Corrigé de l’exercice 2 du TD4

1°)

 diL diL
de 0 à  T: T fermé  E  L dt  v K  E  L
dt
 0

de  T à T: T ouvert  E  L diL  v  v  E  L diL  v
 dt 
D S
dt
S
 0

E
Quand T fermé : i1L  t   t  iL (0)
L
Quand T ouvert :
Comme RC est une charge de tension donc la fluctuation de la tension est faible et
di
peut être considérée constante E  L L  VSmoy .
dt
E  VSmoy
Donc i2 L (t )  t   C te
L
E  VSmoy
En changeant de variable (comme t   t   T ) iL (t )   t   T   C te
L
La constante est telle que le courant atteint lorsque T était fermé (soit au temps T)
servira de point de départ à cette nouvelle équation du courant.
E E  VSmoy E
Donc iL  T    T  iL (0) soit iL (t )   t   T    T  iL (0)
L L L

La condition nécessaire pour atteindre le régime permanent est telle qu’il n’y ait
plus de variation de la valeur moyenne de i L donc que iL (T )  iL (0) .
 E  Vsmoy  E
Soit iL (T )    T   T    T  iL (0)  iL (0)
 L  L
 E  Vsmoy  E
Donc   T   T    T  0
 L  L

1
 iL(t) iL(t’)
E
iL  t   t  iL (0)
L i(T)

i(0)
t’
T T t

2°) Simplifions
 E  Vsmoy  E
  T   T    T  0
 L  L
 E  Vsmoy  E 
Factorisons par T : T   1        0
 L  L 
 E  Vsmoy  E
Puis par L :    1      
 L  L
  E  Vsmoy  1      E
 Vsmoy 1     E 1      E
 Vsmoy 1     E  E 1   
E   1   
 Vsmoy 
1   
E
 Vsmoy 
1   
Si  tend vers 1 théoriquement Vsmoy tend vers l’infini (donc courant infini, destructif
pour le transistor)
E
3°) Vs moy 
rL
1  
R 1   
Si on prend la tension moyenne aux bornes du transistor Vkmoy  1    Vsmoy

D’autre part Vk moy.IL moy =V2seff/R, mais comme Vs(t) est pratiquement constant,

V2seff  Vsmoy donc Vk moy.IL moy =V2smoy/R . soit :

2
On a en tenant compte de la chute de tension E=rL IL moy+ Vk moy, soit en remplaçant IL moy et
Vk moy