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: (8pts)
Au cours d’une séance de TP un groupe d’élèves du lycée scientifique de Lomé se confrontent à deux
circuits (a) et (b). Le circuit (a) est un transistor au germanium de résistance RC et RB qui valent
respectivement 1,5 et 470 kΩ, de gain en courant β = 100.Le transistor de tension UBE = 0,1V est alimenté
par un générateur de tension Uo = 6V.
Le circuit (b) est constitué d’un générateur parcouru par un courant d’intensité I de f.e.m E et de résistance r.
le circuit possède les résistances R1, R2, R3
Consigne 1 : Le groupe d’élèves te sollicite pour calculer le courant de la base, du collecteur et la tension
(Collecteur-Emetteur) pour le circuit (a)
Consigne 2 : Aide le groupe à donner l’expression équivalente de RAB ; exprimer UAB en fonction de I, r, E ;
et en déduire I en fonction de E, r et RAB
Exercice 2: (8pts)
A.
1. Enoncer la règle de l’Octet. (0,5pt)
2. Donner la représentation de Lewis des molécules suivants : H2O et NH3 (0,5pt)
3. Donner la composition en ions des composés suivants (0,25pt x 3)
-Sulfate de cuivre
-Fluorure d’Aluminium
-Carbonate de sodium
4. Complète le tableau ci-dessous (1,5pt)
Exercice 3 (4pts)
1- Sans recopier le tableau, relie chaque grandeur à son unité. Exemple (5-a) (1pt)
GRANDEURS UNITES
1-Tension maximale Um
2- Période T a- Seconde (s)
3- Tension efficace Ueff b- Volt (V)
4- Fréquence N c- Ampèremètre
d- Hertz
e- Coulomb
a- Trace la caractéristique U=f(I) du dipôle. Echelle : 1cm pour 1V et 1cm pour 50mA (1,5pt)
b- Donne la nature du dipôle étudiée. Justifiée (1,5pt)