Electronique-Analogique Simple PDF

Chapitre 1
Diode et ses applications

Plan
Jonction PN
Diode à jonction PN
Applications des diodes à jonction PN
Autres types des diodes et ses applications

Jonction PN
P N
P N
P N
P N
P N
P N
Zone chargée négativement

P N
Zone chargée positivement

P N
Zone chargée positivement

P N
Zone chargée négativement

P N
Zone dépeuplée de porteurs de charge mobiles

P N
Zone de déplétion
E0
Résumé
Les trous, majoritaires dans la région P, diffusent dans la région N.
Les électrons, majoritaires dans la région N, diffusent dans la région P.
Au voisinage de la jonction, les électrons et les trous subissent des
recombinaisons.
Dans cette région, les charges des ions (accepteurs ou donneurs) ne sont pas
compensées par celles des porteurs libres.
Il en résulte une charge d’espace et un champ électrique interne.
Ce champ s’oppose à la diffusion des porteurs libres.
⇒ équilibre entre la diffusion et l’entraînement par le champ électrique.

Jonction PN à l'équilibre
Jonction
Na Nd
- - - - - - + + + + + +
- - - - - - + + + + + +
P - - - - - - + + + + + +
N
- - - - - - + + + + + +
+ + + + + +
- - - - - -
Zone de
déplétion Donneurs
Accepteur
s E0 ionisés
ionisé V0
I Is
A l’équilibre:
V0: barrière de potentiel V0 = kT/e ln ( NaNd/ni2)
I : Courant dû aux porteurs majoritaires
Is: Courant dû aux porteurs minoritaires
Jonction PN polarisée en direct
Le fait de polariser la jonction sous une tension V réduit la hauteur de barrière qui
devient : V0-V.
Le courant du au porteurs minoritaires, indépendant de la hauteur de barrière du potentiel
reste égal à Is:
Le courant du aux porteurs majoritaires

devient:
Au total, il circule du semiconducteur P vers le semiconducteur N , un courant ID appelé

courant direct:
Dès que :
Jonction PN polarisée en inverse
La polarisation en inverse provoque une augmentation de la barrière de potentiel qui

devient: V+V0.
Le courant du au porteurs minoritaires, indépendant de la hauteur de barrière du potentiel
reste égal à Is:
Le courant du aux porteurs majoritaires

devient:
Le courant total est:
Dès que:
Caractéristiques courant-tension d’une diode
V0 = 0,6 V pour le Silicium
V0 = 0,3 V pour le Germanium
- IISF Anode Cathode

Zone de
conduction
P N
V>V0 V<V0
Zone de
claquage Zone de blocage Id Vd Vd
En direct En inverse
3 zones
Zone de conduction Zone de blocage Zone de claquage

Vd ≥ V0 -Vc < Vd < V0 Vd ≤ - Vc
qV d
I d = I F (e kT
− 1) I d = − I F ≈ − 1nA Effet d'avalanche
Effet Zener
 Composant non-linéaire
Origine du claquage (destruction de la diode)

Quand la tension appliquée dépasse la valeur spécifiée par le fabricant, le courant décroit très
rapidement. S'il n'est pas limité par des éléments externes, il y a destruction rapide de la diode.
Zone de claquage
2 phénomènes
Effet Zener Effet d'avalanche

Les électrons sont Quand le champ électrique au
arrachés aux atomes niveau de la jonction devient trop
directement par le champ intense, les électrons accélérés
électrique dans la zone de peuvent ioniser les atomes par
transition et créent un chocs, ce qui libère d'autres
courant qui devient vite électrons qui sont a leur tour
intense quand la tension accélérés. Il y' a divergence du
Vd atteint une valeur VZ phénomène, et le courant devient
dite tension Zener. important.
En technologie, un modèle est une représentation simplifié d’une chose complexe.
Les différents modèles statiques
Modèle idéal Modèle avec seuil Modèle linéarisé
Id Id Id
Vd V0 Vd Vd
Diode Diode passante Diode bloquée Diode passante Diode bloquée Diode passante
bloquée A A
K K
Id Id Id Id Id Id
Vd <0 Vd ≥ 0 Vd < V0 Vd ≥ V0 Vd < V0 Vd ≥ V0

A K A K A K V0 A K A K
A K
Id ≥ 0 V0 Rd
Id = 0 Id = 0 VAK = V0 Id = 0
VAK = V0 + Rd Id
VAK = 0 Id ≥ 0
Point de fonctionnement ou de polarisation
−1 E
E= V d + R Id I d= Vd+
R R
Équation de la droite de charge statique
L’intersection P entre la droite de charge statique et la

caractéristique de la diode représente le point de
fonctionnement du circuit encore appelé point de
polarisation.
Fonctionnement en régime variable : régime dynamique
Modèle « petit signal »
Vp -V Vp +V
Vin = V sin (ωt)
id(t) et Vout(t) sont sinusoïdaux. On peut alors considérer que le système travaille en régime linéaire.
Tant que l’on travaille sur la petite portion P1, P2 de la caractéristique de la diode, on peut modéliser cette
dernière, en régime dynamique, par sa résistance Rd.
qV d
∂Vd 1 ∂ I F(e )
KT KT
Rd = = Rd =
∂Id Rd ∂Vd qId
à T= 20 °C , KT/q = 25 mV Id doit être autour du point de repos

Modèle linéaire « petit signal »
Transformation
« petits signaux »
Modèle « petit signal »
La diode se bloque : le courant s'annule.

La tension Vd n'est plus, elle aussi sinusoïdale
Si les variations de la tension d’alimentation sont sinusoïdales, celles de vd(t) et de id(t) sont seulement
périodiques. On dit qu’il y a distorsion.
On dit que le système travaille en régime de grands signaux (régime non linéaire).
Applications
Protection à diode contre l'inversion de polarité
Une inversion de la polarité de l'alimentation E n’endommagera pas le système

Lorsque la polarisation de l'alimentation est inversée , la tension VD est négative et la diode
se comporte comme un interrupteur ouvert.
La présence de la diode est quasiment sans effet si le branchement de l'alimentation est
correct (diode passante interrupteur ferme)
En fait, la diode passante entraîne une chute de 0,6V : U = E-VD = E- 0,6 V

Applications
Limiteur à diodes
On considère que les diodes sont idéales
Pour Vin > E D1 est passante et D2 bloquée Vout = E

Pour Vin < -E D1 est bloquée et D2 est passante Vout = - E
Pour -E < Vin < E D1 et D2 sont bloquées Vout = Vin

Applications
Alimentations
Le transformateur
Le transformateur assure une isolation galvanique et il est de type abaisseur de tension.
Schéma électrique Relations
On appelle m le rapport de
transformation :
I1 I2
N 2 u2 I 1
u1 u2 m= = =
N 1 u1 I 2
N1 N2
U max = √2U efficace

Applications
Redressement mono-alternance
On considère que la diode est parfaite
Vd
i
v (t)
v (t) R u (t)
v (t)= Vmax sin (ωt)
u(t)= R i = v(t) - Vd
Applications
v (t) 1
v (t) u (t)
u (t)
Pour v(t) ≥ 0 La diode est passante et elle se comporte comme un interrupteur fermé
Vd= 0
u(t) = v(t)
Applications
v (t) 1
v (t) R u (t)
u (t)
Pour v(t) < 0 La diode est bloquée, elle se comporte comme un interrupteur ouvert
i=0
u(t) = 0
Applications
v (t)
v (t) R u (t)
u (t)
Calcul de u moyenne et u efficace

1 T2
u 2eff = ∫ u dt
T 0
1 T
u moy = ∫ u dt
T 0
1 π 2 2π
[∫ V sin (θ)d θ+ ∫ 0 d θ]
2
=
1 π 2 π 0 max π
= ∫ V sin( θ)d θ
2 π 0 max V 2max π 2
=
2π 0
∫ sin ( θ)d θ
V max π
[− cos( θ)] V 2max π
=
2π 0 =
2π 0
∫ (1/2 (1− cos(2 θ))d θ)
V max V 2max π
= = [θ− 1/2 sin( 2 θ)] 0
π 4π
2
V max
=
4
Applications
Redressement double alternance
On considère que les diodes sont idéales
Vd3 Vd1
u(t)
v (t)
v(t) R i
Vd2
Vd4
v (t)= VMax sin (ωt)
u(t)= R.i = v(t) – Vd1 – Vd2 = -v(t) – Vd3 - Vd4

Applications
v (t) 1
u (t)
Pour v(t) ≥ 0 D1, D2 passantes et D3,D4 sont bloquées
u(t) = v(t) – Vd1 - Vd2 = v(t) – 0 - 0
u(t) = v(t)
Applications
Vd3
Vd4
Pour v(t) < 0 D1, D2 sont bloquée et D3, D4 sont passantes
u(t)= -v(t) – Vd3 - Vd4 = -v(t)- 0 - 0
u(t) = -v(t)
Applications
 
Vd3 Vd1
u(t)  
v(t) R i
Vd2
Vd4
0 π 2.π
Calcul de la valeur moyenne de u :
1 T 2
1 T u = ∫ u dt
2
u moy = ∫ u dt
eff
T 0
T 0 1 π 2
1 π = ∫ V max sin 2( θ)d θ
= ∫ 0 V max sin(θ) d θ π0
π
V 2max π
=
V max π
[− cos(θ)] 0 = π ∫ 0(1/2 (1− cos(2 θ))d θ)
π
V 2max π
V max = 2π [θ− 1/2 sin(2 θ)] 0
=2 π
2
V max
= 2
Applications
Filtrage de la tension redressée
ΔT
A t= 0 , la capacité C est déchargée, on a donc vs(t) = vc(t)=0

D'où ve(t) = vD(t) >0 : la diode est passante ve(t) = vs (t) Ainsi, la capacité se charge
t > T/4 ve (t) < vs(t) : la diode est bloquée D'où le réseau RC est isolé :
La capacité se décharge à travers R. Sa tension vs(t) va diminuer jusqu'à l’instant où la tension ve(t)
redevient plus grande que vs(t).
En régime permanent, la tension vs(t) varie entre Vsmax et Vsmin.
Ondulation : Taux d'ondulation :
t = R*C >> T, ainsi la capacité n’a pas le temps de se décharger complètement sur une période T
I ΔT
Q = I T = C V => Q = I ΔT = C ΔV C=
ΔV Cmax
Diode Zener
Caractéristiques courant-tension
Izmin est l'intensité au dessous de laquelle la tension
n'est plus stabilisée.
Izmax est l'intensité au dessus de laquelle, la puissance
P = Vz.Imax dissipée dans la diode devient
V destructrice.
Condition de stabilisation
Izmin < Iz < Izmax
Modèles électriques équivalents
Modèle idéale Modèle linéarisé
V V
V=VZ V = VZ + RZ I
Vz Vz Rz
Diode Zener
Stabilisation de tension
VL
Thévenin
RL R RL
E TH = E RTH =
R L+ R R+ RL
E TH > V Z Diode passante V L= V Z
RL
E TH < V Z Diode bloquée V L= E
RL + R
3 cas peuvent être analysés
- RL fixée - RL fixée - RL variée
- E fixée - E variée - E fixée

Diode Zener
Stabilisation de tension (RL et E fixées)
1. Résistance maximale (Rmax) pour la stabilisation de tension
RL
E TH = E
R L+ R
VL
R RL
RTH =
R+ RL
La diode est passante pour :

R L E− RL V Z > R V Z
E− V Z
E TH > V Z R L E> RL V Z + R V Z R< R L
VZ
E− V Z
Rmax = R L
VZ
2. Courants, I, IRL, Iz
E− V Z VZ E− V Z V Z
I= I RL = I Z = I − I RL = −
R RL R RL
Diode Zener
Stabilisation de tension (RL fixée et E variée)
1. Tension de polarisation minimale (Emin )pour la stabilisation de tension
RL
E TH = E
R L+ R
VL
R RL
RTH =
R+ RL
La diode est passante pour : R L+ R

R +R
E TH > V Z R L E> RL V Z + R V Z E> L VZ E min = VZ
RL RL
E −VZ
E max − V Z V Z
I max = max VZ I Zmax= I max − I RL = −
R I RL = R RL
RL
E min − V Z
I min = E min− V Z V Z
R I Zmin= I min − I RL= −
R RL
Diode Zener
Stabilisation de tension (RL variée et E fixée)
1. Tension de polarisation minimale (Emin )pour la stabilisation de tension
RL
E TH = E
R L+ R
VL
R RL
RTH =
R+ RL
La diode est passante pour : VZ

VZ R Lmin= R
E TH > V Z R L E> RL V Z + R V Z R L> R
E− V Z E− V Z
VZ E− V Z V Z
E− V Z IR = I Zmax= I− I R = −
I= Lmax
R Lmin Lmin
R RLmin
R
VZ
IR = E− V Z VZ
Lmin
R Lmax I Zmin= I − I R = −
Lmax
R R Lmax
Diode Zener
Stabilisation de tension (petit signaux)
Application du théorème de superposition

1/ Étude du point de fonctionnement
2/ Étude du régime « petits signaux »
Diode Zener
Stabilisation de tension
1. Régime « petits signaux »
Stabilisation amont Stabilisation aval

Ve variée, RL fixe Ve fixe, RL variée
(ΔVz /ΔVe ) iRL= cte (ΔVz /ΔiRL ) Ve= cte
RL variée
RL =cte Stabilisation de tension ΔV Z / Δi RL = R p∥ RZ
R L∥ RZ Résistance de
ΔV Z = ΔV e
R p+ RL∥R Z sortie du montage
R L∥ RZ ΔV Z / Δi RL ≈ R Z
ΔV Z / ΔV e =
R p+ RL∥R Z
Diode électroluminescente ou LED (Light Emitting Diode)
Principe de fonctionnement
Région active
(+)
Ec P
Recombinaison hⱱ Lumière EG N
Ev (-)
Région morte
La recombinaison est radiative dans le cas du semi-conducteur à base de GaAs
Pour que ce phénomène de recombinaison radiative se manifeste encore faut-il créer une forte
population d'électrons dans la bande de conduction, et de trous dans la bande de valence. C'est ce
processus qui est appliqué dans les diodes électroluminescentes et dans les diodes lasers, le phénomène
portant le nom d'électroluminescence. symbole:
Lorsque la diode est polarisée en direct, elle émet un
flux lumineux proportionnel au courant la traversant.
Si la diode est polarisée en inverse, elle n’émet pas

de rayonnement optique.
Rouge: V0 =1.5V, LED Vert: V0 =2.4 V
Applications : Afficheurs, Éclairage, Écrans OLED ….
Photodiode
Ec
hⱱ ≥ EG EG
Ev
Lorsque les photons pénètrent dans le semiconducteur, pourvu qu'il ont une énergie suffisante, peuvent
créer des photoporteurs en excès dans le matériaux. Ces photoporteurs sont des paires d'électrons-trous.
Chaque paire crée se traduit par la circulation dans le circuit extérieur d'une charge élémentaire. On
observe ainsi une augmentation du courant.
Vu que les photocourants créés sont très faible, il faut que la jonction soit polariser en inverse, d'une part
pour éviter le courant en direct de la photodiode qui est beaucoup plus important que les photocourant et
d'autre par pour augmenter son rendement.
Applications : Cellule photovoltaïque, Détecteurs optiques, ...
Symbole
Photocoupleur ou optocoupleur
Il combine une LED et une photodiode dans le même boîtier Il isole électriquement le circuit de sortie de
celui d’entrée (découplage). Le faiseux lumineux et le seul contact entre l’entrée et la sortie.
La lumière émise par la LED bombarde la photodiode et fait circuler dans le circuit de sortie un courant
proportionnel a celui du circuit d’entrée
Plan du cours
Chapitre 1 : Généralités sur les semi-conducteurs
Chapitre 2 : Diode et ses applications
Chapitre 3 : Transistor bipolaire et ses applications
Chapitre 4 : Transistor à effet de champs et ses applications
Chapitre 5 : Amplificateur opérationnel et ses applications

Chapitre 0
Généralités sur les semi-conducteurs

Plan du cours
Rappels sur la structure de la matière
Structure de l'atome
Structure de l'état solide
Bandes d'énergies
Semi-conducteur intrinsèque
Liaison de covalence: génération de paires électron-trou

Recombinaison
Concentration des porteurs dans le silicium intrinsèque
Semi-conducteur extrinsèque: Dopage
Silicium dopé de type N

Silicium dopé de type P
Structure de la matière : Atome
Atome = Noyau (+) + Electrons (-)
Noyau = Protons (+) + Nucléons ( non chargés)
Atome électriquement neutre
Nombre de Protons = Nombre d’électrons
 Les électrons de coeur : Fortement lié au noyau
 Les électrons périphériques ou de valence: peu lié au
noyau Modèle de BOHR
Niveau d’énergie discret: contient 2n2 électrons

n: Numéro de niveau correspond à une couche
couche (K (n=1), L(n=2), M(n=3)…)
En <0 quelque soit n : il faut produire un travail

pour éloigner un électron de l’atome.
Exemple : Atome de silicium (Z= 14)
K (n=1) = 2.12 = 2
L( n=2) = 2. 22 = 8 4 électrons de K
E3
M(n=3) (peut occuper 2.32=18) : occupe
le reste = 4 8 électrons de K
10 électrons de cœur E2
2 électrons de K
4 électrons de valence E1
Atome de Silicium (Si)

Structure de la matière : Solide
Amorphe: l'ordre n'est que local et non répété.

Matériaux solides
Crisallin: Atomes rangés régulièrement aux noeuds d'un
réseau périodique.
Cristal
Cristaux ioniques (Na+Cl- ).  Cristaux covalents

 Métaux (Li, Ag, Au,...) .
Attraction colombienne. Cristaux moléculaires.  Conducteurs électriques . (Colonne IV: C, Si,
 Cristaux isolants et très  Un électron libre par Ge,Sn…).
dur.  Liaisons de valence.
atome.
 Liaisons moins fortes
que les liaisons
ioniques.
 Propriétés= f(force de
ces liaisons).
Structure de la matière : Bandes d’énergie
Les états énergétiques possibles des électrons du cristal sont représentés par un diagramme de bandes
d’énergie.
électrons
Bande
libre dans le solide
de conduction
Niveau de fermi (Ef) EG Bande interdite
Bande
de valence électrons
lié aux atome
Cristal
 Un électron dont l’énergie est située dans une bande en dessous de la bande de
valence est lié à un atome donné du solide.
 Dans la bande de valence, l’électron est commun à plusieurs atomes.
 L’électron dont l’énergie est comprise dans la bande de conduction circule librement
dans le solide.
 Le gap EG représente la quantité d’énergie minimale nécessaire pour faire grimper un
électron de la bande de valence à la bande de conduction.
 Ef le niveau dit de Fermi, qui est le niveau énergétique le plus élevé qu’un électron
puisse occuper à 0°K.
EG est un paramètre essentiel qui permet de distinguer les matériaux isolants,

semiconducteurs et conducteurs.
Différence entre conducteurs, isolants et semi-conducteurs
Dans les isolants et les semiconducteurs, la bande de valence est entièrement pleine à T=0K. La hauteur de la
bande interdite des isolants est plus grande par rapport à celle des semiconducteurs.
Dans les conducteur, la bande de conduction est partiellement remplie.
E
Bande de
conduction
Bande de Bande de
conduction conduction
Bande interdite
Ef Bande interdite
Bande interdite
Bande de Bande de
Bande de valence valence
valence
Conducteur Semiconducteur Isolant
Les semiconducteurs ont une conductivité intermédiaire entre les conducteurs et les isolants.
Ils sont isolants à T=0K.
Exemple de valeurs de gap
Semiconducteurs
Structure des semiconducteurs: Silicium intrinsèque
Lors de la formation du cristal un atome de silicium va gagner 4 électrons en formant des liaisons
covalentes qui correspondent à la mise en commun de ses électrons avec les atomes voisins. Ainsi un
atome de silicium qui s'associe avec quatre autres atomes de silicium verra huit électrons sur sa dernière
couche.
apparition des porteurs de charge « thermiques »
paires « électrons-trous »
Liaison covalente
T = 0°K
Génération thermique de paires « électron-trou » - Recombinaison
T > 0°K électrons
trous
T > 0°K
T > 0°K
T > 0°K
T > 0°K
T > 0°K
T > 0°K
recombinaison
Concentration des porteurs de charge dans le silicium intrinsèque
n = électrons/cm3
Ec Bande de conduction
Recombinaison Génération de paires

EG = Ec-Ev « électron-trou »
Ev Bande de valence
p = trous /cm3
Pour T> 0 K, des électrons peuvent devenir libre

Loi de masse : n.p = ni2
c'est à dire passer de la bande de valence à la bande
de conduction, où leur concentration est notée n.
−( Ec− EFi)
Ces électrons laissent des trous dans la bande de kT
valence (avec une concentration notée p) eux aussi n=Nc e
libres de se déplacer.
Un équilibre s’établit entre les phénomènes −(EFi− Ev)
d’ionisation thermique et de recombinaison ; les kT
électrons libres et les ions de silicium apparaissant p=Nv e
en quantités égales. La concentration en électrons −EG
libres n et en trous libres p sont égales à ni la ( )
3/2 2KT
concentration intrinsèque. n= p=ni= AT e
Il y a environ 2 paires électron-trou pour 10 milliards d’atome à
température ordinaire (20°C)
Il y a environ dix mille milliards de milliards d’atome (1022) dans un
gramme de silicium, donc deux mille milliards (2x1012) d’électrons
libres par gramme de silicium
Semi conducteur dopé « N »
Semi conducteur dopé « N »
• Introduction d’atomes trivalents, environ 1 pour 10 millions
d’atome de silicium
• Arsenic, antimoine, Phosphine …
Silicium dopé « N »
+
+
+
+
+
+
Concentration des porteurs de charge dans le silicium dopé « N »
Bande de conduction n = Nd + ni ≈ Nd
Ec
EFn
ΔEn= EFn - EFi n = Nd: Concentration des donneurs
EFi
EG
Ev
Bande de valence p = ni2/Nd
Les électrons sont les porteurs majoritaires et les

trous les porteurs minoritaires.
Loi de masse : n.p = n i2
La population des électrons libres de la bande de
conduction est beaucoup plus importante que elle
des trous libres dans bande de valence. Nd
Le niveau de Fermi EFn se déplace donc du milieu de EFn− EFi=kT.ln( )
la bande interdite (EFi) vers la bande de conduction. ni
Semi conducteur dopé « P »
Semi conducteur dopé « P »
• Introduction d’atomes trivalents, environ 1 pour 10 millions
d’atome de silicium
• Indium, bore…
Silicium dopé « P »
-
-
-
-
-
-
-
-
Concentration des porteurs de charge dans le silicium dopé « P »
Bande de conduction n = ni2/Na

Ec
p = Na: Concentration des accepteurs
EFi
EG
ΔEp= EFi - EFp
Ev
Bande de valence
p = Na + ni ≈ Na
Les trous sont les porteurs majoritaires et les
électrons les porteurs minoritaires.
La population des électrons libres de la B.C. est Loi de masse : n.p = n i2
beaucoup plus faible que celle des trous libres
dans BV. Na
Le niveau indicateur de Fermi Efp se déplace EFi− EFp=kT ln ( )
du niveau intrinsèque EFi vers la bande de ni
valence.
Chapitre 2 :
Transistor bipolaire
Le transistor en électronique
Ses applications :
 Amplifier un signal : amplificateur de tension, de courant,de puissance
 Être utilisé comme une source de courant
 Agir comme un interrupteur commandé : essentiel pour l’électronique
numérique.
Ses formes :
 Composant discret.
 Circuit intégré : de quelques unités (ex : AO) à quelques millions de transistors
par circuit microprocesseurs).
Types de transistors :
 Transistor bipolaire : source de courant pilotée en courant
 Transistor à effet de champs (JFET ou MOSFET) : source de courant pilotée en
tension.
Types de transistors bipolaires
NPN
C
(Collecteur) C
Une couche N fortement dopée constituant l’émetteur.
N Une couche P très mince et faiblement dopée constituant
B P B la base.
(Base)
N
Une couche N faiblement dopée constituant le
E
E collecteur.
(Emetteur)
PNP
C
(Collecteur) C Une couche P fortement dopée constituant l’émetteur.
Une couche N très mince et faiblement dopée constituant
P
B N B la base.
(Base)
P
Une couche P faiblement dopée constituant le collecteur.
E
E
(Emetteur)
Principe de fonctionnement du transistor bipolaire
N P N
E - - -
- - -
-- -- --
e
IB
VBE VCB IC
IE
La jonction EB est polarisée en direct favorise la diffusion d'électrons dans la base et de

trous dans l'émetteur.
La jonction collecteur-base polarisée en inverse ne constitue pas une barrière pour les
porteurs minoritaires. Tout électron de la base qui atteint la zone de dépletion de la jonction
collecteur-base est propulsé vers le collecteur par le champ régnant dans cette zone de
transition.
Si l'épaisseur de la base de la zone P est très étroite, la majorité des électrons émis par
l'émetteur vont être collectés par le collecteur, c'est l'effet transistor.
Transistor bipolaire : Relations fondamentales
q V BE
Courant de collecteur : I C≈ I s e kT
q V BE
kT
Courant de base : I B = I C /β= (I s /β)e (Effet transistor)
Courant de l'émetteur : I E = I C + I B= (β+ 1) I B≈ β I B
Is : Courant de saturation inverse de la jonction émetteur - base .
β : Gain en courant du transistor, c'est une caractéristique du transistor.
β est très peut reproductible d’un composant à l’autre, ( 20 < β < 500 ).
Transistor bipolaire : Modèle d'Ebers-Moll (en régime linéaire)
Transistor NPN C
C (N)
IC
IC = β IB
B IB
(P) IB
B
IE
E (N )
VBE
E IE = (β + 1) IB
Transistor PNP C
C (P)
IC
IC = β IB
B IB
IB
(N ) B
IE
E (P ) VBE
E IE = (β + 1) IB
Le générateur de courant n'existe que si le transistor est polarisé, et de telle sorte à
avoir l'effet transistor
Transistor bipolaire : Montages de base
On peut voir le transistor comme un quadripôle. Comme c'est en réalité un tripôle,
il faut mettre une de ses connexions en commun entre l’entrée et la sortie du
quadripôle.
Trois montages sont possibles:
Emetteur Commun Collecteur Commun Base Commune
Grandeur d'entrée : Grandeur d'entrée : Grandeur d'entrée :

VBE, IB VBC, IB VEB, IE
Grandeur de sortie : Grandeur de sortie : Grandeur de sortie :
VCE, IC VEC, IE VCB, IC

Transistor bipolaire : Caractéristiques électriques (Emetteur commun)
Caractéristique d'entrée Caractéristique de transfert Caractéristique de sortie
IB = f (VBE) pour VCE = cte IC = f (IB) pour VCE = cte IC = f (VCE) pour IB = cte
Diode constituée par la jonction IC = β IB + ICE0 Zone 1 : IC dépend très peu de VCE
Base-Emetteur ICE0 : Courant de fuite pour IB donné générateur de
courant avec une faible résistance
interne.
Zone 2 : IC dépend beaucoup de VCE.

Montage de mesure C'est la zone de saturation. Lorsque
VCE devient très faible, la jonction
collecteur-base cesse d’être polarisée
en inverse (VBC = VBE-VCE). On n'a
plus un transistor mais l'équivalent
de deux diodes en parallèle
Transistor bipolaire : Régimes de fonctionnement
Régimes de fonctionnement
Si IB = 0 (VBE ≤ 0) Si IB > 0 Si IB > Icsat/β (VCE = 0)

Transistor bloqué, Transistor en régime linéaire Transistor saturé
Rien ne circule IC = β IB (effet transistor). IC< β IB
Fonctionnement Fonctionnement Fonctionnement

en commutation en amplification en commutation
de blocage de saturation
P4
Amplification
Saturation
P3
P2
P1
P0
Blocage
Transistor bipolaire : Polarisation par deux alimentations
Objectif de la polarisation
Fixer le point de fonctionnement
Choisir le régime de fonctionnement
Polarisation par deux alimentations
Droite d'attaque (IB = f (VBE) : Fonctionnement en Amplification (ou encore

− V BE V BB linéaire) (point P en A): IC = β IB.
I B= + Fonctionnement en commutation de saturation
RB RB
(point P en S): IC < β IB.
Droite de charge (IC = f (VCE) : Fonctionnement en commutation de blocage ( point

P en B): IC = 0.
− V CE V CC
I C= +
RC RC Ce montage nécessite deux alimentations,
coûteux, encombré
Transistor bipolaire : Polarisation par résistance de base
Polarisation par résistance de base
Droite d'attaque (IB = f (VBE) : Dans le régime linéaire (amplification) on :

V CC − V BE0
− V BE V CC I C0≈ β I B0= β
I B= + RB
RB RB
Les dispersions de β sont grandes pour le même type
Droite de charge (IC = f (VCE) : du transistor. En plus, β dépend de la température.
− V CE V CC
I C= + Le point de fonctionnement est donc instable ce qui
RC RC
représente le principal inconvénient de ce montage.
Transistor bipolaire : Polarisation par pont de base
R2 R1 R2
E B= V R B=
R1+ R2 CC R1 + R 2
Thévinin
E B= R B I B + V BE0+ R E I E = RB I B + V BE0+ R E (1+ β) I B= (R B+ (1+ β) R E ) I B + V BE0
E B − V BE0
I B=
RB + (1+ β)R E
E B − V BE0 E B− V BE0
On a : β≫ 1 β+ 1≈ β I B= I C= β
RB + β R E R B + β RE
E B− V BE0
En choisissant R B ≪ β RE I C≈
RE
Le point de polarisation devient indépendant de β donc plus stable vis à vis la température
l’interchangeabilité du transistor
Transistor bipolaire : Modèle petit signaux (Basses fréquences)
Qu’est-ce qu’un modèle petits signaux?

Le modèle petit signaux correspond à la linéarisation du fonctionnement du
transistor autour de son point de polarisation.
Petit signaux = Grandeurs périodiques et centrées :
Capacités de liaison A B ⇔ A B Fil
Tension d’alimentation constantes A B ⇔ As
B Masses.
Transistor bipolaire : schéma équivalent petit signaux (Basses fréquences)
C Paramètres du modèle :
ic 
V : résistance base-émetteur.
h BE
r

11
IBV cste
B ib CE
vce
IC 1 : résistance collecteur-émetteur (souvent négligée).
h  
vbe
22
VCEI
cste
B

E
IC : amplification en courant
h  

21
IBV cste
CE
Calcul de rπ :
e v be e v be
kT di b e e
On a : i b = I S e = I S e kT = ib
dv be kT kT
Δ V BE kT kT
r π= = =β
Δ I B e I B0 e I C0
À température ambiante (T = 300 K) , on a alors :

0,026β
r π=
I C0
Amplification petits signaux à l'aide d'un transistor bipolaire
Méthodologie du calcul
Grâce aux modèles linéaires du transistor et au théorème de superposition, le calcul d'un
amplificateur (devient très simple. Le calcul complet se décompose en cinq étapes successives :
1. Calcul du point de fonctionnement du circuit (IB0,VBE0, IC0, VCE0)
2. Calcul des paramètres du transistor à partir du courant de repos IC
3. Dessin du circuit petits signaux dans lequel on annule toutes les sources continues et on
remplace le transistor par son modèle petits signaux.
4. Calcul des paramètres de l'amplificateur équivalent représenté par les impédances Ze, Zs et
son gain en tension ou en courant Av ou Ai .
v is v vs
Av = s Ai = Z e= e Z s=
ve ie ie is
5.Présenter l’étage amplificateur comme un quadripôle.

Fonctionnement du transistor bipolaire en amplification : Montages de base
On appelle montage à émetteur, base, collecteur commun, un montage dans lequel l’émetteur,
resp. la base ou le collecteur sont reliés à la masse en petits signaux.
Montage classiques et utiles :
Emetteur commun
Montage collecteur commun
Montage base commune

Montage à émetteur commun : polarisation
1.Polarisation
Objectif : détermination des valeurs des grandeurs de repos : IB0, IC0, VBE0, VCE0
Polarisation
Les capacités sont

Assimilées à des
interrupteurs ouverts
VBE0 est égale à la tension seuil de la jonction Base-Bmetteur

RTH ≪ β RE
E TH − V BE0
I B0≈ Rb2
β RE E TH =
Rb1+ Rb2
E
E TH − V BE0 Rb1 R b2
I C0 = β I B0≈ RTH =
RE Rb1+ Rb2
(RC + R E )
V CE0 = E − ( RC + R E ) I C0 = E− (E TH − V BE0)
RE
On peut aussi déterminer le point de repos graphiquement

Montage à émetteur commun : Schéma équivalent petit signaux du transistor
2. Schéma équivalent petit signaux du transistor
Objectif : calcul des paramètres du transistor
C
ic
B ib
vce
vbe
E
Calcul de rπ :
e v be e v be
kT di b e e
On a : i b = I S e = I S e kT = ib
dv be kT kT
Δ V BE kT kT
r π= = =β
Δ I B e I B0 e I C0
À température ambiante (T = 300 K) , on a alors :

0,026β
r π=
I C0
Montage à émetteur commun : Schéma équivalent petit signaux du montage
3. Schéma équivalent petit signaux du montage
Schéma équivalent
En petit signaux
On court-circuite les
capacités
4. Calcul des paramètres de l’amplificateur

vs
A/ Gain en tension à vide ( sans charge connectée à la sortie) Av0 =
ve
On a : v e = v be= r πib v s − β Rc i b − β Rc
Av0 = = Av0 =
v s= − Rc i c = − β Rc i b ve r πi b rπ
ve
B/ Impédance d'entrée Z e=
ie
ve
On a v e = (Rb1∥ Rb2∥r π)ie Z e = = Rb1∥Rb2∥r π
ie
C/ Impédance de sortie
On a : v s= − Rc i c = − Rc i s Z s= Rc
Montage à émetteur commun : Schéma équivalent petit signaux du montage
D/ schéma équivalent de l'étage amplificateur
E/ Gain de l'étage en charge

R ch − β Rc Rch vs R c Rch
On a (diviseur de tension) : v s= Av0 v e = v Av = =−β
Rch+ Rc r π Rch+ R c e ve r π(Rch + Rc )
F/ Bilan
Ce montage présente :
Une bonne amplification en tension
Une impédance d’entrée relativement faible ( presque égale à rπ)
Une impédance de sortie assez élevée Rc
Ce est inexploitable seul, il faudra lui adjoindre des étages adaptateurs d'impédance.
Montage à collecteur commun : polarisation
1.Polarisation
Objectif : détermination des valeurs des grandeurs de repos : IB0, IC0, VBE0, VCE0
Polarisation
Ve
Les capacités sont
Assimilées à des
interrupteurs ouverts
VBE0 est égale à la tension seuil de la jonction Base-Bmetteur

RTH ≪ β RE
E TH − V BE0
I B0≈ Rc =0Ω Rb2
β RE E TH =
Rb1+ Rb2
E
E TH − V BE0 Rb1 R b2
I C0 = β I B0≈ RTH =
RE Rb1+ Rb2
RE
V CE0 = E − R E I C0 = E− (E − V BE0 )= E− E TH + V BE0
R E TH
On peut aussi déterminer le point de repos graphiquement

Montage à collecteur commun : Schéma équivalent petit signaux du montage
2. Schéma équivalent petit signaux du montage
On remarque que l’entrée et la sortie ne sont pas séparées. La charge influe sur l’impédance d’entrée
et l’impédance interne du générateur d’attaque influe sur l’impédance de sortie.
Transistor
ie ib
Schéma équivalent
En petit signaux
Ve
On court-circuite les is
Ve capacités Vs

vs
A/ Gain en tension à vide Av0 = pour i s= 0
ve
v e = r πib+ RE (β+ 1)ib = (r π+ R E (β+ 1))ib (β+ 1)R E
On a :
Av0 = ≈1
v s= R E (β+ 1)i b r π+ (β+ 1) RE
ve
ie
ve
On a : v e = [ Rb1∥R b2∥(r π+ (β+ 1) RE )]i e Z e=
ie
= Rb1∥Rb2∥(r π+ (β+ 1) RE )
vs
C/ Impédance de sortie Z s= pour e g = 0
is
is
is
Vs Vs
v s= R E (i s + (β+ 1)ib ) rπ
r π+ ( Rg∥ Rb1∥ Rb2 ) Si Rg = 0Ω Z s≈
− vs Z s= β
ib = β+ 1
[(R g∥ Rb1∥ Rb2)+ r π]
D/ Bilan
Un gain en tension presque égale à 1
Une impédance d’entrée élevée
Une impédance de sortie faible
Il est évident que ce montage ne sert pas pour amplifier un signal, mais il est utilisé comme adaptateur d’impédance.
Situé en amont d’un vrai montage amplificateur, il permet d’augmenter son impédance d’entrée, situé en aval d’un
vrai montage amplificateur, il permet de l’interfacer avec une faible charge, et ceci, sans modifier le gain en
tension de l’étage.
Montage à base commune : Schéma équivalent petit signaux du montage
1.Schéma équivalent petit signaux du montage
Schéma équivalent
En petit signaux
On court-circuite les
capacités

vs
A/ Gain en tension à vide ( sans charge connectée à la sortie) Av0 =
ve
On a : v e = − r πi b v s − β Rc i b β Rc
Av0 = = Av0 =
v s= − β Rc i b v e − r πi b rπ
ve
ie
ve ve ve v e (β+ 1) R E r π
On a i e = − (β+ 1)ib = + (β+ 1) Z e= = ≈ rπ
RE RE rπ ie r π+ (β+ 1) RE
C/ Impédance de sortie
ve
On a : v s= R c (i s− βi b)= R c i s+ βR c = Rc i s+ Av0 v e = Z s is + Av0 v e Z s= Rc
rπ
D/ Bilan
Un gain en tension élevé
Une impédance d’entrée faible
Une impédance de sortie moyenne
En pratique, ce montage sera très peu utilisé, sauf en haute fréquence où il va présenter
une bande passante supérieure à celle du montage émetteur commun.
Chapitre 3:
Transistor à effet de champ
Transistors à effet de champ (TEC ou FET) : Introduction
Inconvénients des transistors bipolaires :
Courant de base non nul ⇒ consommation non nulle.
Fonctionnement par injection de charge
Risque de stabilité thermique
Impédance d'entrée faible (ordre de kΩ )
Pilotage en courant (pas en tension)
On souhaite un autre type de transistor :
A consommation d’énergie très réduite en commutation.
Pilotable en tension.
Impédance d'entrée élevée
Plus stable thermiquement Transistor à effet de champ à jonction

(JFET)
⇒ Il existe : le transistor à Effet de champ Deux familles

MOSFET (Métal-Oxyde-
Semiconducteur à effet de champ)
Transistors à effet de champ à jonction (JFET ):Types
JFET de type N ou canal N
La Source S est l’électrode par ou les électrons

entrent dans le barreau. (Source d’électrons)
ID
Le drain D est l’électrode par ou les électrons
IG
quittent le barreau. (Électrode chargée pour drainer
les électrons)
La grille G permet de commander le courant IDS
JFET de type P ou canal P
ID La Source S est l’électrode par ou les trous entrent

dans le barreau. (Source d’électrons)
IG
Le drain D est l’électrode par ou les trous quittent
le barreau. (Électrode chargée pour drainer les
trous)
La grille G permet de commander le courant IDS
Dans ce ce qui suit, on s’intéressera au JFET de type N uniquement, le JEFET de type P étant
identique par permutation des zones P et N.
Principe de fonctionnement du JFET de type N
VGS ≤0
VDS≥ 0
En fonctionnement normal, le drain sera polarisé positivement par rapport a la source (VDS > 0), la
grille sera polarisée négativement par rapport a la source (VGS <0) ce qui polarisera en inverse les
jonctions PN (Grille-Canal) produisant ainsi deux zones de depletion autour des jonctions. Ces zones
ne contiennent pas de porteur, donc elles sont isolantes et leur épaisseur augmente avec VGS et aussi
avec VDS. Les électrons, qui sont les porteurs mobiles de charges, circulent dans le canal dont la
largeur est contrôlée par la tension VGS<0.
Principe de fonctionnement du JFET de type N
VDS =0V VD=VS VGD =VGS
Drain
-
N
Gate
P P +
- VDS =0 VGS
+ N
Source
La largeur du canal est contrôlée par la tension VGS<0

Principe de fonctionnement du JFET de type N : VGS=0 et VDS variée
Vp = pincement du canal VDS
N N
Id
P
Rds variée Ids = Vds/Rds VGD = VGS -VDS = -VDS
IDS = f(VDS) pour VGS = 0 V
Vp
Principe de fonctionnement du JFET de type N : VGS et VDS variées
VDS = 0 Vp2 = Vp -|VGS2| Vp1 = Vp -|VGS1| Vp VDS
VGS =0 P N
VGS1<0
VGS2<VGS1
Vp =
VGS off
VGS
iDS mA VGS= 0 V
8
VGS= -2 V
6
VGS= -4 V
4
VGS= -5,5 V
10 20 30 40 VGS= -6,7 V
vDS
-2
-4
iDS mA VGS= 0 V
8
VGS= -2 V
6
VGS= -4 V
4
VGS= -5,5 V
10 20 30 40 VGS= -6,7 V
Vp
vDS
Vp - 2
Vp - 4
-2 Vp – 5,5
-4
iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
10 10
8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V
vDS
-2
-4
iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
10 10
8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V
vDS
-2
-4
iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10
8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V
vDS
-2
-4
iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10
8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V
-6 V -4 V -2 V vDS
-2
-4
iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10
8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V
-6 V -4 V -2 V vDS
-2
-4
iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10
8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V
-6 V -4 V -2 V vDS
-2
-4
iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10
8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V
-6 V -4 V -2 V vDS
-2
vGSoff
-4
Caractéristique de transfert pour VDS = 15 V
iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10
8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGSoff vGS 10 20VGS= -6,7 V
-6 V -4 V -2 V vDS
-2
-4
Caractéristique de transfert du JFET de type N
Si on observe le réseau de caractéristique ID=f(VDS)VGS=Cte, on s'aperçoit qu'on peut distinguer deux modes de
fonctionnement du FET :
 Pour VDS < Vp -|VGS|, le FET se comporte comme une résistance, d'où l'appellation Zone résistive ou Zone
Ohmique de cette région :
Où
 Pour VDS > Vp -|VGS|, Le courant ID ne dépend quasiment pas de VDS. Cette région est dite Zone de saturation :
Équation de schockley VGSOFF= -Vp

Pour finir de tracer la courbe de transfert, on peut isoler VGS à partir de l’équation de Schokley :
I DSS I DSS
 Et calculer VGS pour les 2 cas particuliers : ID = ID =
4 2
I V
I D = DSS VGS = P
4 2

I DSS V
ID = VGS = P
4 2
ID =0 VGS = Vp
ID = IDSS VGS = 0V
Comparaison entre JFET de type N et Transistor bipolaire NPN
Comparaison entre JFET de type N et Transistor bipolaire NPN
Bipolaire NPN JFET de type N
Le JFET se comporte comme un robinet ( SOURCE ) dont on commande le débit ( COURANT ) vers le
DRAIN avec une valve ( GRILLE )
La force qui agit sur la valve correspond au champ électrique entre la GRILLE et le CANAL
Polarisation d'un JFET
 Polarisation par la grille ( deux alimentation)

 Polarisation automatique
 Polarisation par diviseur de tension
Polarisation fixe (par deux alimentations) du JFET de type N
-VGG -VGS+ RG IG =0 VGS = -VGG

On a : RG IG =0
Donc VGS = -VGG Droite d'attaque
ID = -VDS/RD + VDD/R
Droite de charge
Polarisation fixe (par deux alimentations) du JFET de type N : Exemple
Déterminer les coordonnées du point de repos : VGSQ, IDQ et VDSQ
IDSS = 10 mA
VGSOFF = -8V
RD = 2 kΩ
VDD =16 V
RG = 1 MΩ
Polarisation automatique du JFET de type N
Droite d'attaque
RG IG +VGS + Rs ID =0 VGS + Rs ID = 0 ID = -VGS /RD
Droite de charge
VDD = VDS – (Rs+RD) ID ID = -VDS/ (Rs+RD) + VDD/ (Rs+RD)

Polarisation automatique du JFET de type N : exercice
Soit le montage suivant. On donne le courant : IDSS = 12 mA, la pente : Vp=-3V, la résistance :
RG = 1 MΩ et RD = 3 kΩ.
1. On désire polariser le transistor à la valeur VGS = VP/2. Donner la valeur de la résistance RS
qui permet d’avoir cette polarisation.
2. Pour la valeur trouvée de RS, déterminer la valeur du courant ID qui circule dans le drain ainsi
que la tension VDS.
3. Tracer la droite de charge statique et placer le point de repos P.
Polarisation par pont de résistance du JFET de type N
Rth = R1//R2
Droite d'attaque :
Eth = VDD R2/(R1+R2 )
VGS = Eth -Rs ID ID = -VGS/Rs + Eth/Rs
Droite de charge :
VDD = VDS + ID (RD + Rs)
ID = - VDS / (RD + Rs ) + VDD / (RD+ Rs)

Polarisation par pont de résistance du JFET de type N : Exercice
Déterminer les coordonnées du point de repos : VGSQ, IDQ et
VDSQ
IDSS = 8 mA
VGSOFF = -4V
R1 = 2,1 MΩ,R2 = 270 kΩ
RD = 2,4 kΩ, Rs = 1,5 kΩ
VDD =16 V
JFET de type N: Modèle petit signaux
En amplification, le JFET est utilisé en source de courant. On a le modèle petits signaux basse
fréquence suivant :
D
ID
G
VDS
VGS S
Remarques :
L’impédance d’entrée est infinie ⇔ utile pour l’adaptation d’impédance.
Consommation très faible en commutation.
Le plus souvent, on prendra rDS= ∞⇒négligée.
gm est appelée transconductance.
JFET de type N: Amplificateur source commune
JFET de type N: Amplificateur source commune (Exercice)
Etudier ce montage
Vp = -4V
Idss= 8 mA
Transistors à effet de champ Métal-Oxyde-
Semiconducteur (MOSFET)
MOSFET à canal MOSFET à canal

diffusé induit
MOSFET à canal
diffusé
MOSFET à canal diffusé : Structure et symbole
Source Grille Drain
DRAIN
N+ N N+ GRILLE
substrat
P
SOURCE
substrat
métal Structure MOSFET à canal N Symbole
Source Grille Drain
DRAIN
P+ P P+
GRILLE substrat
N
SOURCE
substrat
métal Structure MOSFET à canal P Symbole
MOSFET de type N à canal diffusé : Principe de fonctionnement
VGS=0  un canal existe
Source Grille Drain
N
N+ N+
substrat
VDS
Canal N
VGS faible
appauvrissement faible
Source Grille Drain
N+ N N+
substrat
VDS
Canal N
VGS appauvrissement fort
Source Grille Drain
N+ N N+
Zone dépeuplée d’électrons libres

substrat
VDS
VGS OFF
Source Grille Drain
N+ N+
N
substrat
VDS
enrichissement
VGS
Source Grille Drain
N+ N+
N
substrat
VDS
MOSFET de type N à canal diffusé : Caractéristiques
Caractéristique de sortie Caractéristique de transfert
DRAIN
Enrichissement
GRILLE
substrat
SOURCE
Appauvrissement
Même équation que les JFET

Ohmique
Saturation
où
Équation de schockley
MOSFET de type P à canal diffusé
Symbole
DRAIN
GRILLE substrat
SOURCE
Canal P
MOSFET de type P à canal diffusé : Principe de fonctionnement
VGS=0  il y a un canal
Source Grille Drain
P
P+ P+
substrat
VDS
Canal P
VGS faible appauvrissement faible
Source Grille Drain
P+ P P+
substrat
VDS
Canal P
VGS élevée appauvrissement fort
Source Grille Drain
P+ P P+
Zone dépeuplée de trous

substrat
VDS
Canal P
enrichissement
Source Grille Drain
P+ P P+
substrat
Canal P
MOSFET à canal
induit
MOSFET à canal induit : Structure et symbole
Source Grille Drain
DRAIN
N+ P N+
GRILLE
substrat
substrat
SOURCE
film métallique Canal N
Source Grille Drain
DRAIN
GRILLE
P+ P+ substrat
N
SOURCE
substrat
Canal P
film métallique
MOSFET de type N à canal induit : Principe de fonctionnement
VGS=0  il n’y a pas de canal

SiO2
Source Grille Drain
N+ N+
P
substrat
film métallique
Canal N
enrichissement
VGS >0
Source Grille Drain
N
N+ N+
substrat
VDS
enrichissement
VGS
Source Grille Drain
N+ N N+
substrat
VDS
VGS enrichissement
Source Grille Drain
N+ N+
N
substrat
VDS
MOSFET de type N à canal induit : Caractéristiques
Caractéristique de sortie
Caractéristique de sortie
VTH : Tension seuil

DRAIN
GRILLE
substrat
SOURCE
MOSFET de type P à canal induit : Principe de fonctionnement
VGS=0  il n’y a pas de canal
SiO2
Source Grille Drain
P+ P+
N
substrat
film métallique
Canal P
enrichissement
VGS
Source Grille Drain
P
P+ P+
substrat
VDS
Canal P
enrichissement
VGS
Source Grille Drain
P+ P P+
substrat
VDS
Canal P
MOSFET de type P à canal induit :Principe de fonctionnement
enrichissement
VGS
Source Grille Drain
P+ P P+
substrat
VDS
Canal P
Chapitre 4:
Amplificateur opérationnel
Introduction
C'est un circuit intégré, c'est à dire qu'il est formé d'une multitude de composants électroniques
élémentaires (résistances, transistors, condensateurs, diodes, etc...) formant un circuit complexe et
intégrés dans un boîtier.
Il constitue une brique de base dans un circuit électronique.
Il peut réaliser diverses opérations sur un signal électrique: Amplification, Comparaisons,
soustractions, additions, déphasages (décalages dans le temps), filtrages, etc...

Amplificateur opérationnel: schéma interne
V-
V+
L' amplificateur opérationnel comprend trois étages :

un étage d'entrée différentiel chargé d'amplifier une différence de potentiel entre deux
signaux (V+ et V-) : A (V+ - V-),
un étage présentant un très fort gain, idéalement proche de l'infini,
un étage de sortie permettant de délivrer le signal de sortie avec une faible résistance
Amplificateur opérationnel: Symbole
Le symbole normalisé AFNOR (Association Française de NORmalisation)
Le symbole généralement utilisé

Caractéristiques essentielles d'un AmplioP
Amplificateur opérationnel: schéma
V - : la tension entre l'entrée inverseuse et le potentiel de référence
V+ : la tension entre l'entrée positive et le potentiel de référence
ε: la tension d'entrée différentielle (V+ - V-)

Amplificateur opérationnel: Caractéristiques
Son amplification aux fréquences basses est considérable (par exemple de 103 à 109), cela
est dû aux nombreux étages amplificateurs qu'il comporte : Vs = A ( V+ - V-)= A ε
Bien sur, quelque soit le gain, la tension de sortie ne peut jamais dépasser la tension
d'alimentation,
Le module de l'amplification décroît lorsque la fréquence augmente (par suite des

«capacités parasites» des transistors) mais sa bande passante est souvent considérable (par
exemple plusieurs dizaines de mégahertz)
Son impédance d'entrée est très élevée (de l'ordre de MΩ) :
Son impédance de sortie (Zout) est très faible (au maximum quelques kiloohms).
Le Slew rate (SL) (ou la vitesse de balayage) est la vitesse de croissance maximale de
la tension de sortie.
Il s’exprime en volts par micro seconde
Tension de décalage ou tension d’offset (Vd) : C’est une tension continue qui serait nécessaire
d’appliquer entre les deux entrées pour avoir Vs = 0V.
Courant de décalage: c'est le pendant de la tension Offset pour les courants de polarisation
Id = I+ - I-
Caractéristique de transfert : Vs = f( ɛ)
Avec un Offset =Vd = 0 Avec Offset= Vd ≠0
Amplificateur opérationnel parfait
Hypothèses d’idéalité
Gain A = ∞
Impédance d’entrée Zin = ∞
Impédance de sortie Zout = 0
Bande passante = ∞
Slew rate =∞ V/μS
Amplificateur opérationnel parfait
En régime linéaire
Montages de base à AO en régime linéaire
Montages d'amplification
Amplification
Montage inverseur Montage non- inverseur Montage suiveur
Le choix de R1 est basé Montage non-inverseur

Av >1 quelque soit R1et R2
sur un compromis entre Avec R1 =∞ et R2 = 0
Ze et Av
Montages opérationnels
Montages opérationnels : Sommateur- soustracteur (différentiel)
Montage sommateur inverseur Montage soustracteur (différentiel)
Si R1= R2= R3= R

Si R1= R2= R3= R4
Vs= -(Ve1 + Ve2 + Ve3)
Vs = Ve1 - Ve2
Montages opérationnels : Intégrateur- dérivateur
Montage intégrateur Montage dérivateur
Montages opérationnels : Logarithme-Exponentiel
Montage logarithmique Montage exponentiel
Filtres actifs
Passe bas 2ème ordre Passe haut 2ème ordre
Montages de base à AO en régime de saturation
Comparateur de valeur relative
Une tension inconnue Ve est appliquée sur l’entrée positive

Si Ve > Vref alors Vs = +Vcc
Si Ve < Vref alors Vs = -Vcc
Exemple : Vcc= 3V et Vref= 1V

Caractéristique statique :
Comparateur de valeur absolue
V+=0 donc le passage de Vs d’un état à un autre se produira quand la tension V_ sera égale à zéro.
En appliquant Milmann :
V- = Ve R2 /( R1 + R2) + Vref R1/(R1+R2)
Vs=+Vcc si V + >V − 0>Ve R2 /( R1 + R2) + Vref R1/(R1+R2) Ve< - Vref R1/R2
Vs=-Vcc si V + <V − 0<Ve R2 /( R1 + R2) + Vref R1/(R1+R2) Ve> - Vref R1/R2
Le basculement aura lieu quand: Ve = - Vref R1/R2

Il faut que Ve et Vref soient de polarité différente
Exercice :
Vref =5V, Vcc=+15V, R1=R2=1kΩ,
Tracez la caractéristique Vs en fonction de Ve
Comparateur à hystérésis : Intérêt
En fait, le signal d'entrée est toujours entaché de bruit.
Si on n'en tient pas compte, des transitions rapides et intempestives entre les états haut et bas apparaissent
Les comparateurs à hystérésis apportent une immunité par rapport aux parasites présents sur le signal
d’entrée.
Comparateur inverseur à hystérésis ou trigger de Smith
Introduction d’une réaction positive renvoyant une partie du signal de sortie sur l’entrée non inverseuse
V+ = Vs R1 /( R1 + R2) + Vref R2/(R1+R2)

V- =Ve
Il existe donc deux seuils de basculement :
Vs = VH Si Ve<V1+ V1+ = VH R1 /( R1 + R2) + Vref R2/(R1+R2)
Vs = VB Si Ve>V2+ V2+ = VB R1 /( R1 + R2) + Vref R2/(R1+R2)
La différence entre ces deux seuils est appelée hystérésis
ΔV = V+ - V- = (VH - VB) R1/ R1 + R2
Il y a deux régions pour lesquelles l’état de la sortie est fixé.

Dans la zone d’hystérésis, l’état de la sortie peut prendre les deux
valeurs. La valeur prise dépend de la valeur prise précédemment
en dehors. C’est une zone de mémorisation
Comparateur non inverseur à hystérésis ou trigger de Smith
V+ = Ve R2 /( R1 + R2) + Vs R1/(R1+R2) Le basculement aura lieu quand:

V- =0 Ve = -Vs R1/R2
Il existe donc deux seuils de basculement selon la valeur de Vs

Vs = VH Si V2+ = Ve R2 /( R1 + R2) + VH R1/(R1+R2)>0 Ve > -VH R1/R2
Vs = VB Si V1+ = Ve R2 /( R1 + R2) + VB R1/(R1+R2)<0 Ve < -VB R1/R2

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Chapitre 1

Diode et ses applications

Applications des diodes à jonction PN

Autres types des diodes et ses applications

Zone chargée négativement

Zone chargée positivement

Zone chargée positivement

Zone chargée négativement

Zone dépeuplée de porteurs de charge mobiles

Les électrons, majoritaires dans la région N, diffusent dans la région P.

Au voisinage de la jonction, les électrons et les trous subissent des

compensées par celles des porteurs libres.

Il en résulte une charge d’espace et un champ électrique interne.

Ce champ s’oppose à la diffusion des porteurs libres.

⇒ équilibre entre la diffusion et l’entraînement par le champ électrique.

Le courant du aux porteurs majoritaires

Au total, il circule du semiconducteur P vers le semiconducteur N , un courant ID appelé

La polarisation en inverse provoque une augmentation de la barrière de potentiel qui

Le courant du aux porteurs majoritaires

Le courant total est:

- IISF Anode Cathode

Zone de conduction Zone de blocage Zone de claquage

Origine du claquage (destruction de la diode)

Effet Zener Effet d'avalanche

En technologie, un modèle est une représentation simplifié d’une chose complexe.

Les différents modèles statiques

Modèle idéal Modèle avec seuil Modèle linéarisé

Vd <0 Vd ≥ 0 Vd < V0 Vd ≥ V0 Vd < V0 Vd ≥ V0

Équation de la droite de charge statique

L’intersection P entre la droite de charge statique et la

Vin = V sin (ωt)

à T= 20 °C , KT/q = 25 mV Id doit être autour du point de repos

Modèle linéaire « petit signal »

Modèle « petit signal »

La diode se bloque : le courant s'annule.

Une inversion de la polarité de l'alimentation E n’endommagera pas le système

En fait, la diode passante entraîne une chute de 0,6V : U = E-VD = E- 0,6 V

Pour Vin > E D1 est passante et D2 bloquée Vout = E

Pour -E < Vin < E D1 et D2 sont bloquées Vout = Vin

Le transformateur assure une isolation galvanique et il est de type abaisseur de tension.

Schéma électrique Relations

U max = √2U efficace

On considère que la diode est parfaite

v (t)= Vmax sin (ωt)

Calcul de u moyenne et u efficace

u(t)= R.i = v(t) – Vd1 – Vd2 = -v(t) – Vd3 - Vd4

Pour v(t) ≥ 0 D1, D2 passantes et D3,D4 sont bloquées

u(t) = v(t) – Vd1 - Vd2 = v(t) – 0 - 0

Pour v(t) < 0 D1, D2 sont bloquée et D3, D4 sont passantes

u(t)= -v(t) – Vd3 - Vd4 = -v(t)- 0 - 0

A t= 0 , la capacité C est déchargée, on a donc vs(t) = vc(t)=0

Ondulation : Taux d'ondulation :

Modèles électriques équivalents

Modèle idéale Modèle linéarisé

3 cas peuvent être analysés

- RL fixée - RL fixée - RL variée

- E fixée - E variée - E fixée

La diode est passante pour :

La diode est passante pour : R L+ R

La diode est passante pour : VZ

Stabilisation de tension (petit signaux)

Application du théorème de superposition

Stabilisation amont Stabilisation aval