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N DORDRE :
THSES
3284
PRSENTES
A LA
DE
POUR OBTENIR
S SCIENCES PHYSIQUES
LE GRADE DE DOCTEUR
PAR
PIERRE AIGRAIN
1re
THSE.
CONTRIBUTION
LTUDE
REDRESSEMENT
DES
PHNOMNES
DETRANSISTANCE
ET
DANS
DE
LE
GERMANIUM.
2e
THSE.
PROPOSITIONS DONNES
Soutenues le 17
mars
FACULT.
dexamen.
Prsident.
MM. E. BAUER
Y.
PAR LA
ROCARD
A. KASTLER
Examinateurs.
Examinateurs.
PARIS
MASSON ET Cie , DITEURS
LIBRAIRES
DE
120,
LACADMIE
DE
BOULEVARD SAINT-GERMAIN
1951
MDECINE
THESES
PRSENTES
A LA
POUR OBTENIR
LE GRADE DE DOCTEUR
ES SCIENCES PHYSIQUES
PAR
PIERRE AIGRAIN
1re
THSE. - CONTRIBUTION
LTUDE
ET
REDRESSEMENT
DE
DES
PHNOMNES
TRANSISTANCE
DE
DANSLE
GERMANIUM.
~e
Soutenues le 17
mars
DONNES
ROCARD.
dexamen.
.
Prsident.
e
.........
FACULT.
Commission
1950 devant la
MM. E. BAUER
.
PAR LA
Examinateurs
PARIS
MASSON ET cie, EDITEURS
,
LIBRAIRES
DE
120)
LACADMIE
DE
BOULBVAHD SAINT-GERMAIN
~95i
MDECINE
PROFESSEURS
G. JULIA
.........
A. DENJOY
L. LUTAUD.......
E. DARMOIS ......
Rohert Lvv......
Henri VILLAT
PIVETEAU.......
ROCARD.........
H.CARTAN.....
SCHAEFFER
iIFFITTE.......
organique.
Mcanique physique ett
exprimentale.
T Electrotechnique gnrale.
CHATELET
Cb.JACOB .......
P. PA8CAL........
Mme RAMARTLUCAS. T Chimie
.....
FAVARD.........
........
compares.
.......
...,
P. DKACH
KASTLER.......,
.....
.....
T Technique aronautique.
T Physique (P. C. B ).
T Hautes tempratures.
G. RItiAUD
CHAZV............ T Mcanique analytique et
.......
CROZE
............
cleste.
Physique cleste.
BARRAB8
T Gologie
cul
.........
VA VON............ T
cal-
QUENEY........
et
GALLIEN.......
ElCHHORN......
DE CUGNAC....
LAVAL.........
Gologie applique.
Analyse et mesures chimiques.
probabilits
et
Physique mathmatique.
Taeqaes
Gographie physique
et
Gologie dynamique.
T Chimie biologique.
AUBEL
Mme JOLIOT-CURIE T Physique gnrale et Ra..........
dio-activit.
PI,A NTEFO 1.........
T Botamqu.
.....
LHERITIER....
GRIVET........
PONCIF........
THIRV........
DUBREIL.......
CHAMPETIER...
CUVILLIER.....
la gomtrie.
T Chimie applique.,
T Minnalogie
T Zoologie.
T Biologie vgtale.
T Physique quantique et re.
CHAUDRON........
WYART...........
TEISSIER
MANGENOT........
P. AUGER.........
lativit.
MONNIER
.........
T Gentique.
T Biologie physieo-chimique.
T Chimie- Physique.
Optique applique.
Physique.
Physique.
T Mcanique
exprimentale
T Astronotnie.
Chimie
biologiffue.
Physique gnrale
et Xi-
Mathmatiques gnrales.
T Biologie maritime.
T Mtorologie et dynami-
Etectruchimie.
QAUCHOIS .
niss.
PREVOST.......... T Chimie organique.
BOULIGAND....... T Application de lanalyse
.
AUDUBERT
Mlle
QUELET........
........
(P. C. B.).
Zoologie.
Physique.
T Arithmtique et thorie
THELLIER......
T Recherches physiques.
GRASSE........... T Evolution des tres orga-
CAHANNES
Chimie
que atmosphrique.
Biologie animale (P.C.B.),
Biologie vgtale (P.U.B.).
Biologie vgtale (P.C.E3,),
Physique (P.C.B.).
Chimie-physique .
Physique du Globe.
structurale
Btotogtean!mate(P.C.B ).
dioactivit.
intgral.
DANJON.......
FROMAGEOT ...
LAPORTE.......
JANET..........
PETtT..........
T Thories chimiques.
T Uatcui diffrentiel et
des tluides.
et
thorique
T Physique
DOPONT...........
VALIRON
.........
FORTIER.......
Mcanique
GAUTHERET.....
SOLEILLET
To USSAINT........
M. CURtE.........
....,.
ARNULE
MAX MORAND..
.........
T Physique du Glohe.
des nombres.
EpHRUSSt......
WURMSER
BAUER.........,
RIVIRE.... , ...
LUCAS.........
A. THOMAS.... ,
T Physique.
T Mathmatiques gnrales.
T P h ysio logie des fonctions.
T Chimie (P. C. B.).
Calcul des Probab ilits ett
Physique mathmatique.
COULOMB
Mlle COUSIN....
A. CHRETIEN
~ocH............. T
PAUTHENtSK......
DE BROGLIE T Thories physiques.
aOB ............... T Chimie gnrale.
T Anatomie et Histologie
PRENANT
T Gologie.
(AGNIARD
.....
JUNG........
TRILLAT .......
WlEMANN......
LICHNEROWICZ.
JACQUINOT.....
VASSY.........
DES TOUCHES ...
Physiologie gnrale
Ser.r~QCr~..................
OH. MONIER
Gntique.
T Radiolectricit.
Mcanique
des tluides.
T Mcanique applique.
Mathmatiques gnrales,
Chimie (P. C. B ).
Gophysique applique.
Chimie applique.
Gologie structurale et
gologie applique.
Ptrographie.
Physique ( P . C. B ).
Chimie (P. C. B.).
Mathmatiques.
Physique (P. C. B.).
Physique de lAtmosphre.
Thories physiques.
INTRODUCTION
Le but de cette tude tait dessayer de prciser q uelques-uns des
obscurs de la thorie des phnomnes de redressement et de
transistance dans le germanium.
Nous commencerons par rappeler brivement les proprits lectriques du germanium.
On trouvera dans les rfrences !i 12 les notions de base sur la
thorie des semiconducteurs en gnral.
points
Proprits lectriques
du
germanium.
classification
intrinsque
rature
la,temprature.
germanium
Mme le
la
temp-
. 0,?6 ev.
e soit obligatoirement tout fait constant
-
le
plus
avec
ont
donn 60
puisse prparer
M/cm.
se
pour la rsistivit
1
p-n--nL..
nombre dlectrons,
de trous.
nombre
p =
Dautre part, daprs des formules
n =
- - n
et
classiques :
quation du
second
degr :
M~ = o.
~-=-lOge
~
]B1
Il
ainsi obtenu dans du chlore, ce qui donne du ttrachlorure de germanium, liquide pesant, bouillant ~8~ C et susceptible dtre purifi
par distillation fractionne.
Le ttrachlorure purifi est hydrolys pour le ramener ltat
doxyde, que lon rduit ensuite nouveau pour obtenir du germanium pur. Malgr toutes les prcautions que lon peut prendre, il est
difficile de descendre en dessous de 10-6 atomes dimpurets par
atome de germanium, quantit que lanalyse spectrographique ne
peut dailleurs dceler.
Il y a dailleurs des raisons de croire que toutes les impurets dans
le germanium ne sont pas actives, cest--dire que toutes ne contrihuent pas crer des niveaux dnergie dimpurets. Il est en effet
possible trs souvent de changer le type de conductibilit dun chantillon de germanium trs pur par simple traitement thermique. Le
maximum de vitesse de raction pour le passage de la conductibilit n
la conductibilit p se trouve vers 5000 C, et pour le passage inverse
vers 8000 C. Ces phnomnes sexpliquent facilement si lon admet la
y
4
de deux types dimpurets, lun responsable de la cond uctibilit n, lautre de la conductibilit p et qui pourraient se trouver
soit en positions interstitielles dans le rseau du germanium, soit
en positions substitutionnelles. Elles ne seraient actives que dans le
premier cas, et lun des types viendrait occuper des positions interstitielles, de prlrence vers 5000 C, lautre vers 8000 C ( i fi).
Il est impossible de spcifier les impurets qui sont prsentes dans
un chantillon de germanium, puisque lanalyse spectrographique ne
donne rien sur du germanium pur.
prsence
Redresseurs
germanium
voltage inverse
lev.
au
aux
ainsi que le prvoit la thorie, mais alors qu la temprature ordinaire on devrait avoir ~ ==: ce = i/4o V. on trouve en ralit p N 1/20 V.
De plus, la valeur mesure du courant de saturation est de lordre de
quelques diximes de microampre au lieu dtre de lordre de quelques millimes de microampre, comme le prvoit la thorie. Enfin
la caractristique inverse pour de faibles voltages appliqus nest pas
Fig.
2.
is
devrait
dpendre du mtal
mtal,
une
variation du
ex
p [- l ~e T ~
~~~
2. La thorie de Brattain. - En io48, Brattain a propos une nouvelle thorie des phnomnes de redressements dans les contacts
germanium-mtal (16;. Essentiellement, Brattain admet quil existe
au voisinage de la surface, et du fait de la prsence de celle-ci, ou
doxygne adsorb, des niveaux dnergie discrets qui sont susceptibles de capter les lectrons et ne les relchent que trs difficilement.
Selon cette thorie, il y aurait donc en permanence, mme en labsence
de contacts mtalliques, une charge ngative accumule la surface
(fig. 3). Il est alors facile de voir quil doit se former au voisinage de
la surface une barrire de potentiel dans laquelle les lectrons libres
du germanium sont repousss vers lintrieur du semi-conducteur par
le champ qui y rgne et qui est d la charge superficlelle. La
barrire de potentiel est selon cette thorie toujours prsente et le
redressement prend place entre la masse mme du semi-conducteur
et sa surface laquelle le contact mtallique est appliqu. La rgion
superficielle
ou
.,
cult
reste
entire
en ce
qui
concerne
satu-
paisses
et,
en un
mol, tout
ce
qui
concerne
temprature
A la
temprature ordinaire,
les valeurs
numriques
de
ces
deux
peu
prs
tenant
germanium.
Le relev au
A. TRACEUR DE CARACTRISTIQUES LECTRONIQUES.
la
de
voltmtres
et
de
microam
de
caractristique
pre mtres
moyen
courant-voltage dun redresseur ou a fortiori dun transistor est une
opration longue et qui ne peut videmment seffectuer pendant la
dure mme des traitements que lon fait subir aux redresseurs considrs. Quoiquil soit ncessaire dutiliser cette mthode si lon dsir
relever des caractristiques prcises nous avons trouv quil tait.
utile de disposer dun moyen de relever les caractristiques de
redresseurs et de transistors dune
manire quasi instantane. Lappareil que nous avons construit
ne peut pas servir faire des
mesures de prcision, mais laspect gnral des caractristiques
y apparat fort clairement.
Le principe des traceurs de
-
Fig. 4.
~
F. 19,
5.
10
permet de raliser
nous
11
bornes des. deux lampes au non Ni, N2 atteint la somme des tensions dallumage de celles-ci, le condensateur se dcharge brusquement travers ces lampes jusqu leur tension dextinction. Le voltage aux bornes des lampes au non a ainsi la forme en escalier ~~
dsire. Selon la valeur de la rsistance R il est possible de rgler le
nombre de marches entre 3 et 8. Le fonctionnement est parfaitement
stable dans le temps pour des priodes de plusieurs heures.
Le voltage ainsi obtenu est appliqu travers le condensateur de
couplage C, qui a t choisi de trs grande valeur cause des valeurs
trs basses des frquences quil doit passer correctement (jusqu
6 priodes) un diviseur de tension command par un commutateur.
La sortie du diviseur de tension est applique la grille dune sec-
Fig.
6.
tion de la
voltage.
Un potentiomtre
12
B. VIS MICROMTRIQUE POUR LE MONTAGE DES REDRESSEURS ET TRAN- Afin de faciliter le montage des redresseurs et des transistors
nous avons utilis une vis micromtrique. Le pas de la vis elle-mme
est de 1/2 mm. et le germanium lui est fix. La pointe mtallique est
monte dans u ne pice de laiton et elle est aj uste avant le contact.
On peut ensuite approcher plus ou moins la pice de germanium
afin de rgler la pression de contact.
Le germanium est cuivr lectrolytiquement du ct oppos du
contact, avant montage. Nous avons utilis pour le cuivrage une solution de sulfate de cuivre, laquelle taient ajoutes quelques gouttes
dacide perchlorique et actique, ce qui augmentait ladhrence du
dpt obtenu. On peut ensuite, si ncessaire, faire de bonnes soudures
ltain sur le dpt de cuivre.
Lappareil est prvu afin que deux pointes puissent tre simultanment mises au contact du germanium pour les tudes sur les transistors.
Le mtal utilis pour les pointes dans nos tudes tait du fil de
I2/I00e de millimtre de diamtre, soit de constantan, soit de bronze
de bryllium. La pointe elle-mme est taille la meule, ou sectionne
en biseau entre une pice mtallique et une lame de rasoir. Les
bavures sont ensuite limines par polissage lectrolytique. Aucune
diffrence notable na pu tre note entre les rsultats obtenus en
utilisant diffrents matriaux pour les pointes mtalliques. Les pointes
en bronze de bryllium sont plus lastiques, mais plus difficiles
ajuster que celles en constantan.
Lorsque la pointe a t presse avec une force de quelques grammes
SISTORS.
13
surface de germanium poli, on observe au microscope que
extrmit sest ap latie. Le rayon de la portion aplatie est de lordre
de 5 10 microns. La surface du contact mtal-semi-conducteur doit
donc tre de lordre de io-6 cm2 en admettant que le contact lectrique
soit bon sous toute la rgion aplatie de la pointe.
Les pointes utilises sont gnralementfixes des tubes de nickel
de i mm. de diamtre extrieur dans lesquels elles sont serties et
soudes par points. Ce tube de nickel est lui-mme plac lintrieur
dun tube de laiton ou dacier de 3 4 mm. de diamtre extrieur
duquel il est isol par plusieurs couches de cellulose gomme enroules autour du tube de nickel et enduites de vernis la baklite. Ceci
permet de maintenir les pointes en position par rapport au micromtre en les serrant par des vis de blocage sans que cette dernire
opration nen cause un dplacement une fois quelles ont t ajustes.
sur une
son
C. INFLUENCE
CARACTRISTIQUES
traite.
14
disparu.
germanium poli
tre releves.
15
Fig.
7 bis.
16
le
haut j usqu
des tensions
quement ;
3 linfluence de la temprature est relativement beaucoup moins
sur les contacts forms lectriquement que sur ceux qui ne
lont pas t. Par contre, aux trs faibles voltages appliqus (moins
de 1/10 de volt) laugmentation de courant est presque la mme dans
les deux cas.
Ces remarques nous ont suggr un nouveau modle thorique
pour les redresseurs germanium-mtal que nous allons maintenant
marque
.
dcrire.
Toutes les
E. MODLE THORIQUE DE REDRESSEURS AU GERMANIUM.
des
redresseurs
au
observes
germanium sexpriment
proprits
dune manire satisfaisante si lon admet quil existe une barrire de
potentiel, non pas la surface du semi-conducteur ou du contact de
celui-ci avec le mtal, mais bien dans le corps mme du semi-conducteur, quoiquau voisinage immdiat de la surface. Les considrations
qui nous ont amens cette conception sont les suivantes :
1 Il semble bien iout dabord que lon doive admettre que la
barrire existe mme en labsence de contact mtallique, sinon il
serait incomprhensible que la nature du mtal ninflue pas sur les
caractristiques dune manire sensible.
2 Dautre part, la forme observe des caractristiques bas voltage
inverse sexplique bien si lon admet lexistence dune certaine
conductibilit superficielle du germanium. Brattain (18) a dailleurs
pu mesurer directement sur des chantillons traits spciaiement, il
est vrai, et ayant une rsistance inverse trs faible et une conductihilit superficielle mesurable. Cette conductance de surface peut tre
explique par la prsence de ce que lon nomme une couche dinversion de Schottky. Si la hauteur de la barrire de potentiel est suffisante, le niveau de Fermi au voisinage de la surface peut devenir
plus proche de la bande pleine que de la bande de conduction. La
couche superficielle contient alors des trous libres, qui peuvent tre
assez nombreux sans que cependant il passe un courant transverse
la surface, parce que le courant de conduction de ces trous est exactement compens par un courant de diffusion.
Il y a cependant des difficults expliquer les caractristiques des
redresseurs au germanium en se hasant sur cette thorie, en particulier, parce que les densits de courant traversant la barrire calcules
thoriquement sont trop faibles. Aussi allons-nous proposer un autre
modle qui, on le verra, est plus satisfaisant sur ce point. Les calculs
-
17
qui suivront, sur leffet de la conductance de surface, seraient toutefois applicables aussi bien aux deux modles considrs.
La thorie de Brattain est base en partie sur le fait que pour
obtenir des dtecteurs au germanium haut voltage inverse, il est
ncessaire de se livrer sur le germanium un polissage lectrolytique
o le germanium sert danode, ou un traitement chimique ayant un
effet analogue et que par consquent il est assez naturel dimaginer
que de loxygne puisse tre adsorb la surface du germanium.
Mais nous pensons quil nest pas non plus impossible que loxygne
ne soit pas seulement prsent dans une couche de quelques distances
interatomiques dpaisseur et quil puisse diffuser quelque distance
lintrieur du germanium.
Les dimensions relatives de la maille du germanium et du rayon
de lion 0-, permettent en effet une telle diffusion.
Mme si la vitesse de diffusion est pratiquement nulle la temprature ordinaire, ce que la stabilit relative des caractristiques des
dtecteurs avec le temps laisse supposer, il peut trs bien ne pas en
tre de mme la temprature assez leve, probablement suprieure
3000 C, qui doit tre atteinte lors du formate lectrique, opration
qui consiste faire passer un surcourant dans la pointe du dtecteur
et qui est ncessaire pour que celui-ci prenne une caractristique
stable. Si dailleurs ce traitement est prolong pendant un temps
suffisamment long, il pourra mme arriver que loxygne atmosphrique pntre lui-mme dans le rseau. Rappelons quil suffirait de
10-6 atomes doxygne par atome de germanium pour changer le
type de conductibilit de celui-ci.
Dans ces conditions, nous avons fait lhypothse que la rgion
superficielle du germanium utilis dans les dtecteurs contenait plus
dimpurets acceptrices, probablement doxygne, que dimpurets
donatrices. Pour expliquer les valeurs observes, des courants inverses, nous verrons aussi quil est ncessaire dadmettre que la transition
entre le germanium p en surface et n en profondeur est trs graduelle et se prolonge sur une paisseur suprieure celle de la
barrire qui se forme au contact n-p.
Nous avons ainsi t amens tudier thoriquement les caractristiques courant-voltages des contacts germanium n-germanium p.
F. THORIE DES CONTACTS Ge n - Ge p.
a) Etudes dj publies.
La premire thorie du redressement des contacts entre semiconducteurs de types de conductibilits opposes semble tre due
Davydov (7). Davydov sest intress loxyde de cuivre dont la
conductibilit intrinsque est ngligeable, alors que pour le germanium, elle constitue le phnomne le plus important considrer.
Divers autres chercheurs, en particulier Shockley (19) et Fan (20)
ont tudi les contacts n-p dans le germanium, mais tandis que le
-
P. AIGRAIN
18
o ce comme partout ailleurs dans cette tude est gal AT/e, cest-dire 1/40 V. la temprature ordinaire. Ce rsultat est dmontr
partir de lhypothse que, pour les faibles valeurs de Vo, presque
toute la chute de voltage prend place dans la rgion centrale de la
barrire o presque toutes les impurets sont ionises.
Nous avons d reprendre en grande partie et dvelopper considrablement les calculs dj publis, pour pouvoir appliquer ces rsultats
aux cas qui nous intressent.
b) Equations ,gnrales des barrires n-p dans le gerrnanium.Nous utiliserons les notations suivantes :
nlenombre dlectrons libres par centimtre cube,
pie : nombre de porteurs libres par centimtre cube,
V : potentiel lectrique,.
y
grad
champ lectrique,
conductibilit locale,.
r :nombre des paires trou-lectron produites par excitation
thermique par centimtre cube, par seconde,
M/e : nombre de trous et dlectrons libres dans du germanium
parfaitement pur la temprature considre,
:nombre de centres dimpurets acceptrices par centimtre
cube.
Sil y a des impurets donatrices, ni sera compt ngativement :
EO== Permittivit du vide,
K= Constante dilectrique du germanium, environ 18.
Dans ces conditions et en remarquant que le nombre de paires
trou-lectron produites par centimtre cube par seconde en excs du
nombre de paires qui se recombinent est gal :
c :
np
( npj
1
considres :
entre
les diffrentes
quantits
19
c) Hypothses simplificatrices.
nous nous
ni
Enfin,
nous ne
tiendrons pas
compte de la diffrence
entre pp et lin
cm2/sec./V. la
que
remplacerons
temprature ordinaire. Tous les calculs sont effectus dans le systme
dunit pratique o EO === 1 /g . 10-11.
Dans ces conditions les formules (4 7) deviennent :
nous
ngliger.
A cause de la difficult quil y a rsoudre mme dune manire
approximative, les quations obtenues lorsque np nest pas ngligeable devant 111~, nous diviserons le problme en deux parties :
1~ Le cas o un voltage inverse suffisant tant appliqu la barrire, lpaisseur de la rgion o np est vritablement ngligeable est
suffisante pour que presque tout le cou rant observ soit produit dans
cette rgion. On pourra alors calculer ce courant en admettant que
les quations simplifies sont valables jusquau point o la conducti-
20
bilit calcule
libre :
daprs (i i)
devient
gale
la conductibilit
dqui-
Dans la
o
que
dans
en
utilisant
comme
inconnues
et y.
rgion
est extrmement
lquation
~K
en ce
qui concerne le
rentielle en y:
une
quation
diff-
21
ce
on
obtient :
donnant ainsi :
barrire :
6
et utiliser la
relation :
(22)
C = rxl.
En pratique, le paramtre a a des valeurs
et i o-~. On trouve alors (Pour a = i o-~) :
s- ior
comprises
entre
barrire, s/y
Le
prs gal
la barrire est :
Donc :
Lorsque
V tend
vers
ce
zro, la valeur du
que
nous
appellerons
22
Remarquons tout de
pratique, on trouve :
suite
quavec
en
2C === 2Co.
barrire de ce type, il ny a ni effet
la barrire du fait de la prsence dune charge induite. On comprend que la barrire puisse
supporter des voltages appliqus considrables, limits seulement
par laugmentation de la temprature, lorsque la puissance dissipe
devient trop grande. Ceci limine une des grandes difficults que
prsentaient les thories prcdentes du redressement dans le germanium haut voltage inverse.
e) Le courant aux trs faibles voltages inverses et dans la direcPour calculer les caractristiques des
tion de faible rsistance.
redresseurs au germanium lorsque le voltage appliqu est trs faible,
il est commode dutiliser les notations introduites par Shockley.
En fonction de la distance du niveau de Fermi la bande de
conduction, le nombre de trous et dlectrons libres dans un semiconducteur lquilibre tait donn par :
Remarquons
enfin que
sur une
Si
on
compris
appelle c~
le
au
ces
lespace
la posi-
formules deviennent :
= Me exp
p == Me exp
n
milieu de
pleine et 9,
[- et( 9 - ~)~
~~~ - ~)~~
Il est commode dintroduire des quantits
semi.conducteur qui nest pas lquilibre, on
(29)
t3o)
toujours :
un
23
En fonction de
ces
7) scrivent :
Les deux
premiers
( -~- d.x.
Cest--dire
~.
24
reprsenter
se
par
une
expression analogue
que ni=
ax.
En fait, ni varie
figure
8 par
(Hg. 8b):
aux
pour
~ >o;
que
est
b_~~3
Comme b > a,
Cp
Cp a_n3. ,
r-
> C,.
Le courant de trous
courant
(1) Des calculs postrieurs ce travail nous ont conduit pour le courant
direct des redresseurs au germanium la formule :
(B
et 1 =
en
pratique.
25
total,
mme
en
tenant
La valeur de
en
ce
du
germanium
que
r
de
nous avons
est relie la
type
~
n.
On
effet :
~==~
(39)
pousses..
Caractristiques des diodes au germanium, compte tenu de la
Nous admettrons que lpaisseur de
conductibilit superficielle.
la couche superficielle qui existe la surface du germanium est suffisante pour quen premire approximation lon puisse considrer que
le courant qui traverse la barrire est le mme que celui calcul prcdemment dans le cas o la rgion p tait de dimensions infinies.
-
avons
alors :
--
- )-
grad V
lquation :
r.
gale
zro
on
obtient-
26
Les conditions
aux
~= 7J
=
pointe
et
~~/BV)~.
En gnral, il est impossible de rsoudre rigoureusement lquation (3g) cause de la forme complique de f(V). Aussi, allons-nous
diviser le problme en deux cas particuliers o il est possible de
trouver des solutions approximatives avec une bonne prcision.
i~ Calcul du courant direct.
Lorsquun voltage est appliqu
la pointe dans le sens de faible rsistance (pointe positive), la densit
de courant travers la barrire est trs leve. Elle est donne par :
.
Le
voltage
aux
ds que lon
zro,
Ls
avec :
pour
une
Dans
ces
z + Vr.
.
27
On obtient ainsi :
do
lquation qui
avec comme
donne Vr :
conditions
aux
limites :
tion est celle-l mme que lon aurait obtenue en admettant que la
barrire tait infiniment mince et de rsistance de surface :
Pour satisfaire
aux
immdiatement :
conditions
aux
limites,
on
doit avoir :
Cte =Vo
On
la
en
sens
inverse
28
avec :
En
ralit,
voisinage
un examen
mme de la
Fig.
9.
29
Les figures i i et 12
i) Tests exprimentaux de la relation.
fournissent une comparaison entre les valeurs mesures et calcules
du courant inverser pour des diodes au germanium qui ont ou non
t soumises des surcourants importants. On voit que les valeurs
mesures de Ro varient de quelques kiloohms un mgohm environ,
les valeurs les plus basses correspondant aux pointes soumises un
-
surcourant
prolong.
Fig.
Fig.
11.
.
12.
On observe aussi que tandis que pour les diodes faible rsistance
inverse la relation (48) est bien observe jusqu des voltages dune
trentaine de volts, il nen est pas de mme pour des diodes forte
rsistance o la relation (48) nest valable que pour des voltages
appliqus infrieurs 2 V. environ. Aprs quoi, le courant mesur
est toujours plus grand que le courant calcul. Nous reviendrons sur
lexplication thorique de ce phnomne aprs avoir discut de la
variation du courant inverse avec la temprature.
j) Variations du courant inverse avec la temprature. Nous
nallons tudier que deux cas extrmes :
10 Cas o (x
1) ~ r : Ce cas est celui o la rsistance de surface
est grande ou encore celui o le voltage appliqu est trs faible (de
lordre du 1/10 V). Puisque x - I est faible, on peut remplacer log x
par x - 1, do :
-
21tVo
varie
comme
exp
(- o,76e/kT)
30
et
Ro qui
(Ro est
peu
morceau
exp - 0,38 e
2 Cas o x est grand : Ce cas est celui o la rsistance superficielle est faible et o le voltage appliqu nest pas trop faible. En
ngligeant en premire approximation la variation de log x avec x,
on a :
sxve
~
-dire
i tend vers is
appliqus,
qui
varie
comme
2Co, cest-
comme :
ex
effectu des mesures sur un grand nombre de diodes au
germanium dans un grand intervalle de temprature et a remarqu
que is variait comme :
Benzer
exp
(- o, 70 e/kT).
Io o/o
erreurs
Donc is varie trs rapidement avec T, tandis que Ro varie peu (un
peu plus vite que r).
On voit que les prvisions de la thorie sont en bon accord qualitatif
et quantitatif avec lexprience en ce qui concerne la variation du
courant inverse avec la temprature. A notre connaissance, aucune
thorie existante navait pu jusqu prsent expliquer pourquoi la
caractristique inverse des iodes forte rsistance variait rapidement
31
avec
la
temprature,
tandis que la
caractristique
courant.
En se rapportant par exemple la figure 7 bis, on voit quil suffirait dune lvation de temprature denviron i5~ pour expliquer la
diffrence observe entre le courant mesur et le courant calcul.
Lorsque le voltage appliqu devient assez considrable f(V) devient
beaucoup plus fort au voisinage du centre du contact car cest l que
le voltage appliqu est le plus fort. Presque tout le courant passera
donc travers une rgion de faible surface au voisinage du centre du
contact et de la conductibilit superficielle naura plus dimportance.
De cela on dduit :
i~ Que la thorie donne par Benzer de la caractristique qui a une
(1)
pente
HUNTER
32
en
Le
prcde
voltage
d la conductibilit
La formule prcdente nest toutefois quapproche, car en la drivant, on a nglig des termes qui quoique sans importance par rapport aux voltages normalement appliqus aux diodes au germanium
ne le sont pas par rapport aux faibles voltages prsents une distance apprciable du contact. En particulier, il faut tenir compte du
terme Zd do :
,
V = Zd +
et dautre
part
au
qui
boliquement.
de
zro
voisinage
vers
2,~s ( I -- x~
+ x
1 O g .x)
nest
plus gal
exponentiellement et non plus
r=
r2.
49
ce
para-
est
33
les
reproduire
tudier
une
deV(r) et
mesures
de les tudier
prfr
parties
sparment.
effectues
34
On voit que les voltages mesurs sur les pointes ns 2 et 3 sont
peu prs gaux quand i1 est faible. Mais aux forts courants V2
devient trs suprieur Vs. V est dailleurs proportionnel i, avec
ohms et qui correspond une rsistivit du germanium de
fi ohm/cm, environ.
Ainsi que nous lavons dj mentionn, Vs doit tre peu prs
donn par la formule (49) pour les valeurs leves de i2. Il se prsente
une difficult du fait que pour ces valeurs Vi(i1) nest pas donn avec
une bonne prcision par la formule thorique, ce qui laisse supposer
que laugmentation de temprature dans la barrire est dj suffisante pour que f(V) soit diffrent de 2Co. Il semble quon obtiendra
une meilleure approximation en utilisant dans le calcul de V2 la
valeur de if qui serait-donne par la formule thorique valable aux
faibles voltages, plutt que la valeur mesure de it.
Aux faibles voltages appliqus V1(i1) est bien reprsent par la
formule thorique avec Ro = 30 000 ohms et is - 1/2 microampre.
Dans ces conditions pour Vi _-_- 3,~o V. on trouver calcul =11 75 mA.
et V3==environ 115 mV., en prenant 2Co = o,2 A. par centimtre
carr. Pour Vi ==5,90 V., on trouve ii calcul ==243 mA. et V3 calcul = 300 mV. avec les mmes valeurs.
Lexprience prcdente montre donc bien que mme dans les
diodes rsistance inverse leve, la conductance de surface est un
phnomne impoitant. Cette exprience montre aussi que les valeurs
calcules de 2Co sont en assez bon accord avec les valeurs mesures.
"
4. Etudes
sur
appelle
les transistors
au
germanium. -
A. DESCRIPTION.
On
transistor un appareil constitu par un bloc de semiconducteur sur lequel se trouvent deux pointes mtalliques proches
lune de lautre. Le semi-conducteur est en gnral du germanium,
quoique dautres corps soient galement capables de fournir des transistors (en particulier le silicium). Si aucun courant ne passe dans
une des pointes (que nous nommerons ci-aprs lmetteur), la caractristique courant-voltage de lautre pointe (dite collecteur) sera celle
dun redresseur. Limpdance diffrentielle sera donc grande si un
voltage est appliqu dans le sens inverse (pointe ngative). Dans
certaines conditions lon trouve que le courant inverse du collecteur
augmente lorsquun courant passe dans le sens direct dans lmette u r .
faille
une
gale Re.
35
On
alors :
un
applications possibles.
appareil similaire
Par
rapport
quune
Fig. i4.
labsence dune source de chauffage pour la cathode, labsence de tout
systme vide.
Il existe deux types principaux de disposition des lectrodes dans
un transistor. Nous utiliserons la terrninologie adopte aux EtatsUnis pour les dsigner :
W Dans le transistor dit type A, les deux pointes sont situes sur
la mme face de lchantillon de germanium. La figure 14 montre
deux types de ralisation de transistors du type A, lun employ en
particulier par les chercheurs amricains, lautre par la Compagnie
franaise Westinghouse et les services des P. T. T.
2 Dans le transistor dit type B, les deux pointes sont situes chacune sur une face dun morceau de germanium de trs faible paisseur. La figure i5 reprsente deux modes de ralisation, lun dit
transistor en coin , lautre, transistor co-axial .
36
Dans tous les cas la distance entre pointes est aussi faible que possible et se situe gnralement entre 5/ioo et 10/100 de millimtre.
Pour les transistors de type B, il est donc ncessaire de tailler le
germanium en lames trs minces, ce qui nest pas sans prsenter de
nombreuses difficults.
donn.
2 On peut aussi traiter lchantillon de
pour
saccrot
rapidement jusqu
un
TORS.
37
ment
La critique principale
CRITIQUE DE LA THORIE PRCDENTE.
lon
la
thorie
faire
de
que
peut
prcdente est quelle ne permet
gure de rendre compte des valeurs du gain de courant suprieures
lunit, qui sont pourtant la rgle gnrale.
Remarquons tout dabord quil serait impossible dexpliquer les
valeurs observes de A par un phnomne de multiplication du courant de trous par ionisation cumulative par chocs et ce pour les deux
raisons suivantes :
i~ Lnergie que peut acqurir un trou positif pendant son libre
parcours moyen est beaucoup plus faible que lnergie de formation
E.
38
dune paire trou .lectron mme dans la barrire qui est forcment au
moins une centaine de fois pius paisse que le libre parcours moyen.
Il existe dailleurs des transistors dont le gain de courant est suprieur une unit, mme lorsque le voltage appliqu au collecteur est
infrieur aux o,~6 V. qui seraient ncessaires pour produire une telle
paire.
2~ Enfin,
librs, qui
mme si
un
sont soumis
tel
au
F. GAIN
39
valeur dquilibre. On comprend donc quil puisse en rsulter
modification de la conductance de surface, cest--dire de :
une
valeur
la conductance de surface.
Tout dabord, si lon considre lexprience dcrite prcdemment,
propos de la mesure de la conductance de surface, on voit que si lon
utilise la pointe nO 3 comme metteur et quon maintient le courant
qui traverse la pointe na i constant en changeant lgrement le voltage
qui lui est appliqu, on ne doit. sattendre aucune variation du
Voltage relev sur la pointe nO ce sil sagit exclusivement dun phnomne de changement de la conductance de surface. Si, au contraire,
il sagissait dune augmentation de la densit de courant travers la
barrire, on devrait sat.tendre une diminution du voltage relev sur
la pointe nO 2, peu prs dans la mme proportion que celle o lon
a rduit le voltage appliqu la pointe n i . En ralit, lexprience
montre que le voltage relev sur la pointe n 2 ne dpend pratiquement que du courant qui traverse la pointe n i. Malheureusement, la
qulit du germanium que nous avons utilis dans cette exprience
ntait pas suffisante pour permettre de raliser un transistor gain
de courant plus grand que i. Aussi les preuves exprimentales que
nous proposons lappui du modle dcrit ci-dessus seront-elles plus
indirectes.
40
la barrire dans la rgion
Cette proportion est :
Fig.
au
courant total.
17:
[- T~T~ .
Or, le champ dans lequel se dplacent les trous est proportionnel
au courant dmetteur
lexponentielle prcdente peut donc scrire :
exp [En rsum, nous admettrons que la rsistance de surface dpend
linairement, de la quantit :
e,
41
appliquer au collec-
teur
Fig.
18.
On doit considrer deux cas selon que i6 et ie sont tels que la valeur
maximum de u, u(ro), est ou non suprieure Ro/A. Dans le cas o
u(ro) Ro/A, on obtient :
.
Dans le
cas
tout
se
passe
comme
si
is avait t
Dans le calcul
prcdent,
nous
avons
simplification
approximations
mules prcdentes soient extrmement bien vrifies par lexprience.
Cest ce que montre le tableau ci-aprs relatif au transistor dont les
42
caractristiques
sont
larticle de Bardeen et
(Emprunte
Brattain) :
H. PROCESSUS PHYSIQUE DE LA MODULATION DE LA CONDUCTANCE DE SURLes quations (4 7) sont encore valables dans la barrire en
prsence dune concentration de trous leve dans le germanium n,
mais certaines dapproximations que nous avons faites pour les
rsoudre ne le sont plus. Aussi ne nous a-t-il pas t possible de procder au calcul exact de la forme de la barrire dans ce cas.
Shockley (19) a calcul le changement de la densit de courant
travers une barrire n - p, d la prsence de trous injects dans le
germanium n. Mais on voit sans peine que cet effet nest pas le plus
important dans le cas des transistors, car la densit de trous dans le
germanium n au voisinage de la barrire ne saurait tre une forte
proportion de la densit dlectrons libre lquilibre, sinon il existerait un gradient de diffusion important qui tendrait galiser la
densit des trous positifs dans le germanium (i). Aussi nest-ce que
FACE.
par :
Shockley,
43
avec :
Cp > Cn.
Les
scrivent alors :
supposant
f(y)=A
premier membre de lquation est
inchang, le second membre est modifi
dune manire analogue celle indique
figure ig. On doit de plus modifier les
Le
conditionsaux limites du ct n de la
barrire, mais du ct /) les conditions
aux limites sont inchanges. Donc, et sans
mme montrer dans le dtail de calculs
dailleurs inextricables, on voit que la barrire
ct p (fig. 20).
sera
courte du
figure
20.
injection de trous
n est donc un phnomne physique facile comprendre
qualitativement, quoique difficilement calculable.
dans la rgion
44
RSUM
Jai ralis un traceur lectronique de caractristiques qui permettaient de suivre les effets des diffrents traitements de surface effectus sur les redresseurs et les transistors au germanium pendant
mme que ceux-ci prenaient place. Un examen critique des caractristiques des redresseurs commerciaux ainsi que de ceux que nous
avons raliss et de leffet du formage lectrique du contact, qui
abaisse limpdance inverse du redresseur, nous a amens proposer
un nouveau modle pour ces redresseurs.
Dans le modle propos jai admis quune couche denviron io-3 cm.
dpaisseur la surface mme du germanium contient suffisamment
datomes doxygne diffuss lintrieur du rseau pour que sa
conductibilit soit du typep, tandis que lintrieur du semi-conducteur
est de type n. La transistion entre ces deux rgions est dailleurs trs
graduelle.
Jai calcul les caractristiques courant-voltage des jonctions n -p
dans le germanium. Jai trouv que ces caractristiques pouvaient se
reprsenter par une quation de la forme :
o 2Co
valeur
une
au
plus
valeur.
dexcellents rsultats.
Jai dailleurs pu mettre en vidence directement la conductibilit
de surface dchantillons de germanium non pralablement oxyds
lair en utilisant une lame mince de germanium sur laquelle taient
places trois pointes, deux sur une face de la lame, et lautre sur la
face oppose. On trouve ainsi que le voltage mesur entre une pointe
o ne passe pas de courant et la base, lorsquon fait passer un certain
courant dans une autre pointe, est beaucoup plus grand si les deux
pointes considres sont sur la mme face de la lame que si elles sont
sur des faces opposes, mme ;1 la distance entre les pointes est la
mme. Cette diffrence sexplique quantitativement par laconductance
de surface de lchantillon considr. La mesure fournit galement
un moyen de mesurer la valeur de la quantit 2Co qui est en bon
accord avec la thorie.
45
Jai galement trouv que le gain de courant des transistors est
probablement d une modulation de la conductance de surface au
voisinage de la pointe du collecteur par le courant dmetteur. Jai
propos un mcanisme pour expliquer cette modulation. Les caractristiques ainsi calcules thoriquement et releves exprimentalement
pour des transistors sont
en
excellent accord.
sujet.
BIBLIOGRAPHIE
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F. SEITZ.
Zeit.
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1949, 75, 1209.
-
20.
Autres
23. P. AIGRAIN.
24. P. AIGRAIN.
26. P. AIGRAIN.
25. P. AIGRAIN et
publications:
DEUXIME THESE
PROPOSITIONS
Absorption
et
DONNES PAR
LA
FACULT
catalyse
Vu
ET
Paris, le
Le
Duyen
mtalliques.
APPROUV :
10
mars
1950.
de la Facult des
Sciences,
A. CHATELET.
VU
ET PERMIS
DIMPRIMER :1
Le Recteur de lAcadmie de
Paris,
JEAN SARRAtLH.
ET
Cte, DITEURS,
2~9. - 12-ig5l.
PARIS