, rendant ces mémoires un peu plus difficiles à mettre en œuvre.
L’avantage des DRAM provient de la simplicité de la structure de leurs cellules. Les DRAM occupent
environ 4 fois moins de surface que les DRAM ( donc 4 fois moins chères à capacité égales ou 4 fois plus
de capacité à surface égale). Parallèlement elles consomment 2 à 6 fois moins que les SRAM à capacités
égales.
Ces mémoires se retrouvent partout où l’on a besoin de grande capacité de stockage et de faible
consommation.

Une cellule DRAM est est constituée de deux éléments : un transistor MOS et un condensateur.
Ligne de mot
VREF=VDD/2
S4
S1 S2 -
Q1 + Donnée Out
Donnée In S3
Cd
Ligne de Cs
Donnée Représentation symbolique d’une DRAM
Écriture : S1 & S2 sont
fermés
Lecture : S2 & S3 & S4 fermés

Sur la figure ci-contre, on a une mémoire DRAM de


Ligne de Donnée In/Out
4bits.
ϕ Y0 ϕ Y1
VP =VDD/2 - VP =VDD/2 -
Cycle de lecture du bit 0 : + +
1.’Ligne de mot 0’ à (Vdd+Vt) ⇒ M0 & M1 conduisent ϕ A0 ϕ A1 Matrice de
2.On ferme les switches ϕA0 & ϕA1 : Régéneration de Ligne de mot 0
Cellules
tous les bits sur la ligne de mot 0
M0 M1
⇒ VS=0V si la valeur binaire était 0
⇒ VS=Vdd si la valeur binaire était 1 Cs Cs
3.On ouvre les switches ϕA0 & ϕA1 Ligne de mot 1
⇒ Les datas de M0 & M1 ont été régénérés M2 M3
4.On ferme le switch ϕY0 ⇒ Bit 0 disponible sur ligne
de donnée Cs Cs

5.On ouvre switch ϕY0


6.’Ligne de mot 0’ à 0 V ⇒ M0 & M1 sont bloqués

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ETML Les Mémoires : 9
Cycle d’écriture du bit 0 :
’Ligne de mot 0’ à (Vdd+Vt) ⇒ M0 & M1 conduisent
2.On ferme les switches ϕA0 & ϕA1 : Régéneration de tous les bits sur la ligne de mot 0
⇒ VS=0V si la valeur binaire était 0
⇒ VS=Vdd si la valeur binaire était 1
3. On ferme le switch ϕY0 ⇒ on va écrire le bit 0 à la valeur désirée
4. ‘Ligne de mot 0’ à 0 V ⇒ M0 & M1 bloqués

9.3.3 Tableau d’utilisation des RAM


RAM statiques : SRAM RAM dynamiques : DRAM

Oscilloscopes à mémoires numériques Mémoires principale de travail des ordinateurs


Analyseurs logiques personnels, des stations de travail, des
Instruments d’acquisitions de données terminaux informatiques, des serveurs.
Mémoires de cartes video

9.3.4 Tableau d’utilisation des RAM dans les ordinateurs


Technologie Application dans les Temps d’accès Nb. de Caractéristiques
de RAM ordinateurs ports

Static RAM Mémoire cache Rapide 1 RAM chargée en permanence ; plus


(SRAM) chère que la DRAM
DRAM Mémoire principale, Lente 1 Constamant rechargée
mémoire vidéo bon marché
FPM (Fast Page Mémoire principale, Lente 1 Type de RAM très répandu
Mode) DRAM mémoire vidéo bon marché
EDO (Extended Mémoire principale, 20% plus rapide 1 Lectures simultanées (une peut
Data Out) mémoire vidéo bon marché que FPM DRAM commencer alors que la précédente
DRAM se termine. Très courament utilisée.
EDRAM Mémoire cache 15 ns pour SRAM 1 Contient 256 bytes de DRAM dans
(Enhanced 35 ns pour DRAM une SRAM plus grande
DRAM)
NVRAM Mémoires de téléphones, Rapide 1 RAM alimentée par batterie
(Nonvolatile configuration de modems
RAM)
Enhanced Mémoire principale Rapide 2 --
Synchronous (>100MHz)
DRAM
(ESDRAM)
Direct Rambus Mémoire principale 800MHz (équipée 1 --
DRAM d’un bus de 16
(DRDRAM) bits)
RAMDAC Carte vidéo Rapide 1
VRAM (Video Mémoire vidéo très chère 2 fois plus rapide 2 Double port : une nouvelle image
RAM) que DRAM peut être stockée en RAM pendant
que la précédente est envoyée à
l’écran

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ETML Les Mémoires : 9
9.4 Mémoire mortes : ROM (Read Only Memory)
Il s’agit de mémoires à semi-conducteurs qui gardent en permanence des données ou dont les
données sont très rarement modifiées. En utilisation normale, les données inscrites dans une
mémoire morte sont inaltérables, elles peuvent seulement être lues (read only). Dans certains types
de mémoires mortes les données sont introduites durant le procédé de fabrication (MROM :
Masquable ROM). Dans le cas d’autres mémoires mortes, les données peuvent être introduites
électriquement. On donne le nom de programmation ou de grillage au processus d’introduction
des données dans une mémoire morte.
Certaines mémoires mortes ne peuvent jamais avoir d’autres données que celles qui ont été
programmées ; d’autres peuvent être effacées et reprogrammées aussi souvent qu’on le désire.
Les mémoires mortes sont destinées à stocker des données et des informations qui ne doivent pas
changer durant le fonctionnement d’un système. La principale utilisation est le stockage des
programmes dans les micro-ordinateurs. Toutes les mémoires mortes sont rémanentes, c’est-à-dire
qu’elles gardent leurs données lorsqu’elles ne sont plus sous tension.
Lorsqu’on accède en lecture à une mémoire morte, il existe un temps d’accès (ou retard), entre le
moment où on applique une adresse aux entrées de la mémoire et le moment où il apparaît une
donnée sur les sorties. Ce temps d’accès est une mesure de la vitesse de fonctionnement de la
mémoire morte.

9.5 Mémoires PROM (Programmable ROM)


Les fabricants ont développé des ROM programmables à l’aide de liaisons fusibles. La structure à
liaisons fusibles d’une PROM est constituée de cellules mémoires dont les connexions sont ouvertes
ou fermées pour représenter un 1 ou un 0. Chacune de ces connexions est un petit fil fusible mis là
par le fabricant. L’utilisateur peut choisir de griller n’importe laquelle de ces liaisons fusibles pour
enregistrer en mémoire les données voulues. On fait donc fondre les petites connexions en
appliquant au dispositif une tension bien précise qui produit l’intensité nécessaire pour faire fondre
la petite connexion qui s’ouvre alors comme lorsqu’un fusible grille. Dès que le filament est fondu,
il est impossible de revenir en arrière.
Afin de programmer les PROM, il existe des programmateurs dans lesquels il est possible de
charger le code à partir d’un ordinateur par exemple, et ensuite le programmateur se charge de faire
griller les liaisons.

Figure 11-11 TOCCI p.633

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ETML Les Mémoires : 9
9.6 Mémoire EPROM ( EPROM : Erasable PROM )
Une EPROM peut être programmée par un utilisateur, mais il est possible de l’effacer et de la
reprogrammer aussi souvent qu’on le désire. La programmation d’une EPROM fait intervenir des
niveaux de tension spéciaux (10 à 25V) sur des entrées précise de la puce pendant une durée
déterminée (50 ns). Pour faire revenir la mémoire dans son état initial, on expose la fenêtre
transparente du circuit intégré à une lumière ultra violette (UV). Cette action remet toutes les
cellules à 1. Il sera donc à nouveau possible de la programmer.
La programmation peut durer quelques minutes et l’effacement demande une exposition aux UV de
15 à 30 minutes.

9.7 Mémoire EEPROM ( E2PROM : Electrically Erasable PROM )


Une EEPROM est une EPROM qui a la faculté de pouvoir être effacée électriquement.
Avantage de l’EEPROM par rapport à l’EPROM :
• Effaçable électriquement directement sur le circuit (tension de 21V produite à partir du 5V).
• Reprogrammation de mots individuellement.
• Effaçage rapide (10 ms contre 30 minutes !)
• Programmation rapide (impulsion de 10 ms contre 50 ms)

9.8 Applications des mémoires mortes


Les différentes mémoires mortes (ROM, PROM, EPROM, EEPROM) se trouvent dans diverse
applications :
• Stockage de programme pour micro-ordinateur : microprogramme, firmware, BIOS.
• Mémoire d’amorçage pour micro-ordinateur : petit programme stocké en ROM qui charge le
système d’exploitation en RAM à partir d’un disque.
• Tables de données : tables trigonométriques ou tables de conversion de codes. Données qui ne
changent jamais au cours de l’application.
• Générateur de caractères.
• Générateur de fonctions : permet de générer des formes d’ondes à partir de valeurs
préalablement stockées et d’un convertisseur digital-analogique.
A noter que les microcontroleurs actuels contiennent presque toujours une partie de mémoire
EEPROM directement sur la même puce de silicium, ainsi que de la RAM.

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ETML Les Mémoires : 9

Mémoire FLASH
Les mémoires FLASH rassemblent les avantages des mémoires ROM, des RAM ainsi que des
disques durs.

Basse
consommation

ROM RAM

FLASH
Non volatile HDD Réinscriptible

9.8.1 Technologie
Les mémoires Flash existent en différents types d’architecture. Selon cette architecture, elles sont
accessibles de manière séquentielle ou aléatoire, elles nécessitent une tension de programmation
plus élevée que la tension d’utilisation, elles sont plus ou moins rapides.
Le but de ce qui suit est de comprendre le principe de fonctionnement d’une cellule seule.

Gate de contrôle Gate flottante


Nœud d’accumulation

Source Drain

n n
p

Substrat

Vpp

La programmation de la cellule consiste piéger des électrons


dans la gate flottante en appliquant une tension positive sur la
gate flottante et 0V sur le substrat (injection d’électrons par le
p pôle négatif).

Ground
Programmation

Ground

L’effacement de la cellule consiste à éliminer les électrons dans


p
la gate flottante en appliquant une tension positive sur le substrat

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Vpp
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Effacement
ETML Les Mémoires : 9
et 0V sur la gate flottante (extraction d’électrons par le pôle négatif).

9.9 Equipement de stockage à grosse capacité


CD-ROM ( 760 MBytes, Disques durs ( jusqu’à 15 Gbytes), disquettes (jusqu’à 100 Mbytes)

9.10 Pour mémoire !


On peut citer la bande magnétique, les mémoires à torres

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