REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE

SCIENTIFIQUE

ECOLE SUPERIEURE DES SCIENCES APPLIQUEES -ALGER-

1ère Année électrotechnique

Compte rendu du TP1 : Caractéristique d’une diode

Electronique analogique

Réalisé par :

BOULANOUAR Sarra

Année Universitaire 2020/2021 Professeur : A.GUELLAL

INTRODUCTION :
Une Diode est un composant électronique autorisant le passage d’un courant électrique dans un
seul sens. Les diodes sont utilisées pour le redressement et la détection d’un courant.

Aujourd’hui, les diodes les plus courantes sont à semi-conducteur, généralement au germanium ou
au silicium. Ce type de diode autorise le passage du courant de la zone P vers la zone N.

Une diode Zener est une diode au silicium qui présente à ses bornes une tension indépendante du
courant qui la traverse. C’est pourquoi elle est utilisée comme stabilisateur de tension.

La caractéristique de la diode est le graphe de la fonction qui relie ses deux grandeurs électriques ;
sa tension et son courant.

OBJECTIF DE CE TP :

Le but du TP est l’utilisation du logiciel de simulation Multisim, développé par la société NI

(National Instruments), pour comprendre le fonctionnement de différents types de diode (diode
au silicium, diode Zener). Dans ce TP on va tracer la courbe ID=f(VD) pour chaque type diode dans
les deux sens (direct et inverse) et déterminer leurs caractéristiques les plus importants.

Simulation 1 : Diode normale de type 1N4002G et 1N4148 :

a- Equipements et Composants utilisés :

- Une source d’alimentation continue

- Deux multimètres
- Une résistance de 1 kOhm
- Deux diodes : 1N4002G et 1N4148.

b- Polarisation en direct et en inverse de la diode IN4002G :

b-1)les résultats sous forme d’un tableau :

E VD [ V ] ID[ A ]
1 503.245*10-3 496.755 * 10-6
3 578.451*10-3 2.422 *10-3
4 594.662*10-3 3.405 *10-3
5 606.783*10-3 4.393 *10-3
 6 616.465*10-3 5.384 *10-3
7 624.527*10-3 6.375 *10-3
10 642.847*10-3 9.357 *10-3
15 663.29*10-3 14.337 *10-3
20 677.651*10-3 19.322 *10-3
25 688.751*10-3 24.311 *10-3
b-2-les résultats sous forme d’un tableau ( polarisation de la diode en inverse) :

E VD [V] ID[ A ]

1 -999.987 *10-3 -13.245 *10-9

3 -3 -15.232*10-9
4 -4 -16.254*10-9
5 -5 -17.231*10-9
6 -6 -18.208*10-9
7 -7 -19.185*10-9
10 -10 -22.204*10-9
15 -15 -27.178*10-9
20 -20 -32.33*10-9
25 -25 -36.948*10-9

c- Polarisation en direct et en inverse pour la diode 1N4148 :

c-1- les résultats sous forme d’un tableau :

E VD[ V ] ID[ A ]
1 547.147*10-3 452.853*10-6
2

3 621.758*10-3 2.378*10-3
4 632.338*10-3 3.368*10-3
5 640.601*10-3 4.359*10-3
6 647.498*10-3 5.353*10-3
7 653.494*10-3 6.347*10-3
10 668.241*10-3 9.332*10-3
15 687.274*10-3 14.313*10-3
20 702.977*10-3 19.297*10-3
25 716.899*10-3 24.283*10-3
c-2-les résultats sous forme d’un tableau (polarisation de la diode en inverse) :

E VD[ V ] ID[ A ]
1 -999.999*10-3 -1.01*10-9
3 -3 -3.02*10-9
4 -4 -4.041*10-9
5 -5 -5.063*10-9
 6 -6 -6.04*10-9

7 -7 -7.017*10-9
10 -10 -10.125*10-9
15 -15 -14.921*10-9
20 -20 -20.25*10-9
25 -25 -24.869*10-9
L’interprétation des résultats obtenus :

En polarisation inverse, la diode ne conduit pas. Mais un très faible courant appelé courant inverse
(Reverse) noté II,ou IRcircule. Ce courant entre par la cathode (pôle négatif) et est sort par l’anode
(pôle positif).

En polarisation directe, la diode conduit quand la tension appliquée à se bornes devient

supérieure ou égale à la tension seuil qui est la barrière de potentiel. Le courant qui traverse la
diode est appelé courant directe (Forward) noté Id. ou IF. Ce courant entre par l’anode (pôle positif)
est sort par la cathode (pôle négatif).

Dans notre cas plus que VD augmente ID augmente ,en polarisation directe , et en polarisation
inverse plus que VD diminue plus que ID diminue aussi , sotn negatifs tous les deux.

d- Caractéristiques :

la caractéristique ID= f(VD) pour chaque diode :

La diode 1N4002G en direct :

Pour la diode 1N4002G en inverse :

La diode 1N4148 en direct :

Pour la diode 1N4148 en inverse :
Déterminer la tension de seuil et la résistance dynamique pour chaque diode.
La tension de seuil de la diode 1N4002G est : 0.6 V.

La tension de seuil de la diode 1N4148 est : 0.63 V.

Comparaison :

On a trouvè que la tension de seuil est approximativement 0,6 ce qui fait qui est presque la même
que celle du fabricant de difference de 0,07 a 1 . c’est une légère différence .

3- Simulation 2 : Diode Zener de type 1N751A et 1N759A

a- Equipements et Composants utilisés :

- Une source d’alimentation continue

- Deux multimètres
- Une résistance de 1 kOhm
- Deux diodes : 1N751A et 1N759A.
 Polarisation en direct et en inverse :
1- les résultats sous forme d’un tableau :

E VDZ[ V ] IDZ[ A ]
1 717.696*10-3 282.304*10-6
3 772.131*10-3 2.228*10-3
4 782.152*10-3 3.218*10-3
5 789.618*10-3 4.21*10-3
6 795.613*10-3 5.204*10-3
7 800.651*10-3 6.199*10-3
10 812.37*10-3 9.188*10-3
15 826.158*10-3 14.174*10-3
20 836.535*10-3 19.163*10-3
25 845.1*10-3 24.155*10-3
2-les résultats sous forme d’un tableau (polarisation de la diode en inverse) :

E VDZ[ V ] IDZ[ A ]
1 -999.999*10-3 -1.01*10-9
3 -3 -3.02*10-9
4 -4 -4.041*10-9
5 -4.94 -60.398*10-9
6 -5.012 -987.643*10-6
7 -5.031 -1.969 *10-3
10 -5.056 -4.944 *10-3
15 -5.077 -9.923*10-3
20 -5.09 -14.91*10-3
25 -5.1 -19.9*10-3

c- Polarisation de la diode 1N759A :

les résultats sous forme d’un tableau :

E VDZ[ V ] IDZ[ A ]
1 717.696*10-3 282.304*10-6
3 772.131*10-3 2.228*10-3
4 782.152*10-3 3.218*10-3
5 789.618*10-3 4.21*10-3
6 795.613*10-3 5.204*10-3
7 800.651*10-3 6.199*10-3
10 812.37*10-3 9.188*10-3
15 826.158*10-3 14.174*10-3
20 836.535*10-3 19.163*10-3
25 845.1*10-3 24.155*10-3
2-les résultats sous forme d’un tableau (polarisation de la diode en inverse) :

E VDZ[ V ] IDZ[ A ]
1 -999.999*10-3 -1.01*10-9
3 -3 -3.02*10-9
4 -4 -4.041*10-9
5 -5 -5.063*10-9
 10 -10 -10.125*10-9
15 -11.943 -3.057*10-9
20 -11.97 -8.03*10-3
25 -11.985 -13.015*10-3

L’interprétation des résultats obtenus :

La diode Zener se comporte exactement comme une diode normale en polarisation directe.

La diode Zener conduit en polarisation inverse en maintenant une tension fixe à ses bornes

Dans notre cas plus que VDz augmente IDz augmente ,en polarisation directe , et en polarisation
inverse plus que VDz diminue plus que IDz diminue aussi , sont négatifs tous les deux.

d- Caractéristiques :

Caractéristiques IDZ= f(VDZ) pour chaque diode :

diode 1N571A en direct :

la diode 1N571A en inverse :

La diode 1N579A en direct :
la diode 1N579A en inverse :
La tension Zener pour chaque diode :

La tension Zener pour la diode 1N751A est : 0.78 V

La tension Zener pour la diode 1N759A est : 0.78 V

Comparaison les résultats donnés par le fabricant avec ceux obtenus par simulation :

Les resultats de simulation sont tres proches que celui du fabricants.

CONCLUSION :

La diode Zener est maintient à ses bornes une tension presque constante en dépit des variations du
courant qui la traverse .

Dans le sens direct, cette diode conduit comme une diode classique ; dans le sens inverse,
le courant reste nul jusqu’à la tension dite de claquage qui présente un coude de tension inverse très
net, suivi d’une croissance verticale du courant. La tension est presque constante, c’est la tension
Zener .