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Fiche explicative de la leçon : Semi-conducteurs dopés

Physique

Dans cette fiche explicative, nous allons apprendre comment décrire l'effet du dopage d'un semi-conducteur sur
ses propriétés électriques.

Pour commencer, rappelons quelques notions de base sur les semi-conducteurs. Les semi-conducteurs ont une
conductivité qui se situe entre celles des matériaux isolants et conducteurs. Des propriétés particulières des
semi-conducteurs nous permettent de contrôler leur conductivité de manière spécifique et utile. Le semi-
conducteur pur est constitué d’un seul élément, le plus souvent du silicium, et ne contient pas d’autres
composants.

Un atome de silicium neutre a quatre électrons dans sa couche électronique externe, appelée couche de valence,
et dans un réseau d’atomes, les électrons de valence sont mis en commun entre les atomes voisins pour former
des liaisons covalentes. Cette configuration en réseau est illustrée sur le schéma ci-dessous. Notez que seuls les
électrons de la couche externe de chaque atome sont représentés.

Chaque atome du réseau a des voisins en haut, en bas, à gauche et à droite, de sorte qu’il est entouré de quatre
paires d’électrons. Avec ces huit électrons, la couche la plus externe de l’atome est au complet. Les atomes avec
une couche électronique externe complète sont mauvais conducteurs de l’électricité ; nous devons donc trouver
des moyens techniques si l’on souhaite augmenter la conductivité des semi-conducteurs purs.

Un moyen pour augmenter la conductivité d’un matériau semi-conducteur pur est d’augmenter sa
température. Si un électron reçoit suffisamment d’énergie thermique, il peut s’affranchir de sa liaison atomique
et se déplacer dans le réseau sous forme d’électron libre. Quand un électron est libéré, il laisse derrière lui un
trou, ou vacance, qui a une charge positive. Si un autre électron libre du réseau passe près d’un trou, il y a de
forte chance qu’il va tomber dans le trou, c’est-à-dire il va être lié à l’atome, et perd son énergie. Ce processus
forme un cycle de transfert d’énergie entre les électrons libres, liés et les trous. Ce genre de déplacement des
charges libres est la façon dont les semi-conducteurs purs conduisent l’électricité.
Notez en particulier que pour un semi-conducteur pur en équilibre thermique, à chaque trou d’électron
correspond un électron libre qui a laissé le trou en place. Ainsi, le nombre des électrons libres, représenté par
𝑛 , est égal au nombre des trous d’électron 𝑝 , de sorte que le réseau atomique reste électriquement neutre.

Si la température d’un semi-conducteur augmente, sa conductivité augmente également, car plus la

température est élevée, plus on a d’électrons libres. Un autre moyen, qui est plus efficace, pour augmenter la
conductivité d’un semi-conducteur est le dopage, c’est ce que vous allons voir dans la suite de cette fiche
explicative.

Le dopage consiste à implanter des atomes d’un autre élément dans le réseau atomique du semi-conducteur
pur. Ainsi, nous ajoutons des « impuretés » correctement sélectionnées au matériau, de sorte qu’il n’est plus
« pur » ou composé d’un seul élément. Nous avons vu qu’un atome de silicium neutre a quatre électrons de
valence (la couche la plus extérieure), ce qui permet la formation du réseau dont chaque atome de Si , possède
une couche externe complète. Dans cette fiche explicative, nous allons explorer ce qui se passe lorsque des
atomes de silicium à l’intérieur du réseau sont remplacés par des atomes d’un autre élément qui possèdent un
électron de valence en plus ou en moins que l’atome de silicium. Plus précisément, avec un élément qui
(lorsqu’il est neutre) possède trois ou cinq électrons de valence.

Pour simplicité, nous nous limiterons à examiner un seul élément pour chaque type, et nous allons utiliser le
phosphore ( P ) comme le type d’atome à cinq électrons de valence. Le schéma ci-dessous montre un atome de
phosphore neutre.

Et nous utiliserons le bore ( B ) comme atome à trois électrons de valence. Le schéma ci-dessous montre un
atome de bore neutre.

Le nombre d’électrons dans la couche externe détermine la manière dont il affecte la conductivité, ce que nous
allons voir en détail tout de suite. Nous examinerons séparément les dopages par du phosphore et par du bore.

Pour commencer, concentrons-nous sur les effets du remplacement d’un atome dans un réseau de silicium par
un atome de phosphore, comme le montre le schéma de l’exemple ci-dessous.

Plutôt que d’avoir quatre électrons externes comme le silicium, un atome de phosphore neutre entre dans le
réseau avec cinq électrons externes. Maximum huit électrons peuvent occuper la couche externe, de sorte que
seuls quatre électrons de l’atome de phosphore sont partagés en liaisons covalentes, comme nous l’avons vu
auparavant. Cependant, l’atome de phosphore a cinq électrons externes, il y a donc un électron supplémentaire
qui ne rentre pas dans la couche. L’électron supplémentaire n’est donc pas impliqué dans une liaison
covalente, et donc il peut se déplacer dans le réseau atomique comme un électron libre.

Quatre des cinq électrons externes de l’atome de phosphore sont liés au noyau, et le cinquième est maintenant
libre et n’est lié à aucun atome. Ainsi, chaque atome de phosphore qui est introduit dans le réseau fournit un
électron libre au matériau. Le fait d’avoir plus de charges libres augmente la conductivité du matériau, donc le
dopage d’un semi-conducteur pur par des atomes de P , augmente la conductivité du matériau dans son
ensemble.

Voyons comment nous pouvons exprimer ce concept de manière quantitative.

Exemple 1: Les électrons dans un semi-conducteur dopé

Le schéma ci-dessous montre un réseau d’atomes de silicium dans lequel on a incorporé un atome de
phosphore. Un atome de phosphore a cinq électrons de valence. Un atome de silicium en a quatre.

1. Combien de liaisons covalentes se forment entre un atome de phosphore et les atomes de silicium
voisins ? 
2. Combien d’électrons libres s’ajoutent au réseau lorsqu’on y implante un atome de phosphore ? 
3. Quelle est la charge nette de l’atome de phosphore après son implantation au réseau ? 
A. +4
B. +1
C. 0
D. −1
E. −4

Réponse
Partie 1

Le schéma montre qu’un atome à l’intérieur du réseau est entouré de quatre autres atomes, situés
respectivement en haut, en bas, à gauche et à droite. Ainsi, un atome interne dans le réseau, en
l’occurrence l’atome de phosphore illustré ci-dessus, peut avoir quatre liaisons covalentes avec des atomes
voisins. Rappelez-vous que chaque liaison covalente est composée de deux électrons - cela donne un total
de huit électrons autour de l’atome, ce qui complète la couche électronique de valence.

Ainsi, l’atome de phosphore forme 4 liaisons covalentes avec des atomes de silicium adjacents.

Partie 2

Un atome de phosphore neutre a cinq électrons dans sa couche de valence. Lorsqu’un atome de P est
introduit dans le réseau, il forme des liaisons covalentes avec quatre atomes de Si voisins. Par conséquent,
quatre des cinq électrons de valence que possède l’atome de P sont partagés avec des atomes adjacents.
 La couche de valence de l’atome de P peut contenir maximum huit électrons. Comme il y a quatre
liaisons covalentes (et donc huit électrons) entourant immédiatement l’atome, la couche de valence est
pleine et ne peut plus contenir le dernier électron de l’atome de phosphore. Étant donné que cet électron
supplémentaire n’est quasiment pas lié à l’atome de P , il est à l’état d’électron libre dans les conditions de
température ambiante.

De ce fait, chaque atome de phosphore incorporé ajoute 1 électron libre au réseau.

Partie 3

L’atome de phosphore a perdu un de ses électrons qu’il possédait normalement. Puisqu’il a perdu un
électron, dont la charge est de −1 (unité par définition), nous pouvons dire qu’une charge de −1 a été
soustrait à l’atome, ce qui lui donne une charge nette positive.

Ainsi, la charge nette de l’atome de phosphore devient +1, et le choix B est correct.

Avant de poursuivre, faisons une mise au point de terminologie : nous utiliserons les termes trivalent,
tétravalent et pentavalent pour décrire les atomes selon le nombre d’électrons qui possède dans leur couche de
valence, c’est-à-dire dans leur couche électronique externe. Par exemple, le silicium a quatre électrons dans sa
couche de valence, donc on dit qu’il est tétravalent, où le préfixe « tétra » signifie « quatre ». Un atome de bore a
trois électrons de valence, donc il est trivalent, et le phosphore est pentavalent car il a cinq électrons de valence.
Enfin, l’élément utilisé pour doper un matériau pur est appelé « impureté » ou « dopant ».

L’exemple ci-dessus explique pourquoi un atome de phosphore neutre ajouté à un réseau de silicium neutre
acquiert une charge nette de +1. En raison de cette charge nette positive, nous pouvons désigner cet atome de
phosphore (ou tout atome pentavalent utilisé pour le dopage) comme un atome donneur positif. On exprime la
concentration d’atomes donneurs avec le symbole 𝑁D , où 𝑁 représente la quantité, D signifie « donneur » (car
l’atome a « donné » un électron au matériau), et le signe + désigne la charge nette positive de phosphore dans le
réseau. Ainsi, la concentration de phosphore dans le matériau est représentée par 𝑁D .

Rappelez-vous que pour un semi-conducteur pur, non dopé, chaque électron devenu libre laisse un trou
d’électron dans le réseau. En revanche, lorsqu’un atome donneur fournit un électron libre à la matrice, il ne
conduit pas pour autant à la formation d’un trou, du fait de la faible énergie d’attraction de l’atome donneur
vis-à-vis des électrons. Cette caractéristique est importante, car lorsqu’on rencontre un électron libre dans un
matériau dopé par un élément pentavalent, on sait que cet électron peut avoir l’une des deux origines : soit il
provient d’un atome donneur ; soit d’une liaison covalente rompue dans un atome tétravalent comme le
silicium.

Le dopage par atomes donneurs augmente la valeur de 𝑁D et conjointement la densité 𝑛 d’électrons libres qui,
selon le taux de dopage, devient supérieure à la densité de trous d’électrons 𝑝 . Pour cette raison, nous appelons
ce type de semi-conducteur un semi-conducteur de « type 𝑛  », le ‘n’ se réfère au fait qu’il y a plus d’électrons
(porteurs de charge négative) libres que de trous d’électrons (porteurs de charge positive). Ceci définit l’un des
deux types principaux de semi-conducteurs dopés.

Semi-conducteurs de type 𝑛
Un matériau semi-conducteur dopé avec des atomes donneurs est appelé semi-conducteur de type 𝑛 . Ceci
parce que la densité d’électrons libres 𝑛 est supérieure à la densité des trous d’électrons 𝑝 , selon
l’équation

𝑛 = 𝑝 + 𝑁D ,
 où 𝑁D représente la densité des atomes donneurs.

Exemple 2: Concentration d’électrons libres pour un semi-conducteur de type 𝑛

Un semi-conducteur dopé avec des atomes donneurs et qui est en équilibre thermique est caractérisé par
trois variables. La densité d’électrons libres dans ce semi-conducteur est représentée par 𝑛 . La densité
d’atomes donneurs dans ce semi-conducteur est représentée par 𝑁D . La densité de trous d’électrons dans
ce semi-conducteur est représentée par 𝑝 . Laquelle des équations suivantes exprime correctement la
relation entre ces variables dans le semi-conducteur de type n ? 

A. 𝑛 = 𝑁D − 𝑝
B. 𝑛 = 𝑝 − 𝑁D
C. 𝑛 = 𝑝 + 𝑁D
𝑝
D. 𝑛 = 
𝑁D
𝑁
E. 𝑛 = D
𝑝

Réponse
Rappelons que, pour un semi-conducteur pur, chaque électron libre crée et laisse un trou dans le réseau.
Ainsi, avant l’ajout des atomes donneurs, la densité d’électrons libres est égale à la densité des trous, ou
𝑛 = 𝑝.

Mais lorsque nous dopons l’échantillon, les atomes donneurs fournissent des électrons libres sans créer de
trous d’électrons, de sorte que 𝑛 n’est pas égal à 𝑝 .

Lorsque nous ajoutons des électrons libres via les atomes donneurs, la densité d’électrons libres est la
somme de 𝑝 (la valeur avant le dopage) et 𝑁D (la quantité de nouveaux électrons ajoutés). La relation
devient

𝑛 = 𝑝 + 𝑁D .

Ainsi le choix C est correct.

Jusqu’ici, nous avons vu comment l’introduction des atomes pentavalents, ou des atomes ayant un électron
externe en plus que le silicium, à un réseau de Si , augmente la conductivité et crée un semi-conducteur de type
𝑛.

Considérons maintenant l’autre type de semi-conducteur dopé, que l’on obtient en introduisant des atomes
trivalents (qui ont un électron externe de moins que le silicium), dans un réseau de Si . Rappelons qu’un atome
de silicium neutre dans un réseau forme des liaisons covalentes avec des atomes adjacents, ce qui remplit sa
couche électroniques externe. Nous allons maintenant explorer les effets du remplacement d’un atome de
silicium par un atome de bore neutre, qui possède trois électrons de valence.

Exemple 3: Les électrons dans un semi-conducteur dopé

Le schéma montre un réseau d’atomes de silicium qui contient un atome de bore.
 1. Combien d’électrons participent aux liaisons covalentes entre l’atome de bore et les atomes de
silicium voisins ? 
2. Combien d’électrons participeraient aux liaisons covalentes si on avait un atome de silicium à la place
de l’atome de bore ? 

Réponse
Partie 1

Un atome de bore neutre a trois électrons dans la couche externe qui peut en contenir huit. Puisqu’un
atome forme des liaisons covalentes avec quatre atomes adjacents, un atome de bore est donc entouré par
quatre électrons partagés, plus les trois électrons de valence qu’il possédait.

Ainsi, l’atome de bore a 7 électrons le liant de manière covalente aux atomes de silicium voisins.

Partie 2

Rappelons qu’un atome de silicium neutre a quatre électrons sur la couche externe qui peut en contenir
huit. Un atome de Si aurait quarte atomes voisins, chacun des quatre couples de voisins met deux
électrons en commun dans une liaison covalente.

Comme l’atome de Si aurait formé quatre liaisons covalentes, on aurait au total 8 électrons qui lie l’atome
de manière covalente au réseau.

L’exemple ci-dessus illustre le fait qu’un atome de bore dans un réseau de silicium a sept électrons qui
l’entourent, par des liaisons covalentes, avec un huitième emplacement inoccupé. Puisqu’il a tendance à capter
un huitième électron pour compléter l’octet, on a un trou d’électron. La présence de ce trou signifie que
l’atome de bore est très susceptible d’« accepter » un électron libre proche. Ainsi, nous pouvons appeler l’atome
de bore (ou tout atome trivalent de dopage) comme un « atome accepteur négatif ». Nous associons cet atome à
une charge négative car il est neutre avant d’entrer dans le réseau, avec trois électrons périphériques, mais une
fois qu’il aura accepté un électron libre dans le trou de sa couche périphérique, il devient chargé négativement.
Le symbole couramment utilisé pour représenter la concentration d’atomes accepteurs est 𝑁A , où 𝑁
représente la quantité, A signifie « accepteur », et le signe « −  » se réfère à la charge négative de l’atome après
qu’il ait accepté un électron libre.

Lorsqu’un matériau est dopé avec des atomes accepteurs, la densité en trous d’électrons 𝑝 sera supérieure à la
densité d’électrons libres 𝑛 . Pour cette raison, nous pouvons dire que nous avons un semi-conducteur de type « 
𝑝  », car on a plus de trous (porteurs de charge positifs) d’électrons que d’électrons libres (porteurs de charge
négative). Ceci définit le deuxième type principal de semi-conducteur dopé.

Semi-conducteurs de type 𝑝
Un matériau semi-conducteur dopé avec des atomes accepteurs est connu sous le nom de semi-
conducteur de type 𝑝 . Ceci parce que la densité des trous d’électrons 𝑝 est supérieure à la densité
d’électrons libres 𝑛 , selon l’équation

𝑝 = 𝑛 + 𝑁A ,

où 𝑁A représente la densité d’atomes accepteurs.

Exemple 4: Concentration de trous d’électrons pour un semi-conducteur de type 𝑝

Un semi-conducteur dopé qui contient des atomes accepteurs et qui est en équilibre thermique est
caractérisé par trois variables. La densité d’électrons libres dans le semi-conducteur est représentée par 𝑛 .
La densité d’atomes accepteurs dans le semi-conducteur est représentée par 𝑁A . La densité de trous dans
le semi-conducteur est représentée par 𝑝 . Laquelle des formules suivantes exprime correctement la
relation entre ces variables dans le semi-conducteur de type p ? 

A. 𝑝 = 𝑁A + 𝑛
B. 𝑝 = 𝑛 − 𝑁A
C. 𝑝 = 𝑁A − 𝑛
𝑛
D. 𝑝 = 
𝑁A
𝑁
E. 𝑝 = A
𝑛

Réponse
Rappelons que, pour un semi-conducteur pur, non dopé, chaque trou d’électron est créé et laissé par un
électron devenu libre. Avant l’ajout des atomes accepteurs, la densité en trous est égale à la densité
d’électrons libres, ou 𝑝 = 𝑛 .

Cependant, lorsque nous dopons l’échantillon, chaque atome accepteur inclus crée un trou car il manque
un huitième électron pour former une configuration d’octet autour du dopant. Par conséquent, lorsqu’on
rencontre un trou dans un semi-conducteur dopé en atomes trivalents, ce trou peut avoir deux
provenances : soit il s’agit du dopant lui-même, soit il s’agit d’une liaison covalente rompue entre les
atomes de semi-conducteurs purs.

Avec l’ajout d’atomes accepteurs et donc conjointement de trous, la densité totale de trous devient 𝑛 (la
quantité avant le dopage) plus 𝑁A (la quantité de nouveaux trous ajoutés). D’où l’équation

𝑝 = 𝑛 + 𝑁A ,

et donc le choix A est correct.

Ainsi, nous avons vu comment créer et décrire les deux types de semi-conducteurs : le type 𝑛 et le type 𝑝 .
Nous pouvons conclure que le dopage, aussi bien de type n que de type p, est une façon plus efficace d’obtenir
une augmentation de conductivité que si l’on devait élever la température d’un semi-conducteur pur. Nous
pouvons en plus appliquer des approximations aux deux équations que nous avons établies précédemment.

Pour un semi-conducteur de type 𝑛 , selon le taux de dopage, la concentration en atomes donneurs est de loin
supérieure à l’apparition d’électrons libres associés à des trous par rupture de liaisons covalentes, et nous
pouvons donc écrire

𝑛 = 𝑝 + 𝑁D ≈ 𝑁D .

Ceci exprime le fait que la quasi-totalité des électrons libres dans le semi-conducteur sont dus au dopage, de
sorte que 𝑁D est beaucoup plus grand que 𝑝 .

Analogiquement, dans le cas de semi-conducteur de type 𝑝 ,

𝑝 = 𝑛 + 𝑁A ≈ 𝑁A .

Ce qui exprime le fait que la quasi-totalité des trous d’électrons dans le semi-conducteur de type p sont dus au
dopage, de sorte que 𝑁A est beaucoup plus grand que 𝑛 .

Établissons maintenant encore une autre façon de décrire mathématiquement les semi-conducteurs, grâce à
une loi qui résume bien notre exposé sur les semi-conducteurs purs et dopés. Rappelons rapidement que, pour
un semi-conducteur dopé, 𝑛 ne doit pas nécessairement être égal à 𝑝 , tandis que pour un semi-conducteur pur,
les deux quantités sont égales.

Les semi-conducteurs purs sont également appelés semi-conducteurs intrinsèques, et nous utilisons 𝑛 (avec le
𝑖 d’« intrinsèque ») pour les décrire. Pour un semi-conducteur pur, 𝑛 est utilisé pour représenter la
concentration d’électrons libres et également la concentration de trous, car ces deux quantités sont égales.
C’est-à-dire, pour un semi-conducteur pur, les quantités 𝑛 , 𝑝 , et 𝑛 sont égales. Nous trouvons des propriétés
remarquables concernant ces valeurs.

Nous avons vu auparavant 𝑛 et 𝑝 changent lorsque un échantillon est dopé. Les équations suivantes établissent
de nouvelles relations entre ces quantités.

Pour commencer, nous allons mettre 𝑛 à la puissance deux. 𝑛 au carré, ou 𝑛 c’est en effet aussi le produit de
la densité en électrons libres 𝑛 et la densité en trous 𝑝 , qui s’écrit 𝑛𝑝 . Ainsi, on a la relation entre 𝑛 , 𝑝 et 𝑛  : 

𝑛𝑝 = 𝑛 .

On démontre que cette équation est vraie pour tous les semi-conducteurs en équilibre thermique, peu importe
qu’il s’agit d’un semi-conducteur pur ou d’un semi-conducteur dopé.

Nous savons déjà que pour un semi-conducteur dopé, 𝑛 ≠ 𝑝 . L’équation précédente exprime que ces deux
quantités sont inversement proportionnelles. Si 𝑛 augmente, 𝑝 doit diminuer, comme nous l’avons vu dans
notre discussion sur les semi-conducteurs de type 𝑛 . De même, si 𝑝 augmente, 𝑛 doit diminuer, comme on l’a
vu dans le cas des semi-conducteurs de type 𝑝 .

En définitive, peu importe si un semi-conducteur est de type 𝑛 ou 𝑝 ou pur, la quantité 𝑛 est toujours
constante pour un matériau donné à une température donnée. Cette propriété remarquable nous permet
d’écrire de nouvelles équations pour les semi-conducteurs dopés.

Pour les semi-conducteurs de type 𝑛 , on peut à l’aide de 𝑛 déterminer la densité 𝑝 de trous d’électrons.
Rappelons que l’implantation d’atomes donneurs à un réseau augmente le nombre d’électrons libres. Plus
d’électrons libres présents implique plus de recombinaisons avec des trous, ce qui diminue la concentration en
trous. Nous pouvons trouver la concentration des trous en utilisant l’équation introduite ci-dessus,
 𝑛𝑝 = 𝑛 .

Rappelons que pour un semi-conducteur dopé de type n, on a approximativement 𝑛 = 𝑁D , et en substituant

dans la formule, nous avons

𝑁D  𝑝 = 𝑛 .

D’où on obtient 𝑝 en divisant les deux membres de l’équation par 𝑁D  : 

𝑛
𝑝= .
𝑁D

Cette équation relie la quantité 𝑛 à la densité des trous d’électrons 𝑝 , pour un semi-conducteur de type 𝑛 .

Concentration des trous d’électrons pour un semi-conducteur de type 𝑛

La concentration des trous d’électrons 𝑝 , pour un semi-conducteur de type 𝑛 est donnée par

𝑛
𝑝= ,
𝑁D

où 𝑁D est la concentration d’atomes donneurs et 𝑛 est la concentration d’électrons libres et de trous
pour un semi-conducteur non dopé.

Analogiquement, nous pouvons à l’aide de 𝑛 déterminer la densité d’électrons libres 𝑛 dans un semi-
conducteur de type 𝑝 . Rappelons que l’implantation d’atomes accepteurs à un réseau augmente le nombre de
trous. Plus de trous implique plus de captures d’électrons libres, ce qui par conséquent diminue la
concentration des électrons libres. On peut trouver la concentration d’électrons libres à l’équilibre à partir de
l’équation

𝑛𝑝 = 𝑛 .

Dans le cas d’un dopage avec des atomes accepteurs, nous avons approximativement 𝑝 = 𝑁A . En remplaçant 𝑝
dans l’équation précédente, nous avons

𝑛 (𝑁A ) = 𝑛 .

En isolant 𝑛 , nous obtenons

𝑛
𝑛= .
𝑁A

Cette équation détermine la densité d’électrons libres 𝑛 pour un semi-conducteur de type 𝑝 .

Concentration d’électrons libres pour un semi-conducteur de type 𝑝

La concentration en électrons libres 𝑛 pour un semi-coinducteur de type 𝑝 est donnée par

𝑛
𝑛= ,
𝑁A
 où 𝑁A est la concentration des atomes accepteurs et 𝑛 est la concentration d’électrons libres et de trous
pour un semi-conducteur non dopée.

Terminons notre exposé sur les semi-conducteurs dopés en résumant quelques concepts importants.

Points clés
Nous pouvons augmenter la conductivité d’un semi-conducteur pur en augmentant sa température ou
en le dopant.
Le dopage consiste à ajouter des « impuretés » au semi-conducteur pur, les atomes d’impuretés peuvent
avoir trois électrons de valence (trivalents) ou cinq électrons de valence (pentavalents).
Les semi-conducteurs de type 𝑛 sont dopés avec des atomes pentavalents qui deviennent des atomes
donneurs dont la concentration est représentée par 𝑁D . La concentration d’électrons libres est donnée
par 𝑛 = 𝑝 + 𝑁D où p est négligeable par rapport à 𝑁D .
Les semi-conducteurs de type 𝑝 sont dopés avec des atomes trivalents qui deviennent des atomes
accepteurs dont la concentration est représentée par 𝑁A . La concentration des trous est donnée par
𝑝 = 𝑛 + 𝑁A où n est négligeable devant 𝑁A .
Aussi bien pour les semi-conducteurs purs que les semi-conducteurs dopés, 𝑛𝑝 = 𝑛 , où 𝑛 est la
concentration d’électrons libres et de trous pour un semi-conducteur non dopé. Par conséquent, la
𝑛
concentration de trous d’électrons pour un semi-conducteur de type 𝑛 est donnée par 𝑝 =  . D’une
𝑁D
manière analogue, la concentration d’électrons libres pour un semi-conducteur de type 𝑝 est donnée
𝑛
par 𝑛 =  .
𝑁A

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