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Fac ul t d El ec t ro n iq ue e t dI nf o rm a ti q u e
ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
Systme
Electrotechnique
Energie
Commande, Controle
Information
Signal
Systme
Electronique
(Automatique,Informatique)
Information
Signal
Alimentation
MEL502 / LGE604
U ni ve rs i t d es S c ie n ces e t d e T ec h n ol o gi e H o uar i B o um e d ie ne
Fac ul t d El ec t ro n iq ue e t dI nf o rm a ti q u e
ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
Un convertisseur statique est dit rversible lorsque lnergie, peut transiter (en gnral, tre
contrle) de manire bidirectionnelle, cest dire aussi bien dans un sens que dans lautre. Les
notions dentre et de sortie ne sont alors plus videntes.
Un convertisseur non rversible transfre lnergie dune source vers une charge utilisatrice.
Le plus souvent, il est aliment par le rseau frquence industrielle. La tension (ou le courant) de
sortie peut tre, ou non, rglable par rapport la grandeur dentre (tension ou courant).
B- Conversion Continu Continu (DC/DC):
Le convertisseur jouant le rle dinterface entre une source continue et une charge alimente en
continu, est appel : Hacheur (Chopper).
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ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
2. Soit convertir une tension alternative de valeur efficace fixe en une tension alternative de valeur
efficace variable et de frquence variable infrieure la frquence de la source.
Cest le cyclo-convertisseur.
3. Soit convertir une tension alternative de valeur efficace fixe en une tension alternative de valeur
efficace variable avec tension et frquence variable. La frquence de la tension de sortie peut tre
suprieure ou infrieure la frquence de la source.
Cest un convertisseur alternatif-continu-alternatif: un redresseur command est utilis pour
obtenir une tension continu variable; et un onduleur est utilis pour obtenir, partir la tension
continu, une tension de sortie tension et frquence variable.
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ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
il faut assurer une autonomie suffisante des appareils fonctionnant sur piles ou batteries,
il est ncessaire de conserver un bilan conomique satisfaisant.
Dans le cas o les semi-conducteurs de puissance peuvent tre considrs comme des interrupteurs
parfaits, l'analyse du principe de fonctionnement des convertisseurs de puissance est videmment
grandement facilite.
IV. Les interrupteurs semi conducteurs:
Dans ce chapitre, nous allons dcrire simplement les principales caractristiques externes des
composants. Ils peuvent tre classs en trois groupes :
1. Diodes. tats ferm ou ouvert contrls par le circuit de puissance.
2. Thyristors. Ferm par un signal de commande, mais doit tre ouvert par le circuit de puissance.
3. Interrupteurs commandables l'ouverture et la fermeture. Ouverts et ferms par un signal de
commande.
La catgorie des interrupteurs commandables inclut de nombreux types de composants :
Transistors Bipolaires Jonctions (Bipolar Junction Transistors - BJTs);
Transistors effet de champ Metal-Oxyde-Semi conducteur (MOSFETs);
Thyristors commands l'ouverture (Gate-Turn-Off Thyristors - GTO Thyristors);
Transistors bipolaires grille isole (Insulated Gate Bipolar Transistors - IGBTs);
Thyristors MOS Commands (MOS-Controlled Thyristors - MCTs).
1. Diodes
La figure ci dessous dcrit les diffrentes diodes existantes, le symbole de la diode et sa
caractristique statique iD= f(VD). Lorsque la diode est polarise en direct, elle commence
conduire partir dune faible tension de seuil Vseuil directe de l'ordre de 1V. Lorsque la diode est
polarise en inverse, seul un faible courant de fuite ngligeable (quelques mA) circule jusqu'
atteindre la tension d'avalanche. En fonctionnement normal, la tension inverse ne doit pas atteindre
la tension d'avalanche.
Figure 3. Structure, Symbole, Caractristiques relle et idale dune diode jonction PN.
2.Thyristors
La figure 4 dcrit le symbole du thyristor et sa caractristique statique iA=f(VK). Le courant
principal circule de l'anode (A) vers la cathode (K). En polarisation directe, le thyristor possde
deux caractristiques selon qu'il est command ou non. Il peut supporter une tension directe positive
sans conduire comme dcrit sur la figure 4 (tat off).
Lorsque le thyristor est polaris en direct, il peut tre plac dans l'tat on en appliquant une
impulsion de courant positive sur la gchette (G). La caractristique iA=f(VK) rsultante est
dcrite sur la figure 4 (tat on).
Dr. F.Bouchafaa 2009/2010
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Lorsque le thyristor commence conduire, le courant de gchette peut tre annul. Le thyristor ne
peut alors plus tre plac l'tat off par la gchette et se comporte comme une diode. Il se bloque
seulement au moment o le courant iA sannule.
En polarisation inverse, des niveaux de tension infrieurs la tension d'avalanche inverse, seul un
courant de fuite ngligeable circule dans le thyristor.
Dans les documentations des fabricants de composants, il existe diffrents types de conceptions des
thyristors comme lindique la figure 5.
3. Transistor MOSFET
Le transistor MOSFET est un interrupteur unidirectionnel en tension et bidirectionnel en courant.
A lavantage dune commande relativement simple qui ncessite peu de puissance. En lectronique
de puissance, il est utilis comme lment de commutation et par consquent prsente deux tats
distincts.
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4. Transistors IGBT
Les concepteurs ont voulu avoir les avantages suivants :
Tension leve ltat ouvert,
Tension faible ltat ferm,
Facile commander,
Bonnes performances dynamiques.
Les IGBT sont trs rpandus dans les systmes de conversion conus depuis les annes 1990. Il est
utilis dans le domaine des moyennes et fortes puissances.
Ce composant est command en tension. Lamorage est identique celui du MOSFET.
Ces composants sont de plus en plus utiliss dans les systmes modernes de traitement de lnergie
lectrique, comme les onduleurs, les redresseurs MLI, les convertisseurs multi-niveaux,
5- Thyristors GTO
Par rapport au thyristor classique, le thyristor GTO est en plus commandable louverture par un
courant, iG, ngatif.
Ce composant entirement commandable est trois segments la diffrence des transistors
prcdents.
Du point de vu de sa commande, la gchette est parcourue en permanence lors de la phase de
conduction, par le courant iG. Sa commande est donc plus difficile mettre en oeuvre que pour les
composants grille isole.
Un autre inconvnient est la prsence de pertes importantes lors de louverture.
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ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
BJT
MOSFET
IGBT
GTO
Puissance dutilisation
Moyen
Faible
Moyen
Fort
Rapidit de commutation
Moyen
Rapide
Moyen
Lent
Rcepteur
Convertisseurs
En rsum:
Alimentation
Alternatif (U1, f1)
Redresseur
Continu U1
Onduleur
Continu U1
Continu U2variable
Hacheur
Alternatif (U2, f2 )
Passant :
I
La Diode .
U
B
Le thyristor .
A
i
ig>0
G (gachet t e
ig=0
IM
Bd
Bi
Le Transistor (NPN) .
U = V CE
C
I=Ic
I=Ic
S
Ibsat
U = V CE
Base
VBE
B IB
Collecteur
Ic
Ib
Bloqu:
u
A
Ic=.Ib
Emetteur
Ib=0
Ib
U=Vce
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7- Grandeurs caractristiques
CARACTERISTIQUES DES SIGNAUX PERIODIQUES ET LEURS MESURES .
Valeur Moyenne
Dfinition
<i>=
1
1
Aire (i,t)=
T
T
Valeur efficace
I=
carrs
i ( t ) dt
i2 :
Mesure
* ond=
U = U U
u u
Composante continue
Composante alternative
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