Dimensionnement Et Commande D'un Hacheur Parallèle PDF

République Tunisienne
Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique

*-*-*-*-*-*-*-*
Université de Monastir
*-*-*-*-*-*-*-*
Ecole Nationale d’Ingénieurs de Monastir
*-*-*-*-*-*-*-*
Année Universitaire : 2011/2012
MEMOIRE
DE
PROJET DE FIN D’ETUDES

PRESENTE POUR OBTENIR LE
DIPLÔME NATIONAL
D’INGENIEUR
Spécialité : GENIE ELECTRIQUE
Par
Seif Eddine NAFFOUTI
Dimensionnement et commande d’un hacheur parallèle

alimenté par une source photovoltaïque
Soutenu le 02/07/2012 ; devant le jury d’examen:

Mr Anis SAKLY Président
Mr Boujemâa MELLITI Membre
Mr Sami HASSINE Encadrant
Mr Belgacem BENGHANEM Encadrant
N° : 4057
RESUME
De nos jours, les énergies renouvelables constituent un enjeu majeur dans notre société, en
particulier le solaire. L’énergie solaire peut être convertie en énergie électrique grâce aux
panneaux photovoltaïques.
Le travail effectué dans ce projet de fin d’étude s’articule autour de l’utilisation optimale de
l’énergie solaire afin d’assurer une extraction optimale de cette énergiepar le biais d’un
convertisseur de type Boost.
Dans ce projet, une étude détaillée de la structure du convertisseur élévateur de typeBoost, qui
est intrinsèquement un système non linéaire dépendant de plusieurs paramètres, sont
présentés.
À partir deséquations analytiques d´écrivant la topologie du convertisseur, nous avons établit

le modèle moyen permettant ainsi l’élaboration de la loi de commande.La technique de
commande adoptée est la poursuite du point de fonctionnement à puissance maximale (PPM)
qui a aboutit à un algorithme à implémenter sur un microcontrôleur assurant, la poursuite de
consigne dans le cas d’unetension d’entrée variable en fonction des variations climatiques.
L’efficacité de l’algorithme de commande proposé est démontrée par des résultats de

simulation sur ISIS. Il apparaît que des performances dynamiques intéressantes peuvent être
atteintes en présence de variation de la puissance instantanée fournie par le GPV.
Mots clés : Energie solaire, Panneau photovoltaïque, Convertisseur Boost, Commande MPPT
ENIM Dimensionnement et commande d’un hacheur parallèle alimenté par une source photovoltaïque
Cahier des charges................................................................................................................................. 1

Introduction générale ............................................................................................................................ 3
Chapitre I : Généralités, études et analyses de la technologie photovoltaïques ............................... 7
A - La première partie : Généralité sur les systèmes photovoltaïques .................................................... 7
I - Introduction......................................................................................................................................... 7
II - Energie solaire ................................................................................................................................... 7
II.1 - Rayonnement solaire .................................................................................................................. 7
II.2 - Déclinaison du soleil .................................................................................................................. 8
II.3 - Modèle simplifié de l’éclairement .............................................................................................. 8
II.4 - Inclinaison du module par rapport au soleil ............................................................................... 9
III - Historique de l’énergie photovoltaïque .......................................................................................... 11
IV - Principe de la conversion photovoltaïque ...................................................................................... 11
V - Technologies des cellules photovoltaïques ..................................................................................... 12
VI - Étude bibliographiques .................................................................................................................. 13
VII - Différentes configurations des systèmes PV ................................................................................ 14
VII.1 - Système autonome sans batterie ............................................................................................ 15
VII.2 - Système autonome avec batterie............................................................................................ 15
VII.3 - Système fonctionnant au fil du soleil .................................................................................... 15
VIII - Avantages et inconvénients de l’énergie solaire ......................................................................... 15
VIII.1 - Avantages ............................................................................................................................. 15
VIII.2 - Inconvénients ....................................................................................................................... 16
IX - Conclusion (partie A)..................................................................................................................... 16
B - La deuxième partie : Etude et analyse de la technologie photovoltaïque ........................................ 17
X - Introduction ..................................................................................................................................... 17
XI - Définitions [23] .............................................................................................................................. 17
XII - Principe d’une cellule photovoltaïque [10] .................................................................................. 18
XII.1 - Les principaux types de générateurs photovoltaïques ........................................................... 19
XII.2 - Avantages et inconvénients des systèmes solaires ............................................................... 20
XIII - Modèle d’une cellule solaire idéale ............................................................................................. 21
XIV - Modèle d’une cellule solaire réelle ............................................................................................. 22
P.F.E. / G.E - Electrotechnique Seif Eddine NAFFOUTI

XIV.1 - Modèle à une diode (à une seule exponentielle) .................................................................. 22

XIV.2 - Modèle à une diode sans résistance shunt ............................................................................ 23
XV - Caractéristique I-V ....................................................................................................................... 23
XVI - Constitution d’un module photovoltaïque................................................................................... 24
XVII - Caractéristique d’un GPV élémentaire ...................................................................................... 26
XIII - Protection d’un GPV ................................................................................................................... 26
XIX - Modélisation du module photovoltaïque......................................................................................27
XIX.1 - Influence de l’éclairement et la température ........................................................................ 30
XIX.2 - Recherche du point optimal de fonctionnement................................................................... 31
XIX.3 - Influence de la résistance série............................................................................................. 32
XIX.4 - Influence du facteur de qualité ............................................................................................. 33
XX - Conclusion (partie B) ................................................................................................................... 33
Chapitre II : Etude et dimensionnement du hacheur parallèle ......................................... 35
I - Introduction....................................................................................................................................... 35
II - Convertisseurs DC-DC pour les systèmes d'énergie solaire............................................................ 35
II.1 - Non isolés de la source ............................................................................................................. 35
II.2 - Isolés de la source..................................................................................................................... 36
II.3 - Comparaison des montages ...................................................................................................... 37
III - Circuit d’adaptation •‘ 3 •‘ du type Boost ............................................................................... 38
III.1 - Introduction ............................................................................................................................. 38
III.2 - Fonctionnement du hacheur Boost .......................................................................................... 38
III .2.1 - Présentation de la structure ............................................................................................. 38
III.2.2 - Conduction continue ........................................................................................................ 40
III.2.3 - Conduction discontinue.................................................................................................... 44
III.2.4 - Signal de commande ........................................................................................................ 45
IV - Dimensionnement et choix des composants ³ et N du hacheur Boost ........................................... 46
IV.1 - Essais de mesures préliminaires des valeurs des composants................................................. 46
IV.2 - Simulation et validation des résultats sous JPOà .................................................................. 47
IV.2.1 - Etude en simulation de la structure non asservie de hacheur Boost ................................ 47
IV.2.2 - Etude en simulation de la structure asservie de hacheur Boost ....................................... 52
IV.3 - Effet de la tension du panneau JL .......................................................................................... 59
IV.3.1 - Rampe ascendante............................................................................................................ 60
IV.3.2 - Rampe descendante .......................................................................................................... 61
V - Etude de l’association panneau photovoltaïque-hacheur Boost ...................................................... 62
V.1 - Modélisation d’un panneau photovoltaïque sous JPOà .......................................................... 62
V.2. Etage d’adaptation JÑÖÖ Ñ 3 Ñ À ............................................................................. 65
V.2.1 - Dimensionnements des composants du hacheur Boost ..................................................... 65
V.2.2 - Simulation de fonctionnement de l’étage d’adaptation ..................................................... 68
VI - Conclusion ..................................................................................................................................... 69

Chapitre III : Essais et mesures des caractéristiques du panneau solaire ........................ 71

I - Introduction....................................................................................................................................... 71
II - Mesure des caractéristiques du panneau solaire .............................................................................. 72
III - Méthode de définition des caractéristiques de I-V de sortie .......................................................... 72
IV - Tracé des caractéristiques I (V) et P (V) ........................................................................................ 73
IV.1 - Pour E=700 W/m² ................................................................................................................... 73
IV.2 - Pour E=540 W/m² ................................................................................................................... 74
IV.3 - Pour E=430 W/m² ................................................................................................................... 74
V - Résumé des résultats ....................................................................................................................... 75
VI - Conclusion ..................................................................................................................................... 76
Chapitre IV : Recherche du point de Puissance Maximale (MPPT) d'un GPV .............. 78
A - Méthodologie de recherche de la commande MPPT ......................................................... 78
I – Introduction (Partie A) ..................................................................................................................... 78
II - Connexion directe entre la source et la charge ................................................................................ 78
III - Introduction d’un étage d’adaptation ............................................................................................. 80
IV - Point de puissance maximale (MPP) ............................................................................................. 81
V - Principe de la recherche du point de puissance maximale .............................................................. 82
V.1 - Généralités................................................................................................................................ 82
V.2 - Techniques de commande MPPT : Etude de notre cas ............................................................ 83
V.3 - Gestion de la MPPT ................................................................................................................. 85
B - La deuxième partie : Implantation de la commande MPPT et génération du signal MLI . 87
VI – Introduction (Partie B) .................................................................................................................. 87
VII - Montage du système PV muni de la commande numérique : étude de la partie commande ........ 87
VII.1 Schéma synoptique et fonctionnement .................................................................................... 87
VII.2 - Le processeur et l’implantation du système de commande ................................................... 88
VIII - Implantation du système de commande dans le PIC et résultats de simulation sous OPOP ......... 89
VIII.1 - Implantation de l’algorithme ................................................................................................ 89
VIII.2 - Résultat de simulation .......................................................................................................... 90
IX - Conclusion ..................................................................................................................................... 92
Conclusion Générale .............................................................................................................. 93
Références bibliographies ...................................................................................................... 95
Annexes ................................................................................................................................... 97

Figure 1.1 : Réponse spectrale d’une cellule (PV), [2] ........................................................................... 7

Figure 1.2 : Courbe de déclinaison du soleil ........................................................................................... 8
Figure 1.3 : Évaluation de rayonnement solaire en fonction de temps.................................................... 9
Figure 1.4 : Inclinaison du panneau par rapport aux rayons du soleil. .................................................. 10
Figure 1.5 : principe de conversion de l’énergie solaire en énergie électrique par cellule photovoltaïque
[4].... ...................................................................................................................................................... 11
Figure 1.6 : Schéma synoptique d’une installation photovoltaïque....................................................... 15
Figure 1.7 : Photos d’une cellule, d’un panneau et d’un champ photovoltaïque................................... 18
Figure 1.8 : Propriétés électriques du silicium photoélectrique ............................................................ 18
Figure 1.9 : Caractéristiques électriques simulées de cellules à simple jonction issues de différentes
filières photovoltaïques [13]. ................................................................................................................. 20
Figure 1.10 : Schéma idéale d’une cellule photovoltaïque .................................................................... 21
Figure 1.11 : Schéma équivalent d’une cellule solaire .......................................................................... 22
Figure 1.12 : Schéma équivalent à une diode sans résistance shunt...................................................... 23
Figure 1.13 : Schéma bloc d’une cellule PV ......................................................................................... 23
Figure 1.14 : Caractéristique I(V) d’une cellule photovoltaïque ........................................................... 24
Figure 1.15 : Groupement des cellules PV en série............................................................................... 24
Figure 1.16 : Groupement des cellules en parallèle............................................................................... 25
Figure 1.17 : Schématisation d’un GPV élémentaire avec diode by-pass et diode anti-retour ............. 25
Figure 1.18 : Caractéristique I (V) et P (V) à T=25°C et E=1000W/m² ............................................... 29
Figure 1.19 : Les différentes zones de fonctionnement d’un module photovoltaïque........................... 29
Figure 1.20 : Influence de la température sur la caractéristique I(V) et P(V) à E=1000W/m².............. 30
Figure 1.21 : Influence de l’éclairement sur la caractéristique I(V) et P(V) à T=25°C ........................ 31
Figure 1.22 : Influence simultanée de l’éclairement et la température sur la caractéristique I(V) ........ 31
Figure 1.23 : Caractéristiques courant-tension et puissances optimales................................................ 32
Figure 1.24 : Influence de Y& sur la caractéristique I(V) à T=25°C et E=1000W/m² ........................... 33
Figure 1.25 : Influence de facteur de qualité sur la caractéristique I (V) .............................................. 33
Figure 2.1 : Convertisseur continu- continu. ......................................................................................... 35
Figure 2.2 : Principales configurations de convertisseurs DC-DC non isolés de la source................... 36

Figure 2.3 : Principale configuration de convertisseurs DC-DC isolés de la source............................. 36

Figure 2.4: Schéma de principe d’un hacheur Boost ............................................................................. 38
Figure 2.5 : Signal de commande de l’interrupteur ¡Ä .......................................................................... 39
Figure 2.6: Schéma équivalent du hacheur Boost durant la phase active .............................................. 40
Figure 2.7 : Schéma équivalent du hacheur Boost durant la phase de roue libre .................................. 40
Figure 2.8 : Allures des tensions et courants en mode conduction continue ......................................... 43
Figure 2.9 : Allure du courant traversant l’inductance en conduction discontinue ............................... 44
Figure 2.10 : Schéma de circuit du hacheur Boost sous PSIM.............................................................. 47
Figure 2.11 : le hacheur Boost en boucle ouverte avec ses éléments réactifs choisis en préliminaire .. 48
Figure 2.12 : Allure de la tension de sortie pour ‹ Ý Û et ˜ Ž ........................................ 48
Figure 2.13 : Allure du courant d’entré et ses paramètres qui garantissent la stabilité pour ‹ Ý Û
et ˜ Ž ........................................................................................................................................ 49
Figure 2.14 : Allure de & pour ‹ Û et ˜ Ž qui sont réellement adoptés au hacheur
(d’après le tableau 2.2) .......................................................................................................................... 49
Figure 2.15 : Allure du courant d’entré et ses paramètres qui garantissent la stabilité pour ‹ Û
et ˜ Ž ........................................................................................................................................ 49
Figure 2.16 : Le hacheur Boost en boucle ouverte avec ses éléments réactifs choisis en préliminaire. 50
Figure 2.17 : Allure de la tension de sortie pour ‹ Ý Û et ˜ Ž ........................................ 50
et ˜ Ž ........................................................................................................................................ 50
Figure 2.19 : Allure de la tension de sortie, du courant d’entré et ses paramètres qui garantissent la
stabilité pour ‹ Û et ˜ Ž qui sont réellement adoptés au hacheur (d’après le tableau
2.2)......................................................................................................................................................... 51
Figure 2.20: Schéma bloc de correcteur proportionnel intégral V ....................................................... 54
Figure 2.21 : Diagrammes de Bode du correcteur V ........................................................................... 54
Figure 2.22 : Circuit de hacheur Boost avec régulateur V ................................................................... 55
Figure 2.23 : Le hacheur Boost en boucle fermée avec ses éléments passifs choisis en préliminaire .. 56
Figure 2.24: Allure de la tension de sortie, du courant d’entré et ses paramètres qui garantissent la
stabilité pour ‹ Ý Û et ˜ Ž ............................................................................................... 56
stabilité pour ‹ Û et ˜ Ž qui sont réellement adoptés au hacheur (d’après le tableau
2.2)......................................................................................................................................................... 57
Figure 2.26 : Le hacheur Boost en boucle fermée avec ses éléments réactifs choisis en préliminaire . 57
Figure 2.27 : Allure de la tension sortie pour ‹ Ý Û et ˜ Ž ............................................. 57
et ˜ Ž ........................................................................................................................................ 58

stabilité pour ‹ Ý Û et ˜ à Ž qui sont réellement adoptés au hacheur (d’après le tableau
2.2)......................................................................................................................................................... 58
Figure 2.30 : Montage du hacheur Boost avec une entrée variable ....................................................... 60
Figure 2.31 : La rampe ascendante et la tension de sortie ..................................................................... 60
Figure 2.32 : La rampe descendante et la tension de sortie ................................................................... 61
Figure 2.33 : Modèle à deux diodes d’un générateur PV, [15]. ............................................................ 62
Figure 2.34 : Evolution des grandeurs •® et •® ................................................................................ 63
Figure 2.35 : Caractéristique •® z* •®. réelle............................................................................... 64
Figure 2.36 : Caractéristique V•® z* •®. ....................................................................................... 64
Figure 2.37 : Schéma bloc d’étage d’adaptation. .................................................................................. 65
Figure 2.38 : Diagramme de puissance – fréquence des semi-conducteurs .......................................... 66
Figure 2.39 : Montage de simulation du panneau solaire associe au hacheur Boost............................. 68
Figure 3.1 : Schéma des mesures du panneau photovoltaïque. ............................................................. 72
Figure 3.2 : Courbes des caractéristiques du module photovoltaïque pour E=700W/m². ..................... 73
Figure 3.5 : Superposition des courbes pour les différents rayonnements. ........................................... 76
Figure 4.1 : Principe d’une connexion directe entre un GPV et une charge. ........................................ 78
Figure 4.2 : Points de fonctionnement d'un GPV en connexion directe, en fonction de la charge........ 79
Figure 4.3 : Connexion d’un GPV à une charge à travers un étage d’adaptation.................................. 80
Figure 4.4 : Courbes de I-V et de puissance de sortie pour un module photovoltaïque. ....................... 81
Figure 4.5 : Le point de puissance maximale (MPP) par la méthode des rectangles. ........................... 82
Figure 4.6 : Chaîne élémentaire de conversion photovoltaïque. ........................................................... 83
Figure 4.7 : Schéma du principe de la méthode P&O ........................................................................... 84
Figure 4.8 : Algorithme type de la méthode P&O................................................................................. 85
Figure 4.9 : Recherche et recouvrement du Point de Puissance Maximal, [18]. ................................... 86
Figure 4.10: Schéma synoptique de la commande MPPT numérique implanté sur le
microcontrôleur..... ................................................................................................................................ 88
Figure 4.11 : Vue des entrées du microcontrôleur PIC 16F877. ........................................................... 89
Figure 4.12 : Vue de la programmation du PIC : génération de fichée .hex sous MicroC PRO. .......... 90
Figure 4.13 : Schéma de simulation sous Œ Œ ...................................................................................... 91
Figure 4.14 : Signal MLI généré par le PIC : pour •® et … à 5 ....................................... 91
Figure 4.15 : Signal MLI généré par le PIC : pour •® àß et … Ý 5 .................................... 92

Tableau 1.1 : Rendement énergétique des différents types de cellules photovoltaïques, [22]. ............. 13
Tableau 1.2 : Exemple pour le rendement du module photovoltaïque MSX60. ................................... 32
Tableau 2.1 : Caractéristique des montages en mode conduction continu et discontinu. ..................... 37
Tableau 2.2 : Valeurs critiques minimaux calculées et normalisées des composants du hacheur ........ 46
Tableau 2.3 : complément de relève des mesures pour différentes tensions de sorties ......................... 51
Tableau 3.1 : Caractéristiques électriques du module photovoltaïque TE 505 ..................................... 71
Tableau 3.2 : Relevés des mesures effectuées avec le panneau solaire pour E=700W/m².................... 73
Tableau 3.5 : Résultats de mesures des caractéristiques du panneau solaire......................................... 76

Titre du projet
Dimensionnement et commande d’un hacheur parallèle alimenté par une source
photovoltaïque.
Problématique
L’énergie solaire photovoltaïque provient de la transformation directe d’une partie du
rayonnement solaire en énergie électrique. Cette conversion d’énergie s’effectue par le biais
d’une cellule dite photovoltaïque (PV) basée sur un phénomène physique appelé effet
photovoltaïque qui consiste à produire une force électromotrice lorsque la surface de cette
cellule est exposée à la lumière :
Le problème du couplage parfait entre un générateur photovoltaïque et une charge de

type continue n’est pas encore réellement résolu.
Un des verrous technologiques qui existe dans ce type de couplage est le problème du
transfert de la puissance maximale du générateur photovoltaïque (GPV) à la charge
qui souffre souvent d’une mauvaise adaptation.
Le point de fonctionnement qui en découle est alors parfois très éloigné du « Point de
Puissance Maximale » (PPM) qui nécessite une recherche et une commande nommée
« Maximum Power Point Tracking » en anglais (MPPT).
Objectifs du projet
L’objectif du projet est la réalisation électronique, par le biais d’un microcontrôleur PIC
de la série 16F87X, d’une commande MPPT numérique ayant les mêmes prestations que la
commande analogique existante.
Travail demandé
Les convertisseurs statiques, adaptés à l’énergie solaire photovoltaïque, sont souvent
appelés dans le commerce «convertisseurs solaires». Ils ont comme objectif :
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d’adapter l’énergie électrique qui provient des panneaux photovoltaïques, pour

pouvoir alimenter des charges continues ou même alternatives.
Certains régulateurs recherchent le point optimal de fonctionnement PPM (Point de
Puissance Maximale) correspondant à une tension et un courant de panneau PV
optimaux (nommés respectivement et ) pour lesquels la puissance est
maximale. Cette dernière dépend d’un certain nombre de paramètres météorologiques,
tel que le niveau d’ensoleillement solaire et la température.
Moyens mis à la disposition

♦ Simulink : est une boîte à outils de logiciel Matlab qui permet de faire des simulations
de systèmes définis à l’aide d’un outil graphique.
♦ PSIM : logiciel de simulation pour l’électronique de puissance.
♦ MicroC-PRO : logiciel de programmation pour PIC.
♦ PROTEUS ISIS : pour la conception et la simulation en temps réelles des schémas
électriques.
♦ Panneau solaire "TENESOL TE505" installé à l’ENIM.
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La production de l'énergie est un grand défi pour les années à venir. En effet, les besoins
énergétiques des sociétés industrialisées ne cessent d'augmenter. Par ailleurs, les pays en voie
de développement auront besoin de plus en plus d'énergie pour mener à bien leur
développement. La consommation de ces sources donne lieu à des émissions de gaz à effet de
serre et donc une augmentation de la pollution, l'épuisement rapide et l'instabilité des prix des
fossiles à l'échelle mondiale ont nécessité une recherche urgente pour de nouvelles sources
d'énergie pour répondre aux exigences actuelles.
Pour subvenir aux besoins en énergie de la société actuelle, il est nécessaire de trouver des
solutions adaptées et de les diversifier. Actuellement, il y a principalement deux façons
possibles d'agir.
La première est de diminuer la consommation des récepteurs d'énergie et augmenter la
productivité des centrales énergétiques en améliorant leur efficacité.
Une deuxième méthode consiste à développer de nouvelles sources d'énergie. Des recherches
sont en cours dans le domaine de la fusion nucléaire qui, éventuellement, pourrait être une
solution énergétique du futur, mais l'avenir de cette filière et encore moins son avènement ne
sont pas assurés.
Dans l'immédiat, nous disposons de ressources en énergie renouvelable inépuisables que

nous sommes en mesure d'exploiter de plus en plus facilement et proprement. Les techniques
d'extraction de la puissance de ces ressources demandent des recherches et des
développements plus approfondis visant à fiabiliser, abaisser les coûts (de fabrication, d'usage
et de recyclage) et augmenter l'efficacité énergétique.
Depuis plusieurs décennies, de nouvelles énergies apparaissent telles que l'énergie

éolienne ou l'énergie photovoltaïque. Cette dernière, découverte en 1839 par le physicien
français Antoine Becquerel, possède un grand potentiel car elle est non polluante et non
bruyante.
"Photovoltaïque" vient du grec 'photos' qui signifie lumière et de 'Volta', éminent savant
connu pour avoir découvert l'énergie animale et inventé la pile.
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Le principe de l'énergie photovoltaïque consiste en la transformation directe de la lumière

émise par le soleil en énergie électrique. En plus d'être inépuisable, l'énergie solaire est
extraordinairement abondante, puisque l'irradiation que le Soleil fait parvenir sur la Terre
chaque année représente plus de 10 000 fois la consommation mondiale actuelle d'énergie
primaire, toutes formes et tous usages confondus.
Par rapport à d'autres sources d'énergie, l'énergie solaire est une bonne option car elle est
disponible pendant les périodes de pointe énergétique, à la différence du vent qui produit
souvent plus d'énergie la nuit que le jour. La nuit, la demande d'énergie est deux fois moins
importante que le jour. Dans le passé, le coût de l'énergie solaire était d'environ trois fois le
coût de l'électricité issue de sources conventionnelles, ce qui a nui à son développement. La
hausse des coûts de l'électricité et le problème du réchauffement climatique ont fait que toutes
les autres sources d'énergie sont en train d'être examinées de plus près.
Depuis quelques décennies, les panneaux solaires photovoltaïques ont un grand succès chez
les particuliers et ils peuvent facilement être installés.
Sachant que le but essentiel de toutes les recherches est l’amélioration globale des
performances des systèmes de conversion photovoltaïque (PV), lorsqu’un générateur
photovoltaïque alimente une charge, quelle que soit sa nature, ceci n’implique pas forcement
une mauvaise rentabilité du système global, mais l’équivalence entre le rendement admissible
et le coût moyen d’exploitation détermine le degré d’efficacité d’utilisation de l énergie
solaire.
Plusieurs critères d’optimisation de l’efficacité de systèmes photovoltaïques ainsi que des
techniques ont été appliquées afin d’avoir une bonne adaptation et un rendement élevé. Parmi
ces techniques, on trouve la technique de “Poursuite de Point de Puissance Maximale” ou
“Maximum Power Point Tracker (MPPT)”. Les objectifs qui doivent être remplis dans ce
projet sont:
- Étudier le fonctionnement de la cellule photovoltaïque et le convertisseur DC-DC dans

la production et la conversion de l'énergie électrique.
- Analyser et concevoir un système d'énergie solaire photovoltaïque autonome.
- Étudier expérimentalement ce système générateur photovoltaïque et valider la
simulation à l'aide des mesures expérimentales.
Page 4
Ce travail comporte quatre chapitres ainsi qu’une introduction et une conclusion.

La structure du projet est comme suit :
Le premier chapitre se compose en deux parties : la première est consacré à l’étude

bibliographique pour donner l’état de l’art dans le domaine envisagée, ainsi que des notions
sur les différents systèmes PV et sur les différentes parties constituant notre système de
pompage photovoltaïque et qui sont le générateur PV, le hacheur parallèle et la charge (la
charge est une batterie ou une MCC de faible puissance).
La deuxième partie se concentre sur le bilan des différentes filières technologiques
photovoltaïques. En outre, il est consacré à l’étude des cellules photovoltaïques, à la mise au
point d’un modèle mathématique du panneau photovoltaïque permettant de déterminer la
caractéristique courant-tension et l’influence des paramètres (température, ensoleillement,
résistance série, facteur de qualité,…) sur cette caractéristique qui nous donnerons une vision
sur la suite de l'étude.
Dans le deuxième chapitre nous abordons les architectures du convertisseur DC-DC utilisées
pour l’adaptation de l'énergie électrique entre le panneau PV et la charge. Pour cela, on va se
concentrer sur le convertisseur Boost qui semble le mieux adapté pour l'application. Entre
autre, ce chapitre se focalise sur le dimensionnement des composants du hacheur parallèle en
validant l’étude par simulation.
Le troisième chapitre est consacré à des mesures expérimentales des caractéristiques du
panneau solaire TENESOL TE 505 installé à l’ENIM afin de déterminer son point de
fonctionnement optimal.
Le quatrième chapitre est subdivisé en deux parties : la première étudiera les différentes
architectures de gestion photovoltaïque possibles visant à optimiser la production énergétique.
On étudie aussi les méthodes de recherche du point de fonctionnement à puissance maximale
(MPPT). Quant à la deuxième est consacrée à l’implantation de la commande MPPT et
validation de l’étude expérimentalement par simulation des caractéristiques et de la
performance du système générateur photovoltaïque dans différentes configurations.
Page 5
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Chapitre I : Généralités, études et analyses de la technologie

photovoltaïques
A - La première partie : Généralité sur les systèmes photovoltaïques
I - Introduction
L’énergie photovoltaïque résulte de la transformation directe de la lumière du soleil en
énergie électrique aux moyens des cellules généralement à base de silicium cristallin qui reste
la filière la plus avancées sur le plan technologiques et industriel, en effet le silicium et l’un
des éléments les plus abondants sur terre sous forme de silice non toxique.
En effet le mot " photovoltaïque " vient de la grecque " photo " qui signifie lumière et de
"voltaïque" qui tire son origine du nom d’un physicien italien Alessandro Volta (1754 -1827)
qui a beaucoup contribué à la découverte de l’électricité, alors le photovoltaïque signifie
littérairement la «lumière électricité» [1].
II - Energie solaire
II.1 - Rayonnement solaire
Malgré la distance considérable qui sépare le soleil de la terre 150.10 , la couche
terrestre reçoit une quantité d’énergie importante 180.10 , c’est pour ça que l’énergie
solaire se présente bien comme une alternative aux autre sources d’énergie.
Cette quantité d’énergie quittera sa surface sous forme de rayonnement électromagnétique
compris dans une longueur variant de 0.22 à 10 [2], l’énergie associe à ce rayonnement
solaire se décompose approximativement comme suit :
- 9 % dans la bande des ultraviolets (< à 0.4 ).
- 47 % dans la bande visibles (0.4 à 0.8 ).
- 44 % dans la bande des infrarouges (> à 0.8 ).
Figure 1.1 : Réponse spectrale d’une cellule (PV), [2]
Page 7
Au cours de ces dix derniers années ce spectre à été homologués par l’organisation
international de standardisation (ISO 9845-1 :1992) et la société américaine de test et de
matériaux (ASTM E 892-87 :1992) ont fixées le flux de standardisation à 1000 W/m2.
Cette énergie est définie comme paramètre solaire qui à une valeur variable suivant la saison,
l’heure, la localisation géographique du site, les conditions météorologiques (poussière,
humidité,…etc.).
II.2 - Déclinaison du soleil

C’est l’angle formé par la direction du soleil et le plan équatorial terrestre [3], sa valeur en
degré est donnée par la relation de Cooper suivante :
= 23.45 sin 2 . #$
! "
(1-1)
Où j : est le numéro d’ordre du jour de l’année (n=1 pour le 1er Janvier, n=32 pour le 1er
Février,...etc.).
La déclinaison varie entre -23,45° le 21 décembre et +23,45° le 21 juin.
Figure 1.2 : Courbe de déclinaison du soleil
II.3 - Modèle simplifié de l’éclairement

Selon [4], [5] la quantification de l’éclairement incident pour une journée est donnée par
une expression mathématique qui s’écrit comme suit :
)*+,+- .
% = % &'( $
/
(1-2)
Page 8
% : L’éclairement maximal du site (W/m2).

0 : Temps solaire en heure.
01 : Temps de la levée du soleil (6h).
Figure 1.3 : Évaluation de rayonnement solaire en fonction de temps
II.4 - Inclinaison du module par rapport au soleil

Les panneaux solaires doivent être placés perpendiculairement au soleil pour obtenir un
résultat optimal.
Pour récupérer un maximum de rayonnement solaire, on doit ajuster à la fois l'orientation et
l'inclinaison du panneau solaire.
L'orientation indique vers quel point cardinal un panneau est exposé : face au sud, au nord, à
l'est, ou à l'ouest.
L'inclinaison est l'angle que fait le panneau avec le plan horizontal.
L'ajustement sur le plan horizontal (azimut) s'obtient en pointant les panneaux solaires : vers
le sud lorsqu'on est dans l'hémisphère nord, vers le nord lorsqu'on est dans l'hémisphère sud.
L'ajustement sur le plan vertical nécessite de connaître la trajectoire du soleil, en fonction de
la saison et du lieu géographique.
Aux équinoxes du 21 mars et du 21 septembre, le soleil est perpendiculaire à l'Equateur.
Au solstice du 21 juin, il est perpendiculaire au tropique du Cancer (hémisphère nord). Au
solstice du 21 décembre, il est perpendiculaire au tropique du Capricorne (hémisphère sud).
Le soleil se lève à l'Est et se couche à l'ouest et le Monastir se situe dans l'hémisphère
nord à une latitude de 35° environ. Le soleil au zénith est donc vers le sud. Globalement, les
rayons du soleil viennent donc plus du sud que des autres directions, d'autant plus qu'à midi,
lorsque le soleil est au zénith et donc plein sud, le rayonnement est le plus intense.
Page 9
En résumé
Pour
our un bon rendement, la meilleure orientation pour
pour un panneau solaire au Monastir est
donc vers le Sud avec une inclinaison fixe de 45°.
Si le panneau est incliné d'un angle de moins de 45°, la production d'énergie sera importante
en été mais faible en hiver. Inversement, si le panneau est incliné d'un angle de plus de 45°, la
production d'énergie sera importante en hiver
hiver mais faible en été (Figure 1.4).
1.4
Figure 1.4
.4 : Inclinaison du panneau par rapport aux rayons du soleil.
Page 10
III - Historique de l’énergie photovoltaïque

Quelques dates importantes dans l’énergie photovoltaïque
1839 : Le physicien français Edmond Beckerel découvre l’effet photovoltaïque.
1875 : Werner Von Siemens expose devant l’académie des sciences de Berlin un article sur
l’effet photovoltaïque dans les semi-conducteurs.
1954 : Trois chercheurs américains Chapin, Peason et Prince fabriquent une cellule
Photovoltaïque.
1958 : Une cellule avec un rendement de 9 % ; les premiers satellites alimentés par des
cellules solaires sont envoyés dans l’espace.
1973 : La première maison alimentée par des cellules photovoltaïques est construite à
l’université de Delaware.
1983 : La première voiture alimentée en énergie photovoltaïque parcourt une distance de 4000
Km en Australie.
IV - Principe de la conversion photovoltaïque

Une cellule photovoltaïque est basée sur le phénomène physique appelé effet
photovoltaïque qui consiste à établir une force électromotrice lorsque la surface de cette
cellule est exposée à la lumière. La tension générée peut varier entre 0.3 et 0.7 V en fonction
du matériau utilisé et de sa disposition ainsi que de la température de la cellule.
La figure (1.5) illustre une cellule PV typique.
Figure 1.5 : Principe de conversion de l’énergie solaire en énergie électrique par cellule photovoltaïque [4]
Page 11
Une cellule PV est réalisée à partir de deux couches de silicium, une dopée P (dopée au
Bore) et l’autre dopée N (dopée au phosphore), créant ainsi une jonction PN avec une barrière
de potentiel.
Lorsque les photons sont absorbés par les semi-conducteurs, ils transmettent leurs
énergies aux atomes de la jonction PN de telle sorte que les électrons (charges N) et des trous
(charges P) créent alors une différence de potentiel entre les deux couches. Cette différence de
potentiel est mesurable entre les connections des bornes positive et négative de la cellule.
La tension maximale de la cellule est d’environ 0.6 V pour un courant nul, cette tension
est nommée tension de circuit ouvert 23 . Le courant maximal se produit lorsque les bornes de
la cellule sont court-circuitées ; il est appelé courant de court-circuit 43 et dépend fortement
du niveau d’éclairement.
V - Technologies des cellules photovoltaïques

Les cellules photovoltaïques sont des composants optoélectroniques qui transforment
directement la lumière solaire en électricité, elles sont réalisées à l’aide des matériaux semi
conducteurs.
L’énergie photovoltaïque fait appel généralement à une des technologies suivantes :
- la première technologie photovoltaïque recourt aux cellules de silicium monocristallin
ou poly cristallin ont la meilleure efficacité, qui varie généralement de 13 à 18 %. Leur
- durée de vie est habituellement de plus de 25 à 30 ans et pour le monocristallin
l’efficacité et de 12 à 15 %.
- La deuxième technologie fait appel aux cellules de silicium amorphe est la deuxième
technologie utilisée. L’efficacité est moindre, variant de 6 à 10 %. Leur durée de vie
est généralement inférieure à 20 ans.
- la troisième technologie fait appel à d’autres matériaux semi conducteurs, tels que le
Tellure de Cadmium(CdTe), Cuivre Indium Sélénium (CIS) et les jonctions à base
d’Arséniure de Gallium (GaAs), cette technologie des multicouches est en voie de
développement car chacune d’entre elles est sensible à des photons d’énergies
différentes.
Nous allons récapituler les différents types de technologie dans le tableau suivant (d’après
Total énergie revue du 9 Juillet 2006)
Page 12
Tableau 1.1 : Rendement énergétique des différents types de cellules photovoltaïques, [22].
Type de Rendements des cellules (%) Domaine d’application

cellules
théorique en labo. disponible
Silicium mono Module de grandes dimensions pour toits et

cristallin 27 24.7 14-16 façade, appareil de faibles puissances,
espace (satellites)
Silicium poly Module de grandes dimensions pour toits et
cristallin 27 19.8 12-14 façade, générateur de toutes tailles (relies
réseau ou site isolé)
Silicium Appareil de faible puissance, production
amorphe 25 13 6-8 d’énergie embarquée (calculatrice, montre.)
module de grande dimensions (intégration
dans le bâtiment)
Arséniure de
Gallium GaAs 29 27.5 18-20 Système de concentrateur, espace (satellite)
Appareils de faible puissance, module de
CIS 27.5 18.2 10-12 grandes dimensions (intégration dans le
bâtiment)
Tellurure de Modules de grandes dimensions
Gadmuim 28.5 16 9-11 (intégration dans le bâtiment)
CdTe
VI - Étude bibliographiques
Les générateurs photovoltaïques sont par leur nature des systèmes non linéaires. Ils font
l’objet des grandes variations environnementales qui influent sur leur fonctionnement qui sont
spécialement l’éclairement (l’insolation) et la température de la cellule.
La première génération des systèmes photovoltaïques utilisée pour le pompage constitué
d’un générateur et une charge seulement correspond à un couplage direct, c’est le couplage le
plus simple à réaliser et le moins coûteux. [6]
Appelbaum [7] a analysé le comportement dynamique d’un moteur à courant continu
alimenté par un générateur photovoltaïque : le moteur à commencer à tourner seulement pour
un niveau élevée d’insolation.
Roger [8] a montré qu’un moteur à courant continu entraînant une pompe centrifuge
représente un choix acceptable et qu’un moteur à aimant permanent est considéré comme le
meilleur actionneur électrique pour le pompage photovoltaïque.
Page 13
Anis [9] a reporté qu’un moteur à courant continu entraînant une pompe volumétrique
représente un mauvais choix pour le pompage photovoltaïque, parce que le moteur conduisant
la pompe volumétrique demande un courant presque constant.
La puissance maximale du générateur photovoltaïque (GPV) pour différents niveaux
d’éclairement correspond aux valeurs optimales du courant et la tension ; le moteur à un
niveau donné absorbe une puissance qui ne correspond pas à la puissance maximale du GPV,
généralement cette puissance peut même être très inférieure à la puissance maximale du GPV,
alors une optimisation est nécessaire pour une bonne exploitation de l’énergie photovoltaïque
pour différents niveaux d’éclairement.
Benlarbi et al [10] ont effectuée une optimisation du rendement globale du système par
l’intégration entre l’onduleur et le panneau solaire d’un hacheur dévolteur survolteur qui
garanti l’alimentation de l’onduleur avec les valeurs optimales du courant et de la tension
obtenue en agissant sur le rapport cyclique du hacheur sur une machine DC.
L’application des systèmes photovoltaïques n’est pas limitée au système isolé, mais peut être
utilisée localement au niveau domestique. Dans ce cas une optimisation d’utilisation d’énergie
est indispensable car il est nécessaire de faire un choix optimal sur la source à utiliser : réseau,
batterie ou panneau solaire. De plus, dans le cas d’excès d’énergie produite à travers la
conversion photovoltaïque, cette dernière peut être injectée au réseau dans le but d’optimiser
de tels systèmes pour assurer un fonctionnement optimal de l’ensemble.
De plus, de nouvelles techniques sont utilisées actuellement, basées sur l’intelligence
artificielle telle que les réseaux neurones et la logique floue. Elles ont été appliquées pour
optimiser les systèmes de pompage photovoltaïque.
Généralement, le générateur solaire est fixe, mais il peut être orientable pour les régions où le
flux lumineux est faible. L’orientation des panneaux est assurée soit manuellement, soit
commandé par un circuit électronique ; le principe réside dans la poursuite du mouvement du
soleil. Cette idée a donné naissance à une nouvelle procédure d’optimisation.
VII - Différentes configurations des systèmes PV

Généralement une installation photovoltaïque comprend les éléments suivants : [2], [11]
- Un générateur photovoltaïque.
- Un convertisseur statique continu / continu (DC/DC).
- Un convertisseur statique continu / alternatif (DC/AC).
- Un système de régulation et de stockage.
Page 14
Figure 1.6 : Schéma synoptique d’une installation photovoltaïque
VII.1 - Système autonome sans batterie

Les systèmes photovoltaïques autonomes sans batterie sont représentés par le GPV et la
Batterie de la figure précédente. La charge de type continu est alimentée directement par le
GPV, car la production d’énergie est suffisante pour le fonctionnement de la charge.
VII.2 - Système autonome avec batterie
Ces systèmes sont représentés par le GPV, le régulateur+la Batterie et la charge continu
dans le cas où la charge et de type continu ; et le GPV, le régulateur+la Batterie, l’onduleur et
la charge alternative si la charge et de type alternatif. La batterie sert à stocker de l’énergie
produite par le GPV, alors l’énergie peut être utilisée de tout temps, même en l’absence de
rayonnement solaire.
VII.3 - Système fonctionnant au fil du soleil
Ces systèmes font intervenir des convertisseurs DC/DC qui permet de faire une adaptation
entre le générateur et la charge continu (le GPV, le hacheur et la charge continu). Si la charge
et de type alternatif, le convertisseur DC/AC est introduit (le GPV, l’onduleur et la charge
alternative).
VIII - Avantages et inconvénients de l’énergie solaire
Les systèmes photovoltaïques présentent un grand nombre d’avantages et d’inconvénients
qui sont : [12]
VIII.1 - Avantages
Les systèmes photovoltaïques ont plusieurs avantages:
- ils sont non polluants sans émissions ou odeurs discernables.
Page 15
- ils peuvent être des systèmes autonomes qui fonctionnent sûrement, sans surveillance
pendant de longues périodes.
- ils n'ont besoin d'aucun raccordement à une autre source d'énergie où à un
approvisionnement en carburant.
- ils peuvent être combinés avec d'autres sources d'énergie pour augmenter la fiabilité de
système.
- ils peuvent résister à des conditions atmosphériques pénibles comme la neige et la
glace.
- ils ne consomment aucun combustible fossile et leur carburant est abondant et libre.
- une haute fiabilité car l’installation ne comporte pas de pièces mobiles, ce qui la rend
particulièrement appropriée aux régions isolées, d’où son utilisation sur les engins
spatiaux.
- le système modulaire de panneaux photovoltaïques permet un montage adaptable à des
besoins énergétiques variés ; les systèmes peuvent être dimensionnés pour des
applications allant du milliwatt au mégawatt.
- la technologie photovoltaïque présente des qualités sur le plan écologiques car le
produit et non polluant, silencieux, et n’entraîne aucune perturbation du milieu.
- ils ont une longue durée de vie.
- les frais et les risques de transport des énergies fossiles sont éliminés.
VIII.2 - Inconvénients
- la fabrication des modules photovoltaïques relève de la haute technologie, ce qui rend
le coût très élevé.
- le rendement réel d’un module photovoltaïque et de l’ordre de 10 à 15 %,
- ils sont tributaires des conditions météorologiques.
- l’énergie issue du générateur photovoltaïque est continu et de faible voltage (< à 30 V)
donc il doit être transformé par l’intermédiaire d’un onduleur.
IX - Conclusion (partie A)
Dans cette première partie nous avons présenté : le principe de conversion de l’énergie
solaire en énergie électrique par cellule photovoltaïque, ainsi que les différentes
configurations des systèmes photovoltaïque qui est constitué d’un ensemble d’éléments se
trouvant en interaction ; à savoir les panneaux photovoltaïques, le hacheur de tension, et la
charge (MCC ou une batterie).
Page 16
B - La deuxième partie : Etude et analyse de la technologie

photovoltaïque
X - Introduction
L’énergie solaire photovoltaïque (PV) provient de la conversion directe de l’énergie
provenant des photons, comprise dans le rayonnement solaire, en énergie électrique par le
biais de capteurs fabriqués avec des matériaux sensibles aux longueurs d’ondes du visible
(nommée cellule PV). L’association de plusieurs cellules PV en série/parallèle donne lieu à un
générateur photovoltaïque (GPV) qui à une caractéristique statique courant tension I-V non
linéaire et présente un point de puissance maximale (PPM). Cette caractéristique dépend du
niveau d’éclairement et de la tension de la cellule. Le point de fonctionnement du GPV peut
donc varier entre les points extrêmes correspondant au courant de court-circuit 43 et la
tension en circuit ouvert 23 . La détermination du point de fonctionnement du GPV dépend
directement de la charge à laquelle il est connecté, il est plus ou moins éloigné du PPM
caractérisé par le courant et la tension optimaux, notées ( , ).
Dans cette partie, nous présentons tout d’abord les principes de base sur l’énergie solaire
photovoltaïque et nous allons tenter de définir un modèle s’appliquant aux cellules
photovoltaïques, la détermination de ses paramètres se fera sur bases de données fournies par
le constructeur de panneaux.
Puissance lumineuse Cellule Puissance electrique

Photovoltaique
Pertes
XI - Définitions [23]
Cellules, panneaux et champs photovoltaïques :
La cellule photovoltaïque est l’unité de base qui permet de convertir l’énergie lumineuse
en énergie électrique. Un panneau photovoltaïque est formé d’un assemblage de cellules
photovoltaïques. Parfois, les panneaux sont aussi appelés modules photovoltaïques. Lorsqu’on
regroupe plusieurs panneaux sur un même site, on obtient un champ photovoltaïque.
Page 17
Figure 1.7 : Photos d’une cellule, d’un panneau et d’un champ photovoltaïque.
Puissance lumineuse et éclairement :

L’éclairement caractérise la puissance lumineuse reçue par unité de surface. Il s’exprime en
W/m². La grandeur associée à l’éclairement est notée E. Parfois, cette grandeur est aussi
appelée irradiance.
XII - Principe d’une cellule photovoltaïque [10]

Les cellules photovoltaïques sont fabriquées à partir d’une jonction PN au silicium
(diode). Pour obtenir du silicium dopé N, on ajoute du phosphore. Ce type de dopage permet
au matériau de libérer facilement des électrons (charge -). Pour obtenir du silicium dopé P, on
ajoute du bore. Dans ce cas, le matériau crée facilement des lacunes électroniques appelées
trous (charge +). La jonction PN est obtenue en dopant les deux faces d’une tranche de
silicium. Sous l’action d’un rayonnement solaire, les atomes de la jonction libèrent des
charges électriques de signes opposés qui s’accumulent de part et d‘autre de la jonction pour
former un générateur électrique.
Figure 1.8 : Propriétés électriques du silicium photoélectrique
Page 18
XII.1 - Les principaux types de générateurs photovoltaïques

o Silicium monocristallin :
Les cellules en silicium monocristallin représentent la première génération des générateurs
photovoltaïques. Pour les fabriquer, on fond du silicium en forme de barreau. Lors d’un
refroidissement lent et maîtrisé, le silicium se solidifie en ne formant qu'un seul cristal de
grande dimension. On découpe ensuite le cristal en fines tranches qui donneront les cellules.
Ces cellules sont en général d'un bleu uniforme.
Durée de vie : 20 à 30 ans.
− bon rendement, de 12% à 18%

Avantages :
− bon ratio 3 / (environ 150 3 / ) ce qui permet un

gain de place si nécessaire.
− nombre de fabricants élevé
Inconvénients :
− coût élevé
− rendement faible sous un faible éclairement.
o Silicium poly-cristallin (multi-cristallin) :

Pendant le refroidissement du silicium dans une lingotière, il se forme plusieurs cristaux.
La cellule photovoltaïque est d'aspect bleuté, mais pas uniforme, on distingue des motifs créés
par les différents cristaux.
Avantages :
− Cellule carrée (à coins arrondis dans le cas du Si
monocristallin) permettant un meilleur foisonnement dans
un module.
− Moins cher qu’une cellule monocristalline
Inconvénients :
− Moins bon rendement qu’une cellule monocristalline : 11 à
− Ratio 3 / moins bon que pour le monocristallin (environ

15%
100 3 / ).
− Rendement faible sous un faible éclairement.
Page 19
Ce sont les cellules les plus utilisées pour la production électrique (meilleur rapport qualité-
prix). Durée de vie : 20 à 30 ans.
o Silicium amorphe :
Le silicium lors de sa transformation, produit un gaz, qui est projeté sur une feuille de verre.
La cellule est gris très foncé. C'est la cellule des calculatrices et des montres dites "solaires".
Pour conclure, les différentes filières photovoltaïques sont divers, on cite alors une
visualisation rapide de l’évolution des caractéristiques électriques des cellules photovoltaïques
en fonction de leur composition, (Figure 1.9).
Figure 1.9 : Caractéristiques électriques simulées de cellules à simple jonction issues de différentes
filières photovoltaïques [13].
XII.2 - Avantages et inconvénients des systèmes solaires

Avantages :
− Fonctionne avec un éclairement faible ou diffus (même par temps couvert).
− Un peu moins chère que les autres technologies.
− Intégration sur supports souples ou rigides.
Inconvénients :
− Rendement faible en plein soleil, de 6% à 8%.
− Nécessité de couvrir des surfaces plus importantes que lors de l’utilisation de
silicium cristallin (ratio 3/ plus faible, environ 60 3/ ) performances qui
diminuent avec le temps (environ 7%).
Page 20
En résumé
L'effet photovoltaïque est un phénomène physique propre à certains matériaux appelés
"semi-conducteurs" qui, exposés à la lumière, produisent de l'électricité.
Le plus connu d'entre eux est le silicium cristallin qui est utilisé aujourd'hui dans 90% des
panneaux solaires produits dans le monde. Il existe de nombreuses autres technologies déjà
industrialisées, (comme les couches minces) ou en phase de recherche.
Le silicium amorphe semble adapté à des dispositifs nécessitant peu d'énergie, tels que les
montres ou les calculatrices ou à des systèmes connectés au réseau. En revanche, les cellules
au silicium cristallin sont utilisées et adaptées à un très large panel d'applications autonomes,
malgré leur coût plus élevé.
XIII - Modèle d’une cellule solaire idéale

La photopile est un composant semi-conducteur qui délivre un courant en excitant ce
dernier par des photons, donc en première approximation on a une source de courant, qui est
court-circuitée par une diode (car la photopile est une jonction p-n).
Figure 1.10 : Schéma idéale d’une cellule photovoltaïque
= 43 − 8 (1-4)
= 43 − 1 . 9 <=> − 1#
:.;
(1-5)
XIV - Modèle d’une cellule solaire réelle

On rencontre dans la littérature plusieurs modèles de la cellule photovoltaïque qui
diffèrent entre eux par le nombre de paramètres intervenant dans le calcul de la tension et de
l’intensité de courant de sortie. En effet, dans notre étude on a adopté le modèle à une diode.
Page 21
XIV.1 - Modèle à une diode (à une seule exponentielle)

Réellement il existe plusieurs influences des résistances parasites dans la production de
l’énergie électrique, et la cellule photovoltaïque est représentée généralement par le schéma
suivant :
Figure 1.11 : Schéma équivalent d’une cellule solaire
C’est le modèle le plus classique dans la littérature, il fait intervenir un générateur de

courant pour la modélisation du flux lumineux incident, une diode pour les phénomènes
physique de polarisation et deux résistances (série et shunt).
Ces résistances auront une certaine influence sur la caractéristique I-V de la photopile :
- la résistance série est la résistance interne de la cellule; elle principalement la

résistance du semi-conducteur utilisé, de la résistance de contact des grilles
collectrices et de la résistivité de ces grilles,
- la résistance shunt est due à un courant de fuite au niveau de la jonction; elle dépend
de la façon dont celle-ci a été réalisée.
Le courant de la diode est donné par :
= ⨯ @9
:⨯*;ABC .D.
8 1 <=> E (1-6)
Le courant généré par la cellule PV est donné par la loi des mailles :
= 43 − 8 − 4F (1-7)
= − ⨯ @9
:×*;ABC.D.
− 1E − #
H IC .J
<=>
43 1 ICK
(1-8)
Page 22
XIV.2 - Modèle à une diode sans résistance shunt

Un modèle électrique empirique simple, le plus proche du générateur photovoltaïque, est
actuellement le plus utilisé en raison de la qualité des résultats obtenus, c’est le modèle à une
diode. La figure (1.12) illustre le circuit électrique équivalent au modèle à une diode.
Figure 1.12 : Schéma équivalent à une diode sans résistance shunt
Le courant généré par la cellule PV est donné par la loi des mailles :
= 43 − 8 (1-9)
I= − ⨯ @9
:×*;ABC.D.
43 1 <=> − 1E (1-10)
D’une façon générale on peut mettre le circuit électrique équivalent d’une cellule solaire en
schéma bloc comportant quatre paramètres (figure 1.13).
Figure 1.13 : Schéma bloc d’une cellule PV
Avec deux variables d’entrée :

E : ensoleillement dans le plan de la cellule (W/m²).
T : température de la cellule (°C).
et deux variables de sortie :
I : intensité de courant fournie par la cellule (A).
V : tension aux bornes de la cellule.
Page 23
XV - Caractéristique I-V
V
Des nombreux constructeurs offrent une gamme importante des modules solaires, on
prend l’exemple de notre cas : Module photovoltaïque TENESOL TE505 installé à l’ENIM
avec une puissance typique de 55 W. La figure 1.14 représente la caractéristique tension –
courant tracée pour un éclairement % = 1000 / ² et une température ambiante T = 25°C.
On constate que la caractéristique de la cellule se comporte comme une source de courant
constant dans la partie horizontale et comme un générateur de tension constant dans la partie
verticale, on note aussi qu’il existe toujours un point de puissance maximale.
maximale.
Figure 1.14 : Caractéristique I(V) d’une cellule photovoltaïque

XVI - Constitution d’un module photovoltaïque
Une cellule photovoltaïque seule est souvent peu utilisable ; son faible épaisseur la rend
très fragile et elle produit une très faible puissance électrique de l’ordre de 1 à 3 W, avec une
tension de moins de 1V. Ainsi pour accroître la puissance, on assemble ces cellules soit en
série, soit en parallèle.
Les cellules sont assemblées pour former un GPV élémentaire. Les connexions
connexi en série de
plusieurs cellules augmentent la tension pour un même courant (figure 1.15).
1.15
Figure 1.15 : Groupement des cellules PV en série
Page 24
Tandis que les connexions en parallèle de plusieurs cellules augmentent le courant pour la
même tension (figure 1.16).
Figure 1.16 : Groupement des cellules en parallèle
La plupart des panneaux PV commercialisés sont constitués par des sous réseaux de
cellules connectées en série. Chacun de ses sous réseaux est lui même constitué d’un groupe
de cellules PV connectées en série. Le nombre de cellules par sous réseaux est un compromis
économiques entre protection et pertes d’une partie importantes du GPV en cas de défaut
partiel.
La figure (1.17) montre le schématique classique adopté pour un GPV élémentaire ; le
fonctionnement traditionnel comprend la connexion d’une diode by-pass et une diode anti -
retour.
Figure 1.17 : Schématisation d’un GPV élémentaire avec diode by-pass et diode anti-retour
La diode anti-retour est utilisée pour éviter les courants inverses et la diode By-pass
n’intervient qu’en cas de déséquilibre d’un ensemble de cellules pour limiter la tension
inverse aux bornes des cette ensemble.
Page 25
L’ensemble des cellules doit être encapsulé sous verre ou sous composé plastique.
L’ensemble est appelé module photovoltaïque. Un module est souvent constitué de 36 ou 72
cellules, et l’ensemble des modules photovoltaïques est appelé champ photovoltaïque.
XVII - Caractéristique d’un GPV élémentaire

On décrit un GPV élémentaire par les paramètres suivants:
- La puissance de crête MN : puissance électrique maximum que peut fournir le module
dans les conditions standards (25°C et un éclairement de 1000 W/m²),
- la tension à vide OPQ : tension aux bornes du module en l’absence de tout courant,
pour un éclairement " plein soleil ",
- le courant de court-circuit RSQ : courant débité par un module en court-circuit pour
un éclairement " plein soleil ",
- le point de fonctionnement optimum, (OTU , RTU ) : lorsque la puissance de crête est
maximum en plein soleil, V WX = ⨯
- le rendement : rapport de la puissance électrique optimale à la puissance de radiation
incidente,
- le facteur de forme : rapport entre la puissance optimale V et la puissance maximale
que peut avoir la cellule.
XIII - Protection d’un GPV

Lorsque nous concevons une installation photovoltaïque, nous devons assurer la
protection électrique de cette installation afin d’augmenter sa durée de vie en évitant
notamment des pannes destructrices liées à l’association des cellules et de leurs
fonctionnement. Pour cela, deux types de protection sont classiquement utilisés dans les
installations actuelles :
- La protection en cas de connexions en parallèle de modules PV pour éviter les

courants négatifs dans les GPV (diode anti-retour).
- La protection lors de la mise en série de modules PV permettant de ne pas perdre la
totalité de la chaîne (diode by-pass).
Page 26
XIX - Modélisation du module photovoltaïque

La conversion photovoltaïque est la transformation directe de l'énergie du rayonnement
solaire en énergie électrique, sous forme de courant continu directement utilisable. Le
générateur photovoltaïque est un ensemble de modules connectés série/parallèle afin d'obtenir
une puissance et une tension désirées. L'élément de base est la cellule solaire (rappelons que
le modèle en une seule exponentielle est non linéaire et implicite), donc une solution itérative
sera déterminée par la méthode de Newton-Raphson, ainsi la connaissance des donnés
fournies par le constructeur sont nécessaire [8], [9].
Le circuit est composé d'un courant photodiode, une résistance série Y4 plus faible et une
diode (Figure 1.12).
Les caractéristiques d’une cellule photovoltaïque sont données par les relations suivantes : La
relation entre la tension V et le courant I est donnée par la relation suivante : Appliquons la
première loi de Kirschoff :
= 43 − 8 (1-11)
Avec 43 , 8 et I sont respectivement le courant photonique, le courant de la diode et le

courant de fonctionnement, qui dépendent du rayonnement solaire et de la température des
cellules.
= 1 ⨯ @9
:×*;ABC.D.
8 <=> − 1E (1-12)
= − ⨯ @9
:×*;ABC.D.
43 1 <=> − 1E (1-13)
Avec :
q: charge de l’électron e=1.6*10-19 Coulomb.

T : température de la cellule (Kelvin).
Rs : résistance série de la cellule (Ω).
K : constante de Boltzmann (K=1.3854 * 10-23 J/K).
A : facteur de qualité de la diode.
Isc : courant photonique de la diode qui est donnée par la relation suivante :
43 = 43*Z[ . \1 + 1 × *^ − ^/ ._ (1-14)
Page 27
= ⨯ 43 *^/ .
`
avec : 43*Z[ . `abc
(1-15)
JCd*> . ,JCd*> .
1 = e [
Ze ,Z[
et : (1-16)
I0 : courant de saturation de la diode (A), donné par la relation suivante :

h:.;i
f
= × # ×9
[ [
Z g <=.j h k
> >[
1 1*Z[ . Z[
(1-17)
Jdd*>[ .
1*Z[ . = :.;ld*> .
[
(1-18)
b <.=.>[ h/
23 est la tension du circuit ouvert de la cellule, 8 est la tension de seuil de la diode (1.12 eV).
La résistance série se calcule de la façon suivante :
m×*H I4.J.
= 43 − 1 ⨯ @9 n.o.Z − 1E
;ABC .D
p = 0 − 1 . q. #.9
rH IC .rJ m. #
<.=.>
n.o.Z
(1-19)
p s. . ^t
q
Y4 = − −
p H I C .J #
. 9
m.
1 n.o.Z
n.o.Zt
Y4 = − rJ u | −
rH m
;ld :.;ld (1-20)
J- .w <.=.>
Toutes les constantes dans les équations ci-dessus peuvent être déterminées en utilisant les
données de fabricants de panneaux photovoltaïques.
La méthode choisie pour la simulation de ce modèle est la méthode de Newton Raphson
qui est décrit comme suit :
z*xy .
xy = xy −
/
z′*xy .
f '(x) est la dérivée de la fonction f (x) = 0.
Page 28
D’après l’équation (1-13) :

m×*H IC .J.
z* . = − 43 + 1 × @9 n.o.Z − 1E = 0
m*H IC .J.
43 − y− 1 j9 noZ k
= −
q. Y4
y / y m*H IC .J.
−1 − 1 s ^ # . 9 noZ
Le module TE505 de TENESOL [Annexe A] sera utilisé pour illustrer et vérifier le

modèle en utilisant Simulink la boîte à outils de logiciel Matlab [Annexe B]. La photo
courant est directement proportionnelle à l’éclairement.
Figure 1.18 : Caractéristique I (V) et P (V) à T=25°C et E=1000W/m²
Dont les points de fonctionnement caractéristiques sont :
Figure 1.19 : Les différentes zones de fonctionnement d’un module photovoltaïque

- 23 : Tension à circuit ouverte,
- 43 : courant de court-circuit.
- , : le point de fonctionnement optimal.
Page 29
Et les différentes zones de fonctionnement sont les suivantes :

- Zone 1 - 2 : fonctionnement en générateur de tension.
- Zone 2 - 3 : zone préféré pour le fonctionnement du module, le point de
fonctionnement optimal défini par le courant et la tension est celui où le
module délivre sa puissance maximale.
- Zone 3 - 4 : fonctionnement en générateur de courant constant proportionnel à
l’éclairement.
Pour confronter un peu plus notre modèle à la réalité, il est nécessaire d’étudier comment
certains paramètres, tels que le rayonnement reçu, ou la température de jonction vont
influencer la caractéristique courant tension.
XIX.1 - Influence de l’éclairement et la température

Nous avons effectué une simulation où nous avons maintenu un éclairement constant pour
différentes températures (figure 1.20). La courbe caractéristique va présenter des allures
différentes selon la température. La tension à vide va diminuer avec la température, à
l’inverse du courant de court-circuit. La variation de tension à vide est pratiquement
compensée par la variation du courant de court-circuit, et la puissance nominale fournie par
une cellule va donc varier très légèrement avec la température de jonction.
Figure 1.20 : Influence de la température sur la caractéristique I(V) et P(V) à E=1000W/m²

(1) : 0 °C ; (2) : 15 °C ; (3) : 30 °C ; (4) : 45 °C ; (5) : 60 °C.
Par contre, lorsque nous avons maintenu une température constante à différents
éclairements (figure 1.21), on remarque que l’accroissement du courant de court-circuit est
beaucoup plus important que l’augmentation de la tension de circuit ouvert, car le courant de
court-circuit ( 43 ) est une fonction linéaire de l’éclairement et la tension du circuit ouvert ( 23 )
est une fonction logarithmique.
Page 30
Figure 1.21 : Influence de l’éclairement sur la caractéristique I(V) et P(V) à T=25°C

(1) : 1000W/m² ; (2) : 800W/m² ; (3) : 600W/m² ; (4) :400W/m² ; (5) : 200W/m² .
La variation de la température et de l’éclairement en même temps, nous permet de

conclure qu’il y a une petite variation de la tension du circuit-ouvert 23 qui n’est pas
remarquable, par contre il y a une grande variation du courant 43 comme le montre la figure
(1.22).
Figure 1.22 : Influence simultanée de l’éclairement et la température sur la caractéristique I(V)

(1):1000W/m², 55°C; (2):800W/m², 44°C; (3):600W/m², 40°C; (4):400W/m², 32°C; (5):200W/m², 25°C.
XIX.2 - Recherche du point optimal de fonctionnement

Cette caractéristique permet d’obtenir le point optimal de fonctionnement du modèle et de
calculer la puissance maximale du module photovoltaïque.
Page 31
Figure 1.23 : Caractéristiques courant-tension et puissances optimales.

(1) : 1000W/m², 55°C; (2) : 750W/m², 45 °C; (3) : 500W/m², 35 °C; (4) : 250W/m², 25°C.
Le rendement est le rapport de la puissance électrique optimale à la puissance de radiation

incidente [10].
H~• .J•~
|}H =
`.n
(1-21)
Avec : s et la surface du panneau photovoltaïque.

En citant comme exemple le rendement du module photovoltaïque MSX60 dans les conditions
standard (25°C et un éclairement de 1000 W/m²), et de 14.22 %.
Le tableau suivant donne la valeur de la puissance nominale calculée en fonction du
rayonnement ainsi que le rendement :
Tableau 1.2 : Exemple pour le rendement du module photovoltaïque MSX60. [10]

Rayonnement [W/m²] Température [°C] Puissance optimale [W] Rendement
1000 55 71,7 12,1
750 45 57,3 12,8
500 35 40,2 13,5
250 25 20,8 13,9
D’après ce présent exemple nous constatons qu’un rendement un peu supérieur à 10%, qui
diminue avec l’intensité du rayonnement mais augmente avec la diminution de la température.
XIX.3 - Influence de la résistance série

La résistance série agit sur la pente de la caractéristique dans la zone où la photodiode se
comporte comme un générateur de tension, et lorsque elle augmente elle diminue la valeur de
courant de courant de court circuit 43 (Figure 1.24).
Page 32
Figure 1.24 : Influence de Y4 sur la caractéristique I(V) à T=25°C et E=1000W/m²

(1) : 0.002Ω ; (2) : 0.008Ω ; (3) : 0.015Ω; (4) : 0.02Ω.
XIX.4 - Influence du facteur de qualité

L’augmentation du facteur de qualité de la diode influe inversement sur le point de
puissance maximale et conduit à une perte de puissance au niveau de la zone de
fonctionnement (Figure 1.25).
Figure 1.25 : Influence de facteur de qualité sur la caractéristique I (V)

(1) : 1.2 ; (2) :1.4 ; (3) : 1.6 ; (4) : 1.8.
XX - Conclusion (partie B)
Dans cette partie nous avons présenté le modèle mathématique (à une seule exponentielle)
caractérisant la cellule photovoltaïque, ce qui nous à permis de modéliser et simuler le modèle
(sans la résistance shunt) en fonction de l’éclairement et la température. Ceci va nous
permettre d’estimer la puissance fournie par une installation photovoltaïque.
Page 33
Page 34
Chapitre II : Etude et dimensionnement du hacheur parallèle
I - Introduction
Le présent chapitre traite de la conversion DC/DC (continue-continue) qui a pour but de
contrôler l'écoulement de l'énergie entre le panneau solaire et la charge (Figure 2.1).
Pour ce type de convertisseur, la gamme de puissance que l'on peut traiter s'étend de quelques
watts, à des centaines de kilowatts. Cependant, l'apparition de composants de puissance sans
cesse plus performants, permet d'envisager le traitement de puissances plus élevées.
Figure 2.1 : Convertisseur continu- continu.
II - Convertisseurs DC-DC pour les systèmes d'énergie solaire

Un hacheur peut être réalisé à l'aide d'interrupteur électronique commandable à l'ouverture
et à la fermeture tels que les thyristors GTO ou les transistors IGBT ou à effet de champ à
grille isolée fonctionnant en régime de commutation (tout ou rien). Le principe du hacheur
consiste à établir puis interrompre périodiquement la liaison source- charge à l'aide de
l'interrupteur électronique. Celui ci doit pouvoir être fermé ou ouvert à volonté afin d'avoir
une tension de sortie continue réglable (figure 2.2).
Les convertisseurs DC-DC (ou hacheurs) sont utilisés dans les systèmes d'énergie solaire pour
adapter la source DC variable (panneau PV) à la charge qui demande en général une tension
DC constante.
Les convertisseurs DC-DC sont classés en deux types : les convertisseurs non isolés et les
convertisseurs isolés de la source.
II.1 - Non isolés de la source

Quatre configurations de base sont :
- Convertisseur abaisseur « BUCK »
- Convertisseur élévateur « BOOST ».
- Convertisseur abaisseur-élévateur « BUCK-BOOST ».
- Convertisseur «SEPIC».
Page 35
Figure 2.2 : Principales configurations de convertisseurs DC-DC

DC non isolés de la source.
II.2 - Isolés de la source

En bref, comme le convertisseur Flyback. Le montage,
montage, représenté par la figure (2.3), est
déduit du hacheur à stockage inductif dont l’inductance a été remplacée par deux inductances
inducta
coupléess qui assurent l’isolation galvanique et l’adaptation de tension.
Figure 2.3 : Principale configuration de convertisseurs DC-DC

DC DC isolés de la source.
Page 36
II.3 - Comparaison des montages

Le tableau (2.1) résume les gains en tension et les contraintes sur les interrupteurs des
différents montages. Pour ces convertisseurs, si plusieurs montages peuvent être considérés
comme élévateurs, en particulier si le rapport cyclique est supérieur à 0,5, seul le montage
Boost est élévateur sur toute la plage de réglage des rapports cycliques. Pour un rapport
cyclique de 0,5 par exemple, le Boost possède une tension de sortie double de la tension
d’entrée. Alors que pour les autres montages élévateurs, la tension de sortie est pour cette
valeur du rapport cyclique égale à la tension d’entrée. Ce n’est que lorsque le rapport cyclique
se rapproche de 1 que les autres montages élévateurs tendent à ressembler au montage Boost.
Tableau 2.1 : Caractéristique des montages en mode conduction continu et discontinu.

€••&0 €‚ƒ„ €‚ƒ„ − €••&0
1 … …
1−… 1−…
Gain en tension
∆ 4 ∆ 4
+ +
o~†‡ w w w
ˆ r~†‡ ˆ
1−… 2 1−… 2
'Š~†‡ …. w …*1 − …. …. w
+ +
4 4
+
w
'8~†‡ 1−… 2. ‹. z 4
2. ‹. z 1−… 2. ‹. z
Courant de source Continu Discontinu Discontinu
Œ9•'ƒ Ž••‘’ƒ„
… .…
1−… 1−…
Gain en tension
∆ 4+∆
+ +
o~†‡ w 3 4
ˆ r~†‡ ˆ
1−… 2 w
'Š~†‡ …. w 1 1 . 4 …. w
+ j + k +
4
'8~†‡ 1−… 2. z ‹/ ‹ 1 − … 2. ‹/ . z
Courant de source Continu Continu
Page 37
III - Circuit d’adaptation ”• − ”• du type Boost

III.1 - Introduction
Suivant la fiche technique [Annexe
[ A] sur le générateur
énérateur photovoltaïque TENESOL
TE505 on remarque ce dernier fournit une tension nominale y2 = 12 qui sera la tension
d’entrée du convertisseur d’adaptation DC-DC.
DC DC. Pour avoir une tension continue plus élevée à
la sortie,, nécessaire à l’alimentation des différentes charge directement ou indirectement (à
travers un onduleur par exemple), de valeur qui sera mentionné par la suite selon l’étude qui
sera faite ultérieurement qui dépend de la caractéristique de la charge d’en couplée.
couplée En tenant
compte des contraintes économique.
économique. Cela nous amène à l’utilisation d’un convertisseur
continu/continu de type élévateur de tension, c’est
est le montage hacheur de type Boost
B (appelé
également hacheur survolteur ou parallèle). Ce type de convertisseur statique permet de
convertir une tension continue en une autre tension continue
continue de plus forte valeur.
Dans un premier temps, nous étudierons le fonctionnement de cette structure afin de
déterminer les relations entre les différents signaux électriques. Puis, nous essaierons de
dimensionner les différents éléments qui la composent.
composent
III.2 - Fonctionnement du hacheur Boost

III.2.1 - Présentation de la structure
Figure 2.4:
2 Schéma de principe d’un hacheur Boost
Le schéma de principe d’un hacheur Boost est donné par la figure ci-dessus.
ci dessus. Cette structure
est composée principalement d’une inductance ‹ et de deux interrupteurs ^– et —. Selon l’état
de ces deux interrupteurs, on peut distinguer deux phases de fonctionnement
fonctionnement :
− La phase active lorsque l’interrupteur ^– est fermé et l’interrupteur — est ouvert. Durant
cette séquence, le courant traversant l’inductance ‹ va augmenter linéairement et une
énergie “ est stockée dans ‹. Le condensateur ˜ fournit de l’énergie à la charge Y.
− La phase de roue libre lorsque l’interrupteur ^– est ouvert, l’interrupteur — est fermé.
Durant cette séquence, l’énergie emmagasinée dans l’inductance ‹ est restituée au
Page 38
condensateur et à la charge Y. Lors de cette phase, le fait que l’inductance ‹ soit en série avec la
source de tension d’entrée permet d’obtenir un montage survolteur.
La figure (2.5) présente l’allure du signal de commande appliqué à l’interrupteur ^– . C’est un
signal rectangulaire de fréquence zdont la durée est à l’état haut (durée de conduction de
l’interrupteur ^– , notée ^™š ) est ajustée par le paramètre …. Ce paramètre, appelé rapport
cyclique, est défini comme étant le rapport entre la durée de conduction de l’interrupteur ^– et
la période de découpage ^ de celui-ci :… =
Z›œ
On a : ^ = ^™š + ^™•• , où ^žŽŽ correspond à la
Z
,
durée de blocage de l’interrupteur ^Ÿ .

La durée de conduction ^ž est compris entre 0 et ^ donc, le rapport cyclique est compris
entre 0 et 1. On peut exprimer la durée de conduction et de blocage de l’interrupteur ^– en
fonction de α et ^ :
− Durée de conduction : ^™š = …^
− Durée de blocage : ^™•• = *1 − ….^
Figure 2.5 : Signal de commande de l’interrupteur T¢
Dans l’étude qui suit, nous ferons les hypothèses suivantes :
− La tension d’alimentation }H est continue et constante.

− La valeur du condensateur ˜ est suffisamment grande afin de pouvoir considérer la
tension de sortie 4 comme continue.
− Les composants sont idéaux.
On peut distinguer deux régimes de conduction :

− La conduction continue qui correspond au cas où le courant '“ traversant l’inductance ne
s’annule jamais.
− La conduction discontinue qui correspond au cas où le courant '“ traversant l’inductance
s’annule avant la prochaine phase active
Dans la suite on explique le comportement de la structure en fonction de ces deux régimes de
conduction. L’objectif principal est de déterminer les relations reliant les grandeurs
électriques d’entrée et de sortie du convertisseur ainsi que les formules permettant de
dimensionner les différents composants.
Page 39
III.2.2 - Conduction continue

• Séquence 1 : Phase active ; 0 ¤ 0 ¤ …^
À l’instant 0 = 0,, on ferme l’interrupteur T¢ pendant une durée …^.. La tension aux bornes de
la diode — est égale à 8 = Za − 4. Comme l’interrupteur ^– est fermé, on a Za = 0, ce qui
implique 8 = − 4 . La diode est donc bloquée puisque 4 ¥ 0.. Dans ces conditions, on
obtient alors le schéma équivalent de la figure ci-dessous.
Figure 2.6: Schéma équivalent du hacheur Boost durant la phase active
La tension aux bornes de l’inductance est alors :

p'
= =‹ ¥0
“ £
p0
En résolvant cette équation différentielle, on obtient l’expression suivante qui exprime
l’évolution du courant traversant l’inductance :
'“ = 0+
£
‹ “~¦g
• Séquence 2 : Phase de roue libre ; …^ ¤ 0 ¤ ^
À l’instant 0 = …^,, on ouvre l’interrupteur ^– pendant une durée *1 − …..^. Pour assurer la
continuité du courant, la diode — entre en conduction. On obtient alors le schéma équivalent
équivalen
de la figure ci-dessous :
Figure 2.7 : Schéma équivalent du hacheur Boost durant la phase de roue libre
= − =‹ ¤ 0.
0 En résolvant cette
r§¨
La tension aux bornes de l’inductance est alors: “ £ 4 r+
équation différentielle, on obtient la formule suivante qui exprime l’évolution du courant

traversant l’inductance :
−
'“ = *0 − …^. +
£ 4
‹ “~†‡
Page 40
• Expression de O© et R© :
Par définition : 〈 “ 〉 = Z ¬1 “ . p0 = £ . p0 + Z ¬-Z* − 4 .p0#

/ Z / -Z / Z
Z
¬1 £
Comme la tension moyenne aux bornes d’une inductance en régime permanent est nulle, on
peut écrire :
〈 ‹〉 = … •® +¯ •® − & °*1 − …. = 0
Et finalement, on obtient la relation suivante :
= 〈®& *0.〉 =
•®
1−…
&
Le rapport cyclique α est compris entre 0 et 1 donc la tension de sortie V² est nécessairement
supérieure à la tension d’entrée ³W+ (montage survolteur).
Si on suppose que le courant d’entrée est parfaitement continu, on peut écrire :

1 ^
= 〈'& *0.〉 = ´ •® . p0
^
&
…^
Ce qui conduit à ;
4 = £ *1 − ….
Cette expression montre bien que le hacheur Boost est un abaisseur de courant. Au regard de
ces différentes expressions, on peut remarquer que le rapport cyclique … permet de régler la
tension moyenne de sortie (respectivement le courant moyen de sortie) pour une tension
moyenne d’entrée donnée (respectivement un courant moyen d’entré). Il est donc possible de
régler le transfert moyen de puissance entre l’entrée et la sortie de la structure à partir du
rapport cyclique ….
Le transfert moyen de puissance est :
V = 〈•〉 = *1 − …. 4 . £
• Expression de ∆Rµ :
L’ondulation absolue du courant '“ est défini par ∆ “ = “~†‡ − “~¦g . A partir des relations
H•¶
précédentes, à 0 = …^, on peut écrire “~†‡ = “
…^ + “~¦g on en deduit l’expression de
-.H•¶
∆ “ suivante ; ∆ “ =
“.·
Cette expression nous montre que l’ondulation en courant diminue
lorsque la fréquence de commutation zou la valeur de l’inductance ‹ augmente.

Comme V¸¹ = V² *1 − α., on peut écrire :
…*1 − …..
∆ = &
‹. z
‹
Page 41
= 0, on trouve que l’ondulation en courant ∆ “ est maximale pour… = . Le

r∆J¨ /
r-
En résolvant
dimensionnement de l’inductance L, à partir d’une ondulation en courant donnée, s’effectue à

l’aide l’inéquation suivante :
‹≥
4
4z∆ “~†‡
• Ondulation de tension ∆OS :

Pour déterminer l’expression de l’ondulation en tension ∆ », on fait l’hypothèse que le
est parfaitement constant. On a la relation suivante '¼ = ˜

rHC
courant » r+
or, pour
0 ≤ 0 ≤ ’^: On a '¼ = − 4 . La résolution de cette équation différentielle nous donne :

=− 0+
4
4
˜ 4~†‡
A0 = …^, on a:
& *…^.
&
= =− …^ +
˜
& '( & ’x
Et par suite on a:
∆ = − = …^
4
4 4~†‡ 4~¦g
˜
Finalement :
… 4
∆ =
4
Y. ˜. z
Cette expression nous montre que l’ondulation en tension diminue lorsque la fréquence de
commutation zou la valeur du condensateur ˜ augmente.
Le dimensionnement du condensateur C, à partir d’une ondulation en tension donnée,
s’effectue à l’aide l’inéquation suivante :
… WX 4
˜≥
Y. ∆ 4 . z
• Formes d’ondes des principaux signaux :

Les formes d’ondes des principaux signaux sont données à la figure (2.8). A partir de ces
formes d’ondes, on peut exprimer les valeurs moyennes et efficaces des courants qui
traversent la diode — et l’interrupteur ^– . Nous pouvons également en déduire les contraintes
maximales en tension et courant sur les interrupteurs. Ces relations seront utilisées lors du
dimensionnement des différents composants de la structure.
Page 42
• Courant moyen traversant la diode D :
— = 〈'— 〉 = &
• Courant efficace traversant la diode D :
∆ ‹2
= ¾¿* À . *1 − ….
&
.2 +
1−… 12
—9zz
• Courant moyen traversant l’interrupteur ÁÂ :
= 〈'^Ÿ *'.〉 =
&
=
1−…
^Ÿ •®
• Courant efficace traversant l’interrupteur T :
Is 2 ∆IL 2
ITr_eff = ¾¿* . + À.α
1−α 12
Figure 2.8 : Allures des tensions et courants en mode conduction continue
Page 43
Les contraintes en tension et courant sur l’interrupteur commandé ^– et la diode — sont les
mêmes.
• Contraintes maximales en tension :
∆
= ˆ®— ˆ = ®&
•® &
®^Ÿ = +
’x ’x ’x
1−… 2
• Contraintes maximales en courant :

& ∆ ‹
'^Ÿ = '— = '‹ = +
’x ’x ’x
1−… 2
Le dimensionnement de la cellule de commutation s’effectue dans le cas le plus défavorable.

Pour calculer les contraintes en tension et courant dans le pire des cas, il nous faut remplacer
dessus … par …
dans les expressions ci-dessus WX .
III.2.3 - Conduction discontinue
En conduction discontinue, on rajoute une phase pendant laquelle la diode — ne conduit

pas ('“ = 0).
Figure 2.9 : Allure du courant traversant l’inductance en conduction discontinue
A partir de l’allure de '“ (Figure

igure ci-dessus),
ci on peut déduire ∆0 la durée d’annulation du ce
courant :
'“ *0. = *0 − …^. + '“ *É^. = 0

H•¶ ,HC
∆0 = É^ − …^ ; ∀ …^ ≤ 0 ≤ É^ “Ë>
“
Et avec '“ *…^. =

H•¶ H•¶
…^ on a : ∆0 = H ,H . …^
“ C •¶
Le courant moyen de sortie est :
= 〈'4 〉 = 〈〈'8 〉 = ¬ ' *0.. p0 = '“ *…^. #

/ ÌZ / ÌZ,
,-Z
4 Z -Z “ 4 Z
Page 44
Ce qui conduit à :
1 … £ ^
=
4
2 ‹* 4 − £ .
Ou bien :
= £ *1 + … .
£
4
2‹z 4
Dans ce régime de fonctionnement, la tension de sortie est donc dépendante de la charge pour
un rapport cyclique fixe.
Ceci implique qu’en conduction discontinue, il est nécessaire de mettre en œuvre une boucle
de régulation.
• Puissance disponible ou échangée :
/ -e Z HC H•¶ e
4 〈'4 *0.〉 . p0 V=
/ Z
V = Z ¬1
“ *HC ,H•¶ .
Conduction critique :
Cette phase définit la limite entre les régimes continu et discontinu.
Pour …Í§ §+w on a : ∆0 = É^ − …^ = *1 − ….^ c'est-à-dire É^ ≅ ^
∆0 = …Í§ ^ = *1 − …Í§ .^
£
4 − £
−
Ce qui nous donne finalement :
…Í§ =
4 £
III.2.4 - Signal de commande
Le signal de commande a été présenté à la figure (3.4). Il existe deux procédés de réglages :
❖ Réglage à fréquence de hachage zfixe et durée de conduction ^™š variable.
❖ Réglage à durée de conduction ^™š fixe et fréquence de hachage zvariable.
Le choix de la fréquence de hachage zest un compromis, en effet :

Plus la fréquence zest grande, plus les dimensions des éléments seront faibles.
Plus la fréquence zest grande, plus les pertes de commutations seront grandes.
Il faut noter aussi que les composants sont limités en fréquence. Il n’est donc pas possible de
choisir une fréquence de hachage trop élevée lorsque des contraintes d’encombrement sont
imposées.
Page 45
IV - Dimensionnement et choix des composants µ et Q du hacheur Boost

IV.1 - Essais de mesures préliminaires des valeurs des composants
La détermination des valeurs réelles de ces composants nécessite une étude largement
étendu sur les paramètres imposés par le panneau solaire TENESOL TE505 d’une part, et
d’autre part le dimensionnement du hacheur n’a pas été fixé par le cahier de charge donc on a
choisi de faire une large étude selon la valeur de la tension de sortie hacheur * 4 ..
Cette tension est généralement une sortie batterie ; donc elle sera un multiple de 12 comme
la plupart des batteries à grande autonomie sont de type 12 , sachant que :
- £~¦g = 10 avec £gl~ = 12 (en charge)
- V WX = 55 dans les conditions standards : ensoleillement = 1000 / ² à une
température ^ = 25°˜
-~†‡ ×}~†‡ -~†‡ ×}~†‡ HC
˜≥ = ‹≥
·×ÐHC ×HC ·×"%×HC e ×·×ÐJ¨
- et
H•¶~¦g
avec … WX = 1− HC
∆ 4 ≤ 5% 4
∆ “ ≤ 0.1s
et
z = 5 ÛÜ
Le tableau ci-dessous expose les valeurs calculées et normalisées pour les deux éléments
passifs du hacheur dans la gamme de tension de sortie 4 = \24 … 120_.
Tableau 2.2 : Valeurs critiques minimaux calculées et normalisées des composants du hacheur
O© \O_ 24 36 48 60 72 84 96 108 120

ÒUÓÔ 0,583 0,722 0,791 0,833 0,861 0,881 0,895 0,907 0,916
QNÓÕ \Ö×_ 222,8 122,6 75,59 50,26 36,54 27,46 21,38 17,11 14
QØÙÂU \Ö×_ 330 220 100 100 47 33 22 22 22
µNÓÕ \UÚ_ 12 18 24 30 36 42 48 54 60
✦Constatation
Comme constatation sur le tableau de mesure :
il est bien remarquable que lorsque la tension de sortie voulue augmente les éléments passifs
changent de valeurs.
le changement de la valeur de capacité est inversement proportionnel au changement de la
valeur de tension.
le changement de la valeur de l’inductance est proportionnel au changement de la valeur
tension.
Page 46
De ce fait, un choix préliminaire de ces deux composants est introduit qui tolère les
impositions de la tension de sortie maximale choisie. En effet, cette tension maximale choisie
de 120 nous permis d’utiliser une capacité de 22 Ž mais, elle nous autorise aussi d’utiliser
la valeur de la capacité déduite pour la tension de sortie 24 . Celle-ci est largement suffisante
pour n’importe qu’elle tension de sortie choisi parmi ceux qui ont été mentionnées dans le
tableau précédent ; cela nous amène d’attribuer le même raisonnement pour l’inductance.
Les deux éléments de stockage sont utilisé soient alors pour les valeurs :
˜y2– = 330 Ž et ‹3WÍ = 60 Û
Ce choix est acceptable puisque la condition suivante étant respectée : la fréquence de

z
coupure z1 = est inférieure à la fréquence de hachage t10 ➳ z1 = 35,76 ÛÜ ¤ 500 ÛÜ.
/
)√“¼
IV.2 - Simulation et validation des résultats sous MSRá

Afin de mieux visualiser les variations de grandeurs électriques, que ce soit pour la
tension ou le courant, nous choisissons de réaliser des simulations du hacheur parallèle à
l’aide du logiciel spécifique pour l’électronique de puissance ‘‘PSIM’’.
IV.2.1 - Etude en simulation de la structure non asservie de hacheur Boost

Cette structure (figure 2.10) ne présente aucune boucle d’asservissement. Elle est
composée d’un circuit de puissance accompagné d’un générateur de la commande qui impose
la fréquence de découpage ainsi que le rapport cyclique … pour la commutation de
l’interrupteur (transistor IGBT).
Figure 2.10 : Schéma de circuit du hacheur Boost sous PSIM
Page 47
➄ Effet de changement de la tension de sortie

On est amené à interpréter des simulations pour différentes valeurs de la tension de sortie
prédéfinit et observer l’influence des valeurs de l’inductance et de la capacité.
NB ! Comme nous avons mentionné précédemment, pour plus de précision nous travaillons
toujours avec les valeurs critiques en s’assurant à chaque fois que la puissance de sortie
V WX = 55 et cela pour une résistance de la charge qu’est variable lors du changement de la
tension de sortie où Y =
HC e
§y }~†‡
.
Cas où O© = âãO
Figure 2.11 : le hacheur Boost en boucle ouverte avec ses éléments réactifs choisis en préliminaire
Figure 2.12 : Allure de la tension de sortie pour ‹ = 60 Û et ˜ = 330 Ž
Page 48
—é• = 0s
^–é = 0,15&
∆ “ = 0,02s
Figure 2.13 : Allure du courant d’entré et ses paramètres qui garantissent la stabilité pour ‹ = 60 Û
et ˜ = 330 Ž
Figure 2.14 : Allure de 4 pour ‹ = 18 Û et ˜ = 220 Ž qui sont réellement adoptés au hacheur
(d’après le tableau 2.2)
∆ “ = 0,08s
—é• = 0,5s
^–é = 0,06&
et ˜ = 220 Ž
Page 49
Cas où O© = åãO
Figure 2.16 : Le hacheur Boost en boucle ouverte avec ses éléments réactifs choisis en préliminaire
Figure 2.17 : Allure de la tension de sortie pour ‹ = 60 Û et ˜ = 330 Ž
∆ “ = 0,03s
—é• = 3,1s
^–é = 0,6&
et ˜ = 330 Ž
Page 50
—é• = 0s
^–é = 0,15&
∆ “ = 0,035s
stabilité pour ‹ = 48 Û et ˜ = 22 Ž qui sont réellement adoptés au hacheur (d’après le tableau 2.2)
Pour éclaircir ce qui précède, le tableau (2.3) rajoute autres tensions de sorties en
introduisant toutes les combinaisons possible entre les composants réactifs -y compris les
deux simulations qui ont été faite- afin de faire sortir la meilleure configuration parmi les
quatre pour chaque tension de sortie.
Tableau 2.3 : complément de relève des mesures pour différentes tensions de sorties
4 36
‹ \ Û_
˜ \ Ž_
60 60 18 18
æ 4\ _
330 220 220 330
^–é \&_
0,63 0,9 0,9 0,7
§3 \ _
0,15 0,2 0,06 0,1
36 36 38 40,45
4 72
‹ \ Û_
˜ \ Ž_
60 60 36 36
æ 4\ _
330 47 47 330
^–é \&_
0,4 2 2 0,4
§3 \ _
0,4 0,2 0,15 0,4
83 72 72 90
Page 51
4 96
‹ \ Û_
˜ \ Ž_
60 60 48 48
æ 4\ _
330 22 22 330
^–é \&_
0,3 3 3 0,3
§3 \ _
0,6 0,2 0,15 0,6
121,8 96 96 126
4 120
‹ \ Û_
˜ \ Ž_
60 60
æ 4\ _
330 22
^–é \&_
0,2 3,5
§3 \ _
1 0,2
163 120
✩Voila une méthode pour choisir la bonne configuration :

- il nous faut qu’on soit sûr, tout d’abord, que ∆ 4 ≤ 5% 4 et que ∆ “ ≤ 0.1s
- on choisit ensuite deux configurations parmi les quatre qui ont les meilleurs temps de
réponse.
- enfin, celle qui a le moindre dépassement (ou §3~¦g ) on le retient.
➄ En résume
Le choix de valeur des éléments de stockage (l’inductance et la capacité) sélectionnées en
préliminaires nous présente des allures inattendues. En effet, cette combinaison de ces
grandes valeurs n’est pas envisageable pour toutes la gamme de tension de sortie choisies
puisque parmi les quatre combinaisons il existe autre solution meilleur qu’on peut le retient.
Alors, afin de garantir la meilleure configuration adoptée à notre hacheur Boost, pour une
tension de sortie prédéfinit, c’est de choisir les valeurs des composants passifs adéquates et
qui sont réellement attribuer à cette tension (tableau 2.2).
IV.2.2 - Etude en simulation de la structure asservie de hacheur Boost

➄ Présentation de régulateur proportionnel intégral (V )
Le comportement d'un système de commande sera analysé en étudiant sa dynamique et sa
stabilité à partir des propriétés de sa fonction de transfert.
Dans la fonction de transfert du système (en boucle ouverte), on peut distinguer trois
domaines de fréquence :
En basse fréquence (et éventuellement à la fréquence nulle), un gain important va

diminuer l’erreur dite statique (entre la consigne et la sortie en régime permanent).
Page 52
Dans la zone de passage à 0 p€ (bande passante), il faut imposer une certaine marge
de phase afin d’éviter des oscillations peu amorties et donc des dépassements
importants de consigne. En général, une marge de phase de 45° limite le dépassement
à 20%.
En haute fréquence, il faut limiter le gain pour limiter l’influence des bruits de mesure
(défauts des capteurs) qui se superposent au signal de retour injecté sur le
soustracteur.
Le rôle des correcteurs sera alors de modifier la fonction de transfert afin de respecter au
mieux ces différentes contraintes.
Une commande idéale serait une commande telle que la loi d'évolution réelle de la
grandeur commandée serait à chaque instant identique à la loi de conduite spécifiée et ce,
quelles que soit les perturbations.
Si on utilise uniquement le régulateur proportionnel ,on a interet à choisir la valeur de ce
gain la plus elevée possible pour obtenir une erreur de position assez faible tout en assurant
une robustesse suffisante.
Mais un inconvénient inévitable au régulateur V à éliminer les erreurs en régime
permanant, après un changement de point de consigne ou une variation de charge.
A cause de cette limitation, le contrôleur proportionnel s’emploi que rarement. Cependant
il est beaucoup plus simple d’utiliser un correcteur avec action intégrale qui permet
automatiquement de ramener la sortie à la consigne désirée.
Le rôle principal de l’action intégrale est d’éliminer l’erreur statique. Toutefois l’action
intégrale est un élément à retard de phase, donc l’augmentation de l’action intégrale (c.à.d.
diminué ^§ ) produit une instabilité car elle déplace le lieu de Nyquist vers la gauche. La valeur
optimale est choisie pour satisfaire un compromis stabilité-rapidité. Si le système possède lui-
même un intégrateur, l’action est quand même nécessaire pour annuler l’écart de
perturbation car, suite aux variations de la consigne l'intérêt de est moindre car l’écart
s’annule naturellement.
Et donc le V permet d’éliminer l’erreur de régulation qui persistât avec un régulateur
proportionnel seul. Donc pour obtenir une réponse plus rapide et plus précise, on utilise un
correcteur proportionnel-intégral.
Page 53
Son schéma fonctionnel est le suivant :
Figure 2.20: Schéma bloc de correcteur proportionnel intégral V
La sortie de ce correcteur V est donc :

+
1
è*0. = „ é9*0. + ´ 9*ê.pêë
^§
1
La transformée de Laplace donne que la fonction du transfert de régulateur V est la suivante :

è*•. 1 1 + ^§ •
˜*•. = = j1 + k= j k
%*•. ^§ • ^§ •
Avec et ^§ sont respectivement le gain et la constante du temps du régulateur.
Son action est limitée aux basses fréquences ì ≪ Z

/
.
¦
Les diagrammes de Bode de V sont :

- Le diagramme d’amplitude en db : sr³ = 20 log*|˜*ñì.|.
- Le diagramme de phase en degré : ò = sŸó*˜*ñì..
Leurs allures sont données dans la page suivante :
Figure 2.21 : Diagrammes de Bode du correcteur V
Page 54
Une modification de la valeur de ^§ se traduit par une translation horizontale des courbes de
gain et de phase, ainsi qu’une translation verticale pour la courbe de gain. Une modification
de entraîne une translation verticale de la courbe de gain.
➄ Boucle de régulation de la tension du hacheur Boost
En se référant au schéma de la figure (2.22) nous pouvant déduire qu’après

développement que la fonction de transfert du hacheur Boost est :
‹
1− •
Y*1 − ….2
Û… *•. =
&
*1 − …. 1 + ‹ ‹˜
2•+ •2
Y*1 − …. *1 − ….2
Le choix d’un correcteur proportionnel intégral présente un atout et surtout le choix
convenable de du gain et de la constante d’intégration ^§ . En effet, ces deux paramètres du
correcteur V change puisque la fonctionn de transfert pareillement change en variant, d’un
essai à un autre, la tension de référence –é· (donc 4) et par conséquent le rapport cyclique ….
Figure 2.22 : Circuit de hacheur Boost avec régulateur V
Cette boucle de tension fait apparaitre une valeur de référence de la tension de sortie
voulue, pour cela nous avons utilisé un capteur de tension qui va nous évaluer la valeur réelle
mesurée.
Les allures enregistrées des différentes grandeurs sont représentées en suite.
Page 55
➄Résultats de simulation en boucle de tension

Cas où O© = âãO
Figure 2.23 : Le hacheur Boost en boucle fermée avec ses éléments passifs choisis en préliminaire
= 6,46s
∆ = 0,03s
“•¦d
“
^–é = 1&
Figure 2.24: Allure de la tension de sortie, du courant d’entré et ses paramètres qui garantissent la
stabilité pour ‹ = 60 Û et ˜ = 330 Ž
Page 56
∆ “ = 0,08s
“•¦d = 5,4s
^–é = 0,22&
Cas où O© = ôõO
Figure 2.26 : Le hacheur Boost en boucle fermée avec ses éléments réactifs choisis en préliminaire
Figure 2.27 : Allure de la tension sortie pour ‹ = 60 Û et ˜ = 330 Ž

Page 57
∆ “ = 0,03s
“•¦d= 5,84s
^–é = 2,2&
et ˜ = 330 Ž
“•¦d = 5,48s
^–é = 0,57& ∆ “ = 0,05s
Constatation et comparaison
D’après les figures qui précèdent, on constate que le régime transitoire nécessite plus du
temps pour qu’il s’établisse ce qui fait prolonger le temps de réponse contrairement à la
structure du hacheur non asservie. Cependant l’ondulation du courant et de la tension, en
régime permanent, donnent des résultats qui sont acceptables et qui garantissent la protection
de la charge approprié.
Pour plus d’assiduité le tableau (3.4) réaffirme les résultats par des différentes mesures.
36
Tableau 2.4 : Couplement de relève des mesures pour différentes tension de sorties.
4
‹ \ Û_
˜ \ Ž_
60 60 18 18
æ 4\ _
330 220 220 330
^–é \&_
0,66 0,9 0,9 0,54
§3 \ _
1 0,8 0,25 0,28
40,78 41,3 36,4 36,3
Page 58
4 72
‹ \ Û_
˜ \ Ž_
60 60 36 36
æ 4\ _
330 47 47 330
^–é \&_
0,48 2,76 2,77 0,4
§3 \ _
2,2 0,6 0,57 0,6
75,2 75 72,9 73
4 120
‹ \ Û_
˜ \ Ž_
60 60
æ 4\ _
330 22
^–é \&_
0,2 3,6
§3 \ _
3 1,32
121 121,8
En résume
Le concluant c’est que, dans les deux structures asservie ou non, pour procurer des
résultats performants et même de garantir un bon fonctionnement du hacheur nous devons
choisir les éléments de stockage spécifique pour son tension de sortie qui lui est attribuée.
Exemple : soit la tension de sortie voulu 4 = 48 , il est incontestable d’avoir un
comportement dynamique précis, efficient et qui respecte la réponse du hacheur et cela ne
peuvent être que pour ‹ = 24 Û et ˜ = 100 Ž.
IV.3 - Effet de la tension du panneau MO

Cette partie, est consacrée à d’étudier l’influence de la variation de la tension d’entrée du
panneau sur la tension de sortie du hacheur. Pour cela, on s’intéresse uniquement à la
structure basée sur la boucle de tension.
Afin de mieux toucher l’influence de la tension d’entrée on a introduit un générateur qui

est caractérisé par une variation sous forme d’une rampe (cette rampe peut être ascendante ou
descendante) qui s’approche au comportement réel d’un générateur V .
Le montage réalisé sous VŒ ö est présenté dans la figure (2.30) :
Page 59
Figure 2.30 : Montage du hacheur Boost avec une entrée variable
IV.3.1 - Rampe ascendante

Dans ce cas, l’entrée est sous forme d’une rampe de pente positive représentée par la
figure suivante :
Figure 2.31 : La rampe ascendante et la tension de sortie

Page 60
Comme nous montre la figure (2.31), on a crée une variation (linéaire) brusque de la tension
d’entrée et nous avons observé l’allure de la tension de sortie. On remarque que la tension de
sortie subit une augmentation (jusqu’à 56 ) avec une variation exponentielle.
A l’instant où l’entrée se stabilise de nouveau, la tension de sorti suit une diminution
exponentielle jusqu’à elle atteint la valeur de consigne –w· .
La même figure montre la variation du rapport cyclique, on observe ainsi que lorsque l’entrée
a été augmentée, le rapport cyclique subit une atténuation pour compenser cette augmentation
et garder une sortie constante.
IV.3.2 - Rampe descendante

Dans ce cas, l’entrée est sous forme d’une rampe de pente négative représentée par la
figure suivante :
Figure 2.32 : La rampe descendante et la tension de sortie
Dans ce cas, on a alimenté le hacheur par une tension qui subit une atténuation linéaire. Nous
avons remarqué que la tension de sortie suit aussi une atténuation linéaire et ce jusqu’à
Page 61
l’entrée se stabilise, après cet instant, la tension de sortie s’évolue exponentiellement pour
atteindre de nouveau la tension de référence *48 ..
La figure (2.32) montre aussi la variation du rapport cyclique qui, après la diminution sur
l’entrée, augmente progressivement et compense cette variation.
V - Etude de l’association panneau photovoltaïque-hacheur Boost

V.1 - Modélisation d’un panneau photovoltaïque sous MSRá
Nous présentons ici un modèle à deux diodes d’un générateur PV (qui semble au modèle
du panneau TENESOL TE505 installé dans notre école), plus fidèle qu’un modèle équivalent
à une seule diode et résistances. La figure (2.33) présente les constituants de ce modèle circuit
équivalent qui permet une approximation par trois segments de droites de la caractéristique
I(V) du générateur solaire.
Figure 2.33 : Modèle à deux diodes d’un générateur PV, [15].
Les caractéristiques pour un le générateur photovoltaïque donnée à notre disposition à une

irradiation de 1000 / ² sont les suivant : 23 = 22 , = 17,8 , 43 = 3,4s et =
3,1s. Alors la détermination des paramètres du modèle peut se faire comme suit :
En fixant la résistance Y4 = 20 Ω (souvent une valeur faible). Les générateurs V1 et V2 dont
fixés respectivement à 16V et 19V, de part et d’autre du point = 17,8 . Les lois des
circuits permettent d’aboutir aux équations (2-1) et (2-2), d’où peuvent être aisément
calculées les valeurs de résistances R1 et R2.
Page 62
= Y/ . 43 + / − *Y/ − Y4 .. (2-1)
= Y/ //Y . + + #
H[ He
23 43 I[ Ie
(2-2)
Les perturbations sont prises en compte grâce au générateur de courant —9•0’_ 43 qui simule
une variation d’éclairement tandis que le générateur —9•0’_ / simule une variation de
température.
➄ Modélisation du bus continu :

Il est nécessaire de monter un condensateur en parallèle avec le générateur photovoltaïque
pour que la source fonctionne dans des conditions similaires à celles d’un générateur de
tension.
La tension de bus continu est donnée par :
=¼ ¬ . p0 donc =¼ =¼ ¯ − 8¼ °
/ rHiø / rHiø /
8¼ ¼ r+ ¼ et d’après la loi des nœuds
r+ £
• • •
➄ Résultats de simulation :
Ipv
3.50
3.00
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0.0
0.0 2.00 4.00 6.00 8.00 10.00

Time (ms)
Vpv
25.00
20.00
15.00
10.00
5.00
0.0
0.0 2.00 4.00 6.00 8.00 10.00

Time (ms)
Figure 2.34 : Evolution des grandeurs £ et £
Page 63
Ipv
3.50
3.00
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0.0
0.0 5.00 10.00 15.00 20.00 25.00

Vpv
Figure 2.35 : Caractéristique £ = z¯ £° réelle
Ppv
60.00
50.00
40.00
30.00
20.00
10.00
0.0
0.0 5.00 10.00 15.00 20.00 25.00

Vpv
Figure 2.36 : Caractéristique V £ = z¯ £°
➄ Remarques :
On remarque une déformation au voisinage du point de puissance maximale de 10, près.
Pour disposer d’une modélisation plus fine il faudrait augmenter le nombre de segments mais
au détriment de la simplicité du schéma électrique.
Seule une charge qui positionne le point de fonctionnement du générateur en (V , )
permet d’extraire la puissance maximale. Une connexion directe entre un GPV et sa charge a
peu de chance de placer le système à son point maximal (PPM). Il est donc nécessaire
d’intercaler un convertisseur entre le générateur et l’impédance de charge afin que le GPV
voit une charge optimale à ses bornes.
Page 64
V.2 - Etage d’adaptation MÓØØùÓú − ûÓüüùÂýù

La tension de chargement de la batterie est plus élevée que la tension optimale fournie par
le module solaire, ce que nous amène à l’utilisation d’un hacheur Boost comme suit :
Figure 2.37 : Schéma bloc d’étage d’adaptation.
V.2.1 - Dimensionnements des composants du hacheur Boost

V.2.1.1 - Cahier des charges avec O© = þ O
Les spécifications imposées par notre cahier des charges pour réaliser le circuit de hacheur
Boost sont les suivantes :
- Tension d’entrée nominale £gl~ = 12 .
- = 17,8 , V WX = 55 dans les conditions standards G=1000W/m² et T=25°C.
- Tension de sortie choisie V = 48V avec une ondulation de 5% soit ∆V² ≤ 2,4 V
Puissance nécessaire à la charge P = 55 W, = = 1.145s

}~†‡
- 4~†‡ HC
- On choisit une fréquence de hachage z = 5 kHz
H•¶~¦g
… WX = 1− … WX = 0.79
HC
4~†‡ = *1 − ….. 4~†‡ = 36.9%
∆ ≤ 3%
Soit :
£ £~†‡
∆ £~†‡ ≤ 0.1s ; ∆ “~†‡ ≤ 5% 4~†‡ ≤ 0.1s
V.2.1.2 - Cellules de commutation

La cellule de commutation est composée de deux interrupteurs : ^– et — (voir figure 2.4)
- L’interrupteur — doit supporter une tension inverse et doit pouvoir conduire un courant
positif. Son amorçage et son blocage sont spontanés. Cet interrupteur ne sera donc qu’une
diode.
Page 65
- L’interrupteur ^– doit supporter une tension positive et doit pouvoir conduire un courant
positif. Les commutations de cet interrupteur doivent être commandées.
Choix de la diode :
Les principaux critères de choix pour une diode sont les suivants : [Annexe C]
− Courant moyen • *s .¥ no_ 2
− Tension inverse II ¥u I | WX
Alors : no_ 2 = 〈i *t.〉 = I² = 1.145A
I = + I *AV. = 3.15A
∆
/,α
et ainsi
u I | WX = ˆv ˆ = /,α +
∆ u I | WX = ˆv ˆ = 50,4V
Donc on choisit des semi-conducteurs de tension inverse égale au minimum 100 et ce dans
le but d’avoir un marge de sécurité et d’assurer le bon fonctionnement de composant.
Choix de l’interrupteur commandé : [14]

Le diagramme, présenté à la figure (2.38), permet de choisir le type de technologie à utiliser
en fonction de la puissance nominale et la fréquence de découpage auxquelles est soumis le
composant.
Figure 2.38 : Diagramme de puissance – fréquence des semi-conducteurs
Page 66
Cette figure nous montre que le transistor IGBT (Insolate Gate Bipolar Transistor) est bien
adapté pour le hacheur Boost moyenne puissance fonctionnant avec une fréquence de
commutation de quelques KHz.
Les principaux critères de choix pour un transistor IGBT sont les suivants : [Annexe C]
− ¼`» ¥u ¼` | WX
− ¼*8¼. ¥ ¼w··
u ¼` | WX = ®Za~†‡ = /,- +
H•¶ ∆HC u ¼` | WX = 50,4
= = */,- . + #.… = 2,46s

J
C ∆J¨ e
¼w·· Za_bcc / ¼w··
V.2.1.3 - Éléments réactifs

Selon l’étude faite dans le paragraphe IV.1 (tableau 2.2) de ce chapitre, nous limitons,
dans cette partie seulement, à rappeler ses valeurs normalisées auparavant et cela pour :
o L’inductance L :
‹≥ ‹ ≥ 24 Û
HC
·.∆J¨~†‡
= /,- +
J ∆J¨
“~†‡
C
“~†‡ = 3,15s
o Le condensateur C :
Le rôle de condensateur est de diminuer l’ondulation de la tension de sortie du

convertisseur. En général, pour des applications de filtrage en tension basse fréquence, on
utilise des condensateurs électrolytiques. Il est possible de réaliser des associations série-
parallèle pour obtenir des valeurs importantes.
Les critères de choix d’un condensateur sont les suivants :

− La capacité nominale et sa tolérance.
− La tension admissible à ses bornes.
− La tenue aux courants impulsionnels.
∆ ≥ ˜≥ ˜≥ ˜ ≥ 100 Ž
-~†‡ HC -~†‡ HC -~†‡ .JC
4 I.¼.· I.·∆HC ·.∆HC
Page 67
V.2.2 - Simulation de fonctionnement de l’étage d’adaptation
Figure 2.39 : Montage de simulation du panneau solaire associe au hacheur Boost
Figure 2.40 : Variation de la tension et du courant du panneau et du hacheur au cours du temps.
✦ On constate que les résultats obtenus par simulation sont très proches de celle trouvé lors
de l’étude théorique.
Page 68
VI - Conclusion
Ce chapitre se concentre précisément sur la spécificité du hacheur Boost utilisés en
adaptation d’impédance avec le système photovoltaïque, en faisant une analyse et une étude
complète de son principe de fonctionnement, son modèle mathématique et les différents types
de commande et de régulation afin de parvenir à les dimensionner et qui nous aident pour la
réalisation de notre convertisseur.
En outre, pour que les panneaux solaire délivrent leurs puissances maximale il faut
associer au circuit du hacheur Boost une commande de type MPPT (Maximum Power Point
Tracking). En effet, cette commande impose toujours un rapport cyclique … = …2 + optimale
pour maximiser l’énergie retiré à partir du champ solaire même si la charge varie.
Page 69
Page 70
Chapitre III : Essais et mesures des caractéristiques du panneau

solaire
I - Introduction
La conception d'une installation photovoltaïque efficace nécessite la prise en compte de
plusieurs paramètres ayant une influence directe sur la performance du système. Les aspects à
considérer sont multiples parmi lesquels :
♦ l'irradiation globale disponible W/m².

♦ l'orientation en degrés (°) par rapport au sud.
♦ l'inclinaison en degrés (°) par rapport à l'horizontale.
♦ la surface disponible en m².
♦ la technologie employée (efficacité ou 3/ ²).
♦ le système d'intégration ou de montage.
♦ les ombres dues à des obstacles apparents (cheminées, arbres, cabanon)
Pour les essais sur terrain nous avons choisi un panneau solaire TENESOL model TE505
que nous avons installé au bort de mûr près du toit du département de génie électrique (de
l’ENIM). Il a été monté sur un support en aluminium réglable pour différents angles
d'inclinaison pour faire face aux changements de saison (vue dans le chapitre 1, figure 1.4).
Plusieurs mesures ont été réalisées à l'extérieur en fonction de différents rayonnements
solaires avec une inclinaison fixe calculer auparavant pour déterminer les caractéristiques :
è £ = z* £ . etV £ = z*è £ . , et ainsi déterminer le rendement du panneau.
La fiche technique du panneau TENESOL TE505 donne les spécifications suivantes :
Tableau 3.1 : Caractéristiques électriques du module photovoltaïque TE 505

Caractéristiques électriques TE505
Tension nominale (V) 12V
Puissance typique (W) 55
Puissance minimale (W) 50
Puissance maximale (W) 55
Tension à puissance max TU (V) 17,8
Intensité à puissance max (A) 3,1
Tension circuit ouvert ÙN (V) 22
Courant de court circuit ©N (A) 3,4
Tension maximale du système (V) 715
Page 71
II - Mesure des caractéristiques du panneau solaire

Les principaux essais sont :
a) Mesure de l'intensité en court-circuit
L'intensité (en ampères) en court circuit, dans ce cas la tension est de 0 volt.
b) Mesure de la tension en circuit-ouvert
La tension (en volts) en circuit ouvert, dans ce cas l'intensité est de 0 ampère.
III - Méthode de définition des caractéristiques de I-V de sortie

La méthode la plus simple pour tracer une caractéristique I(V) d'un panneau PV est de
connecter directement à ses bornes une résistance variable pour permettre d'étudier l'évolution
de la tension en fonction de l'intensité à différents niveaux d'ensoleillement. (Figure 3.1).
Lorsque la résistance est faible, le rhéostat doit supporter le courant de court-circuit du

panneau. Pour l'autre côté de la caractéristique I(V). Une valeur de résistance suffisamment
grande est nécessaire pour se rapprocher du circuit ouvert. Pour satisfaire ces deux
contraintes, on doit placer deux rhéostats en série.
Figure 3.1 : Schéma des mesures du panneau photovoltaïque.
Au démarrage, les deux rhéostats ont leur valeur maximale (l'ouverture du circuit permet de
mesurer la tension de circuit ouvert), on diminue progressivement le rhéostat B de forte valeur
(la tension diminue, on surveille le courant pour avoir des points à intervalles réguliers).
Page 72
Une fois B complètement court-circuité, on diminue alors progressivement le rhéostat A.

Si le ciel est sans nuage, cette méthode peut s'utiliser très simplement avec des appareils
portatifs (ampèremètre, voltmètre). En revanche si le ciel est nuageux, l'irradiation change
parfois en quelques secondes et sur de grandes amplitudes même si l'on ne le ressent pas à
l'œil. Il faut alors réaliser les mesures rapidement.
IV - Tracé des caractéristiques I (V) et P (V)

IV.1 - Pour E=700 W/m²
Tableau 3.2 : Relevés des mesures effectuées avec le panneau solaire pour E=700W/m²
Tension (V) Courant (A) Puissance (W)
0 2,6 0
9,86 2,54 25,0444
11,68 2,46 28,7328
13,55 2,38 32,249
14,73 2,31 34,0263
15,83 2,21 34,9843
16,52 2,12 35,0224
16,84 2,11 35,5324
18,19 1,41 25,6479
18,41 0,99 18,2259
18,58 0,8 14,864
18,72 0,64 11,9808
18,76 0,7 13,132
18,76 0,71 13,3196
18,89 0,54 10,2006
18,94 0,4 7,576
19,35 0 0
Figure 3.2 : Courbes des caractéristiques du module photovoltaïque pour E=700W/m².
Page 73

0 1,7 0
7,3 1,7 12,41
10,49 1,7 17,833
12,43 1,71 21,2553
13,97 1,7 23,749
16,73 1,64 27,4372
18 1,22 21,96
18,33 1,09 19,9797
18,61 0,98 18,2378
18,68 0,84 15,6912
18,82 0,79 14,8678
18,85 0,73 13,7605
18,96 0,64 12,1344
18,99 0,56 10,6344
19 0,51 9,69
19,17 0,49 9,3933
19,17 0,43 8,2431
Page 74
0 1,4 0
5,5 1,39 7,645
7,33 1,39 10,1887
12,17 1,381 16,80677
13,25 1,381 18,29825
14,19 1,366 19,38354
16,52 1,29 21,3108
17,33 1,05 18,1965
17,39 0,99 17,2161
17,44 0,93 16,2192
17,78 0,833 14,81074
17,87 0,76 13,5812
17,94 0,71 12,7374
18 0,64 11,52
18,2 0,555 10,101
18,58 0,47 8,7326
18,73 0,42 7,8666
V - Résumé des résultats

Nous obtenons les résultats suivants (Tableau 3.5) et en effectuant le produit £ × £
nous arrivons à la représentation graphique de la puissance en fonction de la tension pour tous

les cas (Figure 3.5).
Page 75
Tableau 3.5 : Résultats de mesures des caractéristiques du panneau solaire.

Irradiation 700 W/m² 540 W/m² 430 W/m²
23 19,35 V 19,17 V 18,73 V
43 2,60 A 1,70 A 1,40 A
WX 16,84 V 16,73 V 16,52 V
WX 2,11 A 1,64 A 1,29 A

V WX 35,53 W 27,44 W 21,31 W
Figure 3.5 : Superposition des courbes pour les différents rayonnements.
✄ Observation
Comme on peut le constater sur la figure (3.5), le courant de court-circuit est
proportionnel à l'irradiation et en première approximation, la puissance maximale aussi.
Les résultats de mesures effectuées à différents niveaux d'ensoleillement ont permis de tracer
les caractéristiques I(V) du panneau solaire en fonction de l'ensoleillement (exprimés en
W/m²), et les caractéristiques P(V) correspondantes.
VI - Conclusion
Dans ce chapitre nous avons présenté une étude sur le module photovoltaïque TENESOL
TE505. Les mesures effectuées dans les conditions réelles ont permis de tracer la famille des
courbes I(V) et P(V) du panneau étudié.
On peut constater qu'un panneau se comporte comme un générateur de tension près de la
tension de circuit ouvert et comme un générateur de courant près du courant de court-circuit.
Page 76
Page 77
Chapitre IV : Recherche du point de Puissance Maximale (MPPT)

d'un GPV
A - Méthodologie de recherche de la commande MPPT

I - Introduction (Partie A)
Des méthodes spécifiques existent pour amener des dispositifs à fonctionner à des points
maximaux de leurs caractéristiques sans qu'à priori ces points soient connus à l'avance, ni sans
que l'on sache à quel moment ils ont été modifiés ni quelles sont les raisons de ce
changement. Dans le cas d’une source énergétique, comme le panneau solaire, cela se traduit
par des points de fonctionnement à puissance maximale. Le principe de ces commandes est
d'effectuer une recherche du point de puissance maximale (PPM) tout en assurant une parfaite
adaptation entre le générateur et sa charge de façon à transférer le maximum de puissance.
II - Connexion directe entre la source et la charge

Dans le cas d’une connexion directe qui est finalement aujourd’hui l’utilisation terrestre la
plus répandue de l’énergie solaire, le point de fonctionnement du GPV dépend de l’impédance
de la charge à laquelle il est connecté.
Actuellement, ce type d’application peut se résumer à un champ photovoltaïque ayant une
tension I fixée par la tension nominale de l’application. Ce choix est principalement lié à la
simplicité, la fiabilité et le faible coût de l’opération (figure 4.1). La présence de la diode anti-
retour est indispensable pour empêcher la circulation d’un courant négatif vers le module PV.
Figure 4.1 : Principe d’une connexion directe entre un GPV et une charge.
Cependant, cette configuration n’offre aucun type de limitation et/ou de réglage de la

tension de la charge. Ce qui la restreint à des applications nécessitant une tension fixe ou
faiblement variable. Par exemple, le cas de batteries de stockage dans les systèmes isolés.
Page 78
Cependant, un examen plus approfondi de ces applications montre que même dans ce cas,
le transfert d’énergie électrique disponible aux bornes du GPV vers la charge dépend
fortement de l’état de la batterie ayant une tension à ses bornes variant d’un pourcentage non
négligeable. Plus généralement, la puissance extraite d’un GPV connectée directement à une
application est souvent très éloignée du maximum de puissance que peut délivrer le GPV,
comme l’illustre la figure (4.2).
Figure 4.2 : Points de fonctionnement d'un GPV en connexion directe, en fonction de la charge.
Comme le schématise la figure (4.2), un GPV peut être connecté directement à trois types de
charges :
une charge de type source de tension continue,
une charge de type source de courant continue,
une charge purement résistive.
Trois points de fonctionnement A, B, C respectifs peuvent être identifiés fournissant une

puissance PA, PB et PC. Ces cas de figures montrent que le GPV est mal exploité et ne fournit
pas la puissance maximale potentielle, la différence étant perdue sous forme de chaleur
dissipée dans le générateur.
D’autre part, certains types de charges ont besoin de tensions et courants alternatifs. La
connexion directe n’est alors pas possible car le GPV fournit un courant continu.
A travers ces exemples, on peut montrer rapidement les limites de la connexion directe
autant sur les pertes de production qu’elle entraîne que sur les limites des applications
compatibles (DC). Des recherches sur des solutions novatrices optimisant mieux la production
d’énergie PV sont d’actualité et même nécessaires pour amener l’énergie PV à un degré de
fiabilité comparable à une source d’énergie traditionnelle.
Page 79
III - Introduction d’un étage d’adaptation

Comme illustré précédemment, le point de fonctionnement peut se trouver plus ou moins
éloigné du PPM, voir ne pas exister. Ce dernier cas se produit par exemple, lorsqu’une
batterie connectée à un GPV, présente une tension de batterie systématiquement supérieure à
la tension de circuit ouvert du générateur photovoltaïque ( 23 ). Alors, aucun transfert de
puissance ne peut avoir lieu. Ainsi, l’un des intérêts à introduire un étage d’adaptation comme
indiqué sur la figure (4.3), est d’assurer que le transfert d’énergie est toujours possible et qu’il
peut s’effectuer dans des conditions de fonctionnement optimales pour la source PV et la
charge. L’électronique de puissance largement utilisée dans divers domaines de la conversion
d’énergie offre plusieurs solutions potentielles sous forme de convertisseurs statiques (CS).
En résumé, selon l’application et le degré d’optimisation de production souhaités, l’étage
d’adaptation entre le GPV et la charge peut être constitué d’un ou plusieurs convertisseurs
statiques et permet d’assurer les fonctions suivantes :
- adapter les niveaux de tensions entre la source et la charge dans de grandes

proportions si nécessaire (convertisseur Buck, Boost,….),
- introduire une isolation galvanique (convertisseur Flyback, Forward,…),
- connecter une charge avec des besoins d’alimentation de type alternative (onduleur).
Figure 4.3 : Connexion d’un GPV à une charge à travers un étage d’adaptation.
Il est à remarquer que, dans la plupart des cas, les protections initiales de diodes by-pass et
de diodes anti-retour sont également indispensables lors d’une connexion à l’aide d’un étage
d’adaptation.
L’introduction d’un étage d’adaptation permettant de fixer le point de fonctionnement du
GPV indépendamment de celui de la charge, permet l’extraction de la puissance optimale.
L’ensemble peut fonctionner de façon idéale, en utilisant la technique classique pour les
boucles de contrôle en entrée qui consistent à associer à l’étage d’adaptation la commande
MPPT qui effectue une recherche permanente du PPM [16, 17]. Cependant, en pratique, pour
que l’étage d’adaptation joue le rôle d’interface idéale (sans pertes) entre les deux éléments,
plusieurs conditions sont à respecter :
Page 80
- le type d’action de contrôle sur le port d’entrée ne doit pas générer des pertes en
régime statique ou transitoire,
- le transfert de la puissance du GPV ne doit pas être minimisé par les diverses pertes
liées au fonctionnement de l’étage d’adaptation.
L’objectif des travaux de ce projet s’inscrit entièrement dans la recherche de solutions

optimisées en fonction des applications. Pour illustrer nos propos, nous faisons tout d’abord
un état des lieux des solutions existantes au niveau des lois de contrôle MPPT, ainsi que de
leurs limites. La recherche du PPM étant en effet le premier point délicat à assurer, nous
avons consacré une partie de ce chapitre à faire le bilan des différentes solutions en la matière.
IV - Point de puissance maximale (MPP)
On peut visualiser le point de puissance maximale par deux méthodes différentes.

➄Méthode 1 :
Figure 4.4 : Courbes de I-V et de puissance de sortie pour un module photovoltaïque.
Dans la figure (4.4) la courbe I-V montre plusieurs paramètres notamment la tension en
circuit ouvert 23 et le courant en court circuit 43 . La courbe puissance représente le produit
de la tension et du courant qui est la puissance de sortie délivrée par le module. Aux deux
extrémités de la courbe I-V, la puissance de sortie est zéro puisque soit le courant ou la
tension est nulle à ces points. Le point de puissance maximum est le point sur la courbe où le
produit du courant et de la tension atteint son maximum. La tension et le courant à la MPP
sont souvent désignés comme et dans le cas général.
Page 81
➄Méthodes 2 :
Figure 4.5 : Le point de puissance maximale (MPP) par la méthode des rectangles.
La deuxième méthode pour visualiser la location du point de puissance maximale (MPP)

et de trouver le plus grand rectangle qui peut passer sous la courbe I-V, comme le montre la
figure (4.5). Les côtés du rectangle correspondent au courant et à la tension dont le produit
représente la puissance V = . .
×
D'après la figure on peut définir une caractéristique du module qui est le facteur de forme :
ŽŽ =
23 × 43
où x : Puissance au point de puissance maximum.
✩ Remarque :
Le facteur de forme est aux alentours de 70-75% pour les modules solaires en silicium
cristallin tandis qu'il est proche de 50-60% pour les modules en silicium multi-jonction.
V - Principe de la recherche du point de puissance maximale

V.1 - Généralités
Le principe de ce type de commande (PPM) est d’effectuer une recherche du point de
puissance maximale tout en assurant une parfaite adaptation entre le générateur et sa charge
de façon à transférer le maximum de puissance.
La figure (4.6) représente une chaîne élémentaire de conversion photovoltaïque associée à
une commande MPPT. Comme présenté sur la figure, la commande MPPT est associée à un
quadripôle possédant des degrés de liberté qui permettent de faire une adaptation entre le
Page 82
GPV et la batterie. Dans le cas de la conversion solaire, le quadripôle peut être réalisé à l'aide
d'un convertisseur DC-DC, dans notre cas c’est un Boost, pour que la puissance fournie par le
GPV corresponde à la puissance maximale (V WX ) qu'il génère et qu'elle puisse ensuite être
transférée directement à la batterie. La technique de contrôle communément utilisée consiste à
agir sur le rapport cyclique de manière automatique pour amener le GPV à sa valeur optimale
de fonctionnement quelles que soient les fluctuations atmosphériques, [18].
Figure 4.6 : Chaîne élémentaire de conversion photovoltaïque.
V.2 - Techniques de commande MPPT : Etude de notre cas

Dans la littérature, il existe différents types d'algorithmes effectuant la recherche du point
de puissance maximale (PPM). Les trois méthodes les plus utilisées, citées dans [19], sont :
"Perturb & Observ" (P&O), Hill Climbing, et l'incrément de conductance (IncCond).
Dans ce travail, nous utilisons la méthode Perturber et Observe (P&O) qui est aujourd'hui
largement utilisée de par sa facilité d'implémentation. Elle consiste à perturber la tension ( £)
d'une faible amplitude autour de sa valeur initiale et d'analyser le comportement de la

variation de puissance (V £ ) qui en résulte, [20].
Comme illustré à la figure (4.7), on peut observer que si une incrémentation positive de la
tension ( £) engendre un accroissement de la puissance (V £ ), le point de fonctionnement se
trouve à gauche du PPM. Au contraire, si la puissance décroît, le point de fonctionnement se
trouve à droite du PPM. Un raisonnement similaire peut être effectué lorsque la tension
décroît. À partir de ces analyses sur les conséquences d'une variation de tension sur la
caractéristique (V £ / £ ), on peut facilement situer le point de fonctionnement par rapport au
PPM, et de le faire converger vers le maximum de puissance en imposant une valeur
appropriée au courant de sortie du module PV.
Page 83
Figure 4.7 : Schéma du principe de la méthode P&O
La figure (4.8) représente l'algorithme, que nous avons utilisé, associé à une commande
MPPT de type P&O, où l'évolution de la puissance est analysée après chaque perturbation de
tension. Pour ce type de commande, deux capteurs (courant et tension du GPV) sont
nécessaires pour déterminer la puissance du PV à chaque instant.
Page 84
… = Ÿ’••Ÿ•0 ƒ•ƒ•'q‚9
∆… = •9Ÿ0‚Ÿ‘’0'•(
Start
‹'Ÿ9
•®*„.90 •®*„.
p9•‚'& •’((9’‚
V*„. = *„. ∗ *„.
Y90’Ÿp
V*„. & *„. •’Ÿ
• # '(&0’(0 − 1
V*„ − 1., *„ − 1.
æV = V*„. − V*„ − 1.
æ = *„. − *„ − 1.
æV ¥ 0
æ ¤0 æ ¤0
… = … + æ… … = … − æ… … = … − æ… … = … + æ…
V*„ − 1. = V*„.
*„ − 1. = *„.
Figure 4.8 : Algorithme type de la méthode P&O
V.3 - Gestion de la MPPT

La figure (4.9) montre trois cas de perturbation. Suivant le type de perturbation, le point
de fonctionnement bascule du point de puissance maximal PPM1 vers un nouveau point P1 de
fonctionnement plus ou moins éloigné de l'optimum.
Dans le cas (a), pour une variation d'ensoleillement, il faut réajuster la valeur du rapport
cyclique pour converger vers le nouveau point de puissance maximum PPM2.
Page 85
Dans le cas (b), pour une variation de charge, on peut constater une modification du point
de fonctionnement vers une nouvelle position optimale grâce à l'action de la commande. Et
enfin d'après le cas (c), la variation du point de fonctionnement est liée aux variations de la
température de fonctionnement du panneau solaire. Bien qu'il faille également réajuster la
valeur du rapport cyclique, cette dernière n'a pas les mêmes contraintes temporelles que les
deux cas précédents.
En résumé, le suivi du PPM est réalisé au moyen d'une commande spécifique nommée
MPPT qui agit essentiellement sur le rapport cyclique du convertisseur afin d'atteindre le
PPM du panneau solaire.
Figure 4.9 : Recherche et recouvrement du Point de Puissance Maximal, [18].

a) suite à une variation d’ensoleillement,
b) suite à une variation de charge,
c) suite à une variation de température.
Page 86
B - La deuxième partie : Implantation de la commande MPPT et

génération du signal MLI
VI - Introduction (Partie B)
Cette partie de ce dernier chapitre présente le développement du programme de simulation
d'une commande MPPT autonome de PV utilisée pour la recharge d'une batterie. Donc le
système que nous allons étudier c’est le système de commande.
En effet, ce dernier assure la régulation et la gestion de l'énergie ainsi que la recherche du
point de puissance maximale.
Le programme de simulation est présenté en détail [Annexe E] : structure, variables et
fonctions. Les résultats seront utilisés dans le paragraphe (III.2) afin de rechercher les
meilleures performances du générateur photovoltaïques.
VII - Montage du système PV muni de la commande numérique : étude de

la partie commande
VII.1 Schéma synoptique et fonctionnement
Le schéma synoptique du système PV muni de la commande MPPT numérique est
représenté sur la figure (4.10). Dans ce paragraphe, nous présentons, plus particulièrement, les
différents blocs de la commande MPPT constituant le microcontrôleur qui sont :
l’acquisition et la conversion de la tension et du courant du module PV en valeur

numérique pour obtenir une information sur la puissance réelle extraite du module PV.
la multiplication de ces deux paramètres afin d’obtenir une image de la puissance fournie
par le panneau PV.
le calcul de la différence de puissance à partir d’une puissance de référence calculé dans
un temps *0 − 1.. Ceci permettra de connaître les variations de la puissance du panneau.
Ainsi, nous pouvons déduire avec exactitude l’évolution du système PV (diminution ou
augmentation de la puissance du panneau PV) et en particulier le PPM.
la détermination du sens de la recherche du PPM (défini par le paramètre α) à l’aide de
l’algorithme MPPT (l’organigramme de la figure 4.8).
Page 87
Figure 4.10: Schéma synoptique de la commande MPPT numérique implanté sur le microcontrôleur.
VII.2 - Le processeur et l’implantation du système de commande

Le processeur PIC 16F877 (Programmable Interface Controller) est un circuit intégré
fabriqué par Microchip Technology. C'est une unité de traitement de l'information de type
microprocesseur ; son boîtier est un DIP (Dual In Package) de 2x20 pattes, (Figure 6.2).
Ses principales caractéristiques sont :
− Sa consommation d'énergie est faible (1 microampère) en mode veille.
− Horloge de surveillance de faible courant 1 s.
− Démarrage à deux vitesses d'oscillateur.
− Oscillateur Timer l : 20 s, 32 kHz, 3 V.
− Une où deux sorties de PWM.
− Grand choix de tension d'opération : 2.0 V à 5.5 V.
Toutes ces caractéristiques le rendent bien adapté pour la gestion de l'énergie électrique,
instruments de mesure, surveillance de l'environnement, les télécommunications. [21]
PIC 16F877 est capable de générer un signal MLI pour commander le convertisseur DC-DC.
Page 88
Figure 4.11 : Vue des entrées du microcontrôleur PIC 16F877.
La Structure interne du PIC 16F877 est représenté dans l’Annexe D.
VIII - Implantation du système de commande dans le PIC et résultats de

simulation sous RSRS
VIII.1 - Implantation de l’algorithme
L'algorithme de recherche du point de fonctionnement à puissance maximale (MPPT) est
implantée dans le microcontrôleur PIC 16F877 en utilisant le fameux logiciel de
programmation en C "MicroC PRO" pour PIC, (figure 4.12).
Les détails du programme basé sur la méthode Perturbation et Observation (P&O) sont décrits
à l’Annexe E.
Page 89
Figure 4.12 : Vue de la programmation du PIC : génération de fichée .hex sous MicroC PRO.
Remarque :
L’intensité et la tension sont lues depuis le GPV et sont converties par le module CAN
en configurant le registre ADCON1 du PIC 16F877.
L’acquisition de la tension et l’intensité de référence se fait par le port A (utilisation
du pin Ys/ et Ys respectivement pour le courant et la tension.
Le registre étant chargé avec la valeur 0x80 pour initialiser la conversion.
VIII.2 - Résultat de simulation

Nous avons simulé le fonctionnement du PIC et celui du système de la figure (4.13) dans
le progiciel de simulation de circuits électroniques et les dispositifs programmables
"PROTEUS ISIS". En variant les niveaux de la tension £•¦g et du courant £ appliquées au
PIC, et en tenant compte de la caractéristique non linéaire de la cellule PV (dans les
conditions standards : un éclairement donnée E = 1000 W/m²), nous avons simulé le signal
MLI généré à la sortie (pin 17 du port C).
NB ! Nous savons d’auparavant qu’un PIC ne peut prélever que des tensions comprises entre
0 et 5 , pour cela un étage de pont diviseur de tension est introduit ; avec :
=I × = = 22 alors =5
I;[
£•¦g Ie £ ; Cela veut dire que lorsque £ 23 £•¦g
;[
Page 90
Figure 4.13 : Schéma de simulation sous Œ Œ
Les résultats obtenus (Figure 4.14 et 4.15), pour une tension £•¦g et un courant £
données, montrent un signal rectangulaire de fréquence 5 kHz, de rapport cyclique variable

qui dépend de la puissance instantanée fournie par le GPV et d’amplitudes 5V à la sortie du
PIC, toutes en conservant une tension de sortie fixe 4 = 48 .
Figure 4.14 : Signal MLI généré par le PIC : pour £ = 12 et … = 75%
Page 91
Figure 4.15 : Signal MLI généré par le PIC : pour £ = 17,8 et … = 63%
Remarque :
Les résultats obtenus montrent bien des amplitudes acceptables : 5V à la sortie de PIC
(Figure 4.14 et 4.15). Mais cela nous n’empêche plus d’utiliser un driver, lors de la réalisation
concrète, pour que l’amplitude du signal MLI devient largement suffisante pour commander
l’interrupteur du convertisseur DC-DC à la fermeture et à la l’ouverture.
IX - Conclusion
Dans la partie A de ce chapitre nous avons remarqué que la caractéristique I(V) d'un
panneau photovoltaïque n'est pas linéaire et qu’il existe un MPP (Maximum power point) où
la puissance est maximale. On utilise donc des régulateurs qui font la poursuite de ce point
(MPPT) afin de délivrer le plus de puissance possible à batterie. Cette fonction est souvent
réalisée par microcontrôleur. Dans une boucle, l'algorithme mesure la tension et le courant du
générateur pour calculer la puissance fournie, puis fait varier le signal MLI du régulateur à
découpage afin de maximiser la puissance délivrée par le panneau solaire à la batterie.
Dans la partie B, nous avons montré la faisabilité d’un système photovoltaïque (PV), muni
d’une commande MPPT numérique utilisant un microcontrôleur (PIC).
Les résultats obtenus montrent que:
- le PIC génère un signal rectangulaire de fréquence 5 kHz et de rapport cyclique α
variable.
- Quelque soit la tension du panneau £, la tension de la charge se stabilisent à la
valeur 48 V. Ceci vérifie bien la relation régissant le fonctionnement du convertisseur
H•¶
Boost : 4 = /,-
l•$
- Notre algorithme implémenté au PIC assure bien la poursuite du point de

fonctionnement à puissance maximale.
Page 92
Le travail présenté dans ce projet traite de la modélisation d’une association qui comporte
un GPV avec un hacheur Boost (plus sa commande) pour la charge d’une batterie. Ce
convertisseur présente l'avantage d'être un élévateur de tension ce qui permet à cette
association de s'adapter aux changements météorologiques et d’extraire le maximum de
puissance disponible.
L'étude bibliographique sur les générateurs photovoltaïques nous a permis de bien

comprendre le fonctionnement de la cellule photovoltaïque et l'application des modules
photovoltaïques dans la production de l'électricité.
Des mesures réalisées dans les conditions réelles sur le panneau solaire TENESOL TE505
ont permis de déterminer les caractéristiques £ = z¯ £° et V £ = z¯ £° du panneau. Un
modèle détaillé Simulink a été développé pour représenter les principales caractéristiques du
panneau PV. Ce modèle a été validé en comparant les résultats de simulation avec les mesures
expérimentales.
Les travaux présentés dans ce projet concernent la problématique du couplage entre un

générateur photovoltaïque et une charge de type continu. En effet, ce type de couplage souffre
encore du problème du transfert de puissance du GPV à la charge qui est souvent très loin des
possibilités du générateur. Pour cela, nous avons présenté quelques méthodes de Tracking de
la puissance maximale MPPT ou nous avons opté pour l’algorithme P&O (perturbation et
observation), qui se caractérise par sa facilité d'implémentation.
L'étude de la commande du générateur PV a été implanté sur Œ Œ pour simulation. Le

microcontrôleur PIC 16F877 est utilisé pour assurer la commande de l'ensemble et pour
implanter l'algorithme MPPT.
Page 93
Les résultats de la simulation ont démontré l'intérêt d'un dispositif de recherche de la

puissance maximale. Pour cette raison, la méthode P&O a été choisie pour implanter un
algorithme de poursuite du point de fonctionnement à puissance maximale (MPPT) du
panneau PV.
Nombreux se sont les perspectives intéressantes à cette étude dont on cite trois :
qualifier les résultats (théorique) obtenues dans ce projet par une réalisation concrète
du système complet et d’en valider expérimentalement.
améliorer le programme intégré au microcontrôleur (PIC) pour qu’il puisse effectuer
des fonctions de supervision, tels que : le contrôle de l’état de charge de la batterie, le
suivi du soleil...,
étudier un couplage hybride entre un panneau PV et un générateur éolien dans le but
de réaliser une microcentrale multi-sources.
Page 94
Références bibliographies
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\2_ B.Equer « Le Pompage Photovoltaïque Manuel de cours », énergie solaire photovoltaïque

ellipses 1993.
\3_ Ch.P.De, Brichabaut, Ch.Yauge « le gisement solaire, évaluation de la ressource

énergétique»,Technique et documentation Lavoisier 1982.
\4_ B.Azoui «Concept and realisation of a three phase Brushless DC Motor *BLDCM. for solar
application », Thesis of doctorat of science, University of Batna 2002.
\5_ A. Saadi and A. Moussi « Neural Network Use in the MPPT of Photovoltaic Pumping System»,
Rev. Energ. Ren. ICPWE (2003) 39-45.
\6_ K. Benlarbi « Optimisation Floue, Neuronale et Neuro-Floue d’un système de Pompage

Photovoltaïque Entraînées par différents machines électriques », Thèse de Magister, Université de
Batna 2003.
\7_ J. Appelbaum and M.S. Sharma « The Operation of Permanent Magnet DC Motors Powered by
a Common Source of Solar Cells », IEEE Trans. Energ. Convers., 4, pp. 635 – 642, 1989.
\8_ J.A. Roger « Theory of the Direct Coupling between DC Motors and Photovoltaic Solar Arrays
», Solar Energy, 23, p. 193, 1979.
\9_ W. Anis and H.M.B. Metwally « Dynamic Performance of a Directly Coupled PV Pumping
System », Solar Energy, 53, 3, 1994.
\10_ K. Benlarbi, L. Mokrani, M.S. Nait-Said «A fuzzy global efficiency optimization of a

Photovoltaic water pumping system », Solar Energy 77 (2004) 203–21.
\11_ Y. Bakelli « Étude et dimensionnement d’un convertisseur statique pour la connexion d’un
générateur photovoltaïque » mémoire de magister , Universite de Boumerdes 2005.
\12_ M.F.Shraif « Optimisation et mesure de chaîne de conversion d’énergie photovoltaïque en

énergie électrique ». Thèse de doctorat de l’université Paul Sabatier de Toulouse 2002.
\13_ M. PETIBON Stéphane «Nouvelles architectures distribuées de gestion et de conversion de

l’énergie pour les applications photovoltaïques» Thèse doctorat, Université de Toulouse (2009).
\14_ Benoît ISSARTEL - Projet P10AB04 POLYTECH CLERMONT-FERRAND, Conception d’un

convertisseur —˜/—˜ de type Boost, Critères de choix et dimensionnement des composants.
Page 95
\15_ V.BOITIER et P. MAUSSION, «Recherche du maximum de puissance sur les générateurs

photovoltaïques », Université de Toulouse ; 7, avenue du Colonel Roche, F-31077 Toulouse, France.
\16_ S. Singer and A. Braunstein, «A general model of maximum power point tracking»,
Proceeding of MELECON’85 IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference, Madrid, Spain, pp.
147-151, 1985.
\17_ S. Singer and A. Braunstein, «A maximum power transfer from a nonlinear energy source to
an arbitrary load», IEEE Proceeding, Pt G, pp. 1-7, 1987.
\18_ Cédric CABAL «Thèse "Optimisation énergétique de l'étage d'adaptation électronique dédié
à la conversion photovoltaïque"», préparée au Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes
du CNRS . UNIVERSITE TOULOUSE III , 2008.
\19_ T. Esram, P. L. Chapman, «Comparison of photovoltaic array maximum power point

tracking techniques», IEEE Transactions On. Energy Conversion, Vol. 22, pp. 439- 449, Jun. 2007.
\20_ N. Femia, G. Pétrone, G. Spagnuolo and M. Vitelli, «Optimization of Perturb and Observe
Maximum Power Point Tracking Method», IEEE Transactions On Power Electronics, Vol.20, No. 4,
pp. 16-19, Mar. 2004.
\21_ Microchip Technology, PIC16F877 Datasheet, le 16/06/2012.
\22_ Total énergie « Les différents types de cellules photovoltaïques », http://www.total-energie.fr,

d’après revue du 9 Juillet 2006.
\23_ « NOTIONS DE BASE SUR L’ENERGIE SOLAIRE PHOTOVOLTAIQUE », http://www.ac-

noumea.nc/jules-garnier/phyapp/solaire/doc/cours_photo.pdf, le 27/02/2012.
Page 96
Page 97
Annexe A


Annexe B
Tableau B.1 : le modèle idéal d‘une cellule PV et ses équations

Le modèle idéal d’une cellule Equations du modèle
= −1 , =
= −
Depuis le modèle idéal d’une cellule photovoltaïque et ces équations on a pu réaliser un

modèle équivalent idéal pour le module PV TE505 (figure ci-dessous), en utilisant la boite à
outil Simulink de Matlab, afin de visualiser son caractéristique électrique (figure B.2).
Saturation Scope
Ppv=f(Vpv1)
Vpv Vpv 1
Vpv
1000 Insolation Ipv Product
Insolation PV model
I=f(Vpv)
Figure B.1 : Schéma bloc de la génération de la caractéristique électrique du module PV idéal
Caractéristiques :
Nous supposons qu’on travaille sous la condition standard : Ensoleillement = 1000 / ² :
Le module nommé ‘’modèle PV’’ comporte 44 cellules élémentaires montées en série pour
avoir les grandeurs électrique adéquates qui ressemble au module PV TE505 (une cellule fait
sortir une tension = 0.5 et un courant = 3.4 ), et on aura donc : = 22 .

Après la simulation, on obtient :

− La puissance de sortie (le produit de avec ) en fonction de et
immédiatement affichée dans la fenêtre XY Plot
− Le courant de sortie en fonction de la tension est aussi affiché immédiatement
dans la fenêtre XY Plot.
Figure B.2 : Caractéristiques électriques = !( ) et = !( ), testés sous les conditions

standards

Annexe C

Annexe D

Annexe E
// Variables globales
float temp_res1, temp_res10, DP, P0, temp_res2, temp_res20, DV;
float alpha0, alpha, temp_duty;
// Program principal
void main()
{
ADCON1 = 0x80; // Configure analog inputs
TRISA = 0xFF; // Set PORTA as an input
TRISC = 0; // Set PORTC as an Output
PORTC = 0;
PWM1_Init(40000); // Initialize and start the PWM unit with 5 KHz
PWM1_Start();
P0=0;
temp_res20=0;
while(1)
{
temp_res1 = Adc_Read(1); // Get results of AD conversion
// from channel 1 (RA1 pin)
temp_res2 = Adc_Read(2); // Get results of AD conversion
// from channel 2 (RA2 pin)
temp_duty = (temp_res1/55)*(temp_res2/55); // Convert results to 8 bits
%&'
alpha0= (255-(temp_res2/11)); // Set $ = 1 − %(
DP = temp_duty-P0;
DV = temp_res2-(temp_res20/55);
if (DP>0 && DV>0) // Test condition n°1

+
if (DP<0 && DV<0) // Test condition n°2 Switching alpha
if (DP>0 && DV<0) // Test condition n°3 et générer MLI
if (DP<0 && DV>0) // Test condition n°4
}
}
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République Tunisienne

Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique

PROJET DE FIN D’ETUDES

Dimensionnement et commande d’un hacheur parallèle

Soutenu le 02/07/2012 ; devant le jury d’examen:

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P.F.E. / G.E - Electrotechnique Seif Eddine NAFFOUTI

XIV.1 - Modèle à une diode (à une seule exponentielle) .................................................................. 22

P.F.E. / G.E - Electrotechnique Seif Eddine NAFFOUTI

Chapitre III : Essais et mesures des caractéristiques du panneau solaire ........................ 71

P.F.E. / G.E - Electrotechnique Seif Eddine NAFFOUTI

Figure 1.1 : Réponse spectrale d’une cellule (PV), [2] ........................................................................... 7

P.F.E. / G.E - Electrotechnique Seif Eddine NAFFOUTI

Figure 2.3 : Principale configuration de convertisseurs DC-DC isolés de la source............................. 36

P.F.E. / G.E - Electrotechnique Seif Eddine NAFFOUTI

P.F.E. / G.E - Electrotechnique Seif Eddine NAFFOUTI

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Chapitre I : Généralités, études et analyses de la technologie

Figure 1.1 : Réponse spectrale d’une cellule (PV), [2]

II.2 - Déclinaison du soleil

Figure 1.2 : Courbe de déclinaison du soleil

II.3 - Modèle simplifié de l’éclairement

% : L’éclairement maximal du site (W/m2).

Figure 1.3 : Évaluation de rayonnement solaire en fonction de temps

II.4 - Inclinaison du module par rapport au soleil

III - Historique de l’énergie photovoltaïque

IV - Principe de la conversion photovoltaïque

La figure (1.5) illustre une cellule PV typique.

V - Technologies des cellules photovoltaïques

Type de Rendements des cellules (%) Domaine d’application

Silicium mono Module de grandes dimensions pour toits et

VII - Différentes configurations des systèmes PV

Figure 1.6 : Schéma synoptique d’une installation photovoltaïque

VII.1 - Système autonome sans batterie

B - La deuxième partie : Etude et analyse de la technologie

Puissance lumineuse Cellule Puissance electrique

Puissance lumineuse et éclairement :

XII - Principe d’une cellule photovoltaïque [10]

Figure 1.8 : Propriétés électriques du silicium photoélectrique

XII.1 - Les principaux types de générateurs photovoltaïques

− bon rendement, de 12% à 18%

− bon ratio 3 / (environ 150 3 / ) ce qui permet un

o Silicium poly-cristallin (multi-cristallin) :

− Ratio 3 / moins bon que pour le monocristallin (environ

XII.2 - Avantages et inconvénients des systèmes solaires

XIII - Modèle d’une cellule solaire idéale

Figure 1.10 : Schéma idéale d’une cellule photovoltaïque

XIV - Modèle d’une cellule solaire réelle

XIV.1 - Modèle à une diode (à une seule exponentielle)

Figure 1.11 : Schéma équivalent d’une cellule solaire

C’est le modèle le plus classique dans la littérature, il fait intervenir un générateur de

- la résistance série est la résistance interne de la cellule; elle principalement la