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COURS 2 :
PANNEAUX PHOTOVOLTAIQUES
Auguste NDTOUNGOU
Monocristallin
104 cellules
Puissance de 400 Wc
Etats-Unis
Sunpower Maxeon 3 Rendement 22,6% 479€
Chine
Garanti 25 ans
Garantie de rendement de 92 %
au bout de 25 ans
Monocristallin
144 cellules
Eurener MEPV HALF-CUT Puissance de 415 Wc - Espagne
Rendement 20,40%
Garanti 15 ans
Monocristallin
60 cellules
Puissance de 375 Wc
LG Solar NeON R Rendement 21,7% 470€ Corée du Sud
Garanti 25 ans
Garantie de rendement de 90,8%
après 25 ans
Monocristallin France
60 cellules
Puissance de 300 Wc
Dualsun Dualsun Flash Rendement 18,3 % 171€
https://www.insunwetrust.solar/blog/le-solaire-et-vous/rendement-panneau-solaire/
Garanti 25 ans
2022-01-16
16/01/2022 SYSGarantie
ÉNERGIE de rendement de 80 %
864 SOLAIRE 7
après 25 ans
PANNEAUX SOLAIRES MONOCRISTALLINS (MONO-SI)
Icc
Vpv
5 10 15 20 Vc0
2022-01-16 ÉNERGIE SOLAIRE 11
PARAMÈTRES DU PANNEAU À DÉFINIR
•Rendement
Pout Pmax
η =
=
Pin Pin
Vc0 Vpv
Isc est directement
Une augmentation de la proportionnel à l’éclairement
température va réduire la mais la tension Voc. reste
puissance (MP) et la tension quasiment indépendante sauf
des cellules. à très faible éclairement
2022-01-16 ÉNERGIE SOLAIRE 25
•MPPT (Maximum Power Point Tracking)
Power
Current
Figure 2.23 Un string sur trois partiellement ombragé G = 500W/m2 avec diode bypass
vd
vT
ID
Courant dans la diode= I 0 ( e − 1)
IO : Courant de saturation
vT 26 mV à=
= T 300° K
I 0 : Courant de saturation
ID
Isc1 RP VPV
RS
G Ipv2
ID
Isc2 RP
Comme IPV devient IPVT, et on divise le terme RsIPV/VT par Np, car la
résistance Rs est parcourue uniquement par le courant d'une seule
cellule et non par le courant total.
I=
PVT
I PV 1 + I PV 2
2022-01-16 ÉNERGIE SOLAIRE 41
Panneau photovoltaïque Np = 1, Ns = 2
G RS
Ipv1 Ipv1=Ipv2
ID
Isc RP Vpv1
G
RS
Ipv2 V=
PVT
VPV 1 + VPV 2
ID
Isc RP Vpv2
a) b)
Deux cellules photovoltaïques placées en série :
2022-01-16 a) Configuration,ÉNERGIE
b) Caractéristiques.
SOLAIRE 42
On définit la tension totale à la sortie VPVT comme étant la
somme de VPVT=NsVPV1. L’équation devient :
𝑉𝑉𝑃𝑃𝑃𝑃1 𝑅𝑅𝑠𝑠 𝐼𝐼𝑃𝑃𝑃𝑃 𝑉𝑉𝑑𝑑
+
𝐼𝐼𝑃𝑃𝑃𝑃 = 𝐼𝐼𝑆𝑆𝑆𝑆 − 𝐼𝐼0 (𝑒𝑒 𝑉𝑉𝑇𝑇 𝑉𝑉𝑇𝑇 − 1) −
𝑅𝑅𝑃𝑃
𝑉𝑉𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃 𝑅𝑅𝑠𝑠 𝐼𝐼𝑃𝑃𝑃𝑃 𝑉𝑉𝑑𝑑
+
𝐼𝐼𝑃𝑃𝑃𝑃 = 𝐼𝐼𝑆𝑆𝑆𝑆 − 𝐼𝐼0 (𝑒𝑒 𝑁𝑁𝑆𝑆 𝑉𝑉𝑇𝑇 𝑉𝑉𝑇𝑇 − 1) −
𝑅𝑅𝑃𝑃
where:
Id = diode current (A)
Vd = diode voltage (V)
I0 = diode saturation current (A)
VT = temperature voltage = k*Tcell_K/q*nI*Ncell*Nser
Tcell_K = cell temperature (K),
k = Boltzman constant = 1.3806e-23 J.K^-1
q = electron charge = 1.6022e-19 C
nI = diode ideality factor
Ncell= number of series-connected cells per module
Nser = number of series-connected modules per string
2022-01-16 ÉNERGIE SOLAIRE 52
E_g=EgRef*(1+dEgdT*(Tcell_K-Tref_K))
I0_T=I0_ref*((Tcell_K/Tref_K)^3)*exp((EgRef/(k1*Tref_K))-(E_g/(k1*Tcell_K)))