Cours Elec Analog 1

Ellectronique
aanalogique
Présenté par
Dr. Césaire Ndiaye
Dr. Césaire
Dr Césaire Ndiaye
1
Dr. Ndiaye Césaire
Généralités
Généralités
 L’Electronique
L’Electronique:
q : Science appliquée
pp q récente ((environ 1 siècle)) ppermettant de
créer, mettre en forme, modifier, transporter, stocker des signaux électriques
(courant, tension) ou lumineux (optoélectronique).
 Naissance avec l’invention de dispositifs
p non linéaires :
Diode (1904) Triode (1907)
Ellectronique aanalogique
 De nos jours, ces dispositifs sont soit des
composants discrets,
discrets soit des circuits
intégrés comportant un nombre plus ou
moins grand de composants discrets.
 Fabriqués `a
a ll’aide
aide de matériaux semi‐
semi
conducteurs.
2
Dr. Ndiaye Césaire
Champs d’investigation
Champs d investigation (1)
(1)
Différents domaines d’application

d application
 les capteurs : la plupart des capteurs génèrent des signaux analogiques

représentant la grandeur physique à mesurer ;
 les circuits dʹinstrumentation : les chaînes dʹacquisition permettent le

prétraitement et llʹamplification
amplification des signaux analogiques ;
 les calculateurs : Calculateurs analogiques réalisent des opérations
mathématiques en manipulant des signaux analogiques: ll‘AOP;
AOP;
 les filtres : filtrage analogique beaucoup utilisé lorsque les filtres

numériques implémentés sur DSP ou FPGA sont ou trop lents (circuits HF).
numériques, HF)
 les circuits dʹamplification électronique : permettent la mise en forme

de signaux analogiques pour être directement utilisables par des actionneurs:
lʹamplificateur électronique ;
3
Dr. Ndiaye Césaire
Champs d’investigation
Champs d investigation (2)
(2)
Différents domaines d’application
 les actionneurs : utilisation des signaux

g analogiques
gq en tant que
q
commande;
 les convertisseurs : existence de systèmes

y gq ↔
de conversion analogique
numérique : CAN, CNA;
 les oscillateurs : circuits g

générant un signal
g alternatif à une fréquence
q
fixée. Les oscillateurs sont également très utilisés pour les circuits
radiofréquence;
 la transmission sonore sans fil : la transmission analogique ne génère

pas de temps de latence, et il est primordial pour les applications
p
professionnelles q p réel.
que tout se fasse en temps
4
Dr. Ndiaye Césaire
Bien faire la part des choses: Analogique Vs Numérique
 Pas de frontière bien définie entre l’électronique analogique et l’électronique

numérique.
 Deux branches de l‘électronique utilisant les mêmes composants, les transistors

(l éi i
(les caractéristiques d i
de ces transistors d
peuvent cependant êêtre diffé )
différentes).
 La différence essentielle porte sur la forme des signaux véhiculés:
5
Dr. Ndiaye Césaire
6
Dr. Ndiaye Césaire
Pourquoi l’électronique
Pourquoi l électronique ?
?
7
Dr. Ndiaye Césaire
Pourquoi l’électronique
Pourquoi l électronique ?
?
8
Dr. Ndiaye Césaire
Objectifs de ce cours
Objectifs de ce cours
Donner une vision des fonctions simples de ll’électronique

électronique
 L’électronique permet de transformer des signaux:
 Acquisition d’un signal

 Traitement électronique des signaux (filtrage, amplification)…
Il faut connaître et savoir mettre en œuvre les composants discrets usuels,
connaître les rôles et les fonctions des composants.
 Présenter l’interaction de l’électronique avec les autres domaines utiles

à l’ingénieur:
 Optoélectronique
 Informatique
 Matériaux
M té i …
9
Dr. Ndiaye Césaire
Organisation du module
Organisation du module
Pré‐requis ‐ Rappels sur les lois et théorèmes des circuits

li é i
linéaires en régime
é i continu
i et sinusoïdal
i ïd l
Chapitre I‐ Les semi‐conducteurs
Chapitre
p II ‐ La diode
Chapitre III‐ Les transistors
Chapitre IV‐ L’Amplificateur opérationnel
10
Dr. Ndiaye Césaire
Généralités sur la conduction électrique
 Modèle classique
 Un isolant ne contient pas d’électrons mobiles.
 Un conducteur possède des électrons qui sont peu liés aux noyaux et
peuvent
p se déplacer
p dans le réseau cristallin.
Le modèle classique a été remplacé par le modèle quantique des bandes

d énergie.
énergie.
d’énergie
 Modèle quantique
 Dans ll’atome
atome isolé les électrons occupent des niveaux d
d’énergie
énergie discrets.
discrets
 Dans un cristal, par suite des interactions entre les atomes, ces niveaux
discrets s’élargissent et les électrons occupent des bandes d’énergie
i
permises é é par des
séparées d bandes
b d interdites.
i t dit
 La répartition des électrons dans les niveaux obéit aux lois de la
thermodynamique statistique. Au zéro absolu, seuls sont peuplés les
niveaux de plus basse énergie.
11
Dr. Ndiaye Césaire
 Conducteurs
 Matériaux ayant la plus faible résistivité à température ambiante
 Matériaux dont la résistivité ρ < 10‐7 Ω.m
 Ag
g (ρ =1.6 10‐8 Ω.m),
), Cu (ρ =1.7 10‐8 Ω.m), ), Al (ρ =2.8 10‐8 Ω.m))
 La dernière bande occupée est partiellement remplie – électrons libres –
électro‐migration
 Beaucoup de niveaux disponibles et la conduction est grande
 Augmentation de la température => augmentation légère de ρ
12
Dr. Ndiaye Césaire
 Isolants
 Matériaux ayant la plus grande résistivité à température ambiante
 Matériaux dont la résistivité ρ > 106 Ω.m
 Diamant (ρ = 1012 Ω.m),
), Mica (ρ = 1010 – 1015 Ω.m))
 Bandes d’énergie plus faibles entièrement remplies
 Hauteur de la Bande Interdite très grande (5 eV)
 Pas de niveaux d énergie accessibles et pas de conduction
d’énergie
 Augmentation de la température => baisse de ρ (libération d’électrons et
de trous)
13
Dr. Ndiaye Césaire
 Semi
Semi‐‐conducteurs
 Semi‐conducteurs purs (intrinsèques) ou dopés (extrinsèques)
 Matériaux dont la résistivité 10‐5 < ρ < 103 Ω.m
 Silicium (ρ = 2400 Ω.m),
), Germanium (ρ = 0.5 Ω.m))
 Hauteur de la Bande Interdite faible – Conduction par électrons et/ou
trous
 Taux de remplissage de la dernière bande occupée est soit faible soit
important
 Conduction faible mais variant beaucoup avec la température
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Dr. Ndiaye Césaire
Généralités sur les matériaux semi conducteurs
Généralités sur les matériaux semi‐conducteurs
15
Dr. Ndiaye Césaire
16
Dr. Ndiaye Césaire
 Mécanique
éca ique qua
quantique
tique pou
pour u
un  Mécanique quantique pour n atomes
éca ique qua tique pou ato es
atome isolé
 Niveaux d’énergie discrets
 Couche M : électrons de valence O O O
 Couche K : électrons fortement liés
MODELE DE BANDES:
niveaux discrets très rapprochés
- - - - - - - - - - - - - -Bande de conduction (e‐)
Bande Interdite
Bande Interdite
Egap
+ + + + + + + + + + Bande de valence (trou)
Bande de valence (trou)
Energie
17
Dr. Ndiaye Césaire
 Mécanique quantique pour n atomes
MODELE DE BANDES: niveaux discrets très rapprochés
 Les deux niveaux les plus énergétiques sont repérés par E1 et E2.
 Si on rapproche les atomes les uns des autres, les états énergétiques
électronique se scindent et forment deux bandes continues appelées bande
de conduction BC et bande de valence BV
18
Dr. Ndiaye Césaire
Différents types de matériaux semi‐conducteurs
 Eléments semi‐conducteurs : II III IV V VI
→ éléments appartenant au groupe
IV (4 électrons de valence)
IV (4 électrons de valence) B C N
Si : (Ne)3s23p2 : 4 électrons de valence Al Si P S
Ge : (Ar)3d104s24p2 : 4 électrons de valence
Ge : (Ar)3d : 4 électrons de valence Zn Ga Ge As Se
Cd In Sn Sb Te
 Semi‐conducteurs composés :
Binaires : III‐V (GaAs, GaN, InAs) Ternaires : GaAs0,6 P0,4
II‐VI (CdTe, ZnS)
II‐VII (CuBr)
VII (CuBr)
Quaternaires : InGaAsP
Ga : (Ar)3d104s24p1 : 3 électrons de valence
Ga : (Ar)3d : 3 électrons de valence y
En moyenne 4
As : (Ar)3d104s24p3 : 5 électrons de valence électrons de valence
19
Dr. Ndiaye Césaire
 ba
bandee dee valence:
a e ce ba
bandee des
es éélectrons
ec o s qui assu
assurent
e les
es liaisons
iaiso s co
covalentes
a e es
(pour Si: 3s3p)
 bande de conduction: bande d’énergie

d énergie immédiatement supérieure à la
bande de valence (pour Si: 4s)
Configuration électronique du Si : 1s2 2 2s2 2 2p6 3s2 2 3p2

Configuration électronique du Si : 1s
0 Kelvin : Bande de valence pleine
Cristal parfait
C is a pa ai
B d d
Bande de conduction vide
d i id
T (°K):
T ( K): Remplissage de la bande de conduction dépend de la valeur de E
Remplissage de la bande de conduction dépend de la valeur de Egap :
Métaux : bande de conduction pleine
Isolant : Bande de valence pleine
p
Semi‐conducteurs : Intermédiaire
20
Dr. Ndiaye Césaire
Conduction par électrons/trous
 Influence d’un apport d’énergie sur un atome

 L’absorption d’énergie par un atome se traduit par le passage de
certains électrons à des états énergétiques plus élevés normalement
inoccupés.
p
 On dit alors que l’atome est excité. Lors du retour à l’équilibre,
l’énergie libérée apparaît sous forme de rayonnement
électromagnétique de longueur d onde λ définie par :
d’onde
E=h.γ=h.c/λ
Dr. Ndiaye Césaire
Analogie avec la conduction électrons/trous 21
 Influence d’un apport d’énergie sur une

liaison de valence
 L’électron se comporte comme une
particule
p quasi‐libre
q
 On arrache un ou plusieurs électrons
 Cet électron de la BV passe à la BC
 Il participe à la conduction
 Il laisse un Trou à la BV.
Mobilité Conduction électrons/trous.
22
Dr. Ndiaye Césaire Mais comment ?
 En l’absence d’un champ p électrique,

q le mouvement des p porteurs de
charge (électrons et trous) dans le semi‐conducteur est erratique.
 En présence d’un champ électrique, à ce mouvement désordonné s’ajoute
une
u e vitesse
i e e moyenne
oye e proportionnelle
p opo io e e au champ.
a p
Pour les électrons : Pour les trous :
μ : mobilité des porteurs de charges, plus faible pour les trous que pour
les électrons
La densité de courant due à n électrons ou pour p trous par unité de volume
La densité de courant totale = Loi d Ohm généralisée
La densité de courant totale = Loi d’Ohm généralisée
23
Dr. Ndiaye Césaire
Semi conducteurs intrinsèques
Semi‐conducteurs intrinsèques
Semi‐
Semii‐co
Se conducteur
ducteu iintrinsèque
t i sèque = Se
Semi‐conducteur
i co uc eu non
o dopé,
opé, ccʹest
es à dire
i e qu
quʹil
i
contient peu dʹimpuretés (atomes étrangers)
Pour un semi‐conducteur intrinsèque (sans impuretés): à chaque électron
de la BC correspond un trou dans la BV.
Donc les densités dʹélectrons et de trous sont identiques
24
Dr. Ndiaye Césaire
 Comprendre le comportement des semi‐conducteurs étudier les

populations dʹélectrons et de trous dans chacune des bandes BV et BC.
 Donc réaliser un bilan électronique

q des semi‐conducteurs intrinsèques.
q
Pour ce faire, introduire la notion de densité dʹétats énergétique N(E).
 N(E) correspond à la place disponible pour les électrons dans la BC
Nc(E) et à la place disponible pour les trous dans la BV Nv(E).
La masse affectée aux particules n’est pas leur masse au repos (m0=9.1 10‐31 kg), mais
leur masse en mouvement appelée « masse effective »
Dr. Ndiaye Césaire
mc = 1.05m0 mv = 0.67m0 25
 À laa température
e pé a u e zéro
é o abso
absolu,
u, tous
ous les
es éélectrons
ec o s so
sont dans
a s la
a BV,, eet
aucun ne peut participer à la conduction.
 Dès que la température s’élève

s élève, certains électrons passent de la BV à la
BC, laissant un trou dans la BV.
 La quantité de paires d
électrons‐trous
d’électrons trous créées,
créées et donc la conductivité
augmente avec la température.
 Le
L nombre b de d paires
i él
électrons‐trous créées
éé à la
l température
é ambiante
bi
(300 K) est relativement faible.
 La densité des électrons de conduction n, est égale à la densité des trous p
26
Dr. Ndiaye Césaire
ln(ni) en fonction de 1/T est une droite: Déduction de de E
) en fonction de 1/T est une droite: Déduction de de EG avec la pente
avec la pente
27
Dr. Ndiaye Césaire
Semi conducteurs extrinsèques
Semi‐conducteurs extrinsèques
Semi‐conducteur extrinsèque = semi‐conducteur intrinsèque dopé par des

Semi‐
impuretés spécifiques lui conférant des propriétés électriques adaptées aux
applications électroniques (diodes, transistors, etc...) et optoélectroniques
(émetteurs
( et récepteurs
p de lumière,, etc...).
)
Les différents dopages

Les différents dopages
Il existe donc deux types de dopants, donnant au semi‐conducteur des
propriétés
é é électroniques
él d ffé
différentes :
 des dopants
p appartenant
pp à la colonnes III du tableau p
périodique,
q
possédant un électron de moins que le silicium ;
 des dopants
p pp
appartenant à la colonne V du tableau p q ,
périodique,
possédant un électron de plus que le silicium.
28
Dr. Ndiaye Césaire
Semi‐conducteurs de type p
Semi‐
Un semi‐conducteur type p est un semi‐conducteur intrinsèque (ex : silicium
Si) dans lequel on a introduit des impuretés de type accepteurs (ex : Bohr B).
Ces impuretés
p sont ainsi appelées
pp parce q
p quʹelles acceptent
p un électron de la
BC pour réaliser une liaison avec le cristal semi‐conducteur .
Cet atome de la 3ème colonne (Bore) a engendré un porteur positif (trou)
dans le cristal de silicium en capturant un électron dʹune liaison de valence
Mouvement de trous dʹun atome vers un autre un courant électrique

29
Dr. Ndiaye Césaire
Semi‐conducteurs de type n
Semi‐
Un semi‐conducteur type n est un semi‐conducteur intrinsèque (ex :
silicium Si) dans lequel on a introduit des impuretés de type donneurs (ex :
Phosphore
p P).
) Ces impuretés
p sont ainsi appelées
pp parce
p quʹelles
q donnent un
électron à la BC pour réaliser une liaison avec le cristal semi‐conducteur .
Cet atome de la 5ème colonne (Phosphore) a engendré un électron libre
dans le cristal de silicium
Mouvement d ’électrons dʹun atome vers un autre un courant électrique
30
Dr. Ndiaye Césaire
La jonction p n
La jonction p‐n
Jonction p‐n : mise en contact dʹune surface de cristal de semi‐conducteur

dopé p avec une surface de cristal de semi‐conducteur dopé n
Lorsque les deux surfaces sont mises en contact, une partie des trous et
des électrons se diffusent spontanément de part et dʹautre de la jonction
 A la jonction, électrons et
trous, se neutralisent.
 A lʹéquilibre, existence A l’équilibre, une ddp entre
d’une zone, appelée zone la zone N et la zone P,
de
d déplétion
dé léti ou zone ded appelée potentiel de
charge dʹespace (ZCE) jonction
31
Dr. Ndiaye Césaire
La jonction p n
La jonction p‐n
Polarisation dʹune jonction
 Polarisation dʹune jonction: branchement dʹun générateur de tension de

part et dʹautre de la jonction.
 Possibilité de relier la borne + du générateur à la zone P et la borne ‐ à la

zone N, ou inversement.
 Selon le sens du branchement, on parle de polarisation directe ou
polarisation inverse
inverse, et le comportement de la jonction sera complètement
différent.
32
Dr. Ndiaye Césaire polarisation inverse polarisation directe
La jonction p n
La jonction p‐n
Polarisation inverse dʹune jonction
 Au moment où on connecte le générateur, une partie des e‐ de la zone N
se détache et est attirée vers la borne +. Au même moment, des e‐ sont
émis par la borne ‐ et se combinent avec des trous de la zone P
P.
 Mais le nombre de trous dans la zone P est limité et il nʹexiste pas de
trous dans la zone N pouvant migrer dans la zone P pour remplacer ceux
qui ont disparu. Les e‐ cessent donc de migrer de la borne ‐ vers la zone P.
 De
D même,
ê l nombre
le b d‘e‐
d‘ dans
d l zone N estt limité
la li ité ett il nʹexiste
ʹ i t pas d‘e‐
d‘
dans la zone P pouvant migrer vers la zone N pour remplacer ceux qui ont
disparu. Les e‐ cessent donc de migrer de la zone N vers la borne +.
Finalement, aucun courant ne circule dans le circuit lorsquʹil est

p
polarisé en inverse. La jjonction est dite bloquée.
q
33
Dr. Ndiaye Césaire
La jonction p n
La jonction p‐n
Polarisation inverse dʹune jonction
 La barrière de potentiel devient

plus importante
 la zone de transition devient p

plus
grande ,les porteurs sont incapables
de franchir la zone .
 le courant de diffusion Id devient

plus faible (presque nul) ,donc le
courant total devient très faible
(presque nul) parce que Is est de
quelques ʺμAʺ (courant très faible)
34
Dr. Ndiaye Césaire
La jonction p n
La jonction p‐n
Polarisation directe dʹune jonction
 Au moment où on connecte le générateur, les électrons de la zone N et
les trous de la zone P convergent vers la jonction sous lʹeffet de la fém. du
générateur.
A la jonction, les trous et les électrons se combinent et disparaissent.
Néanmoins, les électrons libres de la zone N qui disparaissent sont
continuellement remplacés par dʹautres électrons provenant de la borne
négative
é ti du d générateur.
é é t
 De la même façon, les trous de la zone P qui disparaissent sont

remplacés par dʹautres en provenance de la borne + du générateur.
 Il existe finalement un flux continu des chargesg dans le circuit : un

courant continu sʹétablit dans un circuit polarisé en direct
35
Dr. Ndiaye Césaire
La jonction p n
La jonction p‐n
Polarisation directe dʹune jonction
 La barrière de potentiel
d
devient
i t plus
l ffaible
ibl
 la zone de transition diminue,
et la probabilité de diffusion des
porteurs majoritaires augmente.
 le courant de diffusion
augmente et devient plus grand
devant le courant de saturation,
ce qui donne un courant total
important qui augmente avec V
36
Dr. Ndiaye Césaire
La jonction p n
La jonction p‐n
Polarisation dʹune jonction…en bref
Une jonction PN :
 bloque le courant si elle est polarisée en inverse ;
 permet le passage du courant pour une polarisation directe supérieure au
permet le passage du courant pour une polarisation directe supérieure au
potentiel de jonction.
ca ac é is ique u e jo c io N
caractéristique dʹune jonction PN
Il existe pour une
jonction P‐N
P N une
tension de seuil qui
est caractéristique du
matériau
éi :
Si : V0 ≈ 0,55 V
Ge : V0 ≈ 0,15 V
37
Dr. Ndiaye Césaire
Quelques applications des semi conducteurs
Quelques applications des semi‐conducteurs
cathode anode
Diode p‐n
La diode:
La diode:
La diode
diode: domaine
n-dopé
domaine
p-dopé
‐ laisse passer le courant dans un sens ‐ bloque le courant dans l’autre sens
n p p n
jonction jonction
électrons et trous migrent vers la électrons et trous s’éloignent de la
jonction: le courant passe
le courant passe jonction: le courant ne passe pas
le courant ne passe pas
LEDs : Produire un rayonnement monochromatique

ou polychromatique à partir de la conversion d d’énergie
énergie
électrique lorsquʹun courant traverse la diode
38
Dr. Ndiaye Césaire
Transistors bipolaires
Le transistor bipolaire: Matériau semi
semi‐conducteur
conducteur utilisé.
 Applications:
 Amplificateur de courant
 Régulateur de tension
 Modulation du signal
39
Dr. Ndiaye Césaire
Cellules photovoltaïques
Les semi‐conducteurs peuvent être utilisés pour transformer la lumière en

électricité
Applications
Panneaux
solaires pour
énergies
énergies
renouvelables
40
Dr. Ndiaye Césaire
CONCLUSION
Questions ?
41
Dr. Ndiaye Césaire

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Différents domaines d’application

 les capteurs : la plupart des capteurs génèrent des signaux analogiques

 les circuits dʹinstrumentation : les chaînes dʹacquisition permettent le

 les filtres : filtrage analogique beaucoup utilisé lorsque les filtres

 les circuits dʹamplification électronique : permettent la mise en forme

Différents domaines d’application

 les actionneurs : utilisation des signaux

 les convertisseurs : existence de systèmes

 les oscillateurs : circuits g

 la transmission sonore sans fil : la transmission analogique ne génère

 Pas de frontière bien définie entre l’électronique analogique et l’électronique

 Deux branches de l‘électronique utilisant les mêmes composants, les transistors

 La différence essentielle porte sur la forme des signaux véhiculés:

Donner une vision des fonctions simples de ll’électronique

 L’électronique permet de transformer des signaux:

 Acquisition d’un signal

 Présenter l’interaction de l’électronique avec les autres domaines utiles

Pré‐requis ‐ Rappels sur les lois et théorèmes des circuits

Chapitre III‐ Les transistors

Chapitre IV‐ L’Amplificateur opérationnel

Le modèle classique a été remplacé par le modèle quantique des bandes

 bande de conduction: bande d’énergie

Configuration électronique du Si : 1s2 2 2s2 2 2p6 3s2 2 3p2

 Influence d’un apport d’énergie sur un atome

 Influence d’un apport d’énergie sur une

 En l’absence d’un champ p électrique,

Pour les électrons : Pour les trous :

 Comprendre le comportement des semi‐conducteurs étudier les

 Donc réaliser un bilan électronique

Pour ce faire, introduire la notion de densité dʹétats énergétique N(E).

 Dès que la température s’élève

 La densité des électrons de conduction n, est égale à la densité des trous p

Semi‐conducteur extrinsèque = semi‐conducteur intrinsèque dopé par des

Les différents dopages

Mouvement de trous dʹun atome vers un autre un courant électrique

Jonction p‐n : mise en contact dʹune surface de cristal de semi‐conducteur

 Polarisation dʹune jonction: branchement dʹun générateur de tension de

 Possibilité de relier la borne + du générateur à la zone P et la borne ‐ à la

 Mais le nombre de trous dans la zone P est limité et il nʹexiste pas de

Finalement, aucun courant ne circule dans le circuit lorsquʹil est

 La barrière de potentiel devient

 la zone de transition devient p

 le courant de diffusion Id devient

A la jonction, les trous et les électrons se combinent et disparaissent.

 De la même façon, les trous de la zone P qui disparaissent sont

 Il existe finalement un flux continu des chargesg dans le circuit : un

 la zone de transition diminue,

LEDs : Produire un rayonnement monochromatique

Les semi‐conducteurs peuvent être utilisés pour transformer la lumière en

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