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Semi-conducteur intrinsque

Introduction On dit quun semi-conducteur est intrinsque quand il ne contient aucune impuret dlibrment introduite lors de sa fabrication. Par exemple, on suppose quun cristal de silicium intrinsque est un cristal ne contenant que des atomes de silicium. En pratique, ce cas idal nest bien sr pas ralis et il existe toujours une concentration dimpurets rsiduelles que lon sattache minimiser lors de llaboration. Dans la suite, nous considrerons le cas idal. La description du fonctionnement des dispositifs semi-conducteurs ncessite la connaissance de la densit de porteurs libres (lectrons en bande de conduction, trous en bande de valence). Pour un semi-conducteur intrinsque, ces porteurs libres ne proviennent que de transitions lectroniques de la bande de valence vers la bande de conduction sous leffet dexcitations extrieures, optiques ou thermiques par exemple. Ainsi, un semi conducteur intrinsque est un isolant 0K mais devient progressivement conducteur quand sa temprature augmente car le nombre de porteurs libres (nul 0K) augmente avec la temprature (cf. figure 1)

Figure 1 : concentration intrinsque de porteurs en fonction de linverse de la temprature dans Si, Ge et GaAs

Pour calculer la densit de porteurs libres, il faut connatre la densit dtats en bande de conduction et en bande de valence et la probabilit doccupation de ces tats. La densit dtats se calcule partir de la structure de bandes qui, dans le cas gnral, est complexe (cf. figure 2). Cependant, les variations de la densit de porteurs libres se produisent essentiellement au voisinage du sommet de la bande de valence et du minimum de la bande de conduction et ce sont donc ces domaines de la structure de bandes qui jouent un

r rle primordial. Ds lors, pour ces 2 rgions, on va approximer les courbes E (k ) de la structure de bandes par des paraboles, soit : r h 2k 2 pour la bande de conduction (1.1) E (k ) = Ec + * 2me r h2k 2 pour la bande de valence (1.2) et E (k ) = Ev * 2m h
* * avec me et mh les masses effectives respectivement des lectrons en bas de bande de conduction et des trous en haut de bande de valence. Cette approximation revient considrer les porteurs au voisinage des extrema des bandes comme des lectrons (trous) libres mais avec une masse effective m * diffrente de la masse de llectron (trou) dans le vide m0 . Le calcul de la densit dtats est alors le mme que pour un gaz dlectrons (trous) libres en remplaant m0 par m * .

Figure 2 : Structures de bandes de Ge, Si et GaAs, o Eg est le gap. Les signes (+) et (-) reprsentent des trous en bande de valence et des lectrons en bande de conduction respectivement. (Daprs Chelikowsky et Cohen)

La probabilit doccupation des tats est donne par la statistique de Fermi : 1 f (E) = E EF 1 + exp( ) kT

A) Cas de bandes isotropes et non dgnres

1) Dterminer lexpression de la densit dtats pour une bande de conduction et une bande de valence dcrites par les expressions (1.1) et (1.2). 2) Ecrire les quations donnant la densit dlectrons libres en bande de conduction (n) et de trous libres en bande de valence (p). 3) Dans le cas o E F est distant de plusieurs kT de E c et E v (semi-conducteur non dgnr), calculer n et p. Montrer quils peuvent se mettre sous la forme :
n = N c exp( E F Ec ) kT E EF p = N v exp( v ) kT

avec avec

N c = 2(

* kT 3 / 2 2me ) h2 * kT 3 / 2 2 m h ) N v = 2( 2 h

Dans lexpression de N c et N v , seule intervient la masse effective comme paramtre de la structure de bandes. 4) En considrant llectroneutralit du systme, dterminer la position du niveau de Fermi en fonction de la temprature. 5) Calculer la concentration en porteurs libres du semi-conducteur intrinsque ni.
B) Applications aux semi-conducteurs usuels

Les expressions ci-dessus sont drives pour le cas o la masse effective est isotrope, cest--dire que les surfaces dnergie constante sont des sphres. Dans le cas de semiconducteurs rels, ce nest pas toujours le cas. On peut alors se ramener aux expressions * . prcdentes en utilisant une masse effective apparente ma Dans le cas dune bande de valence relle (Ge, Si ou GaAs, fig.2), le sommet de la bande se divise en 2 bandes isotropes vrifiant la relation de dispersion (1.2) avec les masses
* * * 3 / 2 + m* 3 / 2 (light holes) et mhh (heavy holes). Dans ce cas, m * effectives mlh . a = m lh hh Dans le cas dune bande de conduction relle, il peut exister plusieurs minima quivalents (Ge ou Si, figure 3) vrifiant la relation de dispersion : 2 r k 32 h 2 k12 k 2 E (k ) = E c + ( * + * + *) 2 m1 m 2 m3

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Les indices 1,2,3 se rapportent 3 directions orthogonales constituant les axes principaux * * * * 1/ 3 * dune ellipsode dnergie constante. On a alors ma = (m1 m2 m3 ) . En gnral, m1 = ml*
* * = m3 = mt* (masse (masse effective longitudinale suivant le grand axe de lellipsode) et m2 effective transverse). Enfin, la densit dtats est multiplier par le nombre de minima quivalents de la bande de conduction (8 pour Ge, 6 pour Si).

Figure 3 : Surfaces dnergie constante au voisinage du minimum de la bande de conduction pour Ge, Si et GaAs reprsentes dans lespace rciproque. Pour Ge, il existe 8 ellipsodes de rvolution le long des axes [111]. Pour Si, il y a 6 ellipsodes le long des axes [100]. Pour GaAs, la surface est sphrique au centre de la zone de Brillouin.

Semiconducteur

Si Ge GaAs InAs

bande interdite (eV) 300K 0K 1.12 1.17 0.66 0.74 1.42 1.52 0.36 0.42

m*e/m0 lectrons m*l m*t 0.98 0.19 1.64 0.082 0.067 0.067 0.026 0.026

m*e/m0 trous m*lh m*hh 0.16 0.49 0.044 0.28 0.082 0.45 0.025 0.41

mobilit 300K (cm2/V.s) lectrons Trous 1500 450 3900 1900 8500 400 33000 460

Tableau 4 : Proprits de quelques semi-conducteurs

1) A partir des donnes fournies dans le tableau 4, calculer la concentration intrinsque de porteurs libres pour Si, Ge, GaAs et InAs 300K. Comparer un mtal. 2) La conductivit dun semi-conducteur est donne par : = nne + ppe o n (p) et n (p) sont respectivement la concentration et la mobilit des lectrons (des trous) en bande de conduction (de valence). Calculer la conductivit intrinsque des 4 semi-conducteurs prcdents 300K.

Elments de rponse
V A.1) bande de conduction : Dc(E) = 4 2
V Bande de valence : Dv(E) = 4 2
* 2m h 2 h

* 2me 2 h

3/ 2

(E Ec )1 / 2

x2 pour tenir compte du spin

3/ 2

(Ev E )1 / 2

x2 pour tenir compte du spin

A.2) n = D c (E) f (E, T )dE


Ec

p = D v (E) [1 - f (E, T)]dE


-

Ev

A.4) E F =

E C + E v kT N E + E v 3kT m* + Ln ( v ) = C + Ln( h ) 2 2 Nc 2 4 m* e

A.5) n i = N c N v exp(
B.1)

Eg 2kT

Semi-conducteur ni 300K (cm-3) B.2) Semi-conducteur 300K (-1cm-1)

Si 7.6 109 Si 2.4 10-6

Ge 2.8 1013 Ge 2.6 10-2

GaAs 2.6 106 GaAs 4 10-9

InAs 8.3 1014 InAs 4.4