Génération de très hautes tensions continues à

moyenne puissance.
Application à un dispositif de séparation
isotopique par laser,alimentation et circuits
auxiliaires.
Application à la production de carbone 13
Dr. Oleg Eric Anitoff∗
1er Aout 1997

Contents
1 Génération de très hautes tensions 2
1.1 introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2 génération de très haute tension par oscillateur bloqué . . . . . . 2
1.3 générateur THT à thyristor à charge résonnante . . . . . . . . . 4
1.4 demi pont de thyristors,pont de GTO . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.5 redresseur secteur à controle de phase . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.5.1 pont de puissance,facteur de puissance . . . . . . . . . . . 8
1.5.2 controle de phase,régulation . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.6 pont de transistors bipolaires de 3,7kW et driver 4A . . . . . . . 10
1.6.1 pont de transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.6.2 driver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.7 bloc transformateur redresseur THT . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.7.1 calcul du transformateur THT . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.7.2 redressement et filtrage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.8 alimentation filament et régulation de courant . . . . . . . . . . . 15
∗ précédement Chargé de Recherche au Centre National de la Recherche Scientifique,détaché

au Centre d’Etudes Nucléaires de Saclay;actuellement Consultant,20 rue des Clochettes,93700

Drancy France

1
2 Application à l’alimentation d’un laser stabilisé et circuits aux-
iliaires 16
2.1 introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.2 alimentation primaire à correction du facteur de puissance . . . . 17
2.3 commande de pont de MOSFET ou d’IGBT . . . . . . . . . . . . 19
2.4 alimentation et stabilisation d’un laser à dioxyde de carbone à
tube scellé de 600Watts optiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.5 Mesure de l’énergie impulsionnelle délivrée par le laser . . . . . . 22
2.6 dispositif de séparation isotopique:pilotage par microordinateur . 23
2.6.1 principe de la séparation isotopique . . . . . . . . . . . . 23
2.6.2 commande par micro-ordinateur . . . . . . . . . . . . . . 24
2.7 Conclusion et aspects économiques . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.7.1 Alimentation de tubes à rayons X . . . . . . . . . . . . . 25
2.7.2 production de carbone 13 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

1 Génération de très hautes tensions

1.1 introduction
De nombreuses applications à l’instrumentation nécessitent la mise en oeuvre
de tensions élevées.
Alors que des tensions inférieures à 2000 Volts suffisent pour l’alimentation des
photomultiplicateurs et par exemple la polarisation des électrodes d’un spec-
tromètre de masse à séparateur magnétique ou à temps de vol,des tensions de
10 à 100 kilovolts sont nécessaires pour les tubes à rayons X ou les lasers.
Après une description succinte de montages de faible puissance,on abordera ici
l’obtention de tensions de 10 à 70 kilovolts,avec des puissances de 3-4 kW,appliquées
initialement à l’alimentation de tubes à rayons X pour la radiocristallogra-
phie,puis à l’alimentation de lasers.
Plus particulièrement,on décrit l’alimentation d’un laser à dioxyde de carbone
destiné à la séparation isotopique du carbone 13,ainsi que ses circuits auxili-
aires,tels que stabilisation de mode,mesure de l’énergie d’impulsion et diverses
commandes pour la photoionisation de gaz(fréons)
Ce rapport décrit l’ensemble des circuits électroniques d’une installation de
séparation isotopique,qui devrait faire l’objet d’une application industrielle l’année
prochaine.

1.2 génération de très haute tension par oscillateur bloqué

Le petit générateur décrit(figure 1) fournit une puissance d’une dizaine de
watts,ce qui convient pour la tension de postaccéleration d’un tube cathodique
ou pour un ioniseur d’appartement. Le transformateur est un transformateur
THT de téléviseur(noir et blanc),muni d’un primaire de 13 spires avec prise

2
dix spires(n1 = 10; n2 = 3).On a utilisé ici un transistor PNP au germanium
AU110,monté avec collecteur à la masse pour simplifier le refroidissement,qui
présente l’avantage d’une tension d’avalanche émetteur-base élevée(environ 40
volts,contre 5 volts pour un transistor au silicium).
Le courant d’émetteur est ie ,le courant base ib ,le gain en courant β.Pour sim-
plifier,on néglige devant les tensions induites la tension de saturation collecteur-
émetteur et la tension émetteur-base.
Les tensions apparaissant sur les enroulements sont déduites de la loi de Fara-
day:
rotE = −∂B/∂t (1)

soit sous forme intégrale(théorème de Stokes)

E = ∂Φ/∂t = ns∂B/∂t = L∂i/∂t (2)

D’où:
ib = n2 /n1 ∗ 1/rb ∗ E (3)
ie = E/L2 ∗ t + n2 /n1 ∗ 1/rb ∗ E (4)
Le courant d’émetteur cesse de croitre au temps θ tel que:

ie = (β + 1)ib (5)

soit:
θ = β ∗ n2 /n1 ∗ L2 /rb (6)

Avec:
β = 50, n1 = 10, n2 = 3, L2 = 130µH
,on trouve
θ = 10µs

Alors,le courant base ainsi que le courant émetteur s’annulent,et il apparait

une pointe de tension de140V olts,soit environ 10 Volts par spire,ce qui produit
une tension secondaire d’environ 10 kilovolts,redressée par un doubleur de ten-
sion.On remarquera que ce mode de fonctionnement serait destructif avec un
transistor au silicium,dont la jonction émetteur-base entrerait en avalanche.Avec
un AU110,ce montage est parfaitement fiable,et a fonctionné trois ans en per-
manence.
Une puissance bien plus élevée peut être transmise par un petit circuit en double
U(dimensions typiques:s = 1, 6cm2 ;lf = 16cm;B = 0, 35T esla).Ainsi,on verra
au paragraphe suivant que la puissance transmise par un tel circuit saturé,refroidi

3
et isolé par huile,atteint240W .Sans aller aussi loin,en adoptant un montage ”fly-
back” avec enroulement de récupération,avec un MOSFET BU Z54 piloté par un
U C3844 à100kHz,une puissance d’environ 100W atts peut être obtenue(figure
2).Ce montage a été appliqué à la génération d’ozone pour la purification de
l’eau.

1.3 générateur THT à thyristor à charge résonnante

Ce type de générateur,capable d’alimenter un laser à azote ou un petit tube à
rayons X,exploite la décharge par un thyristor rapide(qui pourrait être remplac
par un transistor bipolaire ou MOSFET,mais le thyristor présente l’avantage
de bien supporter les surintensités dues à la saturation du transformateur)d’un
condensateur de puissance(à armatures métalliques,type HT72)dans le primaire
d’un transformateur THT.Pour atteindre une tension secondaire de 15 ou 25kV,il
est nécessaire,avec une tension aux bornes du condensateur de l’ordre de 400
Volts,de limiter le nombre de spires du primaire à 20 ou 30.
On calcule l’inductance du primaire grace au théorème d’Ampère:

rotH = j (7)

soit sous forme intégrale:

Ha la + Hf lf = ni (8)
où Ha est le champ magnétique dans l’entrefer
la la longueur de l’entrefer
Hf le champ dans la ferrite
lf la longueur d’une ligne de champ dans la ferrite
j la densité de courant et:

B = µ0 Ha = µ0 µr Hf (9)

avec B induction(en Tesla)dans le circuit magnétique et dans l’entrefer(Bmax =

0, 35 Tesla pour une ferrite,plus de 1 Tesla pour un circuit en fer amorphe ou
en tole au silicium à grains orientés)
µ0 = 4π10−7
etµr est la perméabilité magnétique,dépendant de l’induction.
Soit avec la loi de Faraday(2),après réarrangement:

L2 = n2 sµ0 /(la + lf /µr ) (10)

Pour un circuit en double U de section s = 1, 6cm2 et de longueurlf = 16cm,en

matériau 3C8(µr = 2000àB = 0, 2T ),on mesure:

N = 20spires : L2 = 460µH; L2,fuite = 100µH

N = 30spires : L2 = 1100µH; L2,fuite = 220µH

4
où l’inductance de fuite est mesurée ,au moyen d’un pont MIC-4070D, avec sec-
ondaire en court circuit.
Le circuit est représenté figure 3.On suppose que C4 est initialement chargé et
le thyristor bloqué.
C3 se charge à travers R1 + P1 ,qui sert à déterminer la fréquence d’amorcage du
thyristor,et donc la THT moyenne en sortie.Lorsque la tension aux bornes de C3
atteint 32volts,le diac DB3(ou ST2)se déclenche et amorce le thyristor rapide,qui
peut être un BT W 30/800 ou équivalent(SKT 16F 10DS, T SD835, C149D etc...),s’amorce
et entraine une décharge oscillante de C4 à travers le primaire L2 de TR1.
A vide,le courant dans C4 a pour expression:

i = imax sinωtexp(−pt) (11)

avec √
ω = 1/ L2 C4 radian.s−1 (12)
et
p∼
= 7000s−1 (13)
p étant déterminé expérimentalement.
En charge,ce courant est déphasé car le courant débité au secondaire est en
phase avec la tension au primaire,et il faut aussi tenir compte de la saturation
de L2 .On y reviendra à propos de la d´’etermination de L1 .Lecourantimax est
déterminé par la loi de conservation de l’énergie:la tension d’alimentation E
étant d’environ300V olts(secteur 220V olts redressé),C4 se charge à travers L1
et CR5 sous kE,avec 1, 3 ≤ k ≤ 1, 8(si le circuit était parfaitement résonnant,on
aurait k = 2).D’où:
L2 i2max = k 2 E 2 C4 (14)
En utilisant les relations (2) et (10),il vient,après réarrangement:

Va + Vf /µr = k 2 E 2 µ0 C4 /Bmax
2
(15)

où Va est le volume de l’entrefer et Vf le volume du circuit ferrite Avec les valeurs
numériques présentes,on trouve Va + Vf /µr =7,3 10−7 m3 ,ce qui conduirait à un
entrefer de 4mm,ou à faire fonctionner le transformateur à saturation avec

µr = 35

C’est cette dernière solution qui est utilisée,le transformateur étant refroidi et
isolé par huile (Univolt 84 ou Esso 51).
Il reste à déterminer l’inductance L1 .Pendant la conduction du thyristor(puis de
la diode antiparallèle lorsque le courant change de signe),le courant traversant
le condensateur est donné par l’équation(11).Simultanément,l’inductance L1 est
soumise à la tension E et le courant qui la traverse résulte de l’intégration de
l’équation (2):
i1 = Et/L1 (16)

5
Le courant total à travers le commutateur thyristor-diode est donc:

itotal = Et/L1 + imax sinωtexp(−pt) (17)

Pour rebloquer le thyristor,il est nécessaire que itotal s’inverse pendant un temps
supérieur au temps de recouvrement tq du thyristor,de l’ordre de 15µs(deux fois
moins avec un TSD835). Cette équation est facilement résolue graphiquement:il
suffit que les abscisses de l’intersection de la droite(16) avec la sinusoide amor-
tie(11) soient espacées d’un temps supérieur à tq . Une bonne valeur de L1
est 10mH.En fait,en fonctionnement,le courant itotal s’annule avant ce qui est
déterminé par l’équation (17),car le courant débité au secondaire est en phase
avec la tension au primaire,et aussi L2 se saturant,ω en dbut de cycle est plus
grande que sa valeur à faible amplitude.On dispose donc d’une bonne marge de
sécurité.
L’intensité maximale dans L1 atteint:
√
i1,max = 2π L2 C4 ∗ E/L1 (18)

Soit avec:

L1 = 10mH, L2 = 1, 1mH, C4 = 0, 47µF, E = 300V

i1,max = 4, 3A
Cette inductance,en raison de ses valeur et courant de saturation élevés,doit
donc comporter un circuit magnétique en tole avec entrefer,assez lourd et vo-
lumineux.Elle limite la vitesse de recharge de C4 ,la fréquence de résonance de
L1 + L2 avec C4 étant de 2200Hz,et il n’est guère possible de dépasser une puis-
sance de 250W.De plus,la fréquence de résonnance de L1 avec C4 n’est que de
7kHz,ce qui entraine une émission acoustique du transformateur. Un fonction-
nement à fréquence ultrasonore serait préférable.
On verra au paragraphe suivant que d’autres solutions permettent d’atteindre
une puissance de 900W,voire 1,5kW,au prix de l’utilisation d’un plus grand
nombre de thyristors.

1.4 demi pont de thyristors,pont de GTO

On peut remplacer la self de charge résonnante L1 par un commutateur,thyristor
ou GTO(Gate Turn Off thyristor,c’est à dire thyristor reblocable par com-
mande).
Dans le cas de l’utilisation de thyristors rapides T SD835(figure 5),le déchenchement
du thyristor de charge et du thyristor de décharge necéssite seulement une im-
pulsion de 2V olts/200mA pendant quelques microsecondes,ce qui est aisément
produit par un multivibrateur N E555 suivi d’un autre NE555 monté en monos-
table,les transformateurs d’impulsion de commande pouvant être de petite taille(tore
9/6/3 en matériau 3E1 RTC par exemple) car l’énergie de commande n’est que

6
d’environ 1 microjoule.En effet,en combinant les équations de Maxwell (1) et
(7),on trouve la relation suivante entre le volume du tore Vf et les paramètres
de l’impulsion:
Vf = Eiτ µ0 µr /∆B 2 (19)
Soit avec une ferrite 3E1:
Vf = 4mm3
Le T SD835 ayant un temps de reblocage de 7 µ s,le fonctionnement á fréquence
ultrasonore de 20 − 25kHz est aisément obtenu,et la puissance de sortie atteint
900W .On a trouvé expérimentalement qu’un courant efficace nominal de 15A
permettait une puissance de sortie de l’ordre de 1kW pour un montage en demi-
pont,et 1, 5kW avec un pont complet.
Une puissance comparable est obtenue avec un demi-pont de GTOs 15A(BT V 59/850),mais
la commande est plus compliquée.En effet,pour que la tension anode-cathode à
l’état passant soit la plus faible possible,un courant positif doit être injecté à la
jonction interdigitée grille-cathode pendant toute la durée de conduction.Une
impulsion négative de l’ordre de 1A sous −10 Volts rebloque le GTO en 100ns.
Ainsi,le schéma de commande est plus compliqué(figure 6).L’énergie de com-
mande est plus élevée,de l’ordre de 500 microjoules,et le volume du transfor-
mateur de commande,selon l’équation (19),doit être choisi en conséquence.Pour
le GTO de charge,un transistor Q1 type BD435,dont la base est commandée à
travers une diode zéner 10V olts Z1 ,fourni le courant positif pendant la durée
de conduction,et simultanément,le condensateur C4 de 1µ F se charge sous 10
Volts.Lors de l’alternance négative,Q2 (BD677)applique la tension aux bornes
de C4 entre cathode et grille,ce qui rebloque le GTO.En raison d’une plus grande
complexité,l’inconvénient d’un tel montage est que en cas de destruction d’un
GTO,les transistors drivers risquent aussi d’être détruits,ce qui accroit les coûts
et durée de réparation.
Le générateur de commande(figure 7)doit être capable de fournir une puis-
sance de l’ordre de 15 Watts,ce qui nécessite un montage plus complexe que
le déclenchement par NE555 du demi-pont à thyristors T SD835.
Une extension naturelle du demi-pont de GTOs est le passage au pont com-
plet(figure8),capable de délivrer plus de 1, 5kW .La tension de sortie appliquée
au primaire du transformateur THT atteint 520 Volts crête à crête,et bien sur
le transformateur THT doit être capable de transmettre au moins 1, 5kW .Son
étude est reportée au paragraphe (xx).
Dans ce montage qui se rapproche de l’objectif poursuivi(obtention d’une haute
tension pouvant atteindre 50 ou 60 kVolts avec une puissance d’au moins 2kW
pour l’alimentation d’un tube à rayons X),des sorties de mesure courant(10mV /mA)
et tension(200mV /kV )ont été prévues pour la régulation.Le multiplicateur de
tension de puissance est un sextupleur utilisant des condensateurs C10 à C15 de
2200pF/20kV s HTX(LCC série verte,les oranges étant moins résistants aux in-
tensités élevées en tête de multiplicateur)et des diodes rapides(400ns) BYX90G
RTC.Ces diodes,capables de redreser 250mAeff sous 9kV ,se sont avérées par-

7
faitement fiables et résistantes aux court-circuits en sortie,et ont été gardées
même pour une puissance de sortie de 3, 7kW .
Les résistances R5 à R9 sont des 200Megohms 2OkV de marque KOBRA,avec
une stabilité de 80ppm/K,moins chères ques les équivalents CADDOCK(qui
présentent toutefois une dérive plus faible,de 50ppm/K)

1.5 redresseur secteur à controle de phase

1.5.1 pont de puissance,facteur de puissance
Alors que le montage du paragraphe 1.3 était alimenté directement sur secteur
redressé non régulé,afin d’avoir une bonne stabilisation de la très haute tension
produite,il est avantageux de disposer d’une tension d’alimentation continue
réglable et avec une faible ondulation.
Il est particulièrement simple de faire appel à un redresseur commandé à pont
thyristors-diodes.Ainsi,le pont SEMIKRON SKB 33/08 redresse un courant ef-
ficace de 33Ampères,et constitue un module facile à installer et à refroidir(par
air,ou éventuellement par eau,qui est disponible avec un tube à rayons X ou un
laser de forte puissance).
Dans un redresseur commandé,on fait varier l’instant d’ouverture successive de
chaque thyristor dans chaque quadrant d’amplitude décroissante(figure 9).Tant
que l’amplitude de la tension secteur est supérieure à la tension de charge de la
batterie de condensateurs en sortie(C1 -C2 -C3 )(figure 10),un courant d’intensité
élevée recharge ces condensateurs,qui fournissent le courant de sortie en se
déchargeant pendant la durée de blocage des thyristors.L’ondulation est liée
au courant de sortie et à la capacité totale C par la conservation de la charge:

∆V /∆t = I/C (20)

L’inductance L1 ,qui tend à maintenir le thyristor conducteur lorsque la tension

secteur devient inférieure à la tension aux bornes de C,limite la surintensité et
augmente le temps de conduction des thyristors,ce qui est avantageux car:
le courant efficace dans le thyristor croit,pour un courant moyen donné,lorsque
la duré de conduction décroit(voir annexe 1),ce qui augmente les pertes et les
contraintes dans les condensateurs de puissance,dans lesquels l’intensité maxi-
male permise,qui décroit avec la température de service,doit être respectée(de
l’ordre de 13,5A à 100Hz pour des FELSIC CO39 350/385Volts)
le courant harmonique croit dans les mêmes conditions,augmentant la distorsion
du secteur et le courant efficace d’alimentation.
Mais une inductance de valeur trop grande est lourde,couteuse et très encom-
brante,et limite la valeur maximale de la tension redressée,aussi on a choisi
expérimentalement une valeur de 1mH/30A,réalisée sur tore de toles en fer-
rosilicium.Dans ces conditions,le temps de conduction atteint 1,8 millisecon-
des(pour une fréquence secteur de 50Hz),pour une puissance de sortie maximale
de 3700Watts sous une tension de 270 Volts(on a utilisé comme charge pour les

8
essais un convecteur à huile 220Volts/3kW).
Le facteur de puissance étant le rapport de la puissance moyenne à la puissance
apparente:
cos(φ) = Pmoyenne /E ∗ I (21)
on a mesuré
cos(φ) = 0, 57
L’ondulation à pleine puissance est,selon léquation (20),

∆Vcrêteàcrête = 12V olts

et le courant efficace dans chaque condensateur:

Ieff = 17tg(φ)/3 = 7, 9Ampères

On constate que le facteur de puissance d’une telle alimentation conduit à sur-

dimensionner le réseau monophasé,qui doit pouvoir fournir 32A (sous 220Volts
efficaces)pour un courant de sortie de 17A(sous 270Volts continus).
On étudiera plus loins une solution moderne à ce problème,l’utilisation d’un
correcteur de facteur de puissance(Power Factor Corrector:PFC),assez facile à
réaliser avec les circuits intégrés disponibles sur le marché.

1.5.2 controle de phase,régulation

La carte de commande et régulation est représentée figure 10.A partir d’une ten-
sion alternative de 2x15Volts redressée et filtrée,un régulateur M C1468L(MN1)associé
à deux transistors Q1 et Q2 fournit les tensions stabilisées de ±15V olts,avec
un courant maximum de 100mA.Le M C1468L(MOTOROLA) n’est plus fab-
riqué,et sur une autre version de cette carte,on l’a remplacé par un µ A723
associé à un µ A741 pour la génération de la tension négative.
Le controle de phase des deux thyristors du pont de puissance est assuré par un
quadruple amplificateur opérationnel à entrées Norton(courant) M C3401 MO-
TOROLA(MN3).Les signaux produits sont représentés figure 11.Le 15 Volts al-
ternatif,couplé par C23 +R26 et C24 +R27 à deux amplificateurs opérationnels
est converti en signaux carrés,puis en dents de scie par CR17+R30 +C27 et
CR18+R30 +C26 .Ces tensions en dents de scie sont appliquées aux entrées non
inverseuses des deux autres amplificateurs opérationnels,qui recoivent sur les
entrées inverseuses la tension de consigne par l’intermédiaire du potentiomètre
de symétrie P 2,nécessaire afin que les angles de conduction des deux thyristors
soient égaux.
Une position manuelle permet le réglage de la tension de consigne par P1,pour
les essais.
Pour une tension de consigne variant entre 2,9 et 4,2 Volts,la tension de sortie du
pont de thyristors varie de 270 à 0 Volts,soit un gain en tension G1 de -208.Les
sorties de ces deux amplificateurs opérationnels fonctionnant en comparateurs

9
de courant sont appliquées à deux transistors de commutation Q4 et Q5 qui
commandent les thyristors par l’intermédiaire de deux petits transformateurs
de commande IT 248 de rapport 2/1.
Une bascule RS réalisée au moyen d’un M C14000(MN2) n’applique la tension
d’alimentation de Q4 et Q5 par l’intermédiaire de Q3 que lorsque les tensions
d’alimentation sont normales et la sécurité eau est fermée(afin que la charge,tube
à rayons X ou laser,ne fonctionne pas sans refroidissement,ce qui la détruirait).
Enfin,un amplificateur opérationnel à grand gain G2 (110dB)et à entrée Bifet
type AD542 ANALOG DEVICES(MN4),monté en intégrateur,assure la régulation
de tension,recevant sur son entrée inverseuse la tension de controle THT(c’est
à dire la THT divisée par 5000)et sur son entrée non inverseuse une tension
de consigne variable de 0 à - 12Volts,stabilisée à 10 ppm/K par deux diodes
zeners compensées en température 1N827A(Z1 et Z2 ).Cette consigne peut aussi
être fournie par un convertisseur numérique/analogique(DAC),pour une com-
mande de l’alimentation par microordinateur.Un deuxième AD542 commande
un voltmètre numérique sur le panneau avant.
Le gain de l’étage pont/transformateur THT G3 étant de 222 en charge,le gain
de la boucle d’sservissement est:

G = G1 ∗ G2 ∗ G3 /5000 = 2, 8.106

La précision de régulation de l’alimentation est donc de l’ordre de 3.10−7.

On remarquera que,la référence de tension ayant une stabilité de 10 ppm/K,la
source principale de dérive thermique est le diviseur THT,dont la stabilité n’est
que de 80 ppm/K.

1.6 pont de transistors bipolaires de 3,7kW et driver 4A

1.6.1 pont de transistors
Comme on l’a vu précédement,l’emploi de semiconducteurs de puissance 15A
permet une puissance de sortie de 1,5kW avec un montage en pont.L’objectif
étant d’atteindre une puissance supérieure à 3kW,des semiconducteurs 30A sont
donc nécessaires.Dans cette gamme d’intensité,les thyristors sont trop lents et
deviennent chers,et les GTO 30A annoncés par RTC n’étaient pas disponibles.Restent
les transistors bipolaires,MOSFET(Metal Oxyde Semiconductor Field Effect
Transistor) et IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).On examinera dans
ce chapitre l’utilisation de transistors bipolaires classiques,qui sont commandés
en courant(par opposition aux MOSFETs et IGBTs commandés en tension).
Il est particulièrement commode d’utiliser des transistors montés en demi-pont
isolé(à 2500 Volts),équipés des diodes rapides de roue libre,en module facile à
cabler et dissipant 300 Watts,la résistance thermique jonctions-embase étant:

Rth = 0, 4K/W

10
.Plusieurs fabricants proposent de tels modules.Nous avons utilisé les références
SGS 30DB045 et 50DB045,supportant une tension collecteur-émetteur de 450Volts(donc
supérieure à la tension du secteur redressé à vide) et un courant collecteur re-
spectif de 30 et 50 Ampères.
Le schéma du pont est représenté figure 12.La commande de base nécessite un
courant de 4 Ampères pendant la durée de conduction,avec un réseau condensateur-
résistance-diode dont le role est de limiter le courant délivré aux bases,avec une
pointe de courant fournie par deux condensateurs de 2,2 µF en parallèle,et
d’appliquer la tension de reblocage à travers une diode BY V 28 − 50.Comme
on le verra au paragraphe suivant,la commande de base est fournie par un cir-
cuit intégré de puissance L298 SGS,délivrant 2 fois 2 Ampères sous 11 Volts
crête à crête sur 4 sorties.On utilise donc un transformateur de commande de
rapport 2,bobiné sur une ferrite ET D49 RTC.Coté entrée,comme il y a deux
sorties du L298 à mettre en parallèle,on a utilisé des réseaux de condensateurs
électrolytiques à faible résistance interne equipés de diodes pour combiner les
deux courants primaires.Afin d’avoir un bon couplage et une faible inductance
de fuite,on fait un enroulement hexafilaire en fil isolé au téflon KZ05,avec deux
fois deux demi primaires connectés en série.
On remarquera que le driver est isolé galvaniquement du pont de puissance,connecté
au réseau.Ce pont est lui même isolé de la sortie THT,o est prélevée la tension
de contreréaction.
Deux réseaux résistance condensateur(C23 -R5 et C24-R6 )limitent la vitesse de
croissance de la tension aux bornes des transistors de puissance,pour limiter les
pertes dues à l’inductance de fuite du transformateur THT.
Les transistors de puissance utilisé ont un temps de montée et de descente sur
charge résistive de l’ordre de 0,7 µs,et un temps de stockage de 7,5 µs.On ne
peut donc guère choisir une fréquence de fonctionnement autre que 20kHz,soit
une demi-période de 25 µs.La durée du courant positif de base est 16,5 µs,pour
laisser aux transistors le temps de se rebloquer.Une conduction simultanée des
transistors d’un demi-pont serait catastrophique(destruction du demi-pont).
Pour une puissance de sortie de 3, 7kW ,sous une tension d’alimentation de
270Volts,le courant collecteur atteint 15A.La puissance dissipée en saturation
est donc pour une tension de saturation VCEsat de 3 Volts:
Pdis/sat = 15 ∗ 3 ∗ 23/50 = 20, 7W attspartransistor
La puissance moyenne dissipée pour une commutation sur charge résistive est,après
une intégration élémentaire:
Pdis/com = 2 ∗ Vc ∗ Imax /6 ∗ tcommutation ∗ F (22)
soit:
Pdis/com = 2 ∗ 270 ∗ 15/6 ∗ 0, 7.10−6 ∗ 2.104 = 18, 9W attspartransistor
La puissance dissipe par demi-pont(2 transistors)est donc:
Pd = 2 ∗ (20, 7 + 18, 9) ∼
= 80W atts

11
On peut refroidir par air,en utilisant un bloc refroidisseur ventilé de résistance
thermique 0,2K/W,mais nous avons préfé utiliser le refroidissement par eau,tous
les semiconducteurs de puissance,en boitier isolé,étant montés sur une embase
de cuivre de 1cm d’épaisseur avec un canal de circulation d’eau.La puissance dis-
sipée par le pont étant au maximum de 160W,si on estime la dissipation du pont
de thyristors à 140W,la dissipation éventuelle des BU V 47I de l’alimentation fil-
ament étant négligeable,on peut estimer la température maximum d’embase à
60 degrés.Pour une température maximum de l’eau de 50 degrés(utilisation en
Afrique dans un laboratoire climatisé),la chaleur spécifique de l’eau étant:

Cv = 4, 18Joules/g/K

et la puissance totale dissipée:

Pd = 300W atts

on trouve,pour le débit d’eau ρ

ρ = Pd /(Cv ∗ ∆T ) ∼
= 7, 5g/s = 450ml/minute (23)

En fait l’électronique est refroidie par l’eau de refroidissement du tube à rayons

X ou éventuellement du laser,et le débit est bien supérieur.

1.6.2 driver
Le driver de pont,représenté figure 14,comporte un circuit intégré à modula-
tion de largeur d’impulsion(PWM:Pulse Width Modulation) T L495 (M N 1)
TEXAS,suivi d’un driver de puissance L298 (MN2) SGS.
La fréquence d’oscillation est determinée par C2 et R2 +P1 ,et reglée à 20kHz.
P2 effectue le réglage du temps mort,c’est à dire le temps minimum d’annulation
de la tension de sortie à chaque demie alternance,pour éviter la conduction
simultanée des transistors de puissance.La durée maximum d’impulsion est
réglée à 16,5 µs,mais on a prévu un démarrage progressif à la mise sous ten-
sion par Q1 ,ainsi qu’une possibilité de modulation alternative à travers C13 et
C15(l’excursion étant limitée par CR14+CR15 ,pour essayer de réduire l’ondulation
de la THT due à l’ondulation du redresseur commandé à thyristor selon l’équation(20).
Le driver est alimenté en tensions non stabilisées de +6V et −12V ,obtenues par
redressement et filtrage des 5V et 10V alternatifs d’un transformateur auxili-
aire de 100V A.entrées de régulation de courant et de tension de M N 1 ne sont
pas utilisées,la régulation s’effectuant par controle de phase du pont de thyris-
tors(paragraphe 1.5).
MN2 est le driver de puissance à quatre voies conectées deux à deux en par-
allèle:il recoit sur ses entrées IN 1 et IN 2 d’une part,et IN 3 et IN 4 d’autre
part,les deux sorties de M N 1 ramenées à un niveau TTL par un diviseur
résistif.Un régulateur 7805(REG1) stabilise le 5V des étages d’entrée.Les qua-
tres sorties,qui délivrent 2A à tour de role(4A simultanément)sont protégées

12
des coupures inductives par des diodes de roue libre BAX18(500mA moyen;2A
crête),qui donnent entière satisfaction.
Au niveau du pont,les sorties sont couplées deux à deux par les transformateurs
de commande de base.Ce circuit dissipe approximativement 11W ,et doit être
très bien refroidi.On à utilisé un radiateur profilé de 3K/W ,la dissipation max-
imale du L298 étant de 25W
Toutes les pistes de sortie et d’alimentation doivent être renforcées,en raison du
fort courant.
Ce driver est monté sur une carte enfichable de 100x160mm,avec plan de masse.
La fréquence maximale d’utilisation est 25kHz garanti et 40kHz typique.Toutefois,on
a remarqué que la tension de sortie se coupe momentanément 1µs après son
début,ce qui est sans conséquence compte tenu du temps de stockage des tran-
sistors bipolaires.

1.7 bloc transformateur redresseur THT

1.7.1 calcul du transformateur THT
La relation (19),déduite des équations de Maxwell,a permis d’établir l’énergie
En stockée dans un milieu magnétique:
En = ∆B.∆H.Vf (24)
On se propose d’utiliser le matériau K2004 de KASCHKE KG,analogue au 3C8
de RTC,mais utilisable jusqu’à 100kHz.
On choisit la plus grande taille disponible,deux U de 100x57x25mm.Les paramètres
de ce circuit sont les suivants:
lf = 31cm
s = 6, 20cm2
Vf = 191cm3
La courbe induction-champ est représentée figure 15.
Pour une induction de 350mT ,le champ est de 55A/m.Donc:
En350mT = 15mJ
Si on veut aller jusqu’à la saturation,ce qui conduit à des pertes élevées,mais
le transformateur est immergé dans une cuve d’huile qui peut être refroidie par
eau,pour un champ de 250A/m,l’induction sature à 425mT.Alors:
Ensat/425mT = 81mJ
Le champ du au courant débité au secondaire compense le champ induit par le
courant primaire.Si η est le rendement du transformateur(en première approxi-
mation on prendra η=0,95),alors la puissance transmise est:
Pt = En ∗ F ∗ η/(1 − η) (25)

13
Soit,à 350mT et 20kHz:
Pt350mT = 5800W
Si on augmente l’induction ou la fréquence,la puissance transmise augmente en
première approximation proportionnellement,mais les pertes augmentent beau-
coup,ce qui réduit le rendement.
A titre d’exemple,on a proposé la relation suivante entre les pertes spécifiques
en W/kg,la fréquence F et le champ B dans le matériau METGLAS de ALLIED
SIGNALS,mais il s’agit de rubans de fer amorphe et non de ferrites:

Pspec = 6, 5 ∗ F 1,51 ∗ B 1,74 W atts/kg (26)

On voit que cette taille de ferrite est suffisante,et on peut espérer une puissance
transmise de 10kW à 50kHz.
Il reste à calculer le nombre de spires:il résulte de l’équation(2):

E/n = s ∗ F ∗ ∆B (27)

Soit,avec le circuit choisi:

E/n = 8, 5V olt/spire

Donc,pour une tension primaire de 270Volts,on utilisera un enroulement de

32spires,et pour 380Volts,45spires.Le courant maximum étant de 15 A en haute
fréquence,on utilisera du fil divisé de section totale 3mm2 (densité de courant
5A/mm2 ).Pour un secondaire de 10000 Volts,on utilisera 1200 spires de 0, 1mm2 (diamètre
0, 4mm).

1.7.2 redressement et filtrage

Afin d’atteindre une tension de sortie maximale en charge de 60kV ,on utilise un
sextupleur de tension.Le courant redressé moyen maximum est 60mA:on utilise
des diodes BY X90G de RTC,qui ont les caractéristiques suivantes:
efficace
Iredresse = 250mA
repetitive
Vinverse = 7kV
trecouvrement = 400ns
En raison du temps mort,les diodes commutent à courant nul,donc il n’y a pas
de pertes dues au temps de recouvrement inverse.
La tension inverse étant de 20kV par branche,il faut mettre trois diodes en
série,l’équilibrage capacitif étant assuré par des pastilles de diamètre 10mm sur
le circuit imprimé,pontées par du mastic silicone.Nous n’avons jamais observé
de défaillance d’une diode,même après des arcs dans le connecteur de sortie
THT(pot fédéral,avec les connections du filament pour un tube à rayons X)ou

14
des court-circuits de condensateurs.
Les condensateurs doivent supporter une tension de service de 20kV ,et surtout
un courant moyen de 360mA en tête de multiplicateur.C’est la tenue en courant
qui est le paramètre le plus critique.
Les condensateurs céramique LT X360 série orange de LCC ne sont pas fi-
ables,nous avons eu plusieurs court-circuits,entrainant la destruction d’au moins
un demi pont de transistors. Les condensateurs LT X360 série verte semblent
plus fiables,et nous avons aussi essayé des condensateurs au polycarbonate à
armatures 4700pF 20kV type HT 72,de EUROFARAD.
Notons que SPRAGUE devait produire des condensateurs haute tension vitrifiés
et non frittés,qui auraient une tenue en puissance deux fois supérieure.
On pourrait aussi essayer des condensateurs pour lasers,30kV ou 40kV ,que pro-
posent ATESYS(ETAT),MURATA,ERIE.
Analysons les pertes dans le condensateur en tête de multiplicateur,pour un
courant sinusoidal de fréquence F:
T HT
Pdissipee = Ieff /(2.π.F.C).tg(δ) (28)

La tangente de l’angle de perte,pour les LCC LT X360,est inférieure à 3.10−2 ,et

a une valeur typique de 6.10−3 à 60 degrés.La puissance dissipée typique est donc
de 8W atts à 60 degrés,ce qui est raisonnable avec le refroidissement par huile(la
cuve THT est emplie de 15 litres d’huile THT Univolt 84 ou Esso 51).D’ailleurs
nous avons déduit des courbes publiées par LCC la relation suivante entre le
courant efficace et la fréquence donnée de Hertzs pour un condensateur LCC de
2200pF :
I = 8.10−3 .F 0,4 (29)
Ce qui donne un courant maximum de 420mA à 20kHz.On voit donc que des
condensateurs de 2200pF sont juste suffisants,et on aurait une meilleure marge
de sécurité en travaillant à fréquence plus élevée,ce qui est toutefois impossible
avec des transistors bipolaires.
Enfin,la cuve comporte un transformateur d’alimentation filament,avec un pri-
maire de 32 spires,un secondaire de controle de 4 spires et un secondaire fila-
ment de 4 spires isolé à 100kV ,et bobiné sur un circuit de deux U 65/40/20
en 3C8. Les connections sont ramenées à un connecteur étanche à l’huile à 12
contacts,supportant 8 Ampères par contact.

1.8 alimentation filament et régulation de courant

Pour alimenter le transformateur filament,dont la puissance ne dépasse pas
150Watts,on utilise un demi pont de transistors BU V 47I(isolés),représenté fig-
ure 17.
Le schéma est tout à fait classique.On notera que les condensateurs C7 et C8 sont
à armatures,du type HT 76,EUROFARAD.La puissance de commande de base
est faible,et les transformateurs T1 et T2 sont simplement bobinés sur des tores

15
de 23mm en 3E1.Ce demi pont est alimenté sous 300V olts non régulés(secteur
redressé).
Le driver est représenté figure 18:il est semblable au driver du pont de transistors
de puissance,toutefois en raison de la faible puissance de sortie,l’échauffement du
radiateur de M N 2 est bien moindre.La fréquence de fonctionnement est réglée
à 25kHz.
La seule particularité est la modulation de durée d’impulsion par comparaison
d’une tension de consigne variable entre 0 et 1 Volt,fournie par un potentiomètre
10 tours de 10k,à partir de la tension de référence de 5 Volts délivrée par M N 1,à
la sortie courant(20mV /mA) du bloc THT.
En ajustant la puissance appliquée au filament du tube à rayons X,on fixe le
courant d’émission.Ainsi,on réalise simultanément les régulations en courant et
en tension.L’alimentation finale est photographiée figure 19.

2 Application à l’alimentation d’un laser sta-

bilisé et circuits auxiliaires
2.1 introduction
Le montage présenté au chapitre précédent,destiné à l’alimentation de tubes à
rayons X ou de lasers non stabilisés,présente une tension d’ondulation à pleine
charge d’environ 10−2 et un facteur de puissance médiocre sur alimentation
monophasée.
La séparation isotopique nécessite l’absorption multiphotonique par un mode vi-
brationnel précis d’une molécule de composition isotopique bien déterminée(ref
1,2,3).Pour cela,le laser doit être soigneusement stabilisé sur un unique mode
rotationnel(ref 4),ce qui nécessite une alimentation d’une très bonne stabilité en
courant,et d’une ondulation résiduelle aussi faible que possible.
D’autre part,les nouvelles normes européennes de compatibilité électromagnétique
conduisent à une limitation de la distorsion du secteur par réinjection d’harmoniques,et
il est aussi avantageux de ne pas surdimensionner l’intensité maximale de la
ligne utilisée,ce qui conduit à rechercher un facteur de puissance aussi proche de
l’unité que possible.Les circuits modernes de correction du facteur de puissance
permettent d’atteindre 0, 99,par une technique de découpage.
Il existe plusieurs sortes de lasers à dioxyde de carbone,dont les puissances
peuvent dépasser 100kW (ref 4). Pour les lasers multimodes à pression atmo-
sphérique,la tension d’alimentation est de 20 à50kV .Pour des raisons de com-
modité de réalisation de l’installation pilote,nous avons choisi un laser basse
pression(plus stable),de longueur de cavité 1m50,à tube scellé(pour ne pas con-
sommer de gaz),fabriqué par SCIENTIFIC LASER ENGINEERING SERVICES,stabilisé
en fréquence et en amplitude et accordable entre 9, 3 et 11 microns(nous avons
besoins de longueurs d’onde de 9, 3 à 9, 7 microns).La tension d’alimentation est
de 11kV avec un courant de 250mA en mode pulsé à une fréquence de répétition

16
de 1kHz,la puissance optique moyenne étant de 600W ,soit une énergie de 600
millijoules par impulsion.Une alimentation de 2750W sera donc nécessaire,mais
la tension n’étant que de 11kV ,le redressement se fera par un pont de diodes
BY X90G,et non par un multiplicateur de tension,ce qui ne nécessite donc qu’un
seul condensateur de filtrage de la THT.Par contre,il faut prévoir une tension
d’amorcage de 35kV ,qui sera fournie par décharge capacitive dans un petit
transformateur en série avec la THT.

2.2 alimentation primaire à correction du facteur de puis-

sance
Le schéma de notre prototype est présenté figure 20.Il utilise un circuit de com-
mande LT 1249 de LINEAR TECHNOLOGY.D’autres circuits similaires sont
disponibles chez UNITRODE et SGS-THOMSON.
Le principe consiste à hacher le courant redressé par un pont monophasé au
moyen d’un MOSFET de puissance,ici un IRF P C60LC de INTERNATIONAL
RECTIFIER,dont le courant drain continu maximum est 10Ampères à 100
degrés,pour une tension de claquage drain-source de 600Volts,suffisante car la
tension de sortie est de 380 Volts,en stockant l’énergie dans une inductance L.
La fréquence de fonctionnement est fixe:

F = 100kHz

La durée de conduction est donc :

τmax = 10µs

au temps de rebloquage du MOSFET et de charge du condensateur de sortie

près.
Soit Ein la tension aux bornes de l’inductance lorsque le MOSFET est conduc-
teur:
Ein = E0 ./sinωt/
où E0 est la tension crête du secteur(330 Volts).
En appliquant la loi de Faraday(2),il vient:

Ein /imax = L/τ (30)

Si τ est constant,on voit donc que la charge vue par le pont redresseur est
résistive,donc le facteur de puissance est optimum. La puissance de sortie est
proportionelle à l’énergie stockée dans l’inductance et à la fréquence de commu-
tation F :
P = Li2max F/2 (31)
Si l’on se fixe un courant imax de 10 Ampères,compte tenu des limites du
MOSFET et du circuit de commande,qui doit charger et décharger sa capacité

17
d’entrée en un temps court vis à vis de la période pour limiter les pertes de
commutations,on peut calculer la valeur de l’inductance L pour une puissance
P donnée,1kW par exemple:

L = 2P/F i2max (32)

soit
L = 200µH
Cette inductance doit supporter un courant à saturation de 15 Ampères,avec une
marge de 0,33,ce qui permet de calculer le volume du circuit magnétique,l’entrefer
et le nombre de spires.L’énergie maximale est de 45 millijoules,mais on n’a
pas besoins d’un circuit aussi volumineux que selon l’équation(24),car on peut
utiliser un entrefer. On se propose d’utiliser un assemblage collé au cyanoacry-
late de trois circuits en double E de 56mm en ma tériau H7C1 de TDK,qui est
disponible,et dont les paramètres sont les suivants:

s = 7, 5cm2 , lf = 12cm

En éliminant la entre les équations (8) et (10),il vient:

n2 Bmax s/L − nimax + lf (Bmax /µ0 µr − Hf ) = 0 (33)

Cette équation du second degré admet deux solutions,et on choisi celle qui donne
le nombre de spires le plus élevé pour garder un nombre raisonnable de volts
par spire.On trouve:
n = 10spires
Il reste à calculer l’entrefer:

la = n2 sµ0 /L − lf /µr (34)

soit:
la = 0, 35mm
La diode de charge,qui commute dans le condensateur de sortie l’énergie
stockée dans l’inductance,est une diode rapide(trr = 73ns) à recouvrement pro-
gressif type HF A25P B60 INTERNATIONAL RECTIFIER.
Remarquons qu’il existe un circuit PFC fonctionnant à fréquence plus élevée(jusqu’à
500kHz),le U C1855 UNITRODE,ce qui permet de réduire la valeur de l’inductance
L.Cependant,pour réduire les pertes dans le MOSFET(qui est un MOSFET très
rapide de marque APT)et dans la diode de charge,un circuit de commutation
auxiliaire résonant a été ajouté,ce qui complique beaucoup le montage.
Le LT 1249 est alimenté en 18V :la tension de démarrage est fournie pas un petit
circuit intégré haute tension en boitier T O92,le LR745N 3 SUPERTEX.

18
2.3 commande de pont de MOSFET ou d’IGBT
Les transistors MOSFET et IGBT sont des dispositifs commandés en tension.Le
driver n’a pas à fournir un courant continu élevé comme pour la commande d’un
transistor bipolaire,mais seulement une tension de l’ordre de 10 Volts(la tension
de claquage grille-source ou grille-émetteur est généralement de 20 Volts),avec
une pointe de courant élevée pendant la charge de la capacité d’entrée du dis-
positif.Cette capacité se compose de la capacité de grille Cgs ou Cge ,et de la
capacité de Miller,égale à la capacité de réaction Cgd ou Cgc multipliée par le
gain en tension,qui est ici de l’ordre de 40.
Par exemple,pour un MOSFET 16A(à 25 degrés) IRFPC60 de INTERNA-
TIONAL RECTIFIER,on a:
typ typ
Cgs = 3900pF, Cds = 98pF, soitCin ∼
= 8000pF

Pour un IGBT 70A IFG4PC50F:

typ typ
Cge = 4000pF, Cgc = 49pF, soitCin ∼
= 6000pF

Les temps de montée et descente pour une résistance de grille de 5Ω,sont re-
spectivement pour le MOSFET à 16A et l’IGBT à 39A:

tIRF P C60 ∼ IRF P C60 ∼

montée = tdescente = 55ns

tIRG4P
montée
C50F ∼
= 25ns, tIRG4P C50F ∼
descente = 130ns
Le courant de charge étant lié au temps de commutation par:

i = Cin .∆V /tcommutation

le courant de charge de Cin sera de 2, 4A pour le MOSFET et 4, 8A pour l’IGBT.

Le schéma de notre carte de commande est représenté figure 22:nous avons
choisi des drivers M IC4452 MICREL,capables de fournir un courant pointe de
12A,ce qui permet la commande de deux IGBTs par driver,avec couplage par
transformateur trifilaire sur circuit EC35,les sorties des drivers étant protégées
par deux diodes schottky P BY R745.
La puissance dissipée par le driver est la puissance nécessaire pour charger et
décharger cette capacité d’entrée,soit en comptant les deux transistors:

P = 4C.(∆V )2 .F

Soit,à 20kHz:
P = 0, 144W
On est largement en dessous de la dissipation limite du M IC4452 en boitier
T O220(12W ).
L’oscillateur à modulation de durée d’impulsion est un T L495,comme aux para-
graphes 1.6.2 et 1.8.

19
Il comporte un réglage de fréquence,de temps mort et une régulation en tension
ou en courant.
Avec un pont de MOSFETs 16A alimenté en 380Volts,la puissance de sortie
maximale serait de l’ordre de 2kW .Pour atteindre une puissance plus élevée,il
serait interessant d’utiliser un pont d’IGBTs,qui commutent un courant plus
élevé qu’un pont de MOSFETs à surface de silicium égale,l’IGBT étant la com-
binaison d’un transistor bipolaire PNP de puissance commandé par un MOS-
FET.Malheureusement,il n’y a pas de moyen d’assister l’élimination de la charge
stockée dans la jonction base-collecteur au rebloquage,ce qui entraine l’existence
d’un courant résiduel(queue),entrainant des pertes élevées,de l’ordre de 5 mil-
lijoules à 39A sous 480 Volts,dans le cas du IRG4PC50F.Pour cette raison,la
fréquence maximum de commutation des IGBT est faible:5kHz sans assis-
tance,et jusqu’à 20kHz en commutation résonnante.Toutefois,INTERNATIONAL
RECTIFIER propose une nouvelle gamme d’IGBTs,les IGBTs WARP Speed,qui
seraient utilisables jusquà 150kHz. Avec notre IRG4P C50F ,la résistance ther-
mique jonction-refroidisseur est de 0, 9degré/Watt,et la température de jonction
maximale est 150 degrés.On choisit une température de jonction maximale de
120 degrés,pour une température ambiante de 50 degrés,ce qui conduit à une
dissipation maximale de 80Watts.
En analysant les données du constructeur,on trouve que la puissance dissipée
pendant la conduction est,à une température de jonction de 120 degrés et pour
une tension de commande de 15 Volts:

Psat = Vsat .I = I(0, 9 + 0, 015I) (35)

D’autre part,l’énergie perdue en commutation est de 2 millijoules à 20 A,et

4 millijoules à 40 A,ce qui conduit à l’expression ,empirique suivante reliant
la puissance dissipée totale à l’intensité I et la fréquence F ,pour un rapport
cyclique de 0,5:
Pdiss = I(0, 45 + 0, 0075I + 10−4 F ) (36)
Ce qui donne une intensité maximale de 25A pour une puissance dissipée de
80Watts.On voit donc qu’un pont d’IGBTs IRG4P C50F convient juste à l’alimentation
de notre laser,la fréquence de fonctionnement restant de 20kHz.On a vu au para-
graphe 1.7.2 que notre objectif était de passer à une fréquence de commutation
de 50kHz pour ameliorer la fiabilité des condensateurs de bloc THT. Seule une
nouvelle génération d’IGBTs apportera une solution satisfaisante à ce problème.

2.4 alimentation et stabilisation d’un laser à dioxyde de

carbone à tube scellé de 600Watts optiques
Le laser et ses circuits d’alimentation et de commande sont représentés figure
23.Le laser,dont le tube scellé est refroidi par eau et comporte des fenêtres à
l’incidence de Brewster,comporte un miroir semiréfléchissant pour la sortie du
faisceau,un réseau d’accord avec un moteur qui en assure la rotation,afin de

20
s’accorder sur un mode rotationnel précis,et une cellule de Pockels qui controle
le coefficient de surtension de la cavité.Cette cellule doit être commandée par
un créneau de haute tension.
Nous avons eu l’occasion de réaliser plusieurs générateurs de créneaux à transis-
tors MOSFET.En particulier,un montage qui fournit des créneaux de 350Volts
avec un temps de montée et de descente de 10 ns,construit pour le laser à
électrons libres du synchrotron ACO de la Faculté d’Orsay,est représenté figure
24.L’adaptation de ce montage est simple:on remplacera les V N O335N 1 SU-
PERTEX par des BU Z53 SIEMENS supportant 1000Volts,et le totem-pole de
V N 33AK SILICONIX par un M IC4420 MICREL(driver 6A/25ns).Dans ces
conditions,la bascule JK qui fournit deux signaux en opposition de phase et
divise par deux la fréquence de commande n’est plus nécessaire,et on pourra
attaquer directement le M IC4420 par un signal carré à 1kHz.
Le miroir totalement réfléchissant qui ferme la cavité est monté sur trois actua-
teurs piezoelectriques,par exemple PI,ce qui permet un asservissement du mode
rotationnel d’oscillation du laser.Pour cela,on exploite le passage par un mini-
mum de l’impédance du plasma lorsque le laser est centré sur un mode(ref 5):une
tension de modulation fournie par un oscillateur sinusoidal à déphasage,équipé
d’un M P SA13 est amplifiée jusqu’à 8 Volts eficaces et couplée par un trans-
formateur T r3 en série avec l’alimentation du tube.On amplifie la tension à la
fréquence de modulation et effectue une détection synchrone.Le schéma du mon-
tage utilisé est représenté figure 25.On remarquera un doubleur de fréquence
optionnel équipé d’un T L082 TEXAS,qui permet de sélectionner soit le fon-
damental à 1kHz,soit l’harmonique 2,et un déphaseur à trois étages équipé
de M P F 102,qui permet d’amener le signal de référence exactement en phase
avec le signal détecté.Le détecteur synchrone proprement dit utilise un JFET
2N 4416 comme commutateur et un amplificateur opérationnel à grand gain
AD542 comme amplificateur intégrateur,montage que nous utilisons courament
en spectroscopie infra-rouge.La sortie de l’AD542 commande un amplificateur
haute tension(900Volts) équipé d’un BU Z50A SIEMENS,qui controle les actu-
ateurs piezoelectriques(charge purement capacitive).Un voltmètre de controle a
été prévu.Ainsi,la longueur de la cavité est ajustée au nanomètre près,malgré
les fluctuations d’indice de réfraction du gaz et la dilatation thermique de la
cavité,afin de rester accordée sur la longueur d’onde choisie.Le transformateur
T r3,qui ne comporte que quelques spires,doit présenter un isolement primaire-
secondaire d’au moins 50kV ,ce qui est aisé à réaliser avec une ferrite de trans-
formateur THT de téléviseur.
On notera sur la figure 23 le circuit d’amorcage du tube laser qui doit fournir une
impulsion de 35kV :il s’agit d’un montage à thyristor à décharge capacitive,que
nous avons déja décrit dans un autre contexte(paragraphe 1.3).
Enfin,on a représenté le pont d’IGBTs discuté au paragraphe précédent,avec
ses diodes de roue libre du type HF A25P B60,notre transformateur THT de
puissance,T r1 ,et un pont de diodes BY X90G,dont la sortie est filtrée par un
unique condensateur C de 4700pF /20kV .Une sortie courant(4V /A)est prévue

21
pour l’asservissement du driver de pont d’IGBTs,ainsi qu’une sortie tension,reliée
à un voltmètre de controle et couplée capacitivement à l’amplificateur de signal
de gain 10(AD542).

2.5 Mesure de l’énergie impulsionnelle délivrée par le laser

L’énergie d’un photon de longueur d’onde 10 microns est:

E = hν = hc/λ = 2.10−20Joules = 0, 125eV

où h est la constante de Planck, 6.6210−34Joules-secondes

ν est la fréquence du photon
c est la vitesse de la lumière, 3.108mètres/seconde
λ est la longueur d’onde
e est la charge de l’électron, 1.610−19 Coulombs
A la température ambiante(300K),l’énergie thermique vaut:

Et = kT = 0, 025eV

où k est la constante de Boltzman, 1.3810−23Joule/degré.

L’énergie du photon n’étant que 5 fois l’énergie thermique,les détecteurs quan-
tiques(InSb,HgCdTe) doivent être refroidis à la température de l’azote liquide,ce
qui est mal commode.De plus,ils sont chers.Les détecteurs pyroélectriques sont
fragiles,car l’absorption de l’énergie se fait dans une mince couche.Une solution
alternative est l’exploitation de l’effet photothermodiélectrique,que nous avons
décrit par ailleurs(ref 6),et dont nous avons breveté l’application à la mesure de
l’énergie d’un laser impulsionnel(ref 7).
Ce procédé exploite la variation de permittivité dielectrique en haute fréquence(vers
10M Hz) résultant de l’échauffement d’un dielectrique liquide.Le temps de mesure
minimum de notre prototype est de 1,2µs,ce qui pourrait être réduit d’un or-
dre de grandeur.Le produit sensibilité*temps de mesure est de 10−10secondes.
En utilisant comme dielectrique absorbant une solution de micelles inverses
d’Aerosol OT de rapport en eau 39,à température ambiante,l’élévation de température
minimum détectable est de 10−4 degrés,limitée par le bruit de phase de l’oscillateur.En
estimant la chaleur spécifique de l’absorbant à 3Joules/g/degré,pour une masse
d’absorbant de 0, 1 grammes,la sensibilité est de 30 microjoules.Cette sensibilité
est bien suffisante,car lénergie impulsionelle de notre laser est de l’ordre de 1
Joule.
Le principe est le suivant:la variation de permittivité dielectrique de l’absorbant
entraine une variation de fréquence de l’oscillateur,laquelle est multipliée par
10368 par une chaine de multiplicateurs de fréquence en classe C et de mélangeurs(triple
conversion de fréquence),et la variation de fréquence amplifiée est mesurée par
un fréquencemètre 8 bits,commandé par une horloge de synchronisation et reliée
à une mémoire de 512 octets.Dans notre montage original,le mot de 8 bits
enregistré en mémoire était converti en tension et appliqué à un enregistreur

22
analogique.Désormais,il est facile de lire cet octet au moyen d’un microordina-
teur équipé d’une carte d’interface,telle que celle que nous décrivons au para-
graphe suivant.Notre capteur d’énergie présente l’avantage de ne comporter au-
cune optoelectronique,et d’être pratiquement indestructible.De plus,il peut être
rendu sélectif en longueur d’onde par un choix approprié de l’absorbant,par ex-
emple une solution de colorant organique dans le nitrobenzène.
Notre montage est représenté sur les figures 26 à 38.

2.6 dispositif de séparation isotopique:pilotage par micro-

ordinateur
2.6.1 principe de la séparation isotopique
La plupart des fréons peuvent être photolysés sélectivement en fonction de leur
teneur isotopique par absorption d’une vingtaine de photons de longueur d’onde
comprise entre 9,3 et 10,6 microns.La teneur naturelle du carbone(surtout com-
posé d’isotope 12)en isotope 13 est 1110ppm.Il est possible de l’enrichir en iso-
tope 13 jusquà une teneur de 0,30-0,50 en une seule étape,et à 0,97 en deux
étapes,alors que les méthodes habituelles de distillation fractionnée de CO ou
CH4,ou d’échange chimique nécessitent plusieurs centaines d’opérations.L’un
des fréons les plus interessants est le difluoromonochlorométhane:

C 13 F2 HCl + nhν ⇒ C 13 F2 + HCl

Le radical difluorocarbène se dimérise ensuite en tétrafluoroéthane,ou peut s’aditionner

à de l’acide iodhydrique pour former du difluoroiodométhane enrichi en carbone
13.Dans ce dernier cas,il est possible de bruler le difluoroiodométhane contenant
du carbone 12,indésirable,par irradiation à 9,3 microns:

2C 13F2 ⇒ C213 F4

ou:
CF2 + HI ⇒ CF2 HI
Un avantage du difluorochlorométhane est qu’on peut opérer à une pression
élevée,de 100 torrs,alors qu’avec d’autres fréons,tels que le trifluorobromométhane,la
sélectivité isotopique disparait dés une pression de 1 torr.
La longueur d’onde d’accord du laser doit être la raie P(20) à 10,59 microns,ou
P(14) à 9,50 microns.Avec notre laser de 600 Watts,la production de carbone
13 serait de 10 grammes par jour.
Le schéma de l’installation est représenté figure 39.Le faisceau laser est ren-
voyé par un miroir de cuivre concave et focalisé par une lentille en fluorure de
baryum de longueur focale 1m50 dans la cuve de photolyse,qui est un tube en
pyrex de 1m de longueur ,fermé par deux fenêtres en fluorure de baryum et
muni d’une tubulure de remplissage.Le faisceau attenué est mesuré par notre

23
capteur photothermodielectrique.L’electrovanne V1 ferme la cuve de photol-
yse,l’électrovanne V2 controle l’arrivée de fréon,un manométre à sortie analogique
controlant la pression de remplissage de la cuve.Il faut appliquer 15000 impul-
sions laser,ce qui dure 15 secondes.Ensuite,le contenu de la cuve est transferré au
moyen d’un pompe à vide vers le piège à azote liquide,fermé par les électrovannes
V3 et V4 .Il faut surveiller le niveau d’azote liquide,par exemple au moyen d’une
jauge de niveau utilisant la variation d’une résistance en carbone aggloméré com-
mandant,par une cinquième électrovanne le remplissage.Le tétrafluoroéthylène
enrichi en carbone 13 est séparé régulièrement par distillation fractionnée et
on en mesure la pureté isotopique au moyen d’un spectromètre de masse à
séparateur quadrupolaire,simple et économique.On peut ensuite effectuer un sec-
ond enrichissement,puis le convertir en dioxyde de carbone par passage sur de
l’oxyde cuivrique chauffé à 700 degrés,puis en carbonate alcalin solide,stockable
et livrable.
Le changement de longueur d’onde du laser est effectué par rotation du réseau
au moyen d’un moteur pas à pas à quetre phases,qui peut être commandé par
un port de 4 bits,par l’intermédiaire d’un driver L298.Il faut prévoir un codeur
optique pour vérifier la position du réseau,ce qui nécessite encore un port de 8
bits.

2.6.2 commande par micro-ordinateur

Les controles et asservissement à effectuer étant peu nombreux et à cadence
peu élevée(une vitesse de 9600 bauds suffit),nous avons étudié la mise en oeuvre
de circuits d’interface simples.Parmi les circuits d’interface utilisables sur PC,le
circuit d’interface parallèle(PIA) 8255 fournit 3 ports de 8 bits configurables en
entrée ou en sortie(ref 9,10).
Le AY 3 − 1015(ref 8)est un circuit d’interface série,qui comporte un port de 8
bits en entrée et un autre en sortie.
Ces circuits intégrés simples,même munis de convertisseurs numérique-analogique
et analogique-numérique,sont insuffisants pour notre application.
Nous avons utilisé un microcontroleur préprogrammé du commerce,le ADS232,prévu
pour être utilisé sur le port série RS232 avec un circuit d’interface M AX232 de
MAXIM,comporte 3 ports de 8 bits configurables en entrée ou en sortie,une
sortie à rapport cyclique programmable(PWM) et une liaison série avec un
convertisseur analogique-numérique 8 bits à 11 entrées,le M C145041 de MO-
TOROLA.Le schéma est représenté figure 40.Nous avons ajouté une alimen-
tation ± 5 Volts,24 diodes électroluminescentes sur chaque entrée-sortie et 11
amplificateurs de gain 10 équipés de T L082 sur les entrées analogiques.Les trois
ports PA,PB,PC sont utilisés pour:
a)la lecture du capteur d’énergie photothermodielectrique(8 bits)
b)la commande des quatre électrovannes,par l’intermédiaire d’optotriacs et de
triacs(4 bits)
c)la commande du moteur pas à pas à 4 phases soit directement par un driver

24
L298,soit par l’intermédiaire d’un microcontrolleur spécialisé CY 512 de CY-
BERNETIC MICROSYSTEM(4 bits)
d)la lecture du codeur optique(8 bits)
Les entrées analogiques sont utilisées pour les autres fonctions:
d)la lecture de pression sur le manomètre
e)la lecture de la jauge de niveau d’azote liquide
f)le controle du débit d’eau
g)les controles des tension et courant de l’alimentation du laser.
Ce montage simple et économique est suffisament rapide pour notre applica-
tion,et sa commande ne nécessite qu’un petit programme en Basic.

2.7 Conclusion et aspects économiques

Notre étude,après des étapes intermédiaires,conduit essentiellement à deux pro-
duits commercialisables:un générateur haute tension de 3kW destiné à l’alimentation
des tubes à rayons X,et un carbonate alcalin enrichi en carbone 13,utilisé comme
traceur isotopique non radioactif en recherche et en médecine.Nous allons décrire
les perspectives commerciales de ces deux produits.

2.7.1 Alimentation de tubes à rayons X

Le prix de vente d’un tel générateur est de 60KF .Il est utilisé pour la ra-
diocrystallograpie,aussi bien en recherche fondamentale que dans l’industrie,et
les prestations de service d’une installation utilisée en analyse industrielle sont
de l’ordre de 2000F/jour.
Le marché actuel est de 20 à 30 appareils par an,et une équipe composée d’un
technicien et d’un cableur,revenant à 30KF/mois,peut en produire deux par
semaine.Pour une production de 25 appareils,le montant des ventes s’élèverait
donc à 1, 5M F /an,et l’équipe de production serait utilisée 3 mois par an,pour
un prix de revient de 90KF ,le coût de production des générateurs étant de
600KF .Le revenu d’une telle ligne de produit serait donc de 700KF /an.Il
faut toutefois prévoir la maintenance des générateurs,particulièrement onéreuse
s’ils sont livrés à l’étranger,d’où l’importance de poursuivre les études de fia-
bilité,dont on a vu les limites au paragraphe 1.7.1.

2.7.2 production de carbone 13

Le carbone 13 est utilisé comme traceur isotopique pour les applications suiv-
antes(ref 3):
a)recherche fondamentale en chimie organique,étude de structures moléculaires:molécules
marquées pour la résonance magnétique nucléaire et les spectroscopies vibrationnelles(infra-
rouge et Raman)
b)étude fondamentale des circuits de métabolisme et de l’oxydation des sub-
strats biologiques

25
c)tests respiratoires non invasifs pour la recherche métabolique et le diagnos-
tic.On fait absorber des aliments enrichis en carbone 13 au patient,et le dioxyde
de carbone expiré est collecté et mesuré.Le marché potentiel pour cette applica-
tion est considérable:800 millions de dollars aux USA pour 5 millions de patients
par an
d)cinétique des acides aminés,métabolisme des acides gras
e)effet de la pollution atmosphérique et du changement climatique global sur la
composition des plantes.
Le prix du marché est stabilisé à 300F/gramme,la consommation annuelle actuelle
étant de l’ordre de 50kg,et pourrait atteindre 300kg en l’an 2000.
Notre installation pilote peut produire 3kg par an,soit une valeur de 900KF .Le
coût d’exploitation est essentiellement lié à la fiabilité du laser,qui est léquipement
le plus onéreux.Les circuits électroniques étant entièrement réalisés par nous
même,à partir de montages déjà expérimentés en laboratoire,devraient être fi-
ables et faciles à entretenir.Il n’y a aucun frais de maintenance sur la vente d’un
produit chimique,et le nombre de manipulations à effectuer est très réduit,le
fonctionnement de l’installation étant automatique.On peut compter sur un ren-
dement de l’ordre de 500KF par an.

References
[1] Jack B. Marling.A proposal to realize a cost breakthrough in carbon 13
production by photochemical separation,UCID 18604,Oct 1979
[2] V. Parthasarathy et coll.Laser Isotope Separation of Carbon 13 :A com-
parative study,BARC 1524,1990
[3] V.Yu.Baranov,V.S. Lisitsa.Isotope separation methods including lasers ,in
Proceedings of the International Conference on LASERS 96,V.J Corcoran
and T.A. Goldman editors,STS Press.McLean VA 1997

[4] Christopher C. Davis.Lasers and Electro-optics,Fundamentals and Engi-

neering,Cambridge University Press 1996
[5] Alan Corney.Atomic and Laser Spectroscopy.Clarendon Press.Oxford 1977.
[6] Oleg Eric Anitoff.L’effet photodielectrique dans des systèmes d’interêt bi-
ologique.Thèse de Doctorat Es Sciences 2684.Université de Paris Sud.25
Mars 1983;et Rapport CEA R-5278.Centre d’Etudes Nucléaires de
Saclay.1984.
[7] CEA et Oleg Eric Anitoff.Procédé et Dispositif de Mesure Rapide d’Energie
et Application à la Mesure de l’Energie Fournie par un Laser Impulsion-
nel.Brevet 81 21024.10 Novembre 1981.

26
 [8] Bernard Schaeffer.Montages Electroniques pour PC.Editions Techniques et
Scientifiques Francaises.1994.
[9] Patrice Oguic.Mesures et PC.Editions Techniques et Scientifiques Fran-
caises.1995.
[10] Peter Wratil et Richard Schmidt.Controle,Mesure et Régulation sur
PC.Editions Radio.1991.
[11] BIBLIOGRAPHIE GENERALE ALIMENTATIONS A DECOUPAGE.
The Switchmode Series.Manuel Technique Motorola.1982.
[12] .SGS Power Supply Application Manual.Manuel Technique SGS.1984.
[13] Guy Seguier.Les Convertisseurs de l’Electronique de Puissance.Tome 1.La
Conversion Alternatif-Continu.Lavoisier Tech Doc.1992.
[14] Christian Rombault et Guy Seguier.Les Convertisseurs de l’Electronique
de Puissance.Tome 2.La Conversion Alternatif-Alternatif. Lavoisier Tech
Doc.1991.
[15] Robert Bausiere,Francis Labrique et Guy Seguier.Les Convertis-
seurs de l’Electronique de Puissance.Tome 3.La Conversion Continu-
Continu.Lavoisier Tech Doc.1992.
[16] Guy Seguier et Francis Labrique.Les Convertisseurs de l’Electronique
de Puissance.Tome 4.La Conversion Continu-Alternatif.Lavoisier Tech
Doc.1989.
[17] Joseph J.Carr.DC Power Supplies.Tab Books(Mc Graw-Hill).1996.
[18] Timothy J.Maloney.Modern Industrial Electronics.Prentice Hall.1996.
[19] Claude Naudet et Michel Pinard.Electronique de Puissance,Etudes
Expérimentales,Essais de Systèmes.Dunod.1992.
[20] H. Buhler.Electronique de Puissance.Presses Polytechniques Roman-
des.1987.
[21] J.P.Ferrieux et F. Forest.Alimentations à découpage,Convertisseurs à
Résonance.Masson.

27