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GUEYE
𝑽𝑺 = 𝜺 × 𝑨(𝒑)
𝜺 = 𝑽𝒆 − 𝑩(𝒑) × 𝑽𝒔
(𝟏 + 𝑨(𝒑) × 𝑩(𝒑))𝑽𝒔 = 𝟎
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ENSETP/TI/ELEC ELECTRONIQUE-HYPERFREQUENCE M. GUEYE
𝒔𝒐𝒊𝒕 𝒑 = 𝒋𝝎
La première condition
‖𝑨(𝒋𝝎). 𝑩(𝒋𝝎)‖ = 𝟏
donne une information sur la pulsation d’oscillation (les imaginaires sont nuls)
Remarque :
- L’amplitude des oscillations est limitée par la saturation des composants.
- Dans la pratique la condition d’accrochage est obtenue pour
‖𝑨(𝒋𝝎). 𝑩(𝒋𝝎)‖ = 𝟏
légèrement supérieur à 1
Remarque :
Pour que l’oscillation puisse démarrer, il faut avoir, au moment de la mise sous tension de
l’oscillateur, une amplification un peu supérieure à l’atténuation du quadripôle de réaction
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ENSETP/TI/ELEC ELECTRONIQUE-HYPERFREQUENCE M. GUEYE
Chaîne directe :
𝑺(𝒑) 𝑹𝟐
𝑨(𝒑) = =𝟏+
𝑬(𝒑) 𝑹𝟏
Chaine de retour
𝑽(𝒑) 𝒁𝟐
𝑩(𝒑) = =
𝑺(𝒑) 𝒁𝟏 + 𝒁𝟐
𝟏 + 𝑹𝑪𝒑 𝑹
𝒐𝒖 𝒁𝟏 = 𝒆𝒕 𝒁𝟐 =
𝑹𝑪𝒑 𝟏 + 𝑹𝑪𝒑
𝑹𝑪𝒑
𝑩(𝒑) =
𝟏 + 𝟑𝑹𝑪𝒑 + (𝑹𝑪𝒑)𝟐
Condition d’oscillation : on ferme l’interrupteur K, alors V(p) = E(p)
𝑹𝟐 𝟏
𝟏+ = 𝟑 + 𝑹𝑪𝒑 +
𝑹𝟏 𝑹𝑪𝒑
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𝑹𝟐 𝟏 𝑹𝟐 𝟏
𝟏+ = 𝟑 + 𝒋 [𝑹𝑪𝝎 − ]→𝟏+ = 𝟑 𝒆𝒕 𝑹𝑪𝝎 − =𝟎
𝑹𝟏 𝑹𝑪𝝎 𝑹𝟏 𝑹𝑪𝝎
𝟏 𝟏
𝑹𝟐 = 𝟐𝑹𝟏 , 𝝎𝒐𝒔𝒄 = , 𝒇𝒐𝒔𝒄 =
𝑹𝑪 𝟐𝝅𝑹𝑪
On trouve à la sortie un signal s(t) quasi sinusoïdal (presque sinusoïdal),de fréquence fosc, à
condition que R2 ≥ 2R1.
Chaîne directe :
𝑺(𝒑) 𝑹𝟐
𝑨(𝒑) = =−
𝑬(𝒑) 𝑹𝟏
Chaine de retour
𝟏 𝑺(𝒑) 𝟔 𝟓 𝟏
= =𝟏+ + +
𝑩(𝒑) 𝑽(𝒑) 𝑹𝑪𝒑 (𝑹𝑪𝒑)𝟐 (𝑹𝑪𝒑)𝟑
Condition d’oscillation : on ferme l’interrupteur K, alors V(p) = E(p)
𝑺(𝒑) 𝑬(𝒑) 𝟏
𝑨(𝒑). 𝑩(𝒑) = . = 𝟏 → 𝑨(𝒑) =
𝑬(𝒑) 𝑺(𝒑) 𝑩(𝒑)
𝑹𝟐 𝟔 𝟓 𝟏
− =𝟏+ + +
𝑹𝟏 𝑹𝑪𝒑 (𝑹𝑪𝒑)𝟐 (𝑹𝑪𝒑)𝟑
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𝑹𝟐 𝟓 𝟔 𝟏
− =𝟏− + 𝒋 [− + ]
𝑹𝟏 (𝑹𝑪𝝎)𝟐 𝑹𝑪𝝎 (𝑹𝑪𝝎)𝟑
𝑹𝟐 𝟓 𝟔 𝟏
− =𝟏− 𝒆𝒕 − + =𝟎
𝑹𝟏 (𝑹𝑪𝝎)𝟐 𝑹𝑪𝝎 (𝑹𝑪𝝎)𝟑
𝟏 𝑹𝟐
(𝑹𝑪𝝎)𝟐 = →− = 𝟏 − 𝟓 × 𝟔 = −𝟐𝟗
𝟔 𝑹𝟏
𝟏 𝟏
𝑹𝟐 = 𝟐𝟗𝑹𝟏 , 𝝎𝒐𝒔𝒄 = 𝒇𝒐𝒔𝒄 =
𝑹𝑪√𝟔 𝟐𝝅𝑹𝑪√𝟔
On trouve à la sortie un signal s(t) quasi sinusoïdal (presque sinusoïdal), de fréquence fosc , à
condition que : R2 ≥ 29R1 .
Chaîne directe
𝑺′(𝒑) 𝑹𝟐 𝑺(𝒑) 𝒁
𝑨(𝒑) = =𝟏+ 𝒆𝒕 =
𝑬(𝒑) 𝑹𝟏 𝑺′(𝒑) 𝑹 + 𝒁
𝟏 𝒍𝒑 𝑪𝟏 𝑪𝟐
𝐙 = 𝒍𝒑// = 𝒆𝒕 𝑪𝒆 =
𝑪𝒆 𝒑 𝟏 + 𝒍𝑪𝒆 𝒑𝟐 𝑪𝟏 + 𝑪𝟐
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𝑺(𝒑) 𝑹𝟐 𝒁
𝑨(𝒑) = = (𝟏 + ) ( )
𝑬(𝒑) 𝑹𝟏 𝑹 + 𝒁
𝑹𝟐 𝒍𝒑
𝑨(𝒑) = (𝟏 + )( )
𝑹𝟏 𝒍𝒑 + 𝑹(𝟏 + 𝒍𝑪𝒆 𝒑𝟐 )
𝑹𝟐 𝟏
𝑨(𝒑) = (𝟏 + )( )
𝑹𝟏 𝟏 + 𝑹(𝑪𝒆 𝒑 + 𝟏/𝒍𝒑)
Chaine de retour
𝑪𝟏 𝒑 𝑽(𝒑) 𝑪𝟏 𝑪𝒆
𝑽(𝒑) = 𝑺(𝒑) → 𝑩(𝒑) = = =
𝑪𝟏 𝒑 + 𝑪𝟐 𝒑 𝑺(𝒑) 𝑪𝟏 + 𝑪𝟐 𝑪𝟐
𝑪𝟏 𝑪𝟐
𝒐𝒖 𝑪𝒆 =
𝑪𝟏 + 𝑪𝟐
Condition d’oscillation : on ferme l’interrupteur K, alors V(p) = E(p)
𝑺(𝒑). 𝑽(𝒑) 𝑪𝒆 𝑹𝟐 𝟏
𝑨(𝒑). 𝑩(𝒑) = = 𝟏 → [ ] (𝟏 + ) ( )=𝟏
𝑬(𝒑). 𝑺(𝒑) 𝑪𝟐 𝑹𝟏 𝟏 + 𝑹(𝑪𝒆 𝒑 + 𝟏/𝒍𝒑)
𝑪𝒆 𝑹𝟐 𝟏 𝟏
[ ] (𝟏 + ) = 𝟏 + 𝑹 (𝑪𝒆 𝒑 + ) = 𝟏 + 𝒋𝑹 (𝑪𝒆 𝝎 − )
𝑪𝟐 𝑹𝟏 𝒍𝒑 𝒍𝝎
𝑪𝒆 𝑹𝟐 𝟏
[ ] (𝟏 + ) = 𝟏 𝒆𝒕 𝑹 (𝑪𝒆 𝝎 − ) = 𝟎
𝑪𝟐 𝑹𝟏 𝒍𝝎
𝑹𝟐 𝑪𝟐 𝑪𝟐
𝟏+ = = 𝟏+ 𝒆𝒕 𝒍𝑪𝒆 𝝎𝟐 = 𝟏
𝑹𝟏 𝑪𝒆 𝑪𝟏
𝑹𝟐 𝑪𝟐 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
= , 𝝎𝒐𝒔𝒄 = = √ ( + ) , 𝒇𝒐𝒔𝒄 =
𝑹𝟏 𝑪𝒆 √𝒍𝑪𝒆 𝒍 𝑪𝟏 𝑪𝟐 𝟐𝝅√𝒍𝑪𝒆
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𝑹𝟐 𝑪𝟐
Dans la pratique l’oscillation sinusoïdale prend naissance lorsque >
𝑹𝟏 𝑪𝒆
Une autre variante de l’oscillateur Colpitts utilisant un transistor à effet de champ représenté
par sa pente en source commune s (𝜌 est infinie). Les capacités de liaisons CS et Ce sont
supposées des courts-circuits à la fréquence d’oscillation.
Rappels :
Ce schéma, comme pour le transistor bipolaire, concerne un composant convenablement
polarisé : le fonctionnement se fera dans la zone de pincement. On construit le schéma
équivalent de la même manière que pour le transistor bipolaire.
Le schéma figure 6 est celui relatif au FET canal N. L'entrée se fait sur la grille. On note
un trou entre grille et source : l'impédance grille-source est très élevée, on la considère en
première approximation comme infinie. En sortie, on retrouve les mêmes éléments que pour le
transistor bipolaire : une source de courant (commandée par la tension VGS , et non par un
courant), et sa résistance parallèle 𝝆. Comme pour le transistor bipolaire, cette résistance est
très élevée (plusieurs centaines de kΩ), et on la négligera dans toutes les applications courantes.
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𝒁𝟏
𝑽𝑮𝑺 = −𝒁𝟑 𝒔𝑽 → −𝒔𝒁𝟏 𝒁𝟑 = 𝒁𝟏 + 𝒁𝟐 + 𝒁𝟑
𝒁𝟏 + 𝒁𝟐 + 𝒁𝟑 𝑮𝑺
𝑹𝑫
𝒐ù 𝒁𝟏 = 𝒆𝒕 𝒁𝟐 = 𝒍𝒑
𝟏 + 𝑪𝑹𝑫 𝒑
𝑹𝑮 𝑹𝑫 𝑹𝑮
𝒁𝟑 = 𝒅′ 𝒐ù − 𝒔 .
𝟏 + 𝑪𝑹𝑮 𝒑 𝟏 + 𝑪𝑹𝑫 𝒑 𝟏 + 𝑪𝑹𝑮 𝒑
𝑹𝑫 𝑹𝑮
= 𝒍𝒑 + +
𝟏 + 𝑪𝑹𝑫 𝒑 𝟏 + 𝑪𝑹𝑮 𝒑
𝟐 𝟏
𝒍 + 𝟐𝑪𝑹𝑫 𝑹𝑮 − 𝒍𝑪𝟐 𝑹𝑫 𝑹𝑮 𝝎𝟐 = 𝟎 → 𝝎𝟐 = + 𝟐
𝑪𝒍 𝑪 𝑹𝑫 𝑹𝑮
𝟏 𝟏 𝟐 𝟏
−𝒔 = ( + ) (𝟏 − 𝒍𝑪 ( + 𝟐 ))
𝑹𝑫 𝑹𝑮 𝒍𝑪 𝑪 𝑹𝑫 𝑹𝑮
𝟏 𝟏 𝟏
𝒔=( + ) (𝟏 + )
𝑹𝑫 𝑹𝑮 𝑪𝑹𝑫 𝑹𝑮
𝟐 𝟏 𝟏 𝟐 𝟏
𝝎𝟐 𝒐𝒔𝒄 = + 𝟐 → 𝒇𝟐 𝒐𝒔𝒄 = .( + 𝟐 )
𝒍𝑪 𝑪 𝑹𝑫 𝑹𝑮 𝟐𝝅 𝒍𝑪 𝑪 𝑹𝑫 𝑹𝑮
𝟏 𝟐 𝟏
𝑺𝒊 𝑹𝑮 → ∞ 𝒐𝒏 é𝒄𝒓𝒊𝒕 𝒔 ≈ , 𝝎𝟐 𝒐𝒔𝒄 ≈ , 𝒇𝟐 𝒐𝒔𝒄 =
𝑹𝑫 𝒍𝑪 𝑪𝒍𝝅
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𝑺(𝒑) 𝑹𝟐 𝑺(𝒑) 𝒁
=𝟏+ 𝒆𝒕 =
𝑬(𝒑) 𝑹𝟏 𝑬(𝒑) 𝑹 + 𝒁
𝟏 𝟏 𝑪𝟏 𝑪𝟐
𝐙 = (𝒍𝒑 + ) // 𝒆𝒕 𝑪𝒆 =
𝑪𝒑 𝑪𝒆 𝒑 𝑪𝟏 + 𝑪𝟐
𝟏
𝒍𝒑 + 𝟏
𝑪𝒑
𝒁= =
𝟏 𝟏
𝟏 + 𝑪𝒆 𝒑 (𝒍𝒑 + 𝑪𝒆 𝒑 +
𝑪𝒑) 𝟏
𝒍𝒑 +
𝑪𝒑
𝑺(𝒑) 𝟏
𝒅′ 𝒐ù =
𝑬(𝒑)
𝟏
𝟏 + 𝑹 (𝑪𝒆 𝒑 + 𝟏)
𝒍𝒑 +
𝑪𝒑
𝑹𝟐
𝑺(𝒑) 𝑹𝟐 𝒁 𝟏+
𝑹𝟏
𝑨(𝒑) = = (𝟏 + ) ( )=
𝑬(𝒑) 𝑹𝟏 𝑹 + 𝒁
𝟏
𝟏 + 𝑹 (𝑪𝒆 𝒑 + 𝟏)
𝒍𝒑 +
𝑪𝒑
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Chaîne de retour :
𝑪𝟏 𝒑 𝑽(𝒑) 𝑪𝟏 𝑪𝒆
𝑽(𝒑) = 𝑺(𝒑) → 𝑩(𝒑) = = =
𝑪𝟏 𝒑 + 𝑪𝟐 𝒑 𝑺(𝒑) 𝑪𝟏 + 𝑪𝟐 𝑪𝟐
Où
𝑪𝟏 𝑪𝟐
𝑪𝒆 =
𝑪𝟏 + 𝑪𝟐
𝑪 𝑹
𝑺(𝒑) 𝑽(𝒑) (𝑪𝒆 ) (𝟏 + 𝑹𝟐 )
𝟐 𝟏
( ) ( )
𝑨 𝒑 𝑩 𝒑 = . =𝟏→ =𝟏
𝑬(𝒑) 𝑺(𝒑)
𝟏
𝟏 + 𝑹 (𝑪𝒆 𝒑 + 𝟏)
𝒍𝒑 +
𝑪𝒑
𝑪𝒆 𝑹𝟐 𝟏 𝟏
( ) (𝟏 + ) = 𝟏 + 𝑹 (𝑪𝒆 𝒑 + ) = 𝟏 + 𝒋𝑹 (𝑪𝒆 𝝎 − )
𝑪𝟐 𝑹𝟏 𝟏 𝟏
𝒍𝒑 + 𝒍𝝎 −
𝑪𝒑 𝑪𝝎
𝑪𝒆 𝑹𝟐 𝟏
( ) (𝟏 + ) = 𝟏 𝒆𝒕 𝑹 (𝑪𝒆 𝝎 − )=𝟎
𝑪𝟐 𝑹𝟏 𝟏
𝒍𝝎 +
𝑪𝝎
D’où
𝑪𝟐 𝑹𝟐 𝑪𝟐 𝟏
=𝟏+ = 𝟏+ 𝒆𝒕 𝑪𝒆 𝝎 (𝒍𝝎 − )=𝟏
𝑪𝒆 𝑹𝟏 𝑪𝟏 𝑪𝝎
𝑪𝟐 𝑹𝟐 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
= , 𝝎𝒐𝒔𝒄 = √ ( + ) = √ ( + + ),
𝑪𝟏 𝑹𝟏 𝒍 𝑪𝒆 𝑪 𝒍 𝑪𝟏 𝑪𝟐 𝑪
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝒇𝒐𝒔𝒄 = √ ( + + )
𝟐𝝅 𝒍 𝑪𝟏 𝑪𝟐 𝑪
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Dans la pratique un cristal de quartz monté entre deux armatures métalliques, formant un
condensateur plan de capacité C0. Le dipôle L-C série rend compte de la résonance mécanique
du cristal. L’impédance équivalente du quartz s’écrit :
𝟏 𝟏
( ) (𝒍𝒑 +
𝟏 𝟏 𝑪𝟎 𝒑 𝑪𝒑)
𝒁=( ) //(𝒍𝒑 + ) =
𝑪𝟎 𝒑 𝑪𝒑 𝟏 𝟏
𝒍𝒑 + +
𝑪𝟎 𝒑 𝑪𝒑
𝟏
𝟏 𝟏+
𝒍𝑪𝒑𝟐
𝒁=( )( )
𝑪𝟎 𝒑 𝟏 + 𝟏 ( 𝟏 + 𝟏)
𝒍𝒑𝟐 𝑪𝟎 𝑪
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On pose
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
𝝎𝟐𝑺 = 𝒆𝒕 𝝎𝟐𝒑 = ( + ) 𝒆𝒕 𝒐𝒏 𝒂: 𝒑 = 𝒋𝝎
𝒍𝑪 𝒍 𝑪𝟎 𝑪
𝝎𝟐𝑺 𝝎𝟐𝑺
𝟏 𝟏 − 𝝎𝟐 ′
𝟏 𝟏 − 𝝎𝟐
𝒁 = −𝒋 . = 𝒋𝑿 𝒅 𝒐ù 𝑿 = − .
𝑪𝟎 𝝎 𝝎𝟐𝒑 𝑪𝟎 𝝎 𝝎𝟐𝒑
𝟏− 𝟐 𝟏− 𝟐
𝝎 𝝎
Comme la capacité C0 est beaucoup plus élevée que la capacité C, l’écart relatif entre 𝜔𝑆 et 𝜔𝑝
est alors très faible et on a 𝜔𝑝 > 𝜔𝑆 .
Le graphe de la figure 8 donnant la réponse en fréquence X = f(𝜔), montre que :
- Le quartz se comporte comme un circuit capacitif dans les intervalles [0, 𝜔𝑆 ] et [𝜔𝑝 , +∞]
puisque X< 0
- Dans la bande étroite de fréquence ∆𝑓 = 𝑓𝑝 − 𝑓𝑆 , le quartz est inductif (X>0), sa réactance
variant très rapidement de zéro à une valeur très élevée, c’est dans ces conditions que les
quartz sont utilisés pour stabiliser la fréquence d’auto – oscillateurs.
- Pour 𝜔 = 𝜔𝑆 la réactance X est nulle, le quartz est équivalent à un circuit résonant série et
pour 𝜔 = 𝜔𝑝 , la réactance X est infinie, le quartz est alors équivalent à un circuit bouchon.
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𝜔𝑝 𝑓𝑝 𝐶 𝐶 2
= = (1 + ) ≈ 1 +
𝜔𝑆 𝑓𝑆 𝐶0 2𝐶0
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La stabilité de la fréquence peut être également obtenue par synchronisation des oscillateurs sur
des résonateurs piézoélectriques étalons tel que le quartz comme nous l’avons déjà vue dans la
section , qui fonctionne dans sa zone inductif délimitée par deux fréquences formants une
bande étroite : fs fréquence de résonance série et fp fréquence de résonance parallèle,
correspondant successivement à l’état très basse impédance et l’état très haute impédance du
quartz.
3-2 Stabilité de l’amplitude
La variation de la température se traduit souvent par un écrêtage du signal fournit par
l’oscillateur puisque son amplitude est limitée par la saturation de l’amplificateur de la chaîne
directe. Pour éviter ce genre d’inconvénients, on introduit généralement dans le système bouclé,
un dispositif qui permet de faire varier le gain soit de la chaîne directe soit de la chaîne de
retour, en fonction de la température ou de l’amplitude du signal de sortie. Cette opération est
appelée contrôle automatique du gain "CAG".
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