COMPORTEMENT DES STRUCTURES etudies, par une translation des caracteristiques //)(KC),

M.O.S. DANS LE CAS D'UNE IONISATION
PROVOQUEE
(BEHAVIOUR OF M.O.S. STRUCTURES
UNDER XRAY IRRADIATION)
Experiments on m.o.s. structures when irradiated by Xrays
involve distributions of positive charges in the dielectric layer.
As an interpretation of the results, including the curing of
irradiated devices by annealing, we propose ionic-charge
motions in the oxidised silicon, depending on the sense of
the applied electric field.
La technique planar a permis aux transistors de faire un
grand pas, tant sur le plan de leurs performances que sur
celui de la stabilite de leurs caracteristiques.
Cependant, si la couche dielectrique deposee sur la partie
active du composant a effectivement reussi a soustraire cette
derniere des influences exterieures, cette couche de protection
est responsable de nouvelles instabilites que des mesures fines
peuvent mettre en evidence.1'2 Pour mener a bien l'etude de
tels phenomenes, les transistors a effet de champ a porte
isolee du type m.o.s.t. (Al-SiO2-Si) se sont reveles comme des
outils extremement precieux en raison de la part active
jouee par la silice; c'est ainsi que des modeles possibles de
ces derives ont ete avances: ils tiennent compte de mouve-
ments de charges ioniques sur la surface et dans le volume
de la silice. Le phenomene est d'autant plus net que le
dispositif est soumis a des contraintes telles que le stockage
a temperature elevee.3
Dans toute l'etude que nous presentons, nous avons utilise
comme contrainte l'exposition a un rayonnement X ionisant
de 215keV. Les resultats obtenus sont en bon accord avec
l'hypothese de l'existence de mouvements de charges ioniques
dans la silice. En outre, ils mettent en evidence l'influence
comparee des electrodes d'aluminium et de silicium.
3 4 5 6
V25
parallelement a l'axe des VG et dans le sens des Vc negatifs
croissants (Figs, la et b).
A ce stade de l'etude, nous pouvons deja faire les remarques
suivantes:
(i) L'irradiation modifie la tension de seuil du m.o.s.t.
(ii) Le silicium glisse vers le type n (nshift); ce phenomene
met en evidence l'apparition d'une distribution de charges
positives dans la silice.5
(iii) A la temperature ambiante, tous les effets observes sont
permanents apres arret de l'irradiation.
(b) La seconde partie de cette etude a mettre en evidence
Timportance des conditions de polarisation et notamment
reflet du champ electrique transversal EOx etabli dans la
silice en cours d'irradiation.
A cet effet, nous avons irradie des m.o.s.t. du type p-n-p
dont le substratum, la source et le drain etaient reunis au
potentiel de la masse, tandis que l'electrode de porte etait
polarisee par une tension continue VG0 fixant la valeur et
le sens du champ electrique EOx dans la silice.
Par echantillonnage, nous avons pu observer egalement,
une translation des caracteristiques ID(VG) parallelement a
l'axe des VG. Nous pouvons done traduire cette evolution
par la representation, en fonction de la dose absorbee, des
variations de la tension de porte VG mesuree a VD = con-
stante = — 10 V et ID = constante = 250 \xA.
Lorsque le champ EOx est dirige du silicium vers l'electrode
metallique de porte (Fig. 2a) la tension
V
G\ID, VD constant = fonction de la dose
4- VGOJTIE
>
'/////I. •//////• 77,

arret irradiation
=
100 vGo -3V
L
2
0-75 VGO == -15V
I _

0-50 VGo = 0
1 1
n
<0-2 5

S O
15

-12 - 8 - 4 0 4
tension gate V G ,V
b
Fig. 1 Evolution des caracteristiques de tranfert IDIVG) relevees
pour \VD\ = 101/
X215keV;250r/min
(I) Avant irradiation; (2), (3), (4), (5), (6) Aprcs 2, 4, 8, 12, 30, 80min d'irradiation
a m.o.s. f.c.t. p-n-p
b m.o.s. f.e.t. n-p-n

£tude experimentale4
L'evolution des caracteristiques de transfert ID(VG) en
fonction de la dose absorbee nous a servi de critere d'etude 10 15 25
et de comparaison. temps, min
b
(a) Dans une premiere phase, nous avons irradie des
composants p-n-p* et n-p-trf en maintenant constants le Fig. 2 Influence du sens et de /'amplitude du champ electrique
courant de drain ID et la tension de drain VD. L'influence Eox applique en cours d'irradiation sur /'evolution de la tension de
d'irradiations successives se traduit, pour les deux types porte VG(ID = 250/xA)
• Fairchild FT 100 vD = - iov
f CSF statistors a Eox dirigi du silicium vers I'aluminiurn
b Eox dirig6 de l'aluminium vers le silicium
ELECTRONICS LETTERS June 1966 Vol. 2 No. 6 209
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 atteint un palier de saturation dont Fordonnee depend de la
valeur du champ applique EOx.
Lorsque le champ EOx est dirige de Felectrode metallique
vers le silicium (Fig. 2b), l'effet de l'irradiation est beaucoup
plus important: dans les conditions de l'experience, nous
n'avons pas pu mettre en evidence l'existence d'un palier de
saturation.
On a montre que, lorsque les contraintes electriques sont
modifiees en course d'irradiation, revolution tend vers un etat
final qui ne depend que de la derniere valeur du champ
electrique EQx applique a la couche d'oxyde.4'8
Enfin, pour un champ electrique EOx donne et pour un
rayonnement ionisant incident d'energie donnee, la vitesse
devolution vers l'etat de saturation ne depend que de
Fintensite du rayonnement tandis que la valeur limite atteinte
ne depend pas de cette intensite.
(c) Guerison: tous les m.o.s.t. irradies ont ete stockes pendant
six mois, a temperature ambiante, electrodes en court circuit.
Passe de delai, nous n'avons observe qu'un faible retour des
caracteristiques //>(KC) vers les caracteristiques relevees avant
l'irradiation.
Un lot de composants, electrodes en court circuit, choisis
parmi les precedents, a ensuite, ete place dans une etuve
portee a 150°C. Des les huit premiers jours, nous avons
observe tres nettement Fetablissement d'un processus de
guerison qui fait l'objet de nos etudes actuelles.
Interpretation des resultats
Un modele physique possible s'appuie sur l'existence d'une
charge d'espace provoquee par la presence dans la silice
d'ions tels que: oxygene, hydrogene, groupements hydro-
xyles . . . 6 L'irradiation fait apparaitre, par dissociation de
groupements instables associes a la silice, des ions negatifs
mobiles supplementaires tels que O~ ou O . II apparait
correlativement des ions positifs fixes.
Sous l'action du champ EOx, les ions negatifs crees vont
migrer vers l'une ou l'autre electrode et s'y accumuler.
L'ensemble des phenomenes observes rend necessaire
l'existence de proprietes differentes des electrodes aluminium
et silicium. L'hypothese la plus simple est, d'une part, de
considerer que les proprietes d'absorption et de neutralisation
ne sont pas les memes au niveau des deux electrodes en raison
de leur difference de structure—reseau cristallin pour le
silicium et structure amorphe pour l'aluminium—et, d'autre
part, de tenir compte, pour evaluer Faction effective de la
distribution des charges obtenues, du theoreme de Gauss.
A temperature ambiante, lorsqu'on arrete l'irradiation, la
neutralisation totale ou partielle des ions negatifs laisse
subsister, quelle que soit l'orientation du champ EOx applique,
une distribution de charges fixes positives qui explique le
deplacement des caracteristiques //>(KG) constate. On com-
prend qu'une elevation de la temperature favorise la redistri-
bution des charges piegees.
Nous nous efforcons d'elaborer une interpretation plus
complete. Dans l'etat actuel du probleme, il parait essentiel
de poursuivre les etudes experimentales pour mieux etayer
un mecanisme d'interpretation qui ne nous parait en aucun
cas le seul possible. Nous pensons en particulier qu'il est
interessant de considerer qu'il ne puisse y avoir qu'un
deplacement d'electrons. Le travail recemment publie de
Kooi7 est fonde sur cette hypothese.
Conclusion
Les resultats de cette etude des m.o.s.t. soumis a Faction
d'un rayonnement ionisant trouvent d'ores et deja un pro-
longement important dans Fetude du comportement sous
irradiation des transistors plans au silicium. Us permettent,
en effet, de prevoir une degradation rapide de leurs carac-
teristiques electriques en fonction de la disposition des
contacts metalliques et des niveaux de polarisation.*
Les experiences actuellement en cours confirment ce
resultat. Conduites en correlation avec d'autres etudes, sous
contraintes thermiques, de Fevolution des caracteristiques a
bas niveau de polarisation de transistors plans, elles tendent
• BUXO, J.: Thfese a paraitre, 1966
210
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a definir Fenteret de semblables essais dans une etude
generate de fiabilite.
G. GIRALT 20th May 1966
B. ANDRE
J. SIMONNE
D . ESTEVE
Universite de Toulouse
Laboratoire de Genie Electrique
Toulouse, France
References
1 LAGASSE, ]., GIRALT, c , and PRAJOUX, R. : 'Comportement en fonction
du temps des transistors au silicium a structure plane fonctionnant
a faible niveau', CR Acad. Sci., 1964, 259, p. 3197
2 GIRALT, c , ANDRE, B., SIMONNE, J., and ESTEVE, D. : 'Comportement
en fonction du temps des transistors a effet de champ a porte isolee
(m.o.s. f.e.t.)', ibid., 1965, 260, p. 6815
3 KERR, D. R., LOGAN, J. S., BURKHARDT, P. J., a n d PLISKIN, W. A . :
'Stabilization of SiC>2 passivation layers with P2O5', IBM J., 1964,
8, p. 376
4 ANDRE, B., MARTINOT, H., ESTEVE, D., and SIMONNE, J. : 'Experiences
d'irradiation (electrons de 1 MeV-rayons X de 215keV) sur les
transistors m.o.s.'. Colloquium on 'Action des rayonnements nucleaires
sur les composants electroniques', Lyon, France, Nov. 1965
5 MESSENGER, G. c , STEELE, E. j . , and NEUSTADT, M. : 'Displacement
damage in m.o.s. transistors', IEEE annual conference on nuclear
and space radiation effects, Ann Arbor, Mich., USA, July 1965
6 LINDMAYER, J., and WRIGLEY, c.: 'Fonic and structural disturbances in
the m.o.s. system', Report of the Research Center, Sprague Electric
Company, North Adams, Mass., USA, 1965
7 KOOI, E. : 'Influence of heat treatments and ionizing irradiations on
the charge distribution and the number of surface states in the
Si-SiO2 system', IEEE Trans., 1966, ED-13, p. 238
8 GLOTTiN, p.: 'Effets des radiations sur les dispositifs m.o.s.', /. d"Etude
SFER, 30th March 1966
SURFACE WAVES ON A GROUNDED
ANISOTROPIC PLASMA SLAB
The dispersion relations of the plane surface waves supported
by a grounded magnetoplasma slab immersed in free space
are discussed for the case in which the magnetostatic field is
parallel to both the direction of propagation and the vacuum-
plasma interface. The dependence of the surface-wave charac-
teristics on the thickness of the plasma slab and the strength
of the magnetostatic field is also examined.
A perfectly conducting infinite plane (z = 0) screen in free
space, covered by an infinite planar slab (0 < z < d) of loss-
free uniform magnetoplasma, is capable of supporting plane
surface waves in the direction (x) of the magnetostatic field.
In this communication, the essential and the novel features
of these surface waves are presented, and the details are
available in a research report.1 Only the time-harmonic
(e~-"°' time dependence) 2-dimensional (b/~dy — 0) problem
is to be considered, and the macroscopic properties of the
plasma are assumed to be adequately described by the usual
permittivity tensor.
In the free-space region (00 > z > d), the ^components
of the electric and magnetic fields which satisfy the radiation
condition at infinity may be shown to have the following
spatial dependence:
0)
kp = a>plc; 7?0 = (2)
where a> and a>p are, respectively, the source and the plasma
angular frequencies, c is the velocity of electromagnetic waves
in free space, and £ is the normalised propagation coefficient
of the surface waves. With the help of eqn. 1, the expressions
for all the field components in the free-space region can be
found. Similarly, in the plasma region (d > z > 0), the
general expression for the ^component of the electric field
may be shown to be given by
E =
(3)
where T)\2 = - (B ± R^/D) (4)
ELECTRONICS LETTERS June 1966 Vol. 2 No. 6