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5BTC Hyper Exos 09 PDF
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EXERCICES D’HYPERFREQUENCES
C. JOUSSEMET
Edition du 5 novembre 2007
3B
ESME – Sudria Exercices d’hyperfréquences Département TST
1 ENONCES 3
2 SOLUTIONS 16
1 Enoncés
1.1 Questions diverses
Remarque : vous trouverez ci-après quelques questions de base qui vous permettront de vérifier vos
connaissances Il s’agit de questions élémentaires qui ne nécessitent aucun calcul particulier à part un
peu de calcul mental. Avec une bonne connaissance du cours, les réponses sont à trouver dans les 2
à 3 minutes (voire moins).
Questions n°1 : Une ligne d’impédance caractéristique de 75 Ω est fermée sur l’impédance réelle de
150 Ω. Quel est le TOS sur la ligne et quelle autre valeur d’impédance réelle trouve-t-on en se
déplaçant sur cette ligne.
Questions n°2 : Une ligne d’impédance caractéristique de 60 Ω est fermée sur une impédance dont
π
1 j
le coefficient de réflexion correspondant est : ρ = e 2 . A quelle distance (en fraction de λ) de cette
3
charge trouvera-t-on une impédance réelle, et quelle est la valeur de cette impédance.
Questions n°3 : Pour adapter à 50 Ω une impédance constituée d’une résistance R en série avec
une capacité C, on utilise une inductance L en série suivie d’un transformateur quart d’onde (schéma
ci-après).
λ/4 R
L
R0 = 50 Ω Zc C
Question n°4 : Un générateur d'impédance interne 100 Ω délivre dans la charge de référence
Ro=50Ω une puissance de 0,5 W. Quelles sont les valeurs de bg et de Γg ; quelle est la puissance
maximale que l'on peut tirer de ce générateur et quelle est alors l'impédance de charge
correspondante ?
Question n°5 : Quelle est la matrice [S] d’un tronçon de ligne 50 Ω de longueur λ/8 ?
Questions n°6 : Quelle est la matrice de chaîne réduite d’un tronçon de ligne 50 Ω de longueur λ/4 ?
Exercice n°1.2.1
On considère une ligne de transmission d’impédance caractéristique Zc = 250 Ω, fermée par une
impédance ZT inconnue.
12 cm
A
Zc = 250 Ω A’
ZT
Vmax
Pour F = 250 MHz on trouve sur la ligne un TOS de 5, et un maximum de tension dans le plan AA’
situé à 12cm de la charge ZT :
1°) Quel le module du cœfficient de réflexion ρ et la valeur de l’impédance dans le plan AA’ ?
2°) Quelle est la valeur de ZT ?
Exercice n°1.2.2
Une ligne 50 Ω est terminée par une charge inconnue ZT
8 cm 1,6 cm
Zc = 50 Ω TOS = 2 ZT
Exercice n°1.2.3
Soit une ligne sans perte d’impédance caractéristique R0 = 50 Ω.
On ferme cette ligne sur un dipôle d’impédance Zt constitué par la mise en parallèle d’une
résistance R de 62,5 Ω ,d’une inductance L de 6,6 nH.
ρ
R0 = 50 Ω R L C
2°) Pour F = Fo, F = 1 GHz, et F = 4 GHz, donnez le module et la phase du cœfficient de réflexion ρ,
et placez les points correspondants sur l’abaque de Smith (où l’inverse).
d2
d1
Zc = 50 Ω Zt = (75-j35) Ω
Zmax Zmin
Exercice n°1.2.5
Considérons le dipôle d’impédance ZT constitué par la mise en série d’une résistance R de
30 Ω et d’une capacité C de 3,2 pF.
D’ C’ B’ A’
Zc2 = 100 Ω
74,5mm
1°) Pour F = 1250 MHz, calculer le module et la phase du cœfficient de réflexion de ZT (plan AA’), et
placer le point correspondant sur l’abaque de Smith.
2°) On donnera les valeurs des impédances (non normalisées) dans les plans BB’ (avant le stub), CC’
(après le stub) et DD’ et l’on placera les points correspondants sur le même abaque de Smith.
3°) Quel serait le lieu décrit sur l’abaque de Smith par ZDD’ lorsque la longueur du stub d2 varie de 0 à
120 mm.
Exercice n°1.3.1
Une ligne de transmission d’impédance caractéristique Ro = 50 Ω est fermée par l’impédance :
Zt = (30 - j40) Ω
2°) On désire adapter cette impédance par un stub parallèle d’impédance caractéristique Ro en court-
circuit. Calculer, en fonction de la longueur d’onde λ, les longueurs L1 et L2 correspondantes (2
couples de solutions).
L1
L2
Ro = 50 Ω Zt = (30-j40) Ω
Exercice n°1.3.2
Une ligne de transmission d’impédance caractéristique Ro = 50 Ω est fermée par l’admittance :
Yt = (0,016 – j0,012) S
2°) On désire adapter cette admittance par un stub série d’impédance caractéristique Ro en circuit-
ouvert. Calculer, en fonction de la longueur d’onde λ, les longueurs L1 et L2 correspondantes (2
couples de solutions).
Ro = 50 Ω
L2 L1
Ro = 50 Ω Yt = (0,016-j0,012) S
Exercice n°1.3.3
Une ligne de transmission d’impédance caractéristique Ro = 50 Ω est fermée par l’impédance :
Zt = (30 - j40) Ω
Pour adapter cette impédance à 50 Ω on place devant elle un tronçon de ligne de transmission
d’impédance caractéristique Zc = 75 Ω et de longueur L1, suivi d’un stub parallèle en court-circuit,
d’impédance caractéristique Ro = 50 Ω. et de longueur L2.
L1
L2
Ro = 50 Ω Zc = 75 Ω Zt = (30-j40) Ω
Ro = 50 Ω
Exercice n°1.3.4
Cet exercice est une variante du précédent :
Une ligne de transmission d’impédance caractéristique Ro = 50 Ω est fermée par l’impédance :
Zt = (30 - j40) Ω
Pour adapter cette impédance à 50 Ω on place devant elle un tronçon de ligne de transmission
d’impédance caractéristique Zc1 = 75 Ω et de longueur L1, suivi d’un stub parallèle de longueur λ/16
et d’impédance caractéristique Zc2. Ce stub est fermé par un court circuit ou un circuit ouvert.
λ/16
Ro = 50 Ω Zc1 = 75 Ω Zt = (30-j40) Ω
Zc2
Z = 0 ou 8
Exercice n°1.3.5
Soit une ligne sans perte d’impédance caractéristique R0 = 50 Ω.
On ferme cette ligne sur un dipôle d’impédance Zt constitué par la mise en parallèle d’une
résistance R de 62,5 Ω et d’une inductance L de 6,6 nH.
ρ
R0 = 50 Ω R L
Zs=50 Ω
L
R0 = 50 Ω Zc= ?
R L
λ/4
1er DISPOSITIF
λ/4
Zo Z1 Ze
Z2
Circuit
ouvert λ/8
ème Circuit
2 DISPOSITIF :
ouvert
Zo
L1
Zo
Ze
L2
Zo
Circuit
ouvert
Zo = 50 Ω
L2
Calculer les longueurs L1 et L2. On se servira de l'abaque de Smith, et l'on donnera deux couples de
solutions.
ème
3 DISPOSITIF :
λ/8
Zo Zo Ze
Circuit Circuit Zo
Zo
ouvert ouvert
L2
L1
1°) Calculer les longueurs L1 et L2 des 2 stubs espacés d’1/8 de longueur d’onde, (comme pour le
dispositif n°2 on se servira de l'abaque de Smith, et l'on donnera deux couples de solutions).
bg ,Γg Γl
Zc = Ro R1 R2 R1
λ/4 λ/4
A B
1°) Calculer la matrice de chaîne normalisée de ce quadripôle : K =
C D
2°) En déduire (toujours en fonction de g1 et g2) les paramètres S11 et S21 de ce quadripôle, et en
déduire la relation entre g1 et g2 (g2 = f(g1)) pour que ce quadripôle soit adapté,
jB jB
Zc = Ro
1°) Exprimer en fonction de la réactance réduite jb = jB/Ro et de la longueur électrique θ, les éléments
de la matrice [S] de ce quadripôle.
2°) Quelle est la relation entre b et θ qui permet d’avoir un quadripôle adapté (en dehors de la solution
évidente b=0) ?
2 4
Le générateur est situé entre les points 1 et 2 et l’entrée du transistor entre les points 3 et 4.
1°) Calculer les valeurs de L et C permettant d’obtenir le facteur de bruit minimum (on pourra se
servir de l’abaque de Smith).
Exercice 1.6.1
On considère le schéma ci-après, constitué de gauche à droite d’un générateur d’impédance
interne Ro = 50 Ω, d’un coupleur directif et d’un amplificateur, lui-même chargé sur 50 Ω..
Les portes (2) et (4) du coupleur sont fermées sur Ro = 50 Ω, et toutes les liaisons entre ces
circuits sont faites avec des lignes d’impédance caractéristique Zc = 50 Ω.
coupleur
ampli
(1) (3)
50Ω
(4) (2)
50Ω
450Ω 50Ω
1°) En supposant dans un premier temps que la directivité du coupleur est infinie, donner en
dBm les puissances respectives que l’on recueille sur les portes (2) et (4) du coupleur.
Exercice 1.6.2
Soit le circuit suivant (impédance de référence Ro = 50 Ω) constitué d’un anneau hybride
3dB dont les portes 2 et 3 sont respectivement fermées sur les dipôles d’impédance Z2 et Z3
auquel sont associés les coefficients de réflexion Γ2 et Γ3.
Z2
2
1 3
Z3
4
On obtient donc ainsi un quadripôle dont les portes d’entrées – sorties sont les portes 1 et 4
du coupleur.
0 j 1 0
−1 j 0 0 1
S =
2 1 0 0 j
0 1 j 0
1.7 Fonctions
Zd
2
1 3
Zd
Deux diodes PIN chargent les portes 2 et 3 d’un anneau hybride (3 dB, 90°). Chaque diode
est reliée au circuit par un fil de connexion d’inductance L. L’ensemble constitué par la diode
et son fil est un dipôle d’impédance Zd auquel est associé le coefficient de réflexion Γd.
0 j 1 0
−1 j 0 0 1
S =
2 1 0 0 j
0 1 j 0
1°) Sachant que le dispositif est adapté en sortie (porte 4 fermée sur Zo=50 Ω), calculer
l’onde sortante b4 en fonction de l’onde entrante a1 et du coefficient de réflexion Γd.
L
2°) Le dipôle Zd peut se représenter selon le schéma ci-contre,
la résistance Rd est fonction du courant de polarisation qui traverse
la diode Rd = f(I) avec f(0) = ∞ et f(I>10 mA) = 0.
(4’)
(4)
(2) a
(3)
(1)
0 0 +1 +1
1 0 0 +1 −1
S = ⋅
2 +1 +1 0 0
+1 −1 0 0
2°) La cavité étant schématisée par un circuit oscillant parallèle (R, L, C) de fréquence de
résonance f0 = ω0/2π, exprimer Γc en fonction de g = Zo/R (Zo = 50 Ω), Q = RCω0 et
δ = (ω/ω0 - ω0/ω)
2 Solutions
2.1 Réponses aux questions
Questions n°1 : TOS = 2 ; Z = 75/2 = 37,5 Ω
Smith1 S(1,1)
1.0
Schematic
Swp Max 1
0.8
100GHz
6
0.
0
2.
1 GHz
r 0.584177
4
0.
0
3.
x 0.623665
0
4.
5.0
0.2
2 GHz
r 1.24998 10.0
x 0.00456843
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
0
-1 0.
2
-0. 0
-5.
0
4 GHz -4.
r 0.589529 .0
-3
-0
.4 x -0.623993
.0
-2
6
-0.
Swp Min
-0.8
-1.0
0.1GHz
1°) Pour F = 1250 MHz on a dans le plan AA’ : module de ρ = 0,5 et phase (ρ) = -90° et ZAA’ = (30-j40) Ω
3°) Lorsque d2 varie de 0 à 120 mm le point représentatif de ZDD’ décrit le cercle correspondant à
l’impédance réduite r = 2
Smith1
Swp Max
1.0
0.8
1.25GHz
6
0.
1.25 GHz
2.
r 2.0005 S(1,1)
x 0.0152018
4
0.
0
3. Plan AA
1.25 GHz 4.0
0.2
r 0.803673 5.0 S(1,1)
x -0.00693187
Plan BB
10.0
S(1,1)
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
Plan CC
-10.0
S(1,1)
-0.
2 1.25 GHz Plan DD
r 0.397083 -5.
0
-0.8
-1.0
Swp Min
1.25GHz
ème ère
2 DISPOSITIF : 1 solution : L1/ λ = 1,4 mm et L2/ λ = 14 mm
ème
2 solution : L1/ λ = = 40,4 mm et L2/ λ = 36 mm
ème ère
3 DISPOSITIF : 1 solution : L2/ λ = 22 mm et L1/ λ = 16 mm
ème
2 solution : L2/ λ = 20 mm et L1/ λ = 7,4 mm
( )
1 1
9 9 1 2 9
a= W2 ; b= W2 Pd = a − b = W
2
2°)
8 24 2 16
1 2 1 9
3°) PA = bg 2
= W = Pd (charge adaptée)
2 1 − Γg 16
g 2 − 2 g1 − g1 ² g 2
2°) S11 = = S 22
2 + 2 g 1 g 2 + g 2 + 2 g 1 + g1 ² g 2
−2
S 21 = = S12
2 + 2 g1 g 2 + g 2 + 2 g1 + g1 ² g
2 g1
Adaptation: g2 =
1 − g1 ²
g1 − 1 1 − g1 jπ
S21 = = e
g1 + 1 1 + g1
3°)
2°) Avec une directivité du coupleur de 20 dB, lorsque la fréquence varie la tension résultante
passe de Vmin = 28.2 mV à Vmax = 91.4 mV
−
1
(Γ2 − Γ3 ) j (Γ2 + Γ3 )
1°) La matrice [S] du quadripôle est : S = 2 2
j
(Γ2 + Γ3 ) 1 (Γ2 − Γ3 )
2 2
− j arg (Γ )
0 e
2°) La matrice [S] devient : S = − j arg( Γ) ; le quadripôle est un déphaseur fixe adapté.
e 0
0 jΓ
3°) La matrice [S] devient : S = avec Γ réel ; le quadripôle est un atténuateur fixe adapté.
jΓ 0
50
3°) Yd = + 0,314 j
Rd
Atténuation infinie :
Ld = 2,8 nH et Rd = 56 Ω
ou
Ld = 22,5 nH et Rd = 450 Ω
Att : max
0
I
1°) Détecteur A :
a
(Γc + j )
b4 = −
4
Détecteur B : b4 ' =
a
(Γc − j )
2 2
⋅ Ι m (Γc )
Po
V = (VA – VB/2) = V = k
2
2°) Γc=
(1−g −g Q δ )−2jgQδ
2 2 2 2
(1+ g )2 +g 2Q2δ 2
gQδ
3°) V (δ )=kP0⋅
(1+g)2 +g²Q²δ²
1+ g
−
Qδ
1+ g
Qδ