Densit dtats dans les bandes de valence et de conduction

Distribution statistique et occupation des bandes

II.2.1 Semiconducteur non dgnr
II.2.2 Semiconducteur intrinsque
II.2.3 Semiconducteur fortement dop (dgnr)
II.2.4 Semiconducteur dop (ou extrinsque)
II.2.4.A Occupation des niveaux donneurs et accepteurs
II.2.4.B Dtermination des concentrations de porteurs
Science et gnie des matriaux, Romuald Houdr - 2006 /2007
Chapitre 3
1
Plan du cours
1. Introduction
- Caractristiques physiques des semiconducteurs
- Quels Matriaux pour quel type dapplications
2. Proprits lectroniques des semiconducteurs
- Structure de bandes
- Statistiques doccupation des bandes
- Proprits de transport
- Processus de recombinaison
3. Jonctions et interfaces
- Jonctions mtal/semi-conducteurs
- Jonction p-n lquilibre, Jonction p-n hors-quilibre
4. Composants lectroniques
- Transistors bipolaires
- Transistors effet de champ
- Dispositifs quantiques
- Nouveaux matriaux
5. Composants optolectroniques
- Dtecteurs
- Diodes lectroluminescentes
- Diodes lasers
- Lasers mission par la surface
- Lasers cascade quantique
1/3
bases
1/3
transport
1/3
optique
2
Statistiques doccupation
But: Dcrire les proprits physiques dun
semiconducteurs telles que
- labsorption
- la conductivit
3
Conductivit
La conductivit dpend aussi de la population de porteurs
dop
Non dop
4
Statistique doccupation
Densit dtats dans les bandes de valence et de conduction
Densit dtats le nombre dtats disponibles pour les lectrons
!
Cest une fonction qui ne dpend que de lnergie
la temprature est responsable de la distribution des lectrons sur ces
tats
Energie
Rem:
- 2 lectrons de spin oppos par niveau
- T=0K, densit nulle dans la BC
5
Statistique doccupation
1D: soit une chane de N atomes k peut prendre N valeurs comprises entre
-/a et +/a, avec une sparation de 2/Na
3D: chaque valeur de k occupe un volume de lespace rciproque V
r
= (2/Na)
3
,
soit 8
3
/V
cristal
, avec V
cristal
=N
3
a
3
le volume du cristal dans lespace rel
Densit dtats des lectrons dans lespace k = 1 / Vr = V
cristal
/8
3
Densit dtats des lectrons dans lespace k par unit de volume de cristal:
(1 / Vr) / Volume du cristal (V
cristal
) = 1/8
3
La densit dtats est uniforme constante pour tout intervalle de k
En revanche, la densit dtats par intervalle dnergie augmente avec
lnergie de par la relation de dispersion quadratique

e
ikNa
=1 k =
2n
Na
6
Statistique doccupation
Attention: relation valable uniquement au
voisinage dun minimum de bande dnergie
quand m* peut tre dfinie
Calcul de la densit dtats en fonction de lnergie

Calculons le nombre dtats dans une sphre de rayon k:

N = volume de la sphre x densit dtat volumique x 2 (spins +1/2 et -1/2)

= 4/3 k
3
x 1/8
3
x 2
=

1
3
2
2m*
h
2
E E
0
( )






3/ 2
7
Statistique doccupation
Densit dtats par unit dnergie dN/dE
Densit dtats varie comme la racine carre de lnergie
Densit dtats varie comme la masse effective la puissance 3/2

N
3D
(E) =
1
3
2
2m*
h
2
E E
0
( )






3/ 2

p
3D
(E) =
dN
3D
(E)
dE
=
1
2
2
2m*
h
2
[
\
|

)
j
3/ 2
E ~ E
0
( )
E
d
N
/
d
E
Exercice: montrer que 2 et 1 dimension:

2D
(E) =
m*
h
2
(E E
0
)

1D
(E) =
2
h
1
E E
0
( )
E
d
N
/
d
E
E
d
N
/
d
E
8
Occupation des bandes
Electrons et trous suivent la statistique de Fermi-Dirac
La probabilit pour quun tat dnergie E soit occup par un lectron une
temprature T est donne par la fonction de Fermi-Dirac :
Cest par dfinition le potentiel chimique des particules dans la
structure
Notons encore que le niveau de Fermi correspond lnergie pour
laquelle la probabilit doccupation pour un tat, et ce quelle que soit la
temprature, est gale 1/2
f (E) =
1
1+ e
(EE
F
)/ k
B
T
9
Occupation des bandes
http://jas.eng.buffalo.edu/education/semicon/fermi/functionAndStates/functionAndStates.html
A 300 K, E E
F
= 0.05 eV f(E) = 0.12
E E
F
= 7.5 eV f(E) = 10
129
10
La densit dlectrons est le produit de la densit dtats D(E) par la probabilit
doccupation de cet tat f(E)
n
c
(E)= f
c
(E)D(E)

La densit de trous scrit de faon similaire en considrant la probabilit f
v
(E)
davoir un tat vide dans la bande de valence (cest dire un lectron mis vers
la bande de conduction)
n
v
(E)= f
v
(E)D
v
(E)=[1-f
c
(E)]D
v
(E)]
La concentration totale en lectrons (trous) dans la bande de conduction (valence)
sobtient en intgrant la densit de porteur n
c(v)
sur lensemble de la bande de
conduction (valence), soient
Occupation des bandes
A
d
m
e
t
t
r
e
11
Occupation des bandes
f
v
(E)
f
c
(E)
Niveau de Fermi au milieu du gap
http://jas.eng.buffalo.edu/education/semicon/fermi/levelAndDOS/index.html
12
Semiconducteur non dgnr
Semiconducteur non dgnr le niveau de Fermi se situe dans
la bande interdite, et plus particulirement, proche du centre
Nous avons alors |E-E
F
| >> kT (Si 300K: k
B
T=25 meV compar E
g
/2=550 meV)
approximation de Boltzmann (cas o le nombre de porteurs est
suffisamment faible pour que le principe dexclusion de Pauli nait pas tre
appliqu). La statistique doccupation devient

notez la diffrence de signe !

13
Aprs intgration:

N
c(v)
sont les densits effectives dtats
Semiconducteur non dgnr
Attention N
c(v)
dpend de T !

N
c(v)
= 2
2m
c(v)
* / m
0
k
B
T
h
2






3/ 2

m
c(v)
*
m
0
T






3/ 2
= 2.510
19
m*
m
0
T(K)
300






3/ 2
cm
3
14
Semiconducteur non dgnr
Densit effective dtats une bande se reprsente comme un
niveau discret de concentration N
c

dont le peuplement dpend de la
probabilit exp[-(E
c
-E
F
)/k
B
T]
N
C
(10
19
cm
-3
) N
V
(10
19
cm
-3
)
Si 2.7 1.1
Ge 1 0.5
GaAs 0.04 1.3
Densits effectives dtats (N
c(v)
) 300 K pour diffrents semiconducteurs
15
Statistique doccupation des
bandes dnergie
pause historique
E. Fermi (1901-1954)
http://nobelprize.org/physics/laureates/1938/fermi-bio.html
http://nobelprize.org/physics/laureates/1933/dirac-bio.html
A.M. Dirac (1902-1984)
16
n
i
: concentration de porteurs intrinsque
dpend de T, N
c
, N
v
et E
g
17
Loi d'action de masse

np = N
c
N
v
e

E
c
E
v
( )
k
B
T
= N
c
N
v
e

E
g
k
B
T
= n
i
2
indpendant de E
F
17
Niveau intrinsque
Un semiconducteur idalement pur est appel intrinsque
Electrons et trous ne proviennent que de lexcitation thermique
La condition de neutralit lectrique impose lquilibre n = p
Position du niveau de Fermi vers le milieu du gap
N
v
et N
c
peu diffrents
E
v
E
c
E
F
Cette position particulire du niveau de
Fermi s'appelle le niveau intrinsque: E
i
18
19
Il est parfois utile d'exprimer n et p en fonction de E
i
et E
F
Niveau intrinsque
E
i
=
E
c
+ E
v
( )
2
+ k
B
Tln
N
v
N
c

n = n
i
e
E
F
E
i
( )
k
B
T
p = n
i
e
E
i
E
F
( )
k
B
T
19
Semiconducteur intrinsque

20
Concentrations de porteurs
Charges
Symbole Nature Charge
N
A
densit d'accepteurs 0
N
A
-
densit d'accepteurs
ioniss
-e
N
D
densit de donneurs 0
N
D
+
densit de donneurs
ioniss
+e
n lectrons -e
p trous +e
Neutralit lectrique
Donneurs et accepteurs
compltement ioniss 300 K:
N
A
-
= N
A
N
D
+
= N
D
21
22
Statistique d'occupation des
niveaux donneurs et accepteurs
A
d
m
e
t
t
r
e
Les fonctions de distributions sont un peu
diffrentes des distributions de Fermi-Dirac
BC
BV
E
C
E
V
E
F
Accepteurs
f
A
(E) =
1
1+ 4e
E
V
+E
A
E
F
( )
k
B
T
E
A
Donneurs
f
D
(E) =
1
1+
1
2
e
E
C
E
D
E
F
( )
k
B
T
E
D
22
23
Avec la neutralit lectrique et les statistiques d'occupation on a
suffisamment d'quations pour calculer n, p, N
D
+
et N
A
-

Niveaux donneurs et accepteurs
23
Semiconducteur de type n
Evolution avec la temprature
N
D
donneurs (N
A
= 0) avec une nergie dionisation E
D
petite (les porteurs sont tous
ioniss 300K)
A T= 0K: pas de porteurs dans la bande de conduction
n = 0, p = 0
Temprature intermdiaire:
Les donneurs sont tous ioniss mais les lectrons provenant de la bande de
valence par ionisation thermique sont ngligeables n = N
D

24
Au-del dune certaine temprature, lionisation intrinsque ne peut plus tre
nglige. Nous aurons alors la condition de neutralit suivante
Pour le rgime des tempratures intermdiaires (n
i
<<N
D
)
et
Rgime de saturation
Semiconducteur de type n
Evolution avec la temprature
25
Rgime de saturation

Le domaine o le nombre dlectrons est gal N

D
est appel le
rgime de saturation
Le nombre de trous tant trs faible compar au nombre dlectrons,
ces derniers sont appels porteurs majoritaires, alors que les trous
sont les porteurs minoritaires
La conductivit dpend seulement de la concentration en
donneurs. Cest ce quon appelle la conductivit extrinsque de
type n
26
Concentration en lectrons et trous
I) Tempratures leves (zone intrinsque) : la concentration intrinsque n
i

devient plus grande que les concentrations nettes de dopants et la condition de
neutralit se rduit n = p = n
i
II) Tempratures moyennes (zone extrinsque): les donneurs et accepteurs sont
compltement ioniss
n N
D
-N
A
cte (dopage n) et p N
A
-N
D
cte (dopage p)
III) basses tempratures (zone de condensation) : lionisation des impurets
devient incomplte (condensation des lectrons sur les impurets). La
concentration des porteurs libre dcrot suivant la relation
3 domaines de temprature
27
Concentration en lectrons
rgime
extrinsque
rgime de
condensation
28
Cas du semiconducteur dgnr
Le niveau de Fermi se trouve dans la bande de conduction
Distribution de Boltzmann plus valable. On considre alors une fonction chelon
f(E) = 1 pour E < E
F
f(E) = 0 pour E > E
F
Semiconducteur dgnr = fortement dop n > N
C
Indpendant de T

Comportement mtallique

n =
1
3
2
2m*
h
2






3
2
E
F
E
C
( )
3
2
29