MeMoiR MAdoun AMinA

Ministère de l'Enseignement Supérieur
et de la Recherche Scientifique
Université Dr Tahar Moulay
Faculté des technologies
Mémoire
Mémoire de fin d’étude pour l’obtention du diplôme master en
télécommunication
THEME
Etude et simulation d’un antenne SIW

Par :
 MADOUN AMINA
Devant le jury composé de :

Président :
Melle : T.ABES
Examinateur:
Mr : M.DAMOU
Encadreur:
Mr : M.CHETIOUI
Promotion : 2016/2017
Tout d’abord, une louange, remerciement et gratitude à Dieu le tout puissant qui
nous’ a guidé sur le droit chemin tout au long du travail et nous’ a inspiré les
bons pas et les Justes reflexes.
Sans sa miséricorde, ce travail n’aura pas
Pu être abouti. Nous tenons à remercier sincèrement à notre Encadreur. Mr.M.
chetioui qui a mis toute sa compétence à notre disposition, pour ces directives
conseils judicieux et pour son suivi régulier à l’élaboration de Ce modeste travail.
Nous voudrons aussi exprimer toute notre gratitude et nos remerciements à tous
les enseignants de département d’électronique de l’Université de Saida
Nous tenons à exprimer nos remerciements également aux
Membres de jury, Nous adressons ensuite nos plus vifs remerciements à tous les
membres du département de l’électronique de l’Université de Saida qui nous ‘ont
chaleureusement accueilli.
Amina
C’est avec un très grand honneur que je dédie ce modeste travail :
A mes très chers parents, vous êtes l'exemple de dévouement qui n'a pas cessé de
m'encourager. Ce travail est le fruit de vos sacrifices que vous avez consenti pour
mon éducation et ma formation. Et a mes grands parents Que Dieu, le tout
puissant, vous préserve et vous accorde santé, longue vie et bonheur.
A mes frères et mes familles et sur toute. Mon marie est mon petit Raouf
Merci pour être toujours avec moi.
Une dédicace spéciale à tous les gens qui m’ont aidé pour la réalisation de ce
travail, merci beaucoup.
A mes amis FATIHA,
NABILA, MOUNA,
AMIRA, AHLEM
A tous les enseignants (Melle T.ABES,…) qui ont fait partie
Importante de mon cursus éducatif.
AMINA.
Table des matiers
Dédicace
Remerciement
Table des matiers
Liste des figures
Liste des tableaux
Introduction Générale 02
Chapitre I : Généralité sur les antennes
I.1 Introduction 05
I.2 Le Rôle Des Antennes 05
I.2.1. Bloc D’émission 06
I.2.2. Bloc De Réception 06
I.2.3. Réciprocité 06
I.3. Comment Rayonne Une Antenne 07
I.3.1. Rayonnement Electromagnétique : (champ proche et champ lointain) 08
I.3.1.1. Zone de Rayleigh 08
I.3.1.2. Zone de Fresnel 08
I.3.1.3. Zone de Fraunhofer 09
I.4. Paramètres Caractéristiques D’une Antenne 10
I.4.1 Diagramme de Rayonnement 10
I.4.1.1. Les Modèles de Rayonnement 11
I.4.2. L’angle d’ouverture 12
I.4.3. Puissance Rayonnée Par Une Antenne 12
I.4.4. La directivité 13
I.4.5. Le gain 13
I.4.6. Le Rendement 13
I.4.7. L'impédance d’entrée 14
I.4.8. Résistance de Rayonnement 15
I.4.9. Le coefficient de réflexion 16
I.4.10. Le VSWR (L’adaptation) 17
I.4.11. La fréquence de résonnance et la bande passante 18
I.4.12. La polarisation 19
I.5. Les déférents types d’antennes 20
I.5.1. Antenne dipolaire 20
I.5.2. Antenne Cadre 21
I.5.3. Antenne parabolique 21
I.5.4. Antenne losange 22
I.5.5. Antenne dièdre 22
I.5.6. Antenne Yagi 22
I.5.7. Antenne hélicoïdale 23
I.5.8. Antenne cornet 23
I.5.9. Antenne Imprimée 23
I.5.10. Antenne active 24
I.5.11. Antenne à réseau de fentes 25
1.6. Les réseaux d'antennes 25
1.6.1. Principe 25
1.6.2. Diagramme de rayonnement 25
I.7. Réseaux d'antennes uniformes 28
I.7.1. Réseaux à faisceau perpendiculaire 28
I.7.2. Réseau d’antenne à faisceau (End fire) 29
I.7.3. Réseau d’antenne à balayage 30
I.8.Conclusion 31
Chapitre II : La technologie guides d’ondes intégrée aux substrats
II.1. Introduction 33
II.2. La technologie des guides d’ondes 33
II.2.1. La technologie volumique 34
II.2.1.1. Les guide d’ondes rectangulaires 34
II.2.1.1.a. Propagation des modes TE 36
II.2.1.1.b. Étude des modes TM 38
II.2.1.1.c. La fréquence de coupure et les modes fondamentaux 39
II.2.2. Caractéristiques de dispersion. 40
II.2.3. Lignes de champ. 41
II.2.4. Modes évanescents 42
II.3. Les technologies planaires 42
II.3.1. La technologie microruban 42
II.3.2. La technologie coplanaire 43
II.3.3. La technologie triplaque 44
II.3.4. La technologie multicouche 45
II.4. conclusion. 46
Chapitre III : La technologie SIW
III.1. Introduction 48
III.2. Guide d’onde intégré au substrat (GIS) Substrate Integrated
Waveguide (SIW)]
48
III.2.1. Historique 48
III.2.2. Caractéristiques modales 51
III.2.3. Constante de propagation 52
III.2.4. SIW règles de conception 54
III.2.5. Equivalence entre guide d’ondes et un guide GIS 55
III.2.6. Adaptation du Guide d’Ondes en Technologie SIW 58
III.2.6.1. La ligne microruban 59
III.2.6.2. Transition des lignes microruban aux guides d’ondes intégrés
au substrat
61
III.2.7 Quelques exemples de circuits 64
III .2.7.1 Les circuits passifs SIW 64
III.2.7.2. Les circuits actifs SIW 65
III.2.7.3. Les antennes SIW 66
III.2.7.3.1. Implémentation des antennes SIW 66
III.3. Conclusion 67
Chapitre IV : Résultats et Discussion
IV.1. Introduction 69
IV.2 Le logiciel de simulation HFSS 70
IV.2.1 Présentation du logiciel 70
IV.2.2 Méthode de calcul 70
IV.2.2.1 Méthode des éléments finis 71
IV.2.3 Technique de maillage 71
IV.2.4 Critère de convergence 71
IV.2.5 Le processus du logiciel HFSS 72
IV.2.6 Création des projets par HFSS 72
IV.2.6.1 Insertion d'une conception de HFSS dans un projet 73
IV.2.6.2 Dessiner un modèle 73
IV.2.7 Types de solution dans HFSS 74
IV.2.8 Excitation d'une structure 75
IV.2.9 Conditions aux limites 76
IV.2.10 Bande de fréquences 76
IV.2.11 Génération des rapports 77
IV.3. Conception et Résultats 78
IV.3.1. Rappels théoriques 78
IV.3.2. Antenne à fente en GIS 79
IV.3.3. Conception d’une antenne à fentes en GIS 79
IV.4. Simulation Sous HFSS 80
IV.4.1 Antenne SIW a une seule fente 80
IV.4.2.Antenne SIW a deux fentes et quatre fentes: 82
IV.5 Conclusion 87
Conclusion Générale 89
BIBLIOGRAPHIE 91
Liste des Figures
N° Figure Page
Chapitre I : Généralité sur les antennes
01 Schéma de principe d'un système de communication radio. 06
02 Rayonnement d’une antenne. 07
03 Lignes de champs produites par une antenne demi-onde. 08
04 Zones de radiation d’une antenne 09
05 Limite des 3 zones de rayonnement 09
06 Diagramme de rayonnement classique d’une antenne directive. 11
Diagramme de rayonnement bidimensionnel en coordonnées
07 12
cartésiennes
08 Représentation de l’impédance de l’antenne 15
09 Circuit équivalent d’antenne d’émission. 17
10 La bande passante à partir de la trace de coefficient de réflexion. 18
11 Polarisation du champ électromagnétique 20
12 schéma représentant un Dipôle 20
13 schéma représentant uneantenne cadre 21
14 schéma représentant une antenne parabolique 21
15 schéma représentant une antenne losange 22
16 Schéma représentant l’antenne Yagi 22
17 Schéma représentant l’antenne cornet. 23
18 Antenne Imprimée 24
19 Antenne plaquée avec alimentation à couplage électromagnétique 24
20 Réseau de fentes 25
21 Réseau de deux dipôles électriques verticaux 26
Multiplication de diagramme pour deux dipôle horizontaux
22 27
infinitésimaux avec β =90°
23 Réseau à faisceau perpendiculaire. 29
24 Réseau d’antenne End fire. 29
25 Réseau à balayage. 30
26 Schéma d'un réseau d'antennes à balayage 30
Chapitre II : La technologie guides d’ondes intégrée aux substrats
01 Guide d’onde rectangulaire. 34
Ordre d’apparition des modes TEmn dans un guide d’onde
02 39
rectangulaire (a*b) avec a>b.
Caractéristiques de dispersion du guide d’ondes WR75 (a=18.35mm
03 40
b=9.175mm) pour les cinq premiers modes.
04 Mode TE10 41
05 Mode TE20 41
06 Mode TE01 41
07 (a) Ligne microruban (b) représentation des lignes de champ 43
Guide d’onde coplanaire et représentation des lignes de champ
08 44
associées pour les deux modes fondamentaux
09 Ligne triplaque et représentation des lignes de champ 45
10 Exemple de lignes en technologie. 46
Chapitre III : La technologie SIW
01 Premiers guides d’onde dans la littérature. 49
02 Le nombre des papiers pour la technologie SIW publié dans IEEE 49
03 Structure brevetée par Uchimura et Takenoshita 50
04 Conception d’un guide d’onde intégré au substrat (GIS.) 53
05 Configuration de la structure du GIS 53
06 résumé des règles de conception d’un guide SIW 54
Topologies et distributions des champs d’un guide d’onde intégré au
07 57
substrat (SIW) et un guide classique.Figure
08 Guide d’onde rectangulaire équivalent et le RSIW 58
09 Structure de la ligne microruban 60
10 Paramètres géométriques de la transition. 62
11 Exemples des circuits passifs SIW 65
12 Exemples des circuits actifs SIW 66
13 Antenne SIW. 66
Chapitre IV : Résultats et Discussion
01 Le Processus de HFSS 72
02 Fenêtre de gestion des différentes modèles à dessiner sur HFSS 73
03 Utilisation des variables dans HFSS 74
04 Sélection de type de solution 75
05 Création des conditions aux limites (boundary) 76
06 Définition d’un variable non prédéfinie sur HFSS 78
07 Représentation du substrat avec HFSS 79
08 Représentation du 'Microstrip to SIW Transition' avec HFSS 80
Antenne à fentes en SIW :P=1mm ;d=0.6mm ;WSIW=5.6 ;l_f=5mm ;
09 80
w_f=0.4mm
10 Antenne SIW à une fente en : (a) 3D et (b) 2D. 81
11 Coefficient de réflexion (S11) en fonction de la fréquence 81
12 Antenne SIW à 2 fentes en : (a) 3D et (b) 2D. 82
Coefficient de réflexion (S11) en fonction de la fréquence d’une
13 83
antenne à 2 fentes
14 Antenne SIW à 4 fentes en : (a) 3D et (b) 2D. 84
Coefficient de réflexion (S11) en fonction de la fréquence d’une
15 84
antenne à 4 fentes
Coefficient de réflexion (S11) avec des différentes valeurs de la largeur
16 85
de la fente
Coefficient de réflexion (S11) avec des différentes valeurs de la
17 longueur de la fente 85
a. Le Gain d’une antenne à 2 fentesFigure

b. Diagramme de rayonnement d’une antenne à 2 fentes Figure
18 86
c. Le Gain d’une antenne à 4 fentesFigure
d. Diagramme de rayonnement d’une antenne à 4 fentes.
Liste Des Tableaux
N° Tableau Page
01 Wave Ports et Lumped Port. 76
02 à 4 fentes résonné à des fréquences de résonance séparées 85
INTRODUCTION GENERAL
Introduction général
Introduction générale
Les dispositifs et les circuits électroniques connaissent un développement considérable
grâce de leurs fonctions dans le transfert des données. Les lignes de transmission et la
technologie de fabrication de ces lignes offrent des nouvelles perspectives pour l’amélioration
des télécommunications en général.
Les lignes microruban offrent un faible coût de fabrication; elles sont fabriquées
directement sur un substrat diélectrique et à cause de leur facilité d’intégration ces lignes
restent les plus utilisées pour la fabrication des composants intégrées. Malheureusement la
technologie des lignes micro-ruban souffre des interférences et des pertes de puissance. Pour
pallier ces problèmes, la technologie volumique représentée par la technologie des guides
d’ondes rectangulaires classiques propose un facteur important de qualité et on peut construire
à base de ces guides d’autres composants comme les coupleurs, les filtres, les antennes,…etc.
Cependant, leurs fabrications sont limitées par la fréquence utilisée et par conséquent
leurs tailles et leurs poids affectent l'exploitation de ces guides dans les circuits micro-ondes.
Une technologie résumant les avantages des guides d'ondes classiques et les lignes
microruban est appelée la technologie guide d’ondes intégrée au substrat GIS ou SIW
(substrat integrated waveguide). La technologie GIS est arrivée pour remédier au problème
d’intégration des guides volumiques dans un circuit planaires. Avec leur facteur de qualité
relativement élevé; et puisqu’elle présente une taille réduite et un poids léger, la facilité de
fabrication est l’un des secrets de popularité de cette technologie dans ces dernières années.
La fabrication d’un guide GIS nécessite une intégration d’un diélectrique de
permittivité entre deux plaques métalliques et afin d’avoir un guidage du signal, une rangée
des vias métalliques est introduite sur les deux côtés; une propagation du signal au niveau de
ce type des guides demande une adaptation de ce guide sur les deux ports. Pour la conception
de ces composants, l'ingénierie moderne requise sur l’utilisation des logiciels CAO
(Conception assistée par ordinateur), qui sont des outils informatiques basés sur des méthodes
d’analyse et de calcul tel que la méthode des intégrations finies, la méthode des
moments,…etc. Afin de résoudre spécifiquement le problème lié à des phénomènes
électromagnétiques, ce qui aide progressivement au développement des systèmes de
télécommunications hautes fréquences.
Les avantages de la technologie des guides GIS requièrent le développement des
méthodes numériques pour une simulation plus efficace. Pour analyser ce type du guide, des
méthodes analytiques rigoureuses sont mises en place comme la méthode des moments, la
méthode des équations intégrales et la méthode des éléments finis. Actuellement, la méthode
2
Introduction général
des éléments finis (MEF) ou FEM (Finite Elements Method) joue un rôle fondamental pour
analyser des problèmes liés à l'électromagnétisme, d'une simple structure comme un guide
d'ondes vers des circuits complexes. La MEF est la méthode la plus utilisée par les logiciels
CAO. Les privilèges de cette méthode proviennent de sa capacité à s'adapter à des structures
de formes géométriques relativement complexes.
Notre travail est scindé en quatre chapitres :
 Le premier chapitre représente généralités sur les antennes
 Le deuxième chapitre introduit rapidement la technologie des lignes de transmission.
Nous commençons au premier lieu par l’étude de la technologie volumique. Notons
que la technologie des guides d’ondes rectangulaires est les principaux dispositifs des
lignes de transmission de signal micro-onde, dus aux bonnes performances de
transmission sur les hautes fréquences. Cependant, la difficulté de fabrication de la
technologie volumique nous impose d’étudier la technologie planaire puisqu’elle, nous
offre la possibilité de guidage d’un signal micro-onde dans un circuit planaire, sachant
que les pertes engendrées par ce type de lignes les rendent limitées. Les exigences
industrielles mènent les travaux de recherche vers une nouvelle vision sur le
développement de la technologie de transmission.
 Dans Le troisième chapitre après un bref historique sur le développement de la
technologie GIS, les équations de conception d’un guide d’ondes intégré au substrat
sont exposées.
 Le quatrième chapitre présente, et en premier lieu le logiciel de simulation HFSS

(High Frequency Structure Simulation) v13.0, par la suite, une représentation de la
conception de l’antenne à fentes en technologie SIW et leurs résultats de simulation.
3
CHAPITRE I
Chapitre I Généralité sur les antennes
I.1 Introduction:
Une antenne d’émission est un élément conducteur qui transforme une énergie
électrique en énergie de rayonnement électromagnétique. Une antenne de réception traduit un
rayonnement électromagnétique en courant électrique induit. La même antenne peut servir à
recevoir ou à émettre si elle est alimentée en courant (réciprocité des antennes).
Les antennes sont utilisées dans des gammes de longueur d’onde très différentes pour
un très grand nombre d’applications dont nous citons quelques exemples:
 Ondes kilométriques (30 à 300 kHz) et hectométriques (300 à 30000 kHz) pour la
radiodiffusion à modulation d’amplitude, les signaux horaires et les liaisons avec les
sous-marins.
 Ondes décamétriques (3 à 30MHz) pour les liaisons intercontinentales ou maritimes.
 Ondes métriques (30 à 300MHz) pour la radiodiffusion à modulation de fréquence, la
télévision et les communications et radionavigation aéronautiques.
 Ondes décimétriques (300 à 3000MHz) pour la télévision, le radar et les liaisons avec
les mobiles.
 Ondes centimétriques (3 à 30GHz) pour les liaisons terrestres par faisceaux hertziens
et les liaisons spatiales [1] [2].
I.2 Le Rôle Des Antennes :
L’antenne a plusieurs rôles dont les principaux sont les suivants :
o Permettre une adaptation correcte entre l’équipement radioélectrique et le milieu de
propagation.
o Assurer la transmission ou la réception de l’énergie dans des directions privilégiées
o Transmettre le plus fidèlement possible une information [4].
Si nous considérons un système de communication sans fil le plus simple qui soit,
celui-ci serait composé d'un bloc d'émission et d'un bloc de réception. Ces deux blocs
seraient séparés par un canal de propagation dans lequel le signal émis transite avant
d'être reçu comme le montre la figure I.1 :
5
Figure I.1 : Schéma de principe d'un système de communication radio.
I.2.1. Bloc D’émission :

Au niveau du bloc d'émission, le circuit d'émission fournit à sa sortie un courant haute
fréquence, généralement modulé, qui va être transformé en ondes électromagnétiques
capables de se propager dans le canal, c'est l'antenne d'émission qui assure ce rôle.
I.2.2. Bloc De Réception :
A l'inverse au niveau du bloc de réception, lorsque les ondes atteignent le récepteur c'est
à l'antenne de réception qu'incombe le rôle de les transformer en courant susceptible d'être
traité par le circuit de réception.
Ainsi une antenne peut se définir par sa fonction : c'est un transducteur passif qui
convertit les grandeurs électriques d'un conducteur ou d'une ligne de transmission (tension et
courant) en grandeurs électromagnétiques dans l'espace (champ électrique et champ
magnétique) et inversement. Une antenne peut donc indifféremment être utilisée à la réception
ou à l'émission; de plus comme le montre le théorème de réciprocité de Lorentz [5],
l'ensemble des caractéristiques d'une antenne sont identiques que l'antenne soit utilisée
comme antenne d'émission ou de réception. Ceci est très intéressant car cela signifie qu'un
objet communicant disposant d'une partie émission et d'une partie réception pourra utiliser la
même antenne [6].
I.2.3. Réciprocité :
Dans la plupart des cas, une antenne peut être utilisée en réception ou en émission avec
les mêmes propriétés rayonnantes. On dit que son fonctionnement est réciproque. Ceci est une
conséquence du théorème de réciprocité. Du fait de la réciprocité des antennes, il ne sera
pratiquement jamais fait de différence entre le rayonnement en émission ou en réception. Les
6
qualités qui seront annoncées pour une antenne le seront dans les deux modes de
fonctionnement, sans que cela soit précisé dans la plupart des cas [7].
Dans les parties qui suivent nous allons préciser quelles sont les paramètres qui
définissent de manière exhaustive une antenne.
I.3. Comment Rayonne Une Antenne :
Afin de savoir comment une antenne rayonne, voyons d'abord comment le rayonnement
se produit.
Un fil conducteur rayonne principalement en raison d’une variation temporel du courant
ou une accélération (ou décélération) de la charge. S'il n'ya pas de déplacement de charges
dans le fil y’aurai pas de rayonnement, car aucun flux de courant ne se produit. Le
rayonnement ne se produira pas même si les charges sont en mouvement avec une vitesse
uniforme dans un fil rectiligne. Mais dans un fil courbé ou plié le mouvement des charges
avec une vitesse uniforme produira des rayonnements. Si la charge oscille dans le temps, le
rayonnement se produit même dans d'un fil rectiligne comme l’a expliqué Balanis.
Le rayonnement d'une antenne peut être expliqué comme montré la Figure I.2 qui
présente une source de tension connecté à une ligne de transmission à deux conducteurs.
Quand une tension sinusoïdale est appliquée à travers la ligne de transmission, un champ
électrique est créé qui est sinusoïdal dans la nature et il en résulte la création de lignes de
force électriques qui sont tangentielle du champ électrique. L’amplitude du champ électrique
est indiquée par la concentration des lignes de force électriques.
Les électrons libres sur les conducteurs sont déplacées par les lignes électriques de force
et le mouvement de ces charges provoque la circulation du courant qui à son tour conduit à la
création d'un champ magnétique [1].
Figure I.2 : Rayonnement d’une antenne. [1]
7
I.3.1. Rayonnement Electromagnétique : (champ proche et champ lointain)

Les champs dans la proximité de l'antenne sont extrêmement complexes à analyser. La
Figure I.3 montre un exemple des lignes de champ produites par une antenne demi-onde [16]
[18] [19].
Figure I.3: Lignes de champs produites par une antenne demi-onde. [1]
𝐷𝑠𝑒 : est le diamètre de la surface équivalente de l'antenne et « r » la distance à l'antenne.

Les physiciens ont défini plusieurs zones autour de l'antenne (voir Figure I.4).
I.3.1.1. Zone de Rayleigh :
Dans cette zone de champ proche (ou zone de Rayleigh), il y a échange d'énergie
réactive entre l'antenne et le milieu extérieur. A courte distance (par rapport à la longueur
d'onde) pour densité de puissance est quasi constante (tube d’énergie).
𝑫𝟐𝒔𝒆 I.1
𝒓<
𝟐𝝀
Les champs varient peu en fonction de la distance mais ils sont très complexes à analyser. [1]
I.3.1.2. Zone de Fresnel :

Elle se situe entre les deux extrêmes. Ici les champs varient avec de fortes oscillations.
Dans cette zone
𝑫𝟐𝒔𝒆 𝟐𝑫𝟐𝒔𝒆
<𝑟< : La densité de puissance est fluctuante [1].
𝟐𝝀 𝟐𝝀
8
I.3.1.3. Zone de Fraunhofer :

Dans la zone du champ lointain (ou de Fraunhofer), à grande distance par rapport à la
longueur d'onde, les champs sont rayonnés sous la forme d'une onde quasiment plane Dans
cette zone,
𝑫𝟐𝒔𝒆 𝟏
𝒓> , la densité de puissance décroît en 𝒓
𝟐𝝀
Quel que soit le type d’antenne, on obtient invariablement des champs dont les expressions
𝟏 𝟏 𝟏
mathématiques indiquent des variations en 𝒓 , 𝒓𝟐 𝒆𝒕 .
𝒓𝟑
On interprète ces variations des champs selon la distance comme [1]:

𝟏
 Les termes en 𝒓 correspondent au rayonnement.
𝟏
 Les termes en 𝒓𝟐 de E sont reliés à l’induction.
𝟏 𝟏
 Les termes en 𝒓𝟑 de E et en 𝒓𝟐 de H proviennent de l’électrostatique.
Fig. I.4 : Zones de radiation d’une antenne.

Donc l’espace environnant d’une antenne est divisé en trois parties qui sont présenté
dans Figure I.5 suivante [1] :
Figure I.5: Limite des 3 zones de rayonnement [1].
9
I.4. Paramètres Caractéristiques D’une Antenne :

De nombreux paramètres sont utilisés pour décrire les caractéristiques et les
performances des antennes tels que diagramme de rayonnement, l’impédance d’entrée, le
coefficient de réflexion, la directivité, le gain, ainsi que le rendement...etc [4].
I.4.1 Diagramme de Rayonnement :
Le champ rayonné à grande distance est en fonction de θ (angle de Site : plan vertical)
et φ (angle d’Azimut : plan horizontal).
Il peut s’écrire en conséquence, à un facteur près, sous la forme
𝐸(𝜃, 𝜑) = 𝑘 𝑓(𝜃, 𝜑) I.2
Où:
E (,) : amplitude du champ électrique
 𝑓(𝜃, 𝜑) : est dit fonction caractéristique de rayonnement.
k : coefficient de normalisation tel que par définition E (,)max = 1, c'est-à-dire 0 dB.

La représentation graphique de la fonction caractéristique de l’antenne porte le nom de
diagramme de rayonnement
Le diagramme de rayonnement généralement représente l’intensité de rayonnement
K(θ, φ) qui va être définie ultérieurement, en fonction des angles de déviation (θ, φ) dans
l’espace. C’est une représentation qui nous donne les directions de rayonnement les plus
efficaces de l’antenne. Ces diagrammes sont caractérisés par un lobe principal et des lobes
secondaires. Lorsque l’on désire établir une liaison directe entre deux points A et B, il faut
que la direction de rayonnement maximal coïncide avec la direction AB. Par conséquent, la
puissance rayonnée hors de cette direction est inutile. Elle peut même perturber des liaisons
situées dans d’autres directions. Il est donc nécessaire d’affiner le lobe de rayonnement
principal et de réduire au minimum le niveau des lobes secondaires.
Un type plus pratique est l’antenne directionnelle qui rayonne plus de puissance dans
certaines directions et moins de puissance dans d’autres directions. Un cas particulier de
l’antenne directionnelle est l’antenne omnidirectionnelle, dont le diagramme de rayonnement
peut être constant dans un seul plan (plan E), et varie dans le plan orthogonal (plan H). Le
diagramme de rayonnement de l’antenne directive est montre dans la figure I.2:
10
Figure I.6 : Diagramme de rayonnement classique d’une antenne directive.
 Un lobe principal: C’est le lobe de rayonnement contenant le maximum d’énergie et

la direction du maximum de rayonnement.
 Des lobes secondaires: Tous les autres lobes sont appelés lobes secondaires. Ils
représentent le rayonnement de l’antenne dans les directions indésirables.
 Un lobe arrière (rayonnement arrière): C’est le lobe secondaire présent dans la
direction opposée à 180° du lobe principal.
Dans la plupart des systèmes antennaires, les lobes secondaires sont indésirables. Une bonne
conception d’antenne doit permettre de minimiser les lobes secondaires [6,7].
I.4.1.1. Les Modèles de Rayonnement :
Il existe trois modèles de rayonnement couramment utilisés pour décrire la propriété du
rayonnement d’une antenne:
 Isotrope : Une antenne hypothétique sans perte ayant un rayonnement égal dans toutes
les directions. Il est valable uniquement pour une antenne idéale et est souvent pris comme
référence pour exprimer les propriétés directives des antennes pratiques.
 Directionnel : Une antenne qui possède la propriété de rayonnement ou réception des
ondes électromagnétiques d’une manière plus efficace dans certaines directions que dans
d'autres.
 Omnidirectionnel : Une antenne ayant un modèle non-directionnel essentiellement
dans un plan donné et un modèle directionnel dans n'importe quel plan orthogonal.
11
I.4.2. L’angle d’ouverture :

L’angle d’ouverture (beamwidth) caractérise la largeur du lobe principal. L’angle
d’ouverture à (3 dB,2𝜃3 ) représente la portion de l’espace dans lequel la majeure partie de la
puissance est rayonnée. Il s’agit de l’angle entre les 2 directions autour du lobe principal où la
puissance rayonnée est égale à la moitié de la puissance rayonnée dans la direction de
rayonnement maximal.
Figure I.7: Diagramme de rayonnement bidimensionnel en coordonnées cartésiennes

I.4.3. Puissance Rayonnée Par Une Antenne :
Une antenne sert à convertir une puissance électrique en une puissance rayonnée, c'est-
à-dire transportée par une onde électromagnétique, qui peut se propager dans toutes les
directions de l’espace.
 La puissance rayonnée par unité d'angle solide dans une direction définie par les
deux angles (ϴ.ɸ) s'écrit :
𝑃𝑎 I.3
P (𝜃. 𝜑) = 4𝜋
Avec 𝑃𝑎 : est la puissance d'alimentation.
Elle est parfois appelée intensité de rayonnement, exprimée en watts/stéradian
 La puissance rayonnée par unité de surface à la distance R, ou densité de puissance

est donnée par :
𝑝𝑎
P (r.𝜃. 𝜑) = 4𝜋∗𝑟 2 I.4
On peut montrer que l’onde transporte la puissance suivante, exprimée sous la forme d’un
vecteur appelée vecteur de poynting, H* est le conjugué du champ magnétique :
1 𝑊 I.5
𝑃 = 2 𝐸^𝐻 ∗ ((𝑚 2 ) 2)
12
I.4.4. La directivité
La directivité d'une antenne est le rapport de la puissance rayonnée par unité d'angle
solide dans la direction (𝜽, 𝝋 ) à la puissance que rayonnerait la source isotrope de référence
par unité d'angle solide pour une même puissance totale rayonnée [13].
𝑃 𝜃, 𝜑 I.6
𝐷 𝜃, 𝜑 = 4𝜋
𝑃𝑅
𝑃 𝜃, 𝜑 : La puissance rayonnée par unité d’angle solide 𝜃, 𝜑 .

𝑃𝑅 : La puissance totale rayonnée.
La directivité indique dans quelles directions la densité de puissance est meilleure ou
moins bonne que celle de l'antenne isotrope [14].
I.4.5. Le gain :
La puissance rayonnée par une antenne varie généralement selon la direction
considérée. Le gain d'une antenne dans une direction (𝜽, 𝝋 ) est le rapport de la puissance
rayonnée dans cette direction 𝑷 𝜽, 𝝋 à la puissance que rayonnerait la source isotrope de
référence par unité d'angle solide avec la même puissance d'alimentation et il est exprimé par
I.7, I.8
𝑃 𝜃, 𝜑 I.7
𝐺 𝜃, 𝜑 = 4𝜋
𝑃𝐴
𝑃𝐴 : La puissance d’alimentation d’une antenne.

La relation entre le gain et la directivité d'une antenne est donnée par l'équation suivante I.8.
𝐺 𝜃, 𝜑 = 𝜂𝐷 𝜃, 𝜑 I.8
𝜂: 𝐿𝑒 Rendement
I.4.6. Le Rendement :
Soit 𝑃𝐴 la puissance d’alimentation d’une antenne. Cette puissance est transformée en
une puissance rayonnée𝑃𝑅 . Dans le sens de l’émission, la puissance rayonnée est inférieure à
la puissance d’alimentation (I.9, I.10) L’antenne est un transformateur imparfait. Il y a des
pertes lors de la transformation d’énergie, comme dans tout système. L’efficacité de l’antenne
est définie par :
13
𝑃𝑅 I.9
𝜂=
𝑃𝐴
Elle permet de mesurer le taux de transformation. C’est un rendement au sens

thermodynamique du terme :
𝜂≤1 I.10
Le rendement est lié aux pertes dans le réseau de polarisation et dans les éléments
rayonnants. En comparant les équations 2.9-10, on voit que le rendement relie le gain et la
directivité [4] :
𝑃𝑅 = 𝜂 ∗ 𝑃𝐴 ⇒ 𝐺 = 𝜂 ∗ 𝐷 I.11
I.4.7. L'impédance d’entrée :

L’impédance d’entrée d’une antenne est définie comme le rapport entre la tension Vin et
le courant Iin aux terminaux de l’antenne ou comme le rapport entre les composantes
appropriées des champs électriques et magnétiques. L’expression de l’impédance d’entrée
d’une antenne Zant se décompose en une partie réelle 𝑅𝑎𝑛𝑡 et une partie imaginaire 𝑋𝑎𝑛𝑡 et
s’écrit comme suit :
𝑉𝑖𝑛 I.12
𝑍𝑎 = = 𝑅𝑎 + 𝑗𝑋𝑎
𝐼𝑖𝑛
𝑍𝑎𝑛𝑡 = 𝑅𝑎𝑛𝑡 + 𝑗𝑋𝑎𝑛𝑡 I.13
𝑍𝑎𝑛𝑡 : Impédance caractéristique de la ligne d’alimentation.

La partie réactive (réactance) : est due aux champs d’induction au voisinage de
l’antenne ; elle est capacitive pour les antennes électriquement courtes (un peu comme
l’impédance vue près d’un circuit ouvert en régime sinusoïdale permanent) autrement,
elle est inductive ou capacitive. Autrement dit elle est liée à la puissance réactive
stockée au voisinage de l’antenne.
La partie active est reliée aux champs (ou puissance) rayonnes et a puissance perdue
par effet de joules, elle est constituée de deux composantes, une résistance de
rayonnement 𝑅𝑟𝑎𝑦 et une résistance de pertes 𝑅𝑝𝑒𝑟𝑡𝑒𝑠 .
14
La partie réelle de l’impédance 𝑅𝑎𝑛𝑡 regroupe une partie due aux pertes ohmiques et
diélectriques des matériaux et la résistance de rayonnement de l’antenne et elle s’écrit comme
suit :
𝑅𝑎𝑛𝑡 = 𝑅𝑝𝑒𝑟𝑡𝑒𝑠 + 𝑅𝑟𝑎𝑦 I.14
Figure I.8: Représentation de l’impédance de l’antenne [3].

Pour s’assurer que la puissance a été transférée de l’alimentation vers l’antenne, il est
nécessaire d’avoir une adaptation d’impédance. Le transfert maximal de puissance est obtenu
lorsque l’impédance de l’alimentation est égale à l’impédance conjuguée de l’antenne et
comme 𝑆11 est fonction de la fréquence alors 𝑍𝑎𝑛𝑡 varie aussi avec la fréquence. Cette
impédance d'entrée en fonction de 𝑆11 est donnée par la formule I.15 :
1 + 𝑆11 I.15
𝑍𝑎𝑛𝑡 = 𝑍𝑐
1 − 𝑆11
I.4.8. Résistance de Rayonnement :

Pour les antennes, la puissance totale émise 𝑷𝒕 est reliée au courant crête (En utilisant
2 1
le courant efficace 𝐼𝑟𝑚𝑠 = 𝐼𝑐𝑟è𝑡𝑒 / 2 , on obtient 𝑃𝑡 = 2 𝑅𝑟 𝐼𝑖𝑛𝑟𝑚𝑠 ) 𝐼𝑖𝑛 mesuré à l’entrée
𝑅𝑟𝑖 de l’antenne via la résistance de rayonnement vue à l’entrée qui n’est pas une résistance
dissipative physique :
1 2 I.16
𝑃𝑡 = 𝑅𝑟𝑖 𝐼𝑖𝑛
2
15
Cette résistance s’ajoute à celle des pertes joules (ou pertes en général) pour former la
partie réelle de l’impédance de l’antenne :
𝑅𝑎 = 𝑅𝑟𝑖 + 𝑅𝑝𝑒𝑟𝑡𝑒𝑠 I.17
𝑹𝒑𝒆𝒓𝒕𝒆𝒔 : est la résistance qui provoque :

 Les pertes ohmiques ou thermiques 𝑹𝒐𝒉𝒎 ;
 Les pertes dans le diélectrique 𝑹𝒅𝒊𝒆 ;
 Les pertes de retour (conductivité du sol) pour les monopoles 𝑹𝒔𝒐𝒍 .
La résistance 𝑹𝒓𝒊 est la responsable du rayonnement de l’antenne, car sans elle aucune
puissance active fournie à l’antenne n’est émise. On a donc intérêt à l’avoir la plus élevée
possible pour accroitre l’importance des champs rayonné.
Le symbole 𝑅𝑟 est réservé à la résistance de rayonnement, laquelle est calculée à partir de
l’amplitude maximale de la distribution du courant sur l’antenne :
1 I.18
𝑃𝑡 = 𝑅 𝐼2
2 𝑟 𝑚𝑎𝑥
Si l’amplitude maximale se situe au niveau des bornes ; alors 𝑹𝒓 = 𝑹𝒓𝒊 [9]

I.4.9. Le coefficient de réflexion :
Le coefficient de réflexion d’une antenne représente le rapport des amplitudes des ondes
incidentes sur les ondes réfléchies.
Pour une antenne d’impédance 𝒁𝒂𝒏𝒕 , reliée à la source par une ligne d'impédance
caractéristique 𝒁𝒄 , le coefficient de réflexion peut être défini comme suite :
𝑍𝑎𝑛𝑡 − 𝑍𝑐 I.19
𝑆11 = 𝛤 =
𝑍𝑎𝑛𝑡 + 𝑍𝑐
Avec : 𝒁𝒄 =50ohm
Le module du coefficient de réflexion est souvent exprimé en décibel (dB) et est noté et
se 𝑺𝟏𝟏 définit comme suit :
𝑆11 𝑑𝐵 = 20 𝑙𝑜𝑔(𝑆11 ) I.20
Le coefficient de réflexion permet de connaitre la qualité d’adaptation d’une antenne. En

effet, plus son module tend vers l’infini négativement, plus l’antenne est adaptée. Souvent, la
fréquence de résonance d'une antenne est celle où le coefficient de réflexion est minimal [1].
Dans la pratique, l'adaptation est caractérisée par le module du coefficient de réflexion
ou, le plus souvent, par le "Rapport d'Onde Stationnaire" (R.O.S.) [4].
16
I.4.10. Le VSWR (L’adaptation) :

Pour qu’une antenne fonctionne efficacement, le transfert maximum de puissance doit
être entre l'émetteur et l'antenne. Ce transfert ne s'effectue pas que s’il y’a adaptation entre
L’impédance de l'antenne (𝑍𝑖𝑛 ) et celle de l'émetteur (𝑍𝑠 ). Selon le théorème de transfert de
puissance maximale, cette dernière peut être transféré que si l'impédance de l'émetteur est un
conjugue complexe de l'impédance de l'antenne et vice-versa.
Figure I.9: Circuit équivalent d’antenne d’émission.

Ainsi, la condition pour la correspondance est la suivante:
𝑍𝑖𝑛 = 𝑍𝑠∗ I.21
Ou
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝑖𝑛 + 𝑗𝑋𝑖𝑛 I.22
𝑍𝑠 = 𝑅𝑠 + 𝑗𝑋𝑠 I.23
Si cette condition n'est pas satisfaite, et une partie de la puissance est réfléchie, cela conduit à
la création d'ondes stationnaires, qui peut être caractérise par un paramètre appelé le rapport
d'ondes stationnaires de tension (Voltage Standing Wave Ratio : VSWR). Le VSWR est
donne par Makarov [7] par:
1 + [𝛤] I.24
𝑉𝑆𝑊𝑅 = 𝑅𝑂𝑆 =
1 + [𝛤]
𝑉𝑟 𝑍𝑖𝑛 − 𝑍𝑠 I.25
Γ= =
𝑉𝑖 𝑍𝑖𝑛 − 𝑍𝑠
Ou
Γ : est appelé le coefficient de réflexion.
𝑉𝑟 : est l’amplitude d’onde réfléchie.
17
𝑉𝑖 : est l’amplitude d’onde incidente.

Le VSWR est essentiellement une mesure de la différence d'impédance entre l'émetteur
et l'antenne. Plus le VSWR est grand plus la différence d’impédance est grande [10].
Le VSWR minimale correspond à une adaptation parfaite. Une conception pratique de
l'antenne doit avoir une impédance d'entrée égale à 50 Ω ou 75 Ω, la plupart des équipements
radio sont construit pour cette impédance [10,11].
Le terme de TOS (Taux d’Ondes Stationnaires) peut être utilisé à la place de ROS [4].
I.4.11. La fréquence de résonnance et la bande passante :
La bande passante d'une antenne définit donc la plage de fréquence dans laquelle le
coefficient de réflexion est inférieur à un seuil fixé arbitrairement. Généralement la bande
passante correspond à la plage de fréquence pour laquelle le coefficient de réflexion est
inférieur de -10dB. Mais dans certaines applications, ce niveau peut être relevé à -6 dB ce qui
permet de relâcher certaines contraintes lors de la conception d'une antenne, c'est le cas, par
exemple, pour certaines antennes de téléphone mobile. Il est cependant communément admis
que si le seuil auquel est considéré la bande passante n'est pas précisé, il s'agit de la bande
passante pour un (𝑆11 ) inférieur à -10dB. La figure 2.4 montre le paramètre (𝑆11 ) d'une
antenne en fonction de la fréquence et met en évidence la bande passante a (-10 dB). Dans cet
exemple la bande passante qui s'exprime en Hertz (Hz) est de 226 Mhz.
Figure I.10. La bande passante à partir de la trace de coefficient de réflexion.
La fréquence de résonnance (𝑓𝑟𝑒𝑠 ), correspond à la fréquence pour laquelle l'antenne est

la mieux adaptée, c'est-à-dire pour laquelle le coefficient de réflexion est le plus faible. Sur
18
une bande passante donnée, il est possible d'observer plusieurs minimas donc plusieurs
fréquences de résonance [6].
La bande passante est définie par la formule suivante :
𝑓𝑚𝑎𝑥 − 𝑓𝑚𝑖𝑛 I.26
𝐵𝑊 = 𝐵𝑃 =
𝑓𝑐
Afin de comparer des structures d'antennes, on exprime souvent la bande passante,

BP, d'une antenne en pourcentage par rapport à la fréquence de résonance 2.1 [6].
𝑓𝑚𝑎𝑥 − 𝑓𝑚𝑖𝑛 I.27
𝐵𝑊% = ∗ 100
𝑓𝑐
Ou
f max : la fréquence maximale.
fmin : la fréquence minimale.
fC : la fréquence centrale.
𝒇
Une antenne est dite à large bande si ( 𝒇𝒎𝒂𝒙 = 𝟐). Une méthode pour juger l’efficacité
𝒎𝒊𝒏
de l’antenne qui fonctionne sur toute la gamme de fréquence est la mesure du VSWR.
I.4.12. La polarisation :
La polarisation est définie comme étant l’orientation du champ électrique d'une onde
électromagnétique.
La polarisation d’une onde est une donnée fondamentale pour l’étude des antennes. En
effet selon la constitution de l’antenne, elle ne recevra qu’une certaine forme de polarisation.
La polarisation du champ électromagnétique rayonne par une antenne est donnée par la
direction du champ électrique E. Si le champ (E) garde une direction constante dans le temps,
on dit que l’on a une polarisation rectiligne (voir la Figure I.4). Si la direction varie avec le
temps de telle sorte que si, en un point donne, on schématise les positions successives de (E),
l’extrémité du vecteur représentatif décrit un cercle ou une ellipse. On dit alors que le champ
rayonne est a polarisation circulaire ou elliptique [9,11].
19
a) polarisation linéaire. b) polarisation elliptique. c) polarisation circulaire.

Figure I.11 : Polarisation du champ électromagnétique
.
I.5. Les déférents types d’antennes :
I.5.1. Antenne dipolaire :
L’antenne dipolaire on peut l’appelée
le dipôle demi-onde ou même dipôle
résonnant est une antenne constituée de deux
brins métalliques de longueur λ/2 alimentée
en son milieu. Il peut être réalisé en fil ou en
tube destinée à transmettre ou recevoir de
l'énergie électromagnétique. Ce type
d'antenne est le plus simple à étudier d'un
point de vue analytique.
Il a une impédance de 73Ω qu’est
Figure I.12 : schéma représentant un Dipôle
purement résistive ce qui facilite son
alimentation par un câble coaxial avec une
impédance de 75Ω sans aucun problème.
20
I.5.2. Antenne Cadre :

L'antenne cadre ou antenne cadre
magnétique est constitué d’une ou plusieurs
spires enroulés sur un cadre, elle sensible au
champ magnétique (d'où son nom de cadre
magnétique). Son principe de
fonctionnement résulte d'une application
directe de la loi de Lenz-Faraday, la tension
induite étant proportionnelle au flux du
champ magnétique.
A cause de la difficulté d’implémenté
des antennes filaires pour les ondes longues
Figure I.13 : schéma représentant une
et moyennes on utilise l’antenne cadre. antenne cadre
I.5.3. Antenne parabolique :
Les antennes parabolique, communément
appelée parabole par le grand public, est une
antenne disposant cornet et d'un réflecteur
parabolique, basé sur les propriétés
géométriques de la courbe nommée
parabole et de la surface nommée
paraboloïde de révolution. Le réflecteur
transforme une onde sphérique en onde
plane.
Elles se caractérisent par une directivité Figure I.14 : schéma représentant une
très forte. On les utilise pour des fréquences antenne parabolique
supérieures de 1 GHz. En dessous de 400
MHz leur taille devient très grande.
21
I.5.4. Antenne losange :

L’antenne losange (rhombique) est
formée de quatre brins identiques disposés
sous forme d’un losange, le tout est placé
horizontalement à une hauteur H du sol, cette
antenne est chargée par une impédance
adaptée, elle fonctionne donc en régime
progressif, cette antenne est idéale pour la
transmission des ondes d’espace HF.
Figure I.15 : schéma représentant une
antenne losange
I.5.5. Antenne dièdre :
L’antenne dièdre est constituée de deux éléments :
 Un dipôle d’excitation (demi-onde).
 Un réflecteur en V dont le rôle est de minimiser le rayonnement arrière.
Ce réflecteur est réalisé à partir de métal déployé ou de tiges parallèles pour qu’il
obtienne une résistance au vent. Cette antenne est utilisée pour les liaisons point à point (FH)
qui fonctionnent dans les bandes VHF et UHF car elle rayonne longitudinalement.
I.5.6. Antenne Yagi :
C’est une antenne à rayonnement
longitudinal. Elle est constituée de :
 Un dipôle d’excitation de longueur  / 2 .
 Un réflecteur placé à  / 4 du dipôle est
possédant une longueur légèrement
supérieure.
 Un ou de plusieurs directeurs de longueurs
légèrement inférieures à celle du dipôle.
Cette antenne est utilisée en VHF et en UHF. On
la rencontre dans des liaisons par Faisceaux
Hertziens (FH), ainsi pour la réception des
émissions de télévision et en modulations de Figure I.16 : Schéma représentant
fréquences. l’antenne Yagi.
22
I.5.7. Antenne hélicoïdale :
On peut l’appelée antenne hélicoïdale ou antenne hélice elle est formée de :
 Un réflecteur servant également de plan de masse.

 Un brin conducteur sous forme d’une hélice cylindrique.
Elle est utilisée en VHF et UHF et même dans les liaisons spatiales.
I.5.8. Antenne cornet :
Une antenne cornet est une antenne en forme de cylindre, de cône ou pyramide tronquée
employée pour des liaisons directes ou comme antenne-source pour éclairer un réflecteur
parabolique. L'antenne cornet utilise le principe d'ouverture rayonnante, la forme de cornet
assurant simplement l'adaptation progressive de l'onde électromagnétique entre le point de
couplage et la surface de rayonnement.
L’antenne cornet comporte in monopole (tige) sur fiche N, placé à une distance
critique du fond du cornet. Elle est utilisé dans en HF et VHF.
Figure I.17 : Schéma représentant l’antenne cornet.

I.5.9. Antenne Imprimée :
L’antenne imprimée, appelée aussi antenne patch est un type récent d’antenne dont le
développement et l’utilisation sont de plus en plus fréquents. Elle est constituée d’un
diélectrique, possédant un plan de masse métallique sur une face. Sur l’autre face, une gravure
métallique permet de supporter des courants de surface qui créent le rayonnement
électromagnétique (Figure I.17). Les courants sont amenés du générateur à l’antenne par une
ligne micro ruban. Elle présente l’avantage du poids sur certaines antennes décrites
précédemment.
23
Les gravures des parties métalliques peuvent prendre des formes très variées en fonction
des objectifs fixés pour la répartition du rayonnement dans l'espace. Ceci donne une grande
souplesse de conception
Figure I.18: Antenne Imprimée [10].

I.5.10. Antenne active :
Les progrès réalisés sur la fabrication des antennes plaquées, rendent possible le report d’un
circuit actif sur l’antenne. L’antenne a des fonctions qui dépassent son rôle simple de
transformateur d’énergie.
Selon les fonctions électroniques adjointes, on obtient un dispositif complexe. On parle ainsi
d’antennes intelligentes si le dispositif a une partie de contrôle et de commande [10].
Figure I.19: Antenne plaquée avec alimentation à couplage électromagnétique [10].

Les applications des antennes actives sont très variées. Elles sont utilisées pour des
tâches nécessitant :
 de la commutation,
 du déphasage dans les réseaux d’antennes,
 de l’amplification (de puissance à l’émission ou faible bruit à la réception)
 de l’agilité en fréquence, etc.
On distingue les antennes actives intégrées des antennes hybrides sur lesquelles des
composants sont reportés. L’intérêt actuel porte toutefois sur les antennes intégrées, pour
24
lesquelles l’antenne est au plus près du circuit intégré car réalisée en même temps, sur le
même support.
I.5.11. Antenne à réseau de fentes :
Toujours en utilisant le guide d’onde comme dispositif de transmission, il est possible
d’envisager un rayonnement dans une direction différente de l’axe du guide, en utilisant des
fentes dans le corps du guide (Figure I.13)
Le rayonnement s’effectue alors perpendiculairement au plan troué du guide.
Ce type de dispositif est utilisé lorsque le rayonnement doit être localisé. Par exemple,
dans des tunnels, où la transmission des ondes s’effectue mal, on peut placer un réseau de
fentes rayonnantes. En général la ligne est en haut du tunnel avec émission vers le bas [10].
Figure I.20 : Réseau de fentes [10].

1.6. Les réseaux d'antennes :
1.6.1. Principe :
Un réseau d'antennes est constitué de plusieurs éléments qui dans la plupart des cas sont
similaires (filaire, planaire, à ouverture...) disposés selon une géométrie particulière (linéaire,
planaire, circulaire, rectangulaire, sphérique ...).
Un réseau d'antenne est appelé:
 Uniforme: s'il est constitué de N élément identique possédant N amplitudes
d'excitation égales mais chacun a une phase progressive d'excitation fixe nommée β.
 À balayage: s'il permet de diriger le maximum du faisceau dans plusieurs directions
afin de balayer une zone désirée et ceci uniquement en contrôlant la différence de
phase d'excitation entre les éléments.
Quelques caractéristiques importantes des réseaux telles que le diagramme de
rayonnement, le facteur de réseaux, ainsi que la différence de phase d'excitation entre les
éléments seront présentées dans les sections suivantes.
1.6.2. Diagramme de rayonnement :
Supposant un réseau d'antennes composé de N élément qui ont tous la même amplitude
d'excitation et une différence de phase β entre eux. Le diagramme de rayonnement d'un tel
25
système obéit à une loi de multiplication de diagramme de chacune des antennes constituant
ce réseau, cette multiplication est représentée par l'équation suivante:
ET = [E (élément seul à un point de référence)] × [FR] I.28
E T : Champ totale rayonné par le réseau,

FR: Facteur de réseaux.
Si nous prenons comme exemple le cas le plus simple d'un réseau constitué de deux
dipôles électriques, tel qu'il est montré dans la Fig.I.1, où le champ rayonné par chacun d’eux
est Eθ1 et Eθ2:
(𝑘𝐼0𝑙𝑠𝑖𝑛𝜃1) −𝑗𝑘𝑟 1 I.29
𝐸𝜃1 = 𝑗ɳ 𝑒 ,
4𝜋𝑟1
(𝑘𝐼0𝑙𝑠𝑖𝑛𝜃2) −𝑗𝑘𝑟 2 I.30

𝐸𝜃2 = 𝑗ɳ 𝑒
4𝜋𝑟2
Ou
𝑑
𝑟1 = 𝑟 − 𝑟 − 𝑐𝑜𝑠𝜃 ,
2
𝑑
I.31
𝑟2 = 𝑟 − 𝑟 − 𝑐𝑜𝑠𝜃 𝑒𝑡 𝜃1 = 𝜃2
2
Figure I.21 : Réseau de deux dipôles électriques verticaux
26
Le champ total rayonné par les deux éléments est donné par:
𝑘𝐼0𝑙𝑠𝑖𝑛𝜃1 −𝑗𝑘𝑟1 𝑘𝐼0𝑙𝑠𝑖𝑛𝜃2 −𝑗𝑘𝑟2 I.32

𝐸𝜃 = 𝐸𝜃1 + 𝐸𝜃2 = 𝑗ɳ 𝑒 + 𝑗ɳ 𝑒
4𝜋𝑟1 4𝜋𝑟2
Après quelques manipulations mathématiques nous obtenons la relation suivante:
𝜃 𝑘𝑑 I.33
𝐸𝜃 = 𝑗ɳ𝑘𝐼0𝑙𝑠𝑖𝑛 . 𝑒−𝑗𝑘𝑟 (2cos⁡
( . cos 𝜃))
4𝜋𝑟 2
Le facteur de réseau dans la relation (I.36) est :
𝑘𝑑 I.34
FR=2cos⁡
( cos 𝜃)
2
La Fig.I.14 illustre cette multiplication de diagramme pour deux dipôles horizontaux

infinitésimaux avec β = 90°. Le principe est le même pour un réseau plus grand.
Si nous comparons le diagramme de rayonnent total de deux réseaux l'un plus grand ou plus
petit que l'autre pour qui le même type d'antennes est utilisé, nous verrons que le paramètre
qui varie dans l'équation (I.28) est le facteur de réseau FR, cette variation induira forcément
un changement dans le diagramme total de rayonnement.
Figure.I.22 : Multiplication de diagramme pour deux dipôle horizontaux infinitésimaux avec β =90° [1]
Le facteur de réseau dans le cas général est donné par:
𝑁 𝑗 𝑛−1 𝛹 I.35
FR= 𝑛=1 𝐴𝑛 𝑒
Ψ=kd cos (𝜃) + 𝛽 I.36
An : Amplitude d'excitation de chaque élément,

k : Nombre d'onde,
27
d : Distance entre les éléments

Si les amplitudes d'excitation entre les éléments sont égales A0= A1= A2=...., le réseau est
appelé Uniforme. Pour obtenir le maximum du diagramme de rayonnement total selon
l’équation (I.28), il faut que la valeur du facteur de réseaux soit maximale.
Selon (I.36) FR est maximum si
Ψ=0⇒ kd cos (𝜃) + 𝛽 = 0 I.37
L’équation (I.40) est satisfaite pour une valeur de θ appelée θ0, cet angle est celui vers lequel
le faisceau est maximum:
𝛽 = −kd cos (𝜃0 ) I.38
De la relation (I.41), il est évident que pour chaque valeur de β il y a une direction θ0 lui
correspondant où le faisceau est maximum. Ceci veut dire tous simplement que pour diriger le
faisceau dans une direction donnée il faut ajuster la valeur de la différence de phase β entre les
éléments d'un réseau d'antenne de manière à satisfaire l’égalité (I.38). Plusieurs types de
réseau peuvent être définis selon la valeur de β, donc selon la direction de leur faisceau. La
différence de phase β entre les éléments d'un réseau d'antenne est Appelée Phase progressive.
I.7. Réseaux d'antennes uniformes
Dans le cadre de ce travail nous nous intéresserons aux réseaux uniformes, c'est à dire
les réseaux dont les éléments ont la même amplitude d'excitation et sont espacés par la même
distance « d ». Nous avons vu dans la section précédente que la direction du maximum de
rayonnement peut être obtenue en variant la valeur de la phase progressive β entre les
éléments d’un réseau. Sur cette base nous allons montrer trois types de réseaux liés à trois
valeurs de β.
I.7.1. Réseaux à faisceau perpendiculaire
Dans ce type, le maximum du faisceau créé par le réseau est dirigé dans une direction
perpendiculaire à l'axe du réseau, l'axe du réseau est la ligne qui traverse tous les éléments. À
partir des deux relations (1.38) et (1.39), si nous voulons obtenir un faisceau qui a son
maximum en direction de θ = 90° nous avons:
𝜃0 = 90° ⇒ β=0 I.39
Donc pour obtenir un maximum du faisceau perpendiculaire à l'axe du réseau, il faut

que la phase progressive entre les éléments soit nulle, dans d'autres termes il faut que tous les
28
éléments du réseau aient la même phase d'excitation. La Fig. I.23 montre un réseau à faisceau
perpendiculaire à l'axe du réseau.
Figure. I.23: Réseau à faisceau perpendiculaire.

I.7.2. Réseau d’antenne à faisceau (End fire)
Dans le cas précèdent le faisceau était dirigé perpendiculairement à l'axe du réseau
tandis que dans ce cas le faisceau est dirigé vers une des extrémités de l'axe du réseau. L'angle
entre l'axe du réseau et le faisceau est égale à: 0° ou 180°.
Apartir de de (I.40) si:
𝜃0 = 0° ⇒ β=-kd I.40
𝜃0 = 180° ⇒ β=kd I.41
Figure. I.24 : Réseau d’antenne End fire.
29
La Fig. I.24 montre un réseau pouvant former deux faisceaux dirigés vers 0° ou 180°.
I.7.3. Réseau d’antenne à balayage
Le réseau à balayage est le cas général des deux cas précédents, le faisceau peut être
Dirigé dans une direction quelconque θ0 en adaptant la valeur de β. A partir de l'équation
(I.36) si:
Ψ=0 pour θ= θ0 , donc kd cos (θ0) + β=-kd cos (θ0)
La Fig. I.25 montre un réseau d’antenne à faisceau dirigé vers un angle arbitraire θ0
Figure. I.25 : Réseau à balayage.

Ce dernier type de réseau d'antennes uniforme confirme qu'un faisceau peut être dirigé
dans n'importe quelle direction en contrôlant la valeur de la phase progressive. Dans un réseau
d’antennes, plusieurs faisceaux peuvent être crées pour permettre un balayage électronique de
différentes manières. La Fig. I.25 représente le schéma général d'un réseau d’antennes
uniformes à balayage alimenté par un répartiteur de faisceaux. La section suivante traite des
différents répartiteurs de faisceaux utilisés afin d'obtenir un balayage électronique des
faisceaux.
Figure. I.26: Schéma d'un réseau d'antennes à balayage
30
I.8.Conclusion :
Les antennes ont des propriétés et des caractéristiques, selon lesquelles elles sont valorisées.
Plusieurs techniques existent pour les réaliser. Alors, pour assurer un bon fonctionnement, il
faut choisir celle la plus adaptée à l’application envisagée.
Après ce chapitre, on présente des généralités sur les antennes imprimées qui vont être
détaillées dans le chapitre suivant.
31
CHAPITRE II
Chapitre II Technologie des guides d’onde
II.1. Introduction
Les guides d’ondes ce sont des lignes de transmission traditionnelle utilisée pour le
guidage d’un signal micro-onde et jusqu’à aujourd’hui sont encore largement utilisés pour
plusieurs applications. Différents composants micro-ondes sont réalisés à base de la
technologie des guides d’ondes tels que: les coupleurs, les déphaseurs sont disponibles dans le
marché puisque en prend en compte que ces guides présentent des faibles pertes avec une
forte énergie transmise.
Puisque leur poids est lié à la fréquence utilisée, l'intégration des guides d'ondes avec
d’autres composants micro-ondes devienne limitée et très coûteuse.
Pour les lignes de transmission planaire et coplanaire comme les lignes micro-ruban qui
sont compactes et peu coûteuses avec une exploitation très vaste dans le domaine des
télécommunications, ils provoquent des pertes de transmissions.
Actuellement une telle technologie qui est basée sur l’utilisation des circuits imprimée
pour limiter les caractéristiques des guides d’ondes traditionnelles. Ils sont appelés les guides
d’ondes intégrées au substrat (GIS). Cette technologie possède plusieurs avantages tel qu’un
facteur de qualité relativement fort, une intégration facile, une taille réduite et un faible cout
[1-3]. Sur la base de la technologie GIS de nombreux dispositifs ont été développés tels que
les diviseurs de puissance [4], les filtres [5-6], les circulateurs [7], les coupleurs [8], les
déphaseurs [9], les six ports [10] et les antennes [11].
Dans ce chapitre, nous exposons la technologie des guides rectangulaire et différentes

technologies planaires.
II.2. La technologie des guides d’ondes
Les guides d’ondes ce sont des lignes de transmission employées pour le guidage d’un
signal électromagnétique par la réflexion sur les parois internes du guide (Figure I.1).
De nombreuses techniques sont utilisées pour la réalisation des guides d’ondes. Nous pouvons
distinguer deux grandes familles de technologie de fabrication des guides d’ondes: la
technologie volumique et la technologie planaire.
33
II.2.1. La technologie volumique
Pour ce type des guides, l’action est mise sur la technologie de fabrication et de
réalisation. Pour cela, on peut distinguer deux types des guides d’ondes en technologie
volumique: les guides d’ondes rectangulaires et les guides d’ondes circulaires.
II.2.1.1. Les guide d’ondes rectangulaires
Le guide d’ondes rectangulaire est l’un des premiers types des lignes de transmission
utilisées pour transporter des signaux hyperfréquences. Plusieurs composants, tels que des
coupleurs, déphaseurs, ou atténuateurs sont disponibles commercialement pour des fréquences
de 1GHz à plus de 220 GHz. Bien que les circuits hyperfréquences sont de plus en plus
miniaturisés ; les guides rectangulaires sont encore utilisées à cause de leur capacité à
transporter des grandes puissances [12].
Figure II. 1. Guide d’onde rectangulaire.

La figure I.1 montre un exemple d’un guide d’ondes rectangulaire. On suppose que le
guide est rempli d’un diélectrique ayant une permittivité et une perméabilité μ. Par
convention, le côté le plus long du guide est sur l’axe x, ce qui donne a>b.
La représentation du champ électromagnétique dans un guide d’onde rectangulaire régie

par les équations de Maxwell [12] qui sont données :
−𝑑𝐵 II.1
𝑟𝑜𝑡𝐸 =
𝑑𝑡
34
𝑑𝐸 II.2
𝑟𝑜𝑡𝐵 = 𝐽𝜇0 + 𝜀𝑟 𝜀0 𝜇0
𝑑𝑡
𝜌 II.3
𝑑𝑖𝑣𝐸 =
𝜀
𝑑𝑖𝑣𝐻 = 0 II.4
On note:
 𝜌: La densité volumique de charge électrique.

 𝐽 : La vectrice densité de courant.
 𝐸 : Le vecteur champ électrique.
 𝐵 : Le pseudo-vecteur induction magnétique.
 𝜀0 : La permittivité diélectrique du vide.
 𝜇0 : La perméabilité magnétique du vide.
Les équations de propagation des champs électrique 𝐸 et magnétique 𝐻 sont données par :
∇2 𝐸 + 𝑤 2 𝜀𝜇𝐸 = 0 II.5
II.6
2 2
∇ 𝐻 + 𝑤 𝜀𝜇𝐻 = 0
Avec :
𝑤: Présente la pulsation de l’onde et elle est donnée par:
𝑤 = 2𝜋𝑓 II.7
Pour une propagation d’une onde électromagnétique dans un guide d’ondes selon l’axe
Oz, il nécessite que le champ électrique de l’onde incidente soit parallèle aux faces sur
lesquelles cette onde va se réfléchir successivement. On peut exprimer les champs sous la
forme:
𝐸 𝑥, 𝑦, 𝑧, 𝑡 = 𝐸 𝑥, 𝑦 𝑒 𝑗𝑤𝑡 −𝛾𝑧 II.8

𝐻 𝑥, 𝑦, 𝑧, 𝑡 = 𝐻 𝑥, 𝑦 𝑒 𝑗𝑤𝑡 −𝛾𝑧 II.9
Avec : 𝛾 = 𝛼 + 𝑗𝛽𝑔 II.10
Où :
𝛾, 𝛼 𝑒𝑡 𝛽𝑔 : Représentent respectivement le coefficient de propagation, l’atténuation et la

constante de propagation longitudinale.
𝑚 2 𝑛 2
𝛽𝑔 = 𝑘2 − + II.11
𝑎 𝑏
k : représente la constante de propagation dans le milieu diélectrique dans lequel se propage
l’onde à la vitesse v:
35
𝑘 2 = 𝑤 2 𝜀𝜇 II.12
𝑐
𝑣=
𝜀𝑟 𝜇𝑟 𝜀0 𝜇0 II.13
Avec:
 c : la vitesse de la lumière dans l’air donné par:
1
𝑐= = 3 ∗ 108 𝑚/𝑠
𝜀0 𝜇0
Les équations (II.8) et (II.9) injectées respectivement dans (II.5) et (II.6) donnent :
∇2𝑡 𝐸 + 𝑘 2 +𝛾 2 𝐸 = 0 II.14
II.15
∇2𝑡 𝐻 2 2
+ 𝑘 +𝛾 𝐻 = 0
Tel que :
𝜕2 𝜕2
∇2𝑡 Présente le Laplacien transverse donnée par : ∇2𝑡 = +
𝜕 𝑥2 𝜕 𝑦2
Et :
2 II.16
𝑘𝑐 = 𝑘 2 +𝛾 2
Nous trouvons trois types de mode de propagation pour un guide d’ondes rectangulaire:
 L’onde transverse électrique TE caractérisée par 𝐸𝑧 =0 et 𝐻𝑧 ≠ 0.

 L’onde transverse magnétique TM caractérisée par 𝐻𝑧 =0 et 𝐸𝑧 ≠ 0.
 L’onde hybride caractérisée par 𝐸𝑧 ≠ 0 et 𝐻𝑧 ≠ 0.
Le mode transverse électromagnétique TEM (𝐸𝑧 = 𝐻𝑧 =0) ne peut pas exister dans un
guide fermé en raison de ses parois qui forment une équipotentielle dans un plan
perpendiculaire à la direction de propagation.
II.2.1.1.a. Propagation des modes TE

Il se propagera dans le guide des ondes TE transverses électrique si Ez=0 et des ondes
transverses magnétique TM si Hz =0.
𝑚𝜋 𝑛𝜋 II.17
𝐻𝑧 = 𝐻0 𝑐𝑜𝑠 𝑥 𝑐𝑜𝑠 𝑦
𝑎 𝑏
36
𝑚𝜋 2 𝑛𝜋 2
𝑘𝑐2 = 𝛾² + 𝑘² = +
𝑎 𝑏 II.18
Où k = ω με
A partir de ces relations on peut déterminer toutes les composantes des modes TE
existant dans le guide d’ondes rectangulaire c’est à dire des modes TEmn avec m et n des
entiers positifs traduisant le nombre d’extrémums du champ électromagnétique
respectivement dans les directions x et y.
Les expressions du champ électromagnétique de ces modes, sont les suivantes:
𝑗𝜔𝜇 𝑛𝜋 𝑚𝜋 𝑛𝜋 II.19.a
𝐸𝑥 𝑥, 𝑦 = 𝐻0 𝑐𝑜𝑠 𝑥 𝑠𝑖𝑛 𝑦
𝑘𝑐2 𝑏 𝑎 𝑏
𝑗𝜔𝜇 𝑚𝜋 𝑚𝜋 𝑛𝜋 II.19.b
𝐸𝑦 𝑥, 𝑦 = 𝐻0 𝑠𝑖𝑛 𝑥 𝑐𝑜𝑠 𝑦
𝑘𝑐2 𝑎 𝑎 𝑏
𝐸𝑧 𝑥, 𝑦 = 0 II.19.c
𝛾 𝑚𝜋 𝑚𝜋 𝑛𝜋 II.19.d
𝐻𝑥 𝑥, 𝑦 = 𝐻0 𝑠𝑖𝑛 𝑥 𝑐𝑜𝑠 𝑦
𝑘𝑐2 𝑎 𝑎 𝑏
𝛾 𝑛𝜋 𝑚𝜋 𝑛𝜋 II.19.e
𝐻𝑦 𝑥, 𝑦 = 𝐻0 𝑐𝑜𝑠 𝑥 𝑠𝑖𝑛 𝑦
𝑘𝑐2 𝑏 𝑎 𝑏
𝑚𝜋 𝑛𝜋 II.19.f
𝐻𝑧 = 𝐻0 𝑐𝑜𝑠 𝑥 𝑐𝑜𝑠 𝑦
𝑎 𝑏
𝑤 2 II.19.g
𝑘𝑐2 = + 𝛾²
𝑣
L’ordre d’apparition d’un mode TEmn dans un guide d’ondes rectangulaire est obtenu à
partir de la connaissance de sa fréquence de coupure, exprimée par :
𝑐 𝑚 2 𝑛 2
𝑓𝑐𝑚𝑛 = + II.20
2 𝜀𝑟 𝜇𝑟 𝑎 𝑏
Cette fréquence de coupure dépend non seulement du diélectrique qui se trouve dans
le guide rectangulaire mais également des dimensions a et b du guide.
Le mode, pour lequel la fréquence de coupure est la plus basse, est nommé mode dominant.
Si a>b le mode dominant d’un guide d’onde rectangulaire vide est le mode TE10 .Pour ce
mode, la fréquence de coupure devient :
37
1 𝜋 2 𝑣 II.21
𝑓𝑐 = =
2𝜋 𝜇𝜀 𝑎 2𝑎
II.2.1.1.b. Étude des modes TM
Les ondes TM sont caractérisées par 𝐻𝑧 =0 et 𝐸𝑧 ≠ 0, tel que le champ magnétique seulement
est orthogonal à l’axe de propagation.
𝜕 2 𝐸𝑧 𝜕 2 𝐸𝑧
𝐸𝑧 𝑥, 𝑦 doit satisfaire + + 𝑘 2 𝐸𝑧 = 0 Avec : 𝐸𝑧 = 0 sur les parois du guide.
𝜕𝑥2 𝜕𝑦 2
Pour une largeur du guide a et une hauteur b les conditions de continuité sur les parois
du guide nous permettons d’extraire l’expression de différentes composantes des champs de
l’onde :
jβ mπ mπx nπy
Ex = − 2
E0 . cos . sin . e−jβz
kc a a b II.22.a
jβ nπ mπx nπy
Ey = − 2
E0 . sin . sin . e−jβz
kc b a b II.22.b
mπx nπy
Ez = E0 . sin . sin . e−jβz
a b
II.22.c
jωε nπ mπx nπy
Hx = 2
E0 . sin . cos . e−jβz
kc b a b II.22.d
jωε mπ mπx nπy
Hy = − 2
E0 . cos . sin . e−jβz
kc a a b II.22.e
Depuis les composantes transversales du champ, l'impédance d'onde pour les modes TM
peut être trouvée. Il est évident à partir de (II-22)
Ex Ey β
=− = II.23
Hy Hx ωε
La quantité obtenue est désignée par l'impédance d'onde du mode TM:
2
β fc II.24
ZTM = = η 1−
ωε f
μ
Où η = est l'impédance d'onde intrinsèque d'une propagation d'onde plane
ε
dans un milieu sans limite de paramètres constitutive μ et ε.
38
L'impédance d'onde se rapproche de l'impédance intrinsèque du diélectrique à une

fréquence infinie et devient imaginaire (réactive) pour les modes non-propageant. Ainsi, en
dessous de la fréquence de coupure, où l'impédance d'onde est imaginaire, l'onde n'est pas
capable de produire le transfert de puissance moyen. A f =fc , l'impédance d'onde est égale à
zéro et le guide est effectivement court-circuité.
Le concept d'impédance d'onde fournit une relation entre les champs électriques et
magnétiques sous forme de vecteur [7]:
z × Et
H=
ZTM II.25
Où z est le vecteur unitaire dans la direction Z.
II.2.1.1.c. La fréquence de coupure et les modes fondamentaux
Une onde de fréquence f peut se propager dans le mode TEmn ou TMmn si :
𝑣 𝑚 2 𝑛 2
II.26
𝑓 > 𝑓𝑐 = +
2 𝑎 𝑏
Avec: fc la fréquence de coupure du mode TEmn ou TMmn.
Cette fréquence de coupure dépend non seulement du diélectrique qui se trouve dans le
guide rectangulaire mais également des dimensions a et b du guide.
On appelle le mode fondamental celui qui représente la plus petite fréquence de

coupure. Le classement des modes TEmn est obtenu à partir du calcul des fréquences de
coupure. Pour le mode TEmn et si a>b le mode fondamental d’un guide d’onde rectangulaire
est le mode TE10.
Le classement des modes (Figure I.2) est obtenu à partir du calcul des fréquences de
coupure 𝑓𝑐𝑚𝑛 .
Figure II.2: Ordre d’apparition des modes TEmn

dans un guide d’onde rectangulaire (a*b) avec a>b
39
Pour le mode TMmn, les modes TM00, TM10 et TM01 n’existent pas. Le mode
fondamental qui peut se propage est le mode TM11 (la figure I.2).
II.2.2. Caractéristiques de dispersion

Elle s’obtient en traçant pour chaque mode la constante de propagation guidée 𝛽𝑔 en
fonction de la fréquence f.
Dans un guide d’onde sans pertes, la constante de propagation est purement imaginaire.
𝑤 2
𝛾 = 𝑗𝛽𝑔 = 𝑘𝑐2 − II.27
𝑣
𝑤 2 𝑚 2 𝑛 2
𝛽𝑔 𝑇𝐸𝑚𝑛 = − + II.28
𝑣 𝑎 𝑏
La propagation d’un signal de fréquence f par un mode donné s’effectue lorsque cette
fréquence est supérieure à la fréquence de coupure de ce mode. A titre d’exemple, la figure
II.3 illustre les caractéristiques de dispersion des cinq premiers modes du guide d’ondes
rectangulaire WR75 caractérisé par une section transversale de dimensions a=18.35mm et
b=9.175mm.
Figure II.3: Caractéristiques de dispersion du guide d’ondes

WR75 (a=18.35mm b=9.175mm) pour les cinq premiers modes
40
II.2.3. Lignes de champ

Elles permettent de visualiser la variation et la distribution du champ électromagnétique
dans le guide d’ondes. Les figures II.4, II.5 et II.6 traduisent la cartographie du champ
électromagnétique des premiers modes du guide d’onde rectangulaire vide WR75
(a=18.35mm, b=9.175mm).
Lignes de champ électrique Lignes de champ magnétique

Figure II.4: Mode TE10


41
II.2.4. Modes évanescents

Les modes de propagation d’un signal dont les fréquences sont inférieures à la
fréquence de coupure d’un mode choisi sont appelés modes évanescents.
Dans ce cas, la constante de propagation est purement réelle:
𝑤 2
𝛾=𝛼= 𝑘𝑐2 −
𝑣
Dans la pratique, il existe sur des catalogues, toute une gamme de guides d’ondes
métalliques référencés par leurs bandes de fréquence [f min - f max] pour un fonctionnement
monomodal c'est-à-dire où seul le mode dominant se propage tel que f min =1.25 fc et f
max=1.9 fc [2].
II.3. Les technologies planaires
Dès lors où le transport de forte puissance n’est pas à prendre en compte dans le
dispositif microonde à réaliser, l’utilisation des technologies planaires constitue une solution
très intéressante. Les structures planaires permettent de répondre aux problèmes
d’encombrement, de poids et de coût, rencontrés sur les structures volumiques.
Elles offrent en outre une facilité d’intégration avec les autres composants et
d’implémentation avec des composants CMS pouvant être montés. Il existe plusieurs
technologies planaires parmi lesquelles on distingue : les technologies microruban,
coplanaire, triplaque, multicouches etc. Ces technologies sont essentiellement des structures
ouvertes c'est-à-dire présentant une interface substrat/air. L’onde électromagnétique se
propage alors à la fois dans le substrat et dans l’air. Ces structures comportent donc des
difficultés quant à leur analyse, provenant de l’interface en question et qui introduit une forme
particulière des modes de propagation. Théoriquement les modes se propageant sur ces
structures sont des modes non TEM. Cependant, sous certaines conditions (dimensions,
fréquence), l’approximation quasi TEM peut être faite.
II.3.1. La technologie microruban
La technologie microruban demeure la structure planaire la plus utilisée pour la
réalisation des dispositifs microondes et millimétriques, ceci grâce à la souplesse
technologique qu’elle offre. La ligne microruban est constituée d’un substrat diélectrique
d’épaisseur h métallisé sur sa face inférieure (plan de masse) et supportant, sur sa face
supérieure, un ruban métallique de largeur w [voir Figure II.7 (a)].
42
Figure II.7 : (a) Ligne microruban (b) représentation des lignes de champ
Comme le montre de la Figure II.7 (b), les lignes de champ électrique convergent vers
le substrat. Bien que sa géométrie soit relativement simple, cette structure supporte un mode
quasi-TEM [68] et de ce fait est dispersive. Ces lignes de transmission sont caractérisées par
une impédance caractéristique et par une permittivité relative effective qui dépendent de la
largeur du ruban et des caractéristiques du substrat.
 Avantages : La technologie microruban permet une implémentation aisée des
éléments en série. Le procédé technologique de réalisation des circuits est simple et
bien maîtrisé. Le report des éléments actifs ne pose pas trop de problème et les
bibliothèques de modèles sont relativement fournies.
 Inconvénients : Le problème majeur rencontré avec cette technologie est
l’implantation des éléments en parallèle et le report de masse (ou court-circuit).
Pour réaliser des court-circuites, il faut avoir recours aux trous métallisés (vias) qui
peuvent être gênant car ils créent des effets parasites nuisibles aux performances
électriques. De plus la plage d’impédances caractéristiques réalisables est restreinte une
fois que les caractéristiques du substrat sont fixées.
II.3.2. La technologie coplanaire
La technologie coplanaire a été développée pour la première fois par Wen [69]. Elle est
comme la ligne microruban une structure ouverte. Le guide d’onde coplanaire est constitué de
deux plans de masse et d’un ruban central de largeur w. Le ruban central est séparé des deux
plans de masse par deux fentes de largeur g [Figure II.8 (a)].
Compte tenu de sa géométrie, le guide d’onde coplanaire possède deux modes
fondamentaux de propagation. Le mode quasi-TE ou mode « impair » est un mode dispersif
alors que le mode quasi-TEM ou mode « pair » est un mode peu dispersif [70]. C’est le mode
pair qui est le plus utilisé dans les applications microondes. Cette structure est utilisée pour
réaliser les circuits intégrés hyperfréquences monolithiques et hybrides.
43
Figure II.8 : Guide d’onde coplanaire et représentation des lignes de champ associées
pour les deux modes fondamentaux
Compte tenu de la cohabitation de ces deux modes, il est indispensable de filtrer l’un
d’entre eux et de n’en garder qu’un. Souvent c’est le mode impair qui est filtré. Pour éliminer
ce mode, il suffit de ramener les deux plans de masse au même potentiel en les reliant par des
ponts à air ou bonding. La caractérisation de cette structure dans le mode quasi-TEM se fait
par une transformation conforme (transformation dans le plan complexe) [68]. Cette
transformation permet de calculer l’impédance caractéristique et la permittivité relative
effective avec des expressions analytiques très difficiles à manier à la main.
 Avantages: La technologie coplanaire présente des atouts tels que : la facilité de faire
des interconnexions des composants (actifs ou passifs) en série et/ou en parallèle,
l’élimination des trous métallisés, la possibilité de réaliser une même impédance
caractéristique avec des dimensions de ligne différentes. De plus, compte tenu de la
faible dispersion des lignes coplanaires en mode quasi-TEM, elles se présentent
comme d’excellentes candidates pour la réalisation des dispositifs aux fréquences
millimétriques.
 Inconvénients : La ligne coplanaire souffre de la présence de deux modes
fondamentaux nécessitant l’utilisation de filtres de mode réalisés par des ponts à air.
II.3.3. La technologie triplaque
La technologie triplaque est une structure de propagation homogène. Elle est constituée
de deux plans de masse situés sur les faces supérieure et inférieure du substrat et d’un ruban
conducteur de largeur w noyé dans le diélectrique [voir Figure II.9 (a)]. Le ruban conducteur
peut être à équidistance ou non des deux plans de masse.
44
La structure triplaque comporte trois conducteurs et peut donc supporter théoriquement

deux modes de propagation. Cependant, seul le mode fondamental TEM est exploité. Ce
mode est obtenu lorsque les deux plans de masse sont mis au même potentiel. La Figure II.9
(b) présente la répartition des lignes de champ du mode TEM dans la structure.
Figure II.9 : Ligne triplaque et représentation des lignes de champ
Les lignes en technologie triplaque sont caractérisées par leur impédance caractéristique
calculée à partir d’équations analytiques utilisant les intégrales elliptiques complètes.
Sa configuration permet de réaliser des circuits isolés de tous parasites externes.
 Avantages : En configuration homogène cette technologie permet de véhiculer des
modes purement TEM. Il faut aussi noter que les pertes par rayonnement sont
inexistantes sur cette structure.
 Inconvénients : Le problème majeur de cette technologie réside sur le fait qu’il est
difficile de réaliser le report de composants passifs ou actifs, sans perturber le
caractère homogène de la structure.
II.3.4. La technologie multicouche
A la différence des technologies planaires classiques, la technologie multicouche est,
comme son nom l’indique, constituée de plusieurs niveaux de diélectriques et de conducteurs.
Les lignes microruban et coplanaire peuvent être réalisées avec cette technologie.
Elle permet de réaliser des fonctions complexes (filtrage, amplification etc..) dans un
environnement 3-D constitué de plusieurs couches de diélectriques sur lesquelles sont gravés
les motifs conducteurs. La filière multicouche a été développée dans le but de satisfaire les
critères relatifs aux performances électriques, à la miniaturisation des circuits mais également
pour franchir les différentes limitations intrinsèques aux filières planaires classiques (gamme
d’impédance, nivaux de couplage…).
45
Figure II.10 : Exemple de lignes en technologie multicouche : (a)-(b) microruban multicouche,

(c)lignes couplées microruban à fort coefficient de couplage, (d) TFMS (Thin Film Microstrip),
(e) lignes coplanaires enterrées, (f) lignes coplanaires, (g)-(h) lignes coplanaires multi niveaux
Vu les exemples de la Figure II.10, la technologie multicouche offre aux concepteurs

une réelle possibilité de choix entre plusieurs supports de propagation et permet une grande
souplesse dans la synthèse et l’intégration de modules hyperfréquences. De plus, il existe une
grande compatibilité entre les différents supports de propagation disponibles dans cette filière.
Cette compatibilité permet de réaliser des interconnexions simplifiées entre les différentes
lignes de transmission, et assure une souplesse intéressante pour l’intégration des fonctions.
 Avantages: L’utilisation de la technologie multicouche a permis l’accès à de forts
couplages, l’égalisation des vitesses de phase entre le mode pair et impair des lignes
couplées, l’augmentation de la plage d’impédances accessibles grâce à l’utilisation de
couches diélectriques de faibles épaisseurs, la réalisation des ponts intégrés pour le
filtrage du mode pair de la ligne coplanaire sous forme de « ponts diélectrique ».
 Inconvénients : Le principal défaut de la filière multicouche est la complexité du
processus de fabrication comparé aux technologies planaires classiques.
II.4. conclusion
Dans ce chapitre, nous nous sommes intéressés par les différentes technologies de guide
D’onde telle que les technologies volumiques et les technologies planaires dont elles
Permettent d’introduire une nouvelle technologie hybride très prometteuse qui réunit les
Avantages des deux autres technologies: c’est la technologie GIS. L’illustration des formules
de conception pour cette technologie est figurée dans ce chapitre avec une brève historique
suivie par une recherche progressive encourageante pour des applications dans le domaine de
télécommunication.
46
CHAPITRE III
Chapitre III La technologie SIW
III.1. Introduction :
Les développements récents des systèmes de communication RF, micro-ondes et sans
fils sont caractérisés par des hautes vitesses de transfert de données et nécessitent des
substrats diélectriques à faible pertes, où l’intégration est facile et avec de faibles coûts de
fabrication, ce qui peut être assuré par la technologie SIW.
La technologie SIW (Substrate Integrated Waveguide) a déjà suscitée beaucoup d'intérêt
dans le développement de nombreux circuits intégrés micro-ondes. Le guide SIW est
synthétisé en plaçant deux rangées de vias métalliques dans un substrat. La distribution du
champ dans le guide SIW est similaire à celle d'un guide d'ondes rectangulaire classique. Par
conséquent, il présente les avantages de faible coût, de facteur de qualité élevé, et peut
facilement être intégré dans les circuits micro-ondes et ondes millimétriques intégrés [5].
Ces dernières années, l'intérêt pour les techniques SIW dans les systèmes de
communication a considérablement augmenté, ainsi que le développement de circuits micro-
ondes actifs et passifs [6] les utilisant.
III.2. Guide d’onde intégré au substrat (GIS) Substrate Integrated Waveguide (SIW)]
III.2.1. Historique :
Depuis le début des années 1990, différentes tentatives ont été proposées en vue de la
mise en œuvre de la structure de guide d'onde en forme : plane. La première référence dans la
littérature prend la forme d’une application pour un brevet japonais publié en 1994. Ainsi un
nouveau guide d’onde a vu le jour sous la forme de deux rangées de trous métallisés reliant
deux plans métalliques parallèles qui forment un guide d’onde rectangulaire et traversent un
substrat diélectrique [6]. La Figure III.1 (a) montre ce guide d’onde.
Cette idée des trous métallisés (des tiges métalliques synthétisant un mur métallique ou
réflecteur) n’est pas nouvelle. Elle a été présentée par Tischer sous la forme d’un brevet [7].
Dans le but d’obtenir un guide sous forme de H, les tiges métalliques ont été utilisées pour
former des plans réflecteurs. La structure est illustrée par la Figure III.1 (b).
Les premiers composants des guides GIS ont réellement vu le jour en 1997. C’est ainsi
que Hirokawa et Ando ont utilisé ce nouveau guide d’onde pour réaliser une de leurs antennes
avec la technologie GIS (Post wall waveguide in substrat) [8]. Dans leur article, ils ont montré
une première analyse de la constante de propagation et de l’atténuation d’une onde dans un
guide GIS à 74 GHz. Ils utilisent pour cette fin la méthode des moments. En 1998, dans un
nouvel article, Hirokawa et al. Ont dévoilé une structure d’alimentation GIS pour une antenne
48
à 40 GHz, et ont en même temps mis en exergue les caractéristiques de transmission de ce
guide d’ondes intégré [9].
(a) : Brevet japonais [6] (b) : Guide en H du Brevet de Tischer [7]

Figure III.1 - Premiers guides d’onde dans la littérature.
Une nouvelle équipe japonaise, Uchimura et Takenoshita, procéda à une démarche pour
un brevet sur les structures GIS en LTCC (Low-Temperature Cofire Ceramic) après la
publication de leurs articles [10]-[11] présentant des résultats de simulation et expérimentaux
sur les guides GIS laminés sous la technologie LTCC [12].
De 1999 jusqu’à aujourd’hui, de nombreuses publications ont vu le jour. L’histogramme
suivant montre le développement des recherches liées à la technologie SIW. La Figure III.2
montre quelques-unes de leurs structures brevetées.
Figure III.2. Le nombre des papiers pour la technologie SIW publié dans IEEE[22].
Mais parmi ces articles, une équipe de recherche a particulièrement retenu notre
attention due au fait de son intérêt pour la technologie SIW et les composants basés sur les
guides SIW. Cette équipe est celle du professeur Ke Wu du centre de recherche de
49
polyGrames de l’école polytechnique de Montréal. Un énorme effort a été apporté sur la
conception et la modélisation des composants SIW, les excitations planaires, l’introduction du
concept sur les circuits intégrés au substrat (CIS ou SIC : Substrate integrated Circuits)
comme une nouvelle vision des systèmes sur substrat (SsS ou Sos : System on Substrate). En
effet, au niveau de l’étude des caractéristiques des guides SIW, Hirkawa, Wu, Deslandes, et
al. Ont fait l’étude sur le facteur de qualité [13], la constante de propagation et la largeur
équivalente du guide [6] [14].
Avec la même analyse, mais en fréquence, Cassivi et al. Ont présenté les résultats sur
l’étude de la dispersion, la constante de propagation et la largeur équivalente utilisant le
théorème de Floquet et BI-RME (Boundary Integrale Resonant Mode Expansion) [15]. Il faut
juste rappeler aussi que toutes les idées de conception de circuits SIW proviennent de la
théorie et la pratique déjà développées pour les guides d’ondes standards. On retrouve dans la
littérature des articles portant sur les réalisations des composants passifs SIW comme la
transition microruban-SIW [15], la transition coplanaire-SIW [16]-[18], la transition guide
métallique rectangulaire à SIW [19], les filtres [20]-[28], les coupleurs hybrides et classiques
[29]-[37], les circulateurs [38], les antennes [39] et les circuits à six ports [40] et les circuits
actifs en GIS tels que les oscillateurs [41], les amplificateurs [42]-[43] et les mixeurs [44].
Figure III.3 - Structure brevetée par Uchimura et Takenoshita [12].
50
III.2.2. Caractéristiques modales :
Le guide SIW est un guide d’onde intégré à un substrat. Partant d’un substrat classique
entre deux plans métalliques, deux rangées de trous sont percées et métallisées créant ainsi un
contact entre les deux plans métalliques de part et d’autre du substrat.
Comme un guide SIWest semblable à un guide métallique rectangulaire du point de vue
de sa géométrie, on pourrait s’attendre à voir les mêmes modes de propagation dans le guide
SIW. On sait que deux types de modes sont supportés dans un GOR (guide d’onde
rectangulaire): les modes TMmn et TEmn [45]. Les courants électriques sont sans contraintes
vu que les surfaces du guide GOR sont métalliques pour la propagation des Modes TM mn et
TE mn. D’après Pozar [45], on obtient l’expression des courants surfaciques :
𝑗𝑠 = nˆ× 𝐻𝑠 III.1
Où
𝐻𝑠 : est le champ magnétique à la surface du guide et nˆ un vecteur unitaire normal à la
surface.
Cependant, dans un guide SIW, étant donné que le milieu entre les trous métallisés
d’une même rangée est un diélectrique et donc non conducteur, les rangées des trous du SIW
ne peuvent pas supporter des courants électriques dans le sens de propagation (en z) sur toute
la longueur du guide. Par conséquent, seuls les modes associés à ces courants Jy sur les côtés
du guide peuvent facilement se propager dans le guide SIW. En se référant à l’équation
(III.2), on obtient:
𝑗𝑥 = 0 ⇒ 𝐻𝑠,𝑥 = 0
𝑗𝑧 = 0 ⇒ 𝐻𝑠,𝑦 = 0 III.2
𝑗𝑦 ≠ 0 ⇒ 𝐻𝑠,𝑧 ↔ 0 ⇒ 𝐻𝑠 = 𝐻𝑧
À partir de ces expressions, on remarque que seuls les modes TEm0 se propagent dans
le guide SIW [45]. Donc, d’après les équations de Maxwell dans un guide d’onde standard,
nous obtenons pour les champs électriques et magnétiques (E et H, respectivement):
𝑗𝜔𝜇𝑛𝜋 𝑚𝜋𝑥 𝑛𝜋𝑦 −𝑗𝛽𝑐 III.3.a
𝐸𝑥 = 𝐴𝑚𝑛 𝑐𝑜𝑠 𝑠𝑖𝑛 𝑒
𝑘²𝑐 𝑏 𝑎 𝑏
51
−𝑗𝜔𝜇𝑚𝜋 𝑚𝜋𝑥 𝑛𝜋𝑦 −𝑗𝛽𝑐 III.3.b
𝐸𝑦 = 𝐴𝑚𝑛 𝑠𝑖𝑛 𝑐𝑜𝑠 𝑒
𝑘²𝑐 𝑎 𝑎 𝑏
𝑗𝛽𝑚𝜋 𝑚𝜋𝑥 𝑛𝜋𝑦 −𝑗𝛽𝑐 III.3.c
𝐻𝑥 = 𝐴𝑚𝑛 𝑠𝑖𝑛 𝑐𝑜𝑠 𝑒
−𝑗𝛽𝑛𝜋 𝑚𝜋𝑥 𝑛𝜋𝑦 −𝑗𝛽𝑐 III.3.d
𝐻𝑦 = 𝐴𝑚𝑛 𝑐𝑜𝑠 𝑠𝑖𝑛 𝑒
Avec :𝐴𝑚𝑛 : 𝑙 ′ 𝑎𝑚𝑝𝑙𝑖𝑡𝑢𝑑𝑒𝑑𝑢 𝑚𝑜𝑑𝑒 𝑇𝐸𝑚𝑛
a :la largeur du guide
b :l’epaisseur du guide
𝑘𝑐 ∶ le nombre d’onde de coupure
𝜔: la vitesse angulaire
𝛽: la constante de propagation
𝜇: la pereméabilité magnétique du vide
III.2.3. Constante de propagation :
La constante de propagation caractérise l’atténuation et le déphasage d’une onde
électromagnétique se propageant dans un milieu. Elle est nécessaire dans la conception des
circuits d’adaptation pour déterminer la longueur électrique de la ligne et son impédance.
Des travaux traitant l’analyse de la constante de propagation de l’onde ont proposés et publiés
[14]-[15]. Plusieurs méthodes ont été identifiées également et regroupées dans trois
catégories. Parmi celles-ci, nous pouvons citer :
 Une méthode basée sur celle des moments [9] [46],
 Une méthode basée sur un système matriciel à valeurs propres [39] [47] [48],
 Une méthode basée sur l’impédance de surface [46] [50].
Toutes ces méthodes sont basées sur l’analogie de l’analyse du guide d’onde rectangulaire
standard. En 2002, Cassivi et al. [47] ont étudié les propriétés de dispersion du GIS avec le
cas d'un guide d'onde rectangulaire en utilisant les intégrales de frontière-Résonant Mode
Expansion (BI-RME). Ils ont combiné cette méthode avec le théorème de Floquet [47].
Lors de leurs études, il a été démontré que le GIS a les mêmes ondes guidées caractéristiques
que les guides d’ondes rectangulaires classiques. Les équations empiriques entre la largeur
équivalente du guide rectangulaire et celle du GIS, ont été extraites en donnant les mêmes
caractéristiques pour le mode fondamental se propageant dans le GIS et en ayant la même
hauteur et le même type de substrat diélectrique. Cette équation est décrite comme suit :
𝑑²
𝑎𝑅𝑊𝐺 = 𝑎𝐺𝐼𝑆 – 0.95𝑝
III. 4
52
Où 𝑎𝐺𝐼𝑆 et 𝑎𝑅𝑊𝐺 sont respectivement les largeurs du GIS et de son équivalent du guide
rectangulaire classique, d représente le diamètre des trous métallisés et p l’espacement (pitch)
entre ces derniers (Voir Figures.III.3 et III.4).
Figure III.4 - Conception d’un guide d’onde intégré au substrat (GIS.)
Le GIS est complètement caractérisé par le diamètre des rivets d, par l’espacement entre ces
rivets (centre à centre) ou pitch p, et par la distance entre les deux rangées de rivets de centre
à centre 𝑎𝐺𝐼𝑆 . Ces paramètres sont donnés à la Figure III.4.
Nous verrons dans la section (III.2.4) de ce chapitre les considérations de conception du GIS à
travers les règles d’élaboration qui ont été établies. Elles sont suffisantes mais pas toujours
nécessaires pour la conception d’un GIS.
Figure III.5 : Configuration de la structure du GIS.
53
III.2.4. SIW règles de conception :
La modélisation de murs électriques verticaux par des rangées de vias doit respecter un
certain nombre de règles. D. Deslandes et K. Wu décrivent dans [42] les différents
phénomènes qui entrent en jeux dans un guide d’onde SIW, et établissent des règles de
conception résumées par la figure III.5
Figure III.6: résumé des règles de conception d’un guide SIW (extrait de [42]).
Les valeurs d et p sont le diamètre des vias et leur espacement respectivement, et 𝜆𝑐 est
la longueur d’onde correspondant a la fréquence de coupure du guide d’onde SIW, autrement
dit 𝝀𝒄 = 𝟐𝒂𝑹𝑾𝑮 .la diagonale de ce graphe est la droite ou p=d, il est donc évident que la
région située au-dessous de cette diagonale est interdite puisqu’impossible à réaliser
physiquement. En effet, le diamètre des vias serait plus grand que leur écartement, et les vias
se chevauchement. La région appelée leakage region est a éviter puisqu’il s’agit d’une région
Ou l’écartement entre les vias serait grand et provoquerait des pertes pas rayonnement trop
importantes, la zone bandgap region prend en compte les effets coupe-bande introduit par
l’aspect périodique d’une structure SIW. Pour éviter ce genre d’effet, il est recommandé de
respecter la condition p<𝝀𝒄 <0.25, Enfin la zone over-perforated region est donnée à titre
d’information pour limiter le nombre de vias par longueur d’onde, et ainsi réduit les couts de
fabrication .ces quatre zones en laissent apparaitre une dernière, appelée region of interest et
qui celle dans laquelle il est conseillé de se placer pour concevoir un guide SIW[42].bien
entendu, ces règles sont données à titre indicatif et sont une bonne représentation des choses.
54
Elles permettent d’obtenir un guide SIW équivalent à un guide d’onde classique de mêmes
dimensions, ayant des pertes par rayonnement négligeables .pour aller un peu plus loin ,et en
Prenant du recul sur cette étude portant sur le diamètre et le positionnement des vias, il est
évident que le cas le plus favorable est d’avoir un écart entre les vias bord à bord quasi-nul
.En considérant la figure III.5, cela revient à se placer le long et légèrement au-dessus de l’axe
médian du graphe.
III.2.5. Equivalence entre guide d’ondes et un guide GIS :
Pour un guide GIS, la constante de propagation du mode fondamental est déterminée
par la largeur entre les deux rangées des cylindres métallique as, et les paramètres des tiges
métalliques d et s sont fermement résolus à minimiser les pertes de rayonnement et le
coefficient de réflexion.
Bien qu’un guide GIS peut être caractérisé par une constante de propagation, le mode de
propagation d’un guide d’onde, la fréquence de coupure et une onde guidée sont déterminés
comme dans le cas d’un guide d’onde traditionnel, il est nécessaire de noter qu’un guide GIS
a quelque caractéristique physique particulier par rapport au guide conventionnel.
D’abord, le paramètre géométrique as d’un guide GIS est plus grand que la hauteur du
substrat h parce qu’il y a une limitation physique d’augmenter l’épaisseur du substrat h. En
plus, la largeur du guide d’onde équivalente 𝒂𝑹𝑾𝑮 . 𝒂𝑹𝑾𝑮 n’est pas la même
que 𝒂𝑮𝑰𝑺 (𝑾𝑺𝑰𝑾 ). Donc plusieurs expériences sont dirigées vers la vérification de la
valeur 𝒂𝑹𝑾𝑮 .
En 2002, une équation expérimentale pour calculer 𝒂𝑹𝑾𝑮 . est donnée à partir des travaux
de Cassivi [2] pour atteindre les mêmes caractéristiques d’un guide GIS, où :
𝑑² III.5
𝑎𝑅𝑊𝐺 = 𝑎𝐺𝐼𝑆 – 0.95𝑝
𝜆0 III.6
p< 𝜀𝑟
2
𝑐 III.7
𝜆0 =
𝑓
p<4d III.8
En 2004, Yan et Hong [33] ont rapporté une formule expérimental pour (𝒂𝑹𝑾𝑮 /𝒂𝑮𝑰𝑺 ); tel
que:
𝜀2
𝑎𝑅𝑊𝐺 = 𝑎𝐺𝐼𝑆 (𝜀1 + 𝑠 𝜀 1 +𝜀 2 −𝜀 3 ) III.9
+
𝑑 𝜀 3 −𝜀 1
55
Où
0.3465 III.10
𝜀1 = 1.0198 + 𝑎𝑠
− 1.0684
𝑑
0.9163 III.11
𝜀2 = −0.1183 − 𝑎𝑠
− 1.2010
𝑑
1.2729 III.12
𝜀3 = −1.0082 − 𝑎𝑠
+ 0.2052
𝑑
L’erreur relative de l’équation (III.14) est estimée au-dessous de 1%. Cette formule est
généralement utilisée pour obtenir les valeurs initiales de 𝒂𝑹𝑾𝑮 , ces valeurs sont optimisées
par des logiciels commerciaux de simulation.
En 2005, une étude intéressante des caractéristiques des pertes dans un guide GIS est
adoptée dans [10] basée sur une procédure numérique de calibrage multi-mode [34]. Dans
leur étude; plusieurs conclusions intéressantes ont été reportées. Cela comprend qu’une
structure d’un guide GIS synthétisées par des cylindres métalliques peut supporter que des
modes transverses électriques TEn0.
Pour la distribution de courant électrique, une condition technologique a été soulignée.
Un bon contact par les cylindres métalliques entre les deux plaques métalliques du substrat a
le rôle de non perturber la densité de courant pour les modes TEn0. De plus une amélioration
dans le calcul de la largeur équivalente 𝑎𝑅𝑊𝐺 a été aussi proposée dans [2] elle est donnée par
l’équation (III.15).
𝑑² 𝑑²
𝑎𝑅𝑊𝐺 = 𝑎𝐺𝐼𝑆 − 1.08 +
𝑠 𝑎𝑠 III.13
La région d’intérêt est définie par l’ensemble des valeurs des diamètres des cylindres
et des longueurs de période qui donnent un SIW adapté à la conception de composants
passifs.
Pour les composants SIW avec des formes plus généralisées, deux règles de
conception de base liées au diamètre d du trou métallisé et à la taille du pas p, sont utilisées
pour négliger les pertes par rayonnement. Ces deux règles sont suffisantes mais pas toujours
nécessaires, les deux conditions sont données par :
56
𝜆𝑔 III.14
𝑑<
5
𝑝 ≤ 2𝑑 III.15
𝑑 III.16
≤ 0.4
𝑎
Où λg est la longueur de l’onde guidée.
En respectant cette région, nous pouvons apprécier la similitude de l’intensité du champ

électromagnétique entre le GIS et RWG. En effet, le GIS peut être modélisé par un guide
d’onde rectangulaire classique comme nous le montre la Figure III.6
a) Distribution du champ électrique dans un guide b) Distribution du champ électrique dans un

d’onde équivalent guide SIW
Figure III.7. Topologies et distributions des champs d’un guide d’onde intégré
au substrat (SIW) et un guide classique.
A travers les différents travaux sur les caractéristiques des composants en technologie
SIW [73], il apparait que seuls les modes TEn0 s’y propagent. Ces composants bénéficient
d’une large bande passante aux fréquences d’ondes millimétriques. La bande monomodale
du mode dominant TE10 s’étend de la fréquence de coupure 1.25 fc10 à 1.9 fc10 [74].
La fréquence de coupure pour un guide d'ondes rectangulaire classique solide

RWG avec un remplissage diélectrique est donnée par l'équation (III.17), où a, b sont
respectivement la largeur et la hauteur, du guide d'ondes,
𝑐 𝑚 2 𝑛
𝑓𝑐𝑚𝑛 = + ( )²
2 𝜀𝑟 𝜇𝑟 𝑎 𝑏
III.17
57
Figure II.8: Guide d’onde rectangulaire équivalent et le RSIW
III.2.6.Adaptation du Guide d’Ondes en Technologie SIW
Dans les systèmes d’émission/réception hyperfréquences où le signal au niveau de

l’antenne doit transiter par un guide d’onde, demandent généralement une transition
intermédiaire pour faire un lien entre le circuit planaire en technologie micro ruban et le guide
d’ondes. Cette transition doit permettre d’adapter en impédance le mode fondamental du
guide TE10 sur le mode quasi-TEM (transverse électromagnétique) de la ligne micro ruban.
Cette transition est généralement réalisée directement sur le substrat d’accueil qui
compose le système. Pour répondre aux exigences industrielles, la transition micro
ruban/guide d’ondes dispose des bonnes performances électriques en termes d’adaptation
avec la facilité d’intégration sur le même circuit planaire.
Puisque cette transition est située dans la chaîne de réception juste avant l’amplificateur
faible bruit et comme à ce niveau le signal est relativement faible, elle doit assurer un
minimum de pertes et l’adaptation doit donc être optimale à la fréquence de travail du système
(coefficient de réflexion < -20dB).
Toute la difficulté est de garder une bonne adaptation d’impédance sur une large bande
de fréquences pour permettre une utilisation générique de la transition, puisque l’impédance
que le signal perçoit au niveau du guide est beaucoup plus importante que celle de la ligne
micro-ruban, dont l’impédance caractéristique est généralement à 50Ω. Les dimensions de ces
transitions sont donc optimisées pour fonctionner autour d’une fréquence donnée.
58
Pour réaliser ces transitions il existe plusieurs techniques en fonction de l’emplacement du
guide d’ondes par rapport au circuit planaire. Parmi ces techniques, on trouve trois grandes
familles:
 Les transitions placées dans le sens de propagation du guide [35-37].
 Les transitions utilisant une fente placée sous le conducteur microruban [38-43].
 Les transitions par sonde ou par patch [44-47].
Les guides d’ondes intégrés au substrat présentent la nécessité d’adaptation pour la

connexion avec d’autres composants actifs et aussi pour assurer une transmission totale de
notre signal micro-onde. Cette opération est facile dans ce cas puisque les guides GIS sont
conçus sur un substrat diélectrique, ce qui prouve l’avantage d’utiliser cette technologie.
Dans la littérature, plusieurs techniques et recherches sont intéressées par l’adaptation

des guides GIS [48-49]. L’une de ces techniques, est celle de la transition microruban [50].
Cette dernière est considérée la plus courante pour la conception et l’adaptation d’un guide
GIS. La ligne de transition vers un guide GIS est simplement composée par une ligne
microruban.
III.2.6.1. La ligne microruban :
La connexion entre les guides d'ondes rectangulaires et les circuits planaires ne peut
pas avoir lieu sans le soutien de structures supplémentaires appelées transitions. Une
transition efficace entre un guide d'onde rectangulaire et une ligne microruban requière alors
une conformité des champs à l'interface entre les deux structures, ainsi qu'une adaptation
d'impédance.
La ligne microruban [47] (figure III-6) est l’une des structures de guidage pour
circuits microondes parmi les plus connues, utilisée en micro-électronique pour
confectionner des circuits planaires (miniaturisation) réalisant des données. Elle est
constituée d'un plan de masse parfaitement conducteur sur lequel est déposé un substrat
diélectrique dont sa surface supérieure est le siège d’un ruban conducteur. Le substrat est
caractérisé par sa permittivité 𝜺𝒓 et son épaisseur h tandis que le ruban est caractérisé par son
épaisseur t et sa largeur W.
59
Figure III.9. Structure de la ligne microruban

Le champ électromagnétique est guidé dans le substrat, entre le plan de masse et la
ligne. Bien que sa géométrie soit relativement simple, cette structure ne supporte pas une
onde TEM (Transverse Electro Magnétique) pure. Parce que les lignes de champ entre les
deux couches conductrices ne sont pas localisées uniquement dans le diélectrique, mais se
perdent également dans l’air (Composante longitudinale non nulle), on a alors des modes
hybrides. Le mode fondamental de cette structure est alors un mode hybride qui peut être
assimilé à un mode TEM dans sa gamme des fréquences basses. Il est appelé mode quasi-
TEM. Afin de simplifier l’étude de cette structure, la notion de ligne effective a été
introduite. Elle consiste à rechercher une modélisation équivalente par une ligne à
diélectrique homogène illimité dont la permittivité (effective) est liée aux différents milieux
constituant la ligne.
Lors de l’étude des lignes microruban, l’analyse consiste à déterminer à partir des
paramètres physiques (dimensions et permittivité), la permittivité effective et la largeur
effective nécessaires à la détermination de l’impédance caractéristique de la ligne, et de
remplacer la structure réelle par un diélectrique homogène de permittivité effective 𝜀𝑒𝑓𝑓 et la
largeur du ruban par une largeur effective 𝑊𝑒𝑓𝑓 .
L’impédance caractéristique, établie par Wheeler [47], est donnée par la relation
(III.20). La détermination de l’impédance caractéristique d’une ligne microruban ne peut se
faire que si on détermine la permittivité effective 𝜀𝑒𝑓𝑓 (relation (III.18)) et la largeur 𝑤𝑒𝑓𝑓
(relation (III.19)) de la ligne.
Le constant diélectrique effectif :
𝜀𝑟 + 1 𝜀𝑟 − 1 1
𝜀𝑒𝑓𝑓 = + 𝐼𝐼𝐼. 18
2 2 12𝑕
1+ 𝑤
60
La largeur effective du ruban :
𝑤 1.25 𝑡 4𝜋𝑤 𝑤 1
𝑤𝑒𝑓𝑓 + (1 + ln ) 𝑠𝑖 <
= 𝑕 𝜋 𝑕 𝑡 𝑕 2𝜋 𝐼𝐼𝐼. 19
𝑕 𝑤 1.25 𝑡 2𝑕 𝑤 1
+ (1 + ln ) 𝑠𝑖 <
𝑕 𝜋 𝑕 𝑡 𝑕 2𝜋
L’impédance caractéristique :
𝑧0 8𝑕 𝑤𝑒𝑓𝑓 𝑤
ln( + ) 𝑠𝑖
2𝜋 𝜀𝑒𝑓𝑓 𝑤𝑒𝑓𝑓 4𝑕 𝑕≤1
𝑧𝑐 = −1
𝑧0 𝑤𝑒𝑓𝑓 𝑤𝑒𝑓𝑓 𝑤
( + 1.393 + 0.667 ln( + 1.444)) 𝑠𝑖 >1 𝐼𝐼𝐼. 20
𝜀𝑒𝑓𝑓 𝑕 𝑕 𝑕
𝐴𝑣𝑒𝑐: 𝑧0 = 120𝜋
La synthèse de la ligne microruban par la méthode de Wheeler, permet de déterminer
les caractéristiques physiques de la ligne (relation (III.21)) pour une impédance
caractéristique donnée.
 4 W
 ek1 si 2
 k1 h
W  e
 2 III.21
h 
 1  0.61  2
   k2  1  ln  2k2  1  si
W
 r  ln  k2  1  0.39  2
  r  r   h
zc  r  1 0.11
k1   2   r  1  (0.23  )
z0  r  1 r
 z0 III.22
k2 
2  r zc
III.2.6.2. Transition des lignes microruban aux guides d’ondes intégrés au substrat
Une fois le GIS fabriqué, on doit le tester. Il faut donc obligatoirement avoir une
transition vers une ligne de transmission qui est reliée à un analyseur de réseau. La ligne
microruban est une des lignes de transmission les plus utilisées dans la conception de
systèmes micro-ondes.
La transition micro-ruban est utilisée pour exciter le guide d’onde et pour adapter
l’impédance au SIW. Cette transition est connectée au milieu de la largeur du SIW, puisque le
champ électrique du mode dominant présente une intensité maximale en ce lieu.
61
Une transition du GIS vers une ligne microruban a été proposée par Deslandes dans [18]. La
topologie de la structure est donnée à la figure III.9.
Figure III.10. Paramètres géométriques de la transition.

Comme le montre la figure I.17, il y a trois paramètres géométriques principaux [52] qui
doivent être calculés pour réaliser notre transition.
 La largeur initiale de la ligne micro-ruban W qui est généralement choisie pour obtenir
une impédance caractéristique de 50Ω.
 La largeur du taper ou la largeur finale WT.
 La longueur du taper LT.
La théorie de calcul des grandeurs géométriques pour une ligne micro-ruban dans [52] nous
permet de connaitre ses dimensions à une impédance de 50 Ω avec des conditions physiques
données par:
8eA
w 2A
pour w h < 2
= e −2 III.23
h 2 εr − 1 0.61
B − 1 − ln⁡
(2B − 1) + ln B − 1 + 0.39 − pour w h > 2
π 2εr εr
Où
377𝜋
Z
A = 600
ε r +1 ε −1
+ ε r +1 0.23 +
0.11 Et B=
2Z 0 ε r
2 r εr
Avec: Z0:est l’impédance caractéristique de la ligne micro-ruban.

𝜀𝑟 : est la permittivité relative du substrat.
h: est l’épaisseur du substrat.
Après le calcul de rapport W/h, et puisqu’on a la valeur de h on peut déduire la valeur de W.
62
Selon [52] on peut calculer la valeur de WT tout en égalant les deux parties de droite des
équations (I.58) et (I.59).
 60  8h WT  WT
 Ln    si 1
 h  WT 4h 
1 h
 1 W III.24
Weff  Z  W  WT  si T 1
 h  h  1.393  0.667 Ln  h  1.44  
0 T
h
   
0.627  r
 
 
 r 1  r 1 1 

2 2  12 h 
 1  III.25
1 4.38  
  WT 
e
Weff Weq
Avec :
𝜂: est l’impédance d’onde.
𝑊𝑒𝑓𝑓 : présente la largeur d’un guide équivalent qui modélise la ligne micro-ruban.
𝑊𝑒𝑓𝑓 𝑎𝑅𝑊𝐺 : Est la largeur d’un guide rectangulaire qui fournit la même fréquence de
coupure.
Dans [53] l’auteur a défini un algorithme pour obtenir la longueur LT; mais on peut utiliser
une méthode plus simple. Dans cette dernière, la détermination de la longueur LT est définie
par le calcul de la largeur médiane entre la ligne micro-ruban et la fin de la transition
(équation I.56) :
𝑊𝑚𝑖𝑙𝑖𝑒𝑢 = (𝑊 + 𝑊𝑇 )/2 III.26

Ensuite on détermine la longueur d’onde pour cette largeur et on fixe la longueur à un quart
de longueur d’onde. Pour cela il faut calculer constant diélectrique effectif correspond à cette
largeur de ligne micro ruban par l’équation (I.61):
 r 1  r 1 1
 eff  
2 2 12h III.27
1
w
63
Il faut calculer par la suite le 𝜆𝑐 avec l’équation suivante :
1 III.28
𝜆𝑐 =
𝑓𝑐 𝜇 0 𝜀0 𝜀𝑒
Après la détermination de la longueur L, on peut l’optimiser pour réduire les pertes de

retour.
Dans ce manuscrit, le taper est exploité pour l’adaptation d’impédance au niveau de
l’entrée de guide GIS à l’impédance caractéristique de la ligne micro-ruban.
De ce cas; la détermination des dimensions du taper est reliée aux calculs de
l’impédance du guide d’ondes intégré au substrat qui est donné par [54]:
 2h III.29
Z G  ZTE
8Weq
Où ZTE présente l’impédance d’onde du mode TE donnée par l’équation(I.64):
 g III.30
ZTE 
 
𝜆𝑔 : est la longueur d’onde de guidés qui est donnée par l’équation (I.65):
𝜆𝑔 = 2𝜋 2
𝜀 𝑟 2𝜋𝑓𝑐 2 𝜋
− III.31
𝑐2 𝑎/ 𝜀 𝑟
Finalement, ce tronçon quart d’onde peut aussi être optimisé avec un logiciel à onde complète
afin de minimiser les pertes de retour.
III.2.7 Quelques exemples de circuits :
Les SICs (Substrate Integrated Circuits) peuvent être construits en utilisant les
structures synthétisées mentionnées ci-dessus intégrées avec les autres circuits planaires
comme la ligne microruban ou autres sur le même substrat diélectrique [96]. Divers SICs
passifs et actifs sont rappelés dans cette partie.
III .2.7.1 Les circuits passifs SIW
Concernant les circuits passifs, la plupart des composants hyperfréquences classiques

ont été mis en œuvre dans les technologies SIW. Cette solution permet généralement
d'obtenir des composants avec une taille réduite [97] par comparaison avec les fonctions de
guide d'ondes classiques. Parmi les composants passifs, les filtres ont reçu une attention
64
particulière. Quelques exemples sont reportés sur les Figures III.10, comme le filtre passe-
bande [98], la cavité rectangulaire [99], le coupleur [100], [101], et le duplexeur SIW [102].
(a) (b)
(c) (d)
Figures III.11 : Exemples des circuits passifs SIW, a) Filtre passe-bande SIW, b) Coupleur SIW [63]-
[64], c) Guide rectangulaire SIW [62], d) Duplexeur SIW [65].
III.2.7.2. Les circuits actifs SIW

L'implémentation de composants actifs dans la technologie SIW a attiré moins
d'attention comparée à celle des circuits passifs. Néanmoins, de nouvelles possibilités de
conception vers une intégration complète SoS (System-on-Substrate) sont ouvertes.
Essentiellement, la conception et l'optimisation des circuits actifs consistent à intégrer

des dispositifs actifs dans des circuits SIW passifs et les relier en utilisant les avantages de la
technologie tels que, par exemple, les faibles pertes, l’isolation élevée et une taille compacte
pour obtenir de bonnes performances à faible coût. Généralement l’une des faces
conductrices du SIW est utilisée pour reporter la fonction active, la connexion étant assurée
par des lignes microruban.
65
Les développements récents d’oscillateurs en 2012 [66], de mélangeurs [67] et
d’amplificateurs [68] sont notables. Quelques exemples sont reportés sur les Figures III.12.
Figures III.12 Exemples des circuits actifs SIW, a) oscillateur SIW [39], b) amplificateur SIW [40] .
III.2.7.3. Les antennes SIW

Les antennes de petite taille présentant de bonnes performances en rayonnement et
une bonne isolation sont recherchées, notamment dans le domaine de l'aéronautique des
télécommunications, des systèmes embarqués. Les antennes SIW sont très appropriées pour
ces applications [42] - [43]- [44]-[45]. Sur la Figure III.12 est présentée une antenne SIW.
Figure III.13 : Antenne SIW.
III.2.7.3.1. Implémentation des antennes SIW

Au cours des dernières années, il y a eu un intérêt croissant pour les antennes basées sur
les technologies SIW. Plusieurs configurations ont été proposées, en commençant par les
antennes à fentes classiques. La première antenne SIW était basée sur un réseau d'antenne à
fentes quatre par quatre fonctionnant à 10 GHz [43]. Cette antenne est obtenue en gravant des
fentes longitudinales sur la surface du métal guide d'ondes créé sur la base des technologies
66
SIW. L'alimentation de ce réseau d'antenne est aussi basée sur des diviseurs de puissance
SIW.
Une autre topologie pour concevoir une antenne Leaky-wave, a été introduite dans [44].
Cette antenne exploite une caractéristique fondamentale du SIW, à savoir, sa propriété à
produire un rayonnement quand l'espacement longitudinal entre les trous métalliques du métal
est suffisamment grand.
Une autre antenne SIW Leaky-wave basée sur le mode TE20, a été proposée dans [45]
et elle a donné de meilleures performances, comparées à une antenne Leaky-wave
conventionnelle.
Les antennes SIW à cavité résonante ont été développées et testées dans [46]. Elles
consistent en une cavité SIW alimentée par un guide d'ondes coplanaires. L'antenne entière
avec son système d'alimentation peut être facilement intégrée sur un seul substrat diélectrique.
Récemment, plusieurs chercheurs se sont intéressés à l'antenne cornet dite plan H en
utilisant la technologie SIW. [47, 48]. Cette antenne était combinée avec un diélectrique dans
le même substrat qui a permis une augmentation de gain et une diminution de largeur du lobe
principal dans les deux plans H et E. Cette topologie d'antenne a été utilisée pour former un
réseau d'antennes afin d'augmenter davantage le gain.
Dans [49], les auteurs ont proposés de connecter des circuits avec des fentes empilées à
l'ouverture de l'antenne SIW cornet plan H. Ces dernières permettent une amélioration pas
seulement de la directivité, mais aussi de l'adaptation d'impédance (bande passante).
III.3. Conclusion
Dans ce chapitre, nous nous sommes intéressés par une nouvelle technologie hybride
très prometteuse qui réunit les avantages des deux technologies la technologie des guides
d’onde rectangulaire et la technologie microruban (planaire): c’est la technologie GIS.
L’illustration des formules de conception pour cette technologie est figurée dans ce chapitre
avec une brève historique suivi par des déférentes implémentations de cette technologie sur
les circuits passifs et actifs en hyperfréquence.
67
CHAPITRE IV
Chapitre IV Résultats Et Discussion
IV.1. Introduction :
HFSS (High Frequency Structure Simulator) est un logiciel qui calcule le
comportement électromagnétique d’une structure. Pour analyser ce comportement en détails,
le logiciel met à notre disposition des outils d’interprétation post-traitement. Il effectue une
modélisation électromagnétique par résolution des équations de Maxwell à l’aide de la
méthode des éléments finis. Le principe de la méthode utilisée consiste à diviser l’espace
d’étude en un grand nombre de petites régions (tétraèdres), puis à calculer localement le
champ électromagnétique dans chaque élément.
Nous avons simulé les antennes en technologie SIW à l’aide du logiciel d’Ansoft -
HFSS. Le choix de ce logiciel pour notre application est justifiée. En effet, c’est un logiciel
dédié à la simulation haute fréquence des circuits micro-ondes. Il s’agit d’un logiciel de
simulation puissant qui permet de représenter la distribution des champs et de calculer les
paramètres des structures hyperfréquences passives.
Un projet HFSS est un dossier qui contient un (ou plusieurs) modèle(s) appelé(s) design.
Chaque modèle contient une structure géométrique, ses conditions aux limites et le choix des
matériaux utilisés, ainsi que les solutions de champs électromagnétiques et les interprétations
post traitement.
Tous ces composants peuvent être atteints par la fenêtre Project Manager dans
l'environnement HFSS.
Nous allons commencer par donner un aperçu sur le logiciel de simulation et nous
intéresser aux différents aspects de ce logiciel utilisé dans notre travail. On clôture ce chapitre
par les résultats de quelques simulations d’antennes à fente en technologie SIW.
69
IV.2 Le logiciel de simulation HFSS

IV.2.1 Présentation du logiciel
Le logiciel HFSS (High Frequency Structure

Simulation) v13.0 d’Ansoft Corporation est un
simulateur électromagnétique de haute performance
pour les modèles en 3D. Il intègre des simulations,
des visualisations et une interface pour résoudre
rapidement et de façon efficace les problèmes
électromagnétiques en 3D. Son code de calcul est
High basé sur la méthode des éléments finis.

Frequency Il permet d'obtenir des graphiques performants
Structure
pour donner à l'utilisateur des résultats et une
Simulation
perspicacité aux problèmes électromagnétiques en
3D [56].
Le HFSS peut être utilisé pour calculer des paramètres tels que les paramètres S, les
fréquences de résonance et les champs. C'est un outil permettant le calcul du comportement
électromagnétique d'une structure. Le simulateur possède des outils de post traitement pour
une analyse plus détaillée. Il permet le calcul des :
 Quantités de base dans le champ proche et le champ lointain,
 Impédances caractéristiques des ports et leurs constantes de propagation,
 Les paramètres S normalisés par rapport à une impédance de port spécifique afin de
générer une solution du champ électromagnétique. HFSS emploi la méthode des
éléments finis. En général, cette méthode divise l'espace de résolution du problème en
plusieurs milliers de régions plus petites et représente le champ dans chaque sous-
région (élément) avec une fonction locale.
IV.2.2 Méthode de calcul
Ce genre de simulation fait intervenir des équations aux dérivées partielles. Il existe
trois méthodes principales comme vu dans le deuxième chapitre: la méthode des éléments
finis, la méthode des différences finies et la méthode des moments. Le principe de ces
méthodes est de discrétiser l’espace à l’aide d’un maillage propre à la méthode et de résoudre
les équations localement. HFSS utilise la méthode des éléments finis afin de résoudre les
équations de Maxwell.
70
IV.2.2.1 Méthode des éléments finis

La géométrie du modèle, étudié sous HFSS, est automatiquement divisée en un grand
nombre de tétraèdres. La valeur d'un vecteur champ (E ou H) en un point à l'intérieur d'un
tétraèdre est calculée par interpolation des valeurs des champs dans les sommets du tétraèdre.
Ainsi, en représentant les valeurs des champs de cette manière, HFSS calcule les champs
séparément dans chaque élément en fixant des critères de convergence.
La méthode des éléments finis consiste à transformer les équations aux dérivées partielles
sous forme intégrale, puis à découper l’espace en sous domaines (mailles) dans lesquelles sont
placés les nœuds (l’ensemble maille + nœud formant les éléments) [56].
Pour déterminer une solution approchée du problème, il faut ensuite calculer les valeurs
du problème aux nœuds des éléments en résolvant les équations locales sous forme intégrale.
Plus les éléments sont petits, plus la solution est précise mais plus le temps de calcul est long.
IV.2.3 Technique de maillage
Par cette technique, les conducteurs sont maillés, divisés en éléments simples
triangulaires ou rectangulaires. La taille des éléments simples n’est pas constante ce qui lui
permet d’adapter les cellules à la géométrie de l’objet. Ainsi, en présence de discontinuités,
les dimensions de la structure à étudier sont respectées. Les courants surfaciques induits sur le
conducteur sont décomposés dans une base de fonction sur chacune des cellules élémentaires.
Ces coefficients sont les inconnus du problème. Si le courant est fortement localisé, comme
par exemple sur une ligne micro ruban où il se propage principalement sur les bords, un
maillage plus fin et plus dense, pour représenter de façon plus précise, tout en minimisant le
temps de calcul.
IV.2.4 Critère de convergence
Comme l’espace d’étude est discrétisé, il faut définir un critère de convergence qui
correspond à l’incertitude maximale entre au moins deux itérations successives pour être
validées comme représentatives de la réalité. Cette incertitude est calculée comme étant le
pourcentage entre deux solutions successives. Si le rapport entre ces deux solutions est
supérieur au critère de convergence, il faut continuer les itérations, sinon, la solution est dite
stable et le calcul s’arrête.
71
IV.2.5 Le processus du logiciel HFSS

Le processus HFSS se déroule comme suit:
Figure IV.1 : Le Processus de HFSS [69].

IV.2.6 Création des projets par HFSS
Sur le menu File, on clique New. On spécifie le nom du projet quand on le sauve, on
utilise le chemin : File>Save ou File>Save As. Pour un projet précédemment sauvé, on utilise
la commande : File>Open.
Pour concevoir une structure sur HFSS, on suit ce procédé général. Il faut noter qu'après
avoir inséré une conception, on n'a pas besoin d'exécuter les étapes séquentiellement, mais
elles doivent être accomplies avant qu'une solution puisse être produite.
72
IV.2.6.1 Insertion d'une conception de HFSS dans un projet

 Sur le menu de projet, cliquer sur Insert HFSS Design.
 La nouvelle conception est énumérée dans l'arbre de projet. Elle est appelée HFSS
Design par défaut, où est l'ordre dans lequel la conception a été ajoutée au projet.
 La fenêtre du modéliseur 3D apparaît à la droite de la fenêtre de gestion de projet. On
peut maintenant créer modèle de la géométrie.
 On peut choisir le Rescale à la nouvelle option d'unités pour adapter les dimensions
aux nouvelles unités.
 On dégage le Rescale à la nouvelle option d'unités (par défaut) pour convertir les
dimensions en nouvelles unités sans changer la structure.
 On clique sur OK pour appliquer les nouvelles unités au modèle.
IV.2.6.2 Dessiner un modèle
Pour créer une structure en 3D il suffit de la dessiner avec les outils mis à disposition
par le logiciel. Ici, nous ne décrivons que les parties les plus difficiles à mettre en œuvre.
On peut créer les objets 3D en employant les commandes de l'aspiration de HFSS
(HFSSDraw-commands). Des objets sont dessinés dans la fenêtre du modéliseur 3D (figure
IV.2).
Figure IV.2 : Fenêtre de gestion des différentes modèles à dessiner sur HFSS [69].
A. Utilisation des variables du projet
HFSS nous permet de définir les variables pour les associer à certains paramètres de la
structure, comme les dimensions, les propriétés des matériaux (fig.IV.3). L'utilisation des
variables pour associer les dimensions simplifie les éventuels changements de ce dernier. Par
73
exemple dans notre cas pour changer les excitations et dimensions du plot il suffit de changer
la valeur de la variable correspondante.
Pour déterminer une variable, il faut sélectionner Project > Project Variables et entrer
son nom, sa valeur et son unité. Une fois qu'une variable a été définie on peut utiliser son nom
en place de sa valeur. HFSS nous permet aussi d'utiliser des fonctions mathématiques de
variables définies.
Figure IV.3 : Utilisation des variables dans HFSS [69].

b. Soustraction des objets
Il arrive souvent que l'on cherche à éliminer quelques parties d'un objet.
 On dessine l'objet principal ainsi que les objets qu'on souhaite soustraire de celui-ci.
 On sélectionne l'objet principal.
 En appuyant sur le bouton CTRL on sélectionne les objets que l'on veut soustraire.
 On clique sur Substract .
 Objets listés dans la partie "Tool Parts" sont à soustraire des objets listé sous "Blank
Parts".
 Si l'on veut que HFSS garde une copie des objets soustraits on coche l'option Clone
toolobjects before subtract.
 On appuie sur OK.
IV.2.7 Types de solution dans HFSS
La première étape de faire une simulation est de déterminer le mode de solution qu'on
souhaite réaliser. Les types d'accès et les résultats obtenus dépendent du type de solution
sélectionnée [68]. Alors sur le menu de HFSS, cliquer sur Solution Type et la fenêtre de
dialogue de type de solution apparait (figure IV.4).
74
Figure IV.4 : Sélection de type de solution [69].
La deuxième étape est choisir le type du modèle dans les types de solution. HFSS met à
notre disposition trois différents types de solution, chacun optimisé pour un problème
spécifique:
 Driven Modal: On utilise ce type quand on veut que HFSS calcule les paramètres S
modalbased d'une structure passive en haute fréquence comme les lignes coplanaires,
les guides d'ondes et les cavités résonnantes. Dans ce cas les paramètres S seront
calculés en fonction des ondes incidente et réfléchie.
 Driven Terminal: On utilise ce type quand on veut que HFSS calcule les paramètres
S modal-based de lignes de transmission à plusieurs conducteurs. Dans ce cas les
paramètres S seront calculés en fonction de la tension et du courant aux accès.
 Eigenmode: On utilise ce type pour calculer les résonances d'une structure. Le
logiciel trouvera la fréquence de résonance de la structure et les champs à ces
fréquences.
IV.2.8 Excitation d'une structure
Après avoir dessinée une structure, pour que le logiciel soit capable de faire la
simulation, il faut exciter la structure. Il existe différents types d’excitation, listés dans le
tableau IV. 1. Le plus souvent, on utilise des Wave Ports et Lumped Port.
75
Type d’excitations Commentaires

Wave Port Représente la surface à travers laquelle un signal entre ou sort d’un
structure.
Lumped Port Représente la surface interne à travers laquelle un signal entre ou sort
d’une structure.
Incident Wave. Représente une onde propageant impactant sur la structure
Voltage Représente un champ électrique constant à travers des points
. d’excitations
Current Représente un courant électrique constant à travers des points
d’excitations.
Magnetic Bias Utilisé pour définir un champ interne qui polarise un objet 3D en
ferrite.
Tableau IV. 1. Wave Ports et Lumped Port.
IV.2.9 Conditions aux limites
Dans le cas des antennes patch, un volume fictif est défini autour de l’antenne (pour
limiter le maillage à base d’éléments finis). Le volume est conditionné par des frontières
absorbantes, ce qui reflète mieux la réalité, du fait que l’antenne est conçue principalement
pour rayonner et émettre de la puissance dans l’espace. Par conséquent, la réflexion des ondes
émises est supposée absente.
Les conditions absorbantes qu’on a fixées pour les simulations s’avèrent donc les plus
judicieuses.
Clicker sur le bouton droit sur les surfaces ou les limites puis sélectionné :
Assign boundary (perfectE, PerfectH, Radiation,…) à savoir la structure à étudier et ses
conditions.
Figure IV.5 : Création des conditions aux limites (boundary) [69].

IV.2.10 Bande de fréquences
Le comportement de l’antenne dépend étroitement de la bande de fréquence considérée. Il est
donc essentiel de se fixer une bande de travail. Pour espérer avoir des résultats valides, la
76
fréquence de résonance de l’antenne doit être spécifiée. On se fixe ensuite, une bande de
travail de part et d’autre de cette fréquence de résonance selon le besoin et l’application dont
l’objectif est de caractériser l’antenne sur une bande.
Il existe plusieurs façons de définir la bande passante (BP) d’une antenne. Lors de la
conception d’antenne, la définition la plus commune est la bande passante en adaptation où le
coefficient de réflexion (S11) de l’antenne est inférieur à un certain niveau. Le S11 est une
mesure de l’adaptation de l’antenne à l’impédance de la source et éventuellement la ligne de
transmission qui les relie, qui s’écrit [70] :
𝑍𝑖𝑛 −𝑍0 IV.1
𝑆11 =
𝑍𝑖𝑛 + 𝑍0
Zin : est l’impédance d’entrée de l’antenne qui varie en fonction de la fréquence et Z0 est celle
du générateur. Typiquement, Z0=50 Ω.
Le calcul des paramètres S11 de la structure hyperfréquence suit les étapes suivantes :
 division de la structure en un nombre fini d’éléments.
 Excitation de chaque port de la structure avec une onde se propagent le long d’une
structure guide d’onde uniforme ou d’une ligne de transmission qui possède la même
section que le port.
 Calcul de la configuration totale du champ électromagnétique à l’intérieur de la
structure.
 Calcul des matrices S11 généralisées à partir des puissances réfléchie et transmise.
Nous pouvons également définir le rapport d’ondes stationnaires (ROS) en fonction de (S11) :
1 + 𝑆11 IV.2
𝑅𝑂𝑆 =
1 − 𝑆11
Une bande passante est donc définie comme une plage de fréquence sur laquelle le
S11(ou le ROS) est inférieur à un niveau donné, choisi par convention. Il s’en suit la définition
d’une bande passante relative (BP) à S11 donné :
𝑓𝑚𝑎𝑥 −𝑓𝑚𝑖𝑛 IV.3
𝐵𝑃𝑟 =
𝑓𝑐
Où 𝑓𝑚𝑎𝑥 𝑒𝑡 𝑓𝑚𝑖𝑛 sont les deux fréquences d’extrémité ou le S11 est égal du niveau fixé, 𝑓𝑐 étant
la fréquence centrale de la bande considérée.
IV.2.11 Génération des rapports
Une fois que la simulation est finie, on utilise les rapports pour consulter les résultats
obtenus. Pour créer un rapport, on sélectionne HFSS > Results > Create Report et choisit le
type du rapport (paramètres S ou les champs, etc.….) et son format d'affichage (rectangulaire,
77
sur l'abaque de Smith, polaire,…). La fenêtre de création des Traces s'ouvre. On choisit la
quantité que l'on veut tracer et on appuie sur OK.
On peut aussi définir les relations mathématiques à partir des résultats obtenus: dans la
fenêtre Traces on appuie sur Output variables… et on entre l'expression et le nom de
variable que l'on veut définir.
Figure IV.6: Définition d’un variable non prédéfinie sur HFSS [69].
IV.3. Conception et Résultats :
IV.3.1. Rappels théoriques :
L’une des techniques mises en œuvre pour allonger le chemin électrique des courants est
l’introduction de fentes dans la structure rayonnante. Le principe utilisé est non seulement de
forcer les courants à contourner les fentes inscrites et donc allonger leur trajet.
Nous définissons le terme « fente rayonnante », lorsqu’une différence de potentiel adéquate

est obtenue entre les deux bords d’une ouverture découpée dans une surface conductrice
métallique.
Lorsque les courants circuleront sur l’élément rayonnant, l’insertion d’une fente débouchante
ou non débouchante pourra créer de nouvelles résonnances. Le choix de la forme et de la
longueur de ces fentes détermineront les fréquences de fonctionnement de l’antenne et les
impédances d’entrée.
La fréquence de résonnance d’une fente débouchante est donnée par la relation:

𝑐 IV.4
𝑓𝑟 𝐷 =
4𝑙𝑓
78
La fréquence de résonnance d’une fente non débouchante est donnée par la relation:
𝑐 IV.5
𝑓𝑟 𝑁𝐷 =
2𝑙𝑓
Avec :
C : la vitesse de la lumière.
L : La longueur de fente.
IV.3.2. Antenne à fente en GIS

Les antennes à fentes sont largement utilisées dans les systèmes radar et en
télécommunications. Dans la littérature, de nouvelles techniques des antennes à fentes ou des
réseaux à fentes gravés sur du guide d’onde intégré au substrat (GIS) ont été proposées. En
effet, la technologie GIS est un compromis entre la technologie du guide d'onde et celle
planaire.
Dans ce contexte, l’antenne que nous proposons est à base de la technologie GIS (SIW). La
structure se compose d'un ensemble d'antennes à fente conçues pour fonctionner dans la
bande Ku.
IV.3.3. Conception d’une antenne à fentes en GIS :
Dans cette section, nous introduisons en détail la procédure de simulation et de

dimensionnement de l’antenne proposée. Nous tenons à rappeler que la bande de fréquence
utilisée dans l’étude des antennes considérées est [10 - 20] GHz. Les résultats de simulation et
l’effet des paramètres physiques sur les caractéristiques des antennes à fentes en SIW seront
analysés par la suite.
La structure se compose d'un ensemble d'antennes à fente conçues pour opérer dans des
applications Ku-band.
Cette structure de base a été conçu sur un substrat diélectrique avec les paramètres suivants :
 Le substrat en Rogers
04232(tm) : 𝜺𝒓 = 𝟑. 𝟐
 La hauteur de substrat :
𝒉 = 𝟎. 𝟕𝟖𝟐𝒎𝒎
 Pertes tangentiel :
tan δ = 0,0018
Conducteur : cuivre, épaisseur de métallisation :
Figure IV.7:
Représentation du substrat avec HFSS
79
T = 35μm
La structure proposée a été alimentée avec une ligne microréteuse classique. La section
de la ligne microruban reliant la surface rayonnante a été conique pour une adaptation
d'impédance appropriée. La structure utilisée est communément connue sous le nom de
'Microstrip to SIW Transition' (Taper). Les paramètres de cette transition sont :
 La largeur de la ligne
microruban :
W=1.88mm
 La largeur du taper :
WT=3mm
 La longeur du taper :
LT=5mm
Figure IV.8 : Représentation du 'Microstrip to
SIW Transition' avec HFSS
Les grandeurs dimenssions de la cavité SIW et celle des fentes sont représenté sur la
figure suivante :
Figue IV.9 :Antenne à fentes en SIW :P=1mm ;d=0.6mm ;WSIW=5.6 ;𝒍𝒇 = 𝟓𝒎𝒎 ; 𝒘𝒇 =
𝟎. 𝟒𝒎𝒎
IV.4. Simulation Sous HFSS :
IV.4.1 Antenne SIW a une seule fente :
Dans la section précédente, les diverses dimensions de l'antenne en SIW ont été présentées.
Donc à l'aide du logiciel HFSS on a fait l'analyse d’une antenne SIW à une seule fente.
80
La figure ci-dessous montre la structure de l'antenne en 3D et 2D.
(a) (b)
Figure IV.10 : Antenne SIW à une fente en : (a) 3D et (b) 2D.
On lance la simulation dans la bande de fréquence [10GHz-20GHz] avec un pas de

0.01GHz, On obtient la courbe suivante pour le paramètre (S11) en dB.
Figure IV.11 : Coefficient de réflexion (S11) en fonction de la fréquence
Après simulation on remarque que notre antenne résonne dans deux fréquences
différentes donc on constate deux bandes passantes. La première a une bande passante plus
élargie, et la fréquence de résonance est à (15.68 GHz) qui représente la fréquence de
81
résonance désirée. Le coefficient de réflexion à la fréquence de résonance est à (-20.22dB),

donc la bande passante peut être calculée.
 Le calcul de la bande passante de l’antenne dans la fréquence de résonnance

(15.68 GHz) est :
𝑓𝑚𝑎𝑥 = 16.05𝐺𝐻𝑧
𝐵𝑃 = 𝑓𝑚𝑎𝑥 − 𝑓𝑚𝑖𝑛 Avec
𝑓𝑚𝑖𝑛 = 15.39𝐺𝐻𝑧
𝐵𝑃 = 660𝑀𝐻𝑧
Dans la seconde fréquence de résonnance (18.83GHz) nous avons constaté que la

bande passante n’est pas suffisante pour le bon fonctionnement de notre antenne car elle est
plus étroite. Le coefficient de réflexion à la fréquence de résonance est à (-11.63dB), donc la
bande passante ne peut pas être calculée.
IV.4.2.Antenne SIW a deux fentes et quatre fentes:
Notre prochain objectif sera d'augmenter le nombre d'emplacements, et l’effet sur le

coefficient de réflexion sera étudié. L'antenne à 1 fente la structure est modifiée dans une
structure de 2 emplacements (fentes) et l'antenne a résonnée à (18.8GHz).
La structure de 2 fentes a été modifiée en 4 ensembles et l'effet a été étudié. La structure

et le paramètre S11 du réseau à 4 emplacements ont été représentés respectivement à la (figure
IV.8) et à la (figure IV.9).
A. Antenne 2 fentes et 2 fréquences :
La structure de l’antenne SIW a deux fentes représentée dans la figure suivante :
(a) (b)
Figure IV.12 : Antenne SIW à 2 fentes en : (a) 3D et (b) 2D.
82
On lance la simulation dans la bande de fréquence [10GHz-20GHz] avec un pas de 0.01GHz,

on obtient la courbe suivante pour le paramètre (S11) en dB.
Figure IV.13 : Coefficient de réflexion (S11) en fonction de la fréquence d’une antenne à 2 fentes
Après simulation en remarque que notre antenne résonne dans deux fréquences
différentes. La première à une bande passante suffisante, et la fréquence de résonance est à
(18.88 GHz) qui représente la fréquence de résonance désirée. Le coefficient de réflexion à la
fréquence de résonance est à (-17.25dB).

(18.88 GHz) est :
𝑓𝑚𝑎𝑥 = 19.45𝐺𝐻𝑧
𝑓𝑚𝑖𝑛 = 18.4 𝐺𝐻𝑧
𝐵𝑃 = 1.05𝐺𝐻𝑧
Dans la seconde fréquence de résonnance nous avons constaté que notre nouvelle
structure a eu une bande passante plus élargie et la fréquence de résonance est à (22.79 GHz).
Le coefficient de réflexion à la fréquence de résonance est à (-13.88dB), donc la bande
passante peut être calculée.

(18.88 GHz) est :
𝑓𝑚𝑎 𝑥 = 22.95𝐺𝐻𝑧
𝑓𝑚𝑖𝑛 = 22.54 𝐺𝐻𝑧
𝐵𝑃 = 410𝑀𝐻𝑧
83
B. Antenne 4 fentes et 4 fréquences :
Dans la dernière section nous avons augmenté le nombre de pairs des fentes et étudiée l’effet
de la langueur et la largeur de la fente sur le coefficient de réflexion (S11)
La figure ci-dessous montre la nouvelle structure de l’antenne (Antenne 4 fentes et 4

fréquences) :
Figure IV.14: Antenne SIW à 4 fentes en : (a) 3D et (b) 2D.
On lance la simulation dans la bande de fréquence [10GHz-20GHz] avec un pas de 0.01GHz,

on obtient la courbe suivante pour le paramètre (S11) en dB
Figure IV.15 : Coefficient de réflexion (S11) en fonction de la fréquence d’une antenne à 4 fentes
84
On a constaté que la structure à 2 fentes résonnait à 18.8 GHz. Comme on l'a retrouvé
dans la structure du tableau à 4 fentes résonné à des fréquences de résonance séparées. Dans
se cas, la structure tend à résonner à d'autres fréquences proches dans la bande Ku.
Les fréquences de résonnance de cet structure et sont coeficient de réflexion sont montrés
dans la tablaeu suivant :
fréquences de coeficient de réflexion

resonnance(GHz) S11(dB)
𝑓1 13.33 -12.75
𝑓2 14.11 -25.34
𝑓3 15.08 -37.7
𝑓4 19.68 -18.42
Tableau IV.2 à 4 fentes résonné à des fréquences de résonance séparées
B.1. L’effet largeur da la et la langueur des fentes sur le coefficient de réflexion :
Les figures ci-dessous montrent : L’effet da la largeur et la langueur des fentes sur le
coefficient de réflexion respectivement :
FigureIV.16 : Coefficient de réflexion (S11) avec FigureIV.17 : Coefficient de réflexion (S11) avec des
des différentes valeurs de la largeur de la fente différentes valeurs de la longueur de la fente
Pour obtenir ces résultats nous avons optimisé notre antenne à partir de la commande
optimitrics sous HFSS. On constat que La dimension de la largeur de la fente n'a pas
d'importance, mais par contre la longueur à une influence importante sur l’amplitude du
coefficient de réflexion et le déplacement de la fréquence de coupure. Donc en remarque que
si la langueur des fentes augmente on obtient une fréquence de résonnance et l’amplitude du
coefficient de réflexion diminuent et vice-versa.
85
Les figures ci-dessous montrent : Le Gain et le diagramme de rayonnement de l’antenne à 2

fentes et à 4 fentes respectivement. Les résultats montrent que la structure a un gain constant par
rapport à toute la bande de résonance avec une augmentation de gain avec un plus grand nombre de
créneaux horaires.
Figure IV.18.a. Le Gain d’une antenne Figure IV.18.b. Diagramme de rayonnement

à 2 fentes d’une antenne à 2 fentes
Figure IV.18 .c. Le Gain d’une antenne Figure IV.18 .d. Diagramme de rayonnement
à 4 fentes d’une antenne à 4 fentes
86
IV.5 Conclusion :
Dans ce chapitre, nous avons présenté le principe de rayonnement d'une antenne à fentes en
montrant les effets du changement de nombre des fentes. Cette étude est très utile car elle donne
une idée sur la perturbation réalisée par le changement de nombre des fentes sur la bande passante
de l'antenne. Ensuite, une présentation de l'effet des dimensions des fentes sur les performances de
notre antenne à fente en technologie SIW.
87
Conclusion Générale
Conclusion général
Conclusion général
Le domaine des télécommunications a connu un progrès technologique au cour des
dernières années grâce à la forte demande de la population et de l'industrie. Parmi les
applications de ce domaine qui ont attiré plus d'attentions- sont les antennes. Elles sont des
éléments indispensables pour assurer une opération d'émission ou de réception des ondes
électromagnétiques dans l'atmosphère terrestre ou dans l'espace. Elles sont présentées dans
tous les systèmes de communication sans fil. Cette travaille a été répartie en quatre chapitres.
Dans le premier chapitre présente, le rôle de l’antenne Il existe les paramètres est
le caractéristique d’antenne couramment utilisés, y compris la bande de fréquences, le
diagramme de Rayonnement, la directivité, le gain, l’impédance d’entrée et ainsi de suite.
Le deuxièmes chapitre a été réservé à la présentation de la technologie des guides
d‘ondes intégrées aux substrats. Nous avons présenté par la suite la technologie des guides
volumiques et celle des lignes de transmission. Les différentes équations permettant la
synthèse de ces guides ont été exposées. D’adaptation de ces structures a été également
présentée dans ce chapitre.
Dans le troisième nous nous sommes intéressés par une nouvelle technologie
hybride très prometteuse qui réunit les avantages des deux technologies la technologie des
guides d’onde rectangulaire et la technologie microruban (planaire): c’est la technologie GIS.
Dans le quatrième chapitre, nous avons présenté le principe de rayonnement d'une

antenne à fentes en montrant les effets du changement de nombre des fentes
89
Références Bibliographiques
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Etude et simulation d’un antenne SIW

Devant le jury composé de :

a. Le Gain d’une antenne à 2 fentesFigure

 Le quatrième chapitre présente, et en premier lieu le logiciel de simulation HFSS

o Assurer la transmission ou la réception de l’énergie dans des directions privilégiées

o Transmettre le plus fidèlement possible une information [4].

Figure I.1 : Schéma de principe d'un système de communication radio.

I.2.1. Bloc D’émission :

Figure I.2 : Rayonnement d’une antenne. [1]

I.3.1. Rayonnement Electromagnétique : (champ proche et champ lointain)

𝐷𝑠𝑒 : est le diamètre de la surface équivalente de l'antenne et « r » la distance à l'antenne.

I.3.1.2. Zone de Fresnel :

I.3.1.3. Zone de Fraunhofer :

On interprète ces variations des champs selon la distance comme [1]:

Fig. I.4 : Zones de radiation d’une antenne.

Figure I.5: Limite des 3 zones de rayonnement [1].

I.4. Paramètres Caractéristiques D’une Antenne :

𝐸(𝜃, 𝜑) = 𝑘 𝑓(𝜃, 𝜑) I.2

E (,) : amplitude du champ électrique

 𝑓(𝜃, 𝜑) : est dit fonction caractéristique de rayonnement.

k : coefficient de normalisation tel que par définition E (,)max = 1, c'est-à-dire 0 dB.

Figure I.6 : Diagramme de rayonnement classique d’une antenne directive.

 Un lobe principal: C’est le lobe de rayonnement contenant le maximum d’énergie et

I.4.2. L’angle d’ouverture :

Figure I.7: Diagramme de rayonnement bidimensionnel en coordonnées cartésiennes

Avec 𝑃𝑎 : est la puissance d'alimentation.

Elle est parfois appelée intensité de rayonnement, exprimée en watts/stéradian

 La puissance rayonnée par unité de surface à la distance R, ou densité de puissance

𝑃 𝜃, 𝜑 : La puissance rayonnée par unité d’angle solide 𝜃, 𝜑 .

𝑃𝐴 : La puissance d’alimentation d’une antenne.

Elle permet de mesurer le taux de transformation. C’est un rendement au sens

I.4.7. L'impédance d’entrée :

𝑍𝑎𝑛𝑡 = 𝑅𝑎𝑛𝑡 + 𝑗𝑋𝑎𝑛𝑡 I.13

𝑍𝑎𝑛𝑡 : Impédance caractéristique de la ligne d’alimentation.

Figure I.8: Représentation de l’impédance de l’antenne [3].

I.4.8. Résistance de Rayonnement :

𝑹𝒑𝒆𝒓𝒕𝒆𝒔 : est la résistance qui provoque :

Si l’amplitude maximale se situe au niveau des bornes ; alors 𝑹𝒓 = 𝑹𝒓𝒊 [9]

Le coefficient de réflexion permet de connaitre la qualité d’adaptation d’une antenne. En

I.4.10. Le VSWR (L’adaptation) :

Figure I.9: Circuit équivalent d’antenne d’émission.

𝑉𝑖 : est l’amplitude d’onde incidente.

Figure I.10. La bande passante à partir de la trace de coefficient de réflexion.

La fréquence de résonnance (𝑓𝑟𝑒𝑠 ), correspond à la fréquence pour laquelle l'antenne est

Afin de comparer des structures d'antennes, on exprime souvent la bande passante,

a) polarisation linéaire. b) polarisation elliptique. c) polarisation circulaire.

I.5.2. Antenne Cadre :

I.5.4. Antenne losange :

I.5.7. Antenne hélicoïdale :

On peut l’appelée antenne hélicoïdale ou antenne hélice elle est formée de :

 Un réflecteur servant également de plan de masse.

I.5.8. Antenne cornet :

Figure I.17 : Schéma représentant l’antenne cornet.

Figure I.18: Antenne Imprimée [10].

Figure I.19: Antenne plaquée avec alimentation à couplage électromagnétique [10].

Figure I.20 : Réseau de fentes [10].

E T : Champ totale rayonné par le réseau,

(𝑘𝐼0𝑙𝑠𝑖𝑛𝜃2) −𝑗𝑘𝑟 2 I.30

Figure I.21 : Réseau de deux dipôles électriques verticaux

𝑘𝐼0𝑙𝑠𝑖𝑛𝜃1 −𝑗𝑘𝑟1 𝑘𝐼0𝑙𝑠𝑖𝑛𝜃2 −𝑗𝑘𝑟2 I.32

Après quelques manipulations mathématiques nous obtenons la relation suivante:

La Fig.I.14 illustre cette multiplication de diagramme pour deux dipôles horizontaux

Ψ=kd cos (𝜃) + 𝛽 I.36