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Université d'Oran
Faculté des Sciences Exactes et Appliquées
Fiche de TD L
Exereice r-i
1) Décrire les édifrces crista}}iÊs représer,tes strr la frgure I en precisant" daræ chaque cas, .$
Exercice 2 :
En assirnilant les atomes d'un élément à de; :phères dures O*.uyon r, calculer le taux
maxiraal de remplissage / afteint quand cet éiément cristallise dans irne structure :
a) Cubique simple
b) Cubique centré
c) Cubique à faces centrées
d) Diamsmt
e) ÏTexagoma[e caauryacte (on calcu§ea"a au peatrahâa Ie rapport c/c optirc*n].
Application numérique
La distance d entre proche voisins dans le rnr-gnesium (hexagonal compact), l'aluminium (cfc)
et Ëe silicfurm {structuro dia:na:et} «xrt rcsper:tivcnaent égaies à 3,2 Â, 2,86 Â,?.35 &,-
E-xercice 3 :
Exercice 4 :
' Soit (0 , â ,, àr, ëz) un repàe choisi en un nær:ci d'un réseau cristallographique.
{) Rappe}er, l'équetiom carËésiemna d'uea plam qtaencomryle dsrrs c€ reeère-
2) Don&sr'['équa{iola dtl pnau rcticta[a*;e oCImtu;namt les poia*s *§{}/§î,Ü,ff},K{t,lf'k"#},
L(0,0,1/D.
3) Exprimer ia distance entre deux plans parallèles d'indices deMiller (hkfi.
Exercice 5 :
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