Chapitre I

Méthodes de modélisation et simulation des semi-conducteurs

de puissance
I- Les composants de l’électronique de puissance
1. Introduction :

L'électronique de puissance concerne les dispositifs (convertisseurs) permettant de changer la forme de

l'énergie électrique. L’électronique de puissance utilise des composants semi-conducteurs pour réaliser les
fonctions de commutation (interrupteurs) chargées d’adapter les tensions et les courants issus d’un réseau de
distribution pour satisfaire les besoins de la charge à alimenter.

2. Caractéristique idéalisée des différents types de semi-conducteurs

2.1 Diode à jonction

Une diode à jonction est un composant électronique constitué de deux électrodes : l’Anode A et la cathode K.
a- Polarisation d’une diode
Polarisation directe Polarisation inverse

Fig. 1.1 Polarisation directe et inverse de la diode

 En polarisation directe, la tension appliquée (VAK >0) permet le passage d’un courant électrique de
l’anode vers la cathode appelé courant direct.
 En polarisation inverse, la tension appliquée (VAK <0) empêche le passage du courant. Le courant
inverse est pratiquement nul.
b- Caractéristique statique courant-tension de la diode
Cette caractéristique décrit l’évolution du courant traversant la diode en fonction de la tension à ses bornes en
courant continu.

Fig. 1.2 Caractéristiques statiques courant – tension Fig.1.3 caractéristique linéarisée de la diode
U0 et Rd : tension de seuil et résistance dynamique de la diode
- En polarisation directe et pout I >0, la diode est équivalente à un récepteur de f.c.e.m U0 de
résistance interne (Rd = ΔVAK/ΔI)

- En polarisation inverse: pour VAK <0, I =0, la diode est équivalente à un interrupteur ouvert.

Caractéristique idéalisée de la diode :

En polarisation directe : La diode est passante ( I >0 et VAK =0)
En polarisation inverse : La diode est bloquée ( I =0 et VAK <0)
c- Diode en commutation
Lorsque la diode fonctionne en commutation, elle est soit passante soit bloquée.
Dans le montage ci-dessous, la diode est alimenté par un générateur délivrant un signal carré (basculant entre
les deux valeurs 0 et +E), elle fonctionne en commutation.

Fig. 1.4 Diode fonctionnant en commutation

2.2 Transistor bipolaire

- Equations :

- Réseaux de caractéristiques statiques d’un transistor

(emetteur commun)

Fig.1.5 Caractéristiques statiques du transistor

Transistor bipolaire en commutation :
Soit le montage suivant :

Fig.1.6 transistor fonctionnant en commutation

L’état de la lampe L dépend de l’état du transistor (bloqué ou saturé) ; donc de l’état de l’interrupteur K .
- Si K est ouvert : IB = 0 donc L éteinte
- Si K est fermé : IB # 0 donc L allumée

Le transistor joue le rôle d’un interrupteur ouvert lorsqu’il est bloqué, d’u interrupteur fermé lorsqu’il est
saturé.
Les points de fonctionnement du transistor sont choisis dans les zones de blocage et de saturation

Fig. 1.7 Zones de fonctionnement en commutation

  Dans la zone de saturation :
Le transistor est dit saturé.
 Dans la zone de blocage :
Le transistor est bloqué.
Lorsque le transistor fonctionne en commutation parfaite son point de fonctionnement est :

 Soit en S, le transistor est parfaitement saturé,

Le transistor est équivalent à un interrupteur fermé

 Soit en B, le transistor est parfaitement bloqué

Le transistor est équivalent à un interrupteur ouvert.

2.3. Thyristor (SCR) :

2.3.1 Présentation :
Le thyristor est un composant électronique unidirectionnel (le
courant passe dans un seul sens) commandé à la fermeture, mais
pas à l’ouverture Figure ci-contre. Il est réversible en tension et
supporte des tensions VAK aussi bien positives que négatives. Il
n’est pas réversible en courant et ne permet que des courants iAK
positifs, c’est à dire dans le ens anode-cathode, à l’état passant.

«
Symbole du thyristor »
2.3.2 Principe de fonctionnement :
Le fonctionnement du thyristor s’opère suivant deux modes :
L’état passant (ON) :
L’amorçage du thyristor est obtenu par un courant de gâchette i G positif d’amplitude suffisante alors que la
tension VAK est positive.
Cet état est caractérisé par une tension VAK nulle et un courant iAK positif.
L’état bloqué (OFF) :
En distingue deux types de blocage:
 Blocage naturelle par annulation du courant iAK.
 Blocage forcée par inversion de la tension VAK.
2.3.3 Caractéristique Tension-Courant :
Valeurs maximales admissibles :
IFmax : courant direct (Forward) maximal admissible.
VDRM: tension maximale directe répétitive.
VRRM : tension maximale inverse répétitive.
tension de seuil (ou de "déchet") : Vd =0,6 à 0,7 V

Fig. 1.8 Caractéristiques Tension-Courant du thyristor

2.4. Thyristor GTO :

2.4.1 Présentation :
Le thyristor GTO (Gate Turn Off) est une évolution du thyristor classique qui a la propriété de pouvoir être
bloqué à l'aide de la gâchette, contrairement aux thyristors classiques. Il est utilisé pour les commutations
des fortes puissances.

« Symbole du thyristor GTO »

2.4.2 Principe de fonctionnement :
L’état passant (ON) :
Un GTO s'amorce par la gâchette (avec VgK>0) comme un thyristor ordinaire. Le courant de gâchette peut
être de quelques ampères. Une fois la conduction amorcée, elle se maintient.
L’état bloqué (OFF) :
Le mode de blocage spécifique du GTO consiste à détourner le quasi totalité du courant d'anode dans la
gâchette. En pratique, on applique donc une tension négative sur la gâchette (Vgk<0) pour détourner le
courant. L'opération doit avoir une durée minimale pour assurer un blocage fiable.
2.5. Triac:
2.5.1 Présentation :

2.5.2 Principe de fonctionnement :

2.5.3 Caractéristique Tension-Courant :

2.6. Transistor MOS de puissance :

2.6.1 Présentation :
Le transistor MOS est un composant totalement commandé : à la fermeture et à l’ouverture. Il est rendu
passant grâce à une tension VGS positive (de l’ordre de quelques volts). La grille est isolée du reste du
transistor, ce qui procure une impédance grille-source très élevée. La grille n’absorbe donc aucun courant en
régime permanent. La jonction drain-source est alors assimilable à une résistance très faible (interrupteur
fermée). On le bloque en annulant la tension VGS.
 « Symbole de transistor MOS»
2.6.2 Principe de fonctionnement :
 Transistor bloqué ou OFF : L’équivalent d’un commutateur ouvert.
VGS=0 ID=0
 Transistor saturé ou ON : L’équivalent d’un commutateur fermé.
VGS >0 ID >0

7. Transistor IGBT :
Transistor bipolaire à grille isolée est le mariage du bipolaire et du MOS, Le transistor bipolaire assure une
chute de tension à l’état passant (V CE) plus favorable que le MOS. Par contre, c’est le MOS qui est plus
avantageux en raison de sa commande en tension. Un transistor hybride, commande MOS en tension et circuit
de puissance bipolaire, permet de meilleures performances : c’est le transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor).

« Symbole de transistor IGBT»

 II- Méthodes de simulation des convertisseurs statiques :
Un circuit électrique possédant des semi conducteurs fonctionnant en commutation est constitué de deux sous
systèmes distincts mais très interconnectés: un système logique qui prend en compte la modélisation des
interrupteurs et un système analogique représentant les composants électriques du circuit ( les modèles
électriques des semi conducteurs étant inclus).

Nous allons étudier la mise en équation et la résolution des équations du sous-système analogique.
La résolution de ces équations permet d’obtenir les réponses temporelles d’un montage pour de nombreux
régimes de fonctionnement (permanents, transitoires, perturbés, dégradés …).

1- Représentation d’état
Dans le cadre de l’étude d’un circuit électrique, les critères déterminants sont les suivants :
- Mise en équation automatique pour toute structure de circuit.

- Traitement aisé par calculateur (représentation matricielle), c'est-à-dire un temps de calcul et une place
mémoire les plus faibles possibles.

- Obtention de réponses temporelles (régimes permanents et transitoires) au niveau de toutes les

grandeurs du circuit (tension et courant au niveau de tous les composants).

La représentation sous forme d’état à été choisie parce qu’elle permet la représentation d’un système physique
quelconque.
L’objectif est de fournir les équations du circuit sous forme d’état, c'est-à-dire sous la forme d’équations
différentielles du premier ordre que l’on peut écrire :

A : matrice dynamique du système (matrice d’évolution)

B : matrice de commande
C : Matrice d’observation
D : matrice de transmission

2- EXEMPLES D’APPLICATION

2.1 Modélisation des convertisseurs DC-DC

Simulink représente un outil numérique de simulation des signaux, intégré dans le logiciel d’environnement
informatique MATLAB. Il ne possède que certains modèles généraux dans ses bibliothèques et un modèle
spécifique pour chaque composante d’u système doit être développé à base d’un modèle mathématique.
2.1.1. Modèle mathématique du convertisseur Boost
Le modèle mathématique du hacheur parallèle est obtenu par l’application des lois de Kirchoff sue le schéma
de base du hacheur et par rapport au régime de fonctionnement et la condition de l’interrupteur S.

Fig. 1.9 Schéma de principe du hacheur parallèle

(1)
Les équations dynamiques du hacheur sont dérivées pour le courant dans l’inductance et la tension aux bornes
du condensateur en régime de conduction continu exprimé en (1) , ou i L est le courant dans la bobine L, E est
la tension d’entrée , Vdc est la tension de sortie et u est la commande .
Soit x1 = iL et x2 = Vdc alors les équations d’état deviennent :

(2)
Alors, la représentation classique en espace d’état 𝑥̇=𝐴.𝑥+𝐵.𝑢 de (2) se transforme en :

(3)

2.1.2. Modèle mathématique du convertisseur Buck-Boost

La représentation de l’opération de ce type de convertisseur par des équations mathématiques doit être réalisée
en prenant compte de l’interrupteur S dans la figure 1.10. Quand l’interrupteur est en état passant, alors
Ton = α*.Ts. Comme résultat, l’énergie stockée dans l’inductance augmente. Quand S est bloqué, alors
Toff = (1- α)*.Ts et l’énergie accumulée dans l’inductance se transfert vers la capacité et la charge.

Fig. 1.10 Schéma de principe du convertisseur Buck/Boost

 (4)
La procédure de dérivation des équations dynamiques en régime de conduction continue est la même que dans
le cas du hacheur parallèle. En régime interrupteur passant, S est égal à 1, la diode est bloquée et les équations
dans ce cas sont :

(5)

Lorsque l’interrupteur est bloqué, S est égal à 0 et la diode conduit. Les équations sont :

(6)
L’application de la méthode d’espace d’état des équations (4), (5) et (6) est représentée dans le système
suivant :