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à
l'algorithme
Alain GUYOT
TIMA
DEA MICROÉLECTRONIQUE
((33) 04 76 57 46 16
: Alain.Guyot@imag.fr
http://tima-cmp.imag.fr/~guyot
Techniques de l'Informatique et de la Microélectronique
pour l'Architecture. Unité associée au C.N.R.S. n° B0706 méthodologie 1
pas à pas
Montrer que
méthodologie 3
Évolution de la technologie des ordinateurs
méthodologie 4
Et si les voitures
méthodologie 5
Évolution de complexité
(densité x surface)
9
10 1 Gigabit
8 256 M
10 64M
nombre de transistors / puce
M2000
16M
7 Dec
10 4M Alpha II
1M Pentium
6 T9000
10 256K 80486 PowerPC
64 K 80386 68040
5
10 16K 68020
4K 80286
4 1K 68000
10 8086 mémoires
8080 microprocesseurs
3 4004
10
1970 1980 1990 2000
méthodologie 6
Gordon Moore 1971
Évolution de surface de puce
croissance = 1,13/an
Pentium,68050
80486,68040
2
10 64M
80286 80386
taille en mm2
16M
68000 68020 4M
8086
1M
8080 256K
1 64 K
10 16K mémoires
4K microprocesseurs
25 µ
10 10 µ Nombre
de portes
par mm2
3µ
2µ 100 à 200
1,5 µ
1 1250 à 1500
0,8 1µ
0,6 0,5 µ 15 000 à 20 000
0,4 0,35 µ 30 000 à 40 000
0,2 0,18 µ 45 000 à 60 000
0.1
1960 1970 1980 1990 2000
méthodologie 8
Évolution le la Fréquence d'horloge des
microprocesseurs
1000
croissance = 1,25/an
DEC Alpha
80486
100
PowerPC
80386
SPARC
AMD 2900
10 80286/68020
8086/68000
1 8085/Z80
8080/6800
0.1
1973 1983 1993
10
(différence de potentiel entredd
9
8
7
6
5
4
3
2
1
2010 ?
1960 1970 1980 1990 2000
Nous verrons dans le cours suivant comment taille de transistor, vitesse,
puissance, champ électrique, tension d’alimentation Vdd, dissipation sont liés
méthodologie 11
Évolution de la puissance de calcul
croissance = 1,5/an
méthodologie 12
Évolution du coût de la Lithographie
Nombre d'étapes de fabrication
700 Coût relatif de la lithographie (par rapport à 1,0 µm)
10
600 9
8
500
7
400 6
5
300 4
3
200
2
100 1
0
1,2 1,1 1,0 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1
Finesse de gravure (µm)
Coût des équipements x nombre d'étapes de lithographie
méthodologie 13
Évolution des parts des technologies
<1% 1%
3% 2% 3%
100 2% GaAs
4% ECL 4% 4%
90 TTL et 7% 6% et autres
19% autres 12% 9% 12% Bipolaire
80 15% 15%
17%
70 BIPOLAIRE 20% 10% 2%
ANALOGUE 14%
22% 1%
60
Pourcentage
21%
50 2% PMOS 24% 64% 74%
60%
40
NMOS 48% MOS
41% 39%
30
20
CMOS
10
1%
BICMOS
12% <1%
0 5%
1982 1987 1989 1996
($10,2B) ($29,0B) ($46,0B) ($88,0B)
1988 1990
($41,2B) ($47,4B)
Années
Consommation de silicium: 1 057 kilomètres carrés en 1995 méthodologie 14
Quel est le but de la conception
Le but ultime de la conception est de produire les dessins des masques
d’un circuit qui est fonctionnellement équivalent à ses spécifications initia
Où rechercher la performance ?
méthodologie 16
Complexité des interconnexions
méthodologie 17
Les niveaux d'abstraction et la conception
Stochastique descendante
123 456
Queue Number
Fonctionnelle
fori=0 to10
do
caseinputof
1: b := 5;
2 b := 10 ;
end; Transfert de registres
Begin
@ Posedge(clock)
->trig ;
if (trig=1) a=b&c ;
end Portes logiques
RQ
S
transistors
Quantité d’information p p
multipliée par un ou n
n
deux ordres de grandeur masques
à chaque étape
méthodologie 18
Étapes de la conception
Spécifications
Voir cours de Conception Avancée
Définition Fonctionnelle
Placement-Routage
Vérification
dessin des masques
si la conception est bonne
méthodologie 19
Acteurs de la conception
spécifications règles de dessin
paramètres
modifications électrique
Fondeur de puce
Concepteur Outils CAO Silicium Testeur
évaluations bibliothèque
de cellules
dessin masques
vecteurs de test
Indicateurs
Full custom
Bibliothèque de cellules précaractérisées (fonction, délai)
Cellules spécialisées ( ROM, RAM, chemin de données, ...)
Prédiffusé (tableau de portes, mer de portes)
Programmable (Électriquement, logiquement)
Microprocesseurs, microcontrôleurs
méthodologie 23
Comment obtenir du rendement
Minimiser la surface
Éviter les schémas à risque
nombre rendement
1 0.9995
10 0.995
100 0.95
1000 0.61
10 000 0.0067
méthodologie 24
Le Y de Gaski
niveau système
niveau algorithme
niveau architecture
Domaine structurel niveau logique Domaine comportemental
niveau électrique
Système niveau topologique Système
Bloc fonctionnel Algorithme
Registre, UAL Transfert de Registre
Porte, Bascule Équations logiques
Transistor, fin Modèle de transistor
Polygone, contact Dessin des masques Capacité parasite,
Dessin du schéma résistance, diodes,.
Bloc
Plan de masse des blocs
Plan de masse du circuit
Encombrement système
Domaine fysique méthodologie 25
Niveaux d'assemblage
système
circuit
boîtier
puce
porte carte
transistor rack
méthodologie 26
Le Challenge: tenir les délais
Incidence sur
les bénéfices
0%
hypothèses
20% croissance du marché
-3,5% 12% d'érosion annuel des prix
-10% coût de 5 an de vie du produit
développent
dépassé de
50%
-20%
-22%
dépassement
-30% du coût
de 9 %
-33%
Production
-40% retardée de Source Mc Kinsey and Co
6 mois
méthodologie 27
Réduire le temps de conception
méthodologie 28
Période d'Horloge
T cm N g ( T pg + L * T ic ) + ( T su + T cko ) + T ck Skew
1000
Tcm = Temps de Cycle Minimum (ns) = MHz (ou période d'horloge)
F
Tpg = Temps de propagation moyen par porte (ns)
Tic = Temps de propagation par unité de longueur d'interconnexion
(quadratique finesse de gravure)
L = Longueur moyenne des connexions entre portes
Ng = Nombre de couches (portes) logiques entre registres
Tsu = Temps d'Écriture des Registres
Tcko = Temps de Lecture des Registres
Tck Skew = Dispersion des horloges dans le circuit
Ng
Registre Registre
Source Destination
Tcm méthodologie 29
D'où vient qu'un circuit dissipe de la puissance ?
2
PD = F * Ar ( I ds-sat * Ft * V dd + C * V dd ) + ( I ds-stat + I ds-leak ) * V dd
PD = Puissance dissipée
F = Fréquence d'horloge (MHz)
Ar = Taux d'activité (nombre moyen de transitions par cycle de calcul)
I ds-sat = pointe de courant (courant de court circuit ) à travers les transistors
P et N saturés durant une transition transition ( µA )
Ft = temps moyen pendant lequel les transistors P et N conduisent tous les deux (ps)
V dd = Tension d'alimentation (V)
C = Capacités parasites ( pF )
Cgs
s
p
I ds-stat = Courant statique (nul en logique non ratio) d
I ds-leak = Courant de fuite (normalement négligeable)
Cgd
d
n Cdiff-sub
Cg s
s
0V
méthodologie 30
Puissance dissipée
2
PD = F * Ar ( I ds-sat * Ft * V dd + C * V dd ) + ( I ds-stat + I ds-leak ) * V dd