thèse final

République Algérienne démocratique et populaire
Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche scientifique

Université de Batna
Faculté des Sciences de l’Ingénieur
Département d’Electrotechnique
Mémoire de Fin d’Etudes

En Vue de l’Obtention du Diplôme :
IngénIeur d’etat en Electrotechnique
Option : Maintenance en Génie Electrique
Proposé et dirigé par : Etudié par :
Dr.M. ARROUF KAOUACHE Aissa
BOUKRIA Hocine
Promotion : 2009/2010
REMERCIEMENTS
Nous remercions Dieu avant tous de

nous donner la force et la patience dans ce
projet.
Nos remerciements seront pour toutes
personnes ayant une aide directe ou
indirecte dans la préparation de cette
mémoire.
Avant tous nous remercions du fond
du cœur :
Notre encadreur :
 Dr.M.ARROUF pour son
orientation durant l’élaboration
de ce travail.
Nous tenons à remercier également
les membres de jury.
Enfin nous remercions Mr. CHIKHI
Khaled, chef de département
d’électrotechnique, ainsi que tout le
membre du département.
DEDICACES
On dédier cette réalisation a mes parents
qui se sont donnéla peine de nous aidais par
tous moyens, et la confiance qu’ils nous ont
accordé.
Ainsi à tous mais familles frères et sœurs.
À mes amis du notre promotion surtout
HICHAM, Karim.
Et pour ne pas oublier ceux qui ont passé
avec nous des années d’étude inoubliables.
BOUKRIA
HOCINE
DEDICACES
Je dédié cette réalisation a mes parents
qui se sont donné la peine de nous aidais par
tous moyens, et la confiance qu’ils nous ont
accordé.
Ainsi à tous mes familles frères et sœurs.
À mes amis du notre promotion surtout
HICHAM, Kamel, Abd el Aziz, Karim,
Belgacem….
Et pour ne pas oublier ceux qui ont passé
avec nous des années d’étude inoubliables.
KAOUACHE
AISSA
Sommaire
Introduction Générale ................................................................................................................. 1
Chapitre I
L’énergie solaire
I.1 Introduction : ......................................................................................................................... 2

I.2 Cellule photovoltaïques : ...................................................................................................... 2
I.2.1 Structure et principe de fonctionnement ............................................................................ 2
I.2.2 Schéma électrique équivalant de la cellule photovoltaïque : ............................................. 3
I.3 Influence des conditions climatiques : .................................................................................. 5
I.3.1 Influence de la température :.............................................................................................. 5
I.3.2 Influence du rayonnement :................................................................................................ 6
I.4 Influence de la résistance série : ........................................................................................... 6
I.5 Le panneau solaire ................................................................................................................ 7
I.5.1 Cellules en série : ............................................................................................................... 7
I.5.2 Caractéristiques courant – tension : ................................................................................... 8
I.5.3 Cellules en parallèles : ....................................................................................................... 8
I.6 Caractéristiques puissance – tension :................................................................................... 8
I.7 Principe de la recherche du point de puissance maximal : ................................................... 9
I.7.1 Généralités. ........................................................................................................................ 9
I.7.2 Présentation du MPPT : ................................................................................................... 10
I.7.3 Les différents algorithmes de contrôle MPPT ................................................................. 10
a-Méthode de perturbation et d’observation : .......................................................................... 10
b-Algorithme d’incrémentation de conductance ...................................................................... 11
c-Technique HILL CLIMBING : ............................................................................................. 13
I.8 Conclusion .......................................................................................................................... 14
Chapitre II
Microcontrôleur 16F877
II.1 Introduction : ..................................................................................................................... 15

II.2 présentation des microcontrôleurs : ................................................................................... 15
II.3 Différents familles des microcontrôleurs PIC : ................................................................. 15
II.4 La structure externe du pic 16F877 : ................................................................................. 16
II.4.1 Entrées analogique :........................................................................................................ 17
II.4.2 Sortie PWM : .................................................................................................................. 17
II.4.3 Quartz de l’horloge : ....................................................................................................... 17
II.4.4 Réinitialisation :.............................................................................................................. 17
II.5 Structure interne du PIC16F877 ........................................................................................ 17
II.6 Mémoires du pic 16F877 : ................................................................................................. 19
II.6.1 Mémoire de données :..................................................................................................... 19
II.6.2 Mémoire de programme : ............................................................................................... 19
II.6.3 EEPROM : ...................................................................................................................... 19
II.7 Timers : .............................................................................................................................. 20
II.8 Convertisseur analogique/numérique : .............................................................................. 20
II.9 Afficheur cristaux liquides (LCD) :................................................................................... 21
II.9.1 Définition : ...................................................................................................................... 21
II.9.2 Schéma fonctionnel : ...................................................................................................... 21
II.9.3 Connexions : ................................................................................................................... 21
II.9.4 Commande d’un afficheur LCD : ................................................................................... 21
II.9.4 .1 Mode 8 bits : ............................................................................................................... 21
II.9.4 .2 Mode 4 bits : ............................................................................................................... 22
II.10 Conclusion : ..................................................................................................................... 22
Chapitre III
Simulation et réalisation pratique
III.1.Introduction : ......................................................................... 2Erreur ! Signet non défini.

III.2.Outil de programmation de PIC : ..................................................................................... 25
III.2.1 Compilateur PIC C : ...................................................................................................... 25
III.2.2 Simulation avec ISIS (Proteus) : ................................................................................... 25
III.3 Réalisation pratique : ........................................................................................................ 27
III.3.1 Capteur de courant : ...................................................................................................... 27
A. Principe de fonctionnement : ............................................................................................... 27
B. Avantages de ce capteur : .................................................................................................... 28
C. Inconvénients de ce capteur :............................................................................................... 29
III.3.2 Capteur de tension : ....................................................................................................... 29
A. Principe de fonctionnement : ............................................................................................... 29
B. Avantages de ce capteur : .................................................................................................... 29
C. Inconvénients de ce capteur :............................................................................................... 30
III.3.3 Capteur de courant d’entrée (pin AN0) : ....................................................................... 30
III.3.4 Capteur de tension d’entrée (pin AN1) : ....................................................................... 30
III.3.5 Sortie PWM (pin CCP1) : ............................................................................................. 31
III.3.6 L’amplificateur opérationnel UA741 : .......................................................................... 31
III.3.6.1 L’alimentation du UA741 .......................................................................................... 31
III.3.6.2 Étude en mode amplificateur non-inverseur : ............................................................ 31
III.3.7 Filtre passe bas : ............................................................................................................ 32
III.3.8 Schéma électrique de l’alimentation : ........................................................................... 33
III.3.9 Schéma électrique global : ............................................................................................ 33
III.3.10 Les résultats pratiques : ............................................................................................... 35
III.3.11 circuit imprimé face composant : ................................................................................ 37
III.3.12 circuit imprimé face cuivre : ....................................................................................... 38
III.3.13 Conclusion :................................................................................................................. 39
Conclusion générale ................................................................................................................ 40
Introduction générale
L’énergie solaire photovoltaïque provient de la transformation directe d’une partie du

rayonnement solaire en énergie électrique. Cette conversion s’effectue par le biais d’une
cellule dite photovoltaïque (PV) basée sur un phénomène physique appelé effet
photovoltaïque qui consiste à produire une force électromotrice lorsque la surface de cette
cellule est expose à la lumière [1].
La tension générée peut varier en fonction du matériau utilisé pour la fabrication de la

cellule. L’association de plusieurs cellules PV en série/parallèle donnent lieu à un générateur
photovoltaïque qui a une caractéristique courant tension non linéaire présentant un point de
puissance maximale. Pour obtenir la puissance maximum en utilise un hacheur (buck, boost,
buck- boost) pour la recherche de cette puissance [1].
L’hacheur composé d’une partie puissance et d’une partie commande :
La partie puissance est composée de deux interrupteurs de puissance et des

composants passifs de puissance.
La partie commande comporte un réglage du rapport cyclique, ainsi qu’un réglage de

la fréquence de hachage sur une plage allant de quelques centaines de Hz à une quarantaine de
KHz. La partie commande peut être réalisée par des circuits logiques ou analogiques [1].
L’objectif de notre travail est la réalisation de circuit de commande d’un hacheur à

base de pic 16F877 pour la recherche de point de puissance maximal MPPT du générateur
solaire.
Notre mémoire est composée de trois chapitres :
Chapitre I : L’énergie solaire.
Chapitre II : Microcontrôleur pic 16F877.
Chapitre III : Simulation et réalisation pratique de circuit de commande de hacheur pour

l’obtention du MPPT.
Page 1
Chapitre I L’énergie solaire
I.1 Introduction :
L'utilisation de l’énergie solaire comme source d'énergie électrique a fait apparaître le

besoin d'étudier les systèmes solaires afin de les optimiser.
Le générateur photovoltaïque et composé de plusieurs modules branchés soit en séries,
soit en parallèle ou série parallèle.
Les modules (ou panneaux solaires) est composés de plusieurs cellules
photovoltaïques ;
Dans ce chapitre, nous allons présentés l'essentiel sur la constitution et les
caractéristiques électriques de générateur solaire.
I.2 Cellule photovoltaïques :
La conversion photovoltaïque est la transformation de l’énergie lumineuse en énergie

électrique. Les dispositifs capables d’effectuer cette transformation sont appelés cellules
solaires ou photovoltaïques.
Une cellule photovoltaïque est un capteur constitué d’un matériau semi-conducteur

absorbant l’énergie lumineuse et la transformant directement en courant électrique.
I.2.1 Structure et principe de fonctionnement :
Le principe de fonctionnement de cette cellule fait appel aux propriétés d’absorption

du rayonnement lumineux par des matériaux semi-conducteurs. Lorsque les photons sont
absorbés par le semi-conducteur, ils transmettent leur énergie aux atomes de la jonction PN de
telle sorte que les électrons de ces atomes se libèrent et créent des électrons (charges N) et des
trous (charges P). Ceci crée alors une différence de potentiel entre les deux couches. Cette
différence de potentiel est mesurable entre les connexions des bornes positives et négatives de
la cellule. A travers une charge continue, on peut en plus récolter des porteurs .La tension
maximal de la cellule est d’environ 0,6V pour un courant nul. Cette tension est nommée
tension de circuit ouvert (VOC). Le courant maximal se produit lorsque les bornes de la
cellule sont court-circuitées, il est appelé courant de court-circuit (ICC) et dépend fortement
du niveau d’éclairement. Ainsi, le choix des matériaux utilisés pour concevoir des cellules PV
se fait en fonction des propriétés physiques de certains de leurs électrons susceptibles d’être
libérés de leurs atomes lorsqu’ils sont excités par des photons provenant du spectre solaire et
possédant une certaine quantité d’énergie selon leurs longueurs d’onde. Une fois libérés, ces
charges se déplacent dans le matériau formant globalement un courant électrique de nature
Page 2
continu (DC). La circulation de ce courant donne alors naissance à une force électromotrice
(FEM) aux bornes du semi-conducteur correspondant ainsi au phénomène physique appelé
effet photovoltaïque. La figure I.1 (a) illustre la constitution d’une cellule photovoltaïque en
silicium [3].
La figure I.1 (b) illustre la structure d’une cellule PV typique. On voit clairement
qu’elle est réalisée à partir de deux couches de semi-conducteurs : une dopée P (dopée au
bore) et l’autre couche dopée N (dopée au phosphore) créant ainsi une jonction PN avec une
barrière de potentiel.
(a) (b)
Fig. I.1 : Structure d’une cellule photovoltaïque.
I.2.2 Schéma électrique équivalant de la cellule photovoltaïque :
Fig. I.2 modèle équivalent électrique de la cellule photovoltaïque [2].
Le courant délivré sur une charge par une cellule solaire éclairée s’écrit :
Page 3
I (V )  I ph  I obs (V ) …………………………………………………………………… (1. 1)
I ph : Courant photo généré,
I obs : Courant d’obscurité.
Pour une cellule solaire idéale, l’équation (1 .1) peut être écrite sous la forme suivante :
  qV  
I (V )  I ph  I s exp    1 ………………………………………………………….(1. 2)
  KT  
Avec :
I s : Courant de saturation de la diode
q : charge élémentaire
K : constante de Boltzmann
T : la température.
Pour une cellule réelle, l’expression (1. 2) est alors remplacée par :
  q(V  Rs I )   V  Rs I
I  I ph  I s exp    1  ………………………………………… (1. 3)
  nKT   Rp
V  I .Rs
Ip  : Le courant dérivé par la résistance parallèle
Rp
  q V  I .R S   
I d  I s exp    1 : Le courant traversant la diode.
  nKT  
Is : le courant de saturation inverse de la diode.
n : facteur d'idéalité de la diode.
Sur la figure (I. 3) nous reportons cette caractéristique.
Page 4
Puissance
utile
Fig. 1.3 caractéristiques I (V) sous obscurité et sous éclairement d’une cellule
photovoltaïque [7].
A partir de cette figure, on déduit les paramètres électriques propres à la cellule :
I sc =I ph : Courant de court-circuit (obtenu pour V=0)
Voc : Tension en circuit ouvert (obtenue pour I=0)
I m : Courant à la puissance max de fonctionnement de la cellule solaire.
Vm : Tension à la puissance maximale de fonctionnement de la cellule.
I.3 Influence des conditions climatiques :
I.3.1 Influence de la température :
La température est un paramètre très important dans le fonctionnement des cellules

solaires vu que les propriétés électriques d'un semi-conducteur sont très sensibles à la
température.
Sur la figure (I.4), nous reportons les caractéristiques courant-tension pour différentes
températures, sous un ensoleillement donné (E=1000W/m2).
Page 5
Fig. I.4 : Effet de la température sur la caractéristique I-V [5].
I.3.2 Influence du rayonnement :
De la même manière que la température, la jonction PN réagit différemment

selon l’énergie qu’elle reçoit. Plus elle reçoit d’énergie plus elle en restitue .La variation de la
caractéristique I (V ) est représentée sur les courbes suivantes :
Fig. I.5 : Evolutions de la caractéristique courant- tension avec l'énergie reçue [6].
I.3.3 Influence de la résistance série :

La résistance série agit sur la pente de la caractéristique dans la zone où la photodiode
se comporte comme un générateur de tension, et lorsqu’elle est élevée, elle diminue la valeur
de courant de court- circuit. Fig. I.6.
Page 6
Fig. I.6 : Influence de la résistance série sur la caractéristique I (V) [4]
I.4 Le panneau solaire :

La cellule individuelle, unité de base d'un système photovoltaïque, ne produit qu'une
très faible puissance électrique, typiquement de 1 à 3 W avec une tension de moins d'un Volt.
Pour produire plus de puissance, les cellules sont assemblées pour former un module (ou
panneau). Les connections en série de plusieurs cellules augmentent la tension pour un même
courant, tandis que la mise en parallèle accroît le courant en conservant la tension. La
puissance crête, obtenue sous un éclairage maximal sera proportionnelle à la surface du
module [7].
La mise en série ou en parallèle des cellules solaires aboutit aux caractéristiques I (V )

suivantes :
I.4.1 Cellules en série :
Fig. I.7 : Cellules placées en série [7].
Page 7
I.4.2 Caractéristiques courant – tension :
Fig. I.8 : Caractéristique courant-tension avec le nombre de cellules en série [7].
I.4.3 Cellules en parallèles :
Fig. I.9 : cellules placés en parallèle [7].
I.5 Caractéristiques puissance – tension :
Fig. I.10 : Caractéristique courant-tension et puissance-tension du générateur

photovoltaïque [3].
Page 8
I.6 Principe de la recherche du point de puissance maximal :
I.6.1 Généralités :
Les lois de commandes spécifiques existent pour amener des dispositifs à fonctionner
à des points maximums de leurs caractéristiques sans qu’a priori ces points soient connus à
l’avance, ni sans que l’on sache à quel moment ils ont été modifiés ni qu’elles sont les raisons
de ce changement. Pour le cas de sources énergétiques, cela se traduit par des points de
puissance maximum. Ce type de commande est souvent nommé dans la littérature «
Recherche du Point de Puissance Maximum » ou bien « Maximum Power Point Tracking » en
anglo-saxon (MPPT). Le principe de ces commandes est d’effectuer une recherche du point
de puissance maximal (PPM) tout en assurant une parfaite adaptation entre le générateur et sa
charge de façon à transférer le maximum de puissance.
La figure I.11 représente une chaîne élémentaire de conversion photovoltaïque

élémentaire associée à une commande MPPT. Pour simplifier les conditions de
fonctionnement de cette commande, une charge DC est choisie. Comme nous pouvons le voir
sur cette chaîne, la commande MPPT est nécessairement associée à un quadripôle possédant
des degrés de liberté qui permettent de pouvoir faire une adaptation entre le GPV et la charge.
Dans le cas de la conversion solaire, le quadripôle peut être réalisé à l’aide d’un convertisseur
DC-DC de telle sorte que la puissance fournie par le GPV corresponde à la puissance
maximale (PMAX) qu’il génère et qu’elle puisse ensuite être transférée directement à la
charge.
Fig. I.11 : Chaîne élémentaire de conversion photovoltaïque [3].
Page 9
I.6.2 Présentation du MPPT :
Les cellules photovoltaïques sont utilisées pour fournir de l’énergie dans de

nombreuses applications électriques. Pour obtenir la puissance maximale du panneau solaire
« maximum power point tracking » est utilisé pour contrôler les variations de la
caractéristique d’une cellule, de cette première étude, nous pouvons dégager principaux
buts de notre système :
 S’assurer que le système de panneau opère très du point de fonctionnement optimal,

même lorsque celui-ci susceptible de changer ;
 Produire une conversion efficace ;
 Permettre la conversion pour une grande plage de variations environnementales ;
 Produire une interface compatible avec la charge d’une batterie. Ainsi nous pouvons
diviser le système en deux sous systèmes.
I.6.3 Les différents algorithmes de contrôle MPPT :
a-Méthode de perturbation et d’observation :

Cette méthode à la particularité d’avoir une régulation simple, et peu de paramètre de
mesure. Il opère en perturbant périodiquement la tension du panneau, et en comparant
l’énergie précédemment délivré avec la nouvelle après perturbation. Si la perturbation (ici
l’ajout d’un dv de tension) implique une augmentation de la puissance alors nous nous
trouvons dans la phase ascendante de la courbe de puissance, et la tension de sortie devra
donc être augmentée (et inversement). Dans ces conditions le tracker cherche en permanence
le maximum de puissance. C’est ici l’algorithme que nous adopté, sachant que l’on ne regarde
pas directement la puissance mais l’intensité délivrée par le panneau, comme nous le verrons
plus loin.
Page 10
Fig. I.12 : Algorithme type de la méthode P&O [3].
b-Algorithme d’incrémentation de conductance :

Cette méthode utilise la conductance incrémentale de la source comme MPPT. Cette
méthode est plus efficace que la méthode de perturbation, et indépendante des caractéristiques
des différents composants utilisés.
Les tensions et courants du panneau sont monitors, de telle manière que le contrôleur
peut calculer la conductance et la conductance incrémentale, et décider de son de son
comportement.
Page 11
On définit la conductance par G= et l’incrémentation est dG= .
Fig. I.13 : Algorithme d’incrémentation de conductance [3].
Page 12
c-Technique HILL CLIMBING :

L’algorithme mis en œuvre dans les premières commandes MPPT était relativement
simple. En effet, les capacités des microcontrôleurs disponibles à l’époque étaient faibles et
les applications, surtout destinées au spatial avaient beaucoup moins de contraintes en
variation de température et d’éclairement que les applications terrestres appliqué initialement
au photovoltaïque. Cette commande est basée sur un algorithme de contrôle adaptatif,
permettant de maintenir le système à son point de puissance maximum (MPPT). Ce dernier
est décrit en figure I.12 et peut être implanté entièrement en numérique.
Cette technique qu’on a utilisée dans ce projet, et basée sur le rapport dP/d .
Puissance (W)
MPPT (dP/d =0)

Pmax (W)
dP/d 0
dP/d 0
Le point de démarrage possible
Rapport cyclique
Fig. I.14 : Courbe représente la relation entre P et
Page 13
Lire Vn et In
Calcule de la puissance P=Vn*In
Pn=Pn-1 Oui
No
Pn>Pn-1 Non
Oui
αn+1= αn+d αn+1= αn-d
Pn-1= Pn
Fig. I.15 : Organigramme de technique HILL CLIMBING
I.7 Conclusion :
Dans ce chapitre nous avons donne une description sur la cellule photovoltaïque,
panneau solaire et les différentes influences des conditions climatiques (température,
rayonnement et de la résistance série). Aussi que les différents algorithmes de la recherche
MPPT.
Page 14
Chapitre II Microcontrôleur 16F877
II.1 Introduction :
Les microcontrôleurs envahissent notre environnement sans que nous le sachions. Ces
petits composants se retrouvent de plus en plus dans tous les matériels que nous utilisons
quotidiennement, machine à laver, mulot, ordinateur, téléviseur.
Plusieurs fondeurs se partagent ce marché, citons INTEL, MOTOROLA, AMTEL,

PHILIPS et enfin MICROCHIP qui nous intéresse ici. Un microcontrôleur n’est qu’un
composant que l’on doit programmer pour qu’il exécute automatiquement des ordres, ceux-ci
pouvant être influencés par les données que se présentent sur ses broches d’entrée/sorties [2].
II.2 présentation des microcontrôleurs :
Un microcontrôleur concentre en une puce toutes les fonctionnalités d’un petit

ordinateur, c’est-à-dire un circuit intégré contenant :
 Une unité de traitement de l’information de type microprocesseur,

 Des périphériques internes (mémoires : RAM, ROM, EEPROM et FLACH des ports,
etc..) qui permette de réaliser des montages sans nécessiter d’ajout de composants
externes.
De technologie relativement récente, les microcontrôleurs PIC s’inscrivent dans la

nouvelle génération de structures programmables. Leur facilité de mise en œuvre permet une
solution micro programmée simple à des problèmes plus ou moins complexes, sans avoir à
supporter la lourdeur de mise en place relative aux autres systèmes à microcontrôleurs [2].
II.3 Différents familles des microcontrôleurs PIC :

Les PICs sont des composants dits RISC (Reduced Instructions Set Construction),
pour composants à jeu d’instructions réduit. Un nombre d’instructions réduites rend leur
décodage plus rapide, ainsi que leur exécution.
La famille des PICs est subdivisée en 3 grandes familles :
 La famille ‘‘ Base-line’’, qui utilise des mots d’instructions de 12 bits ,

 La famille ‘‘ Mid-Range’’ qui utilise des mots de 14 bits (dont font partie les 16F877
et 16F84),
 La famille ‘‘ high-End’’, qui utilise des mots de 16 bits.
Page 15
Tous les PICs ‘‘ Mid-Range’’ ont un jeu de 35 instructions, stockent chaque

instruction dans un seul mot de programme, et exécutent chaque instruction (sauf les sauts) en
un sycle. On atteint donc de trés grandes vitesses, et les instructions sont de plus très
rapidement assimilées. L’horloge interne utilisée par le PIC est prédivisée par 4 par rapport à
l’externe. La base de temps, que donne le temps d’un cycle, est donc ¼ de celle de la période
de l’horloge externe [2].
Exemple :
Avec un quartz de 4MHZ, on obtient 1 000 000 cycles seconds. Comme le PIC
exécute pratiquement une instruction par cycle, hormis les sauts, cela vous offre une
puissance de l’ordre de 1MIPS (1 Million d’instructions par seconde).
La fréquence d’horloge peut aller jusqu’à 20MHz.
II.4 La structure externe du pic 16F877 :

Le microcontrôleur que nous allons utiliser pour ce projet est le 16F877 de la firme
Microchip, c‘est un circuit intégré contenu dans un boîtier dit ‘‘DIL 40’’. Les broches sont
virtuellement numérotées de 1 à 40 comme montré sur la figure (II.1)
Fig. II.1 : brochage de pic 16F877 [2].
Page 16
II.4.1 Entrées analogique :

Chose importante est que le PIC 16F877 intègre un CAN interne qui lui multiplexe
huit voies analogique AN0…AN7.
II.4.2 Sortie PWM :

Deux sorties PWM peuvent être obtenues sur les broche RC1 et RC2. C’est une
caractéristique très important car elle permet de réduire au maximum les dimensions d’un
système de contrôle en mettant le circuit générateur PWM externe.
II.4.3 Quartz de l’horloge :

Comme tous les microprocesseurs, le PIC 16F877 a besoin d’une horloge pour
synchroniser et cadencer l’exécution de son programme. Un quartz qui permet de fixer la
fréquence de l’horloge est alors indispensable. Dans le cas de ce microcontrôleur, le quartz
utilisé peut aller 20MHz. Le temps qui s’écoule entre deux impulsions s’appelle un cycle
d’horloge. Le microprocesseur base sur cette fréquence pour son fonctionnement interne [2].
II.4.4 Réinitialisation :
La broche MCLR (pour MASTER CLEAR) est une broche de contrôle, elle a l’effet
de provoquer la réinitialisation du microprocesseur lorsqu’elle est activée par l’application
d’un niveau bas, ce qui interrompe le programme en cours et oblige le système de redémarrer
aussi les registres du microcontrôleur vont par ailleurs être également à leur valeur de
démarrage, et pour activer cette broche il faut la maintenir à un niveau haut [2].
II.5 Structure interne du PIC16F877

Le diagramme bloc de microcontrôleur est illustré par la figure (II.2) et comme nous le
voyons ce microcontrôleur présente une architecture Harvard (mémoires distinctes pour
programme et données).
Page 17
Fig. II.2 : structure interne de pic 16F877
Page 18
II.6 Mémoires du pic 16F877 :

Comme nous le voyons notre PIC comporte deux types de mémoires :
II.6.1 Mémoire de données :

C’est un type de mémoire volatile à accès rapide, elle peut perdre l’information qu’elle
contient une fois le courant lui coupé. Cette mémoire est d’une capacité de 368octes, elle
regroupe tous les registres de configuration et de données. Parmi ces registres on trouve les
plus utilisés comme les trois types de registres OPTION, STATUS et INTCON.
II.6.2 Mémoire de programme :

C’est une mémoire réservée au programme à exécuter le microcontrôleur. Cette
mémoire a la particularité de sauvegarder en permanence les informations qu’elle contient,
même dans le cas de coupure de courant. La mémoire programme du PIC 16F877 est de type
flash, elle peut être programmée et effacée plusieurs fois. La capacité de cette mémoire est de
8 K mots.
Fig. II.3 : structure de la mémoire programme
II.6.3 EEPROM :
Le PIC 16F877 contient également une mémoire EEPROM de capacité 256 octets.
Elle peut être utilisée comme une mémoire de données statiques qui ne changent pas durant le
contrôle d’un processus donné. Toutefois, elle peut être exploitée comme une mémoire de
sauvegarde d’état du processeur et du processus contrôlés lors évènement inattendu.
Page 19
II.7 Timers :
Un Timer est un registre interne au microcontrôleur, celui-ci s’incrémente aux grés
d’une horloge. Ce registre peut servir par exemple pour réaliser des temporisations ou bien
encore pour faire du comptage. Le PIC 16F877 possède trois Timers configurables par
logiciel :
 Timer 0 :
Le timer 0 est compteur 8 bits dont le comptage est déclenché soit :
 Par des impulsions de l’horloge via un prédiviseur,

 Par des impulsions externes, via la broche RA4.
Le débordement du compteur, qui a lieu le compteur retourne de la valeur maximale

255 à la valeur 0 provoque une interruption.
 Timer 1 :
Le timer 1 est un compteur de 16 bits qui peut aller de 0 à 65535. Son déclenchement
peut être fait soit :
 Par des impulsions d’horloge de système,

 Par des impulsions arrivant de l’extérieur.
 Timer 2 :
Le timer 2 est timer couple au module dit CCP (capture compara PWM), nous
utilisons essentiellement pour la génération des impulsions à largeur ajustable (PWM) [2].
II.8 Convertisseur analogique/numérique :

Notre PIC 16F877 travaille avec un convertisseur analogique/numérique qui permet un
échantillonnage sue 10 bits. Le signal numérique peut donc prendre 1024 valeurs possibles.
Pour pouvoir convertir une grandeur, nous devons connaître la valeur minimale qu’elle peut
prendre, ainsi que sa valeur maximale. Le PIC considère par défaut que la valeur minimale
correspond à Vss, tandis que la valeur maximale correspond à la tension positive
d’alimentation Vdd. Cependant, il est possible d’utiliser d’autres valeurs [2].
Page 20
II.9 Afficheur cristaux liquides (LCD) :

II.9.1 Définition :
Les afficheurs à cristaux liquides sont des modules compacts intelligents et nécessitent
peu de composants externes pour un bon fonctionnement. Ils consomment relativement peu
(de 1 à 5mA). Ils sont relativement bons marchés et s’utilisent avec beaucoup de facilité [2].
II.9.2 Schéma fonctionnel :
Fig. II.4 : Schéma fonctionnel d’un LCD [2].
Comme le montre le schéma fonctionnel, le ‘‘contrôleur’’ remplit une double

fonction : d’une part il commande l’affichage et de l’autre se charge de la communication
avec l’extérieur [2].
II.9.3 Connexions :
Les connexions à réaliser sont simples puisque l’afficheur LCD dispose de peu de
broches. Il faut, évidement, l’alimenter, le connecter à un bus de donnée (4 ou 8 bits) d’un
microprocesseur, et connecter les broches Enable (validation), Read/Write (écriture/lecture) et
Register Select (instruction/commande) [2].
II.9.4 Commande d’un afficheur LCD :
Deux modes de fonctionnement de l’afficheur sont disponibles, le mode 4 bits et le

mode 8 bits, modes que l’on choisira à l’initialisation de l’afficheur.
II.9.4 .1 Mode 8 bits :
Page 21
Dans ce mode, les données sont envoyées à l’afficheur sur les broches D0 à D7. On
place la ligne RS à 0 ou à 1 selon que l’on désire transmettre une commande ou une donnée. Il
faut aussi placer la ligne R/W à 0 pour indiquer à l’afficheur que l’on désire effectuer une
écriture.
On désire au contraire effectuer une lecture, la procédure est identique, mais on place
cette fois la ligne R/W à 1 pour demander une lecture. Les données seront valides sur les
lignes D0 à D7 lors de l’état haut de la ligne E [2].
II.9.4 .2 Mode 4 bits :
Il peut, dans certain cas, être nécessaire de diminuer le nombre de fils utilisés pour
commander l’afficheur, comme, par exemple lorsqu’on dispose de très peu de broches
d’entrées/sorties disponible sur un microcontrôleur. Dans ce cas, on peut utiliser ce mode.
Dans ce mode, seuls les 4 bits de poids fort (D4 à D7) de l’afficheur sont utilisées pour
transmettre les données et les lire. Les 4 bits de poids faible (D0 à D3) sont alors connectés à
la masse.
Les données sont alors écrites ou lues en envoyant séquentiellement les 4 bits de poids
fort suivi des 4 bits de poids faible [2].
II.10 Conclusion :
Dans ce deuxième chapitre nous avons donné une description globale du
microcontrôleur 16F877 de son brochage, de ses périphériques analogiques, ce qui nous
facilitera son utilisation lors de la réalisation de notre système. Nous avons aussi détaillé le
principe de fonctionnement et le contrôle d’un afficheur à cristaux liquide LCD 2 lignes 16
caractères.
Page 22
Chapitre III Simulation et réalisation pratique
III.1.Introduction :
Dans ce chapitre nous intéressons à la recherche de point de puissance maximal

MPPT, pour cela nous allons utiliser la technique HILL CLIMBING pour effectuer cette
recherche dans notre réalisation.
Cette technique qu’on a utilisée dans ce projet, et basée la recherche de variation de la

puissance par rapport au rapport cyclique jusqu'à ce que la condition dP/d =0 soit satisfaite
Puissance (W)
MPPT (dP/d =0)

Pmax (W)
dP/d 0
dP/d 0
Le point de démarrage possible
Rapport cyclique
Fig. III.1 : Courbe représente la relation entre P et
L’organigramme de cette technique est illustré dans la fig. III.2
Page 23
Lire Vn et In
Calcule de la puissance P=Vn*In
Pn=Pn-1 Oui
No
Pn>Pn-1 Non
Oui
αn+1= αn+d αn+1= αn-d
Pn-1= Pn
Fig. III.2 : Organigramme de la technique HILL CLIMBING
Explication de l’organigramme :
Cet organigramme fonctionne comme suit :
 Prendre la tension et le courant à partir du capteur du courant et de tension ;

 Fait la conversion AD (Analogique/Digitale) de courant et tension ;
 Fait le calcul de la puissance par la multiplication du courant et de la tension ;
 cherche le point de puissance maximale par la comparaissant entre la nouvelle valeur
de puissance et l’ancienne, suivi par l’incrémentation ou la décrémentation de rapport
cyclique α.
Cet organigramme sera programmé et simulé dans un langage choisi.
Page 24
Le pic 16F877 peut se programmer dans divers langages (micro C, micro BASIC,…) et pour
chaque langage il y a plusieurs compilateurs, pour nous avons choisi le langage C et nous
avons utilisé le compilateur PIC C.
III.2.Outil de programmation de PIC :
III.2.1 Compilateur PIC C :

Conçu par la société CCS, pour microcontrôleur PIC, le compilateur PIC C bénéficie
une prise en main très intuitive. Ces très nombreux outils intégrés (interface de travail,
terminal de communication, gestionnaire de LCD, explorateur de code en ASM….) associé à
sa capacité à pouvoir gérer la plupart des périphériques rencontrés dans l’industrie (signaux
PWM, afficheurs LCD, convertisseur analogique-numérique, clavier matricielle ….) en font
outil de développement incontournable.
Fig. III.3 : Compilateur CCS
III.2.2 Simulation avec ISIS (Proteus) :

Isis est un éditeur de schémas qui intègre un simulateur analogique, logique ou mixte.
Toutes les opérations se passent dans cet environnement.
Page 25
Fig. III.4 : Simulation avec ISIS (Proteus)
Après la simulation de programme, ce programme sera implanté sur le pic 16F877 par
l’utilisation d’un programmateur type rs232 on utilisant le logiciel WinPic800.
Page 26
Fig. III.5 Interface de logiciel WinPic800
Après la simulation et la programmation de PIC, on passe à la phase de réalisation pratique.
III.3 Réalisation pratique :
III.3.1 Capteur de courant :
A. Principe de fonctionnement :
Le capteur de courant à effet Hall est un type de capteur de courant exploitant l'effet
Hall pour produire une tension qui est l'image exacte (avec un facteur de proportionnalité
connu) du courant à mesurer ou à visualiser.
Le capteur représenté ci-dessous délivre en sortie une tension Vh quasiment proportionnelle

au champ magnétique et donc dépendant de l'intensité i : Le courant à visualiser est appliquée
à un enroulement de circuit magnétique. Il produit un champ magnétique qui est responsable
de l'apparition de la tension « Hall » Vh.
Effet hall
Page 27
Mais les non-linéarités et les phénomènes d'hystérésis empêchent d'obtenir une mesure très
précise dans une large gamme d'intensité. Aussi le montage est-il modifié : un système de
contre réaction impose au transformateur ci-dessous de fonctionner à flux nul, et c'est le
courant d'annulation du flux Is qui est converti en tension à l'aide d'un convertisseur à
Amplificateur Opérationnel :
Fig.III.6 Capteur de courant à effet hall
Le rapport de transformation m dépend du nombre de spires de l'enroulement

secondaire par rapport au nombre de « passages » du circuit primaire. Ce rapport est
généralement égal à 1000 ou 2000, voire jusqu'à 10000 pour les modèles mesurant de très
fortes intensités.
On a : Is = 1/m · IP
B. Avantages de ce capteur :
Ce type de capteur apporte de nombreux avantages :
 La chute de tension introduite dans le montage est très faible : vs étant limitée à
quelques volts la tension vP est inférieure à quelques mV.
 L'isolation galvanique entre la mesure et le circuit est un élément appréciable de
sécurité et permet d'éliminer l'influence du mode commun sur la mesure.
 La bande passante est relativement large : du continu à couramment 100kHz (500 kHz
pour certains modèles), elle est souvent supérieure à celle du voltmètre mesurant la
tension Vm.
 La grandeur de sortie des capteurs de courant à effet Hall industriels étant
généralement un courant, ceci permet en plaçant la résistance de mise à l'échelle de la
Page 28
mesure à distance, une meilleure immunité contre les parasites, dans les applications
de conversion de l'énergie. .
Ils sont aussi largement utilisés comme éléments de mesure dans les boucles de
régulation d'intensité des convertisseurs électroniques comme les hacheurs, onduleurs,
variateurs de vitesse, cycloconvertisseurs.
C. Inconvénients de ce capteur :
Ce type de capteur est plus coûteux et sa sensibilité aux champs magnétiques

extérieurs peut nécessiter quelques précautions.
III.3.2 Capteur de tension :
A. Principe de fonctionnement :
Cette technologie permet de mesurer des tensions alternatives ou continues avec une
isolation électrique entre les circuits primaires et secondaires. La tension primaire à mesurer
est appliquée directement aux bornes du capteur. Cette tension passe par un amplificateur
d’isolement et est convertie en un courant secondaire de sortie. Ce courant secondaire est
isolé électriquement de la tension primaire et lui est exactement proportionnel. Le capteur de
tension mesure des valeurs instantanées.
Capteur
+v
+v
Entrée 0 Sortie
-v
-v
Fig.III.7 Capteur de tension à effet hall
B. Avantages de ce capteur :
Les principaux avantages de cette technologie intégralement électronique sont les suivants :
 Isolation électrique entre les circuits primaires et secondaires ;
Page 29
 Mesure possible de toutes les formes d’ondes : tension continue, tension alternative,
impulsions, etc.….
 Excellente précision ;
 Hautes performances dynamiques ;
 Excellente fiabilité.
C. Inconvénients de ce capteur :
Ce type de capteur est plus coûteux et sa sensibilité aux champs magnétiques

extérieurs peut nécessiter quelques précautions.
Malheureusement, ces deux capteurs de tension et de courant ne sont pas disponibles au

marché. Donc nous avons utilisés les capteurs suivants :
III.3.3 Capteur de courant d’entrée (pin AN0) :

Ce capteur de courant à une tension d’entrée maximale calculée 5V, qui est l’image de 5A
dans la première entrée analogique du PIC.
En utilise résistance shunte de valeur (00.5Ω) comme un capteur de courant.
U=RI U = 00.5*I
U : tension en (volt).
R : résistance (ohm).
I : courant en (ampère).
Lorsque la valeur du courant de sortie de capteur de courant est faible, nous avons obligé
d’utiliser un amplificateur de type UA741 pour amplifier cette valeur.
III.3.4 Capteur de tension d’entrée (pin AN1) :

Ce capteur de tension à une tension d’entrée maximale calculée 120V, qui est
correspondant à une tension maximale 5V dans la deuxième entrée analogique du PIC.
, ,
: tension d’entrée (v)
: tension de sortie (v)
, : résistances ( Ω)
Page 30
R1
Ue PIC
R2 Us
Fig. III.8 : pont diviseur de tension.
III.3.5 Sortie PWM (pin CCP1) :

PWM signifie « Pulse Width Modulation », ce qu’on pourrait traduire par modulation
de largeur d’impulsion, il s’agit d’un signal binaire de fréquence 20Khz dont le rapport
cyclique variable selon la variation de la puissance.
III.3.6 L’amplificateur opérationnel UA741 :

L’électronique moderne tendance à utiliser le plus souvent les circuits intégrés que les
composants discrets, vue leurs avantage et leurs capacités de résoudre un grande de problème
pratique tels que, l’encombrement dans les gros appareils et les réalisations complexes.
Ils permettent aussi de minimiser la consommation en énergie électrique.
III.3.6.1 L’alimentation du UA741

Ce circuit nécessite deux alimentations l’une positive l’autre négative par rapport à un
point dit «masse» pris comme référence des potentiels. Le LM741 peut être alimenté à l’aide
de deux tension allant de 4,5 jusqu’au 15V selon l’exécution souhaitée de la tension de sortie.
Ce pendant on tient à préciser que la tension maximale de sortie est inférieure d’environs un
volt par rapport à celle de l’alimentation.
III.3.6.2 Étude en mode amplificateur non-inverseur :

Dans ce montage, il faut se souvenir que la différence de potentiel entre les bornes
d’entrée + et – de l’ampli est nulle, ce qui signifie que la tension aux bornes de R1est égale à
Ve, celle aux bornes de R2 est égale à Us-Ue,
Page 31
R1
R2
Us
Ue
Fig. III.9 : Amplificateur non-inverseur.
On pose R1=12 kΩ , R2=220 k Ω
III.3.7 Filtre passe bas :

Un filtre passe- bas est un filtre qui laisse passe les basses fréquences et qui atténue
les hautes fréquences, c’est-à-dire les fréquences supérieures à la coupure. Il pourrait
également être appelé filtre coup-haut. Le filtre passe-bas est l’inverse du filtre passe-haut et
ces deux filtres combinés forment un filtre passe-bande.
On utilisé le circuit passif, la manière la plus simple de réaliser physiquement ce filtre

est d’utiliser un circuit RC. Comme son nom l’indique, ce circuit est constitué d’une
résistance R et d’un condensateur de capacité C. ces deux éléments sont placés en série avec
la source Vi du signal. Le signal de sortie V0 est récupéré aux bornes du condensateur.
Vin
Vout
Fig. III.10 : Un filtre passe-bas analogique d’ordre 1 réalisé avec un circuit RC.
RC = 10*T T : la période.
T = 1/f f : la fréquence 20 kHz.

Page 32
T = 1/20*103 = 0.00005 RC =0.0005
On se pose : R = 3.3 kΩ C = 150 nF
III.3.8 Schéma électrique de l’alimentation :

Le schéma électrique d’alimentation de notre projet est donné par la figure (III.11)
Alimentation de partie commande (PIC 5V, amplificateur +12v, -12v)
Alimentation IR2110 (+12v)
Fig. III.11 Schéma électrique de l’alimentation
Page 33
III.3.9 Schéma électrique global :

Le schéma électrique global de notre projet est donné par la figure (III.8)
Fig. III.12 : Schéma électrique global
Page 34
III.3.10 Les résultats pratiques :

Après la réalisation pratique de notre travail, l’afficheur LCD nos donnes des
variations de rapport cyclique en fonction de la variation de puissance.
-Augmentation de la puissance donne diminution de rapport cyclique.
-Augmentation de la puissance donne Augmentation de rapport cyclique.
-Augmentation de la puissance donne diminution de rapport cyclique.
-Augmentation de la puissance donne Augmentation de rapport cyclique
Fig. III.13 Variation de rapport cyclique α en fonction de la variation de

puissance P(w).
Page 35
Les figures suivantes illustrent la forme de signal de sortie de Pic (PWM).
Fig. III.14 Différentes formes de PWM
Page 36
III.3.11 circuit imprimé face composant :
Page 37
III.3.12 circuit imprimé face cuivre :
Page 38
III.3.13 Conclusion :
Dans ce chapitre nous avons présenté la technique de HILL CLIMBING, leur
organigramme que nous avons utilisé dans notre programme, logiciel de simulation,
également nous avons présenté la réalisation pratique, les différents entrées sorties de
microcontrôleur pic et le schéma électrique d’alimentation et global.
les résultats pratique de la puissance et la variation de rapport cyclique sont affichés

par un système d’affichage LCD 2 lignes 16 caractères, ainsi que le signal de PWM est
visualiser par l’oscilloscope.
Page 39
Conclusion Générale
Dans le cadre de ce projet, plusieurs notions théoriques et pratiques concernent la

programmation des microcontrôleurs PICs.
L’explosion de la technologie des microcontrôleurs nous a permis de réduire le volume de

notre dispositif ainsi réalisé, en effet un microcontrôleur peut remplacer plusieurs circuits
logique et sa flexibilité de programmation donne une très grande marge de nous œuvre.
Le projet réalisé permettra l’exploitation de la technique HILL CLIMBIG pour la recherche

de point de la puissance maximale MPPT, ainsi que l’affichage les variations de rapport
cyclique suivi par la variation de la puissance à travers l’afficheur LCD 16 caractères 2
lignes.
A travers ce projet, nous avons acquis plusieurs notions importantes à savoir :
 Nous nous allons familiariser avec l’utilisation de PIC 16F877, la programmation,

simulation et réalisation en pratique,
 L’utilisation de PIC permet sans doute d’économiser la superficie de la plaquette
utilisée et permet également le contrôle de MPPT,
 Le projet permet l’affichage de puissance, rapport cyclique,
 L’afficheur LCD a réduit considérablement la superficie de la plaquette.
Espérons que notre travail apportera une aide précieuse pour les étudiants futurs voulant
approfondir leurs connaissances en matière de Microcontrôleurs et aussi viendra enrichir
considérable la bibliothèque du département d’électrotechnique de l’université de BATNA.
Page 40
Bibliographique
[1] Khadri Ammar et Baaziz Souleyman « Réalisation d’un convertisseur boost

pour les applications solaires ».
[2] Grabisi Mohamed el Hadi « utilisation du PIC 16F877 pour le contrôle de la

température, l’humidité et la pression ».
[3] Corinne ALONSO « Optimisation énergétique de l’étage d’adaptation

électronique dédié à la conversion photovoltaïque ».
[4] Makhlouf Messaoud « Etude et Optimisation d’un Modèle de Conversion

d’Energie Photovoltaïque Application au Pompage » Université Mentouri de
Constantine.
[5] Yannick Veschetti « Modélisation, caractérisation et réalisation de nouvelles

Structures photovoltaïque sur substrat de silicium mince ». Thèse de Doctorat,
Université Louis pastor, Strasbourg 2005.
[6] Rezoug Mouhmed Redha « Etude et conception d'un positionneur

automatique de panneau solaire ». Mémoire de Magister. Centre universitaire
d'Oum El Bouaghi 2005.
[7] Alain Bibao Learreta « Réalisation de commandes MPPT numériques »

Diplôme ingénieur technique Industriel toulouse2004
La structure externe du pic 16F877 :
(1)MCLR / Vpp: le maitre clair (Master Clear)
(2)RA0/AN0 : entrée/sortie 1ièreentrée analogique.
(3)RA1/AN1 : entrée/sortie 2ièreentrée analogique.
(4)RA2/AN2/VREF- : entrée/sortie 3ièreentrée analogique (tension négative).
(5)RA2/AN2/VREF+ : entrée/sortie 4ièreentrée analogique (tension positive).
(6)RA4/T0CKI : entrée/sortie entré d’horloge du timer0 (timer/compteur).
(7)RA5/AN4/SS : entrée/sortie l’esclave choisi pour le port d’une série synchrone 5 ièreentrée
analogique.
(11,23)VDD : les positifs fournissent pour les logiques et les épingles de l’input/output.
(12,31) VSS : la terre (masse) de référence pour les logiques de l’input/output.
(13) OSC1/CLKIN : l’entrée du cristal de l’oscillateur la sortie de la source de l’horloge

externe.
(14) OSC2/CLKOUT : la sortie du cristal de l’oscillateur la sortie de la source de l’horloge
externe.
(15) RC0/T1OSO/T1CKI : (entré/sortie) la production de l’oscillateur du timer 1/ le timer 1

chronomètre l’entrée.
(16) RC1/T1OSI/CCP2 : (entré/sortie) l’entrée de l’oscillateur du timer 1/ capturer 2 entrée,

comparer 2 entrée, PWM 2 entrée.
(17) RC2/CCP1 : (entré/sortie) capturer 1 sortie, comparer 1 sortie, PWM 1 sortie.
(18) RC3/SCK/SCL : (entré/sortie) l’entrée de l’horloge d’une série synchrone/ sortie pour
les deux modes SPI et I2C.
(23) RC4/SDI/SDA : (entré/sortie) les données SPI dans le mode SPI/ entré /sortie des
données en mode I2C.
(24) RC5/SDO : (entré/sortie) les données SPI dehors.
(25) RC6/TX/CK : (entré/sortie) les USART asynchrone transmettez/ l’horloge synchrone.
(26) RC7/RX/DT : (entré/sortie) les USART asynchrone recevez/ les données synchrone.
(33) RB0/INT : (entré/sortie)/ être aussi l’épingle de l’interruption externe.
(34,35) RB1, RB2 : (entré/sortie).
(36) RB3/PGM : (entré/sortie)/ être aussi le bas voltage qui programme l’entrée.
(37,38) RB4, RB5 : (entré/sortie)/ interrompez l’épingle sur changement.
(39) RB6/PGC : (entré/sortie)/ (interrompez l’épingle sur changement)/ l’épingle du

débogueur dans circuit (l’horloge de la programmation d’une série).
(40) RB7/PGC : (entré/sortie) (interrompez l’épingle sur changement)/ l’épingle du

débogueur dans circuit (le données de la programmation d’une série).
Structure interne du PIC16F877 :
Mémoire de données :

thèse final

Transféré par

Informations du document

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

thèse final

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

République Algérienne démocratique et populaire

Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche scientifique

Mémoire de Fin d’Etudes

IngénIeur d’etat en Electrotechnique

Option : Maintenance en Génie Electrique

Proposé et dirigé par : Etudié par :

Dr.M. ARROUF KAOUACHE Aissa

Nous remercions Dieu avant tous de

On dédier cette réalisation a mes parents

qui se sont donnéla peine de nous aidais par

tous moyens, et la confiance qu’ils nous ont

Ainsi à tous mais familles frères et sœurs.

À mes amis du notre promotion surtout

Et pour ne pas oublier ceux qui ont passé

avec nous des années d’étude inoubliables.

Je dédié cette réalisation a mes parents

qui se sont donné la peine de nous aidais par

tous moyens, et la confiance qu’ils nous ont

Ainsi à tous mes familles frères et sœurs.

À mes amis du notre promotion surtout

HICHAM, Kamel, Abd el Aziz, Karim,

Et pour ne pas oublier ceux qui ont passé

avec nous des années d’étude inoubliables.

Introduction Générale ................................................................................................................. 1

I.1 Introduction : ......................................................................................................................... 2

II.1 Introduction : ..................................................................................................................... 15

III.1.Introduction : ......................................................................... 2Erreur ! Signet non défini.

L’énergie solaire photovoltaïque provient de la transformation directe d’une partie du

La tension générée peut varier en fonction du matériau utilisé pour la fabrication de la

L’hacheur composé d’une partie puissance et d’une partie commande :

La partie puissance est composée de deux interrupteurs de puissance et des

La partie commande comporte un réglage du rapport cyclique, ainsi qu’un réglage de

L’objectif de notre travail est la réalisation de circuit de commande d’un hacheur à

Notre mémoire est composée de trois chapitres :

Chapitre I : L’énergie solaire.

Chapitre II : Microcontrôleur pic 16F877.

Chapitre III : Simulation et réalisation pratique de circuit de commande de hacheur pour

L'utilisation de l’énergie solaire comme source d'énergie électrique a fait apparaître le

La conversion photovoltaïque est la transformation de l’énergie lumineuse en énergie

Une cellule photovoltaïque est un capteur constitué d’un matériau semi-conducteur

I.2.1 Structure et principe de fonctionnement :

Le principe de fonctionnement de cette cellule fait appel aux propriétés d’absorption

I.2.2 Schéma électrique équivalant de la cellule photovoltaïque :

Fig. I.2 modèle équivalent électrique de la cellule photovoltaïque [2].

I (V )  I ph  I obs (V ) …………………………………………………………………… (1. 1)

I ph : Courant photo généré,

I obs : Courant d’obscurité.

I s : Courant de saturation de la diode

Is : le courant de saturation inverse de la diode.

n : facteur d'idéalité de la diode.

Sur la figure (I. 3) nous reportons cette caractéristique.

A partir de cette figure, on déduit les paramètres électriques propres à la cellule :

I sc =I ph : Courant de court-circuit (obtenu pour V=0)

Voc : Tension en circuit ouvert (obtenue pour I=0)

I m : Courant à la puissance max de fonctionnement de la cellule solaire.

Vm : Tension à la puissance maximale de fonctionnement de la cellule.

I.3 Influence des conditions climatiques :

I.3.1 Influence de la température :

La température est un paramètre très important dans le fonctionnement des cellules

Fig. I.4 : Effet de la température sur la caractéristique I-V [5].

I.3.2 Influence du rayonnement :

De la même manière que la température, la jonction PN réagit différemment

I.3.3 Influence de la résistance série :

Fig. I.6 : Influence de la résistance série sur la caractéristique I (V) [4]