CHAPITRE 2

Les Composants de

L’électronique de puissance

1 GENERALITES
Le fonctionnement des convertisseurs statique est basé sur la commutation de
courant entre mailles adjacentes de circuit électrique.

I I

Figure 1 : Principe de commutation de courant d’une maille à l’autre

Les composants semi-conducteurs constituant le convertisseur doivent travailler

comme des interrupteurs.

Ils doivent donc en général passer d’un état conducteur (dit état passant) à un état
non conducteur (dit état bloqué) et inversement. Chaque interrupteur est
caractérisé par sa caractéristique ‘’courant-tension I(V)’’. On distingue deux types
de caractéristiques :

 La caractéristique statique : Elle présente deux zones de fonctionnement

distinctes : directe et inverse.
 La caractéristique dynamique : Elle définit le temps de passage d’un état à

un autre. Elle permet de déterminer la variation des grandeurs électrique

et . Ondit que le composant est en commutation (qqss on qqs ns).

Les performances des interrupteurs de puissance sont limitées par des grandeurs
maximales admissibles dont on cite :

Imax : Valeur maximale du courant admissible : cette valeur dépend de

l’échauffement maximal toléré par la jonction.

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Vmax : Tension maximale en fonctionnement bloqué : cette tension et liée aux
problèmes de claquage de la jonction semi-conducteur.

LA DIODE

Présentation
La diode est un dipôle caractérisé par une seule jonction PN. C’est un composant
non commandable (ni à la fermeture ni à l’ouverture. Elle n’est pas réversible en
tension et ne supporte qu’une tension VAK˂0 à l’état bloqué. Elle n’est pas réversible
en courant et ne supporte qu’un courant iAK˃0.

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Fonctionnement du composant parfait
Le fonctionnement de la diode s’opère suivant deux modes :

 Diode passante (ou ON) (VAK=0 pour iAK˃0)

 Diode bloquée (ou OFF) (iAK=0 pour VAK˂0)
On dit que la diode a une caractéristique à 2 segments.

Le blocage d’une diode est caractérisé par l’annulation du courant direct qui le
traverse, puis l’apparition d’une tension inverse à ses bornes.

Caractéristiques réelle de la diode :

Le fonctionnement réel est toujours caractérisé par deux états :

 A l’état passant : VAK˂˂ ; le courant directe est limité au courant directe maximal.
 A l’état bloqué : iAK˂˂ ; la tension inverse est limitée (phénomène de claquage) à la
tension inverse maximale.

LE TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE

Présentation
Parmi les deux types, NPN et PNP, le transistor de puissance existe essentiellement
dans la 1ère catégorie (Figure5).

Le transistor est un composant totalement commandé :

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A la fermeture et à l’ouverture : il n’est pas réversible en courant, ne laissant passer
que des courants collecteurs ic positifs. Il n’est pas réversible en tension,
n’acceptant que des tensions VCE positives lorsqu’il est bloqué.

Fonctionnement du composant parfait

Le transistor possède deux types de fonctionnement :

 Le mode en commutation (ou non linéaire) employé en électronique de

puissance.
 Le fonctionnement linéaire est plutôt utilisé en amplification de signaux
(électronique).
Nous montrons dans la figure 6 l’évolution des grandeurs entre le blocage, le
fonctionnement linéaire et la saturation.

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Dans son mode de fonctionnement linéaire, le transistor se comporte comme une
source de courant ic commandée par iBet la tension VcE est imposée par Ic circuit
extérieur.

Fonctionnement de transistor
 Transistor bloqué (B) ou OFF : état obtenu en annulant le courant de
conducteur non nul et une tension VcE non fixée
 Transistor saturé (S) ou ON : le courant iB est tel que le transistor impose
une tension VcE nulle et le courant icattend une valeur limite Icsat

Commutation du transistor
Le passage de l’état saturé à l’état bloqué (ou inversement) ne s’effectue pas
instantanément. Ce phénomène doit être systématiquement étudie si les
commutations sont fréquentes (fonctionnement en haute fréquente), car il
engendre des pertes qui sont souvent prépondérantes (figure 8).

 A la fermeture :
Un retard de croissance de ic apparait à la saturation (delay time) noté td
et (rise time) noté tr.

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  A l’ouverture :
Le courant de collecteur ic ne s’annule pas instantanément le
constructeur indique le temps de stockage (storage time). Noté ts,
correspondant à l’évacuation des charges stockées (ce temps dépond
du coefficient de saturation ) et le temps de descente (fall time) noté
tf.

LE TRANSISTOR MOS ET MOSFET DE PUISSANCE

Présentation

Le transistor MOS est un composant totalement commandé : à la fermeture

et à l’ouverture.

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Il est redu grâce à une tension VGS (positive de l’ordre de quelques volts). La grille est isolée
du reste du transistor, ce qui procureure imprudence grille-source très élevée. La grille
n’absorbe donc aucun courant en régime permanent. La jonction drain-source est alors
admissible à une résistance très faible : RDson de qques m Ω.

On le bloque en annulant VGS ; RDS devient alors très élevée.

Fonctionnement et modèle du composant parfait

 Transistor ouvert (OFF) : Etat obtenue en annulant la tension VGS de
commande, procurant une impédance drain-source très élevée, ce qui
annule le courant de drain iD. La tension VDS est fixée par le circuit
extérieur.
 Transistor fermé (ON) : Une tension VGD positive rend RDS très faible et
permet au courant iDde croitre.

LE TRANSISTOR IGBT : MARIAGE DE BIPOLAIRE ET DE MOS

IGBT : Insulated Gate Bipolar Transisor, désigne un transistor bipolaire à grille
isolée.

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On distingue trois électrodes appelée grille. Emetteur et collecteur. L’IGBT en commande et
un transistor bipolaire en sortie de puissance.

Bipolaire de l’état bloqué à l’état passant du composant est réalisé par polarisation de la grille.

LE THYRISTOR

Généralités et constitution

Le thyristor est un semi-conducteur au silicium à quatre couches

alternativement P et N.
Il possède trois électrodes :

 Anode
 Cathode
 Gâchette

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Comme la diode, le thyristor laisse passer le courant électrique dans un seul sens,
de l’anode à la cathode. Mais le thyristor ne conduira que si un courant minimum
est positif est fourni à la gâchette.

C’est donc une diode commandée et plus spécifiquement un redresseur commande

d’où son nom Anglais ‘’ Silicon Controlled Rectifie’’ (SCR) ce qui signifie ‘’Redresseur
commandé au silicium’’

Amorçage du thyristor par courant de Gâchette

Le procédé d’amorçage le plus courant est celui par résistance. Le procédé consisteà
mettre une résistance entre la gâchette et la source d’alimentation. S’il s’agit d’une
source alternative, on rajoute une diode en série avec la résistance afin d’éviter
d’appliquer sur la gâchette une tension négative importante pendant l’alternance
négative. La valeur de la résistance permet de définir l’instant de l’amorçage.

Caractéristique UD = f(ID)
On remarque selon l’importance du courant de gâchette, la valeur de la tension
directe pour laquelle se produit de déclanchement est différente.

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Modèle idéal
L’amorçage du thyristor (fermeture du courant) d’effectue par le courant de
gâchette, et son blocage (ouverture decontact) s’effectue en annulant le
courant d’anode iA (iD = 0 UD = 0).

REVERSIBILITE EN COURANT

Introduction
Le fonctionnement des composants étudiés précédemment est représenté par des
segments. Cette représentation procure l’avantage de décrire la réversibilité en
tension et en courant. Jusqu’à la, nous n’avons remarqué que la réversibilité
tension dans le cas da thyristor (voir la figure ci-dessous)

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Réversibilité en courant des transistors
Les transistors bipolaires et MOS sont des composants à deux segments que
l’on qualifie de ‘’quadrant’’ : La tension et le courants sont exclusivement
positifs. On cherche à étendre leurs caractéristiques en les associant à
d’autres éléments pour faire des commutateurs réversibles en courant.
L’assemblage transistor et diode placée en parallèle inverse (antiparallèle) est
un réversiblement en courant et non pas en tension.

Cas de thyristor
Un raisonnement similaire avec le thyristor permet de réaliser un
commutateur réversible en courant.

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Nous notons qu’il s’agit d’un interrupteur à trois segments bidirectionnels en
courant et pas en tension. En effet la diode impose une tension nulle lorsque
le courant et négatif : le segment Vcom˂0 ne peut pas avoir lieu (pour ajouter
ce segment, il fendrait placer une diode en série avec le thyristor.

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