Réalisation de composants

passifs en hautes fréquences

en technologie microruban

1
Introduction

Basses fréquences Hautes fréquences

Circuits à éléments distribués

Utilisation d’éléments localisés

(lumped elements) Les lignes de connexion se comportent
comme des impédances dont la valeur
Les fils connectant les composants varie en fonction de la fréquence
ont un comportement neutre

Comment réaliser les composants passifs ?

2
 Tirer parti du comportement des
tronçons de lignes pour réaliser des
inductances, des condensateurs et
des circuits résonants

Eléments ou composants distribués

(réalisation de composants de faibles valeurs à partir de tronçons de ligne de
longueurs < λg/12)

3
Composants distribués

Equivalence entre un tronçon de ligne sans pertes et une

inductance ou un condensateur
L

ZC C

Hypothèse :
ℓ βℓ<< 1 rad

ℓ ℓ

Avec
ZC : impédance caractéristique de la ligne
: vitesse
ℓ : longueur de la ligne
4
Réalisation d’une self série et d’une capacité
parallèle en technologie microruban

ℓ ℓ

L et C dépendent de ZC

Dans le cas d’une ligne microruban ZC dépend des dimensions de la et

de la nature du substrat ZC = f(W, h, εeff)
Si h et εr fixées, quand W alors ZC et inversement

Pour avoir un composant réalisable :

10 Ω < ZC < 100 Ω

5
Réalisation d’une self série et d’une capacité
parallèle en technologie microruban

L
ZC = 100 Ω
ZC = 50 Ω ZC = 50 Ω
ℓ
ℓ
ℓ

C ZC = 50 Ω ZC = 10 Ω ZC = 50 Ω

ℓ
ℓ
ℓ

6
Réalisation d’une self parallèle et d’une
capacité série en technologie microruban
ℓ ze = jx x>0
Vers le
générateur
ZC = 50 Ω
zCC
ℓ

Court-circuit
L
ℓ ze = jx x>0
ZC = 50 Ω

ℓ zCO

ℓ Vers le ℓ
Circuit-ouvert générateur

gap
Schéma équivalent

C2
Vue de dessus
gap
C
C1 C1
Vue de côté

Gap petit ≈
Calcul compliqué

7
Réalisation de circuits résonants

L – C parallèle placé en // Circuit-ouvert

ZC = 10 Ω
Capacité ℓ

ZC = 50 Ω

L ZC = 100 Ω
C Self ℓ

Court-circuit

L – C série placé en //
ZC = 50 Ω

C ZC = 100 Ω ℓ
Self

L ZC = 10 Ω
Capacité ℓ

Circuit-ouvert

8
Réalisation de circuits résonants

Circuits résonants série et parallèle placés en série

BF circuit résonant série
∆# & '#$
1 2 !# avec %! et !
C L R $ ' (

Si ω = ω0 (c’est-à-dire f = f0)
Si ω < ω0 (c’est-à-dire f < f0)
∆ω = ω - ω0 < 0 et donc )* + 0
Si ω > ω0 (c’est-à-dire f > f0)
∆ω > 0 et donc )* - 0

BF circuit résonant parallèle

∆# & (
1 . 2 !# avec %! '
et ! '#$
$

L R Si ω = ω (c’est-à-dire f = f )
0 0
C Si ω < ω0 (c’est-à-dire f < f0)
∆ω = ω - ω0 < 0 et donc )* - 0
Si ω > ω0 (c’est-à-dire f > f0)
∆ω > 0 et donc )* + 0

9
Réalisation de circuits résonants : ligne quart-
d’onde (ℓ = λg0/4 @ f0)

Circuit résonant parallèle Ligne quart-d’onde court-circuitée

L
Court-Circuit

Ze

ℓ @ f0
C

Circuit résonant série Ligne quart-d’onde en circuit-ouvert

Circuit-ouvert

C L Ze

ℓ @ f0

10
 Ligne quart-d’onde (ℓ = λg0/4 @ f0) : explications

Court-circuit Circuit-ouvert

EF GH - EF GH -
Vers le
générateur
f < f0 f > f0
zCO
zCC
f = f0 f = f0
EF GH + Vers le
générateur
f > f0 EF GH +
f < f0

1 1
Si f < f0 /0 2
- /0! 2$
34$
ℓ 5 @ f0
ℓ 8 /0 @ f au voisinage de f0
8 + 1/4

11
Réalisation de circuits résonants : ligne demi-onde
(ℓ = λg0/2 @ f0)

Circuit résonant parallèle Ligne demi-onde en circuit-ouvert

L
Circuit-ouvert

Ze

ℓ @ f0
C

Circuit résonant série Ligne demi-onde court-circuitée

Court-Circuit
C L
Ze
ℓ @ f0

12
Eléments à constantes localisées

Les composants localisés permettent d’obtenir des valeurs plus

élevées qu’avec les éléments distribués (pertes importantes)
LIJ KLMINJLONJ KOLPINQ êQSI TULVWIJ KIPUNQ WU WONXYIYS KZ ONKI
(< λg/30)

13
Réalisation d’une résistance

Schéma équivalent

C2

L R(f)
ℓ

\ C1 C1

ℓ
[ • Le schéma dépend de la géométrie
\]

[ : résistivité du matériau de la couche résistive • Les éléments parasites sont plus ou

en Ωm moins importants
t : épaisseur de la couche résistive

14
Réalisation d’une inductance

Inductance boucle permet de réduire l’encombrement

ℓ
^_ 2 ℓ ℓ^ . 1,76
\ ]
\ : largeur du ruban
] : épaisseur du conducteur
ℓ : longueur du ruban (ℓ =2πr)

Inductance à méandre permet de réduire l’encombrement

ℓ \ ]
^_ 2 ℓ ℓ^ 0,22 1,19
\ ] ℓ

\ : largeur du ruban
] : épaisseur du conducteur
ℓ : longueur du ruban

Valeurs typiques : 0,4 nH – 4 nH

15
Réalisation d’une inductance

Inductance spirale Schéma équivalent

C3

L R

C1 C2

Il existe des formules empiriques pour déterminer les

valeurs des inductances mais attention aux domaines
de validités

Valeurs typiques : 0,2 nH – 15 nH

16
Réalisation d’un condensateur

Condensateurs céramiques
multicouches (MLCC)

Basses fréquences – pertes élevées Valeurs typiques : 0,1 pF – 5,6 nF

17
Réalisation d’un condensateur

Capacité interdigitée L R C

C1 C1

Valeurs typiques : 0,05 pF – 2 pF

Capacité MIM (Métal Isolant Métal) L1 C L2
R

pq e C1 C2

$ n o
En première approximation :
S : surface des armatures

Valeurs typiques : 0,1 pF – 60 pF

18
Problème de discontinuités des lignes microruban

Sauts d’impédances Schéma équivalent en Té

L2 L1

W1 W2 C

Coudes Schéma équivalent en Té

L2 L1

19
Notion de filtres planaires

Filtre passe bas éléments localisés Filtre passe bas éléments distribués

L1 L3

C2

Filtre passe bande à base de résonateurs Filtre passe bande à base de résonateurs
demi-onde couplés en série demi-onde couplés en parallèle

1 2 Ligne d’excitation
1
ℓ @ f0
2
Ligne d’excitation

20
 Notion de filtres planaires

Filtre passe bande à base de résonateurs quart d’onde couplés

21