UNIVERSITE D’ORAN 1 1ère ANNEE LMD

FACULTE DES SCIENCES EXACTES ET APPLIQUEES PHYSIQUE 2-ELECTRICITE-

DOMAINE SCIENCES ET TECHNIQUES

Fiche de TD 3: Champ et potentiel électriques créés par des distributions de

charges

Exercice 1 :
𝑌
I) Soit un fil, assimilé à un segment de droite de longueur 𝐿 porté par l’axe
(𝑂𝑌), uniformément chargé avec une densité linéique 𝜆 > 0 (voir figure
ci-contre). 𝑗⃗
𝑖⃗ 𝛼 𝑋
1)- Calculer, en fonction de 𝛼 et 𝑥, le champ électrique créé par ce fil en un 𝑋′ 𝑂 𝑀
point 𝑀 de l’axe (𝑂𝑋) tel que 𝑂𝑀 = 𝑥 > 0. 𝑌 ′

II) Soit un fil AB limité porte une distribution R

continue de charge dont la densité  est A
O
C D B
uniforme (  >0); sachant que OA=OB=L
1)- Calculer la charge totale du fil en fonction de
L, R et 
2)- Calculer le champ électrique an point O

M
Exercice 2:
Un disque circulaire d'épaisseur négligeable limité par deux
cercles de rayons 𝑅1 et 𝑅2 (𝑅2 >𝑅1 ) porte une densité
superficielle constante 
1)- Calculer le champ électrique créé par cette distribution de
charges au point M(O,O,Z)
2)- Que devient cette expression lorsque R1tend vers zéro ?
Tracer la courbe E(z)=f(z). Que pouvez vous conclure pour E(0)

Exercice 3 :
Soit un disque de rayon R, de centre O, de densité surfacique variant selon l’équation :
A
 où A est une constante.
R r
2 2

1)- Calculer le potentiel V(0) au centre du disque O en fonction de R et  0 (densité surfacique au

point O)
2)- Calculer la charge Q du disque en fonction de V(0)
3)- Refaire les calculs si  =constante.

Exercice 4:
Soit une demi sphère de centre O, d’axe oz, et de rayon R chargée avec une densité constante 
1)- Trouver l’expression du potentiel en tout point de l’axe oz (z >0)
2)- En déduire l’expression du champ E en ce point
3)- Quelles sont les valeurs du potentiel et du champ au point O.
S.MEBARKI
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Fiche de TD 3: Champ et potentiel électriques créés par des distributions de

charges
Corrigé
Exercice 1 :
𝑌
I) On décompose le fil en petits segments de longueur 𝑑𝑦 portant
chacun une charge 𝑑𝑞 = 𝜆𝑑𝑙 = 𝜆𝑑𝑦
La densité de charge linéique 𝜆 est positive, ainsi, le champ est dirigé 𝑃
vers l’extérieur 𝑗⃗ 𝜃 𝛼
𝑋 ′ 𝑋
Le champ électrostatique ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐸𝑀 crée au point M par la charge 𝑂 𝑖⃗ 𝑀
élémentaire 𝑑𝑞 = 𝜆𝑑𝑦 située au point 𝑃, tel que ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑃𝑀 = 𝑟𝑢 ⃗⃗ 𝑌′ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐸𝑀
1 𝑑𝑞
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐸 𝑀 = ⃗⃗
𝑢
4𝜋𝜀0 𝑟 2

Les projections suivant (𝑂𝑋) et (𝑂𝑌) donnent :

1 𝜆𝑑𝑦
𝑑𝐸𝑥 = + cos 𝜃
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 4𝜋𝜀0 𝑟 2
𝑑𝐸𝑀
1 𝜆𝑑𝑦
𝑑𝐸𝑦 = − sin 𝜃
[ 4𝜋𝜀0 𝑟 2
On fait un changement de variables :
𝑦 𝑥𝑑𝜃
tan 𝜃 = 𝑥 ⟹ 𝑦 = 𝑥 tan 𝜃 et 𝑑𝑦 = cos2 𝜃
En injectant dans les composantes du champ, on a :
1 𝜆 𝑐𝑜𝑠 𝜃
𝑑𝐸𝑥 = 𝑑𝜃
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 4𝜋𝜀0 𝑥
𝑑𝐸𝑀
1 𝜆 𝑠𝑖𝑛 𝜃
𝑑𝐸𝑦 = − 𝑑𝜃
[ 4𝜋𝜀0 𝑥
On intègre de 0 à 𝛼
1 𝜆 α 1 𝜆
𝐸𝑥 = ∫ cos 𝜃 𝑑𝜃 𝐸𝑥 = sin 𝛼
4𝜋𝜀0 𝑥 0 4𝜋𝜀0 𝑥
⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝐸𝑀 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
⟹ 𝐸𝑀
1 𝜆 α 1 𝜆
𝐸𝑦 = − ∫ sin 𝜃 𝑑𝜃 𝐸𝑦 = − (1 − cos 𝛼)
[ 4𝜋𝜀0 𝑥 0 [ 4𝜋𝜀0 𝑥
𝑥 𝐿
Avec : cos 𝛼 = √𝑥 2 et 𝑠𝑖𝑛 𝛼 = √𝑥 2
+𝐿2 +𝐿2
II)1)- La charge totale du fil est : 𝑞 = 𝑞𝐴𝐶 + 𝑞𝐶𝐷 + 𝑞𝐷𝐵
Avec : 𝑑𝑞 = 𝜆𝑑𝑙
𝐶
𝑞𝐴𝐶 = 𝜆 ∫ 𝑑𝑙 = 𝜆(𝐿 − 𝑅)
𝐴
𝐷 𝜋𝑅
𝑞𝐶𝐷 = 𝜆 ∫ 𝑑𝑙 = 𝜆 ∫ 𝑑𝑙 = 𝜆𝜋𝑅
𝐶 0
𝐶
𝑞𝐷𝐵 = 𝜆 ∫ 𝑑𝑙 = 𝜆(𝐿 − 𝑅)
𝐴
Donc :
𝑞 = 2𝜆(𝐿 − 𝑅)+ 𝜆𝜋𝑅

A.ABDELOUAHAD
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II)2)- On procède de la même façon que Y

dans la partie I), on décompose le fil AB
en petits segments de longueur 𝑑𝑙, ainsi 𝑢
⃗⃗
P
-Le champ créé par un segment 𝑑𝑙 de la ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐸2 R X
𝜃
partie AC du fil au point O est : A
C O D B
1 𝑑𝑞 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗1
𝑑𝐸
⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐸1 = ⃗𝑖 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐸𝑂
4𝜋𝜀0 𝐿2
-Le champ créé par un segment 𝑑𝑙 de la
partie DB du fil au point O est :
1 𝑑𝑞
⃗⃗⃗⃗⃗⃗
⃗𝑖
𝑑𝐸2 = −
4𝜋𝜀0 𝐿2
- Le champ créé par un segment 𝑑𝑙 de la partie CD du fil au point O est :
1 𝑑𝑞
⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐸𝑂 = ⃗⃗
𝑢
4𝜋𝜀0 𝑅 2
En appliquant le principe de superposition le champ élémentaire créé par le fil au point
⃗⃗⃗⃗⃗⃗𝑇𝑜𝑡/𝑂 = 𝑑𝐸
O est : 𝑑𝐸 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗1 + 𝑑𝐸
⃗⃗⃗⃗⃗⃗2 + 𝑑𝐸
⃗⃗⃗⃗⃗⃗𝑂 = 𝑑𝐸
⃗⃗⃗⃗⃗⃗𝑂

Et
1 𝜆𝑑𝜃
⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐸𝑂 = ⃗⃗
𝑢
4𝜋𝜀0 𝑅
Avec : 𝑑𝑞 = 𝜆𝑅𝑑𝜃, en remplaçant 𝑑𝑙 = 𝑅𝑑𝜃
1 𝜆
𝑑𝐸𝑥 = − cos 𝜃 𝑑𝜃
⃗⃗⃗⃗⃗⃗𝑂 = 4𝜋𝜀0 𝑅
𝑑𝐸
1 𝜆
𝑑𝐸𝑦 = − sin 𝜃 𝑑𝜃
[ 4𝜋𝜀0 𝑅
Pour des raisons de symétrie, le champ est porté suivant l’axe (OY) (voir figure), ce qui
veut dire que la composante du champ suivant (OX) est nulle, effectivement :
𝜋 1 𝜆 𝜋 1 𝜆
𝐸𝑥 = ∫ 𝑑𝐸𝑥 = − ∫ cos 𝜃 𝑑𝜃 = − [sin 𝜃]𝜋0 = 0
0 4𝜋𝜀0 𝑅 0 4𝜋𝜀0 𝑅

Donc :
𝜋
1 𝜆 𝜋 1 𝜆 𝜆
𝐸⃗⃗𝑇𝑜𝑡/𝑂 = 𝐸⃗⃗𝑂 = ∫ 𝑑𝐸𝑦 𝑗⃗ = − ∫ sin 𝜃 𝑑𝜃 𝑗⃗ = − [−cos 𝜃]𝜋0 𝑗⃗ = − 𝑗⃗
0 4𝜋𝜀0 𝑅 0 4𝜋𝜀0 𝑅 2𝜋𝜀0 𝑅

A.ABDELOUAHAD
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Exercice 2 Z
1)- Pour des raisons de symétrie (𝑀 ∈ (𝑂𝑍), la
distribution surfacique de charge est invariante ⃗⃗⃗⃗⃗⃗𝑧
𝑑𝐸
sous toute rotation 𝜃 autour de l’axe (OZ). Ainsi, 𝜑
en tout point de l’axe, le champ électrostatique
est porté par l’axe (OZ), il dépend que de z
On calcule le champ élémentaire ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐸 créé par un 𝑅2
𝑅1 O
Y
élément de surface 𝑑𝑆 qui porte la charge 𝑑𝑞 = 𝑢
⃗⃗
𝜃 𝑣⃗
𝜎 𝑟𝑑𝑟 𝑑𝜃, considérée comme charge ponctuelle
1 𝑑𝑞 1 𝜎 𝑟𝑑𝑟 𝑑𝜃
⃗⃗⃗⃗⃗⃗ =
𝑑𝐸 𝑢
⃗⃗ = 𝑢
⃗⃗ X
2 2
4πε0 (𝑟 + 𝑧 ) 4πε0 (𝑟 2 + 𝑧 2 )

𝑢 ⃗⃗ − sin 𝜑𝑣⃗ avec 𝑣⃗ = cos 𝜃 𝑖⃗ + sin 𝜃 𝑗⃗

⃗⃗ = cos 𝜑𝑘
𝑧 𝑟
cos 𝜑 = √𝑟 2 et sin 𝜑 = √𝑟 2
+𝑧 2 +𝑧 2

1 𝜎 𝑟𝑑𝑟 𝑑𝜃
⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐸 = ⃗⃗ − sin 𝜑(cos 𝜃 𝑖⃗ + sin 𝜃 𝑗⃗))
(cos 𝜑𝑘
4πε0 (𝑟 2 + 𝑧 2 )
1 𝜎 𝑟𝑑𝑟 𝑑𝜃 𝑧 𝑟
⃗⃗⃗⃗⃗⃗ =
𝑑𝐸 ( ⃗⃗ −
𝑘 ⃗⃗
(𝑐𝑜𝑠 𝜃 𝑖⃗ + 𝑠𝑖𝑛 𝜃 𝑗⃗)) = 𝑑𝐸𝑥 𝑖⃗ + 𝑑𝐸𝑦 𝑗⃗ + 𝑑𝐸𝑧 𝑘
2 2
4𝜋𝜀0 (𝑟 + 𝑧 ) √𝑟 2 + 𝑧 2 √𝑟 2 + 𝑧 2
En utilisant les symétries de la répartition des charges, on a déduit que la seule
composante non nulle du champ est la composante 𝐸𝑧 (on peut aussi vérifier par calcul
d’intégrales que les composante 𝐸𝑥 et 𝐸𝑦 sont nulles)
𝑅2
𝑧 𝜎 𝑟𝑑𝑟 𝑑𝜃 𝜎𝑧 𝑅2 𝑟 𝑑𝑟 2𝜋
𝜎0 𝑧 1
𝑑𝐸𝑧 = ⟹ 𝐸𝑧 = ∫ ∫ 𝑑𝜃 = [− ] [𝜃]2𝜋
0
4𝜋𝜀0 (𝑟 2 + 𝑧 2 )3/2 4𝜋𝜀0 𝑅1 (𝑟 2 + 𝑧 2 )3/2 0 4𝜋𝜀0 √𝑟 2 + 𝑧 2 𝑅
1
ainsi :
𝜎0 𝑧 𝑧
⃗⃗ =
𝐸⃗⃗ = 𝐸𝑧 𝑘 ( − ⃗⃗
)𝑘
2𝜀0 √𝑅12 + 𝑧 2 √𝑅22 + 𝑧 2
2)- quand R1tend vers zéro, on obtient un disque plein chargé en surface, le champ obtenu est :
𝜎0 𝑧 𝑧
𝐸⃗⃗ = ( − ⃗⃗
)𝑘
2𝜀0 |𝑧| √𝑅22 + 𝑧 2

On retrouve ainsi l’expression du champ crée par un disque plein chargé en surface en
un M de son axe de symétrie

A.ABDELOUAHAD
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3)-La courbe 𝐸(𝑧) = 𝑓(𝑧)

On constate que le champ est discontinu au point O

E
𝜎0
2𝜀0

z
O

𝜎0
−
2𝜀0

Exercice 3
1)- Le potentiel électrostatique élémentaire 𝑑𝑉(𝑀) créé par une distribution de charges
surfacique en un point quelconque M de l’espace distant de r est donné par:
𝑑𝑞
𝑑𝑉(𝑀) =
4𝜋𝜀0 𝑟
𝐴
Avec 𝑑𝑞 = 𝜎𝑑𝑆et 𝜎(𝑟) = √𝑅2 2
−𝑟
𝐴
Au point O, la densité surfacique 𝜎0 = 𝜎(0) = 𝑅
Le potentiel au point O est :
1 𝜎0 𝑑𝑆 𝜎0 𝑅 𝜎0 𝑅
𝑉(𝑂) = ∬ 𝑑𝑉(𝑂) = ∬ ⟹ 𝑉(𝑂) = ∫ 𝑑𝑟 =
4𝜋𝜀0 𝑟 2𝜀0 0 2𝜀0
Avec 𝑑𝑆 = 2𝜋𝑟𝑑𝑟
2)- La charge du disque : 𝑞 = ∬ 𝑑𝑞
𝐴
𝑑𝑞 = 𝜎𝑑𝑆 = 2𝜋𝑟𝑑𝑟
√𝑅 2 − 𝑟 2
𝑅
𝑟𝑑𝑟 𝑅
𝑞 = 2𝜋𝐴 ∫ = 2𝜋𝐴 [−√𝑅 2 − 𝑟 2 ] = 2𝜋𝐴𝑅 = 4𝜋𝜀0 𝑅𝑉(𝑂)
2 2
0 √𝑅 − 𝑟 0
3)- Pour 𝜎 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 le calcul est simple, devoir à faire par les étudiants

Exercice 4:
1)- Le potentiel électrostatique élémentaire 𝑑𝑉(𝑀) créé par une charge élémentaire située
au point P en un point M de l’axe (OZ) distant de r du point P est donné par:
𝑑𝑞
𝑑𝑉(𝑀) =
4𝜋𝜀0 𝑟
Avec 𝑑𝑞 = 𝜎𝑑𝑆, 𝜎 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒, 𝑟 = 𝑃𝑀 et 𝑑𝑆 = 𝑅 2 𝑠𝑖𝑛𝜃𝑑𝜃𝑑𝜑

En utilisant la relation de Pythagore, on a :

(𝑃𝑀)2 = (𝑃𝑃′)2 + (𝑃′𝑀)2

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Z
𝑃𝑃′ = 𝑅 𝑠𝑖𝑛 𝜃 et 𝑃′ 𝑀 = 𝑃′ 𝑂 + 𝑂𝑀 = 𝑅 cos 𝜃 + 𝑧
M
𝑟 = 𝑃𝑀 = √(𝑅 𝑠𝑖𝑛 𝜃)2 + (𝑅 cos 𝜃 + 𝑧)2

L’expression de 𝑑𝑉(𝑀) devient : r

𝜎𝑅 2 𝑠𝑖𝑛𝜃𝑑𝜃𝑑𝜑
𝑑𝑉(𝑀) =
4𝜋𝜀0 [(𝑅 𝑠𝑖𝑛 𝜃)2 + (𝑅 cos 𝜃 + 𝑧)2 ]1/2
O R
2
[(𝑅 𝑠𝑖𝑛 𝜃) + (𝑅 cos 𝜃 + 𝑧) 2 ]1/2 (𝑅 2 2 )1/2
= + 2𝑧𝑅𝑐𝑜𝑠𝜃 + 𝑧 𝜃
P’ P
En injectant dans l’expression de 𝑑𝑉(𝑀) :

𝜎𝑅 2 𝑠𝑖𝑛𝜃𝑑𝜃𝑑𝜑
𝑑𝑉(𝑀) =
4𝜋𝜀0 (𝑅 2 + 2𝑧𝑅𝑐𝑜𝑠𝜃 + 𝑧 2 )1/2

On remarque que :

𝑑[(𝑅 2 + 2𝑧𝑅𝑐𝑜𝑠𝜃 + 𝑧 2 )1/2 ] 1 2𝑧𝑅𝑠𝑖𝑛𝜃 𝑠𝑖𝑛𝜃

=− = −𝑧𝑅 [ ]
𝑑𝜃 2 (𝑅 2 + 2𝑧𝑅𝑐𝑜𝑠𝜃 + 𝑧 2 )1/2 (𝑅 2 + 2𝑧𝑅𝑐𝑜𝑠𝜃 + 𝑧 2 )1/2

D’où :

𝑠𝑖𝑛𝜃𝑑𝜃
𝑑[(𝑅2 + 2𝑧𝑅𝑐𝑜𝑠𝜃 + 𝑧 2 )1/2 ] = −𝑧𝑅 [ ]
(𝑅 2 + 2𝑧𝑅𝑐𝑜𝑠𝜃 + 𝑧 2 )1/2

Ainsi :

𝜎𝑅
𝑑𝑉(𝑀) = − 𝑑[(𝑅 2 + 2𝑧𝑅𝑐𝑜𝑠𝜃 + 𝑧 2 )1/2 ]𝑑𝜑
4𝜋𝜀0 𝑧
𝜋
Le potentiel total au point M est obtenu en intégrant :𝜃 𝑑𝑒 0 à (s’agissant d’une demi-
2

sphère) et 𝜑 𝑑𝑒 0 à 2𝜋
𝜋/2 2𝜋
𝜎𝑅 2 2 )1/2
𝑉(𝑀) = ∬ 𝑑𝑉(𝑀) = − ∫ 𝑑[(𝑅 + 2𝑧𝑅𝑐𝑜𝑠𝜃 + 𝑧 ] ∫ 𝑑𝜑
4𝜋𝜀0 𝑧 0 0

𝜎𝑅 𝜋/2
𝑉(𝑀) = − [(𝑅 2 + 2𝑧𝑅𝑐𝑜𝑠𝜃 + 𝑧 2 )1/2 ]0
2𝜀0 𝑧
𝜎𝑅
𝑉(𝑀) = − [(𝑅2 + 𝑧 2 )1/2 − (𝑅 + 𝑧)]
2𝜀0 𝑧
Et finalement :
𝜎𝑅 1
𝑉(𝑀) = [(𝑅 + 𝑧) − (𝑅 2 + 𝑧 2 )2 ]
2𝜀0 𝑧
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2)- Pour déterminer l’expression du champ total au point M on utilise la relation locale
𝑑𝑉(𝑀) 𝜎𝑅 𝑑 (𝑅 + 𝑧) − (𝑅 2 + 𝑧 2 )1/2
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 𝑉(𝑀) ⟹ 𝐸⃗⃗ (𝑀) = −
𝐸⃗⃗ (𝑀) = −𝑔𝑟𝑎𝑑 ⃗⃗
𝑘=− [ ⃗⃗
]𝑘
𝑑𝑧 2𝜀0 𝑑𝑧 𝑧
Après dérivation, on trouve :

𝜎𝑅 𝑅 1 √𝑅 2 + 𝑧 2
𝐸⃗⃗ (𝑀) = [ 2+ − ]
2𝜀0 𝑧 √𝑅 2 + 𝑧 2 𝑧2
3)- Le potentiel au point O se déduit facilement du potentiel 𝑉(𝑀)
1/2
𝜎𝑅 𝑅 𝑅 𝑧2
𝑉(𝑀) = [1 + − (1 + 2 ) ]
2𝜀0 𝑧 𝑧 𝑅

En prenant la limite pour 𝑧 ⟶ 0, on obtient l’expression de 𝑉(𝑂)

𝜎𝑅
𝑉(𝑂) = lim 𝑉(𝑀) =
𝑧⟶0 2𝜀0

On procède de la même méthode pour le champ, on obtient

2
𝜎𝑅 𝑅 1 √1 + 𝑧 2
𝑅
𝐸⃗⃗ (𝑀) = 2
+ −𝑅 2
2𝜀0 𝑧 2 𝑧
𝑅 √1 + 𝑧 2
[ 𝑅 ]
En prenant la limite
2
𝜎𝑅 𝑅 1 √1 + 𝑧 2
𝑅
𝐸⃗⃗ (𝑂) = lim 𝐸⃗⃗ (𝑀) = 2
+ −𝑅 2
𝑧⟶0 2𝜀0 𝑧 𝑅 𝑧
[ ]
En utilisant la relation (1 + 𝜀)𝑛 = 1 + 𝑛𝜀
𝜎𝑅 𝑅 1 𝑅 𝑧2 𝜎𝑅 1 1
𝐸⃗⃗ (𝑂) = [ 2 + − 2 (1 + 2 )] = ( − )
2𝜀0 𝑧 𝑅 𝑧 2𝑅 2𝜀0 𝑅 2𝑅
𝜎
𝐸⃗⃗ (𝑂) =
4𝜀0

A.ABDELOUAHAD