Electronique Analogique

ECOLE POLYTECHNIQUE Yvan Bonnassieux
PHY 568 Microelectronique

Promotion X2003
Introduction à
l’électronique analogique
yvan.bonnassieux@polytechnique.fr
Sommaire
Modèle hybride π du transistor MOS
Montage source commune (transconductance)
Montage Drain Commun (suiveur en tension)
Montage Grille Commune (Convoyeur de courant)
Montages composites
Montages Amplificateurs
Plots d’Entrée/Sortie
Ecole polytechnique, Majeure MNO, PHY568 Y. Bonnassieux, Janv 2006 diapo 2

Modèle hybride π du transistor MOS

Equations d'états
2 zones de fonctionnement :
zone résistive (VDS < (VGS-VT))
zone ''de pincement'' (pinch-off région ou zone de saturation) VDS > (VGS-VT))

Equations d'états
µ nCox W
(VGS − Vt )2
zone ''de pincement'' (pinch-off
région ou zone de saturation) ID =
2 L
VDS > (VGS-VT))
Pour la zone résistive W
I D = µ n Cox (VGS − Vt )VDS
(VDS < (VGS-VT)) L
ID courant circulant dans le canal

L dessinée µn mobilité globale des électrons
Cox capacité par unité de surface de l'oxyde
L réelle W et L largeur et longueur du canal
VGS la tension grille-source
Vt la tension de seuil.

Représentation Quadripôle Simplifié
Dans la zone de fonctionnement saturée
Tension grille-source: grandeur d’entrée du quadripôle.
Courant drain-source la grandeur de sortie.
Pas de courant de grille : impédance d'entrée infinie, commande en tension

''pure''.
transconducteur :
Fonction ''transconducteur''
courant drain commandé par le carré de la tension grille-source VGS..

Capacités parasites du MOS
CGS = CGS
0
+ CGS
I
CoGS CIGS CIGD CoGD
CSB CDB CGD = CGD

0
+ CGD
I
CGS capacité Grille-Source

CGD capacité Drain-Source
CSB capacité Source-Substrat
Souvent négligeables
CDB capacité Drain-Substrat

Modèle petits signaux
Point de fonctionnement : Polarisation statique
VDS 0 = VDD − Rd I D 0
ID0 R2
VGS 0 = VDD
R1 + R2
VDS0
Déterminer : - Le gain de transduction
- La plage dynamique
ID0
Attention aux pertes générées par la polarisation
VGS0
Superposition de signaux dynamiques
Capacités de découplage

les modèles petits signaux étant variationnels:
⇒ Grandeurs électriques continues considérées comme nulles.
⇒ remplacées par des masses virtuelles
Paramètres incrémentaux
L’équation d’état permet de calculer par dérivation les paramètres incrémentaux ''petits signaux''
⎧ W
∂I D ⎪⎪ µ n C ox L
V DS Zone Résistive
Transconductance gm = =⎨
∂ V GS ⎪ µ n C ox W
(V G S − V t ) = W
µ n C ox ID Zone Saturée
⎪⎩ L L
Conductance de sortie g DS = ∂VDS =λI D

∂I D

Paramètres Additionnels
Limitation de la bande passante ⇒ prise en compte des capacités CGS & CGD
gm
Permettent de définir la fréquence de coupure : fc =
2π (CGS + CGD )
Schéma équivalent petits signaux

Montage source commune
(transconductance)

Montage Source Commune
la source est prise comme référence commune à l’entrée et à la sortie
DD
RL

(on néglige les capacités – basses fréquences)
Rs

Caractéristique du quadripôle
Impédance d’entrée Rin= ∞
Impédance de sortie Rout =1/gDS || RL ≈ RL
Gain en tension
= − g m (1 / g D S RL ) ≈ − g m RL
vout
Av =
vin

Réponse en fréquence ( effet MILLER)
Impossible de négliger les capacités grille-drain CGD et grille-source CGS
1
in
out
1
in
out
Prise en compte de CGD via une capacité ramenée sur l’entrée :capacité Miller : CMi
CMi=( 1 + gmRL) CGD

Réponse en fréquence ( effet MILLER)
Exemple
Impédance totale d'entrée :
z
gm =1 mA/V, RL = 20kΩ, RS = 1kΩ

CGS = 2.5 pF, CGD = 0.5 pF
Zin = 1/jω(CGS + CMI)
V1
vin
vout
Gain en tension :
z
vout =−g mRL Zin = −g mRL

vin RS + Zin 1+ jωRS (CGS +CM i )
Pulsation de coupure ω0
ω0 = 1 / RS [CG S + (1 + g m RL )CGD ]

Caractéristiques globales
''Source Commune'' ⇒ configuration Transconductrice.
Grande impédance d'entrée: entrée en tension
Grande impédance de sortie: sortie en courant
montage inverseur

Montage Drain Commun
(suiveur en tension)

le drain qui est commun à l’entrée et à la sortie
DD
Rs
RL
in
out
vin
vout
(basse fréquence)
Impédance d’entrée :
Rin= ∞ pas de courant dans la grille
Impédance de sortie :
Rout = 1/gm//RL≈ 1/gm impédance basse ⇒ signal de sortie plutôt «en tension».
Gain en tension :
V out 1
= ≈1
Vin 1 + 1
g m RL

Le montage ''drain Commun''
Commun est une configuration ''Suiveur de Tension''.
Tension
''la source suit la grille'' en tension
gain en tension unité : vout/vin ≈ 1
grande impédance d'entrée
faible impédance de sortie ~ 1/gm

Montage Grille Commune
(Convoyeur de courant)

la grille est commune à l’entrée et à la sortie et reliée à la masse

Approche basses fréquences ( on négliges les capacités)
1/GDS supposée infinie
Qui peut être mis sous la forme
RS S D
gmV1 gmV1
RL
G G

RS S
(basse fréquence) D
gmV1
vin
vout
gmV1
V1
Impédance d’entrée : RL
G G
Rin = 1/gm
Impédance de sortie :
1 + g m RS
Rout =
g DS
Gain en courant :
Ai = 1
Gain en tension :
g m RL
Av =
1 + g m RS

Le montage '‘Source Commune''

Commune est une configuration ‘Convoyeur de courant''.
courant
gain en courant unité: iout/iin = 1 non-inverseur

faible impédance d'entrée ~1/gm
très grande impédance de sortie : 1/gDS

Montages composites
Sources de courant.
Etage amplificateur
Offset de tension
Etage de sortie

Miroirs de courant
Objectif ⇒ courant constant et indépendant des paramètres du circuit et des tensions.

.
plusieurs utilisations possibles :
Sources de courants
polarisation statique de transistors
charge active (synthèse de résistances virtuelles de valeur élevée)
changement de point d'attache d'un signal

Miroirs de courant Miroir de courant élémentaire
2 transistors MOS (Q1 et Q2) identiques.

même tension grille-source ⇒ même courant de drain.
Si I1=Id'entrée:
Impédance ref
alors I2= I1=Iref, ∀charge sur le drain de Q2.
z
Impédance d’entrée : 1
Impédance de sortie: Rin =
gm
z
1
Impédance de sortie : Rout =
Gain en courant unité:
z
g DS
Gain en courant : Ai ≈ 1

Décaleur de tension
montages décaleurs de tension

⇒ adaptation de niveau de tension entre deux
2 transistors MOS Q1 et Q2 parfaitement appairés
et fonctionnent en régime saturé.
Equations d’états :
ID1=ID2
V1=VGS1+V2 et V2=VGS2
Ce qui donne en mode saturé
µ nCox W1
(V1 − V2 − Vt )2 = µ nCox W2 (V2 − Vt )2
2 L1 2 L2
1
Dans le cas ou (W2/L2)= (W1/L1) on obtient : V2 = V1
2

Paire différentielle
Objectifs
Amplifier la différence entre 2 signaux
Ne pas amplifier la valeur moyenne des 2 mêmes signaux
2 transistors à sources couplées (M1, M2)
1 source de courant I0 (M3, M4, R)
2 résistances RL de charge sur les drains
2 entrées (Vi1, Vi2) grilles de (M1, M2).
2 sorties (Vo1, Vo2) drains de (M1, M2).

Mode différentiel et Mode Commun
vid = vi1 − vi 2 Différentiel vod = vo1 − vo 2

vi1 + vi 2 vo1 + vo 2
vic = Commun voc =
2 2
Equation en gain de la paire différentielle
Objectif
vod = Add vid + Adc vic Nuisible
voc = Acd vid + Acc vic

Taux de Réjection en Mode Commun (Common Mode Rejection Ratio)
Add
TRMC = 20 log10 ( ) ≅ 60 dB
Adc
Gain en Mode différentiel ADD
M1 et M2 identique ⇒ Montage symétrique
I0 constant ⇒ masse virtuelle
Néglige:
résistance Drain-Source 1/gDS
les capacités parasites.
On obtient
g m RL
vod 1 = − vid
2 Soit globalement
vod
Add = = − g m RL
vid

Gain en Mode Commun ADC
Tension vi2=0
⇒ Grille de M2 est connectée à la masse
⇒ vi1=vic.
Impossible de négliger la résistance parallèle de la

source de courant Rss.
voc g m RL
gain en Mode Commun. Acc = =−
vic 1+ 2 g m Rss
résistance Rss grande, le gain en mode commun est faible.
Taux de réjection en mode commun : TRMC = 20 log10 (1 + 2 g m Rss )

Utilisation d’une charge active
gain d’une paire différentielle % résistance de drain

⇒ augmentation par un miroir de courant
(transistors M5 et M6)
M5
gain en mode différentiel :
M6
g m5 (W5 / L5 )
Add = − =−
g m1 (W1 / L1 )
gain en commun :
g m1
Acc = −
g m1 (1 + 2 g m1 Rss )

Montages Amplificateurs

Amplificateur Simple
montage « source commune »

remplacer la résistance de drain.
par un transistor NMOS.
caractéristique de transfert en tension

On se place dans le cadre des 2 Transistors en mode saturés
W1 W
I D1 = µ nCox (V1 − Vt ) 2 = I D 2 = µ nCox 2 (VDD − V2 − Vt ) 2
2 L1 2 L2
ce qui donne pour la tension de sortie :

W1 L1
V2 = VDD − Vt − (V1 − Vt )
W2 L2
Soit un gain dynamique en tension :
dV2 W1 L1
Av = =−
dV1 W2 L2

Approche Petit signaux
La loi des nœuds en sortie :
V2 V
-Gm2V2 g m1V1 + g m 2V2 + + 2 =0
1 g ds1 1 g ds 2
V1 gm1V1 1/gDS2 V2
1/gDS1 Soit le gain en tension
V2 g m1
Av = =−
V1 g m2 + g sd 1 + g sd 2
Résistance de sortie
1
Rs =
g m 2 + g ds1 + g ds 2

Inverseur CMOS
caractéristique
de transfert
en tension
Montage petits signaux

GmpV1
Gain en tension
V1 gmnV1 1/gDSn V2
V2 g + g mp 1/gDSn
Av = = − mn
V1 g DSn + g DSp

Amplificateur Opérationnel
Objectifs :
Amplifier avec un gain important une différence de tension.
Avoir une impédance de sortie la plus faible possible
Avoir une impédance d’entrée la plus grande possible
Une structure en plusieurs étages

Exemple simplifié de structure

Caractéristique d’un amplificateur opérationnel réel
Par exemple pour le LF356 de National Semiconductor :

TRMC :100 dB
Impédance d’entrée : 1012Ω
Bande Passante


Rôles des plots d’Entrée/Sortie :

Interfaçage entre l’extérieur et le cœur du circuit (interfaçage « mécanique » et électrique).
Protéger le circuit contre les charges électrostatiques.
Intégrer certaines fonctions de base : sortie bidirectionnelle, 3 états, test ( JTAG), ...


Protection électrique
Interface électrique
buffer
Structure globale d’un plot de sortie


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ECOLE POLYTECHNIQUE Yvan Bonnassieux

PHY 568 Microelectronique

Montage source commune (transconductance)

Montage Drain Commun (suiveur en tension)

Montage Grille Commune (Convoyeur de courant)

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Ecole polytechnique, Majeure MNO, PHY568 Y. Bonnassieux, Janv 2006 diapo 3

Ecole polytechnique, Majeure MNO, PHY568 Y. Bonnassieux, Janv 2006 diapo 4

ID courant circulant dans le canal

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Pas de courant de grille : impédance d'entrée infinie, commande en tension

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CoGS CIGS CIGD CoGD

CSB CDB CGD = CGD

CGS capacité Grille-Source

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Ecole polytechnique, Majeure MNO, PHY568 Y. Bonnassieux, Janv 2006 diapo 8

Conductance de sortie g DS = ∂VDS =λI D

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Schéma équivalent petits signaux

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Ecole polytechnique, Majeure MNO, PHY568 Y. Bonnassieux, Janv 2006 diapo 11

Schéma équivalent petits signaux

Ecole polytechnique, Majeure MNO, PHY568 Y. Bonnassieux, Janv 2006 diapo 12

Impédance d’entrée Rin= ∞

Impédance de sortie Rout =1/gDS || RL ≈ RL

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Impossible de négliger les capacités grille-drain CGD et grille-source CGS

CMi=( 1 + gmRL) CGD

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gm =1 mA/V, RL = 20kΩ, RS = 1kΩ

vout =−g mRL Zin = −g mRL

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''Source Commune'' ⇒ configuration Transconductrice.

Grande impédance d'entrée: entrée en tension

Grande impédance de sortie: sortie en courant

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Ecole polytechnique, Majeure MNO, PHY568 Y. Bonnassieux, Janv 2006 diapo 17

Schéma équivalent petits signaux

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''la source suit la grille'' en tension

gain en tension unité : vout/vin ≈ 1

grande impédance d'entrée

faible impédance de sortie ~ 1/gm

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Qui peut être mis sous la forme

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Le montage '‘Source Commune''

gain en courant unité: iout/iin = 1 non-inverseur

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Objectif ⇒ courant constant et indépendant des paramètres du circuit et des tensions.

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2 transistors MOS (Q1 et Q2) identiques.

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montages décaleurs de tension

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2 transistors à sources couplées (M1, M2)

1 source de courant I0 (M3, M4, R)

2 résistances RL de charge sur les drains

Montage source commune (transconductance)

Montage Drain Commun (suiveur en tension)

Montage Grille Commune (Convoyeur de courant)

Impédance d’entrée Rin= ∞

Impédance de sortie Rout =1/gDS || RL ≈ RL

Grande impédance d'entrée: entrée en tension

Grande impédance de sortie: sortie en courant

''la source suit la grille'' en tension

gain en tension unité : vout/vin ≈ 1

grande impédance d'entrée

faible impédance de sortie ~ 1/gm