UNIVERSITE SIDI MOHAMMED BEN ABDELLAH

FACULTE des SCIENCES DHAR EL MEHRAZ de FES

Laboratoire d’Electronique, Signaux-Systèmes et Informatique
LESSI Master 2ME
Session Janvier 2015

Examen : Conception de Circuits intégrés analogiques en technologie MOS

1) Retrouver les expressions du courant IDS dans transistor MOS de type n pour les modes de
fonctionnement

2) Rappeler l’expression du VT

3) Donner les expressions de gm, gds et gmbs en mode saturation

4) Calculez la résistance de sortie au courant de polarisation donné par la Figure 1qui illustre une source de
courant source dégénéré.

5) Calculer la tension de sortie minimale nécessaire pour maintenir le transistor en saturation (Figure 1)
6) Concevoir W/L de M1de la figure 2 pour obtenir la même résistance de sortie que le circuit de la Fig. 1. Ignorer
effet du substrat.

7) Calculer la résistance de sortie et la tension de sortie minimale, tout en conservant tous les transistors en
saturation du circuit représenté sur la Figure 3. Supposons que IOUT est en fait égal à 10μA.
8) Même question pour la figure 4.
9) Concevoir M3 et M4 de la figure 5 de telles sorte que les caractéristiques de sortie sont identiques au circuit
représenté sur la Figure 4 ou IOUT est idéalement égale à 10μA.
10) La Figure 6 illustre un circuit de référence qui fournit une sortie de tension de référence intéressant. Dériver
une expression symbolique de VREF.
11) La Figure 7 illustre un circuit de référence de courant. Supposons que M3 et M4 sont identiques en taille. Les
tailles de M1 et M2 sont différents. Donner une expression symbolique pour le courant de sortie Iout.

12) Calculer la valeur DC de Vin qui générera un courant ID1= de 110μA ainsi que le gain petit signal et
Rout du circuit de la figure 8 en supposant que W1 / L1 = 2 pm / 1 pm et W2 / L2 = W3 / W4 = L3 / L4 = 1 pm
/ 1 pm.
13) Quel est le gain de tension petit signal d'un inverseur de amplificateur de courant ( Figure 9)avec W1 = 2 pm,
L1 = 1 pm, W2 = L2 = 1 um à ID = 0,1, 5 et 100 pA?
14) Un amplificateur CMOS est représenté par la figure 10. Supposons M1 et M2 fonctionnent dans la région de
saturation :

a.) Quelle est la valeur de la VGG qui donne 100μA à travers M1 et M2?
b.) Quelle est la valeur DC du vin?
c.) Quel est le petit gain de tension de signal, vout / vin, pour cet amplificateur?
d.) Quelle est la fréquence de coupure à -3 dB en Hz de cette amplificateur si Cgd = Cgd = 5FF, Cbs =
Cbd = 30FF, et CL = 500FF? on donne f(-3db)=1/(2Rout Cout)
15) Pour les trois montages de la figure 11 Comparer la zone active du canal (W/L de M1) en supposant que sa
longueur est de 1 um si le gain est égale à -1000 à un courant de ID = 0,1 uA avec W / L du PMOS égale à 1.
Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4

Figure 5 Figure 6 Figure 7 Figure 8

Figure 9 Figure 11

Figure 10