Licence Professionnel Optronique

Anne 2004 - 2005

Rappels d'lectronique
Note de cours
T.Dumartin

1 RAPPELS DELECTRICITE

1.1 CIRCUIT ELECTRIQUE

1.2 COURANT ET TENSION
1.2.1 COURANT
1.2.2 TENSION
1.2.3 PUISSANCE
1.3 DIPOLE ELECTRIQUE
1.3.1 LE GENERATEUR DE TENSION
1.3.2 LE GENERATEUR DE COURANT
1.3.3 LA RESISTANCE
1.3.4 LA BOBINE
1.3.5 LE CONDENSATEUR
1.4 LOIS GENERALES
1.4.1 LOI DES NUDS
1.4.2 LOI DES MAILLES
1.4.3 THEOREME DE SUPERPOSITION
1.4.4 THEOREME DE THEVENIN
1.4.5 THEOREME DE NORTON

4
4
4
4
5
5
5
5
5
6
7
8
8
8
9
9
9

2 REGIME SINUSODAL

10

2.1 CARACTERISATION DES SIGNAUX

2.1.1 SIGNAL PERIODIQUE
2.1.2 VALEUR MOYENNE ET VALEUR EFFICACE
2.1.3 SIGNAL SINUSODAL
2.2 REPRESENTATION DUN SIGNAL SINUSODAL
2.3 IMPEDANCE COMPLEXE
2.3.1 IMPEDANCE DE LA RESISTANCE
2.3.2 IMPEDANCE DE LINDUCTANCE
2.3.3 IMPEDANCE DU CONDENSATEUR
2.4 NOTION DE FONCTION DE TRANSFERT
2.5 REPRESENTATION DE BODE

10
10
10
11
11
11
12
12
12
12
13

3 LA DIODE

15

PRINCIPE
3.2 CARACTERISTIQUES
3.3 DIODES PARTICULIERES
3.3.1 DIODE SCHOTTKY
3.3.2 DIODE ZENER

15
15
16
16
17

4 LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

18

3.1

4.1

PRINCIPE

18

4.2 REGIME DE FONCTIONNEMENT

4.3 CARACTERISTIQUES
4.4 MODELE AUX PETITS SIGNAUX

18
19
20

5 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP

22

5.1 PRINCIPE
5.2 REGIME DE FONCTIONNEMENT
5.3 CARACTERISTIQUES
5.4 MODELE AUX PETITS SIGNAUX

22
23
24
26

6 LAMPLIFICATEUR LINEAIRE INTEGRE

28

6.1 PRESENTATION
6.2 REGIME DE FONCTIONNEMENT
6.3 CARACTERISTIQUES

28
28
29

Annexe 1 : Diagramme asymptotique de Bode

Chapitre

1 Rappels dlectricit

1.1 Circuit lectrique

Les circuits (ou rseaux) lectriques sont
constitus par linterconnexion de composants
lectriques. Un circuit lectrique est au moins
constitu dun gnrateur et dun rcepteur relis
entre eux par des conducteurs. Dans le cas le plus
simple, les composants utiliss ont seulement 2
bornes de connections : on les appelle des diples.

Gnrateur

Rcepteur
conducteurs

1.2 Courant et tension

1.2.1 Courant
Le courant circulant dans un circuit lectrique est reprsentatif de la quantit dlectricit
circulant dans ce circuit. Il dpend donc du nombre de charges lectriques se dplaant. Cette
quantit est appel intensit lectrique et est dfinie comme le dbit de charges lectriques dans le
conducteur. On la note I et elle sexprime en Ampre (A).

dq
i=
dt

avec

dq : la quantit dlectricit1 (C)

dt : le temps (s)

On reprsente un courant lectrique par une flche sur un conducteur :

i
Remarque : on mesure lintensit avec un ampremtre branch en srie

1.2.2 Tension
Au repos, les charges lectriques dun conducteur sont en mouvement continuel sous leffet
de lagitation thermique. Cependant, ce mouvement ne se traduit pas par un dplacement global
susceptible de gnrer un courant lectrique. Pour mettre en mouvement ces charges dans une
direction donne, il est ncessaire dappliquer un champ lectrique aux bornes du conducteur. En
appliquant une diffrence de potentiel sur un conducteur, on cre un champ lectrique qui met les
lectrons en mouvement. La valeur de la diffrence de potentiel est appele la tension. On la note U
et elle sexprime en Volt2 (V).
On reprsente une diffrence de potentiel par une flche ct dun composant :

B
uAB = VA-VB
uAB

En Volts ( V )

potentiel du point B
en Volts
potentiel du point A
en Volts

Remarque : on mesure la tension avec un voltmtre branch en drivation entre les bornes A et B.

q = n x e avec n : nombre dlectrons

e : charge lmentaire dun lectron 1,6.10-6 C

Le Volt est dfini de telle manire quune charge dun Coulomb acclre sous une tension de 1V acquiert une nergie de
1J (1V=1J/C)

1.2.3 Puissance
La puissance est lnergie absorbe ou fournie, par unit de temps, par un circuit lectrique
ou une portion de circuit. Elle est donc reprsentative de la consommation dun circuit. Elle sexprime
en fonction de u et de i et son unit est le Watt (W) :

p=ui

1.3 Diple lectrique

On appelle diple lectrique tout systme compos seulement de deux bornes. Le
comportement d'un diple est caractris par la relation entre la tension ses bornes et le courant le
traversant. Il existe deux possibilits pour le choix des sens conventionnels de la tension et du courant
lectrique :

B
UAB

Convention rcepteur : Le courant et la tension

sont flchs en sens oppos. Le diple reoit
de la puissance si p>0.

B
UAB

Convention gnrateur : Le courant et la

tension sont flchs dans le mme sens. Le
diple fournit de la puissance si p>0.

Les diples lmentaires les plus classiques sont :

1.3.1 Le gnrateur de tension

e

Le gnrateur de tension impose la valeur de la tension ses bornes quel que soit
le courant qui le traverse.

1.3.2 Le gnrateur de courant

I0

Le gnrateur de courant impose la valeur du courant qui le traverse quelle que soit
la tension ses bornes.

u
I

1.3.3 La rsistance
i
u

Une rsistance est constitue de matriau ayant une forte rsistivit. Elle
soppose au passage du courant dans un circuit lectrique. On lutilisera donc en
gnral pour limiter le courant dans un circuit. Le passage de ce courant provoque un
chauffement de la rsistance.

Lois dOhm :
La relation liant la tension et le courant aux bornes dune rsistance sappelle la loi dOhm :
u : tension aux bornes de la rsistance en Volt.
u=Ri
i : courant traversant la rsistance en Ampre.
R : valeur de la rsistance en Ohm.

Puissance :

u2
R

P = u.i =R.i =

P : puissance dissipe sexprimant en Watt.

u : tension aux bornes de la rsistance en Volt
i : courant traversant la rsistance en Ampre

Association :
En srie :

Req = R1 + R2 + + Rn

En parallle :

1
1
1
1
=
+
+ ... +
R eq R1 R 2
Rn

Caractristiques :
Une rsistance est dfinie par sa valeur nominale en ohm, sa tolrance et la puissance maximale
quelle peut dissiper.

1.3.4 La bobine
i
u

On dfinit le coefficient dinduction magntique de la bobine par le rapport entre

le flux dinduction magntique travers le circuit et le courant qui lui donne naissance ;
on le note L :

L=

(t)
i(t)

Or la diffrence de potentiel u apparaissant grce leffet auto-inductif aux bornes de la bobine est
gale :

u(t) =

d
dt

La relation entre le courant traversant une bobine et la tension ses bornes est donc :

u(t) = L

di
dt

o L est appele linductance de la bobine et sexprime en Henri (H).

Energie :
Le phnomne physique correspond au stockage dnergie sous forme magntique. Ce stockage est
momentan et lnergie est restitue au circuit en courant. Ainsi, la variation de courant aux bornes
dune inductance ne pourra pas subir de discontinuit.

w=
Association :

1
L.i 2
2

Idem rsistance.
Caractristiques :
Une bobine rsulte du bobinage dun fil lectrique (dans lair ou sur un
support magntique) et elle est donc dfinie par la valeur de sa rsistance
interne et son inductance. Ces principales caractristiques sont son
coefficient de surtension Q qui dfinie la qualit de la bobine en fonction de la frquence et son niveau
de saturation.

1.3.5 Le condensateur
Un condensateur est constitu de deux plaques conductrices (tain, cuivre,
aluminium...) appeles armatures, places en regard lune de lautre, et spares par un
isolant dpaisseur variable appel dilectrique. Les dilectriques les plus utiliss sont
lair, le mica, le papier, le mylar, le plastique, le verre, etc...
u
Il se caractrise par sa capacit C qui est la constante de proportionnalit entre la
charge (ou quantit dlectricit) quil acquiert et la tension u applique ses bornes.
i

Capacit :
On dfinie la capacit C par le rapport de charges accumules sur les armatures sur la diffrence de
potentiel entre les armatures :

C=

q
u

La relation entre le courant traversant un condensateur et la tension ses bornes est donc :

i=C

du
dt

Energie :
Le phnomne physique correspond au stockage dnergie sous forme lectrostatique. Le stockage
est momentan et cette nergie est restitue au circuit sous forme de tension. Ainsi, la variation de
tension aux bornes dun condensateur ne pourra pas subir de discontinuit.

w=
Association :
En srie :

1
1
1
1
=
+
+ ... +
Ceq C1 C 2
Cn

En parallle :

Ceq = C1 + C2 + + Cn

1
C.u 2
2

Caractristiques :
Les principales caractristiques dun condensateur sont sa valeur nominale, sa tolrance et sa tension
nominale dutilisation.
Dautre part, le modle rel quivalent dun condensateur peut se mettre sous la forme suivante :
RP : Rsistance disolement. Elle va provoquer la
dcharge du condensateur. RP>1M.
RS : Rsistance en srie due aux contacts (quelques
diximes dohms). Lorsque le condensateur se charge et
se dcharge avec un courant lev, celui-ci dgage de la
chaleur.
C : Capacit du condensateur.
LS : bobine quivalente des liaisons surtout gnante en haute frquence.
En fonction de la technologie de fabrication, ces diffrents paramtres vont plus ou moins intervenir.

1.4 Lois gnrales

Ltude des circuits lectriques linaires est base sur les lois de Kirchhoff (loi des mailles, loi
des nuds). Leur application conduit une mise en quation dont la rsolution permet dtablir les
lois dvolution des diffrentes grandeurs recherches. Ces lois sont gnrales, si bien que leurs
rsultats restent valables quel que soit la nature des signaux appliqus.
Vocabulaire :

Gnrateur

D1

D2

Un nud est un point du circuit reli deux

diples ou plus (C et D).
Une branche de rseau est la partie de circuit
comprise entre deux nuds. (CD et EF)
Une maille est un parcours ferm de
branches passant au plus une seule fois par
un nud donn (ACEFDBA et ACDBA et
CEFDC).

1.4.1 Loi des nuds

Il s'agit d'une consquence de la conservation de la charge lectrique. Elle peut sexprimer sous deux
formes diffrentes :
La somme des intensits des courants arrivant un nud est gale
la somme des intensits des courants sortant de ce nud

I1
I4

I2

Ou
la somme algbrique des courants arrivant un nud est
constamment nulle.

I3
Ex : I1 + I2 = I3 + I4

1.4.2 Loi des mailles

La somme algbrique des tensions rencontres en parcourant une maille dans un sens
prdfini est nulle.
Lapplication de cette loi implique de respecter plusieurs rgles :
UAB
A

UAD

UBC

C
UDC

Ex : UAD UAB UBC + UDC = 0

1 La tension aux bornes dun lment est marque

par une flche conformment la convention gnrateur ou
rcepteur en usage.
2 On choisit un sens de parcours de la maille.
3 On dcrit la maille dans le sens choisi
On affecte le signe + aux tensions
dont la flche indique le mme sens
On affecte le signe - aux tensions
dont la flche indique le sens inverse
4 La somme algbrique des tensions est nulle.

1.4.3 Thorme de superposition

Si les circuits tudis sont linaires, ils en possdent les proprits. La principale est la
superposition qui peut se traduire de la manire suivante :
la rponse globale dun montage soumis plusieurs sources indpendantes est la
somme des rponses partielles correspondant chaque source.
Ainsi, pour chacune des sources indpendantes, on tudie la rponse du circuit en
considrant les autres sources indpendantes "teintes" (par contre, les sources commandes restent
toujours actives).
Remarques :
Une source de tension idale "teinte" est remplace par un court-circuit (e = 0 i).
Une source de courant idale "teinte" est remplace par un circuit ouvert (i = 0 u).
Ex :

I = I1 + I2

1.4.4 Thorme de Thvenin

Tout rseau linaire pris entre deux bornes peut se
mettre sous la forme dun gnrateur de tension Eth en
srie avec une impdance Zth.
Eth reprsente la tension vide du rseau linaire (lorsque
la portion de rseau dbite dans un circuit ouvert )
Zth est limpdance entre les deux bornes du rseau
lorsque toutes les sources indpendantes sont teintes.

ZTH

ETH

1.4.5 Thorme de Norton

Tout rseau linaire pris entre deux bornes peut se
mettre sous la forme dun gnrateur de courant IN en
parallle avec une impdance ZN.
IN reprsente le courant de court-circuit du rseau linaire
ZN est limpdance entre les deux bornes du rseau lorsque
toutes les sources indpendantes sont teintes.

IN
ZN

2 Rgime sinusodal

Chapitre

2.1 Caractrisation des signaux

Les signaux lectriques dpendent du temps. La valeur du signal linstant t est appele valeur
instantane ; elle est note en lettres minuscules. Si la valeur instantane est constante, le signal est
dit continu ; il est not en lettres majuscules.

2.1.1 Signal priodique

Un signal est dit priodique quand il reprsente une
allure qui se rpte dans le temps. Dans ce cas l, on peut
trouver la plus petite valeur T appele priode telle que :

u(t)

s(t) = s(t+ n .T)

t

avec n entier naturel

La priode sexprime en seconde (s).

On dfinit aussi la frquence f qui reprsente le nombre de
rptitions du signal par seconde :

f=
La frquence sexprime en hertz (Hz)

1
T

2.1.2 Valeur moyenne et valeur efficace

On dfinit une valeur moyenne et une valeur efficace pour tout signal priodique.
Sur sa priode T, la valeur moyenne dun signal s(t) est dfini par :
T

< s >=

1
s(t) dt
T 0

Remarque : on la note aussi parfois S0, S ou Smoy. Elle reprsente laire du signal s(t).
Une valeur moyenne se mesure en mode DC
Sur sa priode T, la valeur efficace dun signal s(t) est dfini par :
T

Seff

1 2
=
s (t) dt
T 0

Remarque : dans une rsistance, la valeur efficace dun signal priodique reprsente la valeur
continue qui produirait une puissance dissipe quivalente celle produite par la valeur priodique.
La valeur efficace est gale la racine carr de la valeur moyenne du signal priodique au carr.
Une valeur efficace se mesure en mode AC et est toujours positive !!
Pour quantifier la valeur efficace par rapport la valeur moyenne, on dfinit le facteur
de forme F :

F=

Seff
<S>

2.1.3 Signal sinusodal

Une reprsentation classique dun signal sinusodal se fait sous la forme suivante :
u(t)

s(t) = S.sin( .t+ )

avec

S : amplitude du signal
: pulsation du signal en rad.s-1 ( = 2.f)
.t+ : phase instantane
: phase initiale (pour t=0 )

T=

1
f

Un signal sinusodal est donc dfinit par sa valeur maximale, sa pulsation et sa phase lorigine.
Remarque : la valeur efficace dun signal sinusodal est gale

S
do S = Seff
2

2.2 Reprsentation dun signal sinusodal

Un signal s(t) = S.sin( . t+ ) peut se
reprsenter sous la forme dun vecteur. Si tous les
signaux sont de mme pulsation, on fige langle t
0 (instant initial). Ainsi, la norme du vecteur
S sin
reprsentera lamplitude du signal et son inclinaison
S
le dphasage lorigine.

Cette description graphique est appele

x
reprsentation
de Fresnel. Elle bnficie des
S cos
proprits attaches aux vecteurs. Cependant elle
ncessite des constructions graphiques plutt fastidieuses.
Le dfaut des diagrammes de Fresnel est lev par une reprsentation utilisant les nombres
complexes. On identifie le plan prcdent au plan complexe puis on exprime le nombre complexe S :
y

S = S cos ( t + ) + j sin ( t + ) = [ S ; t + ]
Ainsi :
le module de S reprsente lamplitude de s(t)
la phase de S reprsente le dphasage de s(t)
Remarque : s(t) est la partie imaginaire du nombre complexe S = S.e

j( t+ )

2.3 Impdance Complexe

Pour un diple D , parcouru par le courant i(t) et aux bornes duquel on mesure la tension u(t),
limpdance complexe est dfinie comme tant le rapport de la reprsentation complexe de u(t) par
celle de i(t) :

Z=

U
I

2.3.1 Impdance de la rsistance

Aux bornes dune rsistance, u = R i.
Donc

ZR = R

2.3.2 Impdance de linductance

di
Aux bornes dune inductance, u = L .
dt
j( t+ )
Si I = I.e
, alors U = L. j .I
Donc

Z L = jL

2.3.3 Impdance du condensateur

du
Aux bornes dun condensateur, i = C
.
dt
j( t+ )
Si U = U.e
, alors I = C. j .U
Donc

ZC =

1
jC

Remarques :
Limpdance dpend de la frquence
Une impdance qui a une partie imaginaire ngative est de type capacitif
Une impdance qui a une partie imaginaire positive est de type inductif.
La partie relle dune impdance est de type rsistif et est toujours positive.
Le condensateur dphase le courant par rapport la tension de 90 => i(t) est en
avance sur u(t).
La bobine dphase le courant par rapport la tension de + 90 => i(t) est en retard
sur u(t).

2.4 Notion de fonction de transfert

Limpdance de certains lments de base de llectrocintique est variable avec la pulsation
de la source dalimentation. Cette proprit est utilise dans les fonctions lectroniques o
interviennent des signaux frquence variable. Les circuits lectroniques sont alors dcrits par leur
fonction de transfert. Elle traduit le rapport entre la grandeur de sortie et celle dentre et son tude
permet de dcrire les proprits du circuit associ. En rgime sinusodal, cest une fonction complexe
de la variable frquence. Cest donc la vision frquentielle des signaux qui sera tudie, se substituant
la vision temporelle. Les amplitudes et phases relatives des signaux en fonction de la frquence
constitueront le centre des tudes.
On reprsente un circuit lectronique sous la forme dune bote noire et on considre
lentre et la sortie sous leur reprsentation complexe.

v e (t) = Ve cos ( t+ e ) Ve = Ve e j( t+e )

ve(t)

Circuit
lectronique

vs(t)

do

vs (t) = VS cos ( t+ s ) Vs = Vs e j( t+s )

H ( jw ) =

Vs
Ve

Vs j(s -e )
e
Ve

On dfinit alors les deux fonctions de la pulsation :

le gain du circuit qui est le module de la fonction de transfert :

H( ) = H ( j )

la phase du circuit qui est largument de la fonction de transfert :

= arg H ( j ) = e - s

2.5 Reprsentation de Bode

Lanalyse purement algbrique de lvolution du gain et de la phase de la fonction de transfert
dun circuit devient souvent trs vite complexe et fastidieuse. Aussi, on prfre utiliser une
reprsentation graphique : les diagrammes de Bode. On dfinit :

La courbe de gain : G dB = 20 log H(j)

La courbe de phase :

) = 20 log H() qui sexprime en dcibel (dB)

= arg H ( j ) = e - s

Remarques :
Laxe des frquences est en chelle logarithmique (gradue par dcade), ce qui permet une
reprsentation sur une plus large plage de valeurs ( compression dchelle).
Les diagrammes de Bode peuvent se reprsenter sous forme de courbe relles ou de
diagrammes asymptotiques :
courbes relles : cest la reprsentation graphique des fonctions GdB et en fonction
de f ou de .
diagramme asymptotique : cest la reprsentation graphique simplifie des fonctions
laide de leurs quivalents aux bornes du domaine de dfinition ( 0, et
c).

Exemple : Etude dun circuit RC

La fonction de transfert scrit :

R
ve(t)

Vs(t)

H(j ) =

Vs
Ve

ZC
Z R + ZC

si on pose c=1/RC, la fonction de transfert devient : H(j ) =

1
1+ jRC
1

1+ j
Do :

H ( j ) =

1+
c

= - Arctan
c

Etude du module :

G dB

2
= 20 log H ( j ) = -10 log 1+
c
aux basses frquences, 0 donc GdB 0aux hautes frquences, + donc GdB 20 log c 20 log
pour =c, GdB = -10 log 2 = -3dB
calcul de la pente aux hautes frquences :
- sur [c , 2 c], GdB = [20 log c 20 log c] [20 log c 20 log 2.c] = -20 log 2 = -6dB
- sur [c , 10 c], GdB = [20 log c 20 log c] [20 log c 20 log 10.c] = -20 log 10 = -20dB

La reprsentation asymptotique de Bode est donc compose de 2 asymptotes :

D 1 asymptote parallle laxe des frquences pour <c (GdB = 0dB)
D 1 asymptote oblique de pente 6dB/octave ou 20dB/dcade pour >c
D le point dintersection entre les 2 asymptotes est le point o =c, cest la
pulsation de coupure
Etude de largument :

= - Arctan

aux basses frquences, 0 donc 0 aux hautes frquences, + donc -90 pour =c, GdB = - Arctan 1 = - 45
La reprsentation asymptotique de Bode est donc compose de 2 asymptotes :
( = 0)
D 1 asymptote parallle laxe des frquences pour <c
( = -90)
D 1 asymptote parallle laxe des frquences pour >c
D le point dintersection entre les 2 asymptotes est le point o =c
( = -45)
Courbes de Bode :
GdB
-3 dB

c
10

10 c
100

1000
-20dB/dec

-20 dB

c
10

100

-45
-90

Diagramme asymptotique
Courbe relle

Diagramme asymptotique
Courbe relle

Remarques :
La pente 20dB/dcade (ou 6dB/dcade) est typique dun systme du 1ier ordre en .
Le dphase de 90 est typique dun systme du 1ier ordre en .
Un systme dordre n apportera des pentes et des dphasages n fois plus grand.

1000

Chapitre

3 La diode
A

K
ID

VAK=VD

3.1 Principe
La diode est un composant semi-conducteur,
cest dire quelle ne conduira le courant que sous
A
K
P
N
certaines conditions. Elle est compose de deux
jonctions de dopage oppos :
- une jonction dop N o les lectrons
sont majoritaires : cest la cathode.
- une jonction dop P o les trous sont
VD
majoritaires : cest lanode.
Pour que les lectrons de la zone N se dplacent vers
la zone P et rendent ainsi la diode conductrice, il faut
leur donner une nergie minimum en appliquant une diffrence de potentiel positive suffisante entre
les bornes A et K.
+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+

Remarque :
Une jonction PN ne peut tre conductrice que dans un seul sens. Une diffrence de potentiel positive
applique entre K et A ne fera dplacer que trs peu dlectrons et le courant cr sera considr
comme ngligeable (quelques nano-ampres).

3.2 Caractristiques
La diode possde donc 2 rgimes de fonctionnement :
- si elle laisse passer le courant, on dit quelle est passante
- si elle ne laisse pas passer le courant, on dit quelle est bloque.
Ces rgimes vont dpendre de la tension VAK aux bornes de la diode et du courant ID la traversant. La
diffrence de potentiel suffisante pour rendre la diode passante est appele tension de seuil (Vf ou
VS).
Fonctionnement
Si VAK<Vf alors la diode est bloque
Si VAK > Vf et ID > 0 alors la diode est passante.
Charactristique ID=f(VD)
ID
IFM

VBR
VD
VF
Remarque : la tension de seuil dpend du matriau semi-conducteur utilis (typiquement, VF vaut
0,7V pour des diodes en silicium).

Modle
Rel

Classique

ID

Idal

ID

VF

ID

VF

VD

VD

VD

Diode bloque

Diode passante

Diode bloque

Diode passante

Diode bloque

VD

VD

VD

VD

VD

K
RD

VF

Diode passante

VD
K

VF

Caractristiques techniques
VF :
Tension de seuil.
IF :
Courant direct maximum support par la diode en continu.
IFM :
Valeur crte limite du courant direct.
VR :
Tension continue inverse maximum support par la diode.
VRM : Tension crte inverse maximum support par la diode.
VBR : Tension de claquage inverse.
RD :
Rsistance interne de la diode.
trr :
Temps de recouvrement inverse. (une diode ne peut pas passer instantanment de ltat
passant ltat bloqu)
tdt :
Temps de recouvrement direct. (une diode ne peut pas passer instantanment de ltat bloqu
ltat passant)
Applications
-

conversion dnergie (redresseur, hacheur, onduleur, etc)

dmodulation
commutation
optolectronique

3.3 Diodes particulires

3.3.1 Diode Schottky
A

ID

K
VD

La diode Schottky prsente deux avantages par rapport aux diodes

classiques :
- elle a une tension de seuil plus faible (VF # 0,3V).
- son temps de recouvrement inverse est trs trs faible.

Applications
Elle est utilise dans des applications o le temps de commutation de la diode est critique (utilisation
haute frquence).
Critres de choix
-

frquence limite dutilisation

3.3.2 Diode Zner

A

IZ

K
VZ

Dans le sens direct, cette diode prsente les mmes caractristiques

quune diode classique. Elle na dintrt quen inverse o elle ne prsente
pas de zone de claquage. Au contraire, le courant reste nul seulement
jusqu ce que la tension atteigne la tension zner de la diode ( Vz ). A ce
moment l, la tension de la diode Vd = Vz quelque soit le courant dans la
diode.

Caractristique et modle

ID

IFM

VZ

VD

VF

IZM
Modle quivalent en inverse
K

RZ

Modle quivalent bloqu

K

VZ

Modle quivalent en direct

RD

VF

Applications
Les diodes Zner sont apprcies pour leur tension zner trs stable. Ainsi, on les retrouve souvent
associes aux fonctions :
- rfrence de tension
- crtage de tension
- alimentation continue de faible puissance
Critres de choix
-

la tension stabiliser ( Vz )
le courant maximal devant traverser la diode ( Iz )
la puissance dissipe par la diode ( Pz )

Chapitre

4 Le transistor bipolaire
C
IC

IC

VCE

IB

VBE

C
B

VCE

IB

IE

IE

VBE

4.1 Principe
Le transistor est constitu par la succession de
trois couches de semi-conducteur de type N-P-N (ou PE
C
N
P
N
N-P). Des connexions mtalliques sont respectivement
fixes sur la partie centrale appele Base et sur les
deux extrmits appeles Collecteur et Emetteur.
La couche centrale est trs mince par rapport aux
autres. Sa largeur doit tre trs infrieure la longueur
de diffusion des porteurs injects dans cette zone.
En fonctionnement normal la jonction baseB
metteur est polarise dans le sens passant (VBE #
0,7V) et la jonction base collecteur dans le sens
bloquant (VC>VB). Pour un dopage d'metteur trs suprieur celui de la base, le courant EmetteurBase est essentiellement constitu par les porteurs ngatifs passant de E vers B. La largeur de la
base tant infrieure la longueur de diffusion de ces lectrons dans le matriau de base, la plus
grande partie d'entre eux parvient dans la rgion de charge d'espace de la jonction BC , polarise en
inverse, o ils sont capturs et atteignent le collecteur.
C'est l'effet transistor qui se traduit par la relation simple IC= IE
< 1 est le gain en courant en base commune.
En introduisant IE=IC+IB on obtient la formule fondamentale du transistor :
IC = IB

avec

est le gain en courant du transistor.

1-

4.2 Rgime de fonctionnement

En fonction du courant IB inject sur sa base, le rgime de fonctionnement du transistor sera
diffrent. Pour tudier le rgime de fonctionnement dun transistor, il faut dissocier chaque jonction.
Cela conduit ltude de deux circuits :
-

le montage sur la jonction BE : le circuit de commande

le montage sur la jonction CE : le circuit command

Le circuit de commande dfinit si le transistor est passant ou bloqu suivant la polarisation de

la jonction BE (direct ou inverse). De plus, le circuit command va limiter la valeur des courants IC et
IE. Ils ne pourront donc pas dpasser une certaine valeur malgr leffet transistor. Ainsi, si IB devient
trop important, IC ne pourra pas dpasser la valeur maximum fixe par le montage command et la
jonction BC deviendra passante : le transistor sera satur et il nexistera plus une relation linaire
entre IB et IC. Puisque les deux jonctions BC et BE sont passantes, la diffrence de potentiel entre les
jonctions C et E sera trs faible.

On voit donc apparatre trois rgimes de fonctionnement :

transistor bloqu :

IB=0 IC=0

transistor passant :

IB > 0 et IC = IB VCE 0

transistor satur :

IB > 0 et IC = ICsat VCE = VCesat # 0.2V

Remarque : le transistor bipolaire se comporte donc comme une source de courant command par un
courant.

4.3 Caractristiques
Caractristique IB=f(VBE)
IB
Fonctionnement
bloqu

On retrouve la caractristique dune diode puisque la

jonction BE est une jonction PN.

Fonctionnement
passant

VBE
Vseuil

Caractristique IC=f(IB)
IC
On retrouve :
- IC = 0 en fonctionnement bloqu
- IC = IB en fonctionnement linaire
- IC = ICsat en fonctionnement satur

ICsat

IB
Fonctionnement
bloqu

Fonctionnement Fonctionnement
linaire
satur

Caractristique IC=f(VCE)
IC

Chaque courbe correspond une valeur

diffrente de IB.
La droite de charge est obtenue en crivant
Droite de
P1
IB2> IB1
la loi des mailles ct jonction CE. Cest la droite
charge
P2
dquation IC=f(VCE).
IB1 > IB0
Ainsi, en connaissant la valeur de IB, on
peut trouver le point de fonctionnement
IB0
lintersection de la courbe correspondante et de la
P3
droite de charge.
VCE
Si IB=IB2 alors le transistor est satur et le
VCEsat
point de fonctionnement se trouve en P1. Si IB=IB1,
le transistor fonctionne en rgime linaire et le point de fonctionnement se trouve en P2. Enfin, si IB=0,
le transistor est bloqu et le point de fonctionnement se trouve en P3.
IB3> IB2

Modle

Rgime du transistor

Valeur particulire

Bloqu

IB = 0 IC = 0

Linaire
Satur

Modle quivalent
C

IB > 0 IC = IB VCE 0

IB > 0 IC = ICsat VCE = VCesat

Caractristiques techniques
VCEsat : Tension entre collecteur et metteur lorsque le transistor est satur.
VCEmax : Tension maximale admissible entre collecteur et metteur
VBE : Tension entre base et metteur lorsque le transistor est passant.
ICmax : Courant maximum pouvant circuler entre collecteur metteur.
IBmax : Courant maximum pouvant circuler dans la base ( ne pas dpasser surtout lorsquon
souhaite saturer le transistor ).
:
gain en courant du transistor ( aussi appel HFE).
ton/toff : Temps de commutation ( passage bloqu-satur et satur-bloqu )
PD :
Puissance maximale dissipe par le transistor (permet de dimensionner le dissipateur
thermique si besoin est ).

4.4 Modle aux petits signaux

La modlisation prcdente repose sur le principe que la tension base metteur reste
constante. Elle est donc inadapt aux calculs dans le cas o les signaux appliqus au transistor sont
variables et de faible amplitude autour du point de repos (ex: amplificateur). Pour un fonctionnement
en rgime variable, il faut donc utiliser le modle aux petits signaux qui prend en compte la
caractristique exacte de la jonction :
VBE

I C = IS .e UT
Le transistor est alors considre comme un quadriple linaire que l'on dfinie par sa matrice H.

vBE h11 h12 iB

i = h

C 21 h22 vCE

avec

h11 = rBE =

UT
=
I B gm

rBE
0 car rCB
rCB
h21 =
1
h22 =
0
rCE
h12 =

On obtient donc le modle aux petits signaux suivant :

rCB

B
rBE

.iB

rCE

Remarque :
La rsistance entre base et collecteur est trs souvent nglig ainsi que celle entre collecteur et
metteur. De plus, on accepte pour la source de courant command un modle command en tension
ou en courant. Les modles couramment utiliss sont donc les suivants :

C
rBE

.iB

rCE

C
rBE

gm.vBE

rCE

Source de courant command en courant

Source de courant command en tension

Modle de Giacoletto
En haute frquence, il faut tenir compte des temps de stockage des charges. Pour les simuler, on
introduit les capacits internes CB'E et CB'C. En fait, lorsque la frquence augmente, on fait la
distinction pour la jonction BE entre le comportement de la jonction proprement dite et celui des
semi-conducteurs qui conduisent le courant jusqu' la jonction. Pour cela, on introduit un point B' entre
base et metteur qui n'existe pas physiquement. On voit alors apparatre :
- une rsistance rBB' qui est la rsistance du semi-conducteur
- une rsistance rB'E qui correspond la rsistance de la jonction BE (rBE)
- une capacit CB'E qui correspond la capacit de la jonction BE
- une capacit CB'C qui correspond la capacit de la jonction BC

rBB'

CB'E

CB'C

B'
rB'E

C
rCE

.iB

E
Remarque :
La prsence des capacits fait apparatre des frquences de coupures qui correspondent aux limites
d'utilisation en frquence du transistor considr.

5 Le Transistor effet de champ

D

D
G

S
JFET canal N

Chapitre

MOSFET canal N
appauvrissement

MOSFET canal N
enrichissement

Les transistors effet de champ ont un principe de fonctionnement totalement diffrent des
transistors bipolaires. Il possde trois lectrodes qui se nomment la grille (G), le drain (D) et la
source (S). Il existe plusieurs sortes de transistors effet de champ :
- canal N ou P
- grille isole ou non (JFET ou MOSFET)
- enrichissement ou appauvrissement

5.1 Principe
JFET
Le transistor JFET est un transistor effet de champ dont la
grille n'est pas isole. Le JFET canal N est constitu d'une
P
mince plaquette de silicium dop N qui va former le canal
W
conducteur principal. Cette plaquette est recouverte
w2
a
S
D
N
partiellement d'une couche de silicium dop P de manire
former une jonction PN latrale par rapport au canal. Pour faire
circuler le courant dans le canal, deux lectrodes sont prsentes ses extrmits : le drain et la
source. L'lectrode connecte la couche de silicium P s'appelle la grille. Elle est toujours polarise
ngativement par rapport la source de faon ce que la jonction soit bloque.
La jonction tant polarise en inverse, une zone de charge d'espace isolante (vide de
porteurs) d'paisseur W se forme dans la couche N. Ainsi pour passer de S D un courant ne peut
circuler que dans un canal d'paisseur a-W. La rsistance du canal N entre S et D va donc varier en
fonction de W ( W varie proportionnellement la racine carre de la tension de polarisation de la
jonction).
Le diple SD se comporte donc comme une rsistance variable en fonction de la tension
grille-source. Plus la rsistance sera faible et plus le courant circulant entre S et D pourra tre
important.
G

Remarque :
Pour une valeur VT de VGS, W devient gal a, le canal a donc une paisseur nulle ce qui revient
obtenir une rsistance infinie, le courant ne peut donc plus circuler entre D et S. VT est la tension
de pincement du JFET.
En fait, pour faire circuler un courant entre D et S, il faut appliquer une diffrence de potentiel
entre ces deux points. Cette tension va modifier le profil de la zone isolante qui sera plus large du ct
du potentiel le plus lev (D). Ainsi, si on augmente la tension VDS , VGS donne, l'paisseur isolante
w2 va augmenter. Ainsi, lorsque VGS +VDS = VT, le courant tendra vers une valeur constante. En effet,
une augmentation de VDS devrait entraner un accroissement du courant dans le canal (loi d'ohm)
mais cette augmentation va accrotre la tension VDG, ce qui aura pour effet d'agrandir la zone de
dpltion du ct de D et d'entraner une augmentation de la rsistance entre D et S. On retrouve le
phnomne de pincement.

MOSFET canal N enrichissement

Le transistor MOSFET est un transistor effet de champ
dont la grille est isole par l'intermdiaire d'une trs fine couche
++++
SiO2
d'oxyde de silicium (MOS = Metal Oxyde Semiconductor). Il est
-----constitu d'un support (substrat) faiblement dop P o l'on insre
N
N
deux zones N fortement dopes. Ces deux zones seront la
P
source et le drain du MOSFET.
Si VGS=0, aucun courant de drain ne passera, car le circuit
source-drain est compos de deux jonctions en srie, l'une PN et
l'autre NP : il y en aura toujours une en inverse.
Lorsqu'on applique une tension VGS positive, l'lectrode de grille, l'isolant et le substrat P forment
un condensateur. Les lectrons sont alors attirs vers la grille. Pour une tension VGS suffisamment
leve (tension de seuil VT), la concentration en lectrons dans le substrat est suprieure la
concentration en trous au voisinage de la grille ; on a alors une couche N dite couche d'inversion entre
les zones N de la source et du drain. Les deux jonctions disparaissent, on n'a plus qu'un canal N, et le
courant peut passer entre drain et source si on applique une diffrence de potentiel entre D et S.
Ce mode de fonctionnement est appel enrichissement, car une tension VGS positive enrichit
le canal en porteurs minoritaires, permettant le passage du courant.
S

MOSFET canal N appauvrissement

Le MOSFET appauvrissement a la mme structure que le MOS enrichissement sauf qu'il
existe toujours un canal faiblement dop N entre la source et le drain.
Pour VGS nulle, ce transistor fonctionne comme un JFET. Un courant pourra donc circuler entre D
et S.
Si VGS est infrieure ou gale 0, le condensateur form par la grille, l'isolant et le canal attire des
trous dans le canal initial qui neutralisent les lectrons de cette zone N. On obtient le phnomne de
pincement. Ce mode de fonctionnement est appel appauvrissement.
Au contraire, pour VGS suprieure 0, on retrouve le fonctionnement du MOS enrichissement, et
le courant entre D et S va crotre.
Remarque :
Lorsque VDS augmente, un phnomne de pincement se produit qui obstrue le canal : le courant de
drain devient constant, de la mme manire que pour le JFET.

5.2 Rgime de fonctionnement

La commande de ces transistors s'effectue donc par la tension de grille. Par opposition au
transistor bipolaire, le transistor effet de champ se comporte donc comme une source de courant
commande par une tension. L'avantage est donc que le circuit de commande ne consommera pas
de courant (RE trs importante).
De mme que pour le transistor bipolaire, on retrouve le circuit de commande (jonction GS) et
le circuit command (jonction DS). Les rgimes de fonctionnement vont donc dpendre des
caractristiques de ces deux circuits.
Le circuit command prsente deux zones de fonctionnement :
-

une zone o la jonction DS se comporte comme une rsistance variable

une zone de pincement o la valeur de ID ne dpend que de VGS. La jonction entre
D et S se comporte comme une source de courant commande en tension. Dans
ce cas l, ID = gm.VGS et gm reprsente la transconductance du transistor

Ainsi, suivant la valeur de la tension de commande VGS et des caractristiques du circuit command,
le transistor pourra fonctionner dans les rgimes suivants :
rsistance variable
transistor passant
transistor bloqu
transistor satur

5.3 Caractristiques
JFET canal N
ID

ID
VGS = 0

IDSS

Droite de
charge

VGS2 > VGS1

VGS = VGS1 > VT
VGS = VT

VGS

VT

VT
Zone
ohmique

VDS

Zone de
pincement

Lorsque VDS < VT - VGS , la jonction DS se comporte comme une rsistance RDS et le
transistor fonctionne dans sa zone ohmique.

R DS 

VT
V
-2. I DSS 1- GS
VT

Lorsque VDS > VT - VGS , la jonction DS se comporte comme une source de courant
commande par la tension VGS et le transistor fonctionne dans sa zone de pincement.

V
I D = I DSS 1- GS
VT

L'quation de la droite de charge est trouve par la loi des mailles sur le circuit command
(jonction DS). C'est la droite d'quation ID = f(VDS). Ainsi, en connaissant la valeur de VGS, on peut
trouver le point de fonctionnement lintersection de la courbe correspondante et de la droite de
charge.
Pour bloquer le transistor, il faut qu'aucun courant ne circule dans la jonction DS. Il faut donc
que VGS = VT (point B).
Pour saturer le transistor, il faut que le courant ID ne puisse plus augmenter mme si VDS l'y
incite. En pratique, on fixe VGS=0 et ainsi ID ne peut dpasser IDSS (point S).
Remarque :
Pour les transistors JFET canal P, la polarisation change de signe (ID et VDS < 0) et la tension
de commande VGS est positive.

MOSFET canal N enrichissement

ID

ID
VGS3 > VGS2

Droite de
charge

VGS2 > VGS1

VGS = VGS1 > VT
VGS = 0

VGS

VDS

VT
Zone
ohmique

Zone de
pincement

La caractristique de sortie est similaire celle d'un JFET. On retrouve les zones de pincement et
ohmique qui permettent les mme applications qu'un JFET. La tension VT est la tension de seuil.
Dans la zone de pincement :

I D = k ( VGS - VT )

L'quation de la droite de charge est trouve par la loi des mailles sur le circuit command
(jonction DS). C'est la droite d'quation ID = f(VDS). Ainsi, en connaissant la valeur de VGS, on peut
trouver le point de fonctionnement lintersection de la courbe correspondante et de la droite de
charge.
Pour bloquer le transistor, il faut qu'aucun courant ne circule dans la jonction DS. Il faut donc
que VGS < VT.
Pour saturer le transistor, il faut que le courant ID ne puisse plus augmenter mme si VDS l'y
incite. Le rgime de saturation est atteint pour VGS VT +

ID
.
gm

MOSFET canal N appauvrissement

ID
VGS3 > VGS2

Droite de
charge

VGS2 > 0

IDSS

VGS1 = 0
VGS = VT

VGS
VT
Zone
ohmique

Zone de
pincement

VDS

On retrouve les mme formes de caractristiques. A noter que pour VGS = 0, le transistor conduira
un courant de valeur IDSS.
Dans la zone de pincement :

V
I D = I DSS 1- GS
VT

Les conditions de saturation et de blocage sont semblables celle du MOS enrichissement.

Remarque :
Pour les transistors JFET canal P, la polarisation change de signe (ID et VDS < 0) et la tension
de commande VGS doit tre infrieure VT.
Modle
Rgime du transistor

Modle quivalent
D

Bloqu
Pincement
Satur
Rsistif

ID=gm.VGS

Caractristiques techniques
VT :
Tension de pincement du transistor (parfois note VGSth).
RDSon : Rsistance minimale entre Drain et Source lorsque le transistor est satur
IDSS : Courant entre Drain et Source lorsque VGS=0.
VDSon : Tension entre Drain et Source lorsque le transistor est satur.
gm :
Transconductance du transistor en siemens (S).
gain en courant du transistor ( aussi appel HFE).
:
ton/toff : Temps de commutation ( passage bloqu-satur et satur-bloqu )
PD :
Puissance maximale dissipe par le transistor (permet de dimensionner
thermique si besoin est ).
VGSBR : Tension maximale entre Grille et Source.
CISS : Capacit d'entre en source commune (CISS = CGD + CGS)

le dissipateur

5.4 Modle aux petits signaux

Lorsque le transistor est utilis en amplificateur, il est
polaris dans sa zone de pincement. Il faut donc tablir, comme
dans le cas du transistor bipolaire, un modle adapt aux calculs
dans le cas o les signaux appliqus au transistor sont variables et
rDS
gm.VGS
de faible amplitude autour du point de repos.
Comme le courant de grille est toujours extrmement faible,
la rsistance quivalente entre grille et source est considre
S
comme infinie. Dans la zone de pincement, le courant entre D et S
dpend uniquement de la valeur de VGS. Et suivant les valeurs de
VDS et VGS, le canal entre D et S prsentera une rsistivit plus ou moins importante. On obtient donc
le modle quivalent trs simple ci-dessous.

Remarque :
Dans la plupart des cas, on considrera rDS trs importante et on la ngligera.

Modle hautes frquences

Aux frquences plus leves, il faut tenir compte de la capacit rpartie entre le canal et la grille.
Pour simplifier on peut modliser cette capacit rpartie en une capacit grille source et une capacit
grille drain. A cause de l'paisseur W plus grande cot drain, CGS est toujours suprieur CGD.
CGD

gm.VGS

rDS

CGS

Chapitre

6 Lamplificateur linaire intgr

+

VS

V-

6.1 Prsentation
L'amplificateur linaire intgr (ou amplificateur oprationnel) est un composant constitu
principalement de transistors (bipolaires ou effet de champ). Il comprend deux entres, une
inverseuse () et une non inverseuse (+) et une sortie (S). Son tage d'entre est ralis partir d'un
amplificateur diffrentiel. La tension de sortie varie donc de la manire suivante en fonction de la
tension d'entre :

V + + V-
VS = Ad ( V+ - V- ) + Ac

Avec

Ad : gain diffrentiel
Ac : gain de mode commun

La plupart des ALI sont dimensionns de telle sorte que le gain de mode commun soit
ngligeable par rapport au mode diffrentiel (voir Taux de Rjection de Mode Commun). Ainsi, la
variation de la tension de sortie est essentiellement dfinie par :

VS = Ad ( V+ - V- )
La valeur maximale de la tension de sortie est limite par la tension d'alimentation qui
s'applique par l'intermdiaire de deux entres d'alimentations (Vdd et Vss).
Remarque :
En fait la tension de sortie ne pourra jamais dpasser la valeur de la tension de saturation de l'ALI
(Vsat=Valim Vdchet).

6.2 Rgime de fonctionnement

L'amplificateur linaire intgr possde deux rgimes de fonctionnement :
- un rgime linaire o VS dpend des lments extrieurs de l'ALI
- un rgime non linaire o VS = Vsat
Rgime linaire
Ce type de fonctionnement est obtenu en effectuant une contre-raction de la sortie sur l'entre
inverseuse. La contre-raction impose V+=V-. la tension de sortie ne peut dpasser Vsat.
Rgime non linaire
Dans tous les autres cas, l'ALI fonctionne en rgime non linaire comme un comparateur. C'est
dire que :
- VS = +Vsat si V+>V- VS = -Vsat si V+<V-

6.3 Caractristiques
Modle
L'ALI peut se reprsenter par le modle lectrique trs simple ci-dessus.

RS

I+
V+

RE

Ad.

VS

IV-

rsistance d'entre de l'ALI. Elle est trs importante (qq M)

RE :
RS :
rsistance de sortie de l'ALI. Elle est trs faible (qq )
Ad :
gain diffrentiel de l'ALI. Il est trs important (qq 100 000)
I+,I- :
courant d'entre de l'ALI. Ils sont trs faible et correspondent aux courants de base ou de
drain de l'tage diffrentiel d'entre. (qq pA pour FET, qq nA pour bipolaire).
:
tension diffrentiel d'entre (V+ - V-)
Suivant le degr d'approximation ncessaire, on tiendra compte de toutes les imperfections et
on travaillera sur le modle rel sinon on raisonnera sur le modle idal simplifi.
Modle idal
DL'amplification est considre infinie : Ad
DLa rsistance d'entre est considre infinie : RE
DDu coup, les courants d'entre sont nuls : I+ = I- = 0
DLa rsistance de sortie est nulle : RS = 0
DLa bande passante de l'ALI est infinie : f
DLa tension de dcalage (offset) est nulle pour V+ = VDLes tensions de dchets sont nuls : Vsat = Valim
Modle rel
DL'amplification et la bande passante sont considres finies et leur produit est constant :
Ad x f = cste
DLa rsistance d'entre est finie : RE 1 2 M
DLes courants d'entre ne sont plus nuls et sont dfinis par la valeur du courant de polarisation :

I Bias =

I+ + I2

DLa rsistance de sortie est finie : RS < 250

DLorsque V+ = V- = 0, la tension de sortie est gale la tension de dcalage : VS= Voffset
DLes tensions de dchets sont prises en comptes : Vsat = Valim - Vdchet (Vdchet = qq V)
Remarque :
La plupart des ALI prsentent maintenant des entres de compensation de la tension d'offset afin
d'liminer les erreurs dans des applications demandant une grande prcision. Certains possdent
mme un circuit interne d'auto-compensation.

Fonction de transfert

VS
+Valim

+Vsat
Voffset

Vdchet

= V+ - V-Vsat

-Valim

Amplificateur rel
Amplificateur idal

A dB
Amax

Amax
10

fC

10.fC

Log f

Caractristiques techniques
Tension de dcalage d'entre : c'est la tension d'offset due l'tage diffrentiel d'entre. Elle dcale
la valeur de la tension de sortie. Elle est compensable sur la plupart des ALI.
Courant de dcalage d'entre : c'est le courant de polarisation des transistors de l'tage diffrentiel
d'entre. Les constructeurs prcisent la valeur de IBias
Rsistance d'entre : Elle dpend de la technologie des transistors utiliss pour raliser l'tage
diffrentiel d'entre. Elle sera beaucoup plus importante si des transistors effet de champ sont
utiliss.
Rsistance de sortie :
Courant de sortie maximum : C'est le courant maximum que peut dbiter l'ALI, il limite la charge que
peut alimenter le montage base d'ALI.
Tension d'alimentation : les constructeurs dfinissent une plage ne pas dpasser. Elle dfinie la
dynamique de la tension de sortie.
Tension de dchet : Dfinie la valeur maximale disponible en sortie de l'ALI. (Vmax = Valim Vdchet)
Vitesse de monte : (Slew Rate) Cette vitesse limite les variations rapide de la tension de sortie
(temps de monte et temps de descente). Elle est fournie en V/s ou V/s.
Bande passante : Dfinie la gamme de frquence o l'ALI fonctionne correctement. Les
constructeurs dfinissent le produit Gain Bande.
Taux de rjection de mode commun : (TRMC) Dfinie la capacit de l'ALI rejeter le mode

V+ + V+
) et n'amplifier que le mode diffrentiel ( V - V ). Les constructeurs le
2
A
donne en dB. ( TRMC = 20log d ).
Ac

commun en entre (

Annexe 1 : Diagramme asymptotique de Bode

j
GdB

GdB

+90

+90

-90

+20dB/dec

-90

1+ j

1 j

+20dB/dec

GdB

-90

GdB

-20dB/dec

1+ j

c
c

+20dB/dec

GdB

GdB

1 j

-20dB/dec

-20dB/dec

+90