Les diodes

jonction PN

V
Electronique

Les diodes jonction pn.

pn.

I. Les semi-conducteurs.

1. Les semi-conducteurs intrinsques.

Les semi-conducteurs sont des matriaux dont la conductivit est intermdiaire entre
celle des conducteurs et celle des isolants. Cette conductivit des semi-conducteurs, la
diffrence de celle des conducteurs et des isolants, dpend fortement de leur puret, des
irrgularits de leur structure, de la temprature et d'autres quantits physiques et chimi-
que. Cette proprit reprsente leur avantage principal puisqu'elle permet la construction
de la plupart des composants lectroniques ayant des caractristiques trs diversifies.

7 Matriaux conducteurs Conductivit: 102 106 S/cm

7 Matriaux semi-conducteurs Conductivit: 10-6 102 S/cm
7 Matriaux isolants Conductivit: 10-16 10-8 S/cm

Beaucoup de semi-conducteurs, comme le germanium (Ge), le silicium (Si), l'ars-

niure de gallium (GaAs) sont utiliss en lectronique, mais le rle du silicium est de loin
prdominant. Le silicium pur (intrinsque) est un lment chimique de quatrime valence
(quatre lectrons priphriques - groupe IV) qui a une structure cristalline.

1
Electronique

CLASSIFICATION PERIODIQUE DES ELEMENTS

I A IIA IIIA IVA VA VI A VIIA VIII I B IIB IIIB IVB VB VI B VII B O

A la temprature de 0 K (-273C) chaque atome de la grille cristalline est attach

quatre atomes voisins par la mise en commun de leurs lectrons priphriques ( liaisons
covalentes), assurant la cohsion du cristal. Les lectrons qui participent ces liaisons
sont fortement lis aux atomes de silicium, aucune charge mobile susceptible d'assurer la
circulation d'un courant lectrique n'existe. La conductivit du silicium est alors trs
faible.
Cependant l'lvation de la temprature permet la libration dans la structure, de cer-
tains lectrons priphriques, par apport d'nergie. De plus, la libration d'un lectron pro-
voque l'apparition d'un trou dans la structure cristalline, soit la cration d'une paire
lectron-trou. Par exemple, la temprature de 300 K (27C), il y a 1,45 1010 paires lec-
tron-trou dans un centimtre cube de silicium. Ce phnomne est a l'origine de l'augmen-
tation de la conductivit du semi-conducteur.

Si Si
Electrons de valence Trou
Liaison de valence
Si Si Si Si Si Si

Noyaux Electron libre

Si Si

Liaisons covalentes dans un cristal de silicium Cration d'une paire lectron-trou

2
Les diodes jonction PN
2. Les semi-conducteurs extrinsques.
Pour augmenter la conductivit des semi-conducteurs et les rendre utilisables, un cer-
tain nombre d'impurets (atomes trangers) sont introduits dans la structure cristalline. Le
processus d'introduction d'impurets (par diffusion, pitaxie ou implantation ionique) s'ap-
pelle dopage, et donne naissance aux semi-conducteurs dops (ou extrinsques).
L'ordre de grandeur pour le dopage est d'un atome d'impuret pour 106 109 atomes
de semi-conducteur, soit une densit d'impuret de l'ordre de 1019 1022 m-3.
Ainsi la conductivit du semi-conducteur dop est dtermine par la nature et la con-
centration en atomes d'impurets. Ces atomes d'impurets sont des lments chimiques de
troisime valence (trois lectrons priphriques - groupe III: B, Bore; In, Indium) ou de
cinquime valence (cinq lectrons priphriques - groupe V: P, Phosphore; As, Arsenic;
Sb, Antimoine).

7 L'introduction d'un atome de cinquime valence (atome donneur), dans le cristal

du silicium, provoque la libration d'un lectron. L'atome de l'impuret, pour sa part, de-
vient un ion positif fixe. Le semi-conducteur ainsi dop est de type N ( porteurs majori-
taires ngatifs).
7 L'introduction d'un atome de troisime valence (atome accepteur), dans le cristal
du silicium, provoque la cration d'un trou, puisque sa liaison avec les quatre atomes de
silicium est incomplte. L'atome de l'impuret, pour sa part, devient un ion ngatif fixe. Le
semi-conducteur ainsi dop est de type P ( porteurs majoritaires positifs).

Si Si Trou

Si P Si Si B Si

Electron libre
Si Si

Structure du silicium dop par un atome Structure du silicium dop par un atome
donneur: semi-conducteur de type N. accepteur: semi-conducteur de type P.

II. La jonction PN.

La jonction PN est la base de la plupart des applications des semi-conducteurs. Elle

est cre par la mise en contact d'un semi-conducteur de type P et d'un semi-conducteur
de type N. Dans la zone de contact, les lectrons libres du segment N pntrent dans le
segment P et se recombinent avec les trous. De mme, les trous du segments P pntrent
dans le segment N et se recombinent avec les lectrons. Ce phnomne est appel
diffusion.

3
Les diodes jonction PN
Il en rsulte, au niveau de la transition des segments, l'apparition d'une zone exempte
de charges mobiles, o seuls demeurent les atomes d'impurets fixes (ions accepteurs dans
le segment P, ions donneurs dans le segment N) et les atomes de semi-conducteur neutres.
Les charges constitues par les ions fixes sont l'origine d'un champ lectrique E dans la
zone de transition, et par la mme d'une diffrence de potentiel Vo (appele barrire de
potentiel) aux bornes de cette zone. Le champ lectrique E tend maintenir les porteurs
majoritaires dans leurs rgions respectives et s'oppose ainsi la cause qui lui donne nais-
sance, ce qui conduit un tat d'quilibre.

Electron Zone de
Trou Vo
libre transition
Courant de saturation Is
+ + + + + + + d aux porteurs minoritaires
E
+ + + + + + + Porteur
minoritaire
Courant d'quilibre d
P + + + + + + N (trou) P N
aux porteurs majoritaires

Ions d'accepteur Ions de donneur Mouvement des porteurs travers

Coupe transversale d'une jonction PN la jonction PN

Cependant, le champ lectrique E n'interdit pas le passage des porteurs minoritaires

prsents dans les segments de type P et N (courant de "saturation" Is). Ce mouvement est
toutefois quilibr par les porteurs majoritaires qui possdent l'nergie Wo = eVo nces-
saire au franchissement de la barrire de potentiel.

Expression et ordre de grandeur de la barrire de potentiel:

Vo = kT ln NAND
q ni

k (constante de Boltzman) = 1,38 10-23 J/K

q (charge d'un lectron) = 1,6 10-19 C
T: temprature en Kelvin
NA: concentration en atome accepteur
ND: concentration en atome donneur
ni: concentration en paire lectron-trou intrinsque

Exemple: Jonction PN silicium 300 K (27C)

ni = 1,45 1010 cm-3
NA = 7 1017 cm-3
ND = 8 1013 cm-3

Vo = kT ln NAND = 0,681 v
q ni

4
Les diodes jonction PN

La valeur de la barrire de potentiel est trs dpendante de la temprature. La

concentration intrinsque n i augmente trs rapidement avec la temprature (elle double
tous les 7C pour le silicium et tous les 10C pour le germanium). C'est cette dpendance
qui prdomine, dterminant un coefficient de temprature ngatif pour Vo, de l'ordre de
-2,2 mV/K.

-
Calculez la valeur de la barrire de potentiel pour une jonction PN
germanium 300 K.
ni = 2,4 1013 cm-3
NA = 7 1017 cm-3
ND = 8 1013 cm-3

III. La diode jonction PN, principes gnraux.

1. Prsentation.
La diode jonction PN est un composant form par la succession suivante de mat-
riaux: mtal, semi-conducteur de type P, semi-conducteur de type N, mtal. L'lectrode
mtallique en contact avec le semi-conducteur de type P s'appelle anode (A), celle au con-
tact du semi-conducteur de type N, cathode (K).

Symboles normaliss
Couche mtallique ID
de contact Vo A K

+ + VD
ID Rgion Rgion ID
A K A K
neutre + + neutre

P + + N VD
ID
A K
VD

VD

2. Polarisation de la diode.
Puisque la diode possde deux lectrodes, deux possibilits de polarisation existent.

7 Diode polarise en direct.

5
Les diodes jonction PN
Une diode est polarise en direct lorsque la tension VD (impose par un circuit ext-
rieur) applique entre l'anode et la cathode est positive (VD=VAK). Cette tension provoque
une diminution de la barrire de potentiel de la jonction PN, favorisant une circulation des
porteurs majoritaires travers la jonction: un courant ID positif apparat entre l'anode et la
cathode, dpendant de la valeur de la tension VD. La diode est dite passante.
Par convention, la tension et le courant de diode sont qualifis de tension et courant
direct (d) ou forward (F).

Polarisation d'une diode en direct Convention d'orientation

R A A
A
Id IF
ID>0

E V D>0 Vd VF

E>0 K K
K
0v

7 Diode polarise en inverse.

Une diode est polarise en inverse lorsque la tension VD (impose par un circuit ext-
rieur) applique entre l'anode et la cathode est ngative. Cette tension provoque une aug-
mentation de la barrire de potentiel de la jonction PN. La diffusion des porteurs
majoritaires travers la jonction diminue trs fortement. Seule la circulation des porteurs
minoritaires existe: le courant ID entre l'anode et la cathode devient ngatif et est presque
indpendant de la valeur de la tension VD. La diode est dite bloque.
La valeur thorique du courant de diode ID est -Is (Is: courant de "saturation" de l'or-
dre de 10-12 A). En pratique, la valeur de I D est plus importante (-10-9 A -10-6 A)
cause d'un courant de fuite d l'irrgularit surfacique de la jonction.
En conclusion, dans ce mode de fonctionnement, la tension V D et le courant I D de
diode sont ngatifs. C'est pourquoi, leurs grandeurs opposes sont de prfrence utilises.
Par convention, elles s'appellent Vi ou VR et Ii ou IR (i=inverse et R=Reverse).

Polarisation d'une diode en inverse Convention d'orientation

R A A
A
ID<0
E V i>0 VR>0
V D<0
K K
E>0
K I i>0 IR>0
0v

6
Les diodes jonction PN
3. Caractristique de la diode.
La caractristique thorique de la diode (polarise en direct ou en inverse) peut tre
approche par une seule quation:
IF

ID = IsCaractristique
[Exp(V en direct
D/Ut) - 1]
IF = f(VF) T = 300 K
Is: courant de "saturation" de la jonc-
tion PN

Ut = kT/q # 25 mV 300 K

-
Calculez l'expression Exp(VD/Ut) pour une temprature de 300 K et pour
une tension VD gale 0,1 Volt puis -0,1 Volt.
Dduisez-en les expressions simplifies de l'quation liant I D V D lors-
que la diode est polarise en direct; lorsque la diode est polarise en inverse.

La caractristique relle de la diode (surtout pour les diodes au silicium et l'ars-

niure de gallium) s'carte de cette simple quation, parce qu'elle ne tient pas compte des
rsistances des rgions neutres et du courant de fuite surfacique
Vo = du cristal.
0,62 Volt
La simulation analogique (par exemple, l'aide du simulateur PSPICE) remdie cet
inconvnient en proposant un modle mathmatique plus approfondi pour dcrire le com-
IR
portement de la diode. Ainsi les rsultats de la simulation se rapprochent plus des rsultats
exprimentaux attendus.
Exemple: Caractristique obtenue par simulation, d'une diode silicium 1N4148.
Caractristique en inverse
IR = f(VR) T = 300 K

7
Les diodes jonction PN
15mA

10mA

5mA

IF0A0V 0.2V 0.4V 0.6V 0.8V 1.0V

I(D1)
Caractristique en direct VF
T1, T2 et T3
1.0nA

0.8nA

0.6nA

0.4nA

0.2nA

0A
0V 5V 10V 15V 20V
-I(D1)
VR

8
Les diodes jonction PN

Influence de la temprature:
IR La temprature ne peut qu'influencer la caractristique d'une diode jonction, par la
nature mme des matriaux utiliss pour la raliser: semi-conducteur de type P et de type
N. L'quation thorique de la caractristique de la diode montre la grande dpendance de
celle-ci vis vis de la temprature. Le courant de "saturation" Is double tous les 7C pour
Caractristique en inverse
le silicium et tous les 10C pour le germanium, provoquant une diminution de la tension
T1, T2 et T3
VD de l'ordre de 2 mV/K pour un courant ID donn.

-
Analysez les rsultats de simulation pour diffrentes tempratures de
jonction:
T1 = 300 K (27C)
T2 = 363 K (90C)
T3 = 398 K (125C)

15mA

T3 T2 T1

10mA

5mA

0A
0V 0.2V 0.4V 0.6V 0.8V 1.0V
I(D1)
VF C1 = 533.646m, 5.0000m
C2 = 717.159m, 5.0000m
dif= -183.513m, 0.000

9
Les diodes jonction PN
10nA

T3

8nA

6nA

4nA

2nA

T2
T1
-0nA
0V 5V 10V 15V 20V
-I(D1)
VR C1 = 12.000, 9.0433n
C2 = 12.000, 315.158p
dif= 0.000, 8.7281n

4. Modlisation de la diode.
Un modle est une reprsentation simplifie d'une chose complexe. Les modles sont
utiliss pour faciliter l'analyse des phnomnes, des processus, des systmes et des
lments.

La diode, par exemple, est un lment non linaire (elle est dcrite par une quation
non linaire). L'analyse d'un circuit lectrique comportant des diodes est difficile, parce
que le systme d'quations dcrivant le circuit est non linaire. Pour faciliter cette analyse,
les diodes sont remplaces par des modles linaires.

Les modles linaires des composants et des circuits lectriques sont composs exclu-
sivement d'lments linaires: gnrateurs de tension ou de courant idaux, courts-cir-
cuits, circuits ouverts, rsistances, capacits et inductances linaires.

Chaque simplification se fait au dtriment de la prcision. Selon la complexit du cir-

cuit et la prcision des analyses souhaite, des modles plus au moins complexes sont
employs.

Il y a aussi diffrents modles selon le but poursuivi:

v Pour analyser un circuit lectrique qui fonctionne en rgime continu (statique) ou
en rgime larges signaux (avec des signaux analogiques de grande amplitude), des mod-
les statiques ou modles larges signaux des composants sont utiliss.

10
Les diodes jonction PN
v Pour analyser le comportement de ce circuit par rapport des signaux analogi-
ques de petite amplitude, des modles dynamiques ou des modles petits signaux des com-
posants sont usits.
v Pour analyser le mme circuit en hautes frquences, des modles dynamiques
hautes frquences sont utiliss.
Chaque modle ne comporte que des lments pertinents pour le rgime considr. Et
les lments pertinents sont diffrents pour les diffrents rgimes.

Les modles des composants et des circuits lectriques peuvent tre reprsents sous
forme graphique, sous forme analytique ou sous forme de schmas quivalents.

4.1. Les modles statiques de la diode.

Il existe trois modles diffrents de la diode en rgime statique, selon le degr de sim-
plification et/ou de prcision souhait.

7 Le modle idal.
Ce modle est le plus simple, mais galement le moins prcis. Il est utilis pour des
estimations rapides et pour des analyses de circuits complexes.

v Forme analytique.
En direct, la diode est considre comme un court-circuit: VD = 0 pour ID 0
En inverse, la diode est considre comme un circuit ouvert: ID = 0 pour VD 0

v Forme graphique.
La caractristique directe de la diode relle est remplace par une ligne verticale et la
caractristique inverse par une ligne horizontale.

ID A A
Caractristique ID ID
idalise de la diode Diode Diode
polarise VD VD polarise
en directe en inverse

0 K K
VD

7 Le modle seuil.
Ce modle prend en compte la valeur de la barrire de potentiel Vo (Vo est compris
entre 0,6v et 0,7v pour une diode silicium) comme tension de seuil de conduction de la
diode.
v Forme analytique.
La forme analytique de ce modle est exprime par les quations:
VD = Vo pour ID 0

11
Les diodes jonction PN

ID = 0 pour VD Vo
v Forme graphique.
La forme graphique de ce modle et les schmas quivalents sont caractrises par la
prsence de la tension de seuil Vo.

ID A A
Caractristique ID ID
seuil de la diode Diode Diode
polarise VD Vo VD polarise
en directe en inverse

0 K K
Vo VD

7 Le modle linaris.
Ce modle est le plus prcis, mais galement le plus complexe. Il reprsente une trs
bonne approximation linaire de la caractristique d'une diode relle.

v Forme analytique.
La forme analytique de ce modle est exprime par les quations:
VD = Vo + rD.ID pour ID 0
ID = 0 pour VD Vo

IF La rsistance statique rD de la diode est dtermine par la pente moyenne de la partie

utilise de la caractristique directe de la diode:
rD = VD/
ID

v Forme graphique.

Caractristique A A
linarise ID ID ID
de la diode Diode Diode
ID polarise VD Vo VD polarise
en directe en inverse
VD rD

0
Caractristique Vo VD
en direct K K
IF = f(VF) T = 300 K

12
Les diodes jonction PN

-
Dterminez le modle linaris de la diode 1N4148 valable pour des cou-
rants ID suprieurs 5 mA ( T = 300K).
ID
4.2. Les modles dynamiques de la diode: rgime linaire (ou petits signaux)
Le fonctionnement en rgime linaire de la diode est obtenu lorsqu'un courant id im-
pos travers la diode provoque une variation vd ses bornes de mme forme.

Polarisation d'une diode en direct Fonctionnement en rgime dynamique

R R
400 A 400 A
ID ID

Eo VD Eo+e VD
1N4148 1N4148
Eo=5v Eo=5v
K K
0v 0v
Point de repos: I D = I Do ID = IDo + id
VD = VD o VD = VDo + vd

-
Dterminez l'quation de la droite de charge de la diode liant ID VD et
dduisez-en graphiquement la valeur du point de repos (IDo, VDo).
Un gnrateur e dlivrant un signal sinusodal basse frquence d'ampli-
tude 1v est associ Eo. Dterminez graphiquement l'amplitude des varia-
VD tions id et vd, validez-les aux vues des rsultats obtenus sous Pspice.
Dduisez-en la valeur de la rsistance dynamique rd liant id vd et dessinez
le schma quivalent de la diode en rgime dynamique basse frquence.

13
Les diodes jonction PN
15mA

10mA

5mA

0A
0V 0.2V 0.4V 0.6V 0.8V 1.0V
I(D1)
VF

13mA

12mA

11mA (55.784n,10.443m)

10mA

9mA
VD0

8mA
0s 1.0ms 2.0ms 3.0ms 4.0ms 5.0ms
I(D1)
Time C1 = 3.2270m, 12.803m
C2 = 2.7272m, 8.0820m
dif= 499.741u, 4.7213m

14
Les diodes jonction PN
880mV

860mV

840mV

(1.1571u,823.607m)

820mV

800mV

780mV

760mV
0s 1.0ms 2.0ms 3.0ms 4.0ms 5.0ms
V(VF)
Time C1 = 3.2260m, 866.557m
C2 = 2.7257m, 778.689m
dif= 500.355u, 87.869m

7 Modle de la diode en rgime dynamique et haute frquence (HF).

La structure d'une diode jonction PN ainsi que la conduction de celle-ci entranent
la cration de capacits parasites entre l'anode et la cathode. L'influence de ces capacits
devient de plus en plus importante au fur et mesure que la frquence du signal dynami-
que appliqu la diode augmente (1/C 0 lorsque ).

Selon la polarisation de la diode, directe ou inverse, les capacits parasites qui sont
prendre en compte sont diffrentes.

Diode polarise en inverse.

La jonction PN est alors caractrise par deux charges opposes et immobiles. La
diode est quivalente un condensateur lectrodes plates, dont la capacit est nomme
capacit de transition CT ou capacit de barrire.

15
Les diodes jonction PN

Vo

+ + ID CT
ID Rgion Rgion
A neutre + + neutre K A K

P + + N VD

VD

La valeur de cette capacit C T dpend

des dimensions de la jonction, de la temp-
rature, de la concentration en atomes do-
peurs et de la tension V D applique la
diode. A partir de la connaissance d'un
point particulier de la courbe (CT0 VD0),
la totalit de celle-ci peut tre dtermine
par l'quation:
CT = CT0 [(Vo-VD0)/(Vo -VD)]
Ses valeurs typiques se situent entre
1 pF et 300 pF. C'est un paramtre impor-
tant de la diode, qui est donn dans les ca-
talogues constructeurs, pour une certaine
tension V D (zro ou ngative) et pour une

-
Soit une diode jonction PN dfinie par les caractristiques suivantes
la temprature de 25C: Vo = 0,6v CT0 = 25 pF VD0 = 0v
Calculez la valeur de la capacit de transition CT VD = -5v.
Remarque: Cette capacit de transition est normalement considre comme une ca-
ractristique dgradante de la diode relle par rapport la diode idale, sauf pour les dio-
des VARICAP (tudies ultrieurement) qui exploitent au contraire cette caractristique.

Diode polarise en direct.

En direct, l'influence de la capacit de transition devient ngligeable devant une autre
capacit parasite cre par la circulation des porteurs majoritaires. Cette capacit, appele
capacit de diffusion Cd, est proportionnelle au courant de la diode ID. Elle peut atteindre
plusieurs centaines de nF et limite le fonctionnement de la diode en rgime dynamique
(ou de commutation) vers les frquences hautes.

Conclusion.
En hautes frquences, les schmas quivalents petits signaux de la diode, en inverse et
en direct, doivent tre complts par une capacit parasite entre l'anode et la cathode.

16
Les diodes jonction PN

Diode polarise en inverse Diode polarise en direct

A A id
id
C=CT vd rd C=Cd vd

K K

5. La diode en commutation.
Les capacits parasites de la diode jonction PN non seulement limitent le fonction-
nement en rgime dynamique petits signaux de la diode, mais elles limitent galement le
fonctionnement en rgime de commutation, puisque la tension aux bornes d'une capacit
ne peut varier brusquement.

Diode fonctionnant en commutation

e(t)
R i
A E1

0 t
e vD

-E2
K
0v

En considrant la diode idale, le courant i travers le circuit serait nul ds que la

tension de commande serait ngative (diode bloque) et serait gal E1/R ds que la ten-
sion de commande serait positive (diode passante).

En ralit, l'tablissement du courant n'est pas instantan lors du passage de la tension

de commande de -E2 E1, cause de la capacit de transition C T qui impose une cons-
tante de temps au circuit gal RCT.
De mme, l'extinction du courant lors du passage de la tension de commande de E1
-E2 n'est pas instantane. En effet la capacit de diffusion Cd (Cd >> CT) impose la con-
duction de la diode tant qu'elle n'est pas dcharge. De ce fait le courant i travers le cir-
cuit devient ngatif et gal -E2/R, pendant un temps ts (appel temps de stockage).
Ensuite, le courant tend vers zro sous l'influence de la capacit de transition CT.

17
Les diodes jonction PN
Pratiquement, la valeur du temps de stockage ts est bien suprieur tous les autres
temps de commutation de la diode et limite l'emploi de la diode en commutation vers les
frquences hautes.

e(t)
E1

0 t

-E2

i(t)
E1/R Diode idale

0 t

i(t)
E1/R Diode relle
ts
0 t

-E2/R

i(t) Diode relle

Pour caractriser l'aptitude des diodes
commuter rapidement, les constructeurs trr
indiquent dans leur documentation la va-
leur du temps de recouvrement inverse trr, t
0 irr
mesur avec un montage particulier (E1,
-E2 et R) et limit par l'obtention d'un cou- ts
rant inverse irr de l'ordre de 1mA travers
le circuit. -E2/R

6. Les limitations technologiques de la diode.

18
Les diodes jonction PN
Ces limitations indiques pour chaque type de diode dans les documentations cons-
tructeurs caractrisent les grandeurs (courant, tension et puissance) ne pas dpasser sous
peine de destruction du composant, dans les conditions suivantes:
v valeurs maximales en rgime continu (VRm, IRm, VFm, IFm...)
v valeurs de pointe rptitives (VRRm, IRRm, VFRm, IFRm...)
v valeurs de pointe non rptitives (VRSm, IRSm, VFSm, IFSm...). Elles reprsentent
les valeurs extrmes que peut supporter la diode pendant un temps spcifi (1 s, 10ms ou
1 s).

IF
IFSm
(qq 10A)

IFRm

IFm
VRSm
VRRm
VRm
VR 0 VF
(qq 100v) VFSm (1v)
VFRm
VFm

IR

Le document constructeur suivant explicite les diffrents paramtres utiliss dans les
documentations techniques.

19
Les diodes jonction PN
IV. Spcifications techniques des diodes de commutation.

20