RF1 G.

Lissorgues - 2005
1
Transposition et synthse de frquences

Mlangeurs Oscillateurs PLL



Introduction 2
Transposition de frquences et Mlangeurs 2
1. Dfinitions 2
2. Description d'un mlangeur idal 4
Fonctionnement 4
Spectre de mlange 6
Excitation multi-tons 6
Exemple 7
3. Grandeurs caractristiques des mlangeurs 7
a) Pertes ou Gain de conversion 7
b) isolations entre les accs 8
c) rjections des signaux en sortie 9
d) point de compression 1dB 10
e) Point d'interception d'ordre 3 11
f) Dynamique 13
g) Facteur de bruit 13
h) Frquence image 14
Oscillateurs 15
1. Rappels sur loscillateur en BF 15
a) Dfinition 15
b) Condition doscillation 15
2. Transposition du principe de fonctionnement en HF 16
a) Dfinition 16
b) Terminologie 16
c) Principe de fonctionnement 16
d) Notion de rsistance ngative 17
e) Thorie de loscillation partir du formalisme des matrices [S] 18
3. Les diffrents types doscillateurs 20
a) Oscillateurs quartz 20
b) Oscillateurs frquence fixe 21
c) Oscillateurs frquence variable 23
4. Les proprits et principales caractristiques 26
a) la puret spectrale 26
b) le bruit de phase 26
c) le temps de commutation 28
5. Bilan et quelques exemples d'oscillateurs 29
La synthse de frquence dans les systmes de radiocommunications 30

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2
INTRODUCTION

Le synoptique gnral d'un rcepteur radio est propos ci-dessous.
limination de la
1
re
frquence image
filtre1
antenne
ampli
RF
filtre2
mlangeur1 mlangeur2
filtre O.L.
O.L.1
O.L.2
filtre FI1
filtre
FI2
ampli
FI1
dtection
prselection
anti-retour HF
1re frquence
intermdiaire
limination de la
2 me frquence image

Exemple de Rcepteur radiofrquence
L'tage de rception se dcompose en deux fonctions essentielles :
la gnration de frquence ou synthse de frquence,
la transposition de frquence en frquence intermdiaire ou en bande de base.

Les lments principaux intervenant dans la transposition de frquence sont le mlangeur et
loscillateur. La gnration ou synthse de frquence sappuie gnralement sur une boucle
verrouillage de phase (PLL).

TRANSPOSITION DE FREQUENCES ET MELANGEURS


1. Dfinitions

Le mlangeur est un dispositif essentiel des systmes de communications radio, puisquil permet
en particulier de gnrer les dcalages de frquence :
- lmission, il permet de transposer le signal utile en haute frquences, afin de profiter des
conditions de propagation favorables
- la rception, il permet dabaisser la frquence afin de dmoduler le signal de faon efficace

Le processus de mlange est intrinsquement un processus non linaire permettant le transfert
dnergie dune frquence dentre (f
RF
) vers une frquence de sortie (f
FI
) laide dun second
signal dentre, appel oscillateur local (f
OL
). Dans le cas dune conversion basse, la frquence
intermdiaire est infrieure la frquence dentre (f
FI
<f
RF
).

Ainsi, il assure la fonction de transposition de frquence, permettant de dcaler en
frquence un signal sans modifier l'information dont il est porteur. Les mlangeurs sont
utiliss dans la plupart des systmes de communications (tlcoms, guidage, radars, etc...).
Dans tous ces systmes, les signaux utiles sont transposs en hyperfrquence (RF) pour

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3
l'mission en espace libre et sont inversement transposs vers les basses frquences (FI) en
rception pour tre traits avec une lectronique plus classique.
On distingue deux modes de fonctionnement pour le mlangeur (up-converter et down-
converter) qui correspondent respectivement la transposition de la frquence FI vers la
frquence RF et la transposition de la frquence RF vers la frquence FI. Certains
mlangeurs sont optimiss pour un fonctionnement up-converter ou down-converter alors que
d'autres peuvent fonctionner dans les deux modes avec des performances similaires
Un mlangeur peut donc :
Soit augmenter la frquence du signal utile (up-converter)
Soit diminuer la frquence du signal utile (down-converter)
Ce principe est illustr ci-dessous.



Illustration des fonctions Up- et Down- Converter

Un mlangeur possde deux accs pour les frquences utiles (Frquence Intermdiaire FI et
Radio-Frquence RF) et un accs pour la frquence de pompe OL (Oscillateur Local). Pour
assurer la transposition de frquence entre les accs d'entre et de sortie (FI et RF), la non-
linarit fondamentale de l'lment mlangeur doit tre excite son accs OL par un signal
d'amplitude trs suprieure celle des signaux utiles (FI et RF).
Dans la configuration superhtrodyne, une deuxime conversion de frquence est ralise
partir de la frquence FI pour ramener le signal en bande de base o il sera trait. Signalons
qu'on voit aujourd'hui se dvelopper des architecture homodyne zro-FI dans laquelle la
conversion se fait de manire directe vers la bande de base. Cette architecture est attrayante
car elle ncessite moins de composants et devient donc trs intressante dans la perspective de
ralisation de systmes complets sur une puce (System on Chip SoC) associe une rduction
des cots. Nanmoins, elle impose des contraintes trs svres au niveau des performances

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des composants et en particulier au niveau des mlangeurs, ce qui la rend difficilement
applicable aux frquences millimtriques.



Structure d'un metteur/rcepteur
a) architecture superhtrodyne classique b) architecture homodyne zro-FI

2. Description d'un mlangeur idal

Fonctionnement
Un mlangeur idal est un multiplicateur analogique.
Soit V
E
(t), le signal d'entre constitu d'une porteuse la pulsation
E
dont l'amplitude

est

module par l'information A(t). Soit V
P
(t), le signal de rfrence (dit de pompe)
P
issu d'un
oscillateur local.
Le signal de sortie s'crit :
V
S
(t) = V
E
(t).V
P
(t) (I- 1) = A(t) cos(
E
.t) cos(
P
.t)
d'o :
V
S
(t) = 1/2.A(t) [cos(
E
-
P
)t + cos(
E
+

P
)t]
Aprs multiplication de V
E
(t) et V
P
(t), deux nouvelles frquences sont gnres comme tant
la somme et la diffrence des 2 premires. Chacun des signaux de sortie est porteur de
l'information du signal d'entre A(t). On peut slectionner par filtrage soit la frquence haute,
soit la frquence basse selon le type de transposition de frquence que l'on souhaite effectuer.




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Principe du mlangeur idal


En pratique, l'opration de mlange est ralise en utilisant des composants non-linaires. Soit
un dispositif non-linaire dont la rponse peut tre mise sous la forme :
V
S
(t) = aV(t) + bV
2
(t) + cV
3
(t) +... excit par la somme de deux signaux sinusodaux
V
E
(t)

et V
OL
(t) aux pulsations
E
et

OL
: V(t) = V
E
cos(
E
.t) + V
OL
cos(
OL
.t) .


Le dveloppement de la rponse du dispositif non-linaire en fonction des frquences f
E
et

f
OL
montre que l'on obtient en sortie les harmoniques de ces frquences ainsi que d'autres
frquences de battement du type : nF
OL
mF
E
(avec m et n entiers positifs)

Tableau reprsentant la dcomposition du signal de sortie d'un mlangeur
1er ordre : aV(t) 2nd ordre : bV
2
(t) 3me ordre : cV
3
(t) ...
aV
E
cos(
E
t)
+aV
OL
cos(
OL
t)
(V
E
2
+ V
OL
2
)
+V
2
cos(2
E
t)
+V
OL
2
cos(2
OL
t)
+b
VE
V
OL
cos(
OL
+
E
)t
+bV
E
V
OL
cos(
OL
-
E
)t
(V
E
3
+V
E
V
OL
2
) cos(
E
t) + (V
OL
3
+V
OL
V
E
2
) cos(
OL
t)
+V
E
3
cos(
E
t) +V
OL
3
cos(3
OL
t)
+V
OL
2
V
E
[cos(2
E
+
OL
)t + cos(2
E
-
OL
)t]+V
E
2
V
OL
[cos(2
OL
+
E
)t + cos(2
OL
-
E
)t]
...

En utilisant les formules trigonomtriques, on montre que chaque terme V
OL
n
(t)

gnre
l'harmonique nF
OL
, que chaque terme V
E
m
(t) gnre l'harmonique mF
E
, et enfin que chaque
terme crois K.V
OL
n
(t).V
E
m
(t) gnre des frquences sommes (nF
OL
+ mF
E
) et des frquences
diffrences (nF
OL
- mF
E
) ou (-nF
OL
+mF
E
) , avec m et n entiers positifs.

Ainsi, comme dans l'exemple ci-dessus, si les signaux dentre sont parfaitement sinusodaux, on
retrouve la sortie du mlangeur des signaux galement sinusodaux, appels produits
dintermodulation (PIM), dont les frquences sont dfinies par:
OL RF FI
nf mf f + = , avec m et
n nombres entiers relatifs pouvant prendre thoriquement une infinit de valeurs, positives ou
ngatives. En pratique, au del de quelques units, lnergie contenue dans le signal de frquence
correspondante est suffisamment faible pour tre nglige.


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Parmi lensemble des raies spectrales disponibles en sortie du mlangeur quelques unes ont un
intrt particulier, les autres apparaissant plutt comme des frquences indsirables (on emploie
souvent le terme anglo-saxon spurious).
- pour un mlangeur destin effectuer une transposition haute, le signal utile sera produit
par la combinaison {m=1,n=1} :
OL RF FI
f f f + =
- pour un mlangeur destin effectuer une transposition basse, le signal utile sera produit
par la combinaison {m=1,n=-1} si la frquence de loscillateur local est infrieure f
RF
, et
par la combinaison {m=-1,n=1} si la frquence de loscillateur local est suprieure f
RF
:
OL RF FI
f f f = si f
OL
<f
RF
ou
RF OL FI
f f f = si f
RF
<f
OL

Spectre de mlange
Contrairement au multiplieur idal, un lment non-linaire gnre donc un grand nombre de
signaux aux frquences de mlange dont l'amplitude dcrot cependant lorsque les ordres m et
n augmentent. Pour supprimer les raies parasites, on procde par filtrage ou en utilisant les
proprits d'opposition de phase d'une topologie quilibre.

Exemple de spectre aprs mlange

Les frquences des raies du spectre peuvent s'exprimer en fonction des frquences OL et FI :
m
1
F
OL
n
1
F
FI
avec m
1
et n
1
entiers positifs, si F
OL
>F
FI

ce qui s'crit de manire quivalente en fonction de la frquence RF :
m
2
F
OL
n
2
F
RF
avec m
2
et n
2
entiers positifs
Dans le cas d'un mlangeur fondamental, pour lequel le mlange s'effectue avec la frquence
fondamentale de l'OL, la frquence RF est donne par : F
RF
= F
OL
F
FI

De manire plus gnrale, lorsque le mlange s'effectue avec l'harmonique x de l'OL, on a :
F
RF
= x F
OL
F
FI


Excitation multi-tons

Enfin, dans le cas gnral, le signal RF appliqu lentre du mlangeur nest pas une simple
sinusode. Si on fait lhypothse du rgime tabli, on peut utiliser la dcomposition de Fourier
pour dcomposer le spectre RF en une somme discrte de sinusodes pures. Sous rserve de
linarit de la fonction de transfert (obtenue pour de faibles puissances dentre), le signal de
sortie sobtient par superposition de la rponse du mlangeur chacune des raies lmentaires

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dexcitation. Les raies spectrales utilises lentre du mlangeur sappellent galement les
tons . On parle donc dexcitation 2 tons lorsque deux sinusodes pures RF1 et RF2 sont
appliques lentre RF. Dans ce cas, on aura en sortie :
OL RF RF IF
nf f m f m f + + =
2 2 1 1
, et on appelle ordre des produits dintermodulation dordre k
(PIM
k
)., la quantit
2 1
m m k + = .

Exemple

Appliquons lentre dun mlangeur (dont la frquence doscillateur local est prise gale
300 MHz) les frquences f
RF1
= 399 MHz et f
RF2
= 401 MHz. Si on se restreint lordre 2
pour les frquences RF ( 2
1
m et 2
2
m ) et lordre 1 pour loscillateur local ( 1 n ), on
obtient le tableau suivant :

Ordre du produit
dintermodulation
Frquence en MHz Harmoniques de
f
RF1

Harmoniques de
f
RF2

Harmoniques de
f
LO

0 0 0 0 0
2 2 1 -1 0
4 4 2 -2 0
3 97 2 -1 -1
1 99 1 0 -1
1 101 0 1 -1
3 103 1 -2 1
4 296 2 -2 1
2 298 1 -1 1

Quelques produits dintermodulation
Remarque:
Les constructeurs associent aux ordres des produits dintermodulation gnrs par le
mlangeur une information sur le niveau de puissance de ceux ci. Ces renseignements sont
donns en termes de rjection par rapport au signal utile.

3. Grandeurs caractristiques des mlangeurs

a) Pertes ou Gain de conversion

Un mlangeur assure une conversion de puissance d'une frquence vers une autre. La dfinition
classique du gain en puissance dun circuit doit tenir compte ici du fait que la frquence du
signal dentre est diffrente de celle du signal de sortie. A ce dtail prs, le gain de
conversion est le rapport entre la puissance contenue dans le signal de sortie et celle contenue
dans le signal dentre, soit en gnral :

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RF
FI
c
P
P
G =
Dans le cas plus frquent o le processus de mlange entrane des pertes, on dfinit les pertes
de conversion notes Lc comme tant le rapport de la puissance du signal d'entre sur la
puissance du signal de sortie aux frquences correspondantes : L
c
= 1/G
c
.
Le gain de conversion est donc reli aux pertes de conversion par la relation suivante en dB:
Gc
(dB)
= - Lc
(dB)

Par exemple, les mlangeurs diodes prsentent un gain de conversion ngatif (en dB) ou
pertes, tandis que les mlangeurs transistors prsentent quant eux un gain de conversion
positif.

b) isolations entre les accs

Les isolations mesurent sous forme de pertes d'insertion, les transferts de puissance non
dsirs entre deux accs une frquence donne. Des isolations consquentes garantissent
qu'il ne pourra y avoir de perturbations lies aux signaux issus des autres accs.

I
OL-RF
, reprsentera le rapport entre la puissance doscillateur local prsente sur la voie RF et
la puissance doscillateur local injecte dans le mlangeur.
OL OL
RF OL
RF OL
P
P
I

= ,
soit en dcibels en valeur positive : Isolation OL/RF
(dB)
= P
OL

l'accs OL

(dBm)
- P
OL

l'accs RF

(dBm)

L'isolation OL/RF traduit donc la capacit du dispositif viter la fuite du signal OL sur
l'accs RF. C'est gnralement l'isolation la plus critique dans la mesure o le signal de pompe
a une forte amplitude et qu'il se trouve une frquence proche de celle du signal RF.
Enfin, le signal OL prsent au niveau de l'accs RF pourra tre rayonn par l'antenne, crant
ainsi un rayonnement parasite.

Comme le processus de mlange ncessite un signal damplitude importante, dit signal de pompe
produit par loscillateur local, permettant de faire varier dynamiquement les caractristiques
lectriques de llment non linaire utilis (diode ou transistor), les isolations OL-RF et OL-FI
seront toujours prpondrantes.



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Principales isolations d'un mlangeur


c) rjections des signaux en sortie

Les rjections caractrisent la diffrence de niveau de puissance entre deux raies du spectre
un accs donn. Les rjections vis vis du signal utile en sortie sont particulirement
importantes car elles dterminent le gabarit du spectre de sortie. Pour les systmes d'mission,
les niveaux de puissance des signaux parasites mis en dehors de la bande sont strictement
rglements.
Les rjections les plus critiques concernent les signaux qui ont une amplitude significative et
qui sont proches de la bande utile, car ces derniers ne peuvent tre filtrs facilement.
En mission, les principales raies rejeter sont typiquement la frquence OL et la frquence
image IM. Dans le cas des mlangeurs sous-harmoniques, l'harmonique de l'OL ralisant le
mlange est aussi considrer.
Rjection x.OL/RF
(dB)
= [P
RF

(dBm)
- P
xOL

(dBm)
]
l'accs RF

Rjection IM-RF
(dB)
= [P
RF

(dBm)
- P
IM

(dBm)
]
l'accs RF



Visualisation des principales rjections sur un spectre de sortie



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Remarque :
En rgime petit signal du mlangeur, le signal de pompe OL a une amplitude particulirement
grande vis--vis de celles des signaux utiles FI et RF. Du fait de la fuite OL du mlangeur, il
est tout fait possible que le niveau d'OL en sortie soit plus lev que le niveau du signal
utile. On aura alors une rjection infrieure 0dB. De manire gnrale, il est noter que le
niveau de rjection dpend du niveau de puissance d'entre. En rception, les signaux
parasites la frquence image sont convertis la frquence FI au mme titre que le signal
utile RF. Il est donc important de rejeter la contribution de la frquence image la puissance
FI.


Conversion de la frquence image vers la FI

d) point de compression 1dB

Comme tout dispositif lectronique contenant des composants actifs, le mlangeur possde
une courbe de puissance Ps=f(Pe) prsentant une zone de saturation de la puissance de sortie
pour de fortes puissances d'entre. Le point de compression 1dB caractrise la limite du
fonctionnement linaire du circuit en fonctionnement monoporteuse. Le point de
compression 1dB (P_1dB) est dfini au point de puissance pour lequel l'cart entre la
puissance de sortie et son extrapolation linaire petit signal atteint 1dB.
Il peut tre rfrenc indiffremment en puissance d'entre ou de sortie (Pin_1dB ou
Pout_1dB), les deux grandeurs tant relies par les pertes de conversion :
Pin_1dB - Lc_1dB = Pout_1dB.
Pour les mlangeurs, il est nanmoins plus frquent de spcifier Pin_1dB.
On peut galement dterminer le point de compression 1dB de compression sur la courbe
reprsentant les pertes de conversion en fonction de la puissance d'entre, car en ce point les
pertes de conversion augmentent de 1dB par rapport leur valeur petit signal.


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Point de compression 1dB d'un mlangeur

e) Point d'interception d'ordre 3

Dans les systmes de tlcommunication, les mlangeurs sont gnralement soumis non pas
un, mais tout un ensemble de signaux RF proches en frquence et d'amplitudes voisines. Le
mlangeur doit tre mme de traiter simultanment et distinctement ces signaux utiles sans
les distordre.
L'approche habituelle consiste considrer deux raies bas niveau en entre du mlangeur dont
les frquences f
1
et f
2
sont spares par un cart frquentiel f faible. Le spectre de sortie
comprend un grand nombre de raies dont les frquences sont alors :
m.F
OL
n
1
.f
1
n
2
.f
2
avec (m, n
1
, n
2
) entiers positifs
Les frquences issues du battement entre les frquences f
1
et f
2
sont appeles produits
d'intermodulation d'ordre (n
1
+n
2
). Les produits d'intermodulation d'ordre impair sont en
gnral les plus gnants car ils se retrouvent dans la bande de fonctionnement trs proches des
signaux utiles et ne peuvent donc pas tre filtrs. Comme l'amplitude des produits
d'intermodulation dcrot lorsque l'ordre d'intermodulation augmente, les produits
d'intermodulation d'ordre 3 nots IM3, sont donc les plus critiques.

Tant que les puissances d'entres appliques au mlangeur sont suffisamment faibles, le trac
de la puissance des raies d'intermodulation d'ordre 3 en sortie du mlangeur note P
IM3
en
fonction de la puissance d'entre est linaire de pente 3dB/1dB. La puissance de sortie du
signal utile suit galement une loi linaire en fonction de la puissance d'entre mais de pente
1dB/dB. Le point d'intersection des extrapolations des droites P
IM3
et de la puissance de sortie
du signal utile, est appel point d'interception d'ordre 3 (IP3). Il peut tre rfrenc en entre
ou en sortie (IIP3 et OIP3), les deux grandeurs tant relies par les pertes de conversion du
mlangeur. Comme pour le point de compression 1dB et pour les mme raisons, l'IP3 de
sortie est la grandeur de sortie la plus significative. Plus le point de puissance OIP3 est lev,
plus les produits d'intermodulation sont faibles et donc meilleure est la linarit.

En coordonnes cartsiennes, ce point est dfini par deux coordonnes : le point
dinterception en entre (IIP3 : Input Intercept Point 3
rd
order) et en sortie (OIP3 : Output
Intercept Point 3
rd
order).


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12
Le graphe ci-dessous permet aussi de faire apparatre le seuil en de duquel les produits
dintermodulation sont noys dans le bruit. Le terme anglo-saxon consacr est Spurious Free
Dynamic Range (SFDR).
Ces diffrentes grandeurs non linaires sont relies par les quations suivantes :
3
3 2
2 3
3
3 3
c floor
c RF IM
c RF FI
G OIP N
SFDR
IIP G P P
G P P
+
=
+ =
+ =

On peut galement exprimer la rjection du produit dintermodulation dordre 3 en fonction de
la puissance dentre et du point dinterception en entre du mlangeur par :
) ( 2
3 RF
P IIP =



Intermodulation d'ordre 3 du mlangeur en fonctionnement 2 porteuses

Dtermination du point d'interception d'ordre 3

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Nous avons les relations suivantes:
OIP3
dB
= IIP3
dB
- Lc
0

dB
(I- 46)
o Lc
0
sont les pertes de conversion bas niveau
La dtermination exprimentale de l'IP3 repose sur la mesure de la puissance du signal utile et
de celle d'intermodulation P
IM3
en fonctionnement 2 tons bas niveau. Il suffit alors de mesurer
le C/I3 un point de puissance d'entre Pe et d'extrapoler la valeur de la puissance d'entre
IIP3 au point d'interception d'ordre 3.
C/I3
dB
= Puissance
dBm
du signal de sortie utile - Puissance
dBm
d'intermodulation d'ordre 3
L'cart frquentiel choisi entre les deux raies est assez variable selon les cas, mais une valeur
de 100MHz est typique. Pour une dtermination correcte de l'IP3, il est important que la
mesure du C/I3 se fasse faible niveau de puissance d'entre mais il faut en mme temps
assurer un niveau de puissance d'entre suffisant pour raliser une mesure prcise du niveau
de P
IM3
qui serait autrement trop faible.
Remarque
Si on considre le cas d'une non-linarit d'ordre 3 du type I(V) = BV + CV
2
+ DV
3
, on
montre qu'il existe les relations suivantes entre P_1dB et le point d'IP3 :
OIP3
(dBm)
= Pout_1dB
(dBm)
+ 10.63
(dB)

IIP3
(dBm)
= Pin_1dB
(dBm)
+ 9.63
(dB)

f) Dynamique
La dynamique dun circuit lectronique se dfinit comme la plage de puissance pour laquelle
le fonctionnement est satisfaisant. Pour les bas niveaux, on est limit par le plancher de bruit.
Pour les forts niveaux, cest la compression qui est le phnomne limitant. La dynamique
dun mlangeur sera donc dautant plus grande que son point dinterception dordre trois (et
son point 1 dB de compression) seront importants.

g) Facteur de bruit

Le mlangeur comme tout type de circuit lectronique gnre du bruit. Celui-ci peut avoir
diffrentes origines :
le bruit thermique cr par l'agitation thermique des porteurs de charge dans les corps
conducteurs. Cette agitation thermique provoque des collisions alatoires et affecte ainsi les
trajectoires des porteurs. Le bruit thermique subsiste en l'absence de champ lectrique
appliqu sur le conducteur. Ce bruit est gnr par tous les lments rsistifs.
le bruit de grenaille li l'mission discrte de porteurs au travers d'une barrire de
potentiel. Ce type de bruit est prsent dans les jonctions Schottky.
le bruit de scintillation ou bruit en 1/f . Ce bruit prdominant en basse frquence est
caractris par un spectre dont l'amplitude des raies volue en 1/f. Ce bruit influence

RF1 G. Lissorgues - 2005
14
cependant les signaux aux frquences de mlange car il est converti par le mlangeur au
mme titre que le signal.
On peut dfinir deux types de facteur de bruit pour les mlangeurs :
F
SSB
en bande latrale unique (SSB Single Side Band)
F
DSB
en double bande latrale (DSB Double Side Band).
La diffrence entre ces deux facteurs de bruit rside dans le principe de considrer ou non la
frquence image comme source RF du mlangeur. Si les pertes de conversion sont les mme
la frquence RF et la frquence image, on a : F
DSB (dB)
= F
SSB (dB)
3. En fait, dans les
systmes de radiocommunications, on nutilise quune seule des deux bandes. On parle alors
de facteur de bruit simple bande.

Le facteur de bruit F se dfinit comme la dgradation du rapport signal sur bruit entre lentre et
la sortie :
FI
FI
RF
RF
B
P
B
P
F =
Pour les mlangeurs passifs ( diodes) le facteur de bruit est peu de choses prs gal aux
pertes de conversion.


h) Frquence image

Un mlangeur analogique produit simultanment en sortie, lensemble des produits
dintermodulation, gnrs par combinaison linaire.

Soit un mlangeur auquel on applique une frquence dentre RF de 400 MHz et un
oscillateur local de 300 MHz. Si on utilise le mlangeur en transposition basse, le signal utile
se trouve donc 100 MHz :
MHz f f f
OL RF FI
100 300 400 = = =
La prsence simultane lentre du mlangeur dune frquence symtrique de la frquence
RF par rapport loscillateur local produira en sortie du mlangeur un signal de mme
frquence que le signal utile : cest la frquence image. Ici, elle se situe 200 MHz.

De faon gnrale :
RF OL IM
f f f = 2

La frquence image est extrmement gnante dans les rcepteurs et doit tre limine soit par
filtrage soit en utilisant des structures de mlangeurs particulires appeles mlangeurs
rjection de frquence image.
Quelques rfrences
S.A. Maas, Microwave Mixers, Artech House, Seconde dition, 1993.
A.A.M Saleh, Theory of Resistive Mixers, MIT Press, 1971.

RF1 G. Lissorgues - 2005
15
OSCILLATEURS

1. Rappels sur loscillateur en BF

a) Dfinition

" convertisseur d'nergie continue - sinusodale"

Alimentation DC
S(t) = So.cos(

t)

L'oscillateur gnre un signal priodique
variant dans le temps, en utilisant une
source d'nergie pour produire cette onde
priodique.

Il se dcompose en deux parties : un lment actif qui sert la conversion alternative, en
apportant une nergie active suffisante pour initialiser et entretenir les oscillations, et un
lment passif qui fournit l'alimentation ncessaire, et qui sert filtrer les harmoniques
gnres.

On reprsente gnralement l'oscillateur sous la forme d'un schma bloc de systme boucl,
pour lequel l'entre serait nulle :

Elment
actif
Quadriple passif
de retour
A
Q

Elment
actif
Quadriple passif
de retour
A
Q
e = 0 +
+
s


La fonction de transfert s'crit, en tenant compte des signes :

s
e
A
A Q
=
1 .


b) Condition doscillation

Il faut : 1- A.Q = 0 ( e = 0), soit

A.Q = 1

Par exemple, l'lment actif peut tre un amplificateur caractris par son gain, et l'lment
passif un circuit rsonant caractris par son facteur de qualit.


RF1 G. Lissorgues - 2005
16
Les oscillations ne dmarrent jamais spontanment, mais sur un signal parasite de bruit du
circuit actif.



Le fonctionnement des oscillateurs correspond deux phases distinctes :
- le dmarrage, o l'on peut faire l'hypothse d'un fonctionnement en petits signaux
systme linaire, mais rgime transitoire
- le rgime permanent, o l'entretien des oscillations est assur par les non linarits de la
boucle


2. Transposition du principe de fonctionnement en HF

a) Dfinition

" convertisseur d'nergie DC - RF ou DC - HF"

L'oscillateur gnre une puissance radiofrquence (RF) ou hyperfrquence (HF) en sortie sans
puissance RF (HF) en entre; le principe de fonctionnement (dmarrage sur du bruit puis
entretien des oscillations) est le mme qu'en basse frquence.

On dfinit souvent l'efficacit de conversion RF par :

=
puissance RF de sortie
puissance DC d entre '


Et la fraction de puissance non convertie est dissipe en chaleur.

b) Terminologie

oscillateur "radiofrquence" jusqu' quelques GHz et oscillateur "micro-onde" pour les
frquences plus leves (1 GHz 100 GHz).

Les oscillateurs traditionnels (plus anciens!) tels que klystron
1
, magntron
2
, tube
propagation d'onde ont t remplacs de nos jours par les oscillateurs l'tat solide base de
diodes (Gunn, Impatt) ou de transistors (BJT, MESFET, HBT, HEMT) spcifiques.

L'oscillateur se dcompose toujours en deux parties, active et passive.

Exemples d'lments actifs : les composants l'tat solide (diodes, transistors)
Exemples d'lments passifs : les circuits LC, les rsonateurs dilectriques, les cavits en
guide d'onde, coaxiales, dilectriques, les billes de YIG

c) Principe de fonctionnement

1
Klystron = amplificateur tube vide tel que le faisceau dlectrons rebondisse entre ses lectrodes.
2
Magntron = tube de forte puissance constitu de nombreuses cavits rsonantes tel que les lectrons tournent
en spirale entre les cavits sous application dun champ magntique lev.

RF1 G. Lissorgues - 2005
17

- l'lment actif apporte l'nergie ncessaire pour initialiser les oscillations qui dmarrent sur
du bruit

- la puissance RF augmente alors progressivement de 0 P
sat
puissance en rgime de
saturation, puis diminue pour rejoindre un tat d'quilibre (Quand le signal RF excite le
rsonateur sa frquence de rsonance, celui-ci stocke une nergie dont l'amplitude va
dcrotre par dissipation dans les lments rsistifs du circuit. Le taux de dcroissance dpend
du facteur de qualit Q du rsonateur.)



amplificateur
Rsonateur passif
Gain
S
21A
S
21R


Transposition simplifie de la condition doscillation (systme en transmission)


A.Q = 1 devient en fonction des paramtre S des quadriples : S
21A
.S
21R
= 1

Les grandeurs tant complexes, cette relation se traduit par deux quations en module et en
phase :
S S
A R
A R
21 21
21 21
1
0
. =
+ =

avec S
R 21
1 puisque le quadriple de retour est passif (et donc S
A 21
1 ).

d) Notion de rsistance ngative

On peut reprsenter le circuit passif rsonant par un circuit R, L, C srie, o R = Rp
reprsente les pertes dans le circuit passif

C L Rp

Le circuit actif doit priodiquement fournir lnergie consomme par le rsonateur en quantit
suffisante pour entretenir les oscillations.

La condition doscillation scrit alors : Z
passif
+ Z
actif
= 0, soit en dcomposant Z = R + j.X,
R R
X X
a p
a p
+ =
+ =

0
0

Comme Rp > 0 (circuit dissipatif), ceci impose davoir Ra <0 pour satisfaire la condition. Le
circuit actif est caractris par sa rsistance ngative quivalente.


+
amplificateur
Gain S
21A
Isolation S
12A
S
11A
S
22A
rsonateur
passif
S
21R
S
12R
S
11R
S
22R


RF1 G. Lissorgues - 2005
18
C
L
Rp
Ra < 0
V
I
Rsonateur amplificateur


La condition de dmarrage devient :
Ra Rp
X f
L C
o
>
= =

0
1
2
1

.
.

Et le rgime tabli est atteint quand - Ra = Rp, avec des oscillations la frquence f
o
.

Dans ce cas, nous pouvons aussi exprimer la condition doscillation avec les coefficients de
rflexion des lments actif et passif. Soit p le coefficient de rflexion vu du circuit actif
vers le circuit passif, et a celui vu du circuit passif vers le circuit actif (voir figure), nous
avons :



Z Z avec Z Z
a p
+ = =
+

0
1
1
0
.

do
1
1
1
1
0 1
+

+
+

= =

p
p
a
a
a p
.

Zp Za
lment
passif
lment
actif
a
p


e) Thorie de loscillation partir du formalisme des matrices [S]

cas du quadriple
dmonstration de la condition doscillation : Det ([S].[S]-[I]) = 0
circuit passif
[Sp]
circuit actif
[Sa]
b1
a1
a2
b2
b'1
a'1
a'2
b'2


les relations entre ondes incidentes et rflchies sont :

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19

- pour le quadriple actif (b) = [Sa].(a)

- pour le quadriple passif (b') = [Sp].(a')

les circuits actif et passifs tant boucls, nous avons alors : (a) = (b') et (b) = (a')

par consquent, en remplaant les expressions :

(b) = [Sa].(a) = [Sa].(b') = [Sa].[Sp].(a') = [Sa].[Sp].(b)

d'o la condition d'oscillation

[Sa].[Sp] - [I] = 0 , avec [I] la matrice identit det([Sa].[Sp] - [I]) = 0

application :
- circuit actif transistor, caractris par ses paramtres Sij : [Sa] =
S S
S S
11 12
21 22
|
\

|
- circuit passif caractris par ses coefficients de rflexion ct source
1
et ct charge
2
:
[Sb] =

1
2
0
0
|
\

|

1

2
source
lment
actif
S'
11
S'
22
circuit passif
charge


[Sa].[Sp] - [I] =
S S
S S
11 12
21 22
|
\

| .

1
2
0
0
|
\

| -
1
1
0
0
|
\

| =
S S
S S
11 12
21 22
. .
. .


1 2
1 2
1
1

|
\

|

det([Sa].[Sp] - [I]) = 0 donne (S
11
.
1
-1)(S
22
.
2
-1)-S
12
.
2
.S
21
.
1
= 0
d'o
1
S
S .S .
1 S .
S'
1
11
12 21 2
22 2
11

= +

= et
1
S
S .S .
1 S .
S'
22
12 21 1
11 1
22

2
= +

=
La condition d'oscillation devient alors : S'
11
.
1
= 1 et S'
22
.
2
=1, ce qui traduit les changes
d'nergie du circuit actif au passif et rciproquement.




RF1 G. Lissorgues - 2005
20


3. Les diffrents types doscillateurs

On peut classer les oscillateurs selon quils dlivrent une frquence fixe ou une frquence
variable, mais galement selon le type de circuits actif et/ou passif.

a) Oscillateurs quartz

Un quartz est un cristal pizo-lectrique sur lequel sont colles deux lectrodes mtalliques.
En appliquant une diffrence de potentiel entre les lectrodes, des dformations apparaissent
dans le cristal (par effet pizo-lectrique direct). Et le quartz peut tre considr comme un
rsonateur mcanique, quivalent d'un point de vue lectrique un circuit rsonant r, L, C
srie.

Le schma quivalent d'un quartz est donc le suivant :

C L r
I
m
Co
I
o

r reprsente les pertes mcaniques lors des
dformations
Co reprsente la capacit due aux armatures
mtalliques (en gnral, Co>>C)

ordres de grandeur : L = 0.2 H qq 10 H, C = 0.05 pF, Co = 20 30 pF, et r = qq k
(attention, ce n'est qu'un modle quivalent!)
La frquence de rsonance du quartz est f
LC
m
=
1
2
1

. et le coefficient de qualit
Q
r
L
C
=
1
. .
On dfinit souvent le facteur de mrite du quartz par M
I
I
m
o
f f
m
=
|
\

|
=
et le calcul donne :
I
I jC
r jL
jC
m
o o
|
\

| =
+ +
1 1
1

. , soit pour f = f
m
, , M Q.
C
C
o
= .

En calculant l'admittance complexe Y du quartz, on fait apparatre deux grandeurs
caractristiques, la pulsation de rsonance srie
s
et celle d'anti-rsonance parallle
p
, pour
lesquelles Y (ou Z) est relle.

Expressions approches (M >>1 et w proche de
m
) :
- rsonance srie
s
=
m

- anti-rsonance parallle
p m
= == = + ++ +
| || |
\ \\ \

| || |

| || | .
M
2Q
1

Ces deux frquences sont toujours trs proches l'une de l'autre.


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21
s
p

Z


Dans un oscillateur quartz, on insre le cristal comme structure rsonante passive, par
exemple dans un montage classique de type Colpitts : dans ce cas, les oscillations ne seront
possibles que si le quartz se comporte comme une inductance, c'est--dire pour des valeurs de
frquences comprises entre rsonance srie et anti-rsonance parallle.
C1
Rpolar
Rsonateur amplificateur
C2
T
quartz


Les oscillateurs quartz sont trs stables dans la mesure o l'lment rsonant base de
quartz est d'excellente stabilit. La gamme de frquence d'utilisation va de quelques100 kHz
quelques 100 MHz.

b) Oscillateurs frquence fixe

Ce sont les oscillateurs diode ou transistors + rsonateurs.
Ils sont utiliss en particulier comme oscillateur local dans les chanes de communication et
les chanes radar. Les frquences d'oscillations possibles vont de 2 100 GHz environ.

Selon les applications, llment actif sera diffrent :
- < 5 GHz, transistor BJT
- autour de 20 GHz, transistor MESFET
- > 30 GHz, transistor HBT ou HEMT, en concurrence avec les diodes
- 20 - 100 GHz, diodes IMPATT ou GUNN

Llment rsonateur passif doit possder un fort coefficient de qualit, tout en restant peu
sensible lenvironnement (aux variations de temprature, vieillissement...) :
- rsonateur cavit coaxiale
- rsonateur cavit mtallique
- rsonateur cavit dilectrique


RF1 G. Lissorgues - 2005
22
Les plus couramment utiliss sont ceux rsonateurs dilectriques, qui permettent de
synthtiser les oscillateurs rsonateurs dilectriques = DRO " Dielectric Resonator
Oscillator ", en particulier du fait de leur intgration facile dans les circuits MICs
3
.

Complments sur les DROs :

Les caractristiques importantes des matriaux dilectriques ou cramiques utiliss pour le
rsonateur sont les suivantes :
- le coefficient de qualit Q, qui est inversement proportionnel l'angle de perte dilectrique
- le coefficient de stabilit en temprature, en ppm/C
- la constante dilectrique r

exemples :

composition r Q (ppm/C) frquence (GHz)
Ba
2
Ti
9
O
20
40 10000 4 GHz +2 1-100
(Zr-Sn)TiO
4
38 10000 4 GHz -4 +100 1-100
Ba(0.33Zn0.67Ta)O
2
30 10000 10 GHz 0 +100 4-100
Ba(0.33Mg0.67Ta)O
2
25 25000 10 GHz +4 4-100
BaO-PbO-Nd
2
O
3
-TiO
2
88 5000 1 GHz 0 +6 < 4
Al
2
O3
3
11 50000 10 GHz 0 +6 > 18

Le rsonateur dilectrique entre en rsonance selon plusieurs modes dont la frquence dpend
des dimensions gomtriques et de l'environnement immdiat du dilectrique. Le calcul
complet exact des modes de rsonance par les quations de Maxwell ncessite de recourir aux
procdures de calculs numriques.

Le fonctionnement ressemble celui des cavits mtalliques rsonantes, mais avec des
dimensions beaucoup plus faibles (facteur en
r
). Il y a confinement des champs lectrique
et magntique proximit du rsonateur, gnralement choisi de forme cylindrique.

Le mode rsonant le plus courant dans un rsonateur cylindrique est appel TE
01
: les lignes
de champ magntique sont dans le plan mridien, et les lignes de champ lectrique sont
rparties de faon concentrique dans le plan radial (voir figure). Le choix du dilectrique
rsulte d'un compromis entre une forte concentration de l'nergie dans la cavit, et un facteur
de qualit Q lev. La frquence d'oscillation dpend du rapport gomtrique
diamtre/longueur (D/L) du cylindre constitutif du rsonateur.


3
Microwave Integrated Circuits

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23
diamtre D
longueur L
Lignes de champ
magntique H
Lignes de champ
lectrique E


Pour viter les pertes par rayonnement, et pour s'affranchir des perturbations extrieures, le
rsonateur dilectrique est encapsul dans un botier mtallique de protection.

Pour utiliser les rsonateurs dilectriques dans un circuit micro-onde, il faut les coupler au
circuit lectrique : le plus courant consiste approcher suffisamment le rsonateur d'une ligne
microruban de telle faon que les lignes de champ magntique du mode fondamental du
rsonateur se confondent avec celles du mode quasi TEM de la ligne microruban. L'efficacit
du couplage dpend de la distance entre le rsonateur et la ligne, et influence le niveau de
puissance disponible en sortie, la stabilit en frquence, et la prsence de raies harmoniques.

Ligne
microruban
DR
Cavit
mtallique de
protection



c) Oscillateurs frquence variable

Ce sont les oscillateurs diode varicap ou bille de YIG.

Oscillateurs diode varicap ou varactor

Il s'agit d'une diode dont la capacit de jonction varie en fonction de la tension inverse de
polarisation applique. C'est en fait l'paisseur de la zone de dpltion (ou zone de charge
d'espace) de la jonction qui varie en fonction de la tension inverse.


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24
Il existe deux type de varactors : jonction abrupte ( = 0.5) et hyper-abrupte ( = 2), selon
leur profil de dopage caractris par la constante .

L'quation donnant la capacit de la diode C(V) en fonction de la tension V de polarisation
applique est la suivante :
C V
C
V
( )
( )
=
+
|
\

|
0
1

, o C(0) est la capacit non polarise (sous 0 Volts), et le potentiel de

contact spcifique de la jonction.

= 2
= 0.5
capacit
tension V
V1 V2


On dfinit souvent le rapport capacitif entre les capacits V1 et V2 (V1>V2) qui correspond
la pente de la caractristique C(V). La diode profil hyper-abrupt permet de couvrir une
gamme de capacits plus importante.

Exemple :
C1: 100 pF 4 pF et C2: 2 pF 0.4 pF f = 10 GHz
rapport Cmax/Cmin = 25 pour C1 et 5 pour C2

Cette diode capacit variable est insre dans le circuit passif rsonant associ
l'amplificateur ( transistor en gnral) pour raliser l'oscillateur command en tension. Une
structure classique de VCO est fonde sur le montage Colpitts :

C1
L
Rpolar
Rsonateur amplificateur
C2
T
C1
L
Rpolar
Rsonateur amplificateur
C2
T
Cdiode =
C(V)
varicap



RF1 G. Lissorgues - 2005
25
La frquence d'oscillation est alors donne par : f
L C C C C C
diode
=
+ +
1
2
1
1 2 1 2

.
. ( . )
.

Les performances du VCO dpendent ensuite du choix de la diode varicap, en particulier le
linarit de la relation frquence d'oscillation / tension de commande ("tuning voltage") qui
dpend fortement du type de profil (abrupt ou hyper-abrupt).

Exemple : frquence d'oscillation f
L C
=
1
2
1

.
.
avec C V
C
V
( )
( )
=
+
|
\

|
0
1

,
si = 2, alors f(V) est linaire en V : f
L C
V
= +
|
\

|
1
2
1
0
1

.
. ( )
. .


diode
a : abrupt
h : hyper
linarit tension de
commande
rjection des
harmoniques
bruit de
phase
stabilit
en T
temps
d'tablis-
sement
drive
long
terme
Si_a AB 0 - 60 V B TB TB TB TB
Si_h B 0 - 20 V B B B TB TB
GaAs_a AB 0 - 50 V B B TB B B
GaAs_h B 0 - 20 V B AB AB AB AB


Oscillateurs bille de YIG

Une bille de YIG est une sphre conductrice de matriau ferrimagntique (yttrium, fer, et
garnet = YIG) utilise en cavit rsonante ajustable par un champ magntique.

Le phnomne ressemble l'induction par effet Hall dans les dispositifs semi-conducteurs.
Il faut placer la bille de YIG dans l'entrefer d'un lectro-aimant et proximit de l'lment
actif (diode Gunn par ex). Il y a rsonance quand la frquence du champ magntique appliqu
correspond la frquence naturelle de vibration du diple lectrique interne du matriau.

Cette frquence de rsonance dpend du champ magntique dans l'entrefer, donc du courant
induit dans les bobines, ainsi que du couplage entre la sphre et la cavit.

Ligne microruban
de couplage en
sortie
Bille de YIG
Diode Gunn
Ple Nord
Ple Sud


RF1 G. Lissorgues - 2005
26


Ces oscillateurs prsentent une frquence de sortie trs pure et trs stable (10
-5
ppm), avec une
bonne linarit entre le signal de commande et la frquence, et ils fonctionnent de 500 MHz
quelques 50 GHz. Ils sont utiliss en tant que convertisseurs courant / frquence (et non plus
tension / frquence comme les VCOs), mais ne dlivrent pas de trs fortes puissances en
sortie (environ 20 dBm max).


4. Les proprits et principales caractristiques

a) la puret spectrale

La puret spectrale d'un oscillateur se traduit par la prpondrance de la raie fondamentale sur
les raies harmoniques.

Elle s'observe sur le spectre de la puissance de sortie en fonction de la frquence :
- raie fondamentale d'oscillation pure f
o

- raies harmoniques k.f
o
, k entier

Puissance Puissance
f f
1 2 3 4 5 1 2 3 4 5
f
o
f
o
bonne puret spectrale mauvaise puret spectrale


La puret d'un oscillateur est qualifie de bonne si l'amplitude du second harmonique est au
moins infrieure de 30 dB celle de la raie fondamentale. Les oscillateurs dits "faible bruit"
prsentent une amplitude entre -40 et -60 dBc pour le second harmonique.

b) le bruit de phase

Le bruit de phase est reli la stabilit en frquence des oscillateurs court terme. Il est
caractris dans le domaine frquentiel par des variations de la puissance de sortie autour de
la frquence fondamentale d'oscillation fo, une certaine distance fm de fo, dans une bande
de frquence de largeur 1 Hz, et il s'exprime en dB
c
/Hz.


RF1 G. Lissorgues - 2005
27
1 Hz
fm
fo
Puissance
de sortie
frquence
cart de puissance :
P
ssb
(dBm) - P
s
(dBm)


Ce bruit traduit une modulation de phase qui peut provenir de fluctuations parasites dans les
tensions DC d'alimentation, ou bien des bruits dans les composants actifs et passifs
constitutifs de l'oscillateur.

Mise en quation :

- soit V(t) = A
o
.cos(
o
.t) le signal d'oscillation pur la frquence fondamentale f
o


- le signal bruit par des fluctuations de phase s'crit alors : V(t) = A
o
.cos[
o
.t + (t)], o (t)
reprsente les fluctuations de phase

- dans le cas d'une modulation sinusodale de la phase, (t) = .sin(
m
.t) et alors
V(t) = A
o
.cos[
o
.t + .sin(
m
.t)]
- la pulsation instantane s'exprime par :
d phase
dt
t
o m m
( )
. .cos( . ) = +
- la frquence instantane s'exprime par :
1
2
2

d phase
dt
f f f t
o m m
( )
. .cos( . ) = +

- la dviation maximale en frquence vaut donc : f = .f
m


- on dfinit le bruit de phase f
m
de la porteuse f
o
par :

20log( ) = 20log( f/f
m
), expression o l'on peut faire apparatre les puissances P
s
la
frquence f
o
et P
ssb
dans la bande latrale f
m
, soit 10log(P
ssb
/ P
s
) = P
ssb
(dBm) - P
s
(dBm).

Le bruit de phase est donc le rapport entre la puissance contenue dans une bande de 1 Hz
autour de f
m
et la puissance la frquence centrale.

Exemples de valeurs typiques :

- oscillateur quartz 10 MHz
- niveau de rfrence de la frquence fondamentale : -60dBc

fm (kHz) largeur de
bande (Hz)
Pssb dans la
bande (dB/BW)
Pssb ramene par bande
de 1 Hz (dB/Hz)
bruit de phase
(dBc/Hz)
1 95.49 -70.7 -90.5 -150.5

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28
5 95.49 -71.0 -90.8 -150.8
10 95.49 -71.2 -91.0 -151.0
25 238.7 -69.2 -93.0 -153.0
50 954.9 -63.3 -93.1 -153.1
100 954.9 -63.5 -93.3 -153.3

- oscillateur cavit rsonante 2.2 GHz
- niveau de rfrence de la frquence fondamentale : -60dBc

fm (kHz) largeur de
bande (Hz)
Pssb dans la
bande (dB/BW)
Pssb ramene par bande
de 1 Hz (dB/Hz)
bruit de phase
(dBc/Hz)
50 Hz 1.91 -23.8 -26.6 -86.6
100 Hz 1.91 -31.0 -33.8 -93.8
500 Hz 9.55 -43.1 -52.9 -112.9
1 9.55 -54.6 -64.4 -124.4
5 95.49 -62.8 -82.6 -142.6
10 95.49 -68.9 -88.6 -148.6
25 238.7 -68.5 -92.3 -152.3
50 954.9 -63.3 -93.1 -153.1
100 954.9 -63.5 -93.3 -153.3

c) le temps de commutation

Ce paramtre est particulirement important dans les applications en synthse de frquence o
il est souvent ncessaire de faire passer la frquence d'une valeur une autre en un temps le
plus court possible.
Le temps de commutation caractrise la dynamique de l'oscillateur, selon 3 paramtres :

- le slew rate (en MHz/s)
= vitesse de passage de F1 F2 sous l'action d'une commande spcifique
= F2-F1 / t

- le temps d'tablissement (en s)
= temps minimum ncessaire pour obtenir la nouvelle valeur de frquence, dans une plage
d'erreur donne
= te

- la drive long terme (en MHz/s)
= variation de la frquence aprs un temps considr comme long devant le temps
d'tablissement
= F
lointain
/ t
lointain




RF1 G. Lissorgues - 2005
29
frquence
temps
F2
F1
F
t
te
drive
F
lointain
t
lointain
marge
d'erreur




5. Bilan et quelques exemples d'oscillateurs

Choix de l'lment actif et du rsonateur en fonction de la plage de frquence d'utilisation :

250 M 500M 1G 2G 10G 20G 100G
lment
actif
lment
passif
JFET
MOSFET
T. BIPOLAIRES
MESFET / HBT
HEMT
GUNN / IMPATT
RC
quartz
SAW
LC localiss
LC distribus (lignes microruban, ...)
Rsonateur dilectrique
Bille de YIG







Quelques caractristiques d'oscillateurs pour applications en tlcommunication :

type de
rsonateur
frquence gamme d'accord facteur Q intgration?
quartz qq MHz
300 MHz
10 50 ppm 10
4
> 10
5
non

RF1 G. Lissorgues - 2005
30
SAW

< 2GHz 5 % 1000 non
rsonateur
coaxial
< 3 GHz 10 % 500 non
LC localiss

< 8 GHz < octave 50 oui
lignes

> 1 GHz 50 % 100 oui (MMICs)
rsonateur
dilectrique
2 20 GHz 1-2 % 1000 non



LA SYNTHESE DE FREQUENCE DANS LES SYSTEMES DE RADIOCOMMUNICATIONS

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