TP de Conception et simulation des dispositifs à semi-conducteur

Logiciel SILVACO ATLAS

Filière : Génie Mécatronique (GM2)

Module: Electronique II
TP (1.1) : Structure d’une diode

Dans le but de simuler les caractéristiques d’une diode, on définit dans le simulateur ATLAS une
structure de deux dimensions de cet diode définie comme suite :

1) Le maillage (mesh, x.m, y.m, l , spacing):

mesh rect smooth=1 diag.flip cylindrical
L’axe (ox) est discrétisée comme suite :

 la position x=0.0 avec un espace de 20.

 la position x=80 avec un espace de 10.
 la position x=200 avec un espace de 50.

L’axe (oy) est discrétisée comme suite :

 la position y=0.0 avec un espace de 1.0.

 la position x=3.2 avec un espace de 0.1.
 la position x=5.0 avec un espace de 0.5.
 la position x=7.0 avec un espace de 0.1.
 la position x=15 avec un espace de 3.

2) On définit une seule région constitue par le silicium (region, num, silicon).
 Région 1 , material a-Sic la position y.max=3.2
 Région 2 , material a-Sic la position y.min=3.2 y.max=7.0
 Région 3 , material a-Sic la position y.min=7.0
3) On détermine les électrodes :
 1er électrode : son nom anode, sa position x.max=100.0
 2eme électrode : son nom cathode, sa position bottom
4) Dans la 4eme étape on définit le dopage comme suite :
 1er zone en définit le dopage de type p à une concentration 2.0e19, est occupé la
reg=1 uniform.
 2eme zone en définit le dopage de type n à une concentration 1.0e16, est occupé la
reg=2, uniform.
 3eme zone en définit le dopage de type n à une concentration 5.0e18, est occupé la
reg=3, uniform.
5) Sauvegardé la structure sous le nom doide (save ).
6) A l’aide de tonyplot affiché cette structure.

Ecrire un programme sur l’interface Deckbuild permet d’affiché cette structure.