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Chap 5
Chap 5
Semiconducteurs à l'équilibre
Matériaux semiconducteurs
Semiconducteurs intrinsèques
Semiconducteurs extrinsèques
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
Matériaux semiconducteurs
Résistivité : Métaux < 10-4 cm
Isolants > 1010 cm
Semiconducteurs 10-4 < < 1010 cm
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
Groupe GAZ
1A RARES
1 1,008 2 4,003
H He
1s1 1s2
Li Be Be B C N O F Ne
1s 22s1 1s 22s 2 structure électronique 1s22s 2 symbole solide artificiel 1s 22s 22p1 1s 22s 22p2 1s 22s22p3 1s22s 22p4 1s22s22p5 1s22s22p6
Lithium Beryllium Beryllium liquide Bore Carbone Azote Oxygène Fluor Néon
2 11 23,00 12 24,31 nom gaz 13 26,98 14 28,09 15 30,97 16 32,06 17 36,45 18 39,95
Na Mg Al Si P S Cl Ar
(Ne)3s 1 (Ne)3s 2 (Ne)3s 23p1 (Ne)3s 23p2 (Ne)3s23p3 (Ne)3s 23p4 (Ne)3s 23p5 (Ne)3s 23p6
K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr
(Ar)4s1 (Ar)4s2 (Ar)3d14s 2 (Ar)3d24s 2 (Ar)3d34s 2 (Ar)3d54s 1 (Ar)3d54s2 (Ar)3d64s2 (Ar)3d74s 2 (Ar)3d84s2 (Ar)3d104s 1 (Ar)3d104s 2 (Ar)3d104s 24p1 (Ar)3d104s 24p2 (Ar)3d104s24p3 (Ar)3d104s 24p4 (Ar)3d104s 24p5 (Ar)3d104s24p6
4 Potassium Calcium Scandium Titane Vanadium Chrome Maganèse Fer Cobalt Nickel Cuivre Zinc Gallium Germanium Arsenic Sélénium Brome Krypton
37 85,47 38 87,62 39 88,91 40 91,22 41 92,91 42 95,94 43 98,91 44 101,1 45 102,9 46 106,4 47 107,9 48 112,4 49 114,8 50 118,7 51 121,8 52 127,6 53 126,9 54 131,3
Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe
(Kr)5s 1 (Kr)5s 2 (Kr)4d15s2 (Kr)4d25s 2 (Kr)4d45s 1 (Kr)4d55s 1 (Kr)4d55s 2 (Kr)4d75s 1 (Kr)4d85s 1 (Kr)4d105s 0 (Kr)4d105s 1 (Kr)4d105s 2 (Kr)4d105s25p1 (Kr)4d105s25p2 (Kr)4d105s 25p3 (Kr)4d105s 25p4 (Kr)4d105s 25p5 (Kr)4d105s 25p6
5 Rubidium Strontium Yttrium Zirconium Niobium Molybdène Technétium Ruthénium Rhodium Palladium Argent Cadmium Indium Étain Antimoine Tellure Iode Xénon
55 132,9 56 137,3 57 198,9 72 178,5 73 180,9 74 183,9 75 186,2 76 190,2 77 192,2 78 195,1 79 197,0 80 200,6 81 204,4 82 207,2 83 209,0 84 210 85 210 86 222
Cs Ba La* Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn
(Xe)6s1 (Xe)6s2 (Xe)5d16s 2 (Xe)4f145d26s 2 (Xe)4f145d36s 2 (Xe)4f145d46s 2 (Xe)4f145d56s 2 (Xe)4f145d66s 2 (Xe)4f145d76s 2 (Xe)4f145d106s 0 (Xe)4f145d106s1 (Xe)4f145d106s 2 (Xe)4f145d106s 26p1 (Xe)4f145d106s 26p2 (Xe)4f145d106s 26p3 (Xe)4f145d106s 26p4 (Xe)4f145d106s 26p5 (Xe)4f145d106s 26p6
6 Césium Barium Lanthane Tantale Tungstène Rhénium Osmium Iridium Platine Or Mercure Thalium Plomb Bismuth Polonium Astate Radon
87 223 88 226 89 227
Fr Ra Ac**
(Rn)7s 1 (Rn)7s 2 (Rn)6d17s 2
* 58 140,1 59 140,9 60 144,24 61 145 62 150,35 63 152,0 64 157,3 65 158,9 66 162,5 67 164,9 68 167,3 69 168,9 70 173,0 71 175,0
Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb Lu
Lanthanides (Xe)4f25d06s 2 (Xe)4f35d06s 2 (Xe)4f45d06s 2 (Xe)4f55d06s2 (Xe)4f65d06s 2 (Xe)4f75d06s2 (Xe)4f75d16s2 (Xe)4f95d06s 2 (Xe)4f105d06s 2 (Xe)4f115d06s 2 (Xe)4f125d06s 2 (Xe)4f135d06s 2 (Xe)4f145d06s 2 (Xe)4f145d16s 2
6 Cérium Praséodyme Néodyme Prométhium Samarium Europium Gadolinium Terbium Dysprosium Holmium Erbium Thulium Ytterbium Lutétium
** 90 232,0 91 231 92 238,0 93 237,1 94 244 95 243 96 247 97 247 98 251 99 254 100 257 101 256 102 254 103 257
Th Pa U Np Pu Am Cm Bk Cf Es Fm Md No (Lw)
Actinides (Rn)5f06d27s 2 (Rn)5f26d17s 2 (Rn)5f36d17s 2 (Rn)5f56d07s2 (Rn)5f66d07s 2 (Rn)5f76d07s2 (Rn)5f76d17s2 (Rn)5f76d27s 2 (Rn)5f96d17s 2
7 Thorium Protactinium Uranium Neptunium Plutonium Américium Curium Berkélium Californium Einsteinium Fermium Mendéléviuml Nobélium Laurencium
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
Structure électronique :
Si : (Ne)3s23p2 : 4 électrons de valence
Ge : (Ar)3d104s24p2 : 4 électrons de valence
En moyenne
Ga : (Ar)3d104s24p1 : 3 électrons de valence
4 électrons
As : (Ar)3d104s24p3 : 5 électrons de valence
de valence
Etc.
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
Structure cristallographique :
Atomes en (0;0;0)
et (¼; ¼;¼)
Si : 4 électrons de valence
8 électrons / maille
Hybridation sp3
Les 4 électrons de chaque Si forment
des liaisons covalentes avec les 4 ppv
L
ky
X
K
Point : Centre de zone
Point X : Bord de zone dans la direction 100
et équivalentes
Point L : Bord de zone dans la direction 111
kx et équivalentes
Point K : Bord de zone dans la direction 110
et équivalentes
Direction : Direction 100 et équivalentes
Direction : Direction 111 et équivalentes
Direction : Direction 110 et équivalentes
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
Variation du gap en , X et
en L pour un alliage
AlxGa1-xAs en fonction de x
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
g(E), f(E)
T=0K
EV EF EC
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
g(E), f(E)
T>0K
EV EF EC
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
EV EF EC
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
Surface E - EC = const.
Sphère centrée en
de rayon 2 mC*
k 2
E EC
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
Ge
Si
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
L 3
2 L
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
2 mi*
ki
2
E EC
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
4
V ( E ) k1 k 2 k3 3 8 m1 m2 m3 E EC 2
4 1 3
Le volume de l'ellipsoïde :
* * * 2
3 3
V (E)
Dans ce volume, on peut placer N électrons avec : N (E) 3
1 2
V (E) 2 L
n
4 3
La densité d'états pour un ellipsoïde est :
dn E
1
1
1
gE 2 3 8m1*m2*m3* 2 E
EC 2
dE 2
Avec M ellipsoïdes dans la 1ère Zone de Brillouin,
la densité d'états totale est :
1
M M : Multiplicité
1
g E 2 3 8m1*m2*m3* 2 E
EC 2
(Multivalley)
2
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
Exemples
1 masse longitudinale ml*
2 masses transverses mt*
6 ellipsoïdes : M = 6
1
* 2
mdC M2ml*mt* 3
ml* = 0,98 m0 mt* =0,19 m0
*
mdC 1,08 m0
Si
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
3 3 2
* * 2
mdV mhh 2
mlh* 3
mdV* = 0,55 m0
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Matériaux
En résumé :
Masse effective
2 1 Masse effective
* 2 En de densité d'états
m 2
k
*
BC gap direct mC* m* isotrope mdC mC*
1
BC gap indirect mt* M minima * 2
mdC M2ml*mt* 3
ml*
*
mhh trous lourds 3 3 2
BV *
mdV mhh
* 2
mlh* 2
3
mlh* trous légers
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques
Semiconducteurs intrinsèques
E
Définitions :
EC
n = n(T) : Nombre des électrons
Eg
dans la bande de conduction EV=0
à température T k
p = p(T) : Nombre des trous
dans la bande de valence
à température T
EC : Énergie minimale de la BC (indépendante du nombre de minima)
EV : Énergie maximale de la BV
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques
Fermi
E V E F EC
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques
EF EC
Approximation des électrons libres : 1
kBT
EF se situe à l'intérieur de la BC :
Semiconducteur dégénéré !
1 Intégrale de Fermi - Dirac
3
x 2 dx 2 2
10
F1 2
0
1 exp x 3
3
*
ou 1 2mdC 2 3
n E E 2
3
2 2 F C
1/2
1
F
3
2
EF EC *
2 2
3 n
2 mdC
Même résultat que pour 0.1
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques
3
*
EV EF mdV kBT 2
p NV exp avec NV 2 2
kBT 2
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques
EV EF
Approximation des électrons libres : 1
kBT
EF se situe à l'intérieur de la BV :
Semiconducteur dégénéré !
1
3
x 2 dx 2 2
F1 2 1 exp x 3
0
3
* 2
1 2mdV 3
ou p 2 2
EV EF 2
3
3
2
EV EF *
32 2
p
2 mdV
Même résultat que pour les "trous" libres de masse mdV*
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs intrinsèques
1 1 1
0 0 0
-1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5
EF EC EV EF
n NC exp p NV exp
kBT kBT
*
EC EV kBT NV EC EV 3kBT mdV
EF ln ln *
2 2 NC 2 4 mdC
Effet de compensation :
Pour une température donnée :
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques
Semiconducteurs extrinsèques
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques
Milieu diélectrique
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques
1 e2
Le potentiel d'interaction s'écrit : V
4 0 r
La solution de l'équation de Schrödinger pour ce genre de
systèmes est connue !
e 4me*
Énergie de liaison : Ed
2 4 0
2
4 0 2
"Rayon" de l'orbite : rB
me*e2
Comparaison :
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques
EV
BDV
Si 45 49 39
Ge 12 13 10
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques
Schématiquement :
C'est l'équivalent d'un atome d'H inversé
Si - + Si - - Si
- - - +
- - -
Si - - B- - - Si B-
- - -
- - -
Si - - Si - - Si
Milieu diélectrique
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques
EA
EV
BDV
EA (meV) B Al Ga
Si 45 57 65
Ge 11 10 10
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques
Compensation :
SC avec ND Donneurs et NA Accepteurs
T=0K E
BDC
EC
ED Ed
EA
EV
BDV
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques
Donneurs :
Concentration ND = ND0 + ND+
E Le nombre de niveaux de
BDC
EC donneurs neutres :
ED Ed
0 1
état état ND ND
ionisé neutre 1 ED EF
EV
1 exp
BDV gD kBT
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques
Accepteurs :
Nombre d'accepteurs ionisés NA-
= Nombre de trous dans la BV
E
BDC
EC NA
état état NA
ionisé neutre EA EF
1 gA exp
EA
EV
kBT
BDV
Ln NA-
gA : facteur de dégénérescence
NA (accepteurs monovalents, 2 états
de spin et deux bandes : gA = 4)
T2
T 1 < T2
T1
EA EF
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques
4N 5ND 3NA
4N p 3 NA NA 4NA 5 ND ND 4ND n
p ND n NA
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques
ii) ND << ni n = p = ni
Comme pour un SC intrinsèque
EC EV kBT NV Eg
EF ln n i NCNv exp
2 2 NC 2 kBT
Régime intrinsèque
Température limite :
La transition entre les deux régimes aura lieu pour Ti définit par :
Eg
ND NCNv exp
2 kBTi
Attention : solution pas simple car NC, NV sont
donnés en fonction de T
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques
ED EC kBT ND NCND EC ED
EF ln n exp
2 2 gDNC gD 2kBT
En résumé :
intrinsèque extrinsèque E
EC
Ln n ~Eg
ED
EF(T)
saturation gel
EFi
Ln ND
~(EC-ED)
EV
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques
- Régime de saturation
N ni2
EF EV kBT ln V p = NA ; n
NA p
- Régime de gel
EV EA kBT gANV NV NA EA EV
EF ln p exp
2 2 NA gA 2kBT
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques
En résumé :
intrinsèque extrinsèque E
Ln p ~Eg EC
saturation gel
EFi
Ln NA
EF(T)
~(EA-EV)
EA
EV
1/Ti 1/Tg 1/T Tg Ti
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Semiconducteurs extrinsèques
Exemple : SC type n
1,E+25
Matériau GaAs
Gap d'énergie 1,42 eV 1,E+24
-3
NC (300K) 4,70E+23 m
-3
1,E+23
n
NV (300K) 7,00E+24 m
1,E+22
Température 300 K
1,E+21
Donneurs
-3 1,E+20
1,00E+17 m
p+ND+
ND
EC -ED 0,05 meV 1,E+19
gD 1 1,E+18
p (m -3)
1,E+17
L'ENE : EF
1,E+16
1,E+15
p ND n 1,E+14
1,E+13
p
1,E+12
1,E+11
1,E+10
0 0,5 1
EF (eV)
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Résumée
Un semiconducteur est caractérisé par un gap dans sa structure de bandes entre les
états occupés à T = 0K (Bandes de Valence) et les états vides (Bande de conduction).
A T > 0K, quelques électrons peuvent être activé thermiquement dans la BdC à
partir de la BdV en y laissant des trous.
Physique du Solide
V. Semiconducteurs : Résumée
Exemples de solutions particulières :
type n type p
ND >> NA NA >> ND
NCND EC ED NVNA EA EV
n exp p exp
gD 2kBT gA 2kBT
gel
ED EC kBT N EV EA kBT gANV
extrinsèque
EF ln D EF ln
NC 2 2 gDNC 2 2 NA
EC ED kBTg ln
ND ni2 ni2
n ND p p NA n
n p
saturation N NV
EF EC kBT ln D EF EV kBT ln
NC NA
Eg
ND NCNv exp
2 kBTi
n p ni EC EV kBT NV
EF ln
2 2 NC
intrinsèque Eg
n i NCNv exp
2 kBT
Physique du Solide